JP2005134165A - 薄膜ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ダイヤフラム様の支持基板上に、感知第1層としてSnO2層またはドナーとなる+5価ないし+6価の元素を添加したSnO2層を設け、さらにその上に感知第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔を置いて1対の金属からなる感知電極層を設けるとともに、該ガス感知層をなす感知第2層の外周部が、該感知第1層の外周部よりも全て外側に設置されている薄膜ガスセンサとする。
【選択図】 図1
Description
電池駆動を実現するためには低消費電力化が最も重要であるが、接触燃焼式や半導体式のガスセンサでは、200℃〜500℃の高温に加熱し検知する必要がある。そこで、微細加工プロセスにより、ダイヤフラム構造などの高断熱・低熱容量の構造とした薄膜ガスセンサの実現が待たれている。
しかしながら、このような薄膜ガスセンサでは、感知層と触媒を添加した半導体薄膜層とが同面積かつ同位置に形成されているため、感知層の側面からガスが進入してしまいガス選択性が不十分であるという問題点があった。
さらに、感知層と選択燃焼層の間には、触媒を添加した半導体薄膜層をある一定の条件で形成することで、選択性が向上する。
その結果、本発明者らは、ガス感知層を形成する2層構造において感知第1層と感知第2層の設置状態を特定するとともに、さらに必要により選択燃焼層を特定の配置で設けることによって、かかる問題点が一気に解決されることを見出した。本発明は、かかる見地より完成されたものである。
すなわち、本発明は、薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒータを形成し、この薄膜のヒータ層を電気絶縁膜で覆い、その上に感知第1層としてSnO2層またはドナーとなる+5価ないし+6価の元素を添加したSnO2層を設け、さらにその上に感知第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔を置いて1対の金属からなる感知電極層を設けてなる薄膜ガスセンサであって、該ガス感知層をなす感知第2層の外周部が、該感知第1層の外周部よりも全て外側に設置されていることを特徴とする薄膜ガスセンサを提供するものである。感知第2層の外周部が全ての位置で感知第1層の外周部よりも外側にあるため、薄膜上に形成される感知第1層の垂直方向の側面部は、全て感知第2層によって覆われることとなる。かかる構成によって、感知第2層を経ない、感知第1層の側面からのガス流入を防止し、外部からのガス全てが、感知第2層、感知第1層、という順序で感知第1層に到達するようになる。
また、前記ガス感知層の感知第2層の触媒としては、Ru、Rh、Pd 、Os、IrおよびPtからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素を含む態様が挙げられる。
また、前記感知第2層の触媒としては、Ru、Rh、Pd 、Os、IrおよびPtからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素を含む態様が挙げられる。
図1に、後述の実施例で詳細に説明する薄膜ガスセンサの断面構造を示す。
本実施の形態では一例として、平面の形状が四角形の感知第1層1および感知第2層2からなる2層構成のガス感知層を形成する。そのガス感知層の上には、平面の形状が円形の選択燃焼層3を形成する。選択燃焼層3、感知第1層1、感知第2層2の平面形状は、図2に示す通りである。
本実施の形態では、幅bについては感知第1層1との関係によって定められるものであり特に限定されるものではないが、感知第2層2が四角形の場合、例えばbは50〜2000μm、好ましくは100〜1000μmの範囲である。また、選択燃焼層3が円形の場合、直径dは、一辺幅bの四角形の対角線の長さに選択燃焼層3の膜厚mの2倍の長さを加えたのと同等かそれ以上であることが必要である。選択燃焼層3の膜厚mは任意に定められるものであり特に限定されるものではないが、例えば1.0〜50μmの範囲である。
以下、本実施の形態の薄膜ガスセンサおよびその製造方法について、図面を参照しながら実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこの実施例によって何ら制限されるものでない。
続いて、選択燃焼層3を形成する。Pd 7.0wt%添加したγ−アルミナ(平均粒径2〜3μm)にアルミナゾルを5〜20wt%添加しペーストとし、感知膜であるSnO2の直上にスクリーン印刷し、その後500℃で一時間焼成する。焼成後の選択燃焼層3の膜厚は30〜35μmである。ここで、選択燃焼層3、感知第1層1、感知第2層2の平面形状は、図2に示す通りである。
また、選択燃焼層3は、図2では、円形状の選択燃焼層3の直径dは220μmであり幅bの100μmよりも大きく、さらに四角形(略正方形)の感知第2層2の対角線の長さ約140〜150μmよりも直径dは大きい。
最後に、基板裏面よりエッチングによりSiを除去し、ダイアフラム構造とする。
下記表1に、図2(a)に示す実施例1のCOセンサ、および、図2(b)に示す比較例1のCOセンサ、それぞれの特性を示す。CO濃度勾配は、COガス濃度に対するセンサ抵抗値の変化割合を示し、この値が大きいほどガス濃度に対するセンサ出力の分解能が高くなる。ここでは、CO100ppm中とCO500ppm中のセンサ抵抗値の比を示す。また選択性は、妨害ガスとなる水素およびメタンに対するCOとの感度比であり、水素1000ppm中とCO100ppm中、メタン4000ppm中とCO100ppm中、それぞれでのセンサ抵抗値の比を示す。この値が大きいほど、妨害ガスの影響が少なく優れたセンサ特性といえる。
下記表1の結果から、実施例の方が比較例よりもCO濃度勾配およびガス選択性の両方について高い性能を有することがわかる。
2 感知第2層
3 選択燃焼層
4 感知層電極
5 接合層
6 ヒータ層(Pt−W)
7 絶縁層(スパッタSiO2)
8 CVD−SiO2
9 CVD−Si3N4
10 熱酸化SiO2
11 支持膜、熱絶縁膜
12 基板
20 ダイヤフラム構造
Claims (6)
- 薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒータを形成し、この薄膜のヒータ層を電気絶縁膜で覆い、その上に感知第1層としてSnO2層またはドナーとなる+5価ないし+6価の元素を添加したSnO2層を設け、さらにその上に感知第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔を置いて1対の金属からなる感知電極層を設けてなる薄膜ガスセンサであって、該ガス感知層をなす感知第2層の外周部が、該感知第1層の外周部よりも全て外側に設置されていることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
- 前記ガス感知層の感知第2層の外周部と感知第1層の外周部との距離の最小値が、該感知第2層の膜厚と等しいか、あるいはそれ以上であることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜ガスセンサ。
- 前記感知第2層の触媒として、Ru、Rh、Pd 、Os、IrおよびPtからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜ガスセンサ。
- 前記感知第2層の上に、多孔質金属酸化物および貴金属触媒からなる選択燃焼層を、その外周部が該感知第2層の外周部よりも全て外側であるように形成したことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜ガスセンサ。
- 前記選択燃焼層の外周部と前記感知第2層の外周部との距離の最小値が、選択燃焼層の膜厚と等しいか、あるいはそれ以上であり、かつ、該感知第2層の外周部と前記感知第1層の外周部との距離の最小値が、該感知第2層の膜厚と等しいか、あるいはそれ以上であることを特徴とする、請求項4に記載の薄膜ガスセンサ。
- 前記感知第2層の触媒として、Ru、Rh、Pd 、Os、IrおよびPtからなる群より選ばれる少なくとも1つの元素を含むことを特徴とする、請求項4に記載の薄膜ガスセンサ。
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