JP2001221760A - 薄膜ガスセンサ - Google Patents
薄膜ガスセンサInfo
- Publication number
- JP2001221760A JP2001221760A JP2000033325A JP2000033325A JP2001221760A JP 2001221760 A JP2001221760 A JP 2001221760A JP 2000033325 A JP2000033325 A JP 2000033325A JP 2000033325 A JP2000033325 A JP 2000033325A JP 2001221760 A JP2001221760 A JP 2001221760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin
- filter layer
- gas
- primary particle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な応答性を有し、ガス選択性に優れ、妨
害物質が共存するような劣悪な環境下にあっても安定に
動作する薄膜ガスセンサを提供可能とする。 【解決手段】 フィルタ層８として、一次粒子径が１．
０μｍ以下のＡｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎｉ
2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ2などの多孔質金属酸化物を用
い、膜厚を酸化物一次粒子径から最大１００μｍにする
ことにより、掲記課題の解決を図る。
害物質が共存するような劣悪な環境下にあっても安定に
動作する薄膜ガスセンサを提供可能とする。 【解決手段】 フィルタ層８として、一次粒子径が１．
０μｍ以下のＡｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎｉ
2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ2などの多孔質金属酸化物を用
い、膜厚を酸化物一次粒子径から最大１００μｍにする
ことにより、掲記課題の解決を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電池駆動を念頭
に置いた低消費電力型薄膜ガスセンサの改良に関する。
に置いた低消費電力型薄膜ガスセンサの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的にガスセンサは、ガス漏れ警報器
などの用途に用いられ、ある特定ガス、例えばＣＯ，Ｃ
Ｈ4，Ｃ3Ｈ8，ＣＨ3ＯＨ等に選択的に感応するデバイス
であり、その性格上、高感度，高選択性，高応答性，高
信頼性，低消費電力が必要不可欠である。ところで、家
庭用として普及しているガス漏れ警報器には、都市ガス
用やプロパンガス用の可燃性ガス検知を目的とするもの
と、燃焼機器の不完全燃焼ガス検知を目的とするもの、
または、両方の機能をあわせ持ったものなどがあるが、
いずれもコストや設置性の問題から普及率はそれほど高
くない。
などの用途に用いられ、ある特定ガス、例えばＣＯ，Ｃ
Ｈ4，Ｃ3Ｈ8，ＣＨ3ＯＨ等に選択的に感応するデバイス
であり、その性格上、高感度，高選択性，高応答性，高
信頼性，低消費電力が必要不可欠である。ところで、家
庭用として普及しているガス漏れ警報器には、都市ガス
用やプロパンガス用の可燃性ガス検知を目的とするもの
と、燃焼機器の不完全燃焼ガス検知を目的とするもの、
または、両方の機能をあわせ持ったものなどがあるが、
いずれもコストや設置性の問題から普及率はそれほど高
くない。
【０００３】かかる事情から、普及率の向上をはかるべ
く、設置性の改善、具体的には電池駆動としコードレス
化することが望まれている。電池駆動を実現するために
は低消費電力化が最も重要であるが、接触燃焼式や半導
体式のガスセンサでは、２００℃〜５００℃の高温に加
熱し検知する必要がある。このことから、ＳｎＯ2など
の粉体を燒結する従来の方法では、スクリーン印刷等の
方法を用いても厚みを薄くするには限界があり、電池駆
動に用いるには熱容量が大きすぎた。そこで、微細加工
プロセスによりダイヤフラム構造などの低熱容量構造と
した薄膜ガスセンサの出現が待たれている。
く、設置性の改善、具体的には電池駆動としコードレス
化することが望まれている。電池駆動を実現するために
は低消費電力化が最も重要であるが、接触燃焼式や半導
体式のガスセンサでは、２００℃〜５００℃の高温に加
熱し検知する必要がある。このことから、ＳｎＯ2など
の粉体を燒結する従来の方法では、スクリーン印刷等の
方法を用いても厚みを薄くするには限界があり、電池駆
動に用いるには熱容量が大きすぎた。そこで、微細加工
プロセスによりダイヤフラム構造などの低熱容量構造と
した薄膜ガスセンサの出現が待たれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一般に、感知膜（また
は感応膜とも言う）に半導体薄膜を用いた場合、感知膜
単体では複数の還元性ガス種に感応してしまい、或る特
定のガスだけに選択的に感応させることはできない。そ
こで、感知膜の上にフィルタ層を設け、検知ガスより酸
化活性の強いガスを燃焼させることが有効である。ま
た、感知膜単体では水蒸気などの妨害物質共存下で感度
が低下するという問題があるので、これについてもフィ
ルタ層を設けることが有効である。
は感応膜とも言う）に半導体薄膜を用いた場合、感知膜
単体では複数の還元性ガス種に感応してしまい、或る特
定のガスだけに選択的に感応させることはできない。そ
こで、感知膜の上にフィルタ層を設け、検知ガスより酸
化活性の強いガスを燃焼させることが有効である。ま
た、感知膜単体では水蒸気などの妨害物質共存下で感度
が低下するという問題があるので、これについてもフィ
ルタ層を設けることが有効である。
【０００５】一方、消費電力を抑えるために、フィルタ
層の膜厚は１００μｍ以内である必要がある。通常、ガ
ス漏れ警報器は２０〜６０秒の一定周期に一回の検知が
必要であり、この周期に合わせ検知部を室温から２００
℃〜５００℃の高温に加熱する。ヒータの応答が遅い場
合はガス検知に遅れが生じ、ヒータのオン時間が長くな
る分、オフ時間も含めた平均消費電力が増大し、電池寿
命を低下させることになる。図３に、フィルタ層の膜厚
と応答時間との関係を示す。電池駆動を考慮したとき
の、実用的なオン時間が１００ｍｓであるので、これら
フィルタ層の膜厚は１００μｍ以内にする必要があるこ
とがわかる。
層の膜厚は１００μｍ以内である必要がある。通常、ガ
ス漏れ警報器は２０〜６０秒の一定周期に一回の検知が
必要であり、この周期に合わせ検知部を室温から２００
℃〜５００℃の高温に加熱する。ヒータの応答が遅い場
合はガス検知に遅れが生じ、ヒータのオン時間が長くな
る分、オフ時間も含めた平均消費電力が増大し、電池寿
命を低下させることになる。図３に、フィルタ層の膜厚
と応答時間との関係を示す。電池駆動を考慮したとき
の、実用的なオン時間が１００ｍｓであるので、これら
フィルタ層の膜厚は１００μｍ以内にする必要があるこ
とがわかる。
【０００６】図４にメタンガス警報器用センサのガス感
度と選択燃焼層の膜厚との関係を示す。ここで、ガス感
度＝Ｒｏ／Ｒｇ（Ｒｏ：空気中の抵抗、Ｒｇ：ガス中の
センサ抵抗）と定義し、ガスの濃度はＣＨ4２０００ｐ
ｐｍ、Ｈ2１０００ｐｐｍを対象とする。この場合、誤
報原因となるＨ2に対する選択性が問題となり、Ｈ2ガス
の感度がメタンよりも低い感度である必要がある。従
来、フィルタ層の膜厚は３００μｍ〜５００μｍと厚い
ため十分な選択性が得られていたが、膜厚を薄くして行
くとＨ2ガス感度が増大し、１００μｍ以下では十分な
選択性が得られなくなる。このように、フィルタ層の膜
厚に関しては、低消費電量化からの要求とガス選択性か
らの要求とは相容れない関係にある。したがって、この
発明の課題は、十分な応答性を有し、ガス選択性に優
れ、安定に動作するガスセンサを提供することにある。
度と選択燃焼層の膜厚との関係を示す。ここで、ガス感
度＝Ｒｏ／Ｒｇ（Ｒｏ：空気中の抵抗、Ｒｇ：ガス中の
センサ抵抗）と定義し、ガスの濃度はＣＨ4２０００ｐ
ｐｍ、Ｈ2１０００ｐｐｍを対象とする。この場合、誤
報原因となるＨ2に対する選択性が問題となり、Ｈ2ガス
の感度がメタンよりも低い感度である必要がある。従
来、フィルタ層の膜厚は３００μｍ〜５００μｍと厚い
ため十分な選択性が得られていたが、膜厚を薄くして行
くとＨ2ガス感度が増大し、１００μｍ以下では十分な
選択性が得られなくなる。このように、フィルタ層の膜
厚に関しては、低消費電量化からの要求とガス選択性か
らの要求とは相容れない関係にある。したがって、この
発明の課題は、十分な応答性を有し、ガス選択性に優
れ、安定に動作するガスセンサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るため、請求項１の発明では、薄膜状の支持膜の外周部
または両端部をＳｉ基板により支持し、外周部または両
端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支
持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒー
ターを電気絶縁膜で覆い、その上にヒーターおよびガス
感知膜用の電極を形成し、さらに半導体薄膜によりガス
感知膜を形成した後、その最表面にフィルタ層を設けて
なる薄膜ガスセンサにおいて、前記フィルタ層をＡｌ2
Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎｉ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ 2
のいずれかを含む多孔質金属酸化物から形成することを
特徴とする。
るため、請求項１の発明では、薄膜状の支持膜の外周部
または両端部をＳｉ基板により支持し、外周部または両
端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支
持基板上に、薄膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒー
ターを電気絶縁膜で覆い、その上にヒーターおよびガス
感知膜用の電極を形成し、さらに半導体薄膜によりガス
感知膜を形成した後、その最表面にフィルタ層を設けて
なる薄膜ガスセンサにおいて、前記フィルタ層をＡｌ2
Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎｉ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ 2
のいずれかを含む多孔質金属酸化物から形成することを
特徴とする。
【０００８】上記請求項１の発明においては、前記フィ
ルタ層の膜厚を、前記多孔質金属酸化物の一次粒子径以
上で１００μｍ以下とすることができる（請求項２の発
明）。また、上記請求項１または２の発明においては、
前記多孔質金属酸化物の一次粒子径が１．０μｍ以下で
あることができる（請求項３の発明）。さらに、上記請
求項１ないし３の発明においては、前記フィルタ層の膜
厚ｄと多孔質金属酸化物の一次粒子径ｒとの間にｄ／ｒ
≧１００なる関係をもたせることができる（請求項４の
発明）。
ルタ層の膜厚を、前記多孔質金属酸化物の一次粒子径以
上で１００μｍ以下とすることができる（請求項２の発
明）。また、上記請求項１または２の発明においては、
前記多孔質金属酸化物の一次粒子径が１．０μｍ以下で
あることができる（請求項３の発明）。さらに、上記請
求項１ないし３の発明においては、前記フィルタ層の膜
厚ｄと多孔質金属酸化物の一次粒子径ｒとの間にｄ／ｒ
≧１００なる関係をもたせることができる（請求項４の
発明）。
【０００９】すなわち、フィルタ層の膜厚を前記多孔質
金属酸化物の一次粒子径（一次は物質の凝集前のものを
指すが、以下、単に粒子径または粒径とも言う）から最
大１００μｍにすることで十分な応答性を実現し、フィ
ルタ層の感知電極の多孔質金属酸化物の一次粒子径を１
μｍ以下にすることでガス選択性に優れ、妨害物質が共
存するような劣悪な環境下でも安定に動作できるように
する。
金属酸化物の一次粒子径（一次は物質の凝集前のものを
指すが、以下、単に粒子径または粒径とも言う）から最
大１００μｍにすることで十分な応答性を実現し、フィ
ルタ層の感知電極の多孔質金属酸化物の一次粒子径を１
μｍ以下にすることでガス選択性に優れ、妨害物質が共
存するような劣悪な環境下でも安定に動作できるように
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の実施の形態を示
す断面図である。両面に熱酸化膜が付いたＳｉ基板１上
に、ダイヤフラム構造の支持膜および熱絶縁膜２として
Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯ2膜を、順次プラズマＣＶＤ法にて形
成する。次に、Ｎｉ−Ｃｒヒーター層３、ＳｉＯ2絶縁
層４の順にスパッタ法で形成する。その上に、接合層
５，感応層電極６を形成する。成膜はＲＦマグネトロン
スパッタリング装置を用い、通常のスパッタリング方法
によって行なう。成膜条件は接合層（ＰｔまたはＡｕ）
５、感応層電極（ＴａまたはＴｉ）６とも同じで、Ａｒ
ガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー２Ｗ／
ｃｍ2、膜厚は接合層／感知電極膜＝５００Å／２００
０Åである。
す断面図である。両面に熱酸化膜が付いたＳｉ基板１上
に、ダイヤフラム構造の支持膜および熱絶縁膜２として
Ｓｉ3Ｎ4とＳｉＯ2膜を、順次プラズマＣＶＤ法にて形
成する。次に、Ｎｉ−Ｃｒヒーター層３、ＳｉＯ2絶縁
層４の順にスパッタ法で形成する。その上に、接合層
５，感応層電極６を形成する。成膜はＲＦマグネトロン
スパッタリング装置を用い、通常のスパッタリング方法
によって行なう。成膜条件は接合層（ＰｔまたはＡｕ）
５、感応層電極（ＴａまたはＴｉ）６とも同じで、Ａｒ
ガス圧力１Ｐａ、基板温度３００℃、ＲＦパワー２Ｗ／
ｃｍ2、膜厚は接合層／感知電極膜＝５００Å／２００
０Åである。
【００１１】次に、ＳｎＯ2からなる感応層７を成膜す
る。成膜はＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用
い、反応性スパッタリング方法によって行なう。ターゲ
ットにはＳｂを０．５ｗｔ％とＰｔ６．０ｗｔ％を有す
るＳｎＯ2を用いる。成膜条件はいずれもＡｒ＋Ｏ2ガス
圧力２Ｐａ、基板温度１５０〜３００℃、ＲＦパワー２
Ｗ／ｃｍ2、膜厚は５０００Åである。続いてこの発明
に係るフィルタ層８を形成する。Ｐｄ７．０ｗｔ％添加
したγ−アルミナからなるペーストを用い、感応層であ
るＳｎＯ2の直上にフィルタ層をスクリーン印刷し、そ
の後５００℃で焼成する。最後に、基板裏面よりエッチ
ングによりＳｉを除去し、ダイヤフラム構造とした。
る。成膜はＲＦマグネトロンスパッタリング装置を用
い、反応性スパッタリング方法によって行なう。ターゲ
ットにはＳｂを０．５ｗｔ％とＰｔ６．０ｗｔ％を有す
るＳｎＯ2を用いる。成膜条件はいずれもＡｒ＋Ｏ2ガス
圧力２Ｐａ、基板温度１５０〜３００℃、ＲＦパワー２
Ｗ／ｃｍ2、膜厚は５０００Åである。続いてこの発明
に係るフィルタ層８を形成する。Ｐｄ７．０ｗｔ％添加
したγ−アルミナからなるペーストを用い、感応層であ
るＳｎＯ2の直上にフィルタ層をスクリーン印刷し、そ
の後５００℃で焼成する。最後に、基板裏面よりエッチ
ングによりＳｉを除去し、ダイヤフラム構造とした。
【００１２】以上のように作製された薄膜ガスセンサの
特性について、以下に説明する。表１に、以上のように
作製したサンプルの特性をまとめた。
特性について、以下に説明する。表１に、以上のように
作製したサンプルの特性をまとめた。
【表１】
【００１３】平均一次粒径は原料となるγ−アルミナの
平均一次粒子径、ＣＨ4感度とＨ２選択性は２０℃，６
０％相当の相対湿度下におけるＣＨ4２０００ｐｐｍで
の感度、およびＣＨ4感度と１０００ｐｐｍの感度との
比（ＣＨ4感度／Ｈ2感度）をそれぞれ示す。実用的に
は、ＣＨ4感度＞５、Ｈ2感度＜２である必要がある。表
１の結果から、平均一次粒子径１μｍ以下の実施例のサ
ンプルは、フィルタ層の膜厚が多孔質金属酸化物一次粒
子径から最大１００μｍあれば、十分なＣＨ4感度とＨ2
選択性を有することが分かる。
平均一次粒子径、ＣＨ4感度とＨ２選択性は２０℃，６
０％相当の相対湿度下におけるＣＨ4２０００ｐｐｍで
の感度、およびＣＨ4感度と１０００ｐｐｍの感度との
比（ＣＨ4感度／Ｈ2感度）をそれぞれ示す。実用的に
は、ＣＨ4感度＞５、Ｈ2感度＜２である必要がある。表
１の結果から、平均一次粒子径１μｍ以下の実施例のサ
ンプルは、フィルタ層の膜厚が多孔質金属酸化物一次粒
子径から最大１００μｍあれば、十分なＣＨ4感度とＨ2
選択性を有することが分かる。
【００１４】Ｈ2選択性は、フィルタ層のγ−アルミナ
内でのＨ2の燃焼によるものである。フィルタ層の最表
面から進入したＨ2は、フィルタ層の細孔を拡散して行
く過程で、貴金属を添加したγ−アルミナ粒との衝突を
繰り返すたびに酸化される。このＨ2とγ−アルミナ粒
との衝突が十分に行なわれれば、Ｈ2は感知膜であるＳ
ｎＯ2に到達する前にほとんどが燃焼してしまうが、例
えばフィルタ層が薄い等の理由でこの衝突が不十分であ
れば、Ｈ2がＳｎＯ2表面に達し感度が出てしまう。この
衝突回数は、フィルタ層の膜厚と一次粒子径との比（膜
厚／粒径＝ｄ／ｒ）に比例するものと考えられる。図２
に、作製したサンプルのＨ2選択性と膜厚／粒子径（＝
ｄ／ｒ）との関係を示す。ｄ／ｒ≧１００で十分なＨ2
選択性を得られることが分かる。
内でのＨ2の燃焼によるものである。フィルタ層の最表
面から進入したＨ2は、フィルタ層の細孔を拡散して行
く過程で、貴金属を添加したγ−アルミナ粒との衝突を
繰り返すたびに酸化される。このＨ2とγ−アルミナ粒
との衝突が十分に行なわれれば、Ｈ2は感知膜であるＳ
ｎＯ2に到達する前にほとんどが燃焼してしまうが、例
えばフィルタ層が薄い等の理由でこの衝突が不十分であ
れば、Ｈ2がＳｎＯ2表面に達し感度が出てしまう。この
衝突回数は、フィルタ層の膜厚と一次粒子径との比（膜
厚／粒径＝ｄ／ｒ）に比例するものと考えられる。図２
に、作製したサンプルのＨ2選択性と膜厚／粒子径（＝
ｄ／ｒ）との関係を示す。ｄ／ｒ≧１００で十分なＨ2
選択性を得られることが分かる。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、フィルタ層として、
一次粒子径が１μｍ以下のＡｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2
Ｏ3，Ｎｉ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ2を含む多孔質金属酸化
物を用い、膜厚を多孔質金属酸化物一次粒子径から最大
１００μｍにすることにより、十分な応答性を有し、ガ
ス選択性に優れ、妨害物質が共存するような劣悪な環境
下でも安定に動作する薄膜ガスセンサを実現できるとい
う利点が得られる。
一次粒子径が１μｍ以下のＡｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2
Ｏ3，Ｎｉ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ2を含む多孔質金属酸化
物を用い、膜厚を多孔質金属酸化物一次粒子径から最大
１００μｍにすることにより、十分な応答性を有し、ガ
ス選択性に優れ、妨害物質が共存するような劣悪な環境
下でも安定に動作する薄膜ガスセンサを実現できるとい
う利点が得られる。
【図１】この発明の実施の形態を示す断面図である。
【図２】膜厚／粒子径とＨ2選択性との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図３】フィルタ層膜厚と応答時間との関係を示すグラ
フである。
フである。
【図４】フィルタ層膜厚とガス感度との関係を示すグラ
フである。
フである。
１…Ｓｉ（基板）、２…支持層、３…ヒーター層、４…
絶縁層、５…接合層、６…感応層電極、７…感応層、８
…フィルタ層。
絶縁層、５…接合層、６…感応層電極、７…感応層、８
…フィルタ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 国原 健二 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G046 AA11 AA19 AA21 AA24 BA01 BB02 BB04 BD03 BD06 BE03 DB04 EA07 EA10 EA11 FB02 FE03 FE10 FE12 FE25 FE38 FE48
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜状の支持膜の外周部または両端部を
Ｓｉ基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央
部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄
膜のヒーターを形成し、この薄膜のヒーターを電気絶縁
膜で覆い、その上にヒーターおよびガス感知膜用の電極
を形成し、さらに半導体薄膜によりガス感知膜を形成し
た後、その最表面にフィルタ層を設けてなる薄膜ガスセ
ンサにおいて、 前記フィルタ層をＡｌ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，Ｆｅ2Ｏ3，Ｎｉ
2Ｏ3，ＺｎＯ，ＳｉＯ 2のいずれかを含む多孔質金属酸
化物から形成することを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 【請求項２】 前記フィルタ層の膜厚を、前記多孔質金
属酸化物の一次粒子径以上で１００μｍ以下とすること
を特徴とする請求項1に記載の薄膜ガスセンサ。 - 【請求項３】 前記多孔質金属酸化物の一次粒子径が
１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項1または
２のいずれかに記載の薄膜ガスセンサ。 - 【請求項４】 前記フィルタ層の膜厚ｄと多孔質金属酸
化物の一次粒子径ｒとの間にｄ／ｒ≧１００なる関係を
もたせることを特徴とする請求項1ないし３のいずれか
に記載の薄膜ガスセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000033325A JP2001221760A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 薄膜ガスセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000033325A JP2001221760A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 薄膜ガスセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001221760A true JP2001221760A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18557822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000033325A Pending JP2001221760A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 薄膜ガスセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001221760A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2403295A (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-29 | Univ London | Gas Sensor |
| JP2006258422A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
| JP2007279061A (ja) * | 2007-06-19 | 2007-10-25 | Osaka Gas Co Ltd | パルス駆動型薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
-
2000
- 2000-02-10 JP JP2000033325A patent/JP2001221760A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2403295A (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-29 | Univ London | Gas Sensor |
| JP2006258422A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
| JP4641832B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2011-03-02 | 富士電機システムズ株式会社 | 薄膜ガスセンサ |
| JP2007279061A (ja) * | 2007-06-19 | 2007-10-25 | Osaka Gas Co Ltd | パルス駆動型薄膜ガスセンサおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2008082972A (ja) | 水素センサ | |
| JPH11183420A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP3988999B2 (ja) | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 | |
| JP4022822B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2010185774A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2001221760A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4641832B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2006300560A (ja) | 水素透過膜、水素センサおよび水素の検知方法 | |
| JP4010738B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
| JP7158680B2 (ja) | ガスセンサ | |
| JP2005164566A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP3075070B2 (ja) | 一酸化炭素ガスセンサ | |
| JP4371772B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4136811B2 (ja) | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 | |
| JP2000055852A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4315992B2 (ja) | ガスセンサ及びガス検出器及びガス検出方法 | |
| JP3925847B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP3976265B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP5278086B2 (ja) | 薄膜ガスセンサおよびその製造方法 | |
| JP2005098947A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4779076B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4851610B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP4401145B2 (ja) | 薄膜ガスセンサの製造方法 | |
| JP3931473B2 (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2005226992A (ja) | 薄膜ガスセンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Effective date: 20040122 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050601 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050609 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20050722 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060413 |