JP2015219156A - 薄膜ガスセンサ - Google Patents
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Abstract
Description
一方、家庭用のガス漏れ警報器は、コストや設置性の問題から普及率はそれほど高くないため、普及率を向上させるためには、設置性の改善、具体的には、ガス漏れ警報器を電池駆動式としてコードレス化することが望まれている。
電池駆動を実現するためには、低消費電力化が最も重要であるが、接触燃焼式や半導体式のガスセンサでは体積が大きくなると共に、ガスを検知する際の加熱によって消費電力が大きくなる等の問題があり、電池駆動を実現することは困難である。
例えば、図5は、特許文献1に記載された薄膜ガスセンサの断面図である。図5において、薄膜ガスセンサは、Si(シリコン)基板1、熱絶縁支持層2、ヒータ層3、電気絶縁層4、電極5、ガス感知膜6及び選択燃焼層7を備えている。なお、図5は薄膜ガスセンサの構成をあくまで概念的に示したもので、各部の大きさや厚さ等は厳密なものではない。
また、他の構成要素は、例えば以下の材料により形成されている。すなわち、ヒータ層3は、Ta/Pt−W(タリウム/白金−タングステン)やNi−Cr(ニッケル−クロム)、Pt−W(白金−タングステン)等からなり、電気絶縁層4はSiO2等からなる。電極5はPt(白金)またはAu(金)等により、ガス感知膜6は、Sb(アンチモン)がドープされたSnO2(二酸化スズ)により、選択燃焼層7は、Pd(パラジウム)を触媒として担持したAl2O3(アルミナ)焼結材により形成されている。
なお、以下において、ダイアフラムとは、Si基板1、熱絶縁支持層2(熱酸化SiO2層2a、CVD−Si3N4(窒化シリコン)層2b、CVD−SiO2層2c)、ヒータ層3及び電気絶縁層4により構成される部材をいうものとする。
また、ガス漏れ警報器等に用いられる薄膜ガスセンサは、交換頻度を少なくして長期にわたり使用できることが望まれており、経年的な使用しても初期のガス選択性を維持できることが要請されている。
そこで、本発明の解決課題は、経年的な使用によってもガス選択性能の低下が小さく、より長期にわたり安定的な特性を維持する薄膜ガスセンサを提供することにある。
また、本発明の別の解決課題は、機械的強度を高めると共に消費電力の低減に寄与することができる薄膜ガスセンサを提供することにある。
前記選択燃焼層よりも内側に形成される前記ガス感知膜の外周面と、前記選択燃焼層の外周面との間の最短距離を、前記選択燃焼層の膜厚以上とすることを特徴とする。
a≧{選択燃焼層の直径−(ガス感知膜の辺長×√2)}/2
によって示されることを特徴とする。
また、ダイアフラムの直径及び膜厚を所定の範囲に設定すれば、機械的強度が強く、消費電力の低減に寄与する薄膜ガスセンサを得ることができる。
図1に示すように、この実施形態に係る薄膜ガスセンサの構成要素及び製造方法は図5とほぼ同様である。すなわち、熱酸化SiO2層2aを形成したSi基板1の表面に、CVD−Si3N4層2b、CVD−SiO2層2cを順次、プラズマCVD法により形成し、これらの層2a,2b,2cにより熱絶縁支持層2を構成する。
次に、例えば、Ta/Pt−Wからなるヒータ層3、SiO2からなる電気絶縁層4、PtまたはAuからなる電極5、SbがドープされたSnO2からなるガス感知膜6、という順番で、成膜及びパターニングを繰り返す。成膜は、RFマグネトロンスパッタリング装置を用いて通常のスパッタリング法により行う。
最後に、Si基板1の裏面から中央部をエッチングにて除去することにより、ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサが形成される。
なお、図1において、Dはダイアフラムの直径(内径)、dはダイアフラムの膜厚を示している。
すなわち、選択燃焼層7の外周面とガス感知膜6の外周面との間の距離が短か過ぎると、目的とする検知対象ガスだけでなく、CO,H2等の雑ガスもが選択燃焼層7を透過して拡散し、ガス感知膜6に到達するため、長期の使用によって選択燃焼層7が劣化し、検知対象ガスの選択性が低下してしまう。
これとは逆に、選択燃焼層7の外周面とガス感知膜6の外周面との間の距離が長過ぎると、選択燃焼層7の径が大きくなることで、熱容量が大きくなり、応答性が悪くなるという問題がある。
図2において、3a,3bは、ヒータ層3と電極パッド(図示せず)とを接続する導電部であり、5a,5bは、ガス感知層6の下層にある電極5に接続された導電部である。
選択燃焼層7はほぼ円柱状に形成されており、Aはその直径を示している。また、ガス感知層6は平面外形がほぼ正方形であり、Bはその辺長を示している。
ここで、それぞれの長さA,Bは、例えば、下記の範囲に設定されている。
A:130〜280[μm]、好ましくは、150〜230[μm]
B:50〜160[μm]、好ましくは、50〜100[μm]
選択燃焼層7の直径Aを上記の範囲に設定したのは、前述したように、直径Aが短かすぎると選択燃焼層7の劣化を早め、直径Aが長すぎると熱容量が大きくなって応答性が低下することを考慮したためである。また、ガス感知層6の辺長Bの範囲については、上述した直径Aの範囲130〜280[μm]と、後述する数式1及び数式2における最短距離aの範囲(30[μm]≦最短距離a≦70[μm])とに基づいている。
[数式1]
最短距離a≧{選択燃焼層7の直径A−(ガス感知膜6の辺長B×√2)}/2
[数式2]
30[μm]≦最短距離a≦70[μm]
より好ましくは、37[μm]≦最短距離a≦46[μm]
30[μm]未満ではガス選択性が悪くなり、70[μm]より長いと、消費電力が大きくなると共に、熱容量が大きくなり、応答性が悪くなる。
発明者の実験によれば、選択燃焼層7の直径を150〜230[μm]、ガス感知膜6の辺長を50〜100[μm]の範囲とし、ヒータ層3の平面外形をほぼ正方形としてその辺長を100[μm]にすると共に、最短距離aを選択燃焼層7の膜厚30〜70[μm]の範囲に設定することにより、例えば11年相当駆動時でも水素選択比がほとんど初期のまま維持できることを確認している。
従って、本発明によれば、長期にわたりガス選択性を安定した状態で維持することができる。
・ダイアフラムの直径D:500〜1000[μm]、好ましくは700〜900[μm]
・ダイアフラムの膜厚d:1.0〜4.0[μm]、好ましくは1.5〜3.0[μm]
これらの点を考慮して、ダイアフラムにおけるクラックの発生の有無と消費電力との最適範囲につき検討すると、上述したように、ダイアフラムの直径Dを500〜1000[μm]の範囲とし、ダイアフラムの膜厚dを1.0〜4.0[μm]の範囲に設定することにより、実用上、十分な耐クラック性、低消費電力を達成可能である。特に好ましくは、直径Dを700〜900[μm]の範囲とし、膜厚dを1.5〜3.0[μm]の範囲に設定すれば、より一層の耐クラック性、低消費電力を達成することができる。
要は、それぞれが種々の形状を有するガス感知膜の外周面と選択燃焼層の外周面との間の最短距離が、選択燃焼層の膜厚とほぼ等しい、もしくは膜厚以上であれば良いものである。
更に、本発明は、ダイアフラム構造を有しない薄膜ガスセンサにも適用することができる。
2:熱絶縁支持層
2a:熱酸化SiO2層
2b:CVD−Si3N4層
2c:CVD−SiO2層
3:ヒータ層
4:電気絶縁層(SiO2)
5:電極
6:ガス感知膜(Sb−doped SnO2)
7:選択燃焼層(Pd担持Al2O3焼結材)
Claims (5)
- Si基板の一方の面に熱絶縁支持層を形成し、前記熱絶縁支持層の表面のほぼ中央部にヒータ層を形成し、前記ヒータ層を覆うように電気絶縁層を形成し、前記電気絶縁層の表面に一対の電極を介してガス感知膜を形成し、前記ガス感知膜を覆うように選択燃焼層を形成してなる薄膜ガスセンサにおいて、
前記選択燃焼層よりも内側に形成される前記ガス感知膜の外周面と、前記選択燃焼層の外周面との間の最短距離を、前記選択燃焼層の膜厚以上とすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 請求項1に記載した薄膜ガスセンサにおいて、
前記選択燃焼層がほぼ円柱状であって、前記ガス感知膜の平面形状がほぼ正方形であり、前記最短距離が、
a≧{選択燃焼層の直径−(ガス感知膜の辺長×√2)}/2
によって示されることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 請求項1または2に記載した薄膜ガスセンサにおいて、
前記選択燃焼層の直径が130〜280[μm]、前記ガス感知膜の辺長が50〜160[μm]の範囲にあることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載した薄膜ガスセンサにおいて、
前記選択燃焼層の膜厚が30〜70[μm]の範囲にあることを特徴とする薄膜ガスセンサ。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載した薄膜ガスセンサにおいて、
前記熱絶縁支持層の一方の面の外周部を、中央部がくり抜かれた前記Si基板により支持し、前記熱絶縁支持層の他方の面のほぼ中央部に前記ヒータ層を形成し、前記ヒータ層を覆うように前記電気絶縁層を形成してなる、ダイアフラム構造を有することを特徴とする薄膜ガスセンサ。
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JP2003262599A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Osaka Gas Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
JP2005134165A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサ |
JP2006226741A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 薄膜ガスセンサの製造方法 |
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