JP2005113199A - 積層メッキの製造方法、及び前記積層メッキの製造方法を用いた接続装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu基板40上に形成されたレジストパターン内に、下からCuメッキ層43を強酸性メッキ浴を用いてメッキ形成し、その上にシアンを含む酸性メッキ浴を用いてAuメッキ層44をメッキ形成し、さらにNiメッキ層45及びAuメッキ層46を順次積層する。このため前記Auメッキ層44をメッキ形成する際に、シアンを含むメッキ液が前記Cuメッキ層43の存在により前記レジスト層42とCu基板40間に浸透せず、スパイラル接触子を所定形状に適切且つ確実に成形でき、またピット等の不具合が生じるのを抑制できる。
【選択図】図8
Description
(a) 基板上に、メッキ層のパターンが形成されたレジスト層を形成する工程と、
(b) 前記パターン内の前記基板上に、強酸性メッキ浴を用いて、第1メッキ層をメッキ形成する工程と、
(c) 前記第1メッキ層上に、前記第1メッキ層とは異なる材質の第2メッキ層をメッキ形成する工程と、
(d) 前記レジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とするものである。
前記(d)工程後、
(e) 前記基板を除去する工程、を有していてもよい。
前記接触子を、
前記(b)工程で、第1メッキ層には、前記基板と同じ材質のものを用い、前記(e)工程で、前記基板とともに前記第1メッキ層も除去し、且つ前記(c)工程で、第2メッキ層を、シアンを含む酸性メッキ浴を用いて、メッキ形成する、上記記載の積層メッキの製造方法を用いて形成し、このとき、前記(c)工程と、前記(d)工程の間に、
(f) 前記第2メッキ層よりも、降伏点及び弾性係数が高い補助弾性層を前記第2メッキ層上にメッキ形成する工程と、
(g) 前記補助弾性層上に、前記第2メッキ層と同じ、あるいは異なる材質の貴金属元素を含有した電気伝導層をメッキ形成する工程と、
を有し、前記第2メッキ層、補助弾性層及び電気伝導層の積層メッキで前記接触子を構成することを特徴とするものである。
前記接触子を、前記(b)工程で、第1メッキ層には、前記基板と異なる材質のものを用い、前記(e)工程では、前記基板のみを除去して、前記第1メッキ層をそのまま残す、上記に記載のメッキ層の製造方法を用いて形成し、このとき、前記(c)工程での前記第2メッキ層を、前記第1メッキ層よりも、降伏点及び弾性係数が高い材質でメッキ形成して補助弾性層とし、
さらに、前記(c)工程と前記(d)工程との間に、
(h) 前記補助弾性層上に、前記第1メッキ層と同じ、あるいは異なる材質の貴金属元素を含有した電気伝導層をメッキ形成する工程と、
を有し、前記第1メッキ層、補助弾性層及び電気伝導層の積層メッキで前記接触子を構成することを特徴とするものである。
前記Cuメッキ層43を例えば1〜2μm程度の厚みでメッキ形成する。
20a 接触子片
21 基部
22 巻き始端
23 巻き終端
32、34 電気伝導層
33 補助弾性層
40 Cu基板
42 レジスト層
43 Cuメッキ層(第1のメッキ層)
44 Auメッキ層(第2のメッキ層)
45 Niメッキ層(補助弾性層)
46 Auメッキ層(電気伝導層)
52 Pdメッキ層(第1のメッキ層)
53 Pdメッキ層(電気伝導層)
Claims (14)
- (a) 基板上に、メッキ層のパターンが形成されたレジスト層を形成する工程と、
(b) 前記パターン内の前記基板上に、強酸性メッキ浴を用いて、第1メッキ層をメッキ形成する工程と、
(c) 前記第1メッキ層上に、前記第1メッキ層とは異なる材質の第2メッキ層をメッキ形成する工程と、
(d) 前記レジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする積層メッキの製造方法。 - 前記(d)工程後、
(e) 前記基板を除去する工程、
を有する請求項1記載の積層メッキの製造方法。 - 前記(b)工程で、第1メッキ層には、前記基板と同じ材質のものを用い、前記(e)工程で、前記基板とともに前記第1メッキ層も除去する請求項2記載の積層メッキの製造方法。
- 前記(c)工程で、第2メッキ層を、シアンを含む酸性メッキ浴を用いて、メッキ形成する請求項3記載の積層メッキの製造方法。
- 前記(b)工程で、第1メッキ層には、前記基板と異なる材質のものを用い、前記(e)工程では、前記基板のみを除去して、前記第1メッキ層をそのまま積層メッキとして残す請求項2記載の積層メッキの製造方法。
- 基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
前記接触子を、請求項4記載の積層メッキの製造方法を用いて形成し、このとき、前記(c)工程と、前記(d)工程の間に、
(f) 前記第2メッキ層よりも、降伏点及び弾性係数が高い補助弾性層を前記第2メッキ層上にメッキ形成する工程と、
(g) 前記補助弾性層上に、前記第2メッキ層と同じ、あるいは異なる材質の貴金属元素を含有した電気伝導層をメッキ形成する工程と、
を有し、前記第2メッキ層、補助弾性層及び電気伝導層の積層メッキで前記接触子を構成することを特徴とする接続装置の製造方法。 - 前記(a)工程での基板にCu基板を用い、前記(b)工程での第1メッキ層をCuでメッキ形成する請求項6記載の接続装置の製造方法。
- 前記(b)工程で使用されるメッキ浴中に、Cuイオンと硫酸イオンとを含有して、強酸性メッキ浴を構成する請求項7記載の接続装置の製造方法。
- 前記第2メッキ層及び電気伝導層をAuで、前記補助弾性層をNiでメッキ形成する請求項6ないし8のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
- 基台と、前記基台に設けられた複数の接触子とを有し、電子部品の複数の外部接続部が、前記接触子にそれぞれ接触する接続装置の製造方法において、
前記接触子を、請求項5記載のメッキ層の製造方法を用いて形成し、このとき、前記(c)工程での前記第2メッキ層を、前記第1メッキ層よりも、降伏点及び弾性係数が高い材質でメッキ形成して補助弾性層とし、
さらに、前記(c)工程と前記(d)工程との間に、
(h) 前記補助弾性層上に、前記第1メッキ層と同じ、あるいは異なる材質の貴金属元素を含有した電気伝導層をメッキ形成する工程と、
を有し、前記第1メッキ層、補助弾性層及び電気伝導層の積層メッキで前記接触子を構成することを特徴とする接続装置の製造方法。 - 前記(a)工程での基板にCu基板を用い、前記(b)工程での第1メッキ層を白金族元素から成る材質でメッキ形成する請求項10記載の接続装置の製造方法。
- 前記(b)工程で使用されるメッキ浴中に、白金族イオンと、硫酸イオンとを含有して強酸性メッキ浴を構成する請求項11記載の接続装置の製造方法。
- 前記白金族元素にはPdを選択する請求項11または12に記載の接続装置の製造方法。
- 前記電気伝導層を白金族元素あるいは金の少なくとも一種を含む材質でメッキ形成する請求項10ないし13のいずれかに記載の接続装置の製造方法。
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