JP2005109382A - 発光ダイオード - Google Patents

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Abstract

【課題】 発光素子の側面から出射した光が反射カップの下端に当たらないようにして散乱光の発生を抑え、上方向へ平行光を効率よく取り出せるようにした発光ダイオードを提供することである。
【解決手段】 一対の電極部26,27を有するベース基板22と、このベース基板22上に配置され前記電極部26,27と導通する発光素子23と、この発光素子23の周囲を取り囲むようにしてベース基板22上に設置される反射カップ24と、前記発光素子を被覆する樹脂封止体25とを備えてなる発光ダイオード21において、前記ベース基板22の上面に突出段部32を形成し、この突出段部32の上面に前記発光素子23を配置し、この発光素子23の側面40を前記反射カップ24の下端より高い位置に設定した。
【選択図】 図1

Description

本発明は、各種の電子機器の照明に、特に最近では自動車の計器類の照明等にも使用される発光ダイオードに係り、特に指向性を持たせるための反射カップを設けるタイプの発光ダイオードに関するものである。
従来、この種の発光ダイオードとしては、例えば特許文献1に記載のものが知られている。これは、図4に示すように、マザーボード1上に表面実装されるベース基板2と、このベース基板2の上面に配置される発光素子3と、この発光素子3の周囲を取り囲むように配置される反射カップ4と、これら発光素子3及び反射カップ4を封止する樹脂封止体5と、この樹脂封止体5の上部に配置されたドーム状の集光部材6とで構成される。
このような発光ダイオードにあっては、発光素子3から出射した光は反射カップ4の内周面に反射することで上方向への指向性が付与され、さらにこの光が集光部材6のレンズ部7を通過することによって、より一層指向性の強い発光が得られる。
特開2002−324917号公報
ところで、最近では発光素子3から出射した光を非常に狭い範囲に集中させて一点を強く照射する、所謂狭指向性の発光ダイオードが求められている。そして、このような狭指向性を実現させるためには、図5に示すように、反射カップ4aの内周面7を放物線形状とし、その放物線の焦点に発光素子3aを配置した発光ダイオードが望ましい。それによって、発光素子3aから出射した光を反射カップ4aの内周面7で反射させ、上方への平行光として取り出すことができるからである。したがって、発光素子3aに近い反射カップ4aの下端の内周縁9も、ほんとうは図6に仮想線で示したように、内周面7の放物線の軌跡が滑らかに連続するようなシャープな斜面形状10とするのが望ましい。
しかしながら、上記の反射カップ4aをプラスチック材料で形成する場合、前記円孔8の内周縁9に、前述したような斜面形状10を形成することが成形上難しく、実際上図示したように、内周縁9の先端が鈍い形状になってしまう。特に、発光素子3aをフリップチップによって実装する場合には、発光素子3aの発光側面11の下端部12がベース基板2の上面から数十μmと極めて近い位置にあるため、前記内周縁9の形状が光の反射に大きく影響することになる。そして、発光素子3aの発光側面11から出射した光が前記下端の内周縁9に当たった時に拡散光となってしまい、結果的に狭指向性の発光をコントロールするのが難しかった。なお、上記の問題は、反射カップ4aを金属材料でプレス加工によって形成する場合にも起きていた。
そこで、本発明の目的は、反射カップの下端部に発光素子の発光側面から出射した光が当たらないようにして散乱光の発生を抑え、上方向への光を効率よく取り出せるようにして、特に狭指向性の発光をコントロールできるようにした発光ダイオードを提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の発光ダイオードは、電極部を有するベース基板と、このベース基板上に配置され前記電極部と導通する発光素子と、この発光素子の周囲を取り囲むようにしてベース基板上に設置される反射カップと、前記発光素子を被覆する樹脂封止体とを備えてなる発光ダイオードにおいて、前記ベース基板の上面に突出段部を形成し、この突出段部の上面に前記発光素子を配置し、この発光素子の側面を前記反射カップの下端より高い位置に設定したことを特徴とする。
本発明の一例として、ベース基板にはフレキシブル基板が用いられる。そして、このフレキシブル基板をプレス成形することによって、前記突出段部が形成される。
また、本発明の一例として、前記反射カップの下端には、前記突出段部の平面形状より大きい開口が形成され、この開口周縁が突出段部の外周に設置される。
さらに、本発明の一例として、前記突出段部の上面に配置された発光素子の真下部分に前記ベース基板の裏面まで達する貫通孔を開設し、この貫通孔に対応するベース基板の裏面側に発光素子の下面から出射した光の反射面を設けたことを特徴とする。
本発明に係る発光ダイオードによれば、発光素子の側面から出射した光が反射カップの下端には当たらないので、散乱光を抑えることができる。そのため、上方向への平行光の取り出し効率を上げることができ、結果的には狭指向性の発光ダイオードを得ることができた。
以下図面に基づいて本発明に係る発光ダイオードの実施形態を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの全体形状を示す斜視図、図2は前記図1において、A−A線に沿って切断した断面図、図3は前記図2におけるB部の拡大図である。
上記図1乃至図3に示されるように、本発明の発光ダイオード21は、一例としてフレキシブル基板の表面に所定の電極パターンが形成されたほぼ正方形状のベース基板22と、このベース基板22の上面のほぼ中央部に配置された発光素子23と、この発光素子23の周囲を取り囲むように配設され、発光素子23から出射した光の指向性をコントロールする反射カップ24と、この反射カップ24内に充填された透光性の樹脂封止体25とを備えたものである。
前記ベース基板22に形成された電極パターンは、ほぼ中央部で左右に二分されたカソード電極26とアノード電極27とで構成され、このカソード電極26とアノード電極27とが向かい合う中央部には、前記発光素子23が載置される突起部28,29が形成される。前記カソード電極26及びアノード電極27はスルーホール30,31を通じてベース基板22の裏面側に回り込み、マザーボード(図示せず)との導通を図れるようにしている。
この実施形態において注目すべき点は、前記ベース基板22のほぼ中央部に円錐台状の突出段部32を形成し、この突出段部32の上面33に前記発光素子23を配置してある点である。前記前記カソード電極26及びアノード電極27は突出段部32の凸形状に沿って形成されており、突起部28,29が突出段部32の中心部に位置している。前記突出段部32は、ベース基板22を成形する際に、加熱した雄型と雌型との間にフレキシブル基板を挟み込みプレス成形する方法によって、ベース基板22と一体に形成される。突出段部32の上面33にはベース基板22を上下に貫通する鉤形状の角孔50が開設され、この角孔50内にも透光性の樹脂封止体25が充填されている。また、角孔50に対応するベース基板22の裏面には、前記角孔50を塞ぐように、反射膜51が設けられている。この反射膜51は、発光素子23の下面から出射した光の反射面として作用する。したがって、発光素子23の下面から出射した光は角孔50内に入射し、角孔50の下方に設けた反射膜51によって反射され、再び角孔50を通じて上方への反射光52として取り出すことが可能となる。
前記突出段部32の上面33に配置される発光素子23は、用途に応じて種々の発光色のものが選択され、特に限定されない。発光素子23の下面に設けられた一対の半田バンプ34,35によって、前記カソード電極26及びアノード電極27との導通が図られる。具体的には前記突出段部32の上面33に発光素子23を載置し、一対の半田バンプ34,35を前記カソード電極26及びアノード電極27の各突起部28,29に固定して導通を図る。このように、半田バンプ34,35を用いることで、発光ダイオード21の小型化が図られるため、狭指向性を目的とした発光ダイオードには有利となる。なお、上記の半田バンプ34,35の代わりに、ボンディングワイヤを用いた導通手段を適用できること勿論である。
本実施形態において、前記発光素子23の周囲を取り囲むように配設される反射カップ24は、ベース基板22の外形寸法とほぼ同じ大きさのブロック状の樹脂成形体で構成される。そして、この樹脂成形体の上面中央部には大きな凹部36が形成され、この凹部36の下端には円孔37が開設されている。この円孔37は、前記突出段部32の平面形状より大きい開口として形成されており、反射カップ24をベース基板22上に設置したときには、円孔37内に前記発光素子23及び突出段部32が露出する。特に、この実施形態では前記円孔37の周縁部38が突出段部32の外周縁に接するように取り囲んでいる。反射カップ24の凹部36は、図1及び図2に示されるように、その断面形状が放物線形状をしている。そのため、前記円孔37の周縁部38が突出段部32の外周に接するように取り囲むことで、突出段部32の上面33に配置した発光素子23を反射カップ24の放物線の焦点にほぼ一致させることができる。そのために、このような配置構成とした場合には、発光素子23から出射した光は前記円孔37の内周縁38には当たらずに、それより上方の反射カップ24の内周面で反射し、上方への平行光として取り出し易くなる。なお、この実施例では反射カップ24はプラスチック材料で成形されており、上述した従来例と同様、円孔37の内周縁38は先端が鈍い形状になっている。また、前記凹部36の内周面には金属膜39が蒸着によって成膜されている。この金属膜39は、アルミニウムや銀など反射率の高い鏡面になり易い金属材料が選択されるのが望ましい。
上述したように、前記構成の反射カップ24は、ブロック状の樹脂成形体の下面をベース基板22の上面に接着することによって実装されるが、その場合に前記円孔37の内周縁38がベース基板22の突出段部32の外周縁に接近した位置に設定される。その結果、突出段部32の上面33に配置された発光素子23は、前記反射カップ24の下端より高い位置に設定されることになる。
図3によって、上記のように構成された発光ダイオード21の反射作用を説明する。この図に示されるように、前記反射カップ24の下端に開設された円孔37の内周縁38は、発光素子23の発光側面40の下端部41よりも下方に位置する。そのため、発光素子23の発光側面40から出射した光は、反射カップ24の円孔37の内周縁38には当たらずに、それより上方位置で凹部36の内周面に反射することとなり、結果的に発光素子23の発光側面40から出射した光が反射カップ24によって散乱してしまうのを抑えることができ、上方向への平行光として効率よく取り出すことができる。その結果、指向性のコントロールが容易となり、狭指向性の発光ダイオードが得られることにもなる。特に、この実施形態のように、フレキシブル基板のプレス成形によって突出段部32を形成した場合には、ベース基板22上に別途サブマウント基板を設ける必要がないので、発光ダイオード21の構成が簡易なものとなり、その分製造コストも抑えられることになる。
なお、上記の実施形態では反射カップ24をプラスチック材料で成形した場合について説明したが、金属材料で反射カップをプレス加工する場合にも本発明が適用されること勿論である。また、上記の実施形態では、反射カップ24の凹部36全体に樹脂封止体25を充填した場合について説明したが、発光素子23及び突出段部32のみを樹脂封止し、前記反射カップ24の凹部36に充填してある樹脂封止体25を省略することも可能である。
本発明に係る発光ダイオードの一実施形態を示す斜視図である。 前記図1に示す発光ダイオードのA−Aに沿って切断した断面図である。 前記図2に示す発光ダイオードのB部の拡大図である。 従来の発光ダイオードの一例を示す断面図である。 従来の発光ダイオードの他の例を示す断面図である。 前記図5に示す発光ダイオードのC部の拡大図である。
符号の説明
21 発光ダイオード
22 ベース基板
23 発光素子
24 反射カップ
25 樹脂封止体
26 カソード電極(電極部)
27 アノード電極(電極部)
32 突出段部
33 突出段部の上面
37 円孔(開口)
38 円孔の内周縁(開口周縁)
40 発光側面(側面)

Claims (4)

  1. 電極部を有するベース基板と、このベース基板上に配置され前記電極部と導通する発光素子と、この発光素子の周囲を取り囲むようにしてベース基板上に設置される反射カップと、前記発光素子を被覆する樹脂封止体とを備えてなる発光ダイオードにおいて、
    前記ベース基板の上面に突出段部を形成し、この突出段部の上面に前記発光素子を配置し、この発光素子の側面を前記反射カップの下端より高い位置に設定したことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記ベース基板がフレキシブル基板によって形成され、このフレキシブル基板をプレス成形することによって前記突出段部を形成してなる請求項1記載の発光ダイオード。
  3. 前記反射カップの下端には、前記突出段部の平面形状より大きい開口が形成され、この開口周縁が突出段部の外周に設置されてなる請求項1記載の発光ダイオード。
  4. 前記突出段部の上面に配置された発光素子の真下部分に前記ベース基板の裏面まで達する貫通孔を開設し、この貫通孔に対応するベース基板の裏面側に発光素子の下面から出射した光の反射面を設けてなる請求項1記載の発光ダイオード。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191446A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス
JP2006156462A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP2006351809A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2007329374A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び液晶表示用バックライト装置
JP2008004640A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010537400A (ja) * 2007-08-16 2010-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 薄型の側面発光ledに連結される光学要素
US8008674B2 (en) 2006-05-29 2011-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlighting device
WO2012014372A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 株式会社小糸製作所 発光モジュール
JP2012222304A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Asahi Glass Co Ltd Ledモジュールおよびledランプ
JP2016115934A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2017502523A (ja) * 2014-01-08 2017-01-19 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 完成したledパッケージとして使用される深い成形リフレクタカップ
US9698312B2 (en) 2013-12-17 2017-07-04 Nichia Corporation Resin package and light emitting device
JP2017201729A (ja) * 2006-05-11 2017-11-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 側面発光型発光装置
CN107646145A (zh) * 2015-05-29 2018-01-30 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有辐射源的光电子组件
JP2019050379A (ja) * 2012-08-31 2019-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
US20090045423A1 (en) * 2006-01-13 2009-02-19 Takashi Hashimoto Semiconductor light-emitting device
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7618163B2 (en) * 2007-04-02 2009-11-17 Ruud Lighting, Inc. Light-directing LED apparatus
JP5692952B2 (ja) 2007-12-11 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
WO2009119461A1 (ja) * 2008-03-26 2009-10-01 島根県 半導体発光モジュールおよびその製造方法
US8348475B2 (en) 2008-05-23 2013-01-08 Ruud Lighting, Inc. Lens with controlled backlight management
US8388193B2 (en) * 2008-05-23 2013-03-05 Ruud Lighting, Inc. Lens with TIR for off-axial light distribution
US9423096B2 (en) 2008-05-23 2016-08-23 Cree, Inc. LED lighting apparatus
US7841750B2 (en) 2008-08-01 2010-11-30 Ruud Lighting, Inc. Light-directing lensing member with improved angled light distribution
TWI366292B (en) * 2008-12-26 2012-06-11 Ind Tech Res Inst Flexible light source device and fabricating method of thereof
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
CN105177795B (zh) 2009-07-02 2019-05-14 盖茨公司 改善的用于齿动力传动带的织物和带
CN201487668U (zh) * 2009-09-09 2010-05-26 珠海晟源同泰电子有限公司 集束组合led照明光源
TWM399313U (en) * 2010-07-30 2011-03-01 Sigurd Microelectronics Corp Proximity sensor package structure
US9541258B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for wide lateral-angle distribution
US9541257B2 (en) 2012-02-29 2017-01-10 Cree, Inc. Lens for primarily-elongate light distribution
US10408429B2 (en) 2012-02-29 2019-09-10 Ideal Industries Lighting Llc Lens for preferential-side distribution
USD697664S1 (en) 2012-05-07 2014-01-14 Cree, Inc. LED lens
CN103000785A (zh) * 2012-11-05 2013-03-27 何忠亮 一种led发光结构及其制作方法
JP6751562B2 (ja) * 2013-01-10 2020-09-09 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 側方放射用に成形された成長基板を有するled
USD718490S1 (en) 2013-03-15 2014-11-25 Cree, Inc. LED lens
TW201505132A (zh) * 2013-07-25 2015-02-01 Lingsen Precision Ind Ltd 光學模組的封裝結構
US9523479B2 (en) 2014-01-03 2016-12-20 Cree, Inc. LED lens
CN103996693B (zh) 2014-04-24 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 Oled面板及其制备方法、显示装置
US10468566B2 (en) 2017-04-10 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Hybrid lens for controlled light distribution

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3821775A (en) * 1971-09-23 1974-06-28 Spectronics Inc Edge emission gaas light emitter structure
US5534718A (en) * 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP2000269551A (ja) * 1999-03-18 2000-09-29 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
JP2002324917A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3768864B2 (ja) * 2001-11-26 2006-04-19 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191446A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス
JP2006156462A (ja) * 2004-11-25 2006-06-15 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP4673610B2 (ja) * 2004-11-25 2011-04-20 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオード
JP2006351809A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2017201729A (ja) * 2006-05-11 2017-11-09 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 側面発光型発光装置
US10243112B2 (en) 2006-05-11 2019-03-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
US10580943B2 (en) 2006-05-11 2020-03-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method for fabricating the same
US8008674B2 (en) 2006-05-29 2011-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlighting device
JP2007329374A (ja) * 2006-06-09 2007-12-20 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及び液晶表示用バックライト装置
JP2008004640A (ja) * 2006-06-20 2008-01-10 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR101548388B1 (ko) * 2007-08-16 2015-08-28 코닌클리케 필립스 엔.브이. 낮은 프로파일의 측면 방출 led에 연결된 광학 요소
JP2010537400A (ja) * 2007-08-16 2010-12-02 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 薄型の側面発光ledに連結される光学要素
JP2012028648A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール
WO2012014372A1 (ja) * 2010-07-26 2012-02-02 株式会社小糸製作所 発光モジュール
US8803168B2 (en) 2010-07-26 2014-08-12 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module
JP2012222304A (ja) * 2011-04-13 2012-11-12 Asahi Glass Co Ltd Ledモジュールおよびledランプ
JP2019050379A (ja) * 2012-08-31 2019-03-28 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9698312B2 (en) 2013-12-17 2017-07-04 Nichia Corporation Resin package and light emitting device
JP2017502523A (ja) * 2014-01-08 2017-01-19 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 完成したledパッケージとして使用される深い成形リフレクタカップ
JP2016115934A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN107646145A (zh) * 2015-05-29 2018-01-30 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 具有辐射源的光电子组件
JP2018517292A (ja) * 2015-05-29 2018-06-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクス部品

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