WO2012014372A1 - 発光モジュール - Google Patents

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WO2012014372A1
WO2012014372A1 PCT/JP2011/003543 JP2011003543W WO2012014372A1 WO 2012014372 A1 WO2012014372 A1 WO 2012014372A1 JP 2011003543 W JP2011003543 W JP 2011003543W WO 2012014372 A1 WO2012014372 A1 WO 2012014372A1
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light emitting
semiconductor light
mounting substrate
conductive member
emitting elements
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明浩 松本
鈴木　哲也
智之 中川
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株式会社小糸製作所
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    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting module, and more particularly, to a light emitting module including a light emitting element and a mounting substrate that supports the light emitting element.
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • a light emitting device in which an LED is mounted on a submount and the submount is attached to a metal plate has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the submount member and the lead pattern are connected via a conductive member such as a bonding wire.
  • a conductive member such as a bonding wire.
  • the bonding wire is disposed above the light emitting surface, and there is room for improvement in terms of avoiding the influence on the light distribution by the conductive member.
  • the electrode and other housings are provided.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and its object is to distribute light by a conductive member for supplying power to a semiconductor light emitting element while simplifying the manufacturing process of the light emitting module. It is to suppress the influence on.
  • a light emitting module is provided on a surface of a mounting substrate so as to be electrically connected to a mounting substrate on which the semiconductor light emitting element is mounted and the semiconductor light emitting element mounted on the mounting substrate.
  • a conductive layer extends from the first surface to the second surface so that power can be supplied to the semiconductor light emitting device on the second surface below the first surface on which the semiconductor light emitting device is mounted on the surface of the mounting substrate.
  • the power supply unit it is possible to supply power to the power supply unit by connecting a conductive member such as wire bonding below the first surface on which the semiconductor light emitting element is mounted. For this reason, the upward protrusion amount of the conductive member can be suppressed, and the influence on the light distribution by the conductive member can be easily suppressed.
  • power supply to the semiconductor light emitting element below the first surface can be easily realized by a simple process of providing a conductive layer so as to extend from the first surface to the second surface. For this reason, the process of further wire-bonding the first surface and the second surface can be reduced, and conduction between the first surface and the second surface can be easily realized.
  • the conductive layer may be formed on the surface of the mounting substrate by plating or vapor deposition.
  • the mounting substrate is provided on the first surface so that a plurality of semiconductor light emitting elements can be mounted, and the conductive layer is provided on the first surface so that the plurality of semiconductor light emitting elements mounted on the first surface are connected in series with each other.
  • An element connecting portion may be further included.
  • a plurality of semiconductor light emitting elements can be connected in series on the first surface, and power feeding to the plurality of semiconductor light emitting elements can be performed on the second surface below the first surface. .
  • the mounting substrate is provided so that a plurality of semiconductor light emitting elements can be mounted on the first surface, and the conductive layer enables individual power feeding to each of the plurality of semiconductor light emitting elements mounted on the mounting substrate on the second surface.
  • a plurality of power feeding portions respectively extending from the first surface to the second surface may be included.
  • the plurality of semiconductor light emitting elements can be connected in parallel on the first surface, and each power supply to the plurality of semiconductor light emitting elements is performed on the second surface below the first surface. Can do.
  • the light-emitting module described above is electrically conductive with a conductive member that is spaced apart from the conductive layer, a conductive member that is connected to both the conductive layer and the conductive member so that the conductive layer and the conductive member are electrically connected to each other. And a sealing member that seals at least a part of the member from the outside air.
  • the sealing member is disposed so as to be positioned below the light emitting surface of the semiconductor light emitting element. According to this aspect, it is possible to avoid the influence on the light distribution by the conductive member while protecting the conductive member from an external impact or the like by the sealing member.
  • a heat dissipating member having a contact surface that contacts the back surface of the first surface of the mounting board may be further provided.
  • the heat radiating member may be formed such that the back surface of the contact surface has a larger area than the contact surface. According to this aspect, it is possible to further promote heat dissipation from the back surface, and it is possible to further suppress the heat generation of the semiconductor light emitting element.
  • the second surface may be a step surface below the first surface and parallel to the first surface.
  • the light emitting module includes a base housing that supports the mounting substrate, a conductive member provided on a surface of the base housing, and the conductive layer and the conductive member so that the conductive layer and the conductive member are electrically connected to each other. And a conductive member connected to both of the conductive members.
  • the conductive member may be provided on the surface of the base housing below the first surface so that the conductive member is disposed below the light emitting surface of the semiconductor light emitting element.
  • the manufacturing process of the light emitting module can be simplified, and the influence on the light distribution by the conductive member for supplying power to the semiconductor light emitting element can be suppressed.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the structure of the light emission unit which concerns on 1st Embodiment.
  • (A) is a top view of the light emitting unit according to the first embodiment, and (b) is a front view of the light emitting unit according to the first embodiment.
  • (A) is a top view of the light emitting unit according to the second embodiment, and (b) is a front view of the light emitting unit according to the second embodiment.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a light emitting module 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 1 shows a cross section of the light emitting module 10 taken along the vertical plane when viewed from the side.
  • the light emitting module 10 includes a light emitting unit 12, a support member 14, and a base housing 16.
  • the light emitting unit 12 includes a semiconductor light emitting element 20, a mounting substrate 22, and a plating layer 24.
  • An LED is employed for each of the semiconductor light emitting elements 20.
  • the LED may be a blue LED, an ultraviolet LED, or an LED that emits light of another color.
  • Each of the semiconductor light emitting elements 20 is formed in a 1 mm square shape.
  • Each of the semiconductor light emitting elements 20 may be formed in a square of another size such as 0.3 mm square, or may be formed in a rectangle other than the square.
  • a semiconductor light emitting element of another element that emits surface light in a substantially point shape such as a laser diode may be employed instead of the LED.
  • the mounting substrate 22 is formed of a single member of alumina, AlN, or Si.
  • the mounting substrate 22 is formed in a plate shape.
  • the plating layer 24 that is a conductive layer is provided on the surface of the mounting substrate 22 so as to be electrically connected to the semiconductor light emitting device 20 when the semiconductor light emitting device 20 is mounted on the mounting substrate 22.
  • a conductive layer may be formed by evaporating a conductive material on the surface of the upper surface 22a.
  • a plate-like member formed of a conductive material may be bent and fixed to the surface of the mounting substrate 22.
  • a plurality of semiconductor light emitting elements 20 are mounted on the upper surface 22a of the mounting substrate 22 so as to be arranged in a straight line. At this time, each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 is mounted on the mounting substrate 22 such that the main optical axis direction, that is, the direction perpendicular to the light emitting surface 20a is the upward direction.
  • the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are mounted on a single mounting substrate 22, but the number of mounting is not limited to four, and one or a plurality other than four may be used. Good. Further, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 may be mounted on the mounting substrate 22 so as to be distributed in a plane.
  • Each of the semiconductor light emitting elements 20 is a so-called flip chip type. Each of the semiconductor light emitting elements 20 is connected to the plating layer 24 via Au bumps (not shown) and mounted on the mounting substrate 22. Each of the semiconductor light emitting elements 20 is not limited to the flip chip type, and for example, a vertical chip type or a face-up type may be employed. In this case, the semiconductor light emitting element 20 is connected to the plating layer 24 of the mounting substrate 22 from above the element by a conductive member such as a conductive wire.
  • the semiconductor light emitting element 20 is directly mounted on the mounting substrate 22 without using a so-called submount substrate. Thereby, the process of adhering the submount substrate and the mounting substrate can be reduced.
  • the support member 14 supports the mounting substrate 22.
  • the semiconductor light emitting element 20 is attached to a mounting substrate also formed of AlN or the like via a submount substrate formed of AlN or the like, for example.
  • the heat dissipation can be improved.
  • the support member 14 is provided to have a larger area than the mounting substrate 22. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in heat dissipation while reducing the generally expensive mounting substrate 22.
  • the support member 14 is fixed to the upper surface 14a with a lower surface 22d which is a back surface of the upper surface 22a of the mounting substrate 22 in contact with the upper surface 14a, thereby supporting the mounting substrate 22.
  • the support member 14 is formed of a material having relatively high heat dissipation among metals such as copper. Therefore, the support member 14 functions as a heat dissipation member.
  • the support member 14 is formed of a composite material made of Cu and a metal having a lower coefficient of thermal expansion than Cu, that is, a linear expansion coefficient.
  • the support member 14 is formed of a clad material in which Cu and Mo are laminated.
  • this clad material is referred to as “CMC (Cu / Mo / Cu)”.
  • CMC is formed by diffusion bonding a Cu plate and a Mo plate by hot pressing.
  • Mo has a lower linear expansion coefficient than Cu.
  • substrate 22 can be suppressed, and generation
  • the support member 14 is configured by stacking Cu and Mo so that each of the two layers of Mo is sandwiched between the three layers of Cu. Needless to say, the number of Cu and Mo layers in the support member 14 is not limited to this mode.
  • the material of the support member 14 is not limited to CMC.
  • a Cu-Mo powder composite material may be employed by impregnating Cu into a powder formed of Mo.
  • a special clad material in which the Cu—Mo powder composite material is sandwiched between Cu plates may be employed. This special clad material is formed by sandwiching a Cu—Mo powder composite material between Cu plates and hot rolling.
  • a clad material in which an Invar metal having a lower linear expansion coefficient than Cu is sandwiched between Cu plates may be employed.
  • Invar metal is an alloy composed of Ni and Fe.
  • the mounting substrate 22 is bonded to the support member 14 with solder, which is a metal bonding material having a melting point of 450 ° C. or lower. Since such a bonding material has a small difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 22 and the support member 14, it is possible to suppress the occurrence of cracks due to thermal stress while ensuring high heat dissipation.
  • the mounting substrate 22 may be bonded to the support member 14 with an adhesive made of a material having a thermal conductivity of 3 W / m ⁇ K or more. Thereby, long-term reliability can be improved while ensuring heat dissipation performance.
  • FIG. 2A is a top view of the light emitting unit 12 according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a front view of the light emitting unit 12 according to the first embodiment.
  • the plated layer 24 is shown hatched.
  • the mounting substrate 22 has a step surface 22b.
  • the step surface 22b is provided below the upper surface 22a and in parallel with the upper surface 22a.
  • the plating layer 24 includes a power feeding part 24a and an element connection part 24b.
  • the power feeding unit 24 a and the element connection unit 24 b are arranged on the surface of the mounting substrate 22 so as to be separated from each other.
  • the power feeding unit 24a passes through the side surface 22c from the upper surface 22a so that power can be fed to the semiconductor light emitting device 20 on the step surface 22b below the upper surface 22a on which the semiconductor light emitting device 20 is mounted on the surface of the mounting substrate 22. It extends to the step surface 22b.
  • the Au wire 28 can be bonded to the power feeding portion 24a below the upper surface 22a.
  • Two power supply portions 24a are provided, and are arranged to be electrically connected to the two semiconductor light emitting elements 20 arranged at the ends of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 arranged in parallel.
  • the element connection portion 24b is provided on the upper surface 22a so as to be connected in series by connecting the plurality of semiconductor light emitting elements 20 mounted on the upper surface 22a.
  • three element connection portions 24 b are provided, which is the number of intervals between the four semiconductor light emitting elements 20. In this way, it is possible to supply power to all of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 by supplying current between the two power supply units 24a.
  • a method for forming a power supply route to the semiconductor light emitting element 20 there is a method in which an electrode conducting to the semiconductor light emitting element 20 is provided on the upper surface 22a, and a conductive member such as copper is provided on the step surface 22b separately from the electrode on the upper surface 22a. Conceivable. However, in this method, it is necessary to connect the electrode on the upper surface 22a of the mounting substrate 22 and the conductive member on the step surface 22b with a linear conductive member such as an Au wire or a strip-shaped conductive member such as an aluminum ribbon. Therefore, not only is a process for attaching the conductive member necessary, but it is not easy to attach the conductive member so as not to protrude above the light emitting surface 20a.
  • the power feeding unit 24a and the element connecting unit 24b are simultaneously fixed on the surface of the mounting substrate 22 by plating. Therefore, in addition to the step of providing the plated layer 24, a step of bonding an Au wire for connecting the plated layer 24 and another conductive member can be reduced, and the manufacturing process of the light emitting unit 12 can be simplified. can do.
  • the power feeding unit 24a may be provided so as to extend on the other surface below the upper surface 22a of the surface of the mounting substrate 22.
  • a conductive member such as an Au wire can be provided. Without being attached, power can be supplied to the semiconductor light emitting element 20 below the upper surface 22a. For this reason, while being able to simplify the manufacturing process of the light emission unit 12, it can avoid that a conductive member influences the light distribution formed by the light which the semiconductor light emitting element 20 emits.
  • an inclined surface that is inclined downward from the upper surface 22a may be provided instead of the step surface 22b.
  • the power feeding unit 24a may be provided so as to extend from the upper surface 22a to the inclined surface.
  • it replaces with the level
  • the Au wire 28 can be bonded to the power feeding portion 24a below the upper surface 22a.
  • the base housing 16 is made of resin. Of course, the material of the base housing 16 is not limited to resin, and may be formed of other insulating materials.
  • the base housing 16 has an opening 16b, and the side surface 14b of the support member 14 is fitted into the opening 16b, and both are fixed to each other.
  • the base housing 16 has a step surface 16a provided parallel to the upper surface and below the upper surface.
  • the step surface 16 a of the base housing 16 has substantially the same height as the step surface 22 b of the mounting substrate 22.
  • the step surface 16a and the step surface 22b may have different heights.
  • a thin plate-like conductive member 26 is provided on the step surface 16a.
  • the conductive member 26 is formed of copper, but may be formed of other conductive materials.
  • the conductive member 26 is disposed apart from the plating layer 24.
  • the Au wire 28 as a conductive member is connected to both the plated layer 24 and the conductive member 26 so as to make the plated layer 24 and the conductive member 26 conductive. In this way, it is possible to supply power for light emission from the conductive member 26 to the plurality of semiconductor light emitting elements 20 via the Au wire 28 and the plating layer 24.
  • FIG. 3A is a top view of the light emitting unit 50 according to the second embodiment
  • FIG. 3B is a front view of the light emitting unit 50 according to the second embodiment.
  • the configuration of the light emitting module according to the second embodiment is the same as that of the light emitting module except that a light emitting unit 50 is provided in place of the light emitting unit 12 and that each semiconductor light emitting element 20 is individually supplied with power. This is the same as the first embodiment.
  • the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the light emitting unit 50 includes a mounting substrate 52, a plating layer 54, and a plurality of semiconductor light emitting elements 20.
  • the mounting substrate 52 is formed of a single member of alumina, AlN, or Si.
  • the mounting substrate 52 is formed in a plate shape, and a plurality of semiconductor light emitting elements 20 are mounted on the upper surface 22 a of the mounting substrate 52.
  • the plated layer 54 that is a conductive layer is provided on the surface of the mounting substrate 52 so as to conduct to the semiconductor light emitting device 20 when the semiconductor light emitting device 20 is mounted on the mounting substrate 52.
  • a plurality of semiconductor light emitting elements 20 are mounted on the mounting substrate 52 in a straight line. Also in the second embodiment, the four semiconductor light emitting elements 20 are mounted on the single mounting substrate 52. However, the number of mounting is not limited to four. Also good. Further, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 may be mounted on the mounting substrate 52 so as to be distributed in a plane.
  • the mounting substrate 52 has a step surface 52b.
  • the step surface 52b is provided below the upper surface 52a and in parallel with the upper surface 52a.
  • the plating layer 54 has a plurality of power feeding portions 54a.
  • the power feeding parts 54 a are arranged on the surface of the mounting substrate 52 so as to be separated from each other.
  • Each of the plurality of power supply portions 54a enables individual power supply to the plurality of semiconductor light emitting elements 20 on the step surface 52b below the upper surface 52a on which the semiconductor light emitting element 20 is mounted on the surface of the mounting substrate 52.
  • the step surface 52b extends from the upper surface 52a through the side surface 52c. As a result, it becomes possible to bond the Au wires 28 for supplying power individually to the plurality of semiconductor light emitting elements 20 to the power supply portion 54a below the upper surface 52a.
  • the number of the power supply parts 54 a is twice as many as the number of semiconductor light emitting elements 20. In the second embodiment, since four semiconductor light emitting elements 20 are provided, eight power supply portions 54a are provided.
  • Two step surfaces 52b are provided so as to sandwich the semiconductor light emitting element 20 therebetween. Each of the two step surfaces 52b extends in parallel with the parallel direction of the semiconductor light emitting elements 20.
  • One of the two power supply portions 54a for supplying power to one semiconductor light emitting element 20 is provided on one of the two step surfaces 52b, and the other of the two power supply portions 54a is provided on the other of the two step surfaces 52b.
  • the four semiconductor light emitting elements 20 are mounted on the upper surface 52a of the mounting substrate 52, the four power feeding portions 54a extend from the upper surface 52a of the mounting substrate 52 to one step surface 52b, and the other Four power feeding portions 54a extend from the upper surface 52a of the mounting substrate 52 to the other step surface 52b.
  • Each of the plurality of power feeding portions 54a is simultaneously fixed on the surface of the mounting substrate 52 by plating. At this time, since the arrangement intervals of the semiconductor light emitting elements 20 are close, in order to increase the area of each of the power supply portions 54a on the stepped surface 52b, it is necessary to make the interval between the adjacent power supply portions 54a minute.
  • the four power supply portions 54a to be formed on one step surface 52b are first formed as plating connected to each other on the step surface 52b.
  • the plating that forms the gap between adjacent power supply portions 54a is removed by laser processing to separate the four power supply portions 54a from each other.
  • the four power supply portions 54a may be separated from each other by dicing instead of laser processing.
  • the lower surface of the mounting substrate 52 below the upper surface 52a on which the semiconductor light emitting element 20 is mounted can be individually fed to each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 from the upper surface 52a.
  • a conductive member such as an Au wire.
  • each of the plurality of power feeding portions 54a may be provided so as to extend to the other surface below the upper surface 52a of the surface of the mounting substrate 52.
  • each of the plurality of power feeding portions 54a may be provided so as to extend to the other surface below the upper surface 52a of the surface of the mounting substrate 52.
  • the plurality of power feeding portions 54a extending from the upper surface 52a to the lower surface so as to enable individual power feeding to each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 on the surface below the upper surface 52a.
  • an inclined surface inclined downward from the upper surface 52a may be provided instead of the step surface 52b.
  • the power feeding unit 54a may be provided so as to extend from the upper surface 52a to the inclined surface.
  • a groove portion recessed downward from the upper surface 52a may be provided, and the power feeding portion 54a may be provided so as to extend from the upper surface 52a to the bottom portion of the groove portion. Also by these, it becomes possible to bond the Au wire 28 to the power feeding portion 54a below the upper surface 52a.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a light emitting module 80 according to the third embodiment.
  • the same parts as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the light emitting module 80 includes a light emitting unit 12, a support member 82, and a base housing 84.
  • the support member 82 is formed such that the lower surface 82b facing away from the upper surface 82a that contacts the mounting substrate 22 has a larger area than the upper surface 82a.
  • the support member 82 is provided with an enlarged portion 82d that protrudes outward from the side surface 82c in the vicinity of the upper surface 82a in the vicinity of the lower surface 82b.
  • the area of the lower surface 82b is larger than the area of the upper surface 82a.
  • the base housing 84 is provided with a recess 84b for accommodating the enlarged portion 82d.
  • the base housing 84 is formed in the same manner as the base housing 16 described above. Therefore, the base housing 84 has a step surface 84a provided parallel to the upper surface and below the upper surface, and the conductive member 26 is provided on the step surface 84a.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a configuration of a light emitting module 100 according to the fourth embodiment.
  • the same parts as those in the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.
  • the light emitting module 100 is configured in the same manner as the light emitting module 80 according to the third embodiment except that a sealing member 102 is provided in a groove formed by the light emitting unit 12, the support member 82, and the base housing 84.
  • the sealing member 102 is obtained by filling a groove with a resin material and solidifying it, and seals the entire Au wire 28 in the groove from the outside air. As a result, the Au wire 28 can be protected from an external impact to increase the connection reliability of the Au wire 28 and the influence of the Au wire 28 on the light distribution can be suppressed.
  • the sealing member 102 may seal a part of the Au wire 28 such as a bonding portion from the outside air.
  • the sealing member 102 is filled in the groove so as to be positioned below the upper surface of the plating layer 24 on which the semiconductor light emitting element 20 is mounted.
  • the sealing member 102 may be filled in the groove so as to be positioned below the light emitting surface 20 a of the semiconductor light emitting element 20.
  • the sealing member 102 may be filled in the groove so as to be positioned below the upper surface 22 a of the mounting substrate 22.
  • a cover may be provided.
  • the cover may be disposed above the Au wire 28 so that the Au wire 28 is positioned below the light emitting surface 20a. Further, the cover may be disposed above the Au wire 28 so that the Au wire 28 is positioned below the upper surface 22 a of the mounting substrate 22.
  • the cover is formed between the light emitting unit 12 and the base housing 84 and may be provided between the light emitting unit 12 and the base housing 84 so as to seal the groove portion in which the Au wire 28 is accommodated from the outside air. Good. Therefore, this cover also functions as a sealing means.
  • the semiconductor light emitting element 20 is mounted on the upper surface of a plate-shaped submount substrate, and the lower surface of the submount substrate is fixed to the upper surface of the plate-shaped mounting substrate with solder or the like to form a substrate unit.
  • the submount substrate also functions as a mounting substrate on which the semiconductor light emitting element 20 is mounted.
  • the material of each of the submount substrate and the mounting substrate may be the same material as the mounting substrate 22 described above.
  • the submount substrate has a smaller area than the mounting substrate. For this reason, when the submount substrate is fixed to the mounting substrate, a step surface is provided on the surface of the mounting substrate that is not covered by the submount substrate.
  • a conductive layer is provided on the surface of the submount substrate so as to be electrically connected to the semiconductor light emitting element 20 mounted on the submount substrate.
  • the conductive layer is formed from the top surface of the submount substrate on which the semiconductor light emitting element 20 is mounted, so that power can be supplied from the stepped surface of the mounting substrate to the semiconductor light emitting element 20.
  • a power supply portion extending to the step surface is included.
  • the present invention can be used for a light emitting module, and in particular, for a light emitting module including a light emitting element and a mounting substrate that supports the light emitting element.

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Abstract

　発光モジュールにおいて、実装基板２２は、半導体発光素子２０が実装される。メッキ層２４は、実装基板２２に実装された半導体発光素子２０に導通するよう実装基板２２の表面上に設けられる。メッキ層２４は、給電部２４ａおよび素子接続部２４ｂを有する。給電部２４ａは、実装基板２２の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面２２ａよりも下方の段差面２２ｂにおいて半導体発光素子２０への給電を可能とするよう、上面２２ａから段差面２２ｂに延在する。素子接続部２４ｂは、上面２２ａに実装された複数の半導体発光素子２０を互いに直列に接続させるよう上面２２ａ上に設けられる。実装基板２２は、上面２２ａに複数の半導体発光素子２０が実装可能に設けられる。

Description

発光モジュール
　本発明は、発光モジュールに関し、特に発光素子および発光素子を支持する実装基板を備えた発光モジュールに関する。
　近年、省エネルギーや高信頼性などへの要求から、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの半導体発光素子の用途が例えば車両用前照灯などに急激に拡大している。ここで、ＬＥＤをサブマウントに実装し、サブマウントを金属板に取り付けた発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７－８７６６８号公報
　上述の特許文献では、サブマウント部材とリードパターンとはボンディングワイヤなどの導電性部材を介して接続されている。導電性部材による影が生じて配光に影響が与えられることを回避すべく、このような導電性部材は発光面よりも下方に配置されることが本来好ましい。しかしながら、例えば上述の特許文献では、ボンディングワイヤが発光面よりも上方に配置されており、導電性部材による配光への影響回避という点において改善の余地がある。また、例えばフリップチップ方式の半導体発光素子を採用することにより、素子の実装面に設けられた電極からの発光素子への給電を可能とした場合においても、その電極と他のハウジングなどに設けられた導電性部材とを接続するために、やはりボンディングワイヤなどの導電性部材を用いる必要が生じる。したがって、このような場合においてもまた、導電性部材との接続工程の削減とその配光への影響回避との両立は容易ではない。
　そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、発光モジュールの製造工程を簡易なものとしつつ、半導体発光素子への給電のための導電性部材による配光への影響を抑制することにある。
　上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、半導体発光素子が実装される実装基板と、実装基板に実装された半導体発光素子に導通するよう実装基板の表面上に設けられた導電層と、を備える。導電層は、実装基板の表面のうち半導体発光素子が実装される第１面よりも下方の第２面において半導体発光素子への給電を可能とするよう、第１面から第２面に延在する給電部を含む。
　この態様によれば、まず半導体発光素子が実装される第１面よりも下方において、例えばワイヤボンディングするなど導電性部材を接続することによって給電部に給電可能となる。このため、この導電性部材の上方への突出量を抑制することができ、導電性部材による配光への影響を容易に抑制できる。また、第１面から第２面まで延在するよう導電層を設ける、という簡易な工程により第１面より下方における半導体発光素子への給電を簡易に実現できる。このため、第１面と第２面とをさらにワイヤボンディングするなどの工程を削減することができ、第１面と第２面との導通を簡易に実現できる。なお、導電層は、めっき、または蒸着によって実装基板の表面上に形成されてもよい。
　実装基板は、第１面に複数の半導体発光素子が実装可能に設けられ、導電層は、第１面に実装された複数の半導体発光素子を互いに直列に接続させるよう第１面上に設けられた素子接続部をさらに含んでもよい。この態様によれば、第１面において複数の半導体発光素子を直列に接続することができ、この複数の半導体発光素子への給電を第１面よりも下方の第２面にて行うことができる。
　実装基板は、第１面に複数の半導体発光素子が実装可能に設けられ、導電層は、実装基板に実装された複数の半導体発光素子の各々への個別の給電を第２面において可能とするよう、第１面から第２面にそれぞれ延在する複数の給電部を含んでもよい。この態様によれば、第１面において複数の半導体発光素子を並列に接続することができ、この複数の半導体発光素子への各々の給電を第１面よりも下方の第２面にて行うことができる。
　上述の発光モジュールは、導電層と離間して配置される導電性部材と、導電層と導電性部材とを互いに導通させるよう導電層と導電性部材との双方に接続される導通部材と、導通部材の少なくとも一部を外気から封止する封止部材と、を備えてもよい。封止部材は、半導体発光素子の発光面よりも下方に位置するよう配置される。この態様によれば、封止部材によって導電部材を外部からの衝撃などから保護しつつ、導電部材による配光への影響も回避することができる。
　実装基板の第１面の背向面に当接する当接面を有する放熱部材をさらに備えてもよい。放熱部材は、当接面の背向面が当接面よりも面積が大きくなるよう形成されていてもよい。この態様によれば、背向面による放熱をより促すことができ、半導体発光素子の発熱をより抑制することが可能となる。
　第２面は、第１面より下方且つ第１面と平行な段差面であってもよい。また、本発明のある態様の発光モジュールは、実装基板を支持するベースハウジングと、ベースハウジングの表面に設けられた導電性部材と、導電層と導電性部材とを互いに導通させるよう導電層と導電性部材との双方に接続される導通部材と、をさらに備えてもよい。導電性部材は、半導体発光素子の発光面よりも下方に導通部材が配置されるよう、ベースハウジングの表面のうち第１面よりも下方の表面に設けられてもよい。
　本発明によれば、発光モジュールの製造工程を簡易なものとしつつ、半導体発光素子への給電のための導電性部材による配光への影響を抑制することができる。
第１の実施形態に係る発光ユニットの構成を示す図である。 （ａ）は、第１の実施形態に係る発光ユニットの上面図であり、（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光ユニットの正面図である。 （ａ）は、第２の実施形態に係る発光ユニットの上面図であり、（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光ユニットの正面図である。 第３の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す図である。 第４の実施形態に係る発光モジュールの構成を示す図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態（以下、実施形態という）について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態に係る発光モジュール１０の構成を示す図である。図１は、鉛直面による発光モジュール１０の断面を側方から見たときを示している。発光モジュール１０は、発光ユニット１２、支持部材１４、およびベースハウジング１６を備える。
　発光ユニット１２は、半導体発光素子２０、実装基板２２、およびメッキ層２４を有する。半導体発光素子２０の各々には、ＬＥＤが採用される。ＬＥＤは、青色ＬＥＤでもよく、紫外線ＬＥＤでもよく、また他の色の光を発光するＬＥＤであってもよい。半導体発光素子２０の各々は、１ｍｍ角の正方形状に形成される。なお、半導体発光素子２０の各々は、例えば０．３ｍｍ角など他のサイズの正方形に形成されてもよく、正方形以外の矩形に形成されてもよい。また、半導体発光素子２０として、ＬＥＤに代えて例えばレーザダイオードなど略点状に面発光する他の素子状の半導体発光素子が採用されてもよい。
　実装基板２２は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉの単一部材によって形成される。実装基板２２は板状に形成される。導電層であるメッキ層２４は、実装基板２２に半導体発光素子２０が実装されたとき半導体発光素子２０に導通するよう実装基板２２の表面上に設けられている。なお、メッキ層２４に代えて、導電性材料を上面２２ａの表面に蒸着させて導電層を形成してもよい。また、メッキ層２４に代えて、導電性材料によって形成された板状部材を折り曲げて実装基板２２の表面に固着させてもよい。
　実装基板２２の上面２２ａには、複数の半導体発光素子２０が直線状に並ぶよう実装される。このとき複数の半導体発光素子２０の各々は、主光軸方向、すなわち発光面２０ａに垂直な方向が上方向となるよう実装基板２２に実装される。第１の実施形態では、単一の実装基板２２に４つの半導体発光素子２０が実装されるが、実装数が４に限られないことは勿論であり、１または４以外の複数であってもよい。また、複数の半導体発光素子２０は、平面的に分散して配置されるよう実装基板２２に実装されてもよい。
　半導体発光素子２０の各々は、いわゆるフリップチップタイプのものが採用されている。半導体発光素子２０の各々は、Ａｕバンプ（図示せず）を介してメッキ層２４に接続され、実装基板２２に実装される。なお、半導体発光素子２０の各々はフリップチップタイプに限られず、例えば垂直チップタイプ、またはフェイスアップタイプのものが採用されてもよい。この場合、半導体発光素子２０は、素子上部から実装基板２２のメッキ層２４に導電性ワイヤなどの導電性部材によって接続される。
　このように、第１の実施形態では、いわゆるサブマウント基板を介することなく、半導体発光素子２０が実装基板２２に直接実装される。これにより、サブマウント基板と実装基板とを固着させる工程を削減することができる。
　支持部材１４は、実装基板２２を支持する。このように実装基板２２を支持部材１４に取り付けることによって、例えば半導体発光素子２０をＡｌＮなどによって形成されたサブマウント基板を介して、同じくＡｌＮなどによって形成された実装基板に取り付ける場合などに比べ、放熱性を向上させることができる。なお、支持部材１４は、実装基板２２よりも面積が大きくなるよう設けられている。これにより、一般的に高価な実装基板２２を小さくしつつ、放熱性の低下を抑制することができる。
　支持部材１４は、上面１４ａに、実装基板２２の上面２２ａの背向面である下面２２ｄが当接して固定されており、これにより実装基板２２を支持している。支持部材１４は、銅などの金属の中でも放熱性が比較的高い材料によって形成される。したがって、支持部材１４は放熱部材として機能する。
　第１の実施形態では、支持部材１４は、Ｃｕより熱膨張率、すなわち線膨張係数の低い金属およびＣｕからなる複合材料により形成される。具体的には、支持部材１４は、ＣｕとＭｏとを積層させたクラッド材により形成されている。以下、このクラッド材を「ＣＭＣ（Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕ）」という。ＣＭＣは、Ｃｕ板とＭｏ板とをホットプレスにより拡散接合させることにより形成される。Ｍｏは、Ｃｕよりも低い線膨張係数を有する。このようなクラッド材を支持部材１４の材料として採用することによって、Ｃｕと同等のレベルの熱伝導率を達成しつつ、熱膨張率、すなわち線膨張係数をＣｕより小さくすることが可能となる。このため、実装基板２２との線膨張係数の差を抑制することができ、支持部材１４および実装基板２２の両者の間に生じる熱応力に起因する支持部材１４または実装基板２２へのクラックの発生を抑制することができる。
　支持部材１４は、３層のＣｕの間に２層のＭｏの各々が挟まれるよう、ＣｕとＭｏとが積層されて構成されている。なお、支持部材１４におけるＣｕとＭｏの積層数などがこの態様に限られないことは勿論である。
　支持部材１４の材質はＣＭＣに限られず、例えばＭｏを粉末形成したものにＣｕを含浸させＣｕ－Ｍｏ粉末複合材料が採用されてもよい。また、このＣｕ－Ｍｏ粉末複合材料をＣｕ板で挟んだ特殊クラッド材が採用されてもよい。この特殊クラッド材は、Ｃｕ－Ｍｏ粉末複合材料をＣｕ板で挟み、熱間圧延させることにより形成される。また、Ｃｕよりも線膨張係数が低いインバー（Invar）金属をＣｕ板で挟んだクラッド材が採用されてもよい。なおインバー金属は、ＮｉとＦｅからなる合金である。
　実装基板２２は、融点が４５０℃以下の金属接合材料であるはんだによって支持部材１４に接合される。このような接合材料は実装基板２２と支持部材１４との間の熱膨張係数の差が小さいため、高い放熱性を確保しつつ熱応力に起因するクラックの発生を抑制することができる。なお、実装基板２２は、熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料からなる接着剤によって支持部材１４に接合されてもよい。これにより、放熱性能を確保しながら長期における信頼性を向上させることができる。
　図２（ａ）は、第１の実施形態に係る発光ユニット１２の上面図であり、図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光ユニット１２の正面図である。理解し易いよう、メッキ層２４にはハッチングを施して図示している。
　実装基板２２は、段差面２２ｂを有する。段差面２２ｂは、上面２２ａより下方且つ上面２２ａと平行となるよう設けられる。メッキ層２４は、給電部２４ａおよび素子接続部２４ｂを有する。給電部２４ａおよび素子接続部２４ｂは、実装基板２２の表面上に互いに離間して配置される。給電部２４ａは、実装基板２２の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面２２ａよりも下方の段差面２２ｂにおいて半導体発光素子２０への給電を可能とするよう、上面２２ａから側面２２ｃを経て段差面２２ｂに延在する。これによって、上面２２ａより下方において給電部２４ａにＡｕワイヤ２８をボンディングすることが可能となる。給電部２４ａは２つ設けられ、一列に並設される複数の半導体発光素子２０の端に配置される２つの半導体発光素子２０にそれぞれが導通するよう配置されている。
　素子接続部２４ｂは、上面２２ａに実装された複数の半導体発光素子２０の間を接続することで互いに直列に接続させるよう上面２２ａ上に設けられている。第１の実施形態では半導体発光素子２０は４つ設けられることから、素子接続部２４ｂは４つの半導体発光素子２０の間隔部の数である３つ設けられる。こうして、２つの給電部２４ａの間で電流を供給することにより、複数の半導体発光素子２０のすべてに電力を供給することができる。
　半導体発光素子２０への給電ルートの形成方法として、上面２２ａ上に半導体発光素子２０に導通する電極を設け、段差面２２ｂに銅などの導電性部材を上面２２ａ上の電極とは別に設ける方法も考えられる。しかしながら、この方法では、実装基板２２の上面２２ａの電極と段差面２２ｂ上の導電性部材とをＡｕワイヤなどの線状の導電部材またはアルミリボンなどの帯状の導電部材で接続する必要が生じる。したがって、導電部材を取り付ける工程が別途必要となるばかりでなく、発光面２０ａより上方に突出させないよう導電部材を取り付けることは容易ではない。
　このため第１の実施形態では、給電部２４ａと素子接続部２４ｂとは、メッキ処理によって実装基板２２の表面上に同時に固着される。これにより、メッキ層２４を設ける工程とは別にメッキ層２４と他の導電部材とを接続するためのＡｕワイヤをボンディングするなどの工程を削減することができ、発光ユニット１２の製造工程を簡易にすることができる。
　段差面２２ｂに代えて、実装基板２２の表面のうち上面２２ａよりも下方の他の面に給電部２４ａが延在するよう設けられてもよい。このように上面２２ａよりも下方の面において半導体発光素子２０への給電を可能とするよう、上面２２ａから当該下方の面に延在する給電部２４ａを設けることにより、Ａｕワイヤなどの導電部材を取り付けることなく、上面２２ａよりも下方において半導体発光素子２０への給電が可能となる。このため、発光ユニット１２の製造工程を簡略化できるとともに、半導体発光素子２０が発する光によって形成される配光へ導電部材が影響することを回避できる。
　例えば段差面２２ｂに代えて、上面２２ａから下方に向けて傾斜する傾斜面が設けられていてもよい。給電部２４ａは、上面２２ａからこの傾斜面に延在するよう設けられていてもよい。また、段差面２２ｂに代えて、上面２２ａから下方に凹む溝部が設けられてもよく、給電部２４ａは、上面２２ａからこの溝部の底部に延在するように設けられていてもよい。これらによっても、上面２２ａより下方において給電部２４ａにＡｕワイヤ２８をボンディングすることが可能となる。
　図１に戻る。ベースハウジング１６は、樹脂によって形成される。なお、ベースハウジング１６の材質が樹脂に限られないことは勿論であり、他の絶縁材料によって形成されていてもよい。ベースハウジング１６は開口部１６ｂを有しており、この開口部１６ｂに支持部材１４の側面１４ｂが嵌め合わされ、両者が互いに固定される。
　ベースハウジング１６は、上面と平行且つ上面より下方に設けられた段差面１６ａを有する。ベースハウジング１６の段差面１６ａは実装基板２２の段差面２２ｂと略同一の高さとなっている。なお、段差面１６ａと段差面２２ｂとが違う高さであってもよい。段差面１６ａ上には、薄い板状の導電性部材２６が設けられる。導電性部材２６は銅により形成されているが、他の導電性材料によって形成されてもよい。
　導電性部材２６は、メッキ層２４と離間して配置される。導通部材であるＡｕワイヤ２８は、メッキ層２４と導電性部材２６とを互いに導通させるようメッキ層２４と導電性部材２６との双方に接続される。こうして、導電性部材２６から、Ａｕワイヤ２８、メッキ層２４を介して、複数の半導体発光素子２０に発光のための電力供給が可能となっている。
（第２の実施形態）
　図３（ａ）は、第２の実施形態に係る発光ユニット５０の上面図であり、図３（ｂ）は、第２の実施形態に係る発光ユニット５０の正面図である。第２の実施形態に係る発光モジュールの構成は、発光ユニット１２に代えて発光ユニット５０が設けられ、さらに半導体発光素子２０の各々に個別に給電が可能となるよう設けられている以外は、第１の実施形態と同様である。以下、第１の実施形態と同様の個所は同一の符号を付して説明を省略する。
　発光ユニット５０は、実装基板５２、メッキ層５４、および複数の半導体発光素子２０を有する。実装基板５２は、アルミナ、ＡｌＮ、またはＳｉの単一部材によって形成される。実装基板５２は板状に形成され、実装基板５２の上面２２ａ上に、複数の半導体発光素子２０が実装される。導電層であるメッキ層５４は、実装基板５２に半導体発光素子２０が実装されたとき半導体発光素子２０に導通するよう実装基板５２の表面上に設けられている。
　実装基板５２には、複数の半導体発光素子２０が直線状に並ぶよう実装される。第２の実施形態においても、単一の実装基板５２に４つの半導体発光素子２０が実装されるが、実装数が４に限られないことは勿論であり、１または４以外の複数であってもよい。また、複数の半導体発光素子２０は、平面的に分散して配置されるよう実装基板５２に実装されてもよい。
　実装基板５２は、段差面５２ｂを有する。段差面５２ｂは、上面５２ａより下方且つ上面５２ａと平行となるよう設けられる。メッキ層５４は、複数の給電部５４ａを有する。給電部５４ａは、実装基板５２の表面上に互いに離間して配置される。複数の給電部５４ａの各々は、実装基板５２の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面５２ａよりも下方の段差面５２ｂにおいて、複数の半導体発光素子２０への個別の給電を可能とするよう、上面５２ａから側面５２ｃを経て段差面５２ｂに延在する。これによって、複数の半導体発光素子２０へ個別の給電するためのＡｕワイヤ２８を上面５２ａより下方において給電部５４ａにボンディングすることが可能となる。
　給電部５４ａは、２つで１つの半導体発光素子２０に電力を供給するため、半導体発光素子２０の数の２倍の数だけ設けられる。第２の実施形態では半導体発光素子２０は４個設けられるため、８つの給電部５４ａが設けられている。
　段差面５２ｂは、半導体発光素子２０を挟むよう２つ設けられている。２つの段差面５２ｂの各々は、半導体発光素子２０の並設方向に平行に延在している。一つの半導体発光素子２０に電力を供給するための２つの給電部５４ａの一方は２つの段差面５２ｂの一方に設けられ、２つの給電部５４ａの他方は２つの段差面５２ｂの他方に設けられる。第２の実施形態では４つの半導体発光素子２０が実装基板５２の上面５２ａに実装されるため、４つの給電部５４ａが実装基板５２の上面５２ａから一方の段差面５２ｂに延在し、他の４つの給電部５４ａが実装基板５２の上面５２ａから他方の段差面５２ｂに延在する。
　複数の給電部５４ａの各々は、メッキ処理により実装基板５２の表面上に同時に固着される。このとき、半導体発光素子２０の配置間隔が近いため、段差面５２ｂにおける給電部５４ａの各々の面積を大きく取るためには、隣接する給電部５４ａ同士の間隔を微小にする必要がある。
　このため、第２の実施形態では、メッキ処理工程では一つの段差面５２ｂに形成すべき４つの給電部５４ａは、段差面５２ｂ上では互いに繋がった状態のメッキとしてまず形成する。メッキ処理工程の終了後、隣り合う給電部５４ａの間隔部分となるメッキをレーザー加工によって除去し、４つの給電部５４ａを互いに分離させる。なお、レーザー加工に代えてダイシング加工によって４つの給電部５４ａを互いに分離させてもよい。
　このように実装基板５２の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面５２ａよりも下方の面において複数の半導体発光素子２０の各々への個別の給電を可能とするよう、上面５２ａからその下方の面に延在する複数の給電部を設けることにより、Ａｕワイヤなどの導電部材を取り付けることなく、上面５２ａよりも下方において半導体発光素子２０への給電が可能となる。このため、発光ユニット１２の製造工程を簡略化できるとともに、半導体発光素子２０が発する光によって形成される配光へ導電部材が影響することを回避できる。
　段差面５２ｂに代えて、実装基板５２の表面のうち上面５２ａよりも下方の他の面に複数の給電部５４ａの各々が延在するよう設けられてもよい。このように上面５２ａよりも下方の面において複数の半導体発光素子２０の各々への個別の給電を可能とするよう、上面５２ａから当該下方の面に延在する複数の給電部５４ａを設けることにより、Ａｕワイヤなどの導電部材を取り付けることなく、上面５２ａよりも下方において複数の半導体発光素子２０への個別の給電が可能となる。
　例えば段差面５２ｂに代えて、上面５２ａから下方向けて傾斜する傾斜面が設けられていてもよい。給電部５４ａは、上面５２ａからこの傾斜面に延在するよう設けられていてもよい。また、段差面５２ｂに代えて、上面５２ａから下方に凹む溝部が設けられてもよく、給電部５４ａは、上面５２ａからこの溝部の底部に延在するように設けられていてもよい。これらによっても、上面５２ａより下方において給電部５４ａにＡｕワイヤ２８をボンディングすることが可能となる。
（第３の実施形態）
　図４は、第３の実施形態に係る発光モジュール８０の構成を示す図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
　発光モジュール８０は、発光ユニット１２、支持部材８２、およびベースハウジング８４を備える。支持部材８２は、実装基板２２と当接する上面８２ａに背向する下面８２ｂが、上面８２ａよりも面積が大きくなるよう形成されている。
　具体的には、支持部材８２は、上面８２ａ近傍の側面８２ｃよりも外側に突出する拡大部８２ｄが下面８２ｂの近傍に設けられている。これにより、下面８２ｂの面積は上面８２ａの面積が大きくなっている。このため、ベースハウジング８４には、この拡大部８２ｄを収容するための凹部８４ｂが設けられている。この点以外は、ベースハウジング８４は上述のベースハウジング１６と同様に形成される。したがって、ベースハウジング８４は、上面と平行且つ上面より下方に設けられた段差面８４ａを有し、この段差面８４ａ上に導電性部材２６が設けられる。このように下面８２ｂの面積を大きくすることにより、下面８２ｂからより多くの熱を放出させることが可能となる。
（第４の実施形態）
　図５は、第４の実施形態に係る発光モジュール１００の構成を示す図である。以下、上述の実施形態と同様の個所については同一の符号を付して説明を省略する。
　発光モジュール１００は、発光ユニット１２、支持部材８２、およびベースハウジング８４によって形成される溝部に封止部材１０２が設けられる以外は、第３の実施形態に係る発光モジュール８０と同様に構成される。
　封止部材１０２は樹脂材料を溝部に充填して固化させたものであり、溝部にあるＡｕワイヤ２８の全体を外気から封止する。これにより、Ａｕワイヤ２８を外部からの衝撃から保護してＡｕワイヤ２８の接続信頼性を高めることができるとともに、Ａｕワイヤ２８による配光への影響を抑制することができる。なお封止部材１０２は、Ａｕワイヤ２８のうち、例えばボンディング部分など一部を外気から封止してもよい。
　第４の実施形態では、封止部材１０２は、半導体発光素子２０が実装されるメッキ層２４の上面よりも下方に位置するよう溝部に充填される。なお、封止部材１０２は、半導体発光素子２０の発光面２０ａよりも下方に位置するよう溝部に充填されてもよい。封止部材１０２は、実装基板２２の上面２２ａよりも下方に位置するよう溝部に充填されてもよい。
　封止部材１０２に代えて、カバーが設けられてもよい。カバーは、Ａｕワイヤ２８が発光面２０ａよりも下方に位置するようＡｕワイヤ２８の上方に配置されてもよい。また、カバーは、Ａｕワイヤ２８が実装基板２２の上面２２ａよりも下方に位置するようＡｕワイヤ２８の上方に配置されてもよい。このときカバーは、発光ユニット１２とベースハウジング８４との間に形成され、Ａｕワイヤ２８が収容される溝部を外気から封止するよう、発光ユニット１２とベースハウジング８４との間に設けられてもよい。したがって、このカバーもまた封止手段として機能する。このようにカバーを設けることによっても、Ａｕワイヤ２８の接続信頼性を高めるとともに、Ａｕワイヤ２８による配光への影響を抑制することができる。
　本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、各実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を各実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。以下、そのような例をあげる。
　ある変形例では、半導体発光素子２０は、板状のサブマウント基板の上面に実装され、サブマウント基板の下面が板状の実装基板の上面にはんだなどによって固定され、基板ユニットが形成される。このため、サブマウント基板も、半導体発光素子２０が実装される実装基板として機能する。サブマウント基板および実装基板の材質の各々の材質は、上述の実装基板２２と同じ材質であってもよい。
　サブマウント基板は実装基板よりも面積が小さく形成されている。このため、サブマウント基板を実装基板に固定したときに、サブマウント基板に覆われない実装基板の表面に段差面が設けられる。
　この場合も、サブマウント基板に実装された半導体発光素子２０に導通するよう、サブマウント基板の表面上に導電層が設けられる。この変形例においても、実装基板の段差面から半導体発光素子２０への給電が可能となるよう、導電層は、サブマウント基板の表面のうち半導体発光素子２０が実装される上面から、実装基板の段差面に延在する給電部を含む。このように、上述の実施形態において実装基板２２または実装基板５２が、サブマウント基板と実装基板との複数部材の組み合わせによって形成された場合においても、サブマウント基板の上面に設けられた導電性部材にＡｕワイヤをボンディングするなどの工程を削減することができ、発光ユニット１２の製造工程を簡易にすることができる。
　１０　発光モジュール、　１２　発光ユニット、　１４　支持部材、　１６　ベースハウジング、　１６ａ　段差面、　２０　半導体発光素子、　２２　実装基板、　２２ａ　上面、　２２ｂ　段差面、　２４　メッキ層、　２４ａ　給電部、　２４ｂ　素子接続部、　２６　導電性部材、　２８　Ａｕワイヤ、　５２　実装基板、　５４ａ　給電部、　８０　発光モジュール、　１００　発光モジュール、　１０２　封止部材。
　本発明は、発光モジュールに利用可能であり、特に発光素子および発光素子を支持する実装基板を備えた発光モジュールに利用可能である。

Claims (7)

  1. 　半導体発光素子が実装される実装基板と、
    　前記実装基板に実装された半導体発光素子に導通するよう前記実装基板の表面上に設けられた導電層と、
    を備え、
    　前記導電層は、前記実装基板の表面のうち半導体発光素子が実装される第１面よりも下方の第２面において前記半導体発光素子への給電を可能とするよう、第１面から第２面に延在する給電部を含むことを特徴とする発光モジュール。
  2. 　前記実装基板は、第１面に複数の半導体発光素子が実装可能に設けられ、
    　前記導電層は、第１面に実装された複数の半導体発光素子を互いに直列に接続させるよう第１面上に設けられた素子接続部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  3. 　前記実装基板は、第１面に複数の半導体発光素子が実装可能に設けられ、
    　前記導電層は、前記実装基板に実装された複数の半導体発光素子の各々への個別の給電を第２面において可能とするよう、第１面から第２面にそれぞれ延在する複数の給電部を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
  4. 　前記導電層と離間して配置される導電性部材と、
    　前記導電層と前記導電性部材とを互いに導通させるよう前記導電層と前記導電性部材との双方に接続される導通部材と、
    　前記導通部材の少なくとも一部を外気から封止する封止部材と、
    をさらに備え、
    　前記封止部材は、前記半導体発光素子の発光面よりも下方に位置するよう配置されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の発光モジュール。
  5. 　前記実装基板の第１面の背向面に当接する当接面を有する放熱部材をさらに備え、
    　前記放熱部材は、前記当接面の背向面が前記当接面よりも面積が大きくなるよう形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の発光モジュール。
  6. 　前記第２面は、前記第１面より下方且つ前記第１面と平行な段差面であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の発光モジュール。
  7. 　前記実装基板を支持するベースハウジングと、
    　前記ベースハウジングの表面に設けられた導電性部材と、
    　前記導電層と前記導電性部材とを互いに導通させるよう前記導電層と前記導電性部材との双方に接続される導通部材と、
    をさらに備え、
    　前記導電性部材は、前記半導体発光素子の発光面よりも下方に前記導通部材が配置されるよう、前記ベースハウジングの表面のうち前記第１面よりも下方の表面に設けられることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の発光モジュール。
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