CN100379039C - 发光二极管 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Abstract
一种发光二极管，包括：具有一对电极部的基板，设于此基板上与上述电极部导通的发光元件、包围此发光元件的周缘且设于此基板上的反射罩以及包覆上述发光元件的树脂密封体，其中在上述基板的上表面与形成突出部而于此突出部的上表面中设置上述发光元件，且将此发光元件的侧面设定于比上述反射罩的下端高的位置处。通过这种结构，能从朝上方向有效地取出从发光元件侧面出射的光。
Description
技术领域
本发明涉及各种电子设备的照明中所用的，特别是最近在汽车的计量仪表照明等之中也能使用的发光二极管，尤其涉及到为了具有指向性而设有反射罩的这种发光二极管。
背景技术
以往的这种发光二极管，例如已知有特开2002-324917号公报中所描述的。此种二极管如图1所示，包括在母板1作表面安装的基板2、设置于此基板2上面的发光元件3、围绕这些发光元件3周围设置的反射罩4、密封这些发光元件3与反射罩4的树脂密封体5、设于此树脂密封体上部的鼓状聚光部件6。
对于这种发光二极管，通过使发光元件3出射的光于反射罩的内周面上反射赋予其朝上方向的指向性，再使这种光经过聚光部件6的透镜部6a，则能发出更强的有指向性的光。
但在最近已在探求能把发光元件3出射的光集中于极窄的范围，以很强的功率照射到一点的所谓窄指向性的发光二极管。为了实现这种窄指向性，如图2所示，使反射罩4a的内周面7取加抛物面状且将发光元件3a设于此抛物面的焦点处。这样，从反光元件3a出射的光于反射罩4a的内周面7上反射，能作为朝向上方的平行光取出。于是最好是使接近发光元件3a的反射罩4a下端的四周缘9也尽可能如图3中虚线所示，取定成沿内周面7的抛物面轨迹光滑连续的陡斜面形状10。
但是在用塑料形成上述反射罩4a时，在圆孔8的内周缘9上难以成形出上述的斜面形状10，而在实际上则如图10所示，内周缘9的前端成为倒钝角的形状。特别是在把发光元件3a通过倒装片安装时，由于发光元件3a的发光侧面11的下端部12是在距基板2的上表面数十微米(μm)的极近位置处，上述内周缘9的形状对光的反射会有很大影响，从发光元件3a的发光侧面11出射的光接触到上述下端的内周缘9时就会成为扩散光，结果就难以控制进行狭指向性的发光。此外，上述问题在反射罩4a是由金属材料模压加工形成时也会产生。
发明内容
本发明的目的在于提供这样的发光二极管，它能使从发光元件的发光侧面出射的光不会射向到反射罩的下端部上而抑制散射光，同时能高效地取出朝向上方向的光，特别是能控制进行窄指向性的发光。
为了达到上述目的，本发明的发光二极管是在包括了具有电极部的基板、设于此基板上与上述电极部导通的发光元件，包围此发光元件的周缘且设在此基板上的反射罩以及包覆上述发光元件的树脂密封体的发光二极管中，使之具有下述特征：于上述基板的上表面上形成突出部，在此突出部的上表面上设置上述发光元件，同时将此发光元件的侧面设于较上述反射罩的下端高的位置。
作为本发明的一个例子，可将挠性基板用作上述基板。然后对此基板进行模压成形而形成上述突出部。
作为本发明的又一例子，在上述反射罩的下端形成比上述实出部的平面形状大的开口，此开口周缘则设置于突出部的外周。
作为本发明的再一例子，其特征在于，在上述突出部的上表面中配置的发光元件的正下部分中开设一达到上述基板背面的通孔，在与此通孔相对应的基板的背面侧设有发光元件的下表面出射的光的反射表面。
根据本发明，提供了一种发光二极管，包括：具有电极部的挠性基片；发光元件，设于此挠性基片上与上述电极部导通；反射罩，包围此发光元件的周围且设在此挠性基片上；包覆上述发光元件的树脂密封体，所述发光二极管的特征在于包括：在上述反射罩的下端设置开口，同时上述挠性基片具有从上述开口露出并设置在反射罩内的突出部，将在上述突出部的上面设置的发光元件的侧面设在较上述反射罩的下端高的位置。
根据本发明，由于从发光元件侧面出射的光不射向到反射罩的下端面可抑制散射光，因此能高效地取出朝向向上方向的平行光，结果能够获得狭指向性的发光二极管。
附图说明
图1是示明已有的发光二极管的例子的剖面图；
图2是示明已有的发光二极管另一例子的剖面图。
图3是上述图2中所示发光二极管的C部分的放大图。
图4是本发明发光二极管一实施形式的透视图。
图5是沿上述图4所示发光二极管的A-A线的剖面图。
图6是上述图5所示发光二极管的B部分的放大图。
具体实施形式
下面根据附图详细说明本发明的发光二极管的实施形式。图4是示明本发明一实施形式的发光二极管的整体形状的透视图，图5是沿上述图4中A-A线的剖面图，图6是上述图5中B部分的放大图。
如上述图4～6所示，本发明的发光二极管21，作为一个例子包括有：于挠性基片的表面上形成有预定的电极图案的大致正方形的基板22、设置于此基板22上面大致中央部分的发光元件23，围绕此发光元件23周围设置以控制发光元件23出射光的指向性的反射罩24、充填于此反射罩24内的透光性树脂密封体25。
形成于上述基板22上的电极图案，由大致沿中央部分分成左右两半的阴极26与阳极27构成，在此阴极26与阳极27相互面对的中央部中形成了载承上述发光元件23的突起部28、29。上述阴极26与阳极27经由通孔30、31，弯延到基板22的背面侧以与母板(未图示)导通，
在此实施形式中应注意的是，在基板22的大致中央部形成了平截头圆锥的台状突出部32，于此突出部32的上表面33上设置着上述发光元件23。前述阴极26与阳极27沿突出部32的凸形形成，突起部28、29则位于突出部32的中心部上述突出部32是在形成基板22之际于加热了的阳模与阴模之间夹设挠性基片进行模压成形的方法与底板22形成整体。在突出部32的上面33开设有沿上下贯通基板22的弯孔50，弯孔50内充填发光性树脂密封体25。
在与上述穿孔50对应的底板22的背面为了封闭上述弯孔50，设有反射腔51。此反射膜51用作此发光元件23下表面发射出的光的反射面。因此，从发光元件23下表面出射的光便入射到弯孔50之内，为设于弯孔50下方的反射膜51所反射，再次通过弯孔50而能作为向上方的反射光52取出。
设置于上述突出部32的上表面33上的发光元件23可视应用所需选择种之发光色的发光元件，并无特别限制。由设于发光元件23下面的一对焊锡凸块34与35可以实现上述阴极26与阳极27的导通。具体地说，是把发光元件23设置于上述突出部32的上表面33之上，将一对焊锡凸块固定于上述阴极26与阳极27的各突起部28，29之上用来实现导通。这样，通过采用焊锡凸块34、35来谋求发光二极管21的小型化，从而有利于的窄指向性为目的的发光二极管。再有，显然也可取代上述的焊锡凸块34、35而把焊线用作导通装置。
在本实施形式中，环绕上述发光元件23周围设置的反射罩24是由与基板22的外形尺寸大致相同的块状树脂成形体构成。然后于此成形体的上表面中央部中形成大的凹部，于此凹部36的下端开设圆孔37。此圆孔37形成为比上述突出部32的平面形状大的开口，在将反射罩24设于基板22上时，上述发光元件23与突出部32能露出于圆孔37内。特别是在实施形式中，上述圆孔37的周缘部38相接触地包围突出部32的外周。
上述反射罩24的凹部36，如图4和图5所示，其剖面呈抛物线形状。这样，由于上述圆孔37的内周缘38相接触地包围突出部32的外周，而能使置于突出部32的上表面33中的发光元件23与反射罩24的抛物面的焦点大体一致，于是在这种布置结构的情形下，从发光元件23出射到光不会射向上述圆孔37的内周缘之上，而能由上方的反射罩24的内周面上反射，容易作为朝向上方的平行光取出。
此外，本实施例中的反射罩24是由塑性材料形成，与前述的已与技术例子相同，圆孔37的内周缘38的前端是钝角形状。此外，上述凹部36的内周面上通过蒸镀形成金属膜39，此金属膜39最好运用铝与银等高反射率的易形成镜面的金属材料。
如上所述，取上述结构的反射罩24是通过把块状的树脂成形体的下表面粘合到基板22的上表面上而进行安装的，而这种情形下的上述圆孔37的内周缘38则定位成与基板22的突出部32的外周缘接近。结果，设置于突出部32的上表面33之上的发光元件23便设置在比上述反射罩24的下端高的位置处。
下面据图6说明取上述结构的发光二极管21的反射作用。如图6所示，开设于上述反射罩24下端的圆孔37，其内周缘38也位于发光元件23的光侧面40m下端41的下方位置。因此，从发光元件23的发光侧面40出射的光不会射向反射罩24的圆孔37的内周缘38上，而是于其上方位置与凹部36的内周面上反射，结果从发光元件23的发光侧面40出射的光就能通过反射罩24抑制散射而能有地效作为朝向上方向的平行光取出。
结果也能取得易控制指向性的窄指向性的发光二极管。特别是如此实施形式所示，对于通过将挠性基片经模压成形来形成突出部32时，不必要在基板22之上另设子安装基片，从而可使发光二极管21的结构简易而也可降低部分的制造成本。
再有，在上述实施形式中是就将塑性材料来成形反射罩24的情形进行说明，但显然本发明也适用于由金属材料模压加工成反射罩的情形。此外，在上述实施开式中是就以树脂密封体25充填反射罩24的整个凹部36的情形进行说明，但也可只密封发光元件23与突出部32而消除以树脂密封体25充填上述反射罩24的凹部36。
Claims (6)
1.一种发光二极管，包括：
具有电极部的挠性基片；
发光元件，设于此挠性基片上与上述电极部导通；
反射罩，包围此发光元件的周围且设在此挠性基片上；
包覆上述发光元件的树脂密封体，
所述发光二极管的特征在于包括：
在上述反射罩的下端设置开口，同时上述挠性基片具有从上述开口露出并设置在反射罩内的突出部，将在上述突出部的上面设置的发光元件的侧面设在较上述反射罩的下端高的位置。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
通过将上述挠性基片进行模压成型而形成上述突出部。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
在上述反射罩的下端设置的开口构成为在该突出部的外周上设置此开口周缘。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于还包括：
在上述挠性基片上形成的孔和反射片，
在位于发光元件的正下方部分的挠性基片的突出部上设置上述孔使其贯通到该挠性基片另一面，上述反射片设置在挠性基片另一侧以便覆盖上述孔，对从发光元件的下侧出射的光进行反射。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
上述突出部为截锥。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：
上述电极部由阴极电极和阳极电极构成，各电极沿着上述突出部的凸形形状而形成。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003344096 | 2003-10-02 | ||
| JP2003344096A JP4288481B2 (ja) | 2003-10-02 | 2003-10-02 | 発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1604349A CN1604349A (zh) | 2005-04-06 |
| CN100379039C true CN100379039C (zh) | 2008-04-02 |
Family
ID=34537834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100832574A Expired - Fee Related CN100379039C (zh) | 2003-10-02 | 2004-09-29 | 发光二极管 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7042021B2 (zh) |
| JP (1) | JP4288481B2 (zh) |
| CN (1) | CN100379039C (zh) |
| DE (1) | DE102004046994A1 (zh) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191446A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子用パッケージ及びこれを具えた発光デバイス |
| JP4673610B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-04-20 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード |
| JP4839687B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2011-12-21 | パナソニック電工株式会社 | 発光装置 |
| KR100592508B1 (ko) * | 2005-07-15 | 2006-06-26 | 한국광기술원 | 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지 |
| US7943946B2 (en) * | 2005-11-21 | 2011-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting device |
| US20090045423A1 (en) * | 2006-01-13 | 2009-02-19 | Takashi Hashimoto | Semiconductor light-emitting device |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| KR100820529B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2008-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 및 그 제조방법, 면 발광 장치 |
| JP4844246B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2011-12-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及び液晶表示用バックライト装置 |
| US8008674B2 (en) | 2006-05-29 | 2011-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and LCD backlighting device |
| JP2008004640A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| US7618163B2 (en) * | 2007-04-02 | 2009-11-17 | Ruud Lighting, Inc. | Light-directing LED apparatus |
| US7652301B2 (en) * | 2007-08-16 | 2010-01-26 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Optical element coupled to low profile side emitting LED |
| JP5692952B2 (ja) | 2007-12-11 | 2015-04-01 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
| CN102751272B (zh) * | 2008-03-26 | 2016-04-20 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法 |
| US9423096B2 (en) | 2008-05-23 | 2016-08-23 | Cree, Inc. | LED lighting apparatus |
| US8388193B2 (en) * | 2008-05-23 | 2013-03-05 | Ruud Lighting, Inc. | Lens with TIR for off-axial light distribution |
| US8348475B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-01-08 | Ruud Lighting, Inc. | Lens with controlled backlight management |
| US7841750B2 (en) | 2008-08-01 | 2010-11-30 | Ruud Lighting, Inc. | Light-directing lensing member with improved angled light distribution |
| TWI366292B (en) * | 2008-12-26 | 2012-06-11 | Ind Tech Res Inst | Flexible light source device and fabricating method of thereof |
| US9255686B2 (en) | 2009-05-29 | 2016-02-09 | Cree, Inc. | Multi-lens LED-array optic system |
| EP2449283B1 (en) | 2009-07-02 | 2014-10-15 | The Gates Corporation | Improved fabric for toothed power transmission belt and belt |
| CN201487668U (zh) * | 2009-09-09 | 2010-05-26 | 珠海晟源同泰电子有限公司 | 集束组合led照明光源 |
| JP5681407B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2015-03-11 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュール |
| TWM399313U (en) * | 2010-07-30 | 2011-03-01 | Sigurd Microelectronics Corp | Proximity sensor package structure |
| JP2012222304A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Asahi Glass Co Ltd | Ｌｅｄモジュールおよびｌｅｄランプ |
| US9541257B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-01-10 | Cree, Inc. | Lens for primarily-elongate light distribution |
| US10408429B2 (en) | 2012-02-29 | 2019-09-10 | Ideal Industries Lighting Llc | Lens for preferential-side distribution |
| US9541258B2 (en) | 2012-02-29 | 2017-01-10 | Cree, Inc. | Lens for wide lateral-angle distribution |
| USD697664S1 (en) | 2012-05-07 | 2014-01-14 | Cree, Inc. | LED lens |
| JP6409928B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2018-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| CN103000785A (zh) * | 2012-11-05 | 2013-03-27 | 何忠亮 | 一种led发光结构及其制作方法 |
| EP2943986B1 (en) * | 2013-01-10 | 2023-03-01 | Lumileds LLC | Led with shaped growth substrate for side emission and method of its fabrication |
| USD718490S1 (en) | 2013-03-15 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | LED lens |
| TW201505132A (zh) * | 2013-07-25 | 2015-02-01 | Lingsen Precision Ind Ltd | 光學模組的封裝結構 |
| JP6176101B2 (ja) | 2013-12-17 | 2017-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及び発光装置 |
| US9523479B2 (en) | 2014-01-03 | 2016-12-20 | Cree, Inc. | LED lens |
| EP3092668B1 (en) * | 2014-01-08 | 2021-03-31 | Lumileds LLC | Light emitting diode package and method for manufacturing the same |
| CN103996693B (zh) | 2014-04-24 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled面板及其制备方法、显示装置 |
| JP6755090B2 (ja) * | 2014-12-11 | 2020-09-16 | シチズン電子株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| DE102015108499A1 (de) * | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit einer Strahlungsquelle |
| US10468566B2 (en) | 2017-04-10 | 2019-11-05 | Ideal Industries Lighting Llc | Hybrid lens for controlled light distribution |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821775A (en) * | 1971-09-23 | 1974-06-28 | Spectronics Inc | Edge emission gaas light emitter structure |
| JP2002324917A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| US6495861B1 (en) * | 1999-03-18 | 2002-12-17 | Ròhm Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor chip |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534718A (en) * | 1993-04-12 | 1996-07-09 | Hsi-Huang Lin | LED package structure of LED display |
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP3768864B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2006-04-19 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-10-02 JP JP2003344096A patent/JP4288481B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-28 DE DE102004046994A patent/DE102004046994A1/de not_active Ceased
- 2004-09-29 CN CNB2004100832574A patent/CN100379039C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-30 US US10/953,576 patent/US7042021B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821775A (en) * | 1971-09-23 | 1974-06-28 | Spectronics Inc | Edge emission gaas light emitter structure |
| US6495861B1 (en) * | 1999-03-18 | 2002-12-17 | Ròhm Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor chip |
| JP2002324917A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102004046994A1 (de) | 2005-06-09 |
| JP4288481B2 (ja) | 2009-07-01 |
| JP2005109382A (ja) | 2005-04-21 |
| CN1604349A (zh) | 2005-04-06 |
| US7042021B2 (en) | 2006-05-09 |
| US20050263786A1 (en) | 2005-12-01 |
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Legal Events
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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