JP2005106753A - 分析装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】リリースホールを必要とせず、可動部の安定した駆動が可能であり、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化が図れる分析装置を提供すること。
【解決手段】所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタ１と、波長可変フィルタ１から出力され、被測定物を透過または反射した光を受光するＰＤ４２１とを有する分析装置４であって、波長可変フィルタ１は、光透過性を有する、可動部３１を備える第１の基板３および第１の基板３に対向する第２の基板２０と、可動部３１と第２の基板２０との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２と、可動部３１と第２の基板２０との間において、第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる干渉部と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２０に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備える。
【選択図】図８
【解決手段】所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタ１と、波長可変フィルタ１から出力され、被測定物を透過または反射した光を受光するＰＤ４２１とを有する分析装置４であって、波長可変フィルタ１は、光透過性を有する、可動部３１を備える第１の基板３および第１の基板３に対向する第２の基板２０と、可動部３１と第２の基板２０との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２と、可動部３１と第２の基板２０との間において、第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる干渉部と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２０に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備える。
【選択図】図８
Description
本発明は、分析装置に関するものである。
波長可変フィルタを使用した分析装置が知られている。
この分析装置の物質（被測定物）に光（赤外線）を照射すると、所定の波長に対応した光が吸収される。吸収の見られる波長を分析装置で調べることにより、その原子の種類と結合状態を知ることができる。
本発明に関わる分析装置の関連特許は、以下のようなものがある。
この分析装置の物質（被測定物）に光（赤外線）を照射すると、所定の波長に対応した光が吸収される。吸収の見られる波長を分析装置で調べることにより、その原子の種類と結合状態を知ることができる。
本発明に関わる分析装置の関連特許は、以下のようなものがある。
＜表面マイクロマシニングによるフィルタ＞
従来の分析装置の可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい。（例えば、特許文献１参照）。
従来の分析装置の可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい。（例えば、特許文献１参照）。
＜ＳＯＩウエハーを用いたフィルタ＞
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
＜両方式に共通する問題点＞
また、最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。
さらに、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。
これらより、犠牲層をリリースしないような構造が求められている。
また、最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。
さらに、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。
これらより、犠牲層をリリースしないような構造が求められている。
本発明の目的は、リリースホールを必要とせず、可動部の安定した駆動が可能であり、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、さらに小型化が図れる分析装置を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の分析装置は、所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタと、
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする。
これにより、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができ、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の分析装置は、所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタと、
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする。
これにより、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができ、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の分析装置は、所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタと、
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
本発明の分析装置では、前記受光部は、前記第１の基板の前記第２の基板と反対側に設けられているのが好ましい。
これにより、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。
本発明の分析装置では、前記受光部は、前記流路内に設けられているのが好ましい。
これにより、構造を簡素化することができ、より小型化を図ることができる。
これにより、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。
本発明の分析装置では、前記受光部は、前記流路内に設けられているのが好ましい。
これにより、構造を簡素化することができ、より小型化を図ることができる。
本発明の分析装置では、前記波長可変フィルタに対向する第３の基板を有し、
前記波長可変フィルタと、前記第３の基板との間に、前記被測定物を導入する流路を有するのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に被測定物の分析をすることができる。
本発明の分析装置では、前記流路は、前記干渉部に対応する部分を通るように設けられているのが好ましい。
これにより、構造を簡素化することができる。
前記波長可変フィルタと、前記第３の基板との間に、前記被測定物を導入する流路を有するのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に被測定物の分析をすることができる。
本発明の分析装置では、前記流路は、前記干渉部に対応する部分を通るように設けられているのが好ましい。
これにより、構造を簡素化することができる。
本発明の分析装置では、前記第３の基板は、前記第２の基板側に設けられているのが好ましい。
これにより、流路を容易かつ確実に設けることができる。
本発明の分析装置では、前記第３の基板は、光透過性を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させる分析装置を実現することができる。
これにより、流路を容易かつ確実に設けることができる。
本発明の分析装置では、前記第３の基板は、光透過性を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させる分析装置を実現することができる。
本発明の分析装置では、前記波長可変フィルタから出力された前記所定の波長の光は、前記被測定物を透過または反射し、その光が前記受光部で受光されるよう構成されているのが好ましい。
本発明の分析装置では、前記被測定物を透過または反射した光のうち、前記所定の波長の光が前記波長可変フィルタから選択的に出力され、前記受光部で受光されるよう構成されているのが好ましい。
本発明の分析装置では、前記被測定物を透過または反射した光のうち、前記所定の波長の光が前記波長可変フィルタから選択的に出力され、前記受光部で受光されるよう構成されているのが好ましい。
本発明の分析装置では、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有するのが好ましい。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
本発明の分析装置では、前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられているのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されているのが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されているのが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記第２の基板の前記第１のギャップに対応する面に駆動電極が設けられているのが好ましい。
これにより、可動部をさらに安定して駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであるのが好ましい。
これにより、精度の高い、第１のギャップおよび第２のギャップを設けることができる。
これにより、可動部をさらに安定して駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであるのが好ましい。
これにより、精度の高い、第１のギャップおよび第２のギャップを設けることができる。
本発明の分析装置では、前記第１の基板は、シリコンで構成されているのが好ましい。
これにより、構造、製造工程を簡易なものとすることができる。
本発明の分析装置では、前記可動部は、平面視で略円形をなしているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記第２の基板は、ガラスで構成されているのが好ましい。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる分析装置を実現することができる。
これにより、構造、製造工程を簡易なものとすることができる。
本発明の分析装置では、前記可動部は、平面視で略円形をなしているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
本発明の分析装置では、前記第２の基板は、ガラスで構成されているのが好ましい。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる分析装置を実現することができる。
本発明の分析装置では、前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスであるのが好ましい。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
本発明の分析装置では、前記可動部の前記第２のギャップに対応する面に、第１の反射膜を有し、前記第２の基板の前記可動部と対向する面に第２の反射膜を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく反射させることができる。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
本発明の分析装置では、前記可動部の前記第２のギャップに対応する面に、第１の反射膜を有し、前記第２の基板の前記可動部と対向する面に第２の反射膜を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく反射させることができる。
本発明の分析装置では、前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を簡易なものとすることができる。
本発明の分析装置では、前記第１の反射膜は、絶縁膜であるのが好ましい。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成できる。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を簡易なものとすることができる。
本発明の分析装置では、前記第１の反射膜は、絶縁膜であるのが好ましい。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成できる。
本発明の分析装置では、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有するのが好ましい。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
本発明の分析装置では、前記反射防止膜は、多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を簡易なものとすることができる。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
本発明の分析装置では、前記反射防止膜は、多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を簡易なものとすることができる。
以下、本発明の分析装置を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図８は、本発明の分析装置の第１実施形態を示す断面図、図１は、本発明の分析装置における波長可変フィルタの実施形態を示す、図２のＡ−Ａ線での断面図、図２は、図１における波長可変フィルタの平面図、図７は、本発明の分析装置における波長可変フィルタの実施形態におけるワイヤを取り付けた状態を示す図、図９は、図８に示す分析装置の回路構成を示すブロック図である。
図８は、本発明の分析装置の第１実施形態を示す断面図、図１は、本発明の分析装置における波長可変フィルタの実施形態を示す、図２のＡ−Ａ線での断面図、図２は、図１における波長可変フィルタの平面図、図７は、本発明の分析装置における波長可変フィルタの実施形態におけるワイヤを取り付けた状態を示す図、図９は、図８に示す分析装置の回路構成を示すブロック図である。
また、以下の説明では、図１、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
分析装置４は、波長可変フィルタ１と、流路用基板（第３の基板）４１と、受光用基板４２と、バンプ（導電性を有する球状のろう材）４３とを有している。
この分析装置４は、受光用基板４２と、流路用基板４１とが、波長可変フィルタ１を介して対向するように、設けられている。
分析装置４は、波長可変フィルタ１と、流路用基板（第３の基板）４１と、受光用基板４２と、バンプ（導電性を有する球状のろう材）４３とを有している。
この分析装置４は、受光用基板４２と、流路用基板４１とが、波長可変フィルタ１を介して対向するように、設けられている。
図１に示すように、波長可変フィルタ１は、第１の基板３と、第１の基板３に対向するベース基板２と、これら第１の基板３と、ベース基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２とを有している。
第１の基板３は、中央部に配置された、可動部３１と、可動部３１を変位（移動）可能に支持する支持部３２と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有している。
第１の基板３は、中央部に配置された、可動部３１と、可動部３１を変位（移動）可能に支持する支持部３２と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有している。
この第１の基板３は、導電性および光透過を有している。また、第１の基板３は、シリコン（Ｓｉ）で構成されている。これにより、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを一体的に形成することができる。
ベース基板２は、第１の凹部２１１および第２の凹部２２１を有するベース本体（第２の基板）２０と、駆動電極２３と、導電層２３１と、光入射部（光透過部）２４と、反射防止膜１００と、第２の反射膜２１０とを備えている。
ベース基板２は、第１の凹部２１１および第２の凹部２２１を有するベース本体（第２の基板）２０と、駆動電極２３と、導電層２３１と、光入射部（光透過部）２４と、反射防止膜１００と、第２の反射膜２１０とを備えている。
ベース本体２０は、光透過性を有している。
ベース本体２０の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、例えば、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属を含有したガラスが好ましい。
ベース本体２０の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、例えば、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属を含有したガラスが好ましい。
このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いることができ、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。
このようなベース本体２０の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
このようなベース本体２０の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
ベース本体２０の、可動部３１と対向する面に、第１の凹部２１１と、第１の凹部２１１より深さが深い第２の凹部２２１とが設けられている。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
この第１の凹部２１１の外形形状は、後述する可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
この第１の凹部２１１の外形形状は、後述する可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。
また、この第２の凹部２２１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第２の凹部２２１の寸法は、可動部３１より少し小さく設定されている。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１および第２の凹部２２１は、後述するベース本体２０の表面からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１および第２の凹部２２１は、後述するベース本体２０の表面からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
同様に、この第２の凹部２２１内の空間は、第２のギャップ２２となるものである。すなわち、可動部３１と、第２の凹部２２１とが、第２のギャップ２２を画成している。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
可動部３１は、本実施形態においては、平面視で略円形状をなしている。これにより、可動部３１を効率よく駆動できる。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、可動部３１には、第２の凹部２２１と対向する面（可動部３１の下面）に、光を効率的に反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２００が設けられ、第２の凹部２２１と対向する面の反対面（可動部３１の上面）に光の反射を抑制する反射防止膜（ＡＲコート）１００が設けられている。
なお、可動部３１の形状は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
なお、可動部３１の形状は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
図２中の中央付近には、弾性（可撓性）を有する４つの支持部３２が、それぞれ可動部３１と通電部３３とに一体的に形成されている。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、等角度間隔に９０°間隔おきに設けられている。可動部３１は、図１中上下方向に自由に移動することができる。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部の形状は、図示のものに限定されない。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、等角度間隔に９０°間隔おきに設けられている。可動部３１は、図１中上下方向に自由に移動することができる。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部の形状は、図示のものに限定されない。
第１の基板３は、通電部３３において、ベース基板２と接合されている。
通電部３３は、支持部３２を介して、可動部３１に接続されている。
光入射部２４は、ベース本体２０の下面に設けられており、凹部２４１を形成している。この光入射部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。
また、光入射部２４の表面には反射防止膜１００が設けられている。
通電部３３は、支持部３２を介して、可動部３１に接続されている。
光入射部２４は、ベース本体２０の下面に設けられており、凹部２４１を形成している。この光入射部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。
また、光入射部２４の表面には反射防止膜１００が設けられている。
また、第２の凹部２２１の表面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
また、第１の凹部２１１の上面には、駆動電極２３が設けられ、駆動電極２３からベース本体２０の端面に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。
また、駆動電極２３および導電層２３１の上面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
また、第１の凹部２１１の上面には、駆動電極２３が設けられ、駆動電極２３からベース本体２０の端面に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。
また、駆動電極２３および導電層２３１の上面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
駆動電極２３および導電層２３１は、それぞれ、導電性を有しており、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等で構成されている。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
また、図７に示すように、この波長可変フィルタ１の通電部３３と、導電層２３１とから、図示しない回路基板に、それぞれワイヤ５０を、例えば、はんだなどのろう材で接続する。
これにより、通電部３３と、導電層２３１とがそれぞれ、ワイヤ５０および回路基板を介して、後述する電源１０４に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これにより、通電部３３と、導電層２３１とがそれぞれ、ワイヤ５０および回路基板を介して、後述する電源１０４に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これら駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧が印加されると、駆動電極２３と、可動部３１とが逆極性に帯電して、両者の間にクーロン力が発生し、このクーロン力によって、可動部３１は、下方向に移動し、静止する。
この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１をベース基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
これにより、距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光を出射させることが可能となる。
この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１をベース基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
これにより、距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光を出射させることが可能となる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。
本実施形態の第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁性を有している。 すなわち、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁膜を兼ねる。
これにより、第１の反射膜２００は、駆動電極２３と、可動部３１とのショートを防ぐことができる。
また、第２の反射膜２１０は、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防ぐことができる。
本実施形態の第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁性を有している。 すなわち、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁膜を兼ねる。
これにより、第１の反射膜２００は、駆動電極２３と、可動部３１とのショートを防ぐことができる。
また、第２の反射膜２１０は、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防ぐことができる。
本実施形態では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とは、多層膜で形成されている。
多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過、反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。
これにより、反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過、反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。
これにより、反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
図８に示すように、流路用基板４１は、波長可変フィルタ１の下面に設けられている。
また、流路用基板４１の図８中、光を光入射部２４に取り込む部位の上面および下面には、反射防止膜１１０、１１１が設けられている。
この反射防止膜１１０、１１１は、例えば、反射防止膜１００と同様の材料で構成されている。
また、流路用基板４１の図８中、光を光入射部２４に取り込む部位の上面および下面には、反射防止膜１１０、１１１が設けられている。
この反射防止膜１１０、１１１は、例えば、反射防止膜１００と同様の材料で構成されている。
また、流路用基板４１は、光透過性を有している。流路用基板４１の構成材料としては、例えば、シリコン、ガラス、ポリイミドテープ等が挙げられる。
また、流路用基板４１は、波長可変フィルタ１と接合されている。
この接合方法は、特に限定されず、例えば、陽極接合によって接合してもよいし、波長可変フィルタのベース本体に溝を設けて接着剤により接着してもよい。
また、流路用基板４１は、波長可変フィルタ１と接合されている。
この接合方法は、特に限定されず、例えば、陽極接合によって接合してもよいし、波長可変フィルタのベース本体に溝を設けて接着剤により接着してもよい。
波長可変フィルタ１の第３の凹部２４１内の空間は、流路４４となるものである。すなわち、波長可変フィルタ１と、流路用基板４１とが、流路４４を画成している。
流路４４内の所定の位置には、例えば光透過性を有する容器に入れられた被測定物である試料（液体、ゲル等）が設置される。なお、試料を流路４４内に直接導入してもよい。
受光用基板４２は、受光部としてＰＤ４２１（フォトダイオード）と、ＰＤ４２１に接続された導電層４２２とを有している。
流路４４内の所定の位置には、例えば光透過性を有する容器に入れられた被測定物である試料（液体、ゲル等）が設置される。なお、試料を流路４４内に直接導入してもよい。
受光用基板４２は、受光部としてＰＤ４２１（フォトダイオード）と、ＰＤ４２１に接続された導電層４２２とを有している。
受光用基板４２は、波長可変フィルタ１の上面、すなわち、第１の基板３のベース基板２と反対側に設けられている。
ＰＤ４２１は、波長可変フィルタ１から出射した光の光軸上の所定位置に設けられている。これにより、波長可変フィルタ１から出射した光は、ＰＤ４２１で受光される。
ＰＤ４２１は、バンプ４３を介して、一定距離離間して、波長可変フィルタ１と接合されている。
ＰＤ４２１は、波長可変フィルタ１から出射した光の光軸上の所定位置に設けられている。これにより、波長可変フィルタ１から出射した光は、ＰＤ４２１で受光される。
ＰＤ４２１は、バンプ４３を介して、一定距離離間して、波長可変フィルタ１と接合されている。
導電層４２２は、ＰＤ基板４２の下面に設けられ、バンプ４３に当接している。また、波長可変フィルタ１の通電部３３の上面（バンプ４３と当接している面）には、絶縁層４２４を介して、導電層４２３が設けられている。
これにより、ＰＤ４２１から出力される電流は、導電層４２３を通り、出力される。
また、この第１実施形態の分析装置４では、ＰＤ４２１と、波長可変フィルタ１と、流路用基板４１とを一体的に設置することができるため、分析装置の小型化が図れ、また、光軸の調整が不要となる。
これにより、ＰＤ４２１から出力される電流は、導電層４２３を通り、出力される。
また、この第１実施形態の分析装置４では、ＰＤ４２１と、波長可変フィルタ１と、流路用基板４１とを一体的に設置することができるため、分析装置の小型化が図れ、また、光軸の調整が不要となる。
次に、分析装置４の製造方法を図３〜図６に示す工程図を参照しつつ説明する。
＜１＞ まず、分析装置４の製造に先立って、透明基板（光透過性を有する基板）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、前記ベース本体２０の説明で述べたとおりである。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述する上記Ｓｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
＜１＞ まず、分析装置４の製造に先立って、透明基板（光透過性を有する基板）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、前記ベース本体２０の説明で述べたとおりである。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述する上記Ｓｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
＜２＞ 次に、図３（ａ）に示すように、透明基板５上面および下面にマスク層６を形成（マスキング）する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。
マスク層６の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層６が薄すぎると、透明基板５を十分に保護できない場合があり、マスク層６が厚すぎると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ等により形成することができる。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ等により形成することができる。
＜３＞ 次に、図３（ｂ）に示すように、マスク層６に、開口６１、６２を形成する。
開口６１は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６２は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置の反対面に設ける。また、開口６２の形状（平面形状）は、後の工程で形成する第２の凹部２２１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６１は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６２は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置の反対面に設ける。また、開口６２の形状（平面形状）は、後の工程で形成する第２の凹部２２１の形状（平面形状）に対応させる。
これら開口６１、６２は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６１、６２に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６１、６２が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
＜４＞ 次に、図３（ｃ）に示すように、透明基板５上に第１の凹部２１１および第３の凹部２４１を形成する。
第１の凹部２１１および第３の凹部２４１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。前記エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１、６２より等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１および第３の凹部２４１が形成される。
第１の凹部２１１および第３の凹部２４１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。前記エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１、６２より等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１および第３の凹部２４１が形成される。
特に、ウェットエッチング法によると、より理想的な円柱状に近い第１の凹部２１１および第３の凹部２４１を形成することができる。なお、ウェットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。このとき、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、第１の凹部２１１の表面が極めて滑らかなものとなる。
＜５＞ 次に、マスク層６を除去する。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
以上により、図３（ｄ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１および第３の凹部２４１が所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
以上により、図３（ｄ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１および第３の凹部２４１が所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
また、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口の面積、または、工程＜４＞のエッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図４（ｆ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、第３の凹部２４１とが所定の位置に形成される。
透明基板５の表面に駆動電極２３および導電層２３１を形成するには、以下の工程を行う。
以上により、図４（ｆ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、第３の凹部２４１とが所定の位置に形成される。
透明基板５の表面に駆動電極２３および導電層２３１を形成するには、以下の工程を行う。
＜６＞ まず、透明基板５の上面および第１の凹部２１１にマスク層（図示せず）を形成する。
駆動電極２３および導電層２３１を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３および導電層２３１の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
駆動電極２３および導電層２３１は、蒸着法、スパッタ法又はイオンプレーティング法等により形成することができる。
駆動電極２３および導電層２３１を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３および導電層２３１の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
駆動電極２３および導電層２３１は、蒸着法、スパッタ法又はイオンプレーティング法等により形成することができる。
＜７＞ 次に、図４（ｇ）に示すように、マスク層６に、駆動電極２３および導電層２３１を形成する。
駆動電極２３は、第１の凹部２１１上に設け、導電層２３１は、透明基板５の上面に設ける。また、駆動電極２３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応していることが好ましい。
駆動電極２３は、第１の凹部２１１上に設け、導電層２３１は、透明基板５の上面に設ける。また、駆動電極２３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応していることが好ましい。
この駆動電極２３および導電層２３１は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層上に、駆動電極２３および導電層２３１に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、駆動電極２３および導電層２３１が形成される。
なお、マスク層の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
なお、マスク層の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
＜８＞ 次に、図４（ｈ）に示すように、第１の凹部２１１の上面と、駆動電極２３の表面と、導電層２３１の表面とに第２の反射膜２１０を設け、光入射部２４の表面に反射防止膜１００を設ける。
本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。
多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ等が挙げられる。
本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。
多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ等が挙げられる。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、図４（ｈ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された波長可変フィルタ用のベース基板２が得られる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、図４（ｈ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された波長可変フィルタ用のベース基板２が得られる。
以下、ウエハーを用いて可動部３１と、支持部３２と、通電部３３を製造する方法および製造された可動部３１と、波長可変フィルタ用のベース基板２とを用いて、波長可変フィルタを製造する方法とについて、図５、図６を参照しながら説明する。
可動部３１を製造する際には、ウエハー７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
可動部３１を製造する際には、ウエハー７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。
かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることができる。
本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。
ウエハー７は、Ｓｉベース層７１、ＳｉＯ２層７２、上部Ｓｉ層（活性層）７３の３層の積層体で構成されている。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特に上部Ｓｉ層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。
かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることができる。
本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。
ウエハー７は、Ｓｉベース層７１、ＳｉＯ２層７２、上部Ｓｉ層（活性層）７３の３層の積層体で構成されている。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特に上部Ｓｉ層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。
＜９＞ まず、図５（ｉ）に示すように、上部Ｓｉ層７３の下面に、後述する接合の工程後において、第２の凹部２２１と対向するように、第１の反射膜２００を設ける。
＜１０＞ 次に、図５（ｊ）に示すように、ウエハー７を上部Ｓｉ層７３と、ベース基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。
陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、ベース基板２を図示しない直流電源のマイナス端子、Ｓｉ層（活性層）７３を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、ベース基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ベース基板中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、ベース基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ベース基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱―加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより、接合しても良い。
＜１０＞ 次に、図５（ｊ）に示すように、ウエハー７を上部Ｓｉ層７３と、ベース基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。
陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、ベース基板２を図示しない直流電源のマイナス端子、Ｓｉ層（活性層）７３を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、ベース基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ベース基板中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、ベース基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ベース基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱―加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより、接合しても良い。
＜１１＞ 次に、図５（ｋ）に示すように、エッチングや研磨を行ってＳｉベース層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、Ｓｉベース層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、/駆動電極２３に対向している上部Ｓｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、Ｓｉベース層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、/駆動電極２３に対向している上部Ｓｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
＜１２＞ 次に、図５（ｌ）に示すように、エッチングを行ってＳｉＯ２層７２を除去する。エッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液を用いるのが好ましい。これにより、ＳｉＯ２層を好適に除去することができ、上部Ｓｉ層７３を好適に形成することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さの場合には、工程＜１１＞、＜１２＞は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１を製造する際の工程を簡略化することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さの場合には、工程＜１１＞、＜１２＞は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１を製造する際の工程を簡略化することができる。
＜１３＞ 次に、可動部３１および支持部３２の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、図６（ｍ）に示すように、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングにて、上部Ｓｉ層７３をエッチングし、貫通孔８を形成する。これにより、可動部３１と、支持部３２（図示せず）と、通電部３３とが形成される。
本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、可動部３１を形成する。
本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、可動部３１を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
これにより、上部Ｓｉ層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
これにより、上部Ｓｉ層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
このように、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３との形成においては、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングを用いるので、特に可動部３１を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを形成してもよい。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを形成してもよい。
＜１４＞ 次に、図６（ｎ）に示すように、可動部３１の上面に、反射防止膜１００を設ける。これにより、図１に示すような波長可変フィルタ１が得られる。
以下、流路用基板４１と、ＰＤ４２１と、波長可変フィルタ１とを用いて、分析装置４を製造する方法とについて、説明する。
＜１５＞ まず、流路用基板４１を用意する。本製造方法においては、流路用基板４１は、シリコンで構成されている。流路用基板４１の上面および下面に、接合の工程後において、第３の凹部２４１と対向するように、反射防止膜１１０を設け、流路用基板４１を介して反射防止膜１１０の反対側に反射防止膜１１１を設ける。
以下、流路用基板４１と、ＰＤ４２１と、波長可変フィルタ１とを用いて、分析装置４を製造する方法とについて、説明する。
＜１５＞ まず、流路用基板４１を用意する。本製造方法においては、流路用基板４１は、シリコンで構成されている。流路用基板４１の上面および下面に、接合の工程後において、第３の凹部２４１と対向するように、反射防止膜１１０を設け、流路用基板４１を介して反射防止膜１１０の反対側に反射防止膜１１１を設ける。
次に流路用基板４１と、波長可変フィルタ１の第３の凹部２４１が設けられた面とを接合する。
この接合方法は、特に限定されないが、例えば、前述した陽極接合や、透明基板５に溝を設け、その溝に接着材を配設し、接合する方法等を用いることができる。
これにより、流路用基板４１と、波長可変フィルタ１が接合される。
この接合方法は、特に限定されないが、例えば、前述した陽極接合や、透明基板５に溝を設け、その溝に接着材を配設し、接合する方法等を用いることができる。
これにより、流路用基板４１と、波長可変フィルタ１が接合される。
＜１６＞ 次に、通電部３３の上面に絶縁膜４２４を設ける。この絶縁膜４２４は、例えば、前述した多層膜で設けることができる。
次に絶縁膜４２４の上面に導電層４２３を設ける。この導電層４２３は、導電層２３１を設ける方法と同様の方法で設けることができる。
＜１７＞ 次に受光用基板４２を別途用意し、バンプ４３により、受光用基板４２に設けられた、導電層４２２と導電層４２３とを接合する。
なお、本製造方法においては、導電層２３１は、パターニングにより設けたが、透明基板５に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
次に絶縁膜４２４の上面に導電層４２３を設ける。この導電層４２３は、導電層２３１を設ける方法と同様の方法で設けることができる。
＜１７＞ 次に受光用基板４２を別途用意し、バンプ４３により、受光用基板４２に設けられた、導電層４２２と導電層４２３とを接合する。
なお、本製造方法においては、導電層２３１は、パターニングにより設けたが、透明基板５に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
以下、波長可変フィルタ１を備えた分析装置４を用いた分光光度計２００を図８および図９に基づいて説明する。図９は、分光光度計２００の構成例を示すブロック図である。
図９に示すように、分光光度計２００は、分析装置４と、光源３００と、増幅器９と、制御回路１０と、電源１０４とを有している。
光源３００は、試料へ光を照射するための分析装置用光源であり、分析装置４の流路用基板４１側に設けられている。
図９に示すように、分光光度計２００は、分析装置４と、光源３００と、増幅器９と、制御回路１０と、電源１０４とを有している。
光源３００は、試料へ光を照射するための分析装置用光源であり、分析装置４の流路用基板４１側に設けられている。
なお、光源に使用する光の波長は、特に限定されず、例えば、赤外光を用いることができる。
また、増幅器９は、ＰＤ４２１の出力側に接続されている。この増幅器９は、入力された信号を増幅して出力する。また、増幅器９の出力側には、制御回路１０が接続されている。
また、増幅器９は、ＰＤ４２１の出力側に接続されている。この増幅器９は、入力された信号を増幅して出力する。また、増幅器９の出力側には、制御回路１０が接続されている。
制御回路１０は、Ａ／Ｄ変換器１０１と、ＣＰＵ１０２と、記憶部１０３とを有している。
Ａ／Ｄ変換器１０１は、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。
また、Ａ／Ｄ変換器１０１の出力側には、ＣＰＵ１０２が接続されている。
ＣＰＵ１０２は、入力されたデータに基づき演算を行い、記憶部１０３に、その演算結果、テーブルデータ等を格納する。
また、ＣＰＵ１０２の出力側には、電源１０４が接続されている。
Ａ／Ｄ変換器１０１は、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。
また、Ａ／Ｄ変換器１０１の出力側には、ＣＰＵ１０２が接続されている。
ＣＰＵ１０２は、入力されたデータに基づき演算を行い、記憶部１０３に、その演算結果、テーブルデータ等を格納する。
また、ＣＰＵ１０２の出力側には、電源１０４が接続されている。
以下、分光光度計２００の作用について説明する。
まず、測定する試料（被測定物）を流路４４に導入し、流路４４内の可動部３１（干渉部）に対応する位置に配置させる。
次に、可動部３１と、第２の凹部２２１との距離ｘを所定の値に設定する。
光源３００から出射した光Ｌは、反射防止膜１１０、流路用基板４１、反射防止膜１１１、流路４４内の試料を透過し、ベース基板２の下面に設けられた光入射部２４から入射する。
まず、測定する試料（被測定物）を流路４４に導入し、流路４４内の可動部３１（干渉部）に対応する位置に配置させる。
次に、可動部３１と、第２の凹部２２１との距離ｘを所定の値に設定する。
光源３００から出射した光Ｌは、反射防止膜１１０、流路用基板４１、反射防止膜１１１、流路４４内の試料を透過し、ベース基板２の下面に設けられた光入射部２４から入射する。
光源３００の輝度（発光光量）が一定の場合、この光源３００からの光Ｌが、前記試料を通過する際、前記試料の光を吸収する特性（光吸収特性）に応じて光Ｌの各波長に対応する光の強度が変化する。
入射した光Ｌは、反射防止膜１００、ベース本体２０および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光Ｌは、反射防止膜１００、ベース本体２０および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
第２のギャップ２２に入射した光Ｌは、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間（距離ｘ）において、反射を繰り返す（干渉を発生する）。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。
また、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０と、第２のギャップ２２とで、後述する光の干渉を行う干渉部の主要部が構成される。
また、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０と、第２のギャップ２２とで、後述する光の干渉を行う干渉部の主要部が構成される。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した所定の波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２００、可動部３１、反射防止膜１００を透過し、可動部３１の上面から出射する。このようにして、前記所定の波長の光が透過し、残りの波長の光が遮断され、前記所定の波長の光のみが、波長可変フィルタ１から出射する。
可動部３１の上面から出射した干渉光は、ＰＤ４２１の受光面に入射する。ＰＤ４２１からは、光電変換により、受光光量に応じた大きさの電流、すなわち信号が出力される。
可動部３１の上面から出射した干渉光は、ＰＤ４２１の受光面に入射する。ＰＤ４２１からは、光電変換により、受光光量に応じた大きさの電流、すなわち信号が出力される。
ＰＤ４２１から出力された信号は、増幅器９に入力され、この増幅器９で増幅される。
増幅器９から出力された信号は、Ａ／Ｄ変換器１０１に入力される。
Ａ／Ｄ変換器１０１に入力された信号はデジタル信号に変換され、ＣＰＵ１０２に出力される。
ＣＰＵ１０２は、Ａ／Ｄ変換器１０１からのデジタル信号に基づいた、距離ｘに対する受光光量を示すデータ等を記憶部１０３の所定の格納領域に保存する。
増幅器９から出力された信号は、Ａ／Ｄ変換器１０１に入力される。
Ａ／Ｄ変換器１０１に入力された信号はデジタル信号に変換され、ＣＰＵ１０２に出力される。
ＣＰＵ１０２は、Ａ／Ｄ変換器１０１からのデジタル信号に基づいた、距離ｘに対する受光光量を示すデータ等を記憶部１０３の所定の格納領域に保存する。
また、記憶部１０３には、距離ｘに対応する、波長可変フィルタ１の透過波長領域（透過させる波長の領域）のデータがあらかじめ記憶されている。
これにより、透過波長領域に対する受光光量を関係づけて記憶部に格納する。。
また、記憶部１０３には、あらかじめ、透過波長領域に対応する距離ｘのデータと、距離ｘに対応する駆動電圧のデータとが記憶されており、ＣＰＵ１０２は、電源１０４からワイヤ５０へ印加される電圧を所定の値に調節（変更）する。
これにより、透過波長領域に対する受光光量を関係づけて記憶部に格納する。。
また、記憶部１０３には、あらかじめ、透過波長領域に対応する距離ｘのデータと、距離ｘに対応する駆動電圧のデータとが記憶されており、ＣＰＵ１０２は、電源１０４からワイヤ５０へ印加される電圧を所定の値に調節（変更）する。
ワイヤ５０に印加された電圧が調節されることにより、駆動電極２３と、可動部３１との間に発生するクーロン力が変化し、可動部３１は、所望の波長に対応する位置に移動した後に静止する。
ＣＰＵ１０２は、駆動電圧に対する受光光量を示すデータを記憶部１０３に格納する。
前記駆動電圧を変化させ、波長可変フィルタ１の透過波長領域の全領域に対して行うことにより、所定の波長に対する受光光量を知ることができる。
また、記憶部１０３に格納されているデータを図示しない表示部に表示することができる。
ＣＰＵ１０２は、駆動電圧に対する受光光量を示すデータを記憶部１０３に格納する。
前記駆動電圧を変化させ、波長可変フィルタ１の透過波長領域の全領域に対して行うことにより、所定の波長に対する受光光量を知ることができる。
また、記憶部１０３に格納されているデータを図示しない表示部に表示することができる。
以上に示すように、試料の光吸収特性に応じてＰＤ４２１での受光光量が変化するため、所定の波長におけるＰＤ４２１での受光光量、すなわち光電変換された電流（受光光量に応じた大きさとなる）を検出することにより、試料を構成する物質の定性、定量を容易に知ることができる。
なお、距離ｘを、センサ等を用いて直接検出してもよい。センサとしては、例えば、ギャップの容量を検出する容量センサ、電気的または磁気的に距離ｘを検出する電磁センサ、工学的に距離ｘを検出する光センサ等を用いることができる。
なお、距離ｘを、センサ等を用いて直接検出してもよい。センサとしては、例えば、ギャップの容量を検出する容量センサ、電気的または磁気的に距離ｘを検出する電磁センサ、工学的に距離ｘを検出する光センサ等を用いることができる。
これにより、例えば、所定のルーチンを繰り返す等、試料の測定の信頼性を向上することができる。
また、ＣＰＵおよび記憶部を用いているので、様々な測定アルゴリズムを設けることができる。
以上説明したように、この分析装置４によれば、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）がベース基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
また、ＣＰＵおよび記憶部を用いているので、様々な測定アルゴリズムを設けることができる。
以上説明したように、この分析装置４によれば、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）がベース基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
また、本発明では、可動部を形成する際に、リリースホールも必要としないため、工程を簡易なものとすることができ、クーロン力が作用する面積を減少させることなく、印加電圧を低くすることができる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２００とは絶縁膜で構成されている。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２００とは絶縁膜で構成されている。
これにより、スティッキング（可動部３１と駆動電極２３との貼り付き）の発生を防ぐことができ、確実な絶縁構造を形成できる。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜１００および第２の反射膜２００を多層膜で形成したが、反射防止膜および反射膜をそれぞれ単層膜で形成してもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜１００および第２の反射膜２００を多層膜で形成したが、反射防止膜および反射膜をそれぞれ単層膜で形成してもよい。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ２層を用いてもよいし、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ２層を用いてもよい。
また、本実施形態では、試料を透過した光を波長可変フィルタ１に入射したが、これに限られず、例えば、試料を反射した光を波長可変フィルタ１に入射してもよい。
また、本実施形態においては、受光部にフォトダイオードを用いたが、それに限らず、例えば、フォトトランジスタ等を用いてもよい。
また、本実施形態では、試料を透過した光を波長可変フィルタ１に入射したが、これに限られず、例えば、試料を反射した光を波長可変フィルタ１に入射してもよい。
また、本実施形態においては、受光部にフォトダイオードを用いたが、それに限らず、例えば、フォトトランジスタ等を用いてもよい。
次に本発明の分析装置の第２実施形態について説明する。
図１０は本発明の分析装置の第２実施形態を示す断面図である。
以下第２実施形態の分析装置４について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の分析装置４は、流路用基板４１に流路用凹部４１１が設けられている。
すなわち、波長可変フィルタ１と、流路用凹部４１１とが、流路４５を画成している。
図１０は本発明の分析装置の第２実施形態を示す断面図である。
以下第２実施形態の分析装置４について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の分析装置４は、流路用基板４１に流路用凹部４１１が設けられている。
すなわち、波長可変フィルタ１と、流路用凹部４１１とが、流路４５を画成している。
また、流路用凹部４１１の上面および下面には、反射防止膜１１０、１１１が設けられている。
この第２実施形態の分析装置４によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態では、試料を透過した光を波長可変フィルタ１に入射したが、これに限られず、例えば、試料を反射した光を波長可変フィルタ１に入射してもよい。
この第２実施形態の分析装置４によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、本実施形態では、試料を透過した光を波長可変フィルタ１に入射したが、これに限られず、例えば、試料を反射した光を波長可変フィルタ１に入射してもよい。
次に本発明の分析装置の第３実施形態について説明する。
図１１は本発明の分析装置の第３実施形態を説明する断面図である。
以下第３実施形態の分析装置４について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の分析装置４は、流路４４内にＰＤ４２１が設けられている。このＰＤ４２１は、流路用基板４１の上面に設置されている。また、光源３００は、可動部３１側に設けられている。
図１１は本発明の分析装置の第３実施形態を説明する断面図である。
以下第３実施形態の分析装置４について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の分析装置４は、流路４４内にＰＤ４２１が設けられている。このＰＤ４２１は、流路用基板４１の上面に設置されている。また、光源３００は、可動部３１側に設けられている。
以下、本実施形態の分析装置４の作用について具体的に説明する。
光源３００から出射した光Ｌは、反射防止膜１００、可動部３１、第１の反射膜２００を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
第２のギャップ２２に入射した光は、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において、反射を繰り返す。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した干渉光は、反射防止膜１００、流路４４内の試料を透過し、ＰＤ４２１の受光面に入射する。これにより、ＰＤ４２１から信号が出力される。
なお、本実施形態では、干渉光が、前記試料を透過する際に、試料の光吸収特性に応じて、干渉光の強度が変化する。
光源３００から出射した光Ｌは、反射防止膜１００、可動部３１、第１の反射膜２００を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
第２のギャップ２２に入射した光は、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において、反射を繰り返す。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した干渉光は、反射防止膜１００、流路４４内の試料を透過し、ＰＤ４２１の受光面に入射する。これにより、ＰＤ４２１から信号が出力される。
なお、本実施形態では、干渉光が、前記試料を透過する際に、試料の光吸収特性に応じて、干渉光の強度が変化する。
この第３実施形態の分析装置４によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この分析装置４では、流路用基板４１上にＰＤ４２１を設けたことにより、分析装置４をより小型化することができる。
また、前述した第２実施形態のように、流路用基板４１に流路用凹部４１１を設け、その流路用凹部４１１にＰＤ４２１を設けてもよい。
また、本実施形態では、試料を透過した干渉光を受光部で受光したが、これに限られず、例えば、試料を反射した干渉光を受光部で受光してもよい。
そして、この分析装置４では、流路用基板４１上にＰＤ４２１を設けたことにより、分析装置４をより小型化することができる。
また、前述した第２実施形態のように、流路用基板４１に流路用凹部４１１を設け、その流路用凹部４１１にＰＤ４２１を設けてもよい。
また、本実施形態では、試料を透過した干渉光を受光部で受光したが、これに限られず、例えば、試料を反射した干渉光を受光部で受光してもよい。
次に本発明の分析装置の第４実施形態について説明する。
図１２は本発明の分析装置の第４実施形態を示す断面図である。
以下第４実施形態の分析装置４について、前述した第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態の分析装置４は、ベース本体２０にビア孔４８が形成されている。
図１２は本発明の分析装置の第４実施形態を示す断面図である。
以下第４実施形態の分析装置４について、前述した第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態の分析装置４は、ベース本体２０にビア孔４８が形成されている。
また、通電部３３と、流路用基板４１とが、ビア孔４８内に設けられた導電体で接続されている。
また、流路用基板４１と回路基板４６とは、例えば、ＦＣＢ（フリップ・チップ・ボンディング）４７で接合されている。
これにより、通電部３３がビア孔４８を介して、回路基板４６に接続され、通電部３３に電圧を印加することができる。すなわち、流路用基板４１およびベース本体２０を、高性能の導電性を有した中継基板とすることができる。
また、流路用基板４１と回路基板４６とは、例えば、ＦＣＢ（フリップ・チップ・ボンディング）４７で接合されている。
これにより、通電部３３がビア孔４８を介して、回路基板４６に接続され、通電部３３に電圧を印加することができる。すなわち、流路用基板４１およびベース本体２０を、高性能の導電性を有した中継基板とすることができる。
この第４実施形態の分析装置４によれば、前述した第３実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この分析装置４では、ワイヤの数を減らすことができ、分析装置４をより小型化することができる。
また、本実施形態では、試料を透過した干渉光を受光部で受光したが、これに限られず、例えば、試料を反射した干渉光を受光部で受光してもよい。
そして、この分析装置４では、ワイヤの数を減らすことができ、分析装置４をより小型化することができる。
また、本実施形態では、試料を透過した干渉光を受光部で受光したが、これに限られず、例えば、試料を反射した干渉光を受光部で受光してもよい。
以上、本発明の分析装置を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
１・・・波長可変フィルタ、１０・・・制御回路、２・・・ベース基板、２０・・・ベース本体、２１・・・第１のギャップ、２１１・・・第１の凹部、２２・・・第２のギャップ、２２１・・・第２の凹部、２３・・・駆動電極、２３１・・・導電層、２４・・・光入射部、２４１・・・第３の凹部、３・・・第１の基板、３１・・・可動部、３２・・・支持部、３３・・・通電部、４・・・分析装置、４１・・・流路用基板、４１１・・・流路用凹部、４２・・・受光用基板、４２１・・・ＰＤ、４２２、４２３・・・導電層、４２４・・・絶縁層、４３・・・バンプ、４４、４５・・・流路、４６・・・回路基板、４８・・・ビア孔、５・・・透明基板、５０・・・ワイヤ、６・・・マスク層、６１・・・開口、６２・・・開口、７・・・ウエハー、７１・・・Ｓｉベース層、７２・・・ＳｉＯ２層、７３・・・上部Ｓｉ層、８・・・貫通孔、９・・・増幅器、１００・・・反射防止膜、１１０、１１１・・・反射防止膜、２００・・・第１の反射膜、２１０・・・第２の反射膜、３００・・・光源、１０１・・・Ａ／Ｄ変換器、１０２・・・ＣＰＵ、１０３・・・記憶部、１０４・・・電源、Ｌ・・・光、ｘ・・・距離
Claims (24)
- 所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタと、
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする分析装置。 - 所定の波長の光を選択的に出力する波長可変フィルタと、
前記波長可変フィルタから出力され、かつ、被測定物を透過または反射した光を受光する受光部とを有する分析装置であって、
前記波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部を有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備えることを特徴とする分析装置。 - 前記受光部は、前記第１の基板の前記第２の基板と反対側に設けられている請求項１または２に記載の分析装置。
- 前記受光部は、前記流路内に設けられている請求項１または２に記載の分析装置。
- 前記波長可変フィルタに対向する第３の基板を有し、
前記波長可変フィルタと、前記第３の基板との間に、前記被測定物を導入する流路を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の分析装置。 - 前記流路は、前記干渉部に対応する部分を通るように設けられている請求項５に記載の分析装置。
- 前記第３の基板は、前記第２の基板側に設けられている請求項５または６に記載の分析装置。
- 前記第３の基板は、光透過性を有する請求項５ないし７のいずれかに記載の分析装置。
- 前記波長可変フィルタから出力された前記所定の波長の光は、前記被測定物を透過または反射し、その光が前記受光部で受光されるよう構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の分析装置。
- 前記被測定物を透過または反射した光のうち、前記所定の波長の光が前記波長可変フィルタから選択的に出力され、前記受光部で受光されるよう構成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有する請求項２に記載の分析装置。
- 前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられている請求項１１に記載の分析装置。
- 前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第２の基板の前記第１のギャップに対応する面に駆動電極が設けられている請求項１ないし１３のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものである請求項１ないし１４のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第１の基板は、シリコンで構成されている請求項１ないし１５のいずれかに記載の分析装置。
- 前記可動部は、平面視で略円形をなしている請求項１ないし１６のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第２の基板は、ガラスで構成されている請求項１ないし１７のいずれかに記載の分析装置。
- 前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスである請求項１８に記載の分析装置。
- 前記可動部の前記第２のギャップに対応する面に、第１の反射膜を有し、前記第２の基板の前記可動部と対向する面に第２の反射膜を有する請求項１ないし１９のいずれかに記載の分析装置。
- 前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜である請求項２０に記載の分析装置。
- 前記第１の反射膜は、絶縁膜である請求項２０または２１に記載の分析装置。
- 前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有する請求項１ないし２２のいずれかに記載の分析装置。
- 前記反射防止膜は、多層膜である請求項２３に記載の分析装置。
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