JP2005165067A - 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 - Google Patents
波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005165067A JP2005165067A JP2003405247A JP2003405247A JP2005165067A JP 2005165067 A JP2005165067 A JP 2005165067A JP 2003405247 A JP2003405247 A JP 2003405247A JP 2003405247 A JP2003405247 A JP 2003405247A JP 2005165067 A JP2005165067 A JP 2005165067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gap
- tunable filter
- movable
- wavelength tunable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 236
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 62
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 and the like Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/28—Interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】低電圧で可動部の安定した駆動が可能であり、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化が図れる波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法を提供すること。
【解決手段】光透過性を有し、可動部３１と、可動部３１を変位可能に支持する支持部３２とを有する第１の基板３と、光透過性を有し、第１の基板３に対向する第２の基板２と、可動部３１と第２の基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２と、可動部３１と第２の基板２との間において、第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる干渉部と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタ１であって、支持部３２の厚さが、可動部３１の厚さより薄いことを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】光透過性を有し、可動部３１と、可動部３１を変位可能に支持する支持部３２とを有する第１の基板３と、光透過性を有し、第１の基板３に対向する第２の基板２と、可動部３１と第２の基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２と、可動部３１と第２の基板２との間において、第２のギャップ２２を介して干渉を生じさせる干渉部と、第１のギャップ２１を利用し、可動部３１を第２の基板２に対して変位させることにより、第２のギャップ２２の間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタ１であって、支持部３２の厚さが、可動部３１の厚さより薄いことを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法に関するものである。
本発明に関わる波長可変フィルタ(Optical Tunable Filter)の関連特許は、以下のようなものがある。
＜表面マイクロマシニングによるフィルタ＞
従来の波長可変フィルタの可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力（静電気力）が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい。（例えば、特許文献１参照）。
＜表面マイクロマシニングによるフィルタ＞
従来の波長可変フィルタの可変ギャップの厚みは、犠牲層の厚みのみにより制御される。この方法によると、犠牲層の製膜条件によって厚さにバラツキが生じてしまい、薄膜と駆動電極との間のクーロン力（静電気力）が一定ではなく、安定した駆動が得られないという問題がある。
また、可動部を基板の上に突出させた構造となっているため、波長可変フィルタの厚みが大きい。（例えば、特許文献１参照）。
＜ＳＯＩウエハーを用いたフィルタ＞
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
一方、ＵＳ６３４１０３９では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハーのＳｉＯ２層を犠牲層として用い、可変ギャップを形成している。これによれば、可変ギャップを制御よく形成することができる。
しかしながら、駆動電極と可動部との間に絶縁構造が形成されていないため、大きな静電引力が発生した際に、可動部と駆動電極が貼り付きを起こしてしまうという問題がある（例えば、特許文献２参照）。
＜両方式に共通する問題点＞
また、最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。
また、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。
また、最終的に犠牲層をリリースして可変ギャップを形成するが、リリース用の液体を犠牲層に導入するためのリリースホールが必要となる。このため、クーロン力が作用する面積が減少し、駆動電圧が増加してしまうという問題がある。
また、可変ギャップが小さいと、犠牲層をリリースする際に薄膜と駆動電極基板の間に水の表面張力によるスティッキングと呼ばれる貼り付き現象が発生する。
さらに、駆動電圧を小さくするために、波長可変フィルタ全体の厚みを薄くすると、可動部に形成されている反射防止膜や、高反射膜の応力により発生する反りが可動部に発生してしまう恐れがある。また、波長可変フィルタの強度も低下するという問題がある。
これらより、可変ギャップを小さくすることなく、低電圧で可動部の安定した駆動が可能な波長可変フィルタが求められている。
これらより、可変ギャップを小さくすることなく、低電圧で可動部の安定した駆動が可能な波長可変フィルタが求められている。
本発明の目的は、低電圧で可動部の安定した駆動が可能であり、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化が図れる波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部と、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする。
これにより、低電圧で可動部を駆動することができ、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができる。
本発明の波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部と、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする。
これにより、低電圧で可動部を駆動することができ、構造を簡素化することができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができる。
本発明の波長可変フィルタは、光透過性を有し、可動部と、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。また、低電圧で可動部を駆動することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。また、低電圧で可動部を駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有することが好ましい。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられているのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されているのが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されているのが好ましい。
これにより、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板の前記第１のギャップに対応する面に駆動電極が設けられているのが好ましい。
これにより、可動部をさらに安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであるのが好ましい。
これにより、精度の高い、第１のギャップおよび第２のギャップを設けることができる。
これにより、可動部をさらに安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものであるのが好ましい。
これにより、精度の高い、第１のギャップおよび第２のギャップを設けることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の基板は、シリコンで構成されているのが好ましい。
これにより、構造、製造工程を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部は、平面視で略円形をなしているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
これにより、構造、製造工程を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部は、平面視で略円形をなしているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、ガラスで構成されているのが好ましい。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスであるのが好ましい。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスであるのが好ましい。
これにより、製造をさらに容易に行うことができるとともに、第１の基板と第２の基板とを強固に、かつ高い密着性をもって接合することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部の前記第２のギャップに対応する面に、第１の反射膜を有し、前記第２の基板の前記可動部と対向する面に第２の反射膜を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく反射させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を簡易なものとすることができる。
これにより、光を効率よく反射させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射膜の製造を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の反射膜は、絶縁膜であるのが好ましい。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成できる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有するのが好ましい。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
これにより、可動部と第２の基板との間に、簡易な構成で、確実な絶縁構造を形成できる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有するのが好ましい。
これにより、光の反射を抑制し、光を効率的に透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記反射防止膜は、多層膜であるのが好ましい。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記第２のギャップと反対側に光を入射および／または出射させる光透過部を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。
これにより、膜厚を容易に変化させることができ、反射防止膜の製造を簡易なものとすることができる。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記第２のギャップと反対側に光を入射および／または出射させる光透過部を有するのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板と、第１の基板用基材とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を容易かつ確実に製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板と、第１の基板用基材とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を容易かつ確実に製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、前記支持部に対応する厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材にエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を容易かつ確実に製造することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、前記支持部に対応する厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材にエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を容易かつ確実に製造することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位をエッチングし、所定の厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を確実に製造することができ、可動部をより効率よく駆動することができる。
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位をエッチングし、所定の厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基板を確実に製造することができ、可動部をより効率よく駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、導電性を有する活性層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板の前記活性層を前記第１の基板用基材とし、前記活性層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合した後に、前記ベース層および前記絶縁層を順次除去し、前記活性層から前記第１の基板を形成するのが好ましい。
これにより、第１の基板用基材と、第２の基板とを容易に接合することができる。また、ベース層除去の際、絶縁層がエッチングストッパの役割を果たすので、第１の基板となる活性層の厚さを高精度に維持することができる。
これにより、第１の基板用基材と、第２の基板とを容易に接合することができる。また、ベース層除去の際、絶縁層がエッチングストッパの役割を果たすので、第１の基板となる活性層の厚さを高精度に維持することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記積層基板は、主としてＳｉで構成された前記活性層上に、主としてＳｉＯ２で構成された前記絶縁層と、主としてＳｉで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＩ基板、または、主としてＳｉで構成された前記活性層上に、主としてＳｉＯ２で構成された絶縁層と、主としてＳａｐｐｈｉｒｅで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＳ基板であるのが好ましい。
これにより、表面が鏡面である第１の基板を容易に得ることができ、第１の基板の製造工程を簡易なものとすることができる。
これにより、表面が鏡面である第１の基板を容易に得ることができ、第１の基板の製造工程を簡易なものとすることができる。
以下、本発明の波長可変フィルタを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す、図２のＡ−Ａ線での断面図、図２は、図１における波長可変フィルタの平面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す、図２のＡ−Ａ線での断面図、図２は、図１における波長可変フィルタの平面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示すように、波長可変フィルタ１は、シリコンで構成された第１の基板３と、第１の基板３に対向するベース基板２と、これら第１の基板３と、ベース基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２とを有している。
第１の基板３は、導電性および光透過性を有し、中央部に配置された可動部３１と、可動部３１を変位（移動）可能に支持する支持部３２と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有している。
第１の基板３は、導電性および光透過性を有し、中央部に配置された可動部３１と、可動部３１を変位（移動）可能に支持する支持部３２と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有している。
また、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とは、一体的に形成され、通電部３３は、支持部３２を介して、可動部３１に接続されている。
第１の基板３は、通電部３３において、ベース基板２と接合されている。
ベース基板２は、第１の凹部２１１および第２の凹部２２１を有するベース本体（第２の基板）２０と、駆動電極２３と、導電層２３１と、光入射部（光透過部）２４と、反射防止膜１００と、第２の反射膜２１０とを備えている。
第１の基板３は、通電部３３において、ベース基板２と接合されている。
ベース基板２は、第１の凹部２１１および第２の凹部２２１を有するベース本体（第２の基板）２０と、駆動電極２３と、導電層２３１と、光入射部（光透過部）２４と、反射防止膜１００と、第２の反射膜２１０とを備えている。
ベース本体２０は、光透過性を有している。ベース本体２０の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、例えば、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属を含有したガラスが好ましい。
このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いることができ、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。
このようなベース本体２０の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
このようなベース本体２０の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。
ベース本体２０の、可動部３１と対向する面に、第１の凹部２１１と、第１の凹部２１１より深さが深い第２の凹部２２１とが設けられている。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
この第１の凹部２１１の外形形状は、後述する可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
この第１の凹部２１１の外形形状は、後述する可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。
また、この第２の凹部２２１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第２の凹部２２１の寸法は、可動部３１より少し小さく設定されている。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１および第２の凹部２２１は、後述するベース本体２０の表面からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１および第２の凹部２２１は、後述するベース本体２０の表面からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。
同様に、この第２の凹部２２１内の空間は、第２のギャップ２２となるものである。すなわち、可動部３１と、第２の凹部２２１とが、第１のギャップ２１を画成している。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
可動部３１は、本実施形態においては、平面視で略円形状をなしている。これにより、可動部３１を効率よく駆動できる。また、可動部３１は、図１中上下方向に自由に変位することができる。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、可動部３１には、第２の凹部２２１と対向する面（可動部３１の下面）に、光を効率的に反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２００が設けられ、第２の凹部２２１と対向する面の反対面（可動部３１の上面）に光の反射を抑制する反射防止膜（ＡＲコート）１００が設けられている。
なお、可動部３１の形状は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
なお、可動部３１の形状は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
図２中の中央付近には、弾性（可撓性）を有する４つの支持部３２が、それぞれ可動部３１と通電部３３とに一体的に形成されている。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、開口部８により仕切られて等角度間隔（９０°間隔）で、設けられている。
本実施形態では、４個の支持部３２の厚さは、可動部３１の厚さよりも薄く形成する。これにより支持部３２が有する弾性によって決まるバネ定数を低くして、従来のクーロン力より小さくても可動部３１が、支持部３２を可動部３１と同じ厚さにした場合と同程度の変位を得ることができる。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、開口部８により仕切られて等角度間隔（９０°間隔）で、設けられている。
本実施形態では、４個の支持部３２の厚さは、可動部３１の厚さよりも薄く形成する。これにより支持部３２が有する弾性によって決まるバネ定数を低くして、従来のクーロン力より小さくても可動部３１が、支持部３２を可動部３１と同じ厚さにした場合と同程度の変位を得ることができる。
したがって、クーロン力を発生させるために印加する電圧を低くし、消費電力の低減を図ることができる。また、クーロン力については、後に詳述する。
また、クーロン力が働いていない場合に可動部３１の重量を有効に支えられることが支持体として必要である。可動部３１の重量、大きさ、支持部３２の数、第１の基板３の厚さ等の諸条件により、支持部３２の厚さの下限は異なる。
また、クーロン力が働いていない場合に可動部３１の重量を有効に支えられることが支持体として必要である。可動部３１の重量、大きさ、支持部３２の数、第１の基板３の厚さ等の諸条件により、支持部３２の厚さの下限は異なる。
この支持部３２の厚さは、可動部３１よりも薄く、かつ、クーロン力が働いていない場合に可動部３１の重量を有効に支えられるように、例えば、可動部３１の重量、大きさ、支持部３２の数、第１の基板３の厚さ等の諸条件により、適宜設定される。
なお、支持部３２の厚さをＡ、可動部の厚さをＢとしたときに、Ａ／Ｂが０．１〜０．９であるのが好ましく、０．３〜０．７であるのがより好ましい。
なお、支持部３２の厚さをＡ、可動部の厚さをＢとしたときに、Ａ／Ｂが０．１〜０．９であるのが好ましく、０．３〜０．７であるのがより好ましい。
なお、本実施形態では、可動部３１及び導電部３３のそれぞれ下側（ベース基板２側）が支持部３２と接続されている。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状は、図示のものに限定されない。
光入射部２４は、ベース本体２０の下面に設けられており、この光透過部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。また、光入射部２４の表面には反射防止膜１００が設けられている。
なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状は、図示のものに限定されない。
光入射部２４は、ベース本体２０の下面に設けられており、この光透過部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。また、光入射部２４の表面には反射防止膜１００が設けられている。
また、第２の凹部２２１の表面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
また、第１の凹部２１１の上面には、駆動電極２３が設けられ、駆動電極２３からベース本体２０の端面に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。
また、駆動電極２３および導電層２３１の上面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
また、第１の凹部２１１の上面には、駆動電極２３が設けられ、駆動電極２３からベース本体２０の端面に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。
また、駆動電極２３および導電層２３１の上面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
駆動電極２３および導電層２３１は、それぞれ、導電性を有しており、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｕなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等で構成されている。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
また、図１２に示すように、この波長可変フィルタ１の通電部３３と、導電層２３１とから、図示しない回路基板に、それぞれワイヤ５０を、例えば、はんだなどのろう材で接続する。
これにより、通電部３３と、導電層２３１とがそれぞれ、ワイヤ５０および回路基板を介して、図示しない電源に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これにより、通電部３３と、導電層２３１とがそれぞれ、ワイヤ５０および回路基板を介して、図示しない電源に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。
これら駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧が印加されると、駆動電極２３と、可動部３１とに電位差が生じ、両者の間にクーロン力が発生し、このクーロン力によって、可動部３１は、下方向に移動し、静止する。
この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１をベース基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１をベース基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
これにより、第２のギャップ２２と可動部３１との距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光を出射させることが可能となる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。
本実施形態の第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁性を有している。すなわち、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁膜を兼ねる。これにより、第１の反射膜２００は、駆動電極２３と、可動部３１とのショートを防ぐことができる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。
本実施形態の第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁性を有している。すなわち、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁膜を兼ねる。これにより、第１の反射膜２００は、駆動電極２３と、可動部３１とのショートを防ぐことができる。
また、第２の反射膜２１０は、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防ぐことができる。
本実施形態では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とは、多層膜で形成されている。多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過、反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。
これにより、反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
本実施形態では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とは、多層膜で形成されている。多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過、反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。
これにより、反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。
次に、本発明の波長可変フィルタの動作（作用）について図１１を用いて説明する。
図１１に示すように、光源３００から出射された光Ｌは、ベース基板２の下面に設けられた光入射部２４から入射する。すなわち、光Ｌは、反射防止膜１００、ベース基板２０および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光は、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において、反射を繰り返す（干渉を発生する）。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。
図１１に示すように、光源３００から出射された光Ｌは、ベース基板２の下面に設けられた光入射部２４から入射する。すなわち、光Ｌは、反射防止膜１００、ベース基板２０および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光は、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において、反射を繰り返す（干渉を発生する）。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。
前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した所定の波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２００、可動部３１、反射防止膜１００を透過し、可動部３１の上面から出射する。
この波長可変フィルタ１は、種々の目的で使用することができ、例えば、所定の周波数に対応する光の強度を測定するための装置に用いた場合、それを容易に測定することができる。
この波長可変フィルタ１は、種々の目的で使用することができ、例えば、所定の周波数に対応する光の強度を測定するための装置に用いた場合、それを容易に測定することができる。
なお、本実施形態では、光入射部２４から光を入射したが、それに限られず、例えば、可動部３１の上面から光を入射してもよい。その場合、光入射部２４から出射してもよいし、可動部３１の上面から出射してもよい。
また、本実施形態では、光入射部２４から入射した光を可動部３１の上面から出射したが、それに限られず、例えば、光入射部２４から入射した光を光入射部２４から出射してもよい。
また、本実施形態では、光入射部２４から入射した光を可動部３１の上面から出射したが、それに限られず、例えば、光入射部２４から入射した光を光入射部２４から出射してもよい。
また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０を多層膜で形成したが、これに限られず、例えば、反射防止膜および反射膜を、それぞれ単層膜で形成してもよい。
また、本実施形態では、第２の反射膜を導電層２３１上に設け、絶縁膜としたが、それに限られず、例えば、他の絶縁性を有する部材を使用してもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
また、本実施形態では、第２の反射膜を導電層２３１上に設け、絶縁膜としたが、それに限られず、例えば、他の絶縁性を有する部材を使用してもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。
＜製造方法＞
次に、第１実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法について、を図３〜図６に示す工程図に示す波長可変フィルタ製造する場合を一例として説明する。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本製造方法の特徴は、支持部を上側（後述する第２のＳｉ層７３の、ベース本体２０と対向する面の反対面側）から加工して薄くすることにある。この製造方法は、[１]ベース基板２０の作製工程、[２]ウエハー７の加工工程、[３]ベース基板２０とウエハー７との接合工程、[４]第１の基板３の作製工程を有している。以下これらの工程について、順次説明する。
次に、第１実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法について、を図３〜図６に示す工程図に示す波長可変フィルタ製造する場合を一例として説明する。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本製造方法の特徴は、支持部を上側（後述する第２のＳｉ層７３の、ベース本体２０と対向する面の反対面側）から加工して薄くすることにある。この製造方法は、[１]ベース基板２０の作製工程、[２]ウエハー７の加工工程、[３]ベース基板２０とウエハー７との接合工程、[４]第１の基板３の作製工程を有している。以下これらの工程について、順次説明する。
[１]ベース基板２０の作製工程
＜１＞まず、波長可変フィルタ１の製造に先立って、光透過性を有する基板である透明基板（第２の基板用基材）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、前記ベース本体２０の説明で述べたとおりである。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述する第２のＳｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
＜１＞まず、波長可変フィルタ１の製造に先立って、光透過性を有する基板である透明基板（第２の基板用基材）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、前記ベース本体２０の説明で述べたとおりである。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述する第２のＳｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。
＜２＞次に、図３（ａ）に示すように、透明基板５上面および下面にマスク層６を形成（マスキング）する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。
マスク層６の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層６が薄すぎると、透明基板５を十分に保護できない場合があり、マスク層６が厚すぎると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
＜３＞次に、図３（ｂ）に示すように、マスク層６に、開口６１、６２を形成する。
開口６１は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６２は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置の反対面に設ける。また、開口６２の形状（平面形状）は、後の工程で形成する第２の凹部２２１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６１は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６２は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置の反対面に設ける。また、開口６２の形状（平面形状）は、後の工程で形成する第２の凹部２２１の形状（平面形状）に対応させる。
これら開口６１、６２は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６１、６２に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６１、６２が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
＜４＞次に、図３（ｃ）に示すように、透明基板５上に第１の凹部２１１と、光入射部２４とを形成する。
第１の凹部２１１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１および６２により等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１および光入射部２４が形成される。
第１の凹部２１１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１および６２により等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１および光入射部２４が形成される。
特に、ウェットエッチング法によると、より理想的な円柱状に近い第１の凹部２１１および光入射部２４を形成することができる。なお、ウェットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。このとき、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、第１の凹部２１１の表面が極めて滑らかなものとなる。
＜５＞次に、マスク層６を除去する。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。
特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
以上により、図３（ｄ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と、光入射部２４とが所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
また、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口（マスキングするマスク層６）の面積、または、工程＜４＞のエッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図４（ｆ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、光入射部２４とが所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。
また、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口（マスキングするマスク層６）の面積、または、工程＜４＞のエッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図４（ｆ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、光入射部２４とが所定の位置に形成される。
透明基板５の表面に駆動電極２３および導電層２３１を形成するには、以下の工程を行う。
＜６＞まず、透明基板５の上面および第１の凹部２１１にマスク層（図示せず）を形成する。
＜７＞次に、図４（ｇ）に示すように、駆動電極２３および導電層２３１を形成する。
駆動電極２３および導電層２３１を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３および導電層２３１の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
＜６＞まず、透明基板５の上面および第１の凹部２１１にマスク層（図示せず）を形成する。
＜７＞次に、図４（ｇ）に示すように、駆動電極２３および導電層２３１を形成する。
駆動電極２３および導電層２３１を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３および導電層２３１の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
駆動電極２３は、第１の凹部２１１上に設け、導電層２３１は、透明基板５の上面に設ける。また、駆動電極２３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応していることが好ましい。
この駆動電極２３および導電層２３１は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、駆動電極２３および導電層２３１に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、駆動電極２３および導電層２３１が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
この駆動電極２３および導電層２３１は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、駆動電極２３および導電層２３１に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、駆動電極２３および導電層２３１が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。
＜８＞次に、図４（ｈ）に示すように、第１の凹部２１１の表面と、駆動電極２３の表面と、導電層２３１の表面の所定の位置とに第２の反射膜２１０を設け、光入射部２４の表面に反射防止膜１００を設ける。
本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ等が挙げられる。
本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ等が挙げられる。
これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と、光入射部２４と、第１の反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された波長可変フィルタ用のベース基板２が得られる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と、光入射部２４と、第１の反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された波長可変フィルタ用のベース基板２が得られる。
[２]ウエハー７の加工工程
第１の基板３を製造する際には、ウエハー７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることができる。
第１の基板３を製造する際には、ウエハー７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることができる。
本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。ウエハー７は、第１のＳｉ層（ベース層）７１、ＳｉＯ２層（絶縁層）７２、第２のＳｉ層（活性層）７３の３層の積層体で構成されている。このウエハー７を構成する各層のうち、第１のＳｉ層およびＳｉＯ２層７２は除去される部分、第２のＳｉ層４６は、第１の基板３に加工される部分である。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特に第２のＳｉ層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。
＜９＞図５（ｉ）に示すように、第２のＳｉ層７３の下面に、後述するベース基板２０とウエハー７との接合工程において、第２の凹部２２１と対向するように、第１の反射膜２００を設ける。
＜９＞図５（ｉ）に示すように、第２のＳｉ層７３の下面に、後述するベース基板２０とウエハー７との接合工程において、第２の凹部２２１と対向するように、第１の反射膜２００を設ける。
[３]ベース基板２０とウエハー７との接合工程
＜１０＞次に、図５（ｊ）に示すように、ウエハー７を第２のＳｉ層７３と、ベース基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。
陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、ベース基板２を図示しない直流電源のマイナス端子、第２のＳｉ層７３を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、ベース基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ベース基板２中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、ベース基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ベース基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより、接合しても良い。
＜１０＞次に、図５（ｊ）に示すように、ウエハー７を第２のＳｉ層７３と、ベース基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。
陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、ベース基板２を図示しない直流電源のマイナス端子、第２のＳｉ層７３を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、ベース基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ベース基板２中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、ベース基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ベース基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱加圧接続、接着剤、低融点ガラスにより、接合しても良い。
[４]第１の基板３の作製工程
＜１１＞次に、図５（ｋ）に示すように、エッチングや研磨を行って第１のＳｉ層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、第１のＳｉ層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極２３に対向している第２のＳｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
＜１１＞次に、図５（ｋ）に示すように、エッチングや研磨を行って第１のＳｉ層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、第１のＳｉ層７１の除去のとき、ＳｉＯ２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極２３に対向している第２のＳｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。
＜１２＞次に、図５（ｌ）に示すように、エッチングを行ってＳｉＯ２層７２を除去する。エッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液を用いるのが好ましい。これにより、ＳｉＯ２層を好適に除去することができ、第２のＳｉ層７３を好適に形成することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さを有し、表面が鏡面である場合には、工程＜１１＞、＜１２＞は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１を製造する際の工程を簡略化することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さを有し、表面が鏡面である場合には、工程＜１１＞、＜１２＞は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１を製造する際の工程を簡略化することができる。
＜１３＞次に、可動部３１および支持部３２の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。
次に、前述したフォトリソグラフィー法により、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上に形成する。ここで、本実施形態では支持部３２を薄く形成するため、ハーフエッチングを利用して２段階の異方性ドライエッチングを行う。第１段階では、開口部８および支持部３２となる部分にフォトレジストを形成せずに、この部分が所望の厚さ（つまり、支持部３２の厚さとなる）になるまでエッチングを行う。次に、第２段階において、支持部３２となる部分にフォトレジストを形成し、この部分を残しつつ、エッチングを行う。第１段階及び第２段階共にフォトレジストが形成されていない部分については、食刻され、図２に示すように、開口部８が形成され、図６（ｍ）に示すように支持部３２が形成される。
次に、前述したフォトリソグラフィー法により、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上に形成する。ここで、本実施形態では支持部３２を薄く形成するため、ハーフエッチングを利用して２段階の異方性ドライエッチングを行う。第１段階では、開口部８および支持部３２となる部分にフォトレジストを形成せずに、この部分が所望の厚さ（つまり、支持部３２の厚さとなる）になるまでエッチングを行う。次に、第２段階において、支持部３２となる部分にフォトレジストを形成し、この部分を残しつつ、エッチングを行う。第１段階及び第２段階共にフォトレジストが形成されていない部分については、食刻され、図２に示すように、開口部８が形成され、図６（ｍ）に示すように支持部３２が形成される。
本工程では、例えば、異方性ドライエッチングとして、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、第１の基板３を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ４Ｆ８等が挙げられる。
これにより、第２のＳｉ層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
このように、第１の基板３の形成においては、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングを用いるので、特に可動部３１を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
このように、第１の基板３の形成においては、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングを用いるので、特に可動部３１を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
エッチング終了後、フォトレジストパターンを、例えば、酸素プラズマを使用して除去する。これにより第１の基板３が得られる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて第１の基板３を形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて第１の基板３を形成してもよい。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて第１の基板３を形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて第１の基板３を形成してもよい。
＜１４＞次に、図６（ｎ）に示すように、可動部３１の上面に、前述した方法を用いて反射防止膜１００を設ける。これにより、図１に示すような波長可変フィルタ１が得られる。
なお、本製造方法においては、導電層は、パターニングにより設けたが、これに限られず、例えば、透明基板に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
以上説明したように、この波長可変フィルタ１によれば、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）がベース基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
なお、本製造方法においては、導電層は、パターニングにより設けたが、これに限られず、例えば、透明基板に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。
以上説明したように、この波長可変フィルタ１によれば、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）がベース基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。
以下、第２実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部と、可動部および導電部との接続位置が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図７に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１及び導電部３３のそれぞれ上側（ベース基板２側と反対側）が支持部３２と接続されている。
以下製造方法を示す。
第２実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部と、可動部および導電部との接続位置が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図７に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１及び導電部３３のそれぞれ上側（ベース基板２側と反対側）が支持部３２と接続されている。
以下製造方法を示す。
＜製造方法＞
図８は、本製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。
本製造方法の特徴は、支持部を下側（第２のＳｉ層７３のベース基板２と対向する面側）から加工して薄膜化することにあり、この製造方法は、工程[２]の＜９＞に示す工程の後に＜９＞’の工程を追加し、工程[４]の＜１３＞に示す工程が異なる以外は、前述した第１実施形態の製造方法と同様である。以下工程[２]の＜９＞’および工程[４]の＜１３＞について説明する。
図８は、本製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。
本製造方法の特徴は、支持部を下側（第２のＳｉ層７３のベース基板２と対向する面側）から加工して薄膜化することにあり、この製造方法は、工程[２]の＜９＞に示す工程の後に＜９＞’の工程を追加し、工程[４]の＜１３＞に示す工程が異なる以外は、前述した第１実施形態の製造方法と同様である。以下工程[２]の＜９＞’および工程[４]の＜１３＞について説明する。
＜９＞’フォトリソグラフィー法を用いて第２のＳｉ層７３の下面にフォトレジストパターン（図示略）を形成し、第１製造方法の＜１３＞と同様に２段階の異方性ドライエッチングを行う。また、フォトレジストパターンの形状（平面形状）は、形成する支持部３２の形状（平面形状）に対応させ、エッチングの厚さ（深さ）は、支持部３２の厚さに対応させる。すなわち、凹部３５の底部の深さを支持部３２の厚さに対応させる。エッチング後、例えば、酸素プラズマを使用してフォトレジストパターンを除去し、図８（ａ）に示すような凹部３５を得る。
＜１３＞本製造方法では、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上面に形成する。次に、１度のエッチングで、図８（ｂ）に示すように、支持部３２を形成する。
このような第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
＜１３＞本製造方法では、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上面に形成する。次に、１度のエッチングで、図８（ｂ）に示すように、支持部３２を形成する。
このような第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
以下、第３実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部と、可動部および導電部との接続位置が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図９に示すように、第３実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１及び導電部３３のそれぞれ中心位置が支持部３２と接続されている。以下製造方法を示す。
第３実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部と、可動部および導電部との接続位置が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図９に示すように、第３実施形態の波長可変フィルタ１では、可動部３１及び導電部３３のそれぞれ中心位置が支持部３２と接続されている。以下製造方法を示す。
＜製造方法＞
図１０は、第３実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。
本製造方法の特徴は、支持部を上側および下側から加工して薄くすることにあり、工程[２]の＜９＞に示す工程の後に＜９＞’’の工程を追加し、工程[４]の＜１３＞に示す工程が異なる以外は、前記第１実施形態の製造方法と同様である。
図１０は、第３実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。
本製造方法の特徴は、支持部を上側および下側から加工して薄くすることにあり、工程[２]の＜９＞に示す工程の後に＜９＞’’の工程を追加し、工程[４]の＜１３＞に示す工程が異なる以外は、前記第１実施形態の製造方法と同様である。
以下、工程[２]の＜９＞’’および工程[４]の＜１３＞について説明する。
＜９＞’’フォトリソグラフィー法を用いて第２のＳｉ層７３の下面にフォトレジストパターン（図示略）を形成し、第１製造方法の＜１３＞と同様に２段階の異方性ドライエッチングを行う。また、フォトレジストパターンの形状（平面形状）は、形成する支持部３２の形状（平面形状）に対応させ、エッチングの厚さ（深さ）は、支持部３２の厚さに対応させる。すなわち、凹部３５の底部の深さを支持部３２として残す部分の深さに対応させる。エッチング後、例えば、酸素プラズマを使用してフォトレジストパターンを除去し、図１０（ａ）に示すような凹部３５を得る。
＜１３＞本製造方法では、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上面に形成する。次に、１度のエッチングで、図１０（ｂ）に示すように、支持部３２を形成する。
このような第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１によれば、支持部３２が、中心位置で可動部３１と、通電部３３と接続されているため、第１実施形態よりさらに可動部３１を安定して駆動することができる。
＜９＞’’フォトリソグラフィー法を用いて第２のＳｉ層７３の下面にフォトレジストパターン（図示略）を形成し、第１製造方法の＜１３＞と同様に２段階の異方性ドライエッチングを行う。また、フォトレジストパターンの形状（平面形状）は、形成する支持部３２の形状（平面形状）に対応させ、エッチングの厚さ（深さ）は、支持部３２の厚さに対応させる。すなわち、凹部３５の底部の深さを支持部３２として残す部分の深さに対応させる。エッチング後、例えば、酸素プラズマを使用してフォトレジストパターンを除去し、図１０（ａ）に示すような凹部３５を得る。
＜１３＞本製造方法では、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上面に形成する。次に、１度のエッチングで、図１０（ｂ）に示すように、支持部３２を形成する。
このような第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
そして、この波長可変フィルタ１によれば、支持部３２が、中心位置で可動部３１と、通電部３３と接続されているため、第１実施形態よりさらに可動部３１を安定して駆動することができる。
以上説明したように、本発明では、可動部を形成する際に、リリースホールも必要としないため、工程を簡易なものとすることができ、クーロン力が作用する面積を減少させることなく、印加電圧を低くすることができる。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０とは絶縁膜で構成されている。
また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０とは絶縁膜で構成されている。
これにより、スティッキング（可動部３１と駆動電極２３との貼り付き）の発生を防ぐことができ、確実な絶縁構造を形成できる。
また、エッチングにより第１の基板と、第２の基板とを形成するため、精度の高い波長可変フィルタを容易に製造することができる。特に、支持部の厚さを容易に所望の厚さとすることができ、低駆動電圧で駆動することができる。
また、エッチングにより第１の基板と、第２の基板とを形成するため、精度の高い波長可変フィルタを容易に製造することができる。特に、支持部の厚さを容易に所望の厚さとすることができ、低駆動電圧で駆動することができる。
また、支持部のみを所望の厚さとすることにより、可動部は薄膜化されず、可動部に設けられた反射防止膜や、高反射膜により可動部に反りが生じてしまうことを好適に防止することができる。
また、第１の基板と第２の基板とを接合することにより波長可変フィルタを製造するため、様々な方法を用いて、支持部の厚さを変更することが可能となる。
また、第１の基板と第２の基板とを接合することにより波長可変フィルタを製造するため、様々な方法を用いて、支持部の厚さを変更することが可能となる。
以上、本発明の波長可変フィルタを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、前記実施形態においては、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ２層を用いてもよいし、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ２層を用いてもよい。
また、前記実施形態では、支持部の厚さのみを可動部の厚さより薄くしたがそれに限られず、例えば、支持部および通電部の厚さを可動部の厚さより薄く形成してもよい。
また、前記実施形態においては、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ２層を用いてもよいし、ＴＥＯＳ−ＣＶＤにて形成したＳｉＯ２層を用いてもよい。
また、前記実施形態では、支持部の厚さのみを可動部の厚さより薄くしたがそれに限られず、例えば、支持部および通電部の厚さを可動部の厚さより薄く形成してもよい。
１・・・波長可変フィルタ、２・・・ベース基板、８・・・開口部、２０・・・第２の基板、２１・・・第１のギャップ、２１１・・・第１の凹部、２２・・・第２のギャップ、２２１・・・第２の凹部、２３・・・駆動電極、２３１・・・導電層、２４・・・光入射部、３・・・第１の基板、３１・・・可動部、３２・・・支持部、３３・・・通電部、３５・・・凹部、５・・・透明基板、５０・・・ワイヤ、６・・・マスク層、６１・・・開口、６２・・・開口、７・・・ウエハー、７１・・・第１のＳｉ層、７２・・・ＳｉＯ２層、７３・・・第２のＳｉ層、１００・・・反射防止膜、２００・・・第１の反射膜、２１０・・・第２の反射膜、３００・・・光源、Ｌ・・・光、ｘ・・・距離
Claims (22)
- 光透過性を有し、可動部と、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする波長可変フィルタ。 - 光透過性を有し、可動部と、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、前記支持部の厚さが、前記可動部の厚さより薄いことを特徴とする波長可変フィルタ。 - 前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有する請求項２に記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられている請求項３に記載の波長可変フィルタ。
- 前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第２の基板の前記第１のギャップに対応する面に駆動電極が設けられている請求項１ないし５のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１のギャップおよび前記第２のギャップは、それぞれエッチング法により設けられたものである請求項１ないし６のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の基板は、シリコンで構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記可動部は、平面視で略円形をなしている請求項１ないし８のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第２の基板は、ガラスで構成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記ガラスは、アルカリ金属を含有したガラスである請求項１０に記載の波長可変フィルタ。
- 前記可動部の前記第２のギャップに対応する面に、第１の反射膜を有し、前記第２の基板の前記可動部と対向する面に第２の反射膜を有する請求項１ないし１１のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜および前記第２の反射膜は、それぞれ多層膜である請求項１２に記載の波長可変フィルタ。
- 前記第１の反射膜は、絶縁膜である請求項１２または１３に記載の波長可変フィルタ。
- 前記可動部の前記第２のギャップと反対側の面と、前記第２の基板の前記第２のギャップの反対側の面との少なくとも一方に反射防止膜を有する請求項１ないし１４のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 前記反射防止膜は、多層膜である請求項１５に記載の波長可変フィルタ。
- 前記第２の基板は、前記第２のギャップと反対側に光を入射および／または出射させる光透過部を有する請求項１ないし１６のいずれかに記載の波長可変フィルタ。
- 光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板と、第１の基板用基材とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、前記支持部に対応する厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材にエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 光透過性を有し、可動部と、該可動部より厚みが薄く、該可動部を変位可能に支持する支持部とを有する第１の基板と、
光透過性を有し、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
第２の基板用基材に第１の凹部と第２の凹部とを形成し、前記第２の基板を形成する工程と、
第１の基板用基材の、前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位をエッチングし、所定の厚さの底部を有する凹部を形成する工程と、
前記第２の基板と、前記第１の基板用基材の前記凹部を形成した面側とを接合する工程と、
前記第１の基板用基材の、前記第２の基板と対向する面の反対面側における前記可動部を形成する部分を除き、かつ、前記支持部を形成する部分を含む部位を、前記支持部に対応する厚さまでエッチングし、さらにエッチングを行い所定パターンの開口を形成することにより前記第１の基板を形成する工程とを有することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。 - 導電性を有する活性層、絶縁層およびベース層がこの順で積層された積層基板の前記活性層を前記第１の基板用基材とし、前記活性層側から前記積層基板を前記第２の基板と接合した後に、前記ベース層および前記絶縁層を順次除去し、前記活性層から前記第１の基板を形成する請求項１８ないし２０のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
- 前記積層基板は、主としてＳｉで構成された前記活性層上に、主としてＳｉＯ２で構成された前記絶縁層と、主としてＳｉで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＩ基板、または、主としてＳｉで構成された前記活性層上に、主としてＳｉＯ２で構成された絶縁層と、主としてＳａｐｐｈｉｒｅで構成された前記ベース層とがこの順で積層されてなるＳＯＳ基板である請求項２１に記載の波長可変フィルタの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003405247A JP2005165067A (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
| TW093136026A TWI276847B (en) | 2003-12-03 | 2004-11-23 | Wavelength-variable filter and method of manufacturing the same |
| CN200410098255.2A CN1289927C (zh) | 2003-12-03 | 2004-12-01 | 波长可变滤波器及波长可变滤波器的制造方法 |
| US11/002,441 US7304800B2 (en) | 2003-12-03 | 2004-12-02 | Optical tunable filter and method of manufacturing the same |
| KR1020040100639A KR100659439B1 (ko) | 2003-12-03 | 2004-12-02 | 파장 가변 필터 및 파장 가변 필터의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003405247A JP2005165067A (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005165067A true JP2005165067A (ja) | 2005-06-23 |
Family
ID=34631699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003405247A Pending JP2005165067A (ja) | 2003-12-03 | 2003-12-03 | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7304800B2 (ja) |
| JP (1) | JP2005165067A (ja) |
| KR (1) | KR100659439B1 (ja) |
| CN (1) | CN1289927C (ja) |
| TW (1) | TWI276847B (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277284A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007004074A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2007086517A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2009018387A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子の製造方法 |
| JP2010224572A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237694A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237693A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237705A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2011227224A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 光フィルター素子、光フィルターモジュール、および分析機器 |
| JP2011253199A (ja) * | 2011-08-03 | 2011-12-15 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012003276A (ja) * | 2011-08-03 | 2012-01-05 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012083397A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置、及び波長可変干渉フィルターの製造方法 |
| US8687254B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-04-01 | Seiko Epson Corporation | Optical filter and optical module having optical filter |
| JP2014119685A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| JP2014153386A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Seiko Epson Corp | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| US8817267B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-08-26 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, spectrometric instrument, and optical instrument |
| US9046679B2 (en) | 2010-02-10 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Wavelength variable interference filter, optical sensor, analyzer and process for producing wavelength variable interference filter |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3770326B2 (ja) * | 2003-10-01 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置 |
| US20080239494A1 (en) * | 2005-08-16 | 2008-10-02 | Zander Dennis R | Tunable Light Filter |
| US7733553B2 (en) * | 2005-09-21 | 2010-06-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator with tunable optical state |
| CN101872579B (zh) * | 2009-04-22 | 2014-03-12 | 季中 | 显示面板及其显示方法、显示装置 |
| JP5370246B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2013-12-18 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルター、光フィルター装置、分析機器、および光フィルターの製造方法 |
| JP2011232447A (ja) * | 2010-04-26 | 2011-11-17 | Seiko Epson Corp | 光フィルター、光フィルターモジュール、および分析機器 |
| JP2012027226A (ja) * | 2010-07-23 | 2012-02-09 | Seiko Epson Corp | 干渉フィルター、光モジュール、及び分析装置 |
| JP5630227B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2014-11-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光フィルターおよび光フィルターの製造方法 |
| JP5673049B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2015-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
| JP5716412B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2015-05-13 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び光分析装置 |
| JP5682332B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2015-03-11 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュール、及び光分析装置 |
| JP5786424B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2015-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、及び電子機器 |
| CN102225739A (zh) * | 2011-04-15 | 2011-10-26 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于mems工艺的可调fp光学滤波器的制作方法 |
| JP6119090B2 (ja) * | 2011-09-27 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| JP5919728B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2016-05-18 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
| JP5811789B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2015-11-11 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
| JP6098051B2 (ja) | 2012-07-04 | 2017-03-22 | セイコーエプソン株式会社 | 分光測定装置 |
| CN110741304B (zh) * | 2017-06-13 | 2022-11-11 | 浜松光子学株式会社 | 光学滤光器系统 |
| CN115373081B (zh) * | 2022-10-26 | 2023-12-15 | 上海拜安传感技术有限公司 | Mems光纤波长可调谐滤波器及形成方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07243963A (ja) | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Yazaki Corp | 光共振器とその製造方法 |
| US6351039B1 (en) * | 1997-05-28 | 2002-02-26 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit dielectric and method |
| US6438149B1 (en) * | 1998-06-26 | 2002-08-20 | Coretek, Inc. | Microelectromechanically tunable, confocal, vertical cavity surface emitting laser and fabry-perot filter |
| JP2002174721A (ja) | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ |
| US6341039B1 (en) | 2000-03-03 | 2002-01-22 | Axsun Technologies, Inc. | Flexible membrane for tunable fabry-perot filter |
| US6356689B1 (en) | 2000-03-25 | 2002-03-12 | Lucent Technologies, Inc. | Article comprising an optical cavity |
| US6400738B1 (en) | 2000-04-14 | 2002-06-04 | Agilent Technologies, Inc. | Tunable Fabry-Perot filters and lasers |
| JP3858606B2 (ja) | 2001-02-14 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 干渉フィルタの製造方法、干渉フィルタ、波長可変干渉フィルタの製造方法及び波長可変干渉フィルタ |
| JP2002258175A (ja) | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 光変調装置の製造方法及び光変調装置製造用基板 |
| JP2003084216A (ja) | 2001-09-11 | 2003-03-19 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ |
| FR2832512B1 (fr) | 2001-11-16 | 2004-01-02 | Atmel Grenoble Sa | Composant de filtrage optique accordable |
| JP2003215473A (ja) | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Yokogawa Electric Corp | ファブリペローフィルタ |
-
2003
- 2003-12-03 JP JP2003405247A patent/JP2005165067A/ja active Pending
-
2004
- 2004-11-23 TW TW093136026A patent/TWI276847B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-01 CN CN200410098255.2A patent/CN1289927C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-02 KR KR1020040100639A patent/KR100659439B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-12-02 US US11/002,441 patent/US7304800B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277284A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | 露光方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2007004074A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP4548245B2 (ja) * | 2005-06-27 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
| JP2007086517A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP4548288B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
| JP2009018387A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hitachi Ltd | 微小電気機械システム素子の製造方法 |
| JP4607153B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2011-01-05 | 株式会社日立製作所 | 微小電気機械システム素子の製造方法 |
| US7972886B2 (en) | 2007-07-12 | 2011-07-05 | Hitachi, Ltd. | Method of manufacturing micro electro mechanical systems device |
| US9195047B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-11-24 | Seiko Epson Corporation | Optical filter and optical module having optical filter |
| US8687254B2 (en) | 2008-12-09 | 2014-04-01 | Seiko Epson Corporation | Optical filter and optical module having optical filter |
| US9046679B2 (en) | 2010-02-10 | 2015-06-02 | Seiko Epson Corporation | Wavelength variable interference filter, optical sensor, analyzer and process for producing wavelength variable interference filter |
| JP2011227224A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 光フィルター素子、光フィルターモジュール、および分析機器 |
| JP2010224572A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-07 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237693A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237694A (ja) * | 2010-05-28 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2010237705A (ja) * | 2010-06-25 | 2010-10-21 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| US8817267B2 (en) | 2010-08-20 | 2014-08-26 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, spectrometric instrument, and optical instrument |
| US9229219B2 (en) | 2010-08-20 | 2016-01-05 | Seiko Epson Corporation | Optical filter, optical filter module, spectrometric instrument, and optical instrument |
| JP2012083397A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、光モジュール、光分析装置、及び波長可変干渉フィルターの製造方法 |
| US9170157B2 (en) | 2010-10-07 | 2015-10-27 | Seiko Epson Corporation | Tunable interference filter, optical module, photometric analyzer, and manufacturing method of tunable interference filter |
| JP2011253199A (ja) * | 2011-08-03 | 2011-12-15 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2012003276A (ja) * | 2011-08-03 | 2012-01-05 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ |
| JP2014119685A (ja) * | 2012-12-19 | 2014-06-30 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| US9372337B2 (en) | 2012-12-19 | 2016-06-21 | Seiko Epson Corporation | Wavelength variable interference filter, manufacturing method of wavelength variable interference filter, optical filter device, optical module, and electronic apparatus |
| JP2014153386A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Seiko Epson Corp | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
| US9541752B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-01-10 | Seiko Epson Corporation | Optical filter device, optical module, and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100659439B1 (ko) | 2006-12-19 |
| US7304800B2 (en) | 2007-12-04 |
| CN1289927C (zh) | 2006-12-13 |
| US20050122191A1 (en) | 2005-06-09 |
| CN1624500A (zh) | 2005-06-08 |
| TW200521499A (en) | 2005-07-01 |
| TWI276847B (en) | 2007-03-21 |
| KR20050053512A (ko) | 2005-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2005165067A (ja) | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 | |
| JP2005099206A (ja) | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 | |
| JP3770326B2 (ja) | 分析装置 | |
| JP4466634B2 (ja) | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ | |
| JP4548288B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP4379457B2 (ja) | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ | |
| JP4548245B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2008116669A (ja) | 光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ | |
| JP2009282540A (ja) | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ | |
| JP5316483B2 (ja) | 光学デバイス、光学デバイスの製造方法、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ | |
| JP2013033257A (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2012234208A (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP4831245B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP4831242B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2006343686A (ja) | 光学デバイス | |
| JP4479351B2 (ja) | 波長可変フィルタおよび波長可変フィルタの製造方法 | |
| JP6052269B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP5013010B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2010224572A (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP4831244B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2006343685A (ja) | 光学デバイス | |
| JP5077468B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP5824427B2 (ja) | 波長可変フィルタ | |
| JP2005173504A (ja) | 波長可変フィルタの製造方法および波長可変フィルタ | |
| JP2012247800A (ja) | 波長可変フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050624 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070622 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070926 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080122 |