JP2005173504A - 波長可変フィルタの製造方法および波長可変フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】可動部を固定部に対して確実に平行に変位させることができる波長可変フィルタの製造方法および波長可変フィルタを提供すること。
【解決手段】鏡面が設けられた可動部３１と、可動部３１を変位可能に支持する支持部３２と、可動部３１に所定の距離だけ離間して対向する鏡面が設けられた固定部２５と、可動部３１を固定部２５に対して変位させることにより、可動部３１に設けられた鏡面と、支持部３２に設けられた鏡面との距離を変更する駆動部とを備え、所定波長の光を透過させる波長可変フィルタ１の製造方法であって、波長可変フィルタ１の駆動部を作動させて、可動部３１の固定部２５に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて可動部３１が固定部２５に対して略平行となるように少なくとも１つの支持部３２を加工し、各支持部３２のばね定数を調整することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、波長可変フィルタの製造方法および波長可変フィルタに関するものである。

本発明に関わる波長可変フィルタ(Optical Tunable Filter)の関連特許は、以下のようなものがある。
Ｓｉ（シリコン）の異方性エッチングにより形成された支持部（メンブレン）が可動部（可動鏡）を支持する構造であり、支持部を静電的に吸引して可動部を変位させる波長可変フィルタが知られている。この場合、可動部を変位させる変形可能な支持部はＳｉを所望厚みになるようエッチングにより不要部分を除去して形成しているが、エッチングのばらつきによる製品（波長可変フィルタ）間での支持部の厚みばらつきが生じた場合に、可動部の変位量が製品によりばらつく恐れがあり、その際には、製品間での品質ばらつきが生じるという問題がある。また、エッチングのばらつきによる支持部の面内厚みばらつきが生じた場合は可動部が平行に変位しない恐れがあり、その結果分光された光の強度が減少してしまうという問題がある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

また、特開２０００−２８９３１および特開２０００−３１５１０では、上部及び下部分布型ブラグ反射器（可動部と固定部（固定鏡））は、シリコンナイトライド（ＳｉＮ）とシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）をそれぞれ複数ペア成膜した多層膜からなり、上部分布型ブラグ反射器（可動部）は可撓性アームで支持された構造となっている。この場合も変形可能な支持部は、薄膜を多層積層する場合の各薄膜の厚みのばらつきにより、前述したような場合と同様の問題が生じる恐れがある（例えば、特許文献３、特許文献４参照）。

特開２００３−５４７３８号公報 特開２００３−８４２１６号公報 特開２０００−２８９３１号公報 特開２０００−３１５１０号公報

本発明の目的は、可動部を固定部に対して確実に平行に変位させることができる波長可変フィルタの製造方法および波長可変フィルタを提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の波長可変フィルタの製造方法は、鏡面が設けられた可動部と、
前記可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部と、
前記鏡面に所定の距離だけ離間して対向する鏡面が設けられた固定部と、
前記可動部を前記固定部に対して変位させることにより、前記可動部に設けられた鏡面と、前記支持部に設けられた鏡面との距離を変更する駆動部とを備え、
前記可動部と前記固定部との間において干渉を生じさせ、所定波長の光を透過させる波長可変フィルタの製造方法であって、
当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする。
これにより、可動部を固定部に対して確実に略平行に変位させる波長可変フィルタを製造することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法は、鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする。
これにより、可動部を固定部に対して確実に略平行に変位させる波長可変フィルタを製造することができる。また、構造を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法は、鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、
当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする。

これにより、可動部を固定部に対して確実に略平行に変位させる波長可変フィルタを製造することができる。また、可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。また、リリースホールを設ける必要がなく、容易に製造することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有するのが好ましい。
可動部の移動用のギャップと、光を干渉するギャップが同一基板に設けられているため、構造、製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられているのが好ましい。
これにより、光を効率よく透過させることができる。また、可動部を安定して駆動することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記各支持部の前記ばね定数を略等しく調整するのが好ましい。
これにより、各支持部のばね定数が略等しくなり、可動部を固定部に対して確実に平行に変位させる波長可変フィルタを製造することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記加工には、所定の前記支持部の一部を除去する工程が含まれるのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、支持部のばね定数を調整することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記加工には、所定の前記支持部に膜を形成する工程が含まれるのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、支持部のばね定数を調整することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記加工には、所定の前記支持部に膜を形成し、該膜の少なくとも一部を除去する工程が含まれるのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、支持部のばね定数を調整することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記支持部の加工において、所定の前記支持部の前記固定部と対向する面の反対面側を加工するのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、支持部のばね定数を調整することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記膜は、金属、シリコン、ケイ素化合物または誘電体で構成されているのが好ましい。
これにより、容易かつ確実に、支持部に膜を形成することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記可動部および支持部は、それぞれ、主としてシリコンで構成されているのが好ましい。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記可動部は、平面視で略円形をなしているのが好ましい。
これにより、可動部を効率よく駆動することができる。

本発明の波長可変フィルタの製造方法では、前記固定部は、ガラスで構成されているのが好ましい。
これにより、精度の高い基板を製造することができ、光を効率よく透過させる波長可変フィルタを実現することができる。
本発明の波長可変フィルタでは、本発明の波長可変フィルタの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
これにより、信頼性の高い波長可変フィルタを得ることができる。

本発明の波長可変フィルタは、鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、
前記可動部が、前記第２の基板に対して略平行に変位するように前記支持部のばね定数が調整されていることを特徴とする。
これにより、可動部を固定部に対して確実に平行に変位させることができる波長可変フィルタを提供することができる。

本発明の波長可変フィルタは、
鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、
前記可動部が、前記第２の基板に対して略平行に変位するように前記支持部のばね定数が調整されていることを特徴とする。

本発明の波長可変フィルタでは、前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有するのが好ましい。
本発明の波長可変フィルタでは、前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられているのが好ましい。

以下、本発明の波長可変フィルタを添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す、図２のＡ−Ａ線での断面図、図２は、図１における波長可変フィルタの平面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１に示すように、波長可変フィルタ１は、シリコンで構成された第１の基板３と、第１の基板３に対向するベース基板２と、これら第１の基板３と、ベース基板２との間に設けられた第１のギャップ２１および第２のギャップ２２とを有している。
第１の基板３は、導電性および光透過性を有し、中央部に配置された可動部３１と、可動部３１を変位（移動）可能に支持する支持部３２と、可動部３１に通電を行う通電部３３とを有している。

また、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とは、一体的に形成され、通電部３３は、支持部３２を介して、可動部３１に接続されている。
第１の基板３は、通電部３３において、ベース基板２と接合されている。
ベース基板２は、第１の凹部２１１および第２の凹部２２１を有するベース本体（第２の基板）２０と、駆動電極２３と、導電層２３１と、光入射部（光透過部）２４と、反射防止膜１００と、第２の反射膜２１０と、固定部２５とを備えている。

ベース本体２０は、光透過性を有している。ベース本体２０の構成材料としては、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられるが、例えば、ナトリウム（Ｎａ）のようなアルカリ金属を含有したガラスが好ましい。

このような観点からは、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いることができ、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。
このようなベース本体２０の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。

ベース本体２０の、可動部３１と対向する面に、第１の凹部２１１と、第１の凹部２１１より深さが深い第２の凹部２２１とが設けられている。
また、第１の凹部２１１は、第２の凹部２２１の外側に、第２の凹部２２１に連続して設けられている。
この第１の凹部２１１の外形形状は、後述する可動部３１の外形形状に対応し、第１の凹部２１１の寸法（外形寸法）は、可動部３１より少し大きく設定されている。

また、この第２の凹部２２１の外形形状は、可動部３１の外形形状に対応し、第２の凹部２２１の寸法は、可動部３１より少し小さく設定されている。
これにより、第１の凹部２１１と、可動部３１の外周部（外側部）とが、互いに対向する。
この第１の凹部２１１および第２の凹部２２１は、後述するベース本体２０の表面からエッチング処理を施すことにより形成するのが好ましい。この第１の凹部２１１内の空間は、第１のギャップ２１となるものである。すなわち、可動部３１と、第１の凹部２１１とが、第１のギャップ２１を画成している。

同様に、この第２の凹部２２１内の空間は、第２のギャップ２２となるものである。すなわち、可動部３１と、第２の凹部２２１とが、第１のギャップ２１を画成している。
この第１のギャップ２１の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２のギャップ２２の厚さ(平均)は、用途などにより適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。

光入射部２４は、ベース本体２０の下面に設けられており、この光透過部２４から、波長可変フィルタ１に光が入射されるようになっている。また、光入射部２４の表面には後述する反射防止膜１００が設けられている。
ベース本体２０中の第２の凹部２２１と、光入射部２４との間の部分で、固定部２５の主要部が構成されている。

可動部３１は、本実施形態においては、平面視で略円形状をなしている。これにより、可動部３１を効率よく駆動できる。また、可動部３１は、図１中上下方向に自由に変位することができる。
可動部３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。

また、可動部３１には、第２の凹部２２１と対向する面（可動部３１の下面）に、光を効率的に反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２００が設けられ、第２の凹部２２１と対向する面の反対面（可動部３１の上面）に光の反射を抑制する反射防止膜（ＡＲコート）１００が設けられている。
なお、可動部３１の形状は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。

図２中の中央付近には、弾性（可撓性）を有する４つの支持部３２が、それぞれ可動部３１と通電部３３とに一体的に形成されている。
この支持部３２は、可動部３１の外周側面に、開口部８により仕切られて、略同一寸法、同一形状で、等角度間隔（９０°間隔）で、設けられている。
各支持部３２の形状は特に限定されないが、本実施形態では、略四角柱をなしている。

本実施形態では、４つの支持部３２の、それぞれの有する弾性によって決まる弾性定数（ばね定数）が、略等しくなるようにこれらの支持部３２を形成する（調整する）。これにより、可動部３１が、ベース本体２０に対して略平行に変位する。本実施形態においては、図１に示すように、所定の支持部３２のばね定数が調整され、凹部３５が形成されている。

したがって、後述する所定波長の光（干渉光）を強度を損なうことなく、透過させることができる。
また、クーロン力が働いていない場合に可動部３１の重量を有効に支えられることが支持体として必要である。可動部３１の重量、大きさ、支持部３２の数、第１の基板３の厚さ等の諸条件により、支持部３２のばね定数の下限は異なる。

この支持部３２のばね定数は、クーロン力が働いていない場合に可動部３１の重量を有効に支えられるように、例えば、可動部３１の重量、大きさ、支持部３２の数、第１の基板３の厚さ等の諸条件により、適宜設定される。
本実施形態では、所定の支持部３２の上側（ベース基板２側と反対面側）に凹部が設けられている。

なお、支持部３２の数は必ずしも４つに限定されず、例えば、２つ、３つ、または、５つ以上でもよい。また、支持部３２の形状や、配置等は、図示のものに限定されない。
また、第２の凹部２２１の表面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
また、第１の凹部２１１の上面には、駆動電極２３が設けられ、駆動電極２３からベース本体２０の端面に渡って、層状（膜状）をなす導電層２３１が設けられている。

また、駆動電極２３および導電層２３１の上面には、第２の反射膜２１０が設けられている。
駆動電極２３および導電層２３１は、それぞれ、導電性を有しており、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｕなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等で構成されている。

このような駆動電極２３および導電層２３１の厚さ（平均）は、それぞれ、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。
また、図１４に示すように、この波長可変フィルタ１の通電部３３と、導電層２３１とから、図示しない回路基板に、それぞれワイヤ５０を、例えば、はんだなどのろう材で接続する。

これにより、通電部３３と、導電層２３１とがそれぞれ、ワイヤ５０および回路基板を介して、図示しない電源に接続され、可動部３１と、駆動電極２３との間に電圧を印加することができる。これら駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧が印加されると、駆動電極２３と、可動部３１とに電位差が生じ、両者の間にクーロン力が発生し、このクーロン力によって、可動部３１は、下方向に移動し、静止する。

この場合例えば、印加電圧を連続的、段階的に変化させることによって、可動部３１をベース基板２に対して上下方向の所定の位置に移動させることができる。
これにより、第２のギャップ２２と可動部３１との距離ｘを所定の距離に調節（変更）することができ、後述するように所定の波長の光を出射させることが可能となる。
駆動電極２３と、第１のギャップ２１と、可動部３１の外周部とで、クーロン力によって駆動する方式の駆動部（アクチュエータ）の主要部が構成される。

本実施形態の第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁性を有している。すなわち、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０は、絶縁膜を兼ねる。これにより、第１の反射膜２００は、駆動電極２３と、可動部３１とのショートを防ぐことができる。
また、第２の反射膜２１０は、導電層２３１と、第１の基板３とのショートを防ぐことができる。

本実施形態では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とは、多層膜で形成されている。多層膜の各層の厚さ、層数、材質を設定（調整）することによって、所定の波長の光を透過、反射させることができる多層膜を形成することができる（特性を変化させることができる）。
これにより、反射防止膜１００、第１の反射膜２００、第２の反射膜２１０とを容易に形成することができる。

次に、本発明の波長可変フィルタの動作（作用）について図１３を用いて説明する。
図１３に示すように、光源３００から出射された光Ｌは、ベース基板２の下面に設けられた光入射部２４から入射する。すなわち、光Ｌは、反射防止膜１００、ベース基板２０および第２の反射膜２１０を透過し、第２のギャップ２２に入射する。
入射した光は、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０との間において、反射を繰り返す（干渉を発生する）。この際、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０により、光Ｌの損失を抑えることができる。

前記光Ｌの干渉の結果、距離ｘに対応した所定の波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２００、可動部３１、反射防止膜１００を透過し、可動部３１の上面から出射する。
この波長可変フィルタ１は、種々の目的で使用することができ、例えば、所定の周波数に対応する光の強度を測定するための装置に用いた場合、それを容易に測定することができる。

なお、本実施形態では、光入射部２４から光を入射したが、それに限られず、例えば、可動部３１の上面から光を入射してもよい。その場合、光入射部２４から出射してもよいし、可動部３１の上面から出射してもよい。
また、本実施形態では、光入射部２４から入射した光を可動部３１の上面から出射したが、それに限られず、例えば、光入射部２４から入射した光を光入射部２４から出射してもよい。

また、本実施形態では、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０を多層膜で形成したが、これに限られず、例えば、反射防止膜および反射膜を、それぞれ単層膜で形成してもよい。
また、本実施形態では、第２の反射膜を導電層２３１上に設け、絶縁膜としたが、それに限られず、例えば、他の絶縁性を有する部材を使用してもよい。
また、本実施形態では、駆動部の構成は、クーロン力を用いた構成としたが、本発明は、これに限られない。

＜製造方法＞
次に、第１実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法について、図３〜図６に示す工程図に示す波長可変フィルタ製造する場合を一例として説明する。なお、以下の説明では、図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本製造方法の特徴は、支持部を上側（後述する第２のＳｉ層７３の、ベース本体２０と対向する面の反対面側）から加工して薄くすることにある。この製造方法は、[１]ベース基板２０の作製工程、[２]ウエハー７の加工工程、[３]ベース基板２０とウエハー７との接合工程、[４]第１の基板３の作製工程を有している。以下これらの工程について、順次説明する。

[１]ベース基板２０の作製工程
＜１＞ まず、波長可変フィルタ１の製造に先立って、光透過性を有する基板である透明基板（第２の基板用基材）５を用意する。透明基板５には、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。透明基板５の材料としては、前記ベース本体２０の説明で述べたとおりである。特に、陽極接合時に透明基板５を加熱するため、後述する第２のＳｉ層７３と熱膨張係数がほぼ等しいものが好ましい。

＜２＞ 次に、図３（ａ）に示すように、透明基板５上面および下面にマスク層６を形成（マスキング）する。
マスク層６を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層６にシリコンを用いると、マスク層６と透明基板５との密着性が向上する。マスク層６に金属を用いると、形成されるマスク層６の視認性が向上する。

マスク層６の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０５〜０．５μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層６が薄すぎると、透明基板５を十分に保護できない場合があり、マスク層６が厚すぎると、マスク層６の内部応力によりマスク層６が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層６は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。

＜３＞ 次に、図３（ｂ）に示すように、マスク層６に、開口６１、６２を形成する。
開口６１は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置に設ける。また、開口６１の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応させる。
開口６２は、例えば、第１の凹部２１１を形成する位置の反対面に設ける。また、開口６２の形状（平面形状）は、後の工程で形成する第２の凹部２２１の形状（平面形状）に対応させる。

これら開口６１、６２は、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。具体的には、まず、マスク層６上に、開口６１、６２に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスク層６の一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、開口６１、６２が形成される。なお、マスク層６の一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。

＜４＞ 次に、図３（ｃ）に示すように、透明基板５上に第１の凹部２１１と、光入射部２４とを形成する。
第１の凹部２１１の形成方法としては、例えば、ドライエッチング法、ウェットエッチング法等のエッチング法などが挙げられる。エッチングを行うことにより、透明基板５は、開口６１および６２により等方的に食刻され、円柱状を有する第１の凹部２１１および光入射部２４が形成される。

特に、ウェットエッチング法によると、より理想的な円柱状に近い第１の凹部２１１および光入射部２４を形成することができる。なお、ウェットエッチングを行う際のエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。このとき、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、第１の凹部２１１の表面が極めて滑らかなものとなる。

＜５＞ 次に、マスク層６を除去する。
これは、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等の剥離液（除去液）への浸漬（ウェットエッチング）、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどにより行うことができる。

特に、透明基板５を除去液に浸漬することによりマスク層６を除去すると、簡易な操作で、効率よく、マスク層６を除去できる。
以上により、図３（ｄ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と、光入射部２４とが所定の位置に形成される。
第２の凹部２２１は、第１の凹部２１１と同様にして、製造、用意することができる。

また、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部２２１を製造するとき、形成する開口（マスキングするマスク層６）の面積、または、工程＜４＞のエッチング条件（例えばエッチング時間、エッチング温度、エッチング液の組成等）のうちの少なくとも１つを、第１の凹部２１１を製造する際の条件と異なるものとすることが好ましい。このように、第２の凹部２２１の製造条件を第１の凹部２１１の製造条件と一部異なるものとすると、第１の凹部２１１の半径と第２の凹部２２１の半径とを異なるものとすることが容易となる。
以上により、図４（ｆ）に示すように、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、光入射部２４とが所定の位置に形成される。

＜６＞ 次に、図４（ｇ）に示すように、駆動電極２３および導電層２３１を形成する。
駆動電極２３および導電層２３１を構成する材料としては、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、ＩＴＯのような透明導電材料等が挙げられる。
この駆動電極２３および導電層２３１の厚さは、例えば、０．１〜０．２μｍが好ましい。
駆動電極２３は、第１の凹部２１１上に設け、導電層２３１は、透明基板５の上面に設ける。また、駆動電極２３の形状（平面形状）は、形成する第１の凹部２１１の形状（平面形状）に対応していることが好ましい。

＜７＞ この駆動電極２３および導電層２３１は、例えば、蒸着法、スパッタ法またはイオンプレーティング法等により形成することができる。また、かかる方法にフォトリソグラフィー法を組み合わせてもよい。具体的には、まず、駆動電極２３および導電層２３１に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。次に、かかるレジスト層をマスクとして、マスクの一部を除去する。次に、前記レジスト層を除去する。これにより、駆動電極２３および導電層２３１が形成される。なお、マスクの一部除去は、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等の剥離液への浸漬（ウェットエッチング）などにより行うことができる。

＜８＞ 次に、図４（ｈ）に示すように、第１の凹部２１１の表面と、駆動電極２３の表面と、導電層２３１の表面の所定の位置とに第２の反射膜２１０を設け、光入射部２４の表面に反射防止膜１００を設ける。
本製造工程では、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と、第２の反射膜２１０とを、多層膜で形成する。多層膜を構成する材料としては、例えばＳｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＳｉＮ等が挙げられる。

これらを交互に積層することにより、所定の厚さの多層膜を設けることができる。
また、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０の全体の厚さは、例えば、０．１〜１２μｍが好ましい。
以上により、透明基板５上に、第１の凹部２１１と第２の凹部２２１と、駆動電極２３と、光入射部２４と、第１の反射膜２００と、反射防止膜１００とが所定の位置に形成された波長可変フィルタ用のベース基板２が得られる。

[２]ウエハー７の加工工程
第１の基板３を製造する際には、ウエハー７をまず用意する。かかるウエハー７は、例えば、以下のようにして、製造、準備することができる。
このウエハー７は、表面が鏡面にできる特性を有することが好ましい。かかる観点から、ウエハー７としては、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、ＳＯＳ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｓａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることができる。

本製造工程においては、ウエハー７として、ＳＯＩ基板を使用する。ウエハー７は、第１のＳｉ層（ベース層）７１、ＳｉＯ_２層（絶縁層）７２、第２のＳｉ層（活性層）７３の３層の積層体で構成されている。このウエハー７を構成する各層のうち、第１のＳｉ層およびＳｉＯ_２層７２は除去される部分、第２のＳｉ層４６は、第１の基板３に加工される部分である。
このウエハー７の厚さは、特に限定されないが、特に第２のＳｉ層７３は、１０〜１００μｍ程度が好ましい。
＜９＞ 図５（ｉ）に示すように、第２のＳｉ層７３の下面に、後述するベース基板２０とウエハー７との接合工程において、第２の凹部２２１と対向するように、第１の反射膜２００を設ける。

[３]ベース基板２０とウエハー７との接合工程
＜１０＞ 次に、図５（ｊ）に示すように、ウエハー７を第２のＳｉ層７３と、ベース基板２の第２の凹部２２１が形成された面とが対向するように接合する。
この接合は、例えば陽極接合により行うことができる。
陽極接合は、例えば、次のようにして行う。まず、ベース基板２を図示しない直流電源のマイナス端子、第２のＳｉ層７３を図示しない直流電源のプラス端子にそれぞれ接続する。そして、ベース基板２を加熱しながら電圧を印加する。この加熱により、ベース基板２中のＮａ＋が移動しやすくなる。このＮａ＋の移動により、ベース基板２の接合面はマイナスに帯電し、ウエハー７の接合面はプラスに帯電する。この結果、ベース基板２とウエハー７とは強固に接合される。
本製造工程では、接合の方法として陽極接合を用いたが、これに限らず、例えば、加熱加圧接合、接着剤、低融点ガラスにより、接合しても良い。

[４]第１の基板３の作製工程
＜１１＞ 次に、図５（ｋ）に示すように、エッチングや研磨を行って第１のＳｉ層７１を除去する。
エッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングが用いられるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、第１のＳｉ層７１の除去のとき、ＳｉＯ_２層７２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極２３に対向している第２のＳｉ層７３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、歩留まりの高い波長可変フィルタ１を製造できる。

＜１２＞ 次に、図５（ｌ）に示すように、エッチングを行ってＳｉＯ_２層７２を除去する。エッチングを行う場合には、フッ酸を含むエッチング液を用いるのが好ましい。これにより、ＳｉＯ_２層を好適に除去することができ、第２のＳｉ層７３を好適に形成することができる。
なお、ウエハー７をＳｉ単体で形成し、以降の工程を行うのに最適な厚さを有し、表面が鏡面である場合には、工程＜１１＞、＜１２＞は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１を製造する際の工程を簡略化することができる。

＜１３＞ 次に、可動部３１および支持部３２の形状（平面形状）に対応したパターンを有するレジスト層（図示せず）を形成する。
次に、前述したフォトリソグラフィー法により、第１の基板３となる部分を残すためのフォトレジストパターン（図示略）を第２のＳｉ層７３上に形成する。次に、ドライエッチング法、特に異方性ドライエッチングにて、第２のＳｉ層７３をエッチングし、図２に示すような、開口８および図６（ｍ）に示すように、第１の基板３の主要部を形成する。

本工程では、例えば、異方性ドライエッチングとして、ボッシュプロセスと呼ばれるドライエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、第１の基板３の主要部を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ_６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ_４Ｆ_８等が挙げられる。

これにより、第２のＳｉ層７３のみがエッチングされ、また、ドライエッチングなので、他の部位に影響を与えることなく、可動部３１と、支持部３２と、通電部３３とを精度良く、確実に形成することができる。
ここで、支持部３２の長手方向の長さは特に限定されないが、例えば、１０μｍ〜１０ｍｍ程度が好ましく、５０μｍ〜１ｍｍ程度がより好ましい。また、支持部３２の幅（長手方向に略垂直な方向の長さ）は、特に限定されないが、例えば、１μｍ〜１ｍｍ程度が好ましく、５０μｍ〜２００μｍ程度がより好ましい。これにより、可動部３１を好適に支持することができ、可動部３１を好適に変位させることができる。

エッチング終了後、フォトレジストパターンを、例えば、酸素プラズマを使用して除去する。
このように、第１の基板３の形成においては、ドライエッチング法、特に異方性ドライエッチングを用いるので、特に可動部３１を、容易、確実かつ精度良く形成することができる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて第１の基板３を形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて第１の基板３を形成してもよい。

＜１４＞ 次に、図６（ｎ）に示すように、可動部３１の上面に、前述した方法を用いて反射防止膜１００を設ける。
以上により、波長可変フィルタ１０が得られる。
なお、本製造方法においては、導電層は、パターニングにより設けたが、これに限られず、例えば、前述した透明基板に溝を設けて、その溝に導電層を形成してもよい。

次に、得られた波長可変フィルタ１０に対し、各支持部３２の調整を行って、波長可変フィルタ１を製造する。
次に、波長可変フィルタの各支持部３２の調整（調整方法）について説明する。
まず、駆動電極２３と、可動部３１との間に電圧を印加した状態で、例えば、ＷＹＫＯ（日本ビーコ社製干渉式表面形状測定装置）等の測定装置を用いて第１の基板３の接合面と反対面側から、ベース基板２に対する可動部３１の姿勢（傾きの度合い）を測定（検出）する。この測定における測定方法は特に限定されず、例えば、駆動電極２３と、可動部３１との間に一定の電圧を印加し、駆動電極２３と、可動部３１とを所定の距離に保った状態で、姿勢を測定してもよいし、異なる電圧を複数回印加してそれぞれの姿勢を測定してもよい。また、最大の電圧を印加した状態で姿勢を測定するのが好ましい。

前述した測定または、測定に基づいた情報により、例えば、測定装置に接続されたＰＣ内のＣＰＵが、各支持部のばね定数が異なるものとみなして、ＰＣ内の記憶部等に格納された検量線（例えば、数式、テーブルデータ）等に基づいて、補正する支持部の数が最も少ないように、加工を行う支持部および支持部の厚さ（ばね定数）を変更する方法を判断し、図示しない支持部加工装置に加工させる。また、検量線は予め実験により求め、ＰＣ内の記憶部等に格納されている。
前述した加工方法としては、（１）所定の支持部の一部を除去する工程（２）所定の支持部に膜を形成し、膜の少なくとも一部を除去する工程（３）所定の支持部に膜を形成する工程等がある。

以下、所定の支持部３２の変位が小さい（ばね定数が大きい）ことが検出された場合について（１）所定の支持部の一部を除去する工程を用いて、所定の支持部のばね定数を低減する調整方法について図７を用いて説明する。
図７は、本調整方法を説明するための図（調整方法を模式的に示す図）である。本調整方法では、レーザ光を所定の支持部３２に対し、固定部２５と対向する面の反対面側から照射して加工する。このレーザ光としては、例えば、超短パルスレーザが望ましく、他の手段としてはイオンビームや、原子ビーム等が挙げられる。本実施形態では、以下超短パルスレーザ光を用いた場合について説明する。

超短パルスレーザ光源より、レーザ光を照射すると、多光子吸収により、該レーザ光の焦点からレーザ光の照射方向すなわち、所定の支持部３２の長手方向に沿って一定深さ、一定幅で凹部３５が形成される。また、本製造方法においては、レーザ光の照射パルスの照射条件は特に限定されず、例えば、長手方向に沿って複数回照射して凹部３５を形成してもよいし、一度の照射で凹部３５を形成してもよい。

またこのように超短パルスレーザ光を用いることによって、所定の形状の支持部３２を容易に形成することができる。
超短パルスレーザ光源に用いられるレーザとしては、特に限定されないが、パルス幅において、フェムト秒オーダーのレーザを用いるのが好ましい。また、再生増幅された超短パルスを用いるのが好ましい。これにより、多光子吸収に必要なエネルギー強度を容易に得ることができる。このようなレーザを用いることによって、熱拡散により生じる不要な部分をほとんど有しない凹部３５を形成することができる。

照射されるレーザ光のパルス幅は、１０ｆｓ〜１ｐｓであるのが好ましく、５０ｆｓ〜５００ｆｓであるのがより好ましい。これにより、多光子吸収を効果的に生じさせることができるため、より効率的に凹部を形成することができる。また、目的とする部位にのみ選択的に凹部を形成することができる。これに対し、パルス幅が前記下限値未満であると、多光子吸収を生じるのが困難となる場合があり、そのため、十分な凹部が形成されない可能性がある。一方、パルス幅が前記上限値を超えると、レーザ光の照射領域の周辺に熱拡散が生じる場合があり、結果として、凹部の形状を制御するのが困難となる場合がある。

また、レーザ光の波長は、２００〜１５００ｎｍであるのが好ましく、４００〜８００ｎｍであるのがより好ましい。これにより、精度の高い凹部を形成することができる。
また、レーザ光のパルスエネルギー密度は、１μＪ〜１００Ｊ／ｃｍ^２であるのが好ましく、１００μＪ〜５０Ｊ／ｃｍ^２であるのがより好ましく、１Ｊ〜１０Ｊ／ｃｍ^２であるのがさらに好ましい。これにより、例えば、レーザの照射範囲を支持部３２の形状に合わせることができ、より効率的に凹部３５を形成することができる。これに対し、パルスエネルギーが前記下限値未満であると、凹部を形成するのが困難となる場合がある。一方、パルスエネルギーが前記上限値を超えると、凹部の形状や大きさ等を制御するのが困難となる場合がある。

また、レーザ光の照射パルス数は、１〜１００ショットであるのが好ましく、１〜２０ショットであるのがより好ましい。これにより、より確実に凹部３５を形成することができる。以上の作業を、駆動電極２３と可動部３１との間に電圧を印加した状態で、ベース基板２に対する可動部３１の傾きの度合いを測定装置で測定し、傾きが検出されなくなるまで繰り返し行う。これにより、各支持部３２のばね定数が調整された波長可変フィルタ１が得られる。

以下一例として、各支持部３２の目標寸法を、厚み３０μｍ、幅１００μｍ、長さ５００μｍとし、例えば、ウエハー７の第２のＳｉ層７３（活性層）の厚みは、ウエハー７面内で３０±１μｍ程度のばらつきを有しており、波長可変フィルタ１０の１チップ内では０．１μｍ以下程度のばらつきである場合の加工例を示す。
本例では、超短パルスレーザの加工条件として、パルス幅：１００フェムト秒、エネルギー密度：５Ｊ／ｃｍ^２（ビーム形状を１００μｍ×５００μｍに整形）で、所定の支持部３２の表面に、該超短パルスレーザを１０パルス照射し、所定の支持部３２の厚みを０．１μｍだけ薄くした。このように除去加工された所定の支持部３２は、そのばね定数が低減し、他の支持部３２のばね定数と一致することにより、可動部３１が固定部２５に対して略平行に変位する波長可変フィルタ１を得ることができる。

以上説明したように、この波長可変フィルタ１によれば、第１のギャップ２１（可動部３１の駆動用のギャップ）と第２のギャップ２２（波長可変フィルタ１の光を通過、または反射させる機能を有するギャップ）がベース基板２（同一基板）に設けてあるため、波長可変フィルタ１の構造を簡易なものとすることができる。特に第１のギャップ２１を形成するための製造工程を簡易なものとすることができ、小型化を図ることができる。

また、照射されるレーザ光の焦点位置や前述したような照射条件を制御することによって、凹部３５の長さや幅等を容易に制御することができる。その結果、所定の支持部のばね定数を容易に他の各支持部と一致させることができ、可動部３１を固定部２５に対して略平行に変位させることができる。これにより、精度の高い波長可変フィルタ１が得られる。
また、レーザ光の照射条件は、照射する各支持部において異なるものであってもよい。

以下、第２実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部の調整のされ方が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図８に示すように、第２実施形態の波長可変フィルタ１は、所定の支持部３２の上側（ベース基板２側と反対側）に膜（堆積物）が設けられた構成となっている。また、膜の形状（平面形状）は支持部３２の形状（平面形状）に対応している。

＜製造方法＞
次に第２実施形態の波長可変フィルタ１の支持部３２の製造方法について説明する。
以下、製造方法について説明するが、前述した第１実施形態の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図９は、本発明の波長可変フィルタの第２製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。

以下、所定の支持部３２の変位が小さい（ばね定数が大きい）ことが検出された場合について（２）所定の支持部に膜を形成し、膜の少なくとも一部を除去する工程を用いて所定の支持部のばね定数を低減する調整方法について説明する。
本製造方法の特徴は、各支持部にそれぞれ、金属膜をパターニングし、所定の支持部の金属膜の少なくとも一部を除去することにより各支持部のばね定数を一致させることにある。

まず、図９（ａ）に示すように、支持部３２の上面に金属膜２７を形成する。金属膜２７を構成する材料としては、例えば、Ｃｒ／Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等が挙げられる。
金属膜２７は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。
金属膜２７の厚さは、特に限定されないが、０．００１μｍ〜１０μｍ程度であるのが好ましく、０．０１μｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。また、金属膜２７のヤング率は、１ＧＰａ〜１０００ＧＰａ程度であるのが好ましく、１０ＧＰａ〜２００ＧＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、形成する金属膜２７のヤング率と、形成する金属膜２７と同程度の厚さのシリコン（支持部３２）のヤング率とが略同一となり、所定の支持部３２の金属膜２７のみを除去することにより、同程度の厚みのシリコンを除去したことと略同等の効果が得られる。

次に図９（ｂ）に示すように、所定の支持部の金属膜２７の少なくとも一部を除去する。この除去は、例えば、前述したレーザ光、イオンビームの照射等により行うことができる。これにより、所定の支持部３２上の金属膜の少なくとも一部が除去される。
一例では、所定の支持部３２上にあらかじめ金属膜２７、例えば、Ｃｒ／Ａｕの２層膜を形成しておき、金属膜２７の一部をレーザ光、イオンビームなどの手段により除去する。Ａｕのヤング率は約８０ＧＰａ、シリコンは約１９０ＧＰａであるため、Ｃｒ／Ａｕのそれぞれの膜厚をＣｒ０．０５μｍ、Ａｕ０．２４μｍとした場合、該Ｃｒ／Ａｕ２層膜は、０．１μｍ厚みのシリコンと曲げ剛性がほぼ同一となり、支持部３２上のＣｒ／Ａｕのみを除去することで、シリコン０．１μｍを除去したことと同じ効果が得られる。
このような第２実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、本製造方法においては、各支持部に金属膜を形成したが、これに限られず、例えば、所定の支持部のみに金属膜を形成し、少なくとも一部を除去してもよい。

以下、第３実施形態の波長可変フィルタ１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態の波長可変フィルタ１は、支持部の調整のされ方が異なっていること以外は、前述した第１実施形態と同様である。
図１０に示すように、第３実施形態の波長可変フィルタ１は、所定の支持部の上側（ベース基板２側と反対側）に膜２６を設けた構成となっている。また、膜２６の形状（平面形状）は支持部３２の形状（平面形状）に対応している。

以下製造方法を示す。
＜第１製造方法＞
次に第３実施形態の波長可変フィルタ１の支持部の第１製造方法について説明する。
以下、第１製造方法について説明するが、前述した第１実施形態の支持部の製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

図１１は、本発明の波長可変フィルタの支持部の第１製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。
以下、所定の支持部３２の変位が大きい（ばね定数が小さい）ことが検出された場合について（３）所定の支持部に膜を形成する工程を用いて、所定の支持部のばね定数を増加する調整方法について説明する。

本製造方法の特徴は、所定の支持部にレーザ光の照射を行うことにより、膜の堆積を行い、各支持部のばね定数を一致させることにある。本製造方法では、以下、所定の支持部の変位が大きい（ばね定数が小さい）場合について説明する。
堆積のパターンとしては、図１１に示すように、例えば、所定の支持部３２の上面にレーザ光を照射し、膜２６を所定の支持部３２上に形成する。

膜２６の長手方向の長さは、１μｍ〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、５０μｍ〜１ｍｍ程度がより好ましい。また、膜２６の幅は１μｍ〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、１０〜２００μｍであるのがより好ましい。また、膜２６の厚さは、０．００１〜１０μｍであるのが好ましく、０．０１〜１μｍであるのがより好ましい。これにより、所定の支持部３２の形状が安定し、信頼性を高めることができる。また、所定の支持部３２のばね定数を容易に増加させることができ（調整することができ）、精度のよい波長可変フィルタ１が得られる。

膜２６を構成する材料としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ等のケイ素化合物、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５等が挙げられる。
膜２６をＳｉや、ＳｉＯ_２で構成した場合は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。具体的には、膜２６をＳｉで構成した場合は、反応槽中に波長可変フィルタ１を置き、反応ガスである例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスを反応槽へ導入し、所定の支持部３２のみにレーザ光を照射し、照射したところだけにモノシランを分解した結果生じるシリコンを堆積させる。

一例では、波長可変フィルタにおいて、幅３０μｍ、長さ５００μｍ、厚み０．１μｍの膜（シリコン堆積物）２６を所定の支持部３２上に形成することで、各支持部のばね定数を合わせることができ、結果、可動部３１を固定部２５に対して略平行に変位させる波長可変フィルタ１を得ることができる。
また、膜２６をＳｉＯ_２で構成した場合は、反応槽中に波長可変フィルタ１を置き、反応ガスである例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）ガスと、酸素ガスとを反応槽へ導入し、所定の支持部３２のみにレーザ光を照射し、照射したところだけにモノシランと酸素を分解、反応させた結果生じるＳｉＯ_２を堆積させる。

一例では、波長可変フィルタにおいて、幅３０μｍ、長さ５００μｍ、厚み０．２７μｍの膜（ＳｉＯ_２堆積物）２６を所定の支持部３２上に形成する。ＳｉＯ_２膜のヤング率は約７０ＧＰａであり、約０．２７μｍのＳｉＯ_２膜は厚み０．１μｍのシリコン堆積物と同等のばね定数を有し、結果、可動部３１を固定部２５に対して略平行に変位させる波長可変フィルタ１を得ることができる。

＜第２製造方法＞
次に第３実施形態の波長可変フィルタ１の第２製造方法について説明する。
以下、第１製造方法について説明するが、前述した第１製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。以下製造方法を示す。
図１２は、本発明の波長可変フィルタの第３実施形態の第２製造方法を説明するための図（製造工程を模式的に示す図）である。

本製造方法の特徴は、支持部にインクジェット法により膜の堆積を行い、各支持部のばね定数を一致させることにある。
膜２６を構成する材料としては、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属が挙げられる。また、インクとしては、金属の微粒子を溶剤に分散させた液体等を用いることができる。
具体的には、図１２に示すように、インクジェットヘッドを所定の支持部３２の上面でスキャンして適切なインク量を所定の支持部３２上に滴下し、溶剤を揮発させ、その後加熱処理することで、金属微粒子同士および金属微粒子と、所定の支持部３２の表面とを固着させ、膜（金属堆積物）２６を形成する。

この際、適切なインク滴下量を選択することで、膜２６を所望の寸法（厚み、幅、長さ）に形成することができる。
所定の支持部３２に形成する膜２６の長手方向の長さは、１μｍ〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、５０μｍ〜１ｍｍ程度がより好ましい。また、膜の幅は１μｍ〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００μｍであるのがより好ましい。また、膜の厚さは、０．００１〜１０μｍであるのが好ましく、０．０１〜１μｍであるのがより好ましい。

一例では、波長可変フィルタにおいて、幅３０μｍ、長さ５００μｍ、厚み０．２４μｍの膜（金堆積物）２６を所定の支持部３２上に形成することで、各支持部のばね定数を合わせることができ、結果、可動部３１を固定部２５に対して略平行に変位させる波長可変フィルタ１を得ることができる。
なお、インクジェットヘッドに限らず、例えば、ディスペンサ等により、金属の分散液を同様に所定の支持部３２上に滴下する方法でも、同様の効果が得られる。
このような第３実施形態によっても第１実施形態と同様の効果が得られる。
なお、膜を構成する材料としては、前述のものに限られず、例えば、誘電体等を用いることもできる。

以上説明したように、本発明の波長可変フィルタによれば、可動部をベース基板に対して、正確に平行に変位させることが出来るため、選択されるべき特定波長の光の強度を損なうことなく、波長選択が可能な可変波長干渉フィルタを提供することができる。
また、可動部を形成する際に、リリースホールも必要としないため、工程を簡易なものとすることができ、クーロン力が作用する面積を減少させることなく、印加電圧を低くすることができる。

また、本実施形態においては、反射防止膜１００と、第１の反射膜２００と第２の反射膜２１０とは絶縁膜で構成されている。
これにより、スティッキング（可動部３１と駆動電極２３との貼り付き）の発生を防ぐことができ、確実な絶縁構造を形成できる。
また、エッチングにより第１の基板と、第２の基板とを形成するため、精度の高い波長可変フィルタを容易に製造することができる。特に、支持部の厚さを容易に所望の厚さとすることができ、低駆動電圧で駆動することができる。
また、第１の基板と第２の基板とを接合することにより波長可変フィルタを製造するため、様々な方法を用いて、支持部の厚さを変更することが可能となる。

以上、本発明の波長可変フィルタを、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物、工程が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、波長可変フィルタの構造は、前記実施形態に限定されず、複数の支持部を有するものであればよい。例えば、３層構造のものであってもよい。

また、前記実施形態においては、反射防止膜１００、第１の反射膜２００および第２の反射膜２１０が、絶縁膜を兼ねているが、これに限られず、例えば、絶縁膜を別途設けてもよい。その場合、熱酸化によるＳｉＯ_２層を用いてもよいし、ＴＥＯＳを原料として用いるＣＶＤにて形成したＳｉＯ_２層を用いてもよい。

本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す断面図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態を示す平面図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第１実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第２実施形態を示す断面図である。 本発明の波長可変フィルタの第２実施形態の製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第３実施形態を示す断面図である。 本発明の波長可変フィルタの第３実施形態の第１製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの第３実施形態の第２製造方法を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの動作の１例を説明するための図である。 本発明の波長可変フィルタの実施形態におけるワイヤを取り付けた状態を示す図である。

符号の説明

１、１０・・・波長可変フィルタ、２・・・ベース基板、８・・・開口部、２０・・・第２の基板、２１・・・第１のギャップ、２１１・・・第１の凹部、２２・・・第２のギャップ、２２１・・・第２の凹部、２３・・・駆動電極、２３１・・・導電層、２４・・・光入射部、２５・・・固定部、２６・・・膜、２７・・・金属膜、３・・・第１の基板、３１・・・可動部、３２・・・支持部、３３・・・通電部、３５・・・凹部、５・・・透明基板、５０・・・ワイヤ、６・・・マスク層、６１・・・開口、６２・・・開口、７・・・ウエハー、７１・・・第１のＳｉ層、７２・・・ＳｉＯ_２層、７３・・・第２のＳｉ層、１００・・・反射防止膜、２００・・・第１の反射膜、２１０・・・第２の反射膜、３００・・・光源、Ｌ・・・光、ｘ・・・距離

Claims (17)

1. 鏡面が設けられた可動部と、
   前記可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部と、
   前記鏡面に所定の距離だけ離間して対向する鏡面が設けられた固定部と、
   前記可動部を前記固定部に対して変位させることにより、前記可動部に設けられた鏡面と、前記支持部に設けられた鏡面との距離を変更する駆動部とを備え、
   前記可動部と前記固定部との間において干渉を生じさせ、所定波長の光を透過させる波長可変フィルタの製造方法であって、
   当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。
2. 鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
   鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
   前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
   前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
   前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタの製造方法であって、
   当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。
3. 鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
   鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
   前記第２の基板に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
   前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
   前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、
   当該波長可変フィルタの前記駆動部を作動させて前記距離を所定の距離にし、前記可動部の前記固定部に対する姿勢を検出し、前記検出結果に基づいて前記可動部が前記固定部に対して略平行となるように少なくとも１つの前記支持部を加工し、前記各支持部のばね定数を調整することを特徴とする波長可変フィルタの製造方法。
4. 前記第２の基板は、前記可動部と対向する面に、前記第１のギャップに対応する第１の凹部と、前記第２のギャップに対応し、前記第１の凹部より深さが深い第２の凹部とを有する請求項２または３に記載の波長可変フィルタの製造方法。
5. 前記第１の凹部は、前記第２の凹部の外側に、該第２の凹部に連続して設けられている請求項４に記載の波長可変フィルタの製造方法。
6. 前記各支持部の前記ばね定数を略等しく調整する請求項１ないし５のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
7. 前記加工には、所定の前記支持部の一部を除去する工程が含まれる請求項１ないし６のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
8. 前記加工には、所定の前記支持部に膜を形成する工程が含まれる請求項１ないし６のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
9. 前記加工には、所定の前記支持部に膜を形成し、該膜の少なくとも一部を除去する工程が含まれる請求項１ないし６のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
10. 前記支持部の加工において、所定の前記支持部の前記固定部と対向する面の反対面側を加工する請求項１ないし９のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
11. 前記膜は、金属、シリコン、ケイ素化合物または誘電体で構成されている請求項９または１０に記載の波長可変フィルタの製造方法。
12. 前記駆動部は、クーロン力により可動部を変位させるよう構成されている請求項１ないし１１のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
13. 前記可動部および支持部は、それぞれ、主としてシリコンで構成されている請求項１ないし１２のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
14. 前記可動部は、平面視で略円形をなしている請求項１ないし１３のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
15. 前記固定部は、ガラスで構成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法。
16. 請求項１ないし１５のいずれかに記載の波長可変フィルタの製造方法を用いて製造されたことを特徴とする波長可変フィルタ。
17. 鏡面が設けられた可動部と、該可動部を変位可能に支持する少なくとも２つの支持部とを備えた第１の基板と、
    鏡面が設けられた固定部を備え、前記第１の基板に対向する第２の基板と、
    前記可動部と前記第２の基板との間に設けられた第１のギャップおよび第２のギャップと、
    前記可動部と前記第２の基板との間において、前記第２のギャップを介して干渉を生じさせる干渉部と、
    前記第１のギャップを利用し、前記可動部を前記第２の基板に対して変位させることにより、前記第２のギャップの間隔を変更する駆動部とを備える波長可変フィルタであって、
    前記可動部が、前記第２の基板に対して略平行に変位するように前記支持部のばね定数が調整されていることを特徴とする波長可変フィルタ。
    

Images