JP2005085454A - メモリアレイを含む集積回路装置、およびセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ローカルセンスアンプ駆動トランジスタが駆動トランジスタおよびパワーゲートトランジスタとして二重の目的を果たす。アクティブモードではトランジスタは「オン」にされ、センスアンプアレイが(ビット線プリチャージ動作またはスタンバイモード中に)非活動化されると「オフ」にされる。スリープモード中に負のVGSがこれらのトランジスタに加えられてLPBがVCCより高い電圧に駆動され、LNBがVSSより低い電圧に駆動されることにより、センスアンプを通る電流が減る。この発明の技術の実現により別個の大きなパワーゲート装置が不要となり、これによりオンチップ領域要件が最小限となるが感知速度は従来の方策のようには低下しない。
【選択図】 図2
Description
この発明は概して、集積回路記憶装置と、埋込型ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を組込んだ装置との分野に関する。より特定的には、この発明は、パワーダウン(またはスリープ)モードの動作を有するDRAM装置または埋込型DRAMを組込んだ装置に対して特に有用なセンスアンプパワーゲート技術に関する。
による全体的な静電流を減ずる。典型的には、パワーゲートトランジスタのゲート端子は、それらのゲート・ソース間電圧(VGS)が負であるように、(Pチャネルデバイスの場合)VCC電圧レベルよりも高くされるか、または(Nチャネルデバイスの場合)VSS電圧レベルよりも低くされる。これにより、これらのトランジスタの「オフ」電流が著しく減じられる。
この発明に従って、パワーダウン(またはスリープ)モードの動作を有するDRAM装置または埋込型DRAMを組込んだ装置に対して特に有用なセンスアンプパワーゲート回路および方法が開示される。この発明の技術に従って、ローカルセンスアンプ駆動トランジスタがまたパワーゲートトランジスタとして二重の目的を果たす。(感知中の)アクティブモードでは、トランジスタは「オン」にされ(LPB=VSS、LNB=VCC)、センスアンプアレイが(ビット線プリチャージ動作中またはスタンバイモード中に)非活動化されると「オフ」にされる(LPB=VCC、LNB=VSS)。スリープモード中、負のV GS は、LPBがVCCより高い電圧に駆動され、LNBがVSSより低い電圧に駆動されることにより(たとえばLPB=VCC+0.3V、LNB=VSS−0.3V)、これらのトランジスタに印加されてセンスアンプを通る電流を減じる。この発明の技術を実現することにより、別個の大きなパワーゲートトランジスタは必要とされず、これによりオンチップ領域要件が最小限となり、感知速度が従来の方策のようには低下しない。
を第2のトランジスタの制御端子に印加することにより、スリープモードの動作でさらにディスエーブルされる。
図1を参照すると、従来のパワーゲート技術を組込んだ、DRAMアレイに対する従来のセンスアンプ回路100の概略図が示される。従来のセンスアンプ回路100は、関連部分において、1対のクロスカップルされたCMOSインバータを含むラッチの形のセンスアンプ102を含む。
するLN(ラッチNチャネル)ノード114に接続される。
らのパワーゲートトランジスタ120および126は前述のとおり機能する。典型的にはこれらのパワーゲートトランジスタ120および126に接続されるセンスアンプ102が多数あり、これらのセンスアンプ102がすべてほぼ同時に切換わることとなるので、感知中にパワーゲートトランジスタ120および126を通る電流サージが極めて大きくなるだろう。この電流サージは、供給電圧VCCを減ずるのと同じ影響を及ぼす電圧降下をパワーゲートトランジスタ120および126に亘ってもたらす傾向があり、これにより感知速度を低下させる。さらに、これらのセンスアンプパワーゲートトランジスタ120および126は必然的に極めて大きく作られなければならず、オンチップ領域が大量に消費される。
CMOSインバータを含むラッチの形のセンスアンプ302を含む。
20のゲート端子は線422上でLNB信号を受信するよう結合される。
ネルトランジスタ、BL ビット線、BLB 相補のビット線、112 LPノード、114 LNノード、116 トランジスタ、118 パワーゲート線、120 パワーゲートトランジスタ、122 トランジスタ、126 パワーゲートトランジスタ。
Claims (35)
- メモリアレイを含む集積回路装置であって、
そのアクティブモード、スタンバイモードおよびスリープモードを有し、相補のビット線に結合される少なくとも1つのセンスアンプを含み、前記センスアンプはその第1および第2の電圧ノードを有し、さらに、
前記第1の電圧ノードを第1の電圧源に結合する第1のトランジスタを含み、前記第1のトランジスタの制御端子は第1の制御信号を受信するよう結合され、さらに、
前記第2の電圧ノードを第2の電圧源に結合する第2のトランジスタを含み、前記第2のトランジスタの制御端子は第2の制御信号を受信するよう結合される、集積回路装置。 - 前記第1および前記第2のトランジスタは駆動/パワーゲート装置を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記第1および前記第2のトランジスタはMOSトランジスタを含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記第1のトランジスタはPチャネルデバイスを含み、前記第2のトランジスタはNチャネルデバイスを含む、請求項3に記載の集積回路装置。
- 前記少なくとも1つのセンスアンプは、1対のクロスカップルされたインバータを含むラッチ回路を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記クロスカップルされたインバータはCMOSインバータを含む、請求項5に記載の集積回路装置。
- 前記第1の電圧源は供給電圧源を含み、前記第2の電圧源は基準電圧源を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記供給電圧源はVCCを含み、前記基準電圧源はVSSを含む、請求項7に記載の集積回路装置。
- 前記第1の制御信号はラッチPチャネル信号を含み、前記第2の制御信号はラッチNチャネル信号を含む、請求項1に記載の集積回路装置。
- アクティブモードの動作では、前記第1の制御信号は実質的には前記第2の電圧源のレベルであり、前記第2の制御信号は実質的には前記第1の電圧源のレベルである、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記第1の制御信号は実質的には基準電圧レベルであり、前記第2の制御信号は実質的には供給電圧レベルである、請求項10に記載の集積回路装置。
- スタンバイモードの動作では、前記第1の制御信号は実質的には前記第1の電圧源のレベルであり、前記第2の制御信号は実質的には前記第2の電圧源のレベルである、請求項1に記載の集積回路装置。
- 前記第1の制御信号は実質的には供給電圧レベルであり、前記第2の制御信号は実質的には基準電圧レベルである、請求項12に記載の集積回路装置。
- スリープモードの動作では、前記第1の制御信号は実質的には前記第1の電圧源よりも
高いレベルであり、前記第2の制御信号は実質的には前記第2の電圧源よりも低いレベルである、請求項1に記載の集積回路装置。 - 前記第1の制御信号は実質的には前記供給電圧レベルよりも高いレベルであり、前記第2の制御信号は実質的には前記基準電圧レベルよりも低いレベルである、請求項14に記載の集積回路装置。
- アクティブ状態、スタンバイ状態およびスリープ状態を有する少なくとも1つのセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法であって、
前記センスアンプの第1および第2の電圧ノードをそれぞれ第1および第2の電圧源に結合するための第1および第2のトランジスタを設けるステップと、
アクティブモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをイネーブルして、前記第1および前記第2の電圧ノードを前記第1および前記第2の電圧源にそれぞれ結合するステップとを含む、方法。 - スタンバイモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをディスエーブルして、前記第1および前記第2の電圧ノードから前記第1および前記第2の電圧ノードをそれぞれ減結合するステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1の電圧源の電圧よりも高い電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第2の電圧源の電圧よりも低い電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより、スリープモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをさらにディスエーブルするステップをさらに含む、請求項16に記載の方法。
- 前記第1および前記第2のトランジスタをイネーブルする前記ステップは、前記第2の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第1の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより実行される、請求項16に記載の方法。
- 前記第1および前記第2のトランジスタをディスエーブルする前記ステップは、前記第1の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第2の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより実行される、請求項17に記載の方法。
- メモリアレイを含む集積回路装置であって、
相補のビット線に結合され、そのラッチPチャネル(LP)ノードおよびラッチNチャネル(LN)ノードを含む少なくとも1つのCMOSセンスアンプと、
供給電圧源と前記LPノードとの間で結合され、その制御端子がLPB信号を受信するよう結合されている第1のトランジスタと、
基準電圧源と前記LNノードとの間で結合され、その制御端子がLNB信号を受信するよう結合されている第2のトランジスタとを含み、前記LPB信号および前記LNB信号がそのアクティブ状態、スタンバイ状態およびスリープ状態を表わす、集積回路装置。 - 前記第1のトランジスタはPチャネルトランジスタを含む、請求項21に記載の集積回路装置。
- 前記第2のトランジスタはNチャネルトランジスタを含む、請求項21に記載の集積回路装置。
- アクティブモードの動作では、前記LPB信号は実質的には前記基準電圧源のレベルであり、前記LNB信号は実質的には前記供給電圧源のレベルである、請求項21に記載の集積回路装置。
- スタンバイモードの動作では、前記LPB信号は実質的には前記供給電圧源のレベルであり、前記LNB信号は実質的には前記基準電圧源のレベルである、請求項21に記載の集積回路装置。
- スリープモードの動作では、前記LPB信号は実質的には前記供給電圧源のレベルよりも高いレベルであり、前記LNB信号は実質的には前記基準電圧源のレベルよりも低いレベルである、請求項21に記載の集積回路装置。
- 複数のセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法であって、
前記複数のセンスアンプの第1および第2の共有電圧ノードをそれぞれ第1および第2の電圧源に結合するための第1および第2のトランジスタを設けるステップと、
アクティブモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをイネーブルして、前記第1および前記第2の共有電圧ノードを前記第1および前記第2の電圧源にそれぞれ結合するステップと、
スタンバイモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをディスエーブルして、前記第1および前記第2の電圧ノードから前記第1および前記第2の共有電圧ノードをそれぞれ減結合するステップと、
前記第1の電圧源の電圧よりも高い電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第2の電圧源の電圧よりも低い電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより、スリープモードの動作で前記第1および前記第2のトランジスタをさらにディスエーブルするステップとを含む、方法。 - 前記第1および前記第2のトランジスタをイネーブルする前記ステップは、前記第2の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第1の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより実行される、請求項27に記載の方法。
- 前記第1および前記第2のトランジスタをディスエーブルする前記ステップは、前記第1の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印加し、かつ前記第2の電圧源のレベルに実質的に等しい電圧を前記第2のトランジスタの制御端子に印加することにより実行される、請求項28に記載の方法。
- メモリアレイを含む集積回路装置であって、
それぞれの相補のビット線に結合される複数のセンスアンプを含み、前記複数のセンスアンプの各々はその第1および第2の共有ノードを含み、さらに、
供給電圧源と前記第1の共有ノードとの間で結合され、その制御端子が第1の信号を受信するよう結合されている第1のトランジスタと、
基準電圧源と前記第2の共有ノードとの間で結合され、その制御端子が第2の信号を受信するよう結合されている第2のトランジスタとを含み、前記第1および前記第2の信号がそのアクティブ状態、スタンバイ状態およびスリープ状態を表わす、集積回路装置。 - 前記第1のトランジスタはPチャネルトランジスタを含む、請求項30に記載の集積回路装置。
- 前記第2のトランジスタはNチャネルトランジスタを含む、請求項30に記載の集積回
路装置。 - アクティブモードの動作では、前記第1の信号は実質的には前記基準電圧源のレベルであり、前記第2の信号は実質的には前記供給電圧源のレベルである、請求項30に記載の集積回路装置。
- スタンバイモードの動作では、前記第1の信号は実質的には前記供給電圧源のレベルであり、前記第2の信号は実質的には前記基準電圧源のレベルである、請求項30に記載の集積回路装置。
- スリープモードの動作では、前記第1の信号は実質的には前記供給電圧源のレベルよりも高いレベルであり、前記第2の信号は実質的には前記基準電圧源のレベルよりも低いレベルである、請求項30に記載の集積回路装置。
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