JP2005064113A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光素子の結晶成長後のエピタキシャルウェハ表面の窒化物系化合物半導体層1に金属膜6または金属窒化膜6aを形成し、この金属膜6または金属窒化膜6aを形成したウェハに、エッチングガスの雰囲気中で熱処理を加えて、ウェハ表面の窒化物系化合物半導体層1に多数の微細な凹凸10を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明においては、素子表面に金属または金属窒化膜を形成し、それにエッチングガスの雰囲気中で熱処理を加えることによって、表面の化合物半導体層、例えば窒化物系化合物半導体層に微細な凹凸を形成する。このとき熱処理を、水素とアンモニアを含む気流中で行うことによって、好適に凹凸が形成される。これは、表面に形成した金属または金属窒化物の触媒的な作用によって、窒化物系化合物半導体層の水素ガスによるエッチングが促進されるためと考えられる。
(1)LED構造のエピタキシャル層部分(n型GaNコンタクト層4〜p型GaNコンタクト層1)を成長する。
(2)p型GaNコンタクト層(200〜500nm厚)表面にTiの金属膜を蒸着する。Ti膜は、荒らしたい表面部分(光取出し面)にのみ、マスク等を使用して選択的につける。金属膜はTiに限らず、別の金属でもよい。
(3)水素・アンモニア雰囲気で熱処理を行う。この熱処理によりLED表面(つまりp型GaNコンタクト層1の表面)に多数の凹凸10が形成される。またこの熱処理により表面のTiはTiNとなる。ここで形成される凹凸10の大きさ、高さは、熱処理条件で制御できる。凹凸10を形成する最表面のp型GaNコンタクト層1の下に、該p型GaNコンタクト層1よりもエッチングされにくい層(VSL)を挿入するという技術で制御してもよい。
(4)表面のTiN膜を薬液で除去する。しかし、このTiN膜は残しておいて、網目状電極として用いてもよい。
第一の実施例を図2を用いて説明する。これは図1の構造の窒化物半導体発光素子を製造する例である。
第二の実施例を図3を用いて説明する。これは凹凸を形成する最表面のp型GaNコンタクト層の下にエッチングされにくい層(VSL)を挿入した例である。
第三の実施例を図4を用いて説明する。これはTiN膜をそのまま残し、網目電極として利用する例である。
(a)上記実施例ではMOVPE法を用いてLED構造のエピタキシャル層を成長したが、成長方法はMBE法(分子線エピタキシー法)や他の方法でも良い。
(b)上記実施例ではGaN系発光素子について述べたが、GaN系以外の発光素子にも同様に用いることが可能である。
(c)上記実施例では凹凸の形成後、網目状の金属または金属窒化膜を除去するか又は除去せずに網目状電極として使用する例について述べたが、これ以外の形態のLEDとして構成することもできる。例えば、凹凸10の形成後、網目状の金属または金属窒化膜6aを除去せずに、その上にもう一度GaNの成長を行うと、表面に新たな凹凸が多数形成され、網目構造はその下に閉じ込められる。これにより、壊れやすい導電性の網目状膜を保護しつつ取出し効率を向上することも可能である。成長条件によって、凹凸の大きさや密度、形状を制御することも容易である。
1a p型GaN層
2 p型AlGaNクラッド層
3 MQW(多重量子井戸)活性層
4 n型GaNコンタクト層
5 サファイア基板
6 Ti膜
6a TiN膜
7a、7b 電極
8 p型AlGaN層
10 凹凸
Claims (11)
- 結晶成長後のエピタキシャルウェハ表面の化合物半導体層に金属膜または金属窒化膜を形成する工程と、
前記金属膜または金属窒化膜を形成したウェハに、エッチングガスの雰囲気中で熱処理を加えて、ウェハ表面の化合物半導体層に多数の微細な凹凸を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属膜または金属窒化膜として、スカンジウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、レニウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、マンガン、銅、白金または金のいずれかから成る金属膜又はこれらのいずれかを含む金属窒化膜を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1又は2記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属膜または金属窒化膜の厚さを1μm以下とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記熱処理を水素とアンモニアとを含む混合気中で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記熱処理を700℃以上1200℃以下の温度で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記金属膜または金属窒化膜の形成に際して、前記ウェハ表面の化合物半導体層の面領域中、電極を形成する部分領域をマスクし、これにより前記金属膜または金属窒化膜を形成すべき領域を選択的に定めることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記熱処理の後、前記金属膜または金属窒化膜を除去することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記凹凸を形成する最表面の化合物半導体層が窒化物系化合物半導体層であり、この窒化物系化合物半導体層の下に、該窒化物系化合物半導体層よりもエッチングされにくい層を挿入したウェハを用いることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項8記載の半導体発光素子の製造方法において、
前記エッチングされにくい層として、Al組成が1%以上で、且つ厚さが3nm以上、好ましくは5nm以上の窒化物半導体層を挿入することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 活性層を含む発光層と、この発光層の上に形成された窒化物半導体から成るコンタクト層と、前記コンタクト層の上に形成された光取出し側電極とを備えた窒化物系化合物半導体発光素子において、
前記コンタクト層の表面の光取出し面に多数の微細な凹凸を形成して、光散乱用の粗面としたことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項10記載の半導体発光素子において、
前記発光層が、シングルヘテロ接合、ダブルヘテロ接合もしくはホモ接合のいずれかを備えていることを特徴とする半導体発光素子。
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