JP2009534864A - 改善された光視準を有するｌｅｄ組立体 - Google Patents

改善された光視準を有するｌｅｄ組立体 Download PDF

Info

Publication number
JP2009534864A
JP2009534864A JP2009507673A JP2009507673A JP2009534864A JP 2009534864 A JP2009534864 A JP 2009534864A JP 2009507673 A JP2009507673 A JP 2009507673A JP 2009507673 A JP2009507673 A JP 2009507673A JP 2009534864 A JP2009534864 A JP 2009534864A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
assembly
led
substrate
die
encapsulant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009507673A
Other languages
English (en)
Inventor
ジョセフ・マゾチェッテ
グレッグ・ブロンダー
Original Assignee
ラミナ ライティング インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ラミナ ライティング インコーポレーテッド filed Critical ラミナ ライティング インコーポレーテッド
Publication of JP2009534864A publication Critical patent/JP2009534864A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01025—Manganese [Mn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

改善された光視準を有する発光ダイオードは、透過性のドーム内に配置される基板で支持されたＬＥＤダイスを備える。このダイスを側方に囲うこのドームの一部は、放出された光をこのダイスに反射させる光反射材料を備える。中心的にこのダイスの上にあるドームの一部は、所望の放射パターン内に光の出射を可能にするための光反射材料が実質的にない。このＬＥＤダイスは、放熱板に結合することができるセラミック被覆された金属基材にそれらを配置することによって高温動作においてパッケージングされてもよい。このパッケージングされたＬＥＤは、低温共焼成セラミックオンメタル技術（ＬＴＣＣ−Ｍ）によって行うことができる。

Description

本件は、２００３年５月５日付で出願された米国仮特許出願番号６０／４６７，８５７の利益を要求する、２００３年８月１１日付で出願された米国特許出願番号１０／６３８／５７９号の一部継続出願である。米国特許出願１０／６３８，５７９及び６０／４６７，８５７出願は、参照することによってここに含まれる。
本発明は、発光ダイオードに関し、特に、向上した視準の光線を提供するためにパッケージングされた発光ダイオードに関する。このようなＬＥＤは、画像投影システムの光源として特に有用である。
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、通信及び機器から家庭のイルミネーション、自動車のライト及び画像投影システムまで及ぶ増加した多様な用途における光源として使用される。画像投影システムにおいては、ＬＥＤは、一般的な高輝度放電ランプ（ＨＩＤランプ）に対して多くの利点がある。ＬＥＤは、ＨＩＤランプより低い温度で動作し、加圧された水銀の蒸気を必要とせず、使用中により安全で信頼性がある。
残念ながら、画像投影を含むいくつかの用途においては、光の出力が幅広い角度でＬＥＤから放出するので、一般的にパッケージングされたＬＥＤダイスからの光の出力は、相対的に焦点が合わされない。一般的なＬＥＤ源において、出力光は、約１２０℃の角度にわたって少なくとも２分の１のピーク出力である。しかしながら、中心の約１２°内（約２４°の角度）の光のみが、一般的な画像投影システムにおいて有用である。
図１は、一般的なＬＥＤ１０の概略断面図であるが、本発明が直面する課題を示す。このＬＥＤ１０は、基材１２上に取り付けられ、エポキシ樹脂のドーム１３などの透過性の材料で密閉されたＬＥＤダイス１１を備える。このダイス１１は、表面キャビティ（図示されない）内に取り付けることができる。
示されるように、光線１４は、約１２０°の幅広い角度範囲にわたってダイス１１から出る。この範囲は、レンズとして作用するように形付けられた封入剤のドーム１３によって若干狭められるかもしれない。しかしながら、図１に示されるように、光１４のほとんどは、放出された光が一般的な画像投影システムによって有用に使用される、放射パターン１５などの比較的狭い放射パターンの外側に落ちる。
米国特許第６，４５５，９３０号明細書 米国特許第５，５８１，８７６号明細書 米国特許第５、７２５、８０８号明細書 米国特許第５，９５３，２０３号明細書 米国特許第６，５１８，５０２号明細書
反射器及び光学レンズなどの光学素子の使用によってＬＥＤ光源の空間広がりを減少させるための取り組みが行われている。しかしながら、この手法によって、光放射角及び光源放射領域の生成によって測定されるような光源のエテンデューが改善されない。従って、改善された光視準を有する発光ダイオードに対する要求がある。
本発明によれば、改善された光視準のためにパッケージングされたＬＥＤ組立体が提供される。この組立体は、熱伝導性基材と、この基材の上に取り付けられる少なくとも１つのＬＥＤダイスと、このＬＥＤダイスを覆う透過性の封入剤と、を備える。この封入剤は、このダイスから放出されるダイス光に反射して戻すために、このダイスを囲ってダイスの上にある反射性材料の第１領域を備える。この封入剤は、所望の領域内で光の出射を可能にするために実質的にこの反射性材料がないダイスの上に中心的に位置する第２領域を備える。有利な実施形態では、このＬＥＤダイスは、放熱板に結合することができるセラミックが被覆された金属基材上にそれらを配置することによって、高温動作のためにパッケージングされる。このパッケージングされたＬＥＤは、低温共焼成セラミックオンメタル技術（ＬＴＣＣ−Ｍ）によって行うことができる。
本発明の利点、性質及び様々なさらなる特徴は、ここに添付の図面と共に詳細に記載されている例示的な実施形態の検討で完全に明らかになるだろう。図１は、本発明が解決する課題を理解するために有用な一般的なパッケージングされたＬＥＤ組立体の概略断面図である。図２は、本発明の一実施形態による向上した視準を有する光線を提供するためにパッケージングされたＬＥＤ組立体の概略断面図である。図３は、本発明の一実施形態によるＬＴＣＣ−Ｍの様々な有利な特徴を示す概略断面図である。図面は、本発明の概念を示すためのものであり、実際の寸法でなくてもよいことは理解されるだろう。
この詳細な説明は、２つの部分に分けられる。部分Ｉは、光視準を改善する構造体を記載し、部分ＩＩは、有利なＬＴＣＣ−Ｍパッケージの特徴を示す。
（Ｉ．光視準構造体）
図２は、向上した視準の光線を提供するためにパッケージングされた発光ダイオード（ＬＥＤ）組立体２０の概略断面図である。このＬＥＤ組立体２０は、基材１２上に取り付けられる１つ又はそれ以上のＬＥＤダイス１１を備える。このダイス１１は、好ましくはエポキシ樹脂のドーム１３である透過性の封入剤（エンキャプシュラント）内に有利には密閉される。このダイス１１は、表面キャビティ２１内に取り付けられてもよい。有利には、この基材１２は、金属基材１２上に位置するセラミック被覆２２を有するセラミック被覆された金属を備える。このセラミック被覆された金属基材は、有利には、ここでは部分ＩＩに記載されるＬＴＣＣ−Ｍ技術によって作られる。
図２のＬＥＤ１は、反射性及び／又は分散性の表面が備えられてもよい。このダイス１１の上部表面１１ａ及び／又は側表面１１ｂは、エッチングまたはミリングなどの粗面化処理によって好ましくは分散性にされることができ、又は、研磨または被覆によって反射性にされることができる。さらに或いは代わりに、ドーム１３によって覆われ取り付けられたこの基材１２の表面１２ａは、好ましくは分散性又は反射性にされてもよい。研磨及び粗面化は、ダイヤモンド、酸化アルミニウム粉末または他の周知の磨耗性／研磨性の砂（グリット）を用いて実施することができる。粗い砂は、粗面化に使用され、微細な砂は、研磨に使用される。この表面は、ＬＥＤ組立体パッケージからの光抽出を改善するために研磨され又は分散性にされる。
さらに、ダイスを側方向に囲うドーム１３の領域は、好ましくは、囲っている反射性表面２４が備えられる。ドーム１３のこの領域は、図２に示されるように反射性表面２４を形成するために反射性材料でマスクされ、被覆される。
この反射性表面２４がドーム１３の封入剤の材料の周囲を囲って覆われることが望ましいが、この封入剤がドーム形状にされ、又は、この反射性表面が封入剤を完全に囲う必要はない。囲んでいる反射器は、このダイス１１上に位置する平坦な封入剤上にも被覆されることができる。さらに、囲んでいる反射器は、封入剤の上に位置する追加のドーム（例えば、ガラスドーム）上に被覆されることもできる。
実施中、図２に示されるように、ダイスによって放出される、光線２５などの横方向に配向された光のほとんどは、受け入れ放射パターン１５などの投影システムの所望の受け入れ角度内に落ちる。ダイスによって放出された、光線２６などの周辺に配向された光のほとんどは、囲っている反射性表面２４に影響を与える。このダイス１１の表面１１ａが粗い場合、２６Ａのような光線は、スネルの法則（入射角が反射角と等しくなる）に従わないが、光線２５の方向、従って放射パターン１５内にダイス表面１１ａから散乱する可能性が高くなる傾向にある。従って、反射された光２６Ａのなかには、ダイス１１に反射して戻るものがあり、この光線エネルギーは、反射され、さらなる放出された光として再利用される。従って、この反射性表面２４は、放射パターン１５の外側の光をコーン内でＬＥＤによって放出されたさらなる光に再利用する。
本発明の他の実施形態では、ＬＥＤ１１の表面１１ａ及び１１ｂ及び／又は取り付けら得ている基材１２の表面１２ａは、好ましくは、ＬＥＤ１１の表面粗面化と同様の方法で機能するＬＥＤ１１を粗面化するナノ結晶で被覆されることができる。このようなナノ結晶は、酸化チタンなどの高屈折率材料で作られてもよい。ナノ結晶は、溶融シリカまたはホウケイ酸ガラスから作られてもよい。それを囲う材料と比較して高屈折率材料を有するナノ結晶によって、パッケージ組立体からの光抽出が改善されるだろう。さらに、ナノ結晶は、好ましくは放射パターン１５に平行にし及び放射パターン１５内に落とすために、光の方向を変化させる拡散器として機能する。図２に示される動作と同様に、投影システムの受け入れ放射パターン内に放出されないＬＥＤ１１によって生成される光２６は、反射性表面２４から、ＬＥＤ１１のナノ結晶処理された表面に、次いで光線２５と同様の光線として放射パターン１５内に戻るように光線２６Ａとして反射されるだろう。
本発明は、以下の例の検討によって、ここでより明らかに理解することができる。
（例１）
図２の組立体は、ここでは部分ＩＩに記載されるＬＴＣＣ−Ｍ技術を用いて基材及びキャビティを形成することによって製造することができる。この封入剤のドーム１３は、ダイマックス９６１５エポキシ樹脂（Ｄｙｍａｘ ９６１５ ｅｐｏｘｙ）などの封入剤を用いて形成することができる。この周囲の反射表面２４は、当分野で周知の方法を用いてアルミニウム膜の真空蒸着によって形成することができる。
（ＩＩ．ＬＴＣＣ−Ｍパッケージング）
多層セラミック回路板は、グリーンセラミックテープの層から作られる。グリーンテープは、有機結合剤及び溶媒が混合される特定のガラス組成物及び任意のセラミック粉末から作られ、テープを形成するために鋳造され切断される。ワイヤーパターンは、様々な機能を実行するために、このテープ層にスクリーン印刷することができる。次いで、一方のグリーンテープ上のワイヤーを他方のグリーンテープ上のワイヤーに接続するために、ビアがテープに穴あけされ、伝導インクで充填される。次いで、有機材料を除去し、金属パターンを焼結し、ガラスを結晶化するために、これらのテープは位置合わせされ、積層され、焼成される。これは、一般的に約１０００℃以下の温度、好ましくは約７５０−９５０℃で行われる。このガラスの組成によって、熱膨張係係数、誘電定数、及び、様々な電気部品への多層セラミック回路基板の適合性が決定される。７００から１０００℃の温度範囲で焼結する、無機充填剤を有する例示的な結晶ガラスは、アルミノ珪酸塩マグネシウム（Magnesium Alumino-Silicate）、ホウケイ酸カルシウム（Calcium Boro-Silicate）、ホウケイ酸鉛（Lead Boro-Silicate）、及び、アルミノボリケートカルシウム（Calcium Alumino-Boricate）である。
より最近では、金属支持基板（金属板）は、グリーンテープを支持するために使用されている。この金属板は、このガラス層に強度を与える。さらに、グリーンテープ層が金属板の両側に取り付けられることができ、適切な結合ガラスを用いて金属板に固定することができ、この金属板によって、回路及び装置の増加した複雑性及び密度が可能になる。さらに、抵抗、インダクタ及びキャパシタなどの受動及び能動部品は、さらなる機能性のために回路基板に組み込むことができる。ＬＥＤなどの光学部品が取り付けられる場合、セラミック層の壁部は、パッケージの反射性の光学特性を高めるために形付けられ及び／又は被覆されることができる。従って、低温共焼成セラミック金属支持体板ないしＬＴＣＣ−Ｍとして知られるこのシステムは、単一のパッケージ内に様々な装置及び電気回路の高い集積度のための手段となっている。このシステムは、例えば、支持板における金属の又はグリーンテープのガラスの適切な選択によって、シリコンベースの素子、インジウムリンベースの素子及びガリウム砒素ベースの素子を含む素子と適合するように調整されることができる。
ＬＴＣＣ−Ｍ構造体のセラミック層は、有利には、金属支持板の熱膨張係数に適合される。様々な金属または金属マトリックス複合材の熱膨張係数に適合するガラスセラミック組成が知られている。ＬＴＣＣ−Ｍ構造体または材料は、米国特許第６，４５５，９３０号明細書（U．S．Patent No． 6，455，930， “Integrated heat sinking packages using low temperature co-fired ceramic metal circuit board technology”， issued Sep． 24 2002 to Ponnuswamy et al and assigned to Lamina Ceramics）に記載される。米国特許第６，４５５，９３０号は、参照することによってここに含まれる。ＬＴＣＣ−Ｍ構造体は、さらに米国特許第５，５８１，８７６号、５、７２５、８０８号、５，９５３，２０３号及び６，５１８，５０２号にさらに記載されており、それらの全てはラミナセラミックス（Lamina Ceramics）によって出願され、参照することによって同様にここに含まれる。
ＬＴＣＣ−Ｍ技術に使用されるこの金属支持体板は、高い熱伝導を有するが、金属板のなかには高膨張係数を有するものもあり、従って、むき出しのダイスは、常にこのような金属支持体板に直接取り付けることができるとは限らない。しかしながら、このような目的で使用することができる金属支持体板のなかには、粉末冶金技術を用いて作られる、銅及びモリブデン（１０から２５重量％の銅を含む）または銅及びタングステン（１０から２５重量％の銅を含む）の金属複合体などが知られている。銅クラッドＫｏｖａｒ（登録商標）は、鉄、ニッケル、コバルト及びマンガンの合金であり、カーペンターテクノロジー（Carpenter Technology）の商標であるが、非常に有用な支持体板である。ＡｌＳｉＣは、アルミニウムまたは銅グラファイト複合体であるような、直接的な取り付けに使用することができる他の材料である。
本発明の最も単純な形態では、ＬＴＣＣ−Ｍ技術は、ＬＥＤダイス及び付随する電気回路用の集積パッケージを提供するために使用され、伝導金属支持体板は、部品に対する放熱板を提供する。図３を参照すると、例えば金属基材３１に直接取り付けることができるむき出しのＬＥＤダイス１１を含むＬＴＣＣ−Ｍパッケージング３０の概略断面が示される。この金属基材は、ＬＴＣＣ３２で覆われる。ＬＴＣＣ−Ｍシステムは、半導体部品を冷却するために高熱膨張係数を有する。このような場合、この部品を動作するための電気信号は、ＬＴＣＣ３２からダイス１１まで接続されることができる。図３では、ワイヤーボンド３４は、この目的を果たす。熱支持体板に対する直接的な取り付けが使用することもできる。このパッケージにおいて、要求される部品の全ては、集積されたパッケージ内の様々な部品、すなわち半導体部品、回路、放熱板及びその等価物に接続するために、結合パッド（一対の電極）３５、熱結合パッド３６、導電ビア３７及びレジスタを多層セラミック部分に組み込んで金属支持体板上に取り付けられる。一対の電極３５は、ワイヤーボンド３４を用いて金属基材３１に電気的に接続される。基材３１上にあるこれらの電極３５は、基材３１から絶縁されるビア３７に電気的に接続することによって基材３１から電気的に絶縁される。このパッケージは、ドーム３１を形成し、周囲の反射表面２４を支持する透明な封入剤で密閉してシールされる。
改善した放熱板を有するより複雑な構造体において、本発明の集積されたパッケージは、第１のＬＴＣＣ−Ｍ基板を第２のＬＴＣＣ−Ｍ基板に結合する。この第１基板は、その上に、半導体素子とこの部品を作動するために組み込まれた電気回路を有する多層セラミック回路基板とを取り付けており、第２基板は、その上に取り付けられる放熱板または伝導熱散布器を有する。熱電（ＴＥＣ）プレート（ペルチェ素子）及び温度制御電気回路は、半導体素子の改善された温度制御を提供するために第１及び第２基板の間に取り付けられる。密閉包装物（エンクロージャー）は、金属支持体板に固定することができる。
ＬＴＣＣ−Ｍ技術の使用は、集積された放熱板と共にフリップチップパッケージの利点を利用することもできる。本発明のパッケージは、既存の現代のパッケージングより小さく、安く、効率的でありえる。この金属基板は、熱散布器または放熱板として機能する。このフリップチップは、この金属基板に直接取り付けられ、それは、パッケージの集積部分であり、追加の放熱板に対する要求を取り除く。フレキシブル回路は、フリップチップ上のバンプ上に取り付けられることができる。多層セラミック層の使用によって、ファンアウト及びこのパッケージの周囲に対するトレースの通路、さらには放熱を改善することも達成することができる。高度な熱管理要求を有する高い電力集積回路及び素子は、この新規なＬＴＣＣ−Ｍ技術を用いて使用することができる。
本発明の一側面が、透過性の封入剤内に封止される基板に支持されたＬＥＤダイスを備える、改善された光視準のためにパッケージングされた発光ダイオードであることがここで分かる。このパッケージングされたダイスは、ダイスから横方向に放出された光をダイスに反射するためにダイスを囲ってダイスを覆う反射構造体を備える。このダイスを覆う封入剤領域は、実質的に光反射材料がなく、低下した角度内に光の放出を可能にする。有利には、この反射構造体は、反射性材料で被覆された封入剤の領域を含む。さらに有利には、この反射構造体は、ダイスを覆う透過性のドームを備え、このドームの一部は、反射性材料で被覆させるダイスを囲う。望ましくは、透過性のドームは、封入剤を含むが、それは、追加される構成要素でありえる。
このＬＥＤダイス表面は、有利には、ナノ結晶の層で被覆された分散表面を提供するために粗面化され、または、反射性の表面を提供するために研磨され又は被覆される。特に有利な実施形態では、この基板で支持されたＬＥＤダイスは、セラミック被覆された金属基板を備え、このダイスは、セラミック内の開口によって形成される表面キャビティ内に取り付けられる。
上記実施形態は、本発明の用途を表す、単に多くの可能な特定の実施形態の１つの例示である。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく多くの及び変形された他の配置が当業者によってなされる。
本発明が解決する課題を理解するために有用な一般的なパッケージングされたＬＥＤ組立体の概略断面図である。 本発明の一実施形態による向上した視準を有する光線を提供するためにパッケージングされたＬＥＤ組立体の概略断面図である。 本発明の一実施形態によるＬＴＣＣ−Ｍの様々な有利な特徴を示す概略断面図である。
符号の説明
１０ ＬＥＤ組立体
１１ ＬＥＤダイス
１１ａ 上部表面
１１ｂ 側表面
１２ 基材
１２ａ 表面
１３ ドーム
１４ 光線
１５ 放射パターン
２０ ＬＥＤ組立体
２１ 基板
２２ セラミック被覆
２４ 反射性表面
２５ 光線
２６ 光線
２６Ａ 光線
３０ ＬＴＣＣ−Ｍパッケージ
３１ 金属基材
３２ ＬＴＣＣ
３４ ワイヤーボンド
３５ 熱接続ボンド
３６ 熱接続パッド
３７ 導電ビア

Claims (24)

  1. 熱伝導性基材と、
    前記基材の上に取り付けられる少なくとも１つのＬＥＤダイスと、
    前記ＬＥＤダイスを覆う透過性の封入剤と、
    前記ダイスによって放出される光を反射するために前記封入剤の一部を覆う反射性材料と、
    を備える、光視準を改善するためにパッケージングされたＬＥＤ組立体。
  2. 前記反射材料は、アルミニウム膜を含む、請求項１に記載の組立体。
  3. 前記封入剤は、エポキシ樹脂のドームを含む、請求項１に記載の組立体。
  4. 前記封入剤の前記反射性材料は、所望の放射パターン内に光の放出を制限する、請求項１に記載の組立体。
  5. 前記基材は、金属層と前記金属層上に配置される少なくとも１つのセラミック層とを備える、請求項１に記載の組立体。
  6. 前記基材は、前記セラミック層内に開口部を有する表面キャビティを備え、前記ダイスは、前記キャビティ内に取り付けられる、請求項４に記載の組立体。
  7. 前記ＬＥＤダイスは、粗面を有する、請求項１に記載の組立体。
  8. 前記封入剤によって覆われる前記ＬＥＤダイスの表面または前記基材の表面の少なくとも１つは、エッチング又はミリングされる、請求項１に記載の組立体。
  9. 前記ＬＥＤダイスは、研磨された表面を有する、請求項１に記載の組立体。
  10. 前記ＬＥＤ上に配置されるナノ結晶をさらに含む、請求項１に記載の組立体。
  11. 前記ナノ結晶は、シリカ、シリコン、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫またはそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項１０に記載の組立体。
  12. 表面キャビティを有する低温共焼成セラミックオンメタル（ＬＴＣＣ−Ｍ）基材と、
    前記キャビティ内に取り付けられる少なくとも１つのＬＥＤダイスと、
    前記ＬＥＤダイスを覆う透過性の封入剤と、
    前記ダイスのよって放出される光を反射するために前記封入剤の一部を覆う反射性材料と、
    を備える、光視準を改善するためにパッケージングされたＬＥＤ組立体。
  13. 前記反射性材料は、アルミニウム膜を含む、請求項１２に記載の組立体。
  14. 前記封入剤は、エポキシ樹脂のドームを含む、請求項１２に記載の組立体。
  15. 前記封入剤の前記反射性材料は、所望の放射パターン内に光の放出を制限する、請求項１２に記載の組立体。
  16. 前記ＬＥＤダイスは、粗面を有する、請求項１２に記載の組立体。
  17. 前記封入剤によって覆われる前記ＬＥＤダイスの表面または前記基材の表面の少なくとも１つは、エッチング又はミリング、請求項１２に記載の組立体。
  18. 前記ＬＥＤダイスは、研磨された表面を有する、請求項１０に記載の組立体。
  19. 前記ＬＥＤ上に配置されるナノ結晶をさらに含む、請求項９に記載の組立体。
  20. 前記ナノ結晶は、シリカ、シリコン、酸化チタン、酸化インジウム、酸化錫またはそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項１９に記載の組立体。
  21. 前記少なくとも１つのＬＥＤダイスの各々は、前記金属基材の上にあり、前記金属基材から絶縁される一対の電極を備える、請求項１２に記載の組立体。
  22. 前記金属基材から絶縁される導電性ビアをさらに備え、前記電極は、前記ビアに電気的に接続される請求項２１に記載の組立体。
  23. 前記基材に前記電極を電気的に接続するワイヤーボンドをさらに備える、請求項２２に記載の組立体。
  24. 前記ＬＥＤダイスからの熱を放散するために前記基材に取り付けられる熱接続パッドをさらに備える、請求項１２に記載の組立体。
JP2009507673A 2006-04-24 2007-01-24 改善された光視準を有するｌｅｄ組立体 Pending JP2009534864A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/409,847 US7777235B2 (en) 2003-05-05 2006-04-24 Light emitting diodes with improved light collimation
PCT/US2007/001818 WO2007133301A2 (en) 2006-04-24 2007-01-24 Light emitting diodes with improved light collimation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009534864A true JP2009534864A (ja) 2009-09-24

Family

ID=38656318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009507673A Pending JP2009534864A (ja) 2006-04-24 2007-01-24 改善された光視準を有するｌｅｄ組立体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7777235B2 (ja)
EP (1) EP2020037A4 (ja)
JP (1) JP2009534864A (ja)
KR (1) KR101276360B1 (ja)
TW (1) TW200742132A (ja)
WO (2) WO2007133301A2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071446A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄユニット
JP2013526037A (ja) * 2010-04-23 2013-06-20 クリー インコーポレイテッド リードフレームとセラミック材料とを有する固体発光ダイオードパッケージ及びその形成方法
US9180549B2 (en) 2013-08-28 2015-11-10 Nichia Corporation Wavelength conversion member, light emitting device, and method of manufacturing light emitting device

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100592508B1 (ko) * 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
US8497560B2 (en) * 2006-10-06 2013-07-30 Industrial Technology Research Institute LED package and method of assembling the same
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
WO2009075753A2 (en) * 2007-12-06 2009-06-18 Paul Panaccione Chip-scale packaged light-emitting devices
US8159152B1 (en) 2008-05-20 2012-04-17 Nader Salessi High-power LED lamp
US10012375B1 (en) 2008-05-20 2018-07-03 Nader Salessi Modular LED lamp
ATE554410T1 (de) * 2008-05-28 2012-05-15 Lighting Science Group Corp Leuchte und betriebsverfahren
US20100038670A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-18 Luminus Devices, Inc. Illumination assembly including chip-scale packaged light-emitting device
KR101639793B1 (ko) * 2008-09-25 2016-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 코팅된 발광 장치 및 그 코팅 방법
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US8049236B2 (en) * 2008-09-26 2011-11-01 Bridgelux, Inc. Non-global solder mask LED assembly
US8058664B2 (en) 2008-09-26 2011-11-15 Bridgelux, Inc. Transparent solder mask LED assembly
US7887384B2 (en) * 2008-09-26 2011-02-15 Bridgelux, Inc. Transparent ring LED assembly
US20100078661A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Wei Shi Machined surface led assembly
KR101047801B1 (ko) 2008-12-29 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
JP5406540B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-05 株式会社小糸製作所 光源モジュール、車輌用灯具及び光源モジュールの製造方法
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
EP2228841A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-15 Ledon Lighting Jennersdorf GmbH LED module with improved light output
CN101697367B (zh) * 2009-09-30 2014-04-02 烁光特晶科技有限公司 一种利用透明陶瓷制备led的方法
MY177679A (en) * 2010-07-30 2020-09-23 Dominant Semiconductors Sdn Bhd Led lighting module
DE102010048561A1 (de) 2010-10-18 2012-04-19 ATMOS Medizin Technik GmbH & Co. KG LED-Anordnung mit verbesserter Lichtausbeute und Verfahren zum Betrieb einer LED-Anordnung mit verbesserter Lichtausbeute
CN102403418A (zh) * 2011-11-09 2012-04-04 东莞勤上光电股份有限公司 一种大功率led的散热结构的制作方法
JP6116949B2 (ja) * 2013-03-14 2017-04-19 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6179857B2 (ja) * 2013-09-24 2017-08-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
CN103490003B (zh) * 2013-10-10 2016-08-31 广东晶科电子股份有限公司 一种高可靠性led光源及其led模组光源
CN104269492B (zh) * 2014-10-14 2017-09-26 华南师范大学 全角度发光的功率型led及其制作方法
GB2546747B (en) * 2016-01-26 2021-04-07 Ev Offshore Ltd Optical cap
WO2017217672A1 (ko) * 2016-06-13 2017-12-21 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US11592166B2 (en) * 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
GB2595715B (en) * 2020-06-04 2022-08-17 Plessey Semiconductors Ltd Enhanced colour conversion and collimation of micro-LED devices

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190910A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Omron Corp 発光装置及びその製造方法、並びに光電センサ
JPH06291368A (ja) * 1993-04-03 1994-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2001068727A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
WO2004100343A2 (en) * 2003-05-05 2004-11-18 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
WO2004100279A2 (en) * 2003-04-30 2004-11-18 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
JP2005064113A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
WO2005101909A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-27 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP2006013196A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Ricoh Co Ltd 発光ダイオード、発光ダイオードアレイ、光書込装置及び画像形成装置
WO2006019790A2 (en) * 2004-07-19 2006-02-23 Lamina Ceramics, Inc. Led array package with internal feedback and control
WO2006033695A2 (en) * 2004-09-21 2006-03-30 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Family Cites Families (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3711789A (en) 1970-11-18 1973-01-16 Texas Instruments Inc Diode array assembly for diode pumped lasers
US5140220A (en) * 1985-12-02 1992-08-18 Yumi Sakai Light diffusion type light emitting diode
CA1284536C (en) * 1987-07-03 1991-05-28 Akira Sasame Member for semiconductor apparatus
US4902567A (en) 1987-12-31 1990-02-20 Loctite Luminescent Systems, Inc. Electroluminescent lamp devices using monolayers of electroluminescent materials
DE3929955A1 (de) * 1989-09-08 1991-03-14 Inotec Gmbh Ges Fuer Innovativ Lichtstrahler
JP2503685B2 (ja) * 1989-10-23 1996-06-05 日本電気株式会社 ヒ―トシンク付半導体装置
US5122781A (en) * 1990-09-06 1992-06-16 Bolan Trading Inc. Hazard warning light
US5235347A (en) * 1990-09-07 1993-08-10 Hewlett-Packard Company Light emitting diode print head
US5314723A (en) 1992-06-09 1994-05-24 Gte Products Corporation Method of coating phosphors on fluorescent lamp glass
US5485037A (en) * 1993-04-12 1996-01-16 Amkor Electronics, Inc. Semiconductor device having a thermal dissipator and electromagnetic shielding
US5472383A (en) * 1993-12-27 1995-12-05 United Technologies Corporation Lubrication system for a planetary gear train
US5433674A (en) * 1994-04-12 1995-07-18 United Technologies Corporation Coupling system for a planetary gear train
US5581876A (en) * 1995-01-27 1996-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Method of adhering green tape to a metal support substrate with a bonding glass
DE19509262C2 (de) * 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH0918058A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Sharp Corp 発光半導体装置
US5725808A (en) * 1996-05-23 1998-03-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Multilayer co-fired ceramic compositions and ceramic-on-metal circuit board
US5674554A (en) 1996-01-22 1997-10-07 Industrial Technology Research Institute Method for forming a phosphor layer
JPH09232636A (ja) * 1996-02-19 1997-09-05 Iwasaki Electric Co Ltd 発光ダイオード
DE19621124A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
EP2267801B1 (de) 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19625622A1 (de) 1996-06-26 1998-01-02 Siemens Ag Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6045240A (en) * 1996-06-27 2000-04-04 Relume Corporation LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5745624A (en) * 1996-08-23 1998-04-28 The Boeing Company Automatic alignment and locking method and apparatus for fiber optic module manufacturing
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
US5857767A (en) * 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
US5833903A (en) * 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US5847935A (en) * 1996-12-16 1998-12-08 Sarnoff Corporation Electronic circuit chip package
US6193908B1 (en) 1997-02-24 2001-02-27 Superior Micropowders Llc Electroluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
US5953203A (en) * 1997-03-06 1999-09-14 Sarnoff Corporation Multilayer ceramic circuit boards including embedded capacitors
US5841244A (en) 1997-06-18 1998-11-24 Northrop Grumman Corporation RF coil/heat pipe for solid state light driver
US5908155A (en) 1997-07-02 1999-06-01 Nylok Fastener Corporation Powder discharge apparatus and method for using the same
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
EP1014455B1 (en) 1997-07-25 2006-07-12 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6016038A (en) 1997-08-26 2000-01-18 Color Kinetics, Inc. Multicolored LED lighting method and apparatus
JP3618534B2 (ja) * 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
US5977567A (en) * 1998-01-06 1999-11-02 Lightlogic, Inc. Optoelectronic assembly and method of making the same
DE19838280A1 (de) 1998-08-22 2000-02-24 Itw Gema Ag Sprühpistole zum Beschichten von Objekten
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
EP1047903B1 (en) * 1998-09-17 2007-06-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led lamp
US6793374B2 (en) 1998-09-17 2004-09-21 Simon H. A. Begemann LED lamp
US6566153B1 (en) * 1998-10-14 2003-05-20 The Regents Of The University Of California Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same
US6325524B1 (en) * 1999-01-29 2001-12-04 Agilent Technologies, Inc. Solid state based illumination source for a projection display
US6273589B1 (en) 1999-01-29 2001-08-14 Agilent Technologies, Inc. Solid state illumination source utilizing dichroic reflectors
US6259846B1 (en) 1999-02-23 2001-07-10 Sarnoff Corporation Light-emitting fiber, as for a display
JP2000294701A (ja) 1999-04-02 2000-10-20 Nkk Seimitsu Kk 半導体用ケース
DE10027261B4 (de) 1999-06-28 2017-04-27 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Düsenaustrittsfläche an einem Druckkopf eines Tintenstrahldruckers
US6630691B1 (en) 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6866394B1 (en) 1999-10-04 2005-03-15 Nicholas D. Hutchins Modules for elongated lighting system
US6455930B1 (en) * 1999-12-13 2002-09-24 Lamina Ceramics, Inc. Integrated heat sinking packages using low temperature co-fired ceramic metal circuit board technology
US6223616B1 (en) * 1999-12-22 2001-05-01 United Technologies Corporation Star gear system with lubrication circuit and lubrication method therefor
US6885035B2 (en) 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
US6224216B1 (en) 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
US6428189B1 (en) * 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
EP1138394A1 (en) 2000-03-31 2001-10-04 Nordson Corporation Improvements in and relating to powder coating system
US6517218B2 (en) 2000-03-31 2003-02-11 Relume Corporation LED integrated heat sink
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
DE10038213A1 (de) * 2000-08-04 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform
US20020084749A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-04 Ayala Raul E. UV reflecting materials for LED lamps using UV-emitting diodes
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
DE10101554A1 (de) * 2001-01-15 2002-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiode
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
US6565239B2 (en) 2001-02-27 2003-05-20 Farlight, L.L.C. Flush luminaire with optical element for angular intensity redistribution
JP4199000B2 (ja) * 2001-03-15 2008-12-17 エイエムオー・ウェーブフロント・サイエンシーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 光学システムをマッピングするための断層撮影波面分析システム及び方法
US6417019B1 (en) 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US20020175821A1 (en) * 2001-04-04 2002-11-28 Ruppel Edward G. Sleep delay apparatus for drivers
JP2002314143A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
US6949771B2 (en) * 2001-04-25 2005-09-27 Agilent Technologies, Inc. Light source
US6518502B2 (en) * 2001-05-10 2003-02-11 Lamina Ceramics, In Ceramic multilayer circuit boards mounted on a patterned metal support substrate
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
EP2241803B1 (en) * 2001-05-26 2018-11-07 GE Lighting Solutions, LLC High power LED-lamp for spot illumination
US6576488B2 (en) 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
US6833669B2 (en) 2001-06-25 2004-12-21 E-Lite Technologies, Inc. Method and apparatus for making large-scale laminated foil-back electroluminescent lamp material, as well as the electroluminescent lamps and strip lamps produced therefrom
US20030025485A1 (en) 2001-08-01 2003-02-06 Mctigue Michael T. Two path wide-band probe using pole-zero cancellation
US6634770B2 (en) * 2001-08-24 2003-10-21 Densen Cao Light source using semiconductor devices mounted on a heat sink
US6982829B1 (en) 2002-08-23 2006-01-03 Lightmaster Systems, Inc Prism assembly with cholesteric reflectors
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
US6498355B1 (en) * 2001-10-09 2002-12-24 Lumileds Lighting, U.S., Llc High flux LED array
US6734465B1 (en) 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
US6692252B2 (en) * 2001-12-17 2004-02-17 Ultradent Products, Inc. Heat sink with geometric arrangement of LED surfaces
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3947406B2 (ja) * 2002-02-15 2007-07-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体レーザモジュール
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US20030193055A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Martter Robert H. Lighting device and method
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US6730940B1 (en) * 2002-10-29 2004-05-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Enhanced brightness light emitting device spot emitter
US6827469B2 (en) 2003-02-03 2004-12-07 Osram Sylvania Inc. Solid-state automotive lamp
US20040223315A1 (en) * 2003-03-03 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of making same
US20040188696A1 (en) 2003-03-28 2004-09-30 Gelcore, Llc LED power package
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7033060B2 (en) 2003-05-23 2006-04-25 Gelcore Llc Method and apparatus for irradiation of plants using light emitting diodes
JP4232585B2 (ja) * 2003-09-17 2009-03-04 豊田合成株式会社 発光装置
JP2005134482A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Olympus Corp 画像投影装置
ITTO20040018A1 (it) 2004-01-16 2004-04-16 Fiat Ricerche Dispositivo emettitore di luce
US7964883B2 (en) 2004-02-26 2011-06-21 Lighting Science Group Corporation Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb
JP2005259820A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Sharp Corp Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体発光素子とその製造方法
US20050225222A1 (en) 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
US7280288B2 (en) 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7452737B2 (en) 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190910A (ja) * 1992-01-13 1993-07-30 Omron Corp 発光装置及びその製造方法、並びに光電センサ
JPH06291368A (ja) * 1993-04-03 1994-10-18 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
JP2001068727A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法
WO2004100279A2 (en) * 2003-04-30 2004-11-18 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
WO2004100343A2 (en) * 2003-05-05 2004-11-18 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP2005064113A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
WO2005101909A1 (en) * 2004-04-06 2005-10-27 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
JP2006013196A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Ricoh Co Ltd 発光ダイオード、発光ダイオードアレイ、光書込装置及び画像形成装置
WO2006019790A2 (en) * 2004-07-19 2006-02-23 Lamina Ceramics, Inc. Led array package with internal feedback and control
WO2006033695A2 (en) * 2004-09-21 2006-03-30 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071446A (ja) * 2009-09-28 2011-04-07 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄユニット
JP2013526037A (ja) * 2010-04-23 2013-06-20 クリー インコーポレイテッド リードフレームとセラミック材料とを有する固体発光ダイオードパッケージ及びその形成方法
US9240526B2 (en) 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
US9180549B2 (en) 2013-08-28 2015-11-10 Nichia Corporation Wavelength conversion member, light emitting device, and method of manufacturing light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP2020037A2 (en) 2009-02-04
EP2020037A4 (en) 2014-01-08
WO2007127712A3 (en) 2010-06-17
US20070018175A1 (en) 2007-01-25
WO2007127712A2 (en) 2007-11-08
WO2007133301A2 (en) 2007-11-22
WO2007133301A3 (en) 2008-06-26
KR101276360B1 (ko) 2013-06-18
KR20090006207A (ko) 2009-01-14
US7777235B2 (en) 2010-08-17
TW200742132A (en) 2007-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7777235B2 (en) Light emitting diodes with improved light collimation
JP4950999B2 (ja) 透光性のヒートシンクを有するｌｅｄ
US7728341B2 (en) Illumination device for providing directionally guided light
TWI433344B (zh) 發光裝置及照明裝置
US20070013057A1 (en) Multicolor LED assembly with improved color mixing
US8207554B2 (en) System and method for LED packaging
JP6401435B2 (ja) 発光パッケージ
JP4976974B2 (ja) 発光装置
US8003998B2 (en) Light-emitting diode arrangement
JP4923408B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5750040B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント
WO2013168802A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
JPWO2006038543A1 (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP2006108640A (ja) 発光装置
JP2014137973A (ja) 光源装置
JP4480407B2 (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2009141219A (ja) 発光装置
KR20120104762A (ko) 발광 소자 모듈 및 그 제조 방법
TW201807844A (zh) Led倒裝晶片封裝基板和led封裝結構
US20220077649A1 (en) Semiconductor light emitting device
JP2019117850A (ja) 発光装置及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120131

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120201

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120501

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120703

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121003

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121011

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121011

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130625