JP2005051224A - カルコゲニド(chalcogenide)皮膜の溶液堆積 - Google Patents
カルコゲニド(chalcogenide)皮膜の溶液堆積 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005051224A JP2005051224A JP2004203564A JP2004203564A JP2005051224A JP 2005051224 A JP2005051224 A JP 2005051224A JP 2004203564 A JP2004203564 A JP 2004203564A JP 2004203564 A JP2004203564 A JP 2004203564A JP 2005051224 A JP2005051224 A JP 2005051224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal chalcogenide
- precursor
- hydrazinium
- film
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000004770 chalcogenides Chemical group 0.000 title claims abstract description 203
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 207
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 207
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 166
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O hydrazinium(1+) Chemical compound [NH3+]N OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims abstract description 78
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 30
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Substances NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 124
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 68
- -1 alkylene glycol Chemical compound 0.000 claims description 63
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 33
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 25
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 23
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 23
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N mono-n-propyl amine Natural products CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N pentan-1-amine Chemical compound CCCCCN DPBLXKKOBLCELK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WGTASENVNYJZBK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethoxyamphetamine Chemical compound COC1=CC(CC(C)N)=CC(OC)=C1OC WGTASENVNYJZBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 2
- WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N benzylamine Chemical compound NCC1=CC=CC=C1 WGQKYBSKWIADBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940100684 pentylamine Drugs 0.000 claims description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N sec-butylamine Chemical compound CCC(C)N BHRZNVHARXXAHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 1
- 125000004888 n-propyl amino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 86
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 42
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 33
- 230000037230 mobility Effects 0.000 description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 13
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- ALRFTTOJSPMYSY-UHFFFAOYSA-N tin disulfide Chemical compound S=[Sn]=S ALRFTTOJSPMYSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 8
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 7
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N Phenethylamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1 BHHGXPLMPWCGHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYSRMMCZWQMFKE-UHFFFAOYSA-N S=[Sn+2].N Chemical compound S=[Sn+2].N GYSRMMCZWQMFKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 5
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 238000012552 review Methods 0.000 description 5
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 5
- RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dimethyhydrazine Chemical compound CN(C)N RHUYHJGZWVXEHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001410 Microfiber Polymers 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P ammonium sulfide Chemical compound [NH4+].[NH4+].[S-2] UYJXRRSPUVSSMN-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 3
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000003658 microfiber Substances 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229940117803 phenethylamine Drugs 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 3
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N tin(ii) sulfide Chemical compound [Sn]=S AFNRRBXCCXDRPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- ZZKWVOXLBYWAPP-UHFFFAOYSA-N [Sn](=S)=S.NN Chemical compound [Sn](=S)=S.NN ZZKWVOXLBYWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- KBPGBEFNGHFRQN-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tin Chemical compound [Se]=[Sn]=[Se] KBPGBEFNGHFRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000004467 single crystal X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 2
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- IHBMMJGTJFPEQY-UHFFFAOYSA-N sulfanylidene(sulfanylidenestibanylsulfanyl)stibane Chemical compound S=[Sb]S[Sb]=S IHBMMJGTJFPEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- TUTLDIXHQPSHHQ-UHFFFAOYSA-N tin(iv) sulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Sn+4] TUTLDIXHQPSHHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 231100000925 very toxic Toxicity 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUMQWHFKAXDURB-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZUMQWHFKAXDURB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITRNQMJXZUWZQL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-bromophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1Br ITRNQMJXZUWZQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZBOMSOHMOVUES-UHFFFAOYSA-N 2-(2-chlorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=CC=C1Cl RZBOMSOHMOVUES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORHRHMLEFQBHND-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=CC(Br)=C1 ORHRHMLEFQBHND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRHVNPYOTNGECT-UHFFFAOYSA-N 2-(3-chlorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=CC(Cl)=C1 NRHVNPYOTNGECT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUCVZEYHEFAWHO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=CC(F)=C1 AUCVZEYHEFAWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSZCXAOQVBEPME-UHFFFAOYSA-N 2-(4-bromophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=C(Br)C=C1 ZSZCXAOQVBEPME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SRXFXCKTIGELTI-UHFFFAOYSA-N 2-(4-chlorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=C(Cl)C=C1 SRXFXCKTIGELTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLFJWXRWIQYOC-UHFFFAOYSA-N 2-(4-fluorophenyl)ethanamine Chemical compound NCCC1=CC=C(F)C=C1 CKLFJWXRWIQYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000271 Kevlar® Polymers 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- YTVHBAVXMJWUOP-UHFFFAOYSA-N S=[Sn]=S.N Chemical compound S=[Sn]=S.N YTVHBAVXMJWUOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000000224 chemical solution deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 1
- 239000004761 kevlar Substances 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001509 metal bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001511 metal iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynetin Chemical compound [Sn]#P BSPSZRDIBCCYNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical compound [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012995 silicone-based technology Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C22/02—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using non-aqueous solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/02—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition
- C23C18/12—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material
- C23C18/1204—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by thermal decomposition characterised by the deposition of inorganic material other than metallic material inorganic material, e.g. non-oxide and non-metallic such as sulfides, nitrides based compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
- C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78681—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising AIIIBV or AIIBVI or AIVBVI semiconductor materials, or Se or Te
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
【解決手段】金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、複合体の溶液を基板に塗布して、基板上に溶液のコーティングを生成する工程と、コーティングから溶媒を除去して、基板上に複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、複合体の皮膜をアニーリングして、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を備える方法を提供する。金属カルコゲニドをチャネル層として使用して、金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体、および薄膜電界効果トランジスタ装置を作製する方法も提供する。
【選択図】図8
Description
MzXq(R1R2N−NHR3R4)2q−nz(R1R2N−NR3R4)m
(式中、Mは価電子nを有する主要族の金属であり、nは1ないし6の整数であり、Xはカルコゲンであり、zは1ないし10の整数であり、qは1ないし30の整数であり、mは1ないし30.5であり、かつR1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、ヒドラジニウム金属カルコゲニドを提供する。
金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、複合体の溶液を基板に塗布して、基板上に溶液のコーティングを生成する工程と、コーティングから溶媒を除去して、基板上に複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、複合体の皮膜をアニーリングして複合体を分解し、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を含む方法によって、金属カルコゲニド半導体材料の皮膜を含むチャネル層を作製することを含む方法を提供する。
少なくとも1種類の金属カルコゲニド、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、任意的にS、Se、Teおよびこれらの組合せから選択した元素カルコゲンを接触させ、金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体をヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程を含む。
少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の式によって表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させて、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、およびR7は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せから選択した元素カルコゲンを接触させ、金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体をヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程を含む。
本発明の1つの方法、方法3は、金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体を使用する、金属カルコゲニドの薄膜の堆積に関する。
金属カルコゲニド、または金属カルコゲニドの混合物の単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、
複合体の溶液を基板に塗布して、基板上に溶液のコーティングを生成する工程と、
コーティングから溶媒を除去して、基板上に複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、
複合体の皮膜をアニーリングして複合体を分解し、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を含む。
1.金属カルコゲニド化合物のヒドラジニウム前駆体を単離する(合成する);
2.適切に選択された非ヒドラジンを主体とする溶媒混合物に、ヒドラジニウム前駆体を溶かした溶液を形成する;
3.スピン・コーティング、スタンピングまたは印刷などの技法を使用する、段階2に記載した溶液混合物からのカルコゲニド前駆体の薄膜の溶液処理;および
4.例えばホット・プレート上、またはオーブン中に膜を置くことによる、あるいはレーザー主体のアニーリングを使用することによって生じた熱を用いる、生成した前駆体膜の所望の金属カルコゲニド膜への分解。
本発明は、単離品として金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を調製するための、第1の方法および第2の方法をさらに提供する。
少なくとも1種類の金属カルコゲニド、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、任意的にS、Se、Teおよびこれらの組合せから選択した元素カルコゲンを接触させ、金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体をヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程を含む。
(1)N2H4+2X→N2(気体)+2H2X
(2)4N2H4+2H2X+2MX2→4N2H5 ++MX6 4−(溶液中)
式中、Mは金属、かつXはSまたはSeである。
少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の式によって表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させて、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、およびR7は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される)、金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、
金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキル基から選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せから選択した元素カルコゲンを接触させ、金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体をヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程を含む。
1.溶剤を蒸発させて、金属カルコゲニドのヒドラジウムを主体とする前駆体を、ほぼ純粋な固体として生成する方法
2.金属カルコゲニドのヒドラジウムを主体とする前駆体の溶解度が低い、または実質的に不溶の溶剤を添加し、金属カルコゲニドのヒドラジウムを主体とする前駆体を沈殿させた後、沈殿物を濾過する方法
3.反応混合物を冷却して金属カルコゲニドのヒドラジウムを主体とする前駆体を反応混合物から沈殿させた後、沈殿物を濾過する方法
MzXq(R1R2N−NHR3R4)2q−nz(R1R2N−NR3R4)m
(式中、Mは価電子nを有する主要族の金属であり、nは1ないし6の整数であり、
Xはカルコゲンであり、
zは1ないし10の整数であり、
qは1ないし30の整数であり、
mは1ないし30.5であり、かつ
R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルから選択される。
Sn(S2―xSex)
式中xは0ないし2であり、SnS2およびSnSe2を含む。
本発明はさらに、前に記載した4段階の手法を使用して堆積させた半導体チャネル層を有する、改良された薄膜電界効果トランジスタ(TFT)装置を提供する。
金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、複合体の溶液を基板に塗布して、基板上に溶液のコーティングを生成する工程と、コーティングから溶媒を除去して、基板上に複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、複合体の皮膜をアニーリングして複合体を分解し、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を含む方法によって、金属カルコゲニド半導体材料の皮膜を含むチャネル層を作製することを含む方法を提供する。
本発明は、ヒドラジン(または他のヒドラジン様溶媒)/カルコゲニドの混合物を、金属カルコゲニドまたは金属カルコゲニド混合物の溶媒として使用することを含む、金属カルコゲニドの薄膜を堆積させる代替的な方法(方法1)をさらに提供する。この方法では、ヒドラジニウムを主体とする前駆体は単離しない。ヒドラジニウムを主体とする前駆体の皮膜の堆積は、前述の溶液を使用して、スピン・コーティング、スタンピング、印刷、または浸漬コーティングを含む標準的な溶液を主体とする技法により行われる。その後、短時間の低温アニーリング(典型的には、約350℃未満の温度)を行って、過剰のヒドラジンおよびヒドラジニウムのカルコゲニド塩をサンプルから除去し、得られる金属カルコゲニド皮膜の結晶性を改善する。
少なくとも1種類の金属カルコゲニド、下記の式で表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、または炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルである)、任意的にS、Se、Te、またはこれらの組合せなどの元素カルコゲンを接触させて、金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を基板に塗布して、前駆体の皮膜を生成する工程と、その後に、
前駆体の皮膜をアニーリングして、過剰のヒドラジンとヒドラジニウムカルコゲニドの塩を除去して、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を含む。
少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の式によって表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させて、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、およびR7は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、または炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルである)、金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、
金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体と、下記の式で表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、または炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルである)、任意的にS、Se、Te、またはこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを接触させて、ヒドラジン化合物中の金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を基板に塗布して、前駆体の皮膜を生成する工程と、その後に、
前駆体の皮膜をアニーリングして、過剰のヒドラジンとヒドラジニウムカルコゲニドの塩を除去して、基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程を含む。
図1は、SnS2、S、およびヒドラジンから、窒素流中で800℃まで2℃/分で昇温して合成した、硫化ヒドラジニウムスズ(IV)前駆体の熱重量分析(TGA)走査を示す。
図2は、第1の方法により、スピン・コーティングを使用して堆積させ、300℃で10分間アニーリングした硫化スズ(IV)皮膜のX線回折図形を示す。計算したc軸パラメータは5.98Åで、公表されたSnS2のバルク・サンプルの値、5.90Å[B.パロス他(B. Palosz et al.)、J. Appl. Crystallogr. 22, 622 (1989)]と一致する。
図3は、ヒドラジニウム陽イオンおよび中性ヒドラジン分子と交互に配列するSn2Se6 4―二量体を含む、(N2H4)3(N2H5)4Sn2Se6のX線結晶構造を示す
図4は、第1の方法により、スピン・コーティングを使用して堆積させ、(a)225℃、(b)250℃、(c)275℃、および(d)300℃でアニーリングしたセレン化スズ(IV)前駆体皮膜のX線回折図形を示す。皮膜は、アニーリング温度の上昇につれて結晶性が増大するとともに、実質的に好ましいc軸の配向が見られる。300℃の皮膜を使用した計算c軸パラメータは6.13Åで、公表されたSnSe2のバルク・サンプルの値と一致する。
図5は、窒素流中で800℃まで2℃/分で昇温した、硫化アンモニウムスズ(IV)前駆体、(NH4)xSnSyの熱重量分析(TGA)走査を示す。
図6は、第2の方法により、スピン・コーティングを使用して堆積させ、(a)アニーリングなし、および(b)140℃、(c)200℃、(d)250℃、(e)325℃、および(f)400℃でアニーリングした、硫化スズ(IV)前駆体皮膜のX線回折図形を示す。皮膜は、アニーリング温度の上昇につれて結晶性が増大するとともに、実質的に好ましいc軸の配向が見られる。400℃の皮膜を使用して計算したc軸パラメータは5.95Åで、公表されたSnS2のバルク・サンプルの値、5.90Å[B.パロス他(B. Palosz et al.)、J. Appl. Crystallogr. 22, 622 (1989)]と一致する。
図7は、第2の方法により、スピン・コーティングを使用して堆積させ、(a)250℃、(b)325℃でアニーリングした硫化アンチモン(III)前駆体皮膜のX線回折図形を示す。公表されたSb2S3の構造報告書に基づく反射率を図に示す[D.ノッドランド他(D. Nodland et al.)、ノースダコタ州立大学(North Dakota State University)、米国ノースダコタ州ファーゴ(Fargo,ND. USA)、ICDD無償援助(Grant-in-Aid)(1990)]。
図8は、チャネル材料として、スピン・コーティングした金属カルコゲニド半導体を使用するTFT装置の概略図である。
図9は、第1の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2チャネルを有するTFTについて、電流変調Ion/Ioffおよび飽和支配電界移動度μを計算するために使用する、一定のVD=100VにおけるIDおよびID 1/2に対するVGをプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
図10は、第1の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2チャネルを有するTFTについて、ドレイン電流IDに対するソース・ドレイン電圧VDを、ゲート電圧VGの関数としてプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
図11は、第2の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2チャネルを有するTFTについて、電流変調Ion/Ioffおよび飽和支配電界移動度μを計算するために使用する、一定のVD=100VにおけるIDおよびID 1/2に対するVGをプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
図12は、第2の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2チャネルを有するTFTについて、ドレイン電流IDに対するソース・ドレイン電圧VDを、ゲート電圧VGの関数としてプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
図13は、第2の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2ーxSxチャネルを有するTFTについて、電流変調Ion/Ioffおよび飽和支配電界移動度μを計算するために使用する、一定のVD=100VにおけるIDおよびID 1/2に対するVGをプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
図14は、第2の方法により製造した、スピン・コーティングした長さL=25μm、幅W=1500μmのSnS2ーxSxチャネルを有するTFTについて、ドレイン電流IDに対するソース・ドレイン電圧VDを、ゲート電圧VGの関数としてプロットしたグラフである。ゲート誘電体は3000ÅのSiO2である。
例1
SnS20.274g(1.5mmol)をヒドラジン1.0mlとイオウ0.048g(1.5mmol)に溶解して、SnS2の溶液を生成した。反応初期の窒素発生の結果と考えられるかなりの発泡が観察された。室温では溶解は比較的遅く、透明な黄色の溶液を生成するのに、約4〜6時間の撹拌を必要とした。この溶液を濾過し、炉液を窒素ガス流中で蒸発させて、最終的に0.337gの黄色い粉末を得た。この粉末を熱分析したところ、得られた固体は本質的に200℃以下の比較的低温で分解してSnS2を生成し、工程中に38%の重量減少が見られた(図1)。
上記の方法により、SnSe2の皮膜を堆積させた。
本発明の金属カルコゲニド溶液を精製する第2の方法により、考慮中の金属カルコゲニドに応じて、金属カルコゲニドをアンモニウムカルコゲニドの水溶液に単純に溶解した後、通常室温で溶液を蒸発させる方法、ソルボサーマル技術、および高温でのソリッドステート経路によるものなどを含む適当な技術を用いて、アンモニウム金属カルコゲニドの前駆物質を精製することができる。
本例では、SnS2548.5g(3mmol)を50重量%の硫化アンモニウム(NH4)2S水溶液85mlに4日の期間をかけて溶解して、アンモニウムを主体とする硫化スズ(IV)前駆物質を合成した。この溶液を0.45μmのガラス製マイクロファイバ・フィルタで濾過し、得られた濾液を窒素ガス流中で数日間徐々に蒸発させて、黄色の生成物(約1.05g)を得た。
アンモニウム前駆物質の第2の例として、Sb2S3の皮膜を形成した。
TFT装置
上述の半導体金属カルコゲニドを半導体チャネルとして使用して、TFTを製造した。試験の目的で、検査した装置は濃厚にn型ドーピングを行ったシリコン基板(ゲートとしても機能する)、3000Åに熱成長させたSiO2絶縁バリア層、スピン・コーティングした硫化スズ(IV)またはセレン化スズ(IV)、およびパターニングした800Åの金のソース・ドレイン電極を含む(図8)。
方法2を使用して混合SnSe2−xSx型の皮膜を形成した。
以下の実施例では、ヒドラジニウム前駆体を、反応混合物から単離した。ヒドラジンを含む反応混合物を「そのままの状態で」使用して皮膜をキャストした実施例1ないし6と異なり、実施例7ないし9では、単離した前駆体を使用して皮膜をキャストした。
SnS2皮膜および装置:
1.薄黄色の(N2H5)4Sn2S6の結晶および粉末を、(窒素雰囲気中で、数時間、攪拌しながら)0.183gのSnS2(1mmol)を、2mlのヒドラジンおよび0.064gのS(2mmol)に溶かすことによって形成させ、最終的に黄色い溶液を生成させる。
薄膜トランジスタを、段階4に記載した半導体皮膜の上部に、金のソースおよびドレイン電極を堆積させることによって実証した。装置の形状は図8に示す。前に記載した段階1ないし4を使用して形成した硫化スズ・チャネルを有するTFTに関する、ドレイン電流IDとドレイン電圧VDの例示的なプロットを、印加されたゲート電圧VGの関数として図16に示す。装置はn−チャネル・トランジスタとして動作し、正のゲート・バイアス電圧を印加すると蓄積モードで動作する。負のゲート・バイアス電圧を印加すると、チャネルの電子が消耗し、装置がシャット・ダウンする。低いVDでは、IDがVDと共に直線的に増大すると、TFTは典型的なトランジスタの挙動を示す。小さな抵抗部品に関しては、電流飽和が、蓄積層がドレイン電極の近くから除去されると高いVDで観察される。電流の調節(ION/IOFF)、および飽和型電界効果移動度(μsat)は、IDおよびID 1/2とVGのプロット(図17)から計算し、−60ないし85Vのゲートのスイープ電圧およびVD=85Vに関して、それぞれION/IOFF=104およびμsat=0.4cm2/V−sである。(現在使用されている2500ÅのSiO2層に対して)薄いまたは強度の誘電性定常ゲート絶縁体を使用することによって、装置の動作電圧を著しく低下させることができると予想されることに留意されたい。図16のプロット、μlin=0.38cm2/V−sから誘導される直線型の移動度は、飽和型の値と非常に類似している。このことは、一般に直線型の移動度値が飽和型の値より大幅に小さい、有機およびハイブリッド・ベースの薄膜装置と対照的であることに留意されたい。これらの値の間の不一致は捕獲状態から生じるとされることが多いので、電流が流れる皮膜中に不一致がないことによって、皮膜の高品質が証明される可能性がある。
SnS2−XSeX皮膜および装置:
1.明るい茶色の(N2H5)4Sn2S6−XSeXの結晶および粉末を、(窒素雰囲気中で、数時間、攪拌しながら)0.292gのSnS2(1.6mmol)および0.147gのSnSe2(0.53mmol)を、2mlの新鮮な蒸留ヒドラジンおよび0.128gのS(4mmol)に溶かすことによって形成させ、最終的に黄茶色の溶液を生成させる。
薄膜トランジスタを、段階4に記載したように作製した半導体皮膜の上部に、金のソースおよびドレイン電極を堆積させることによって実証した。前に記載した段階1ないし4を使用して形成したSnS2−XSeXチャネルを有するTFTに関する、ドレイン電流IDとドレイン電圧VDの例示的なプロットを、印加されたゲート電圧VGの関数として図18に示す。装置はn−チャネル・トランジスタとして動作し、正のゲート・バイアス電圧を印加すると蓄積モードで動作する。負のゲート・バイアス電圧を印加すると、チャネルの電子が消耗し、装置がシャット・ダウンする。低いVDでは、IDがVDと共に直線的に増大すると、TFTは典型的なトランジスタの挙動を示す。小さな抵抗部品に関しては、電流飽和が、蓄積層がドレイン電極の近くから除去されると高いVDで観察される。電流の調節(ION/IOFF)、および飽和型電界効果移動度(μsat)は、IDおよびID 1/2とVGのプロット(図19)から計算し、−60ないし85Vのゲートのスイープ電圧およびVD=85Vに関して、それぞれION/IOFF=104およびμsat=1.1cm2/V−sである。(現在使用されている2500ÅのSiO2層に対して)薄いまたは強度の誘電性定常ゲート絶縁体を使用することによって、装置の動作電圧を著しく低下させることができると予想されることに留意されたい。図18のプロット、μlin=1.1cm2/V−sから誘導される直線型の移動度は、飽和型の値とほぼ同じである。
以下の主要族の金属カルコゲニドのヒドラジニウム前駆体も、単離されている。前の実施例中と同様にこれらを使用して、装置の用途に適した薄膜を形成することができる:SnSe2、GeSe2、In2Se3、Sb2S3、およびSb2Se3。
Claims (22)
- 金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、
前記複合体の前記溶液を基板に塗布して、前記基板上に前記溶液のコーティングを生成する工程と、
前記コーティングから前記溶媒を除去して、前記基板上に前記複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、
前記複合体の前記皮膜をアニーリングして、前記基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程とを備える、
金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる方法。 - 前記溶媒が、水、低級アルコール、エーテル、エステル、炭素原子2個ないし6個のアルキレングリコール、炭素原子4個ないし6個のジアルキレングリコール、炭素原子6個のトリアルキレングリコール、グリム、ジグリム、トリグリム、プロピレングリコールモノアセテート、DMSO、DMF、DMA、HMPA、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記可溶性添加剤が、炭素原子1個ないし10個の脂肪族アミン、炭素原子4個ないし10個の芳香族アミン、炭素原子2個ないし6個のアミノアルコール、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記可溶性添加剤が、n−プロピルアミン、イソ−プロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、イソ−ブチルアミン、ペンチルアミン、n−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、フェネチルアミン、ピリジン、アニリン、アミノトルエン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリエタノールアミン、トリプロパノールアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記金属カルコゲニドの前記単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体を、
少なくとも1種類の金属カルコゲニド、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、任意的にS、Se、Teおよびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を前記ヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程、
を備える方法によって調製する、請求項1に記載の方法。 - 前記金属カルコゲニドの前記ヒドラジニウムを主体とする前駆体を、
少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の式によって表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させ、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、およびR7は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、前記金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記アンモニウムを主体とする前駆体、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を前記ヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程、
を備える方法によって調製する、請求項1に記載の方法。 - ソース領域およびドレイン領域、ソース領域とドレイン領域の間に延び、半導体材料を含むチャネル層、チャネル層と間隔を置いて隣接するゲート領域、ゲート領域とソース領域、ドレイン領域、およびチャネル層の間に電気絶縁層を有する型の電界効果トランジスタを形成する方法であって、
金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体と、その中に可溶性添加剤を有する溶媒を接触させて、それらの複合体の溶液を形成する工程と、前記複合体の前記溶液を基板に塗布して、前記基板上に前記溶液のコーティングを生成する工程と、前記コーティングから前記溶媒を除去して、前記基板上に前記複合体の皮膜を生成する工程と、その後に、前記複合体の前記皮膜をアニーリングして、前記基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程とを備える方法によって、金属カルコゲニド半導体材料の皮膜を備えるチャネル層を作製することを備える方法。 - 前記金属カルコゲニド皮膜が、約5Åないし約2000Åの厚さを有する薄膜の形態である、請求項7に記載の方法。
- 前記金属カルコゲニド皮膜が、多結晶金属カルコゲニド、または前記金属カルコゲニドの単結晶で構成される、請求項7に記載の方法。
- 前記金属カルコゲニド皮膜が、半導体装置の接点間の寸法以上の粒度を有する多結晶である、請求項19に記載の方法。
- 前記金属カルコゲニドが、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Tl、およびこれらの組合せからなる群から選択された金属と、S、Se、Te、およびこれらの組合せからなる群から選択されたカルコゲンを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記アニーリング工程を、前記金属カルコゲニド皮膜を形成するのに十分な温度、および十分な時間行う、請求項7に記載の方法。
- 前記温度が、約25℃ないし約500℃である、請求項12に記載の方法。
- 請求項7に記載の方法で製造された電界効果トランジスタ
- 金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体を、
少なくとも1種類の金属カルコゲニド、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、任意的にS、Se、Teおよびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を前記ヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程、
を備える方法によって調製する方法。 - 金属カルコゲニドの単離ヒドラジニウムを主体とする前駆体を、
少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の式によって表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させ、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、およびR7は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、前記金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記アンモニウムを主体とする前駆体、下記の式によって表されるヒドラジン化合物、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を前記ヒドラジン化合物に溶かした溶液を生成する工程、および
金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体を、実質的に純粋な生成物として単離する工程、
を備える方法によって調製する、請求項1に記載の方法。 - 下記の式によって表されるヒドラジニウム金属カルコゲニドであって、
MzXq(R1R2N−NHR3R4)2q−nz(R1R2N−NR3R4)m
(式中、Mは価電子nを有する主要族の金属であり、nは1ないし6の整数であり、
Xはカルコゲンであり、
zは1ないし10の整数であり、
qは1ないし30の整数であり、
mは1ないし30.5であり、かつ
R1、R2、R3、およびR4は、それぞれ独立に、水素、アリール、メチル、エチル、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキルからなる群から選択される)、ヒドラジニウム金属カルコゲニド。 - 前記金属がGe、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、InおよびTlからなる群から選択され、前記カルコゲンがS、Se、およびTeからなる群から選択される、請求項17に記載のヒドラジニウム金属カルコゲニド。
- 少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の一般式で表されるヒドラジン化合物と、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に、水素、アリール基、メチル基、エチル基、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキル基、からなる群から選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンとを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記ヒドラジニウムを主体とする前駆体の前記溶液を基板に塗布して、前記前駆体の皮膜を生成する工程と、その後に、
前記前駆体の前記皮膜をアニーリングして、過剰のヒドラジンとヒドラジニウムカルコゲニドの塩を除去し、前記基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程とを備える、
金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる第1の方法。 - 少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、下記の一般式で表されるアミン化合物とH2S、H2Se、またはH2Teとの塩を接触させ、
NR5R6R7
(式中、R5、R6、R7は、それぞれ独立に、水素、アリール基、メチル基、エチル基、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキル基からなる群から選択される)前記金属カルコゲニドのアンモニウムを主体とする前駆体を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記アンモニウムを主体とする前駆体と、下記の一般式で表されるヒドラジン化合物と、
R1R2N−NR3R4
(式中、R1、R2、R3、R4は、それぞれ独立に、水素、アリール基、メチル基、エチル基、および炭素原子3個ないし6個の直鎖、分枝または環式アルキル基、からなる群から選択される)、任意的にS、Se、Te、およびこれらの組合せからなる群から選択した元素カルコゲンとを接触させ、前記ヒドラジン化合物中の前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記ヒドラジニウムを主体とする前駆体の前記溶液を基板に塗布して、前記前駆体の皮膜を生成する工程と、その後に、
前記前駆体の前記皮膜をアニーリングして、過剰のヒドラジンとヒドラジニウムカルコゲニドの塩を除去し、前記基板上に金属カルコゲニドの皮膜を生成する工程とを備える、
金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる第2の方法。 - 少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、(i)ヒドラジン化合物または(ii)最初にアンモニウム塩化合物、その後にヒドラジン化合物とを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記ヒドラジニウムを主体とする前駆体の前記溶液を基板に塗布して、前記前駆体の皮膜を生成する工程と、
前記前駆体の前記皮膜を、前記金属カルコゲニドの皮膜を形成するのに十分な条件下でアニーリングする工程とを含む方法で形成した、金属カルコゲニド皮膜を有するチャネル層を具備する電界効果トランジスタ。 - 少なくとも1種類の金属カルコゲニドと、(i)ヒドラジン化合物または(ii)最初にアンモニウム塩化合物、その後にヒドラジン化合物とを接触させ、前記金属カルコゲニドのヒドラジニウムを主体とする前駆体の溶液を生成する工程と、
前記金属カルコゲニドの前記ヒドラジニウムを主体とする前駆体の前記溶液を基板に塗布して、前記前駆体の皮膜を生成する工程と、
前記前駆体の前記皮膜を、前記金属カルコゲニドの皮膜を形成するのに十分な条件下でアニーリングする工程とを含む、
電界効果トランジスタ中に金属カルコゲニドの皮膜を形成する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/617,118 US6875661B2 (en) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | Solution deposition of chalcogenide films |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005051224A true JP2005051224A (ja) | 2005-02-24 |
JP4536443B2 JP4536443B2 (ja) | 2010-09-01 |
Family
ID=33564904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004203564A Expired - Fee Related JP4536443B2 (ja) | 2003-07-10 | 2004-07-09 | カルコゲニド(chalcogenide)皮膜の溶液堆積 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6875661B2 (ja) |
JP (1) | JP4536443B2 (ja) |
KR (1) | KR100620840B1 (ja) |
CN (1) | CN1577742B (ja) |
TW (1) | TWI297905B (ja) |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007185764A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無機ナノ複合体を作製するための方法 |
JP2009060032A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 塗布法による有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2010129659A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
JP2010129658A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
JP2010530624A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス |
JP2011029624A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
JP2011508439A (ja) * | 2007-12-29 | 2011-03-10 | 中国科学院上海硅酸塩研究所 | 銅・インジウム・ガリウム・硫黄・セレン薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
US8268270B1 (en) | 2011-06-10 | 2012-09-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a chalcopyrite solar cell and method of producing a coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell |
WO2012169617A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | ヒドラジン配位Cuカルコゲニド錯体およびその製造方法、光吸収層形成用塗布液、ならびに光吸収層形成用塗布液の製造方法 |
WO2012169621A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | 光吸収層形成用塗布液、及び光吸収層形成用塗布液の製造方法 |
US8485126B2 (en) | 2009-09-08 | 2013-07-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus including a glove part and a controller for stopping coating |
JP5620580B2 (ja) * | 2012-05-07 | 2014-11-05 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
EP2858103A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-04-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chamber apparatus and heating method |
US9027504B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-05-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Heating apparatus, coating apparatus and heating method |
KR101532883B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2015-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 형성 방법 |
US9186696B2 (en) | 2009-09-08 | 2015-11-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus including a chamber, sensor, removal unit and control device for application of liquid to a substrate |
US9236283B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chamber apparatus and heating method |
US9299874B2 (en) | 2010-10-13 | 2016-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus and coating method |
US9385194B2 (en) | 2011-10-18 | 2016-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanoparticles and methods of manufacturing the same |
JP2016529689A (ja) * | 2013-06-11 | 2016-09-23 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 無害な溶剤中にカルコゲン元素および金属カルコゲニドを溶解する方法 |
WO2023171911A1 (ko) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | 한국화학연구원 | 신규한 유기주석 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 용액공정용 조성물 및 이를 이용한 박막의 제조방법 |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6875661B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
KR100621447B1 (ko) * | 2003-07-10 | 2006-09-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 칼코겐화물 막의 용액 증착법 및 칼코겐화물 막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조법 |
CN100490205C (zh) | 2003-07-10 | 2009-05-20 | 国际商业机器公司 | 淀积金属硫族化物膜的方法和制备场效应晶体管的方法 |
US7242041B2 (en) * | 2003-09-22 | 2007-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Field-effect transistors with weakly coupled layered inorganic semiconductors |
GB2416428A (en) * | 2004-07-19 | 2006-01-25 | Seiko Epson Corp | Method for fabricating a semiconductor element from a dispersion of semiconductor particles |
JP5106387B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2012-12-26 | インテレクチュアル ヴェンチャーズ ホールディング 40 リミテッド ライアビリティ カンパニー | 単結晶金属成長方法並びにその装置 |
US7579615B2 (en) * | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
US20070080428A1 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-12 | Herman Gregory S | Semiconductor film composition |
US8969865B2 (en) * | 2005-10-12 | 2015-03-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor film composition |
KR20070042333A (ko) * | 2005-10-18 | 2007-04-23 | 삼성코닝 주식회사 | 칼코게나이드 전구체 화합물 및 이를 이용한 칼코게나이드박막의 제조방법 |
KR101211836B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2012-12-12 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 다공성 칼코게나이드 박막, 그 제조방법 및 이를 채용한전자소자 |
JP4425878B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2010-03-03 | 韓國電子通信研究院 | カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セル |
KR100744547B1 (ko) | 2005-10-31 | 2007-08-01 | 한국전자통신연구원 | 칼코게나이드계 원소를 포함하는 광전도층을 가지는 포토박막트랜지스터 및 이를 이용한 이미지 센서의 단위 셀 |
KR101139162B1 (ko) | 2005-12-30 | 2012-04-26 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 클러스터 화합물을 이용한 칼코게나이드 박막의 형성방법 |
TWI299527B (en) * | 2006-04-11 | 2008-08-01 | Taiwan Tft Lcd Ass | A fabrication method of thin film for active layer by metal chalcogenide precursor solution |
US7494841B2 (en) * | 2006-05-12 | 2009-02-24 | International Business Machines Corporation | Solution-based deposition process for metal chalcogenides |
KR100859723B1 (ko) * | 2006-10-09 | 2008-09-23 | 한국전자통신연구원 | 칼코게나이드층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US20080124833A1 (en) * | 2006-11-03 | 2008-05-29 | International Business Machines Corporation | Method for filling holes with metal chalcogenide material |
US8057850B2 (en) * | 2006-11-09 | 2011-11-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Formation of copper-indium-selenide and/or copper-indium-gallium-selenide films from indium selenide and copper selenide precursors |
US8876971B2 (en) * | 2006-11-09 | 2014-11-04 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Precursors for formation of copper selenide, indium selenide, copper indium diselenide, and/or copper indium gallium diselenide films |
US7670584B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-03-02 | International Business Machines Corporation | Inorganic metal chalcogen cluster precursors and methods for forming colloidal metal chalcogenide nanoparticles using the same |
DE102007043920A1 (de) | 2007-07-17 | 2009-01-22 | Merck Patent Gmbh | Funktionelles Material für gedruckte elektronische Bauteile |
MD3821G2 (ro) * | 2007-08-23 | 2009-08-31 | Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы | Procedeu de obţinere a materialului fotosensibil în bază de semiconductor calcogenic amorf As2(SxSe1-x)3 |
WO2009029104A1 (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Midwest Research Institute | Rapid thermal processing by stamping |
US20090114630A1 (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-07 | Hawryluk Andrew M | Minimization of surface reflectivity variations |
US8613973B2 (en) * | 2007-12-06 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photovoltaic device with solution-processed chalcogenide absorber layer |
US8324414B2 (en) | 2009-12-23 | 2012-12-04 | Battelle Energy Alliance, Llc | Methods of forming single source precursors, methods of forming polymeric single source precursors, and single source precursors and intermediate products formed by such methods |
US8003070B2 (en) * | 2008-03-13 | 2011-08-23 | Battelle Energy Alliance, Llc | Methods for forming particles from single source precursors |
US9371226B2 (en) | 2011-02-02 | 2016-06-21 | Battelle Energy Alliance, Llc | Methods for forming particles |
US8951446B2 (en) | 2008-03-13 | 2015-02-10 | Battelle Energy Alliance, Llc | Hybrid particles and associated methods |
KR101311384B1 (ko) * | 2008-10-30 | 2013-09-25 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 태양광 흡수층의 제조를 위한 무기박막의 제조 방법 |
DE102009004491A1 (de) | 2009-01-09 | 2010-07-15 | Merck Patent Gmbh | Funktionelles Material für gedruckte elektronische Bauteile |
US20120060928A1 (en) * | 2009-05-21 | 2012-03-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Processes for preparing copper tin sulfide and copper zinc tin sulfide films |
WO2010141863A2 (en) | 2009-06-04 | 2010-12-09 | The Regents Of The University Of California | Solution-processed inorganic photo-voltaic devices and methods of production |
US8308973B2 (en) * | 2009-07-27 | 2012-11-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Dichalcogenide selenium ink and methods of making and using same |
CN102473778A (zh) * | 2009-08-04 | 2012-05-23 | 普瑞凯瑟安质提克斯公司 | 用于具有受控的化学计量的光伏吸收剂的方法 |
CA2768615A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for cis and cigs photovoltaics |
CA2768616A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-02-10 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for caigas aluminum-containing photovoltaics |
US8067262B2 (en) * | 2009-08-04 | 2011-11-29 | Precursor Energetics, Inc. | Polymeric precursors for CAIGS silver-containing photovoltaics |
JP5719546B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2015-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP5462558B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-04-02 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置及び塗布方法 |
JP5639816B2 (ja) * | 2009-09-08 | 2014-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 塗布方法及び塗布装置 |
US7838403B1 (en) | 2009-09-14 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Spray pyrolysis for large-scale production of chalcopyrite absorber layer in photovoltaic devices |
US20110076798A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-03-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Dichalcogenide ink containing selenium and methods of making and using same |
US8309179B2 (en) | 2009-09-28 | 2012-11-13 | Rohm And Haas Electronics Materials Llc | Selenium/group 1b ink and methods of making and using same |
JP2013512834A (ja) | 2009-10-14 | 2013-04-18 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | ナノ複合材料および該ナノ複合材料を製造する方法 |
US20110094557A1 (en) * | 2009-10-27 | 2011-04-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film |
US10147604B2 (en) * | 2009-10-27 | 2018-12-04 | International Business Machines Corporation | Aqueous-based method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film |
WO2011084171A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-07-14 | Precursor Energetics, Inc. | Molecular precursors for optoelectronics |
CN101820029A (zh) * | 2010-02-11 | 2010-09-01 | 昆山正富机械工业有限公司 | 非真空制作铜铟镓硒和/或硫的太阳能电池 |
US8366967B2 (en) * | 2010-02-22 | 2013-02-05 | Inpria Corporation | Metal chalcogenide aqueous precursors and processes to form metal chalcogenide films |
US8119506B2 (en) | 2010-05-18 | 2012-02-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Group 6a/group 3a ink and methods of making and using same |
US8709917B2 (en) | 2010-05-18 | 2014-04-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 3A ink and methods of making and using same |
WO2011146115A1 (en) | 2010-05-21 | 2011-11-24 | Heliovolt Corporation | Liquid precursor for deposition of copper selenide and method of preparing the same |
US9142408B2 (en) | 2010-08-16 | 2015-09-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor for deposition of indium selenide and method of preparing the same |
US8828782B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-09-09 | Precursor Energetics, Inc. | Annealing processes for photovoltaics |
US8282995B2 (en) | 2010-09-30 | 2012-10-09 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Selenium/group 1b/group 3a ink and methods of making and using same |
US8343267B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-01-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Gallium formulated ink and methods of making and using same |
US8372485B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-02-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Gallium ink and methods of making and using same |
US20120282721A1 (en) * | 2011-05-06 | 2012-11-08 | Yueh-Chun Liao | Method for forming Chalcogenide Semiconductor Film and Photovoltaic Device |
US8771555B2 (en) | 2011-05-06 | 2014-07-08 | Neo Solar Power Corp. | Ink composition |
CN103827976A (zh) * | 2011-06-17 | 2014-05-28 | 普瑞凯瑟安质提克斯公司 | 用于光电应用的沉积方法 |
ES2402313B1 (es) | 2011-09-30 | 2014-03-04 | Universitat Jaume I De Castellón | Tintas para la obtención "in situ" de calcógenos y/o calcogenuros que dan lugar a capas de semiconductores, su obtención y modo de empleo |
US20130269764A1 (en) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | International Business Machines Corporation | Back Contact Work Function Modification for Increasing CZTSSe Thin Film Photovoltaic Efficiency |
KR101381167B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2014-04-10 | 경희대학교 산학협력단 | 광 반도체 소자, 이를 이용한 알지비 센서, 터치센서, 및 이미지 센서 |
US9105797B2 (en) | 2012-05-31 | 2015-08-11 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Liquid precursor inks for deposition of In—Se, Ga—Se and In—Ga—Se |
US9082619B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-07-14 | International Solar Electric Technology, Inc. | Methods and apparatuses for forming semiconductor films |
KR101442625B1 (ko) * | 2012-07-30 | 2014-09-19 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 3차원 계층 구조의 칼코지나이드 제조방법 |
US8992874B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-03-31 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of producing hydrazine-coordinated Cu chalcogenide complex |
KR101376732B1 (ko) * | 2012-09-19 | 2014-04-07 | 전자부품연구원 | 다층 전이금속 칼코겐화합물을 이용한 투명전자소자, 이를 이용한 광전자 소자 및 트랜지스터 소자 |
US8936734B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-01-20 | Sunpower Technologies Llc | System for harvesting oriented light—water splitting |
KR101460236B1 (ko) * | 2013-05-20 | 2014-11-10 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법 |
US8999746B2 (en) | 2013-08-08 | 2015-04-07 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming metal chalcogenide dispersion, metal chalcogenide dispersion, method of producing light absorbing layer of solar cell, method of producing solar cell |
US9245742B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-01-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sulfur-containing thin films |
US9478419B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Sulfur-containing thin films |
US20150279671A1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | Method for forming oxide thin film and method for fabricating oxide thin film transistor employing germanium doping |
KR101662890B1 (ko) * | 2014-07-29 | 2016-10-06 | 서울대학교산학협력단 | 상온에서 구동가능한 가스센서 및 이의 제조방법 |
JP6554332B2 (ja) | 2014-10-30 | 2019-07-31 | 東京応化工業株式会社 | 均一系塗布液及びその製造方法、太陽電池用光吸収層及びその製造方法、並びに太陽電池及びその製造方法 |
WO2016089840A1 (en) | 2014-12-01 | 2016-06-09 | The University Of Chicago | Compositionally matched molecular solders for semiconductors |
KR102325522B1 (ko) * | 2015-01-29 | 2021-11-12 | 엘지전자 주식회사 | 금속 칼코게나이드 박막의 제조 방법 |
KR20160133727A (ko) | 2015-05-13 | 2016-11-23 | 한국화학연구원 | 금속 칼코게나이드 필름의 제조방법 |
US9461134B1 (en) | 2015-05-20 | 2016-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming source/drain contact structure with chalcogen passivation |
US10490475B2 (en) | 2015-06-03 | 2019-11-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation after oxide removal |
US9711350B2 (en) | 2015-06-03 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for semiconductor passivation by nitridation |
US9711396B2 (en) | 2015-06-16 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal chalcogenide thin films on a semiconductor device |
US9741815B2 (en) | 2015-06-16 | 2017-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Metal selenide and metal telluride thin films for semiconductor device applications |
US9672906B2 (en) * | 2015-06-19 | 2017-06-06 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with inter-granular switching |
US10026751B2 (en) | 2015-10-02 | 2018-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including a repeater/buffer at higher metal routing layers and methods of manufacturing the same |
US9929006B2 (en) * | 2016-07-20 | 2018-03-27 | Micron Technology, Inc. | Silicon chalcogenate precursors, methods of forming the silicon chalcogenate precursors, and related methods of forming silicon nitride and semiconductor structures |
US10854591B2 (en) | 2016-11-04 | 2020-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device including a repeater/buffer at upper metal routing layers and methods of manufacturing the same |
US10319588B2 (en) * | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
CN112639975A (zh) * | 2018-09-06 | 2021-04-09 | 新加坡国立大学 | 金属硫属元素化物的连续薄膜 |
CN110299430B (zh) * | 2019-06-06 | 2022-11-11 | 华中科技大学 | 一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法 |
KR20210072373A (ko) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | 성균관대학교산학협력단 | 전이금속 칼코게나이드 박막 및 이의 제조방법 |
US11713518B2 (en) * | 2021-01-06 | 2023-08-01 | POSTECH Research and Business Development Foundation | Method for forming chalcogenide thin film |
CN112778862B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-03-22 | 上海涂固安高科技有限公司 | 一种金属专用油漆前处理剂及其制备方法 |
CN114604891B (zh) * | 2022-03-25 | 2022-12-20 | 华中科技大学 | 一种固相硫化降低硫化铅材料杂质掺杂浓度的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2664430B1 (fr) * | 1990-07-04 | 1992-09-18 | Centre Nat Rech Scient | Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques. |
GB9711799D0 (en) * | 1997-06-07 | 1997-08-06 | Vecht Aron | Preparation of sulphides and selenides |
US6180956B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-01-30 | International Business Machine Corp. | Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels |
US6420056B1 (en) * | 1999-07-08 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer |
KR100621447B1 (ko) * | 2003-07-10 | 2006-09-08 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 칼코겐화물 막의 용액 증착법 및 칼코겐화물 막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조법 |
US6875661B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-05 | International Business Machines Corporation | Solution deposition of chalcogenide films |
-
2003
- 2003-07-10 US US10/617,118 patent/US6875661B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-16 US US10/801,766 patent/US7094651B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 CN CN2004100386060A patent/CN1577742B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 KR KR1020040042596A patent/KR100620840B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-06 TW TW093120228A patent/TWI297905B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-07-09 JP JP2004203564A patent/JP4536443B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007185764A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 無機ナノ複合体を作製するための方法 |
JP2010530624A (ja) * | 2007-06-19 | 2010-09-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス |
US7928419B2 (en) | 2007-06-19 | 2011-04-19 | International Business Machines Corporation | Electrolytic device based on a solution-processed electrolyte |
JP2011086950A (ja) * | 2007-06-19 | 2011-04-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 溶液プロセスによる電解質をベースにした電解デバイス |
JP4754033B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2011-08-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 溶液プロセスによる電解質をベースにした電解質デバイスの製造方法 |
JP2009060032A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 塗布法による有機トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011508439A (ja) * | 2007-12-29 | 2011-03-10 | 中国科学院上海硅酸塩研究所 | 銅・インジウム・ガリウム・硫黄・セレン薄膜太陽電池の光吸収層の製造方法 |
JP2010129659A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
JP2010129658A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Kyocera Corp | 化合物半導体薄膜の製法および薄膜太陽電池の製法 |
JP2011029624A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-10 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | セレンインク、並びにその製造方法および使用方法 |
US9186696B2 (en) | 2009-09-08 | 2015-11-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus including a chamber, sensor, removal unit and control device for application of liquid to a substrate |
US8485126B2 (en) | 2009-09-08 | 2013-07-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus including a glove part and a controller for stopping coating |
US9299874B2 (en) | 2010-10-13 | 2016-03-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating apparatus and coating method |
US9027504B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-05-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Heating apparatus, coating apparatus and heating method |
US8268270B1 (en) | 2011-06-10 | 2012-09-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell, method of producing a chalcopyrite solar cell and method of producing a coating solution for forming a light-absorbing layer of a chalcopyrite solar cell |
WO2012169621A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | 光吸収層形成用塗布液、及び光吸収層形成用塗布液の製造方法 |
WO2012169617A1 (ja) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 東京応化工業株式会社 | ヒドラジン配位Cuカルコゲニド錯体およびその製造方法、光吸収層形成用塗布液、ならびに光吸収層形成用塗布液の製造方法 |
US9385194B2 (en) | 2011-10-18 | 2016-07-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanoparticles and methods of manufacturing the same |
JP5620580B2 (ja) * | 2012-05-07 | 2014-11-05 | 積水化学工業株式会社 | 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法 |
US9236283B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chamber apparatus and heating method |
JP2016529689A (ja) * | 2013-06-11 | 2016-09-23 | アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw | 無害な溶剤中にカルコゲン元素および金属カルコゲニドを溶解する方法 |
EP2858103A1 (en) | 2013-08-30 | 2015-04-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chamber apparatus and heating method |
KR101532883B1 (ko) * | 2014-09-02 | 2015-07-02 | 성균관대학교산학협력단 | 전이금속 디칼코게나이드 박막의 형성 방법 |
WO2023171911A1 (ko) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | 한국화학연구원 | 신규한 유기주석 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 용액공정용 조성물 및 이를 이용한 박막의 제조방법 |
KR20230133047A (ko) * | 2022-03-10 | 2023-09-19 | 한국화학연구원 | 유기주석 화합물을 포함하는 용액공정용 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조방법 |
KR102615101B1 (ko) | 2022-03-10 | 2023-12-19 | 한국화학연구원 | 유기주석 화합물을 포함하는 용액공정용 조성물, 및 이를 이용한 박막의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1577742B (zh) | 2010-04-28 |
JP4536443B2 (ja) | 2010-09-01 |
US7094651B2 (en) | 2006-08-22 |
KR100620840B1 (ko) | 2006-09-19 |
TWI297905B (en) | 2008-06-11 |
US6875661B2 (en) | 2005-04-05 |
US20050009225A1 (en) | 2005-01-13 |
CN1577742A (zh) | 2005-02-09 |
KR20050007120A (ko) | 2005-01-17 |
US20050009229A1 (en) | 2005-01-13 |
TW200518168A (en) | 2005-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4536443B2 (ja) | カルコゲニド(chalcogenide)皮膜の溶液堆積 | |
US7999255B2 (en) | Hydrazine-free solution deposition of chalcogenide films | |
US7833825B2 (en) | Solution-based deposition process for metal chalcogenides | |
Mitzi | Solution-processed inorganic semiconductors | |
US7507618B2 (en) | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles | |
US20120060928A1 (en) | Processes for preparing copper tin sulfide and copper zinc tin sulfide films | |
US20130264526A1 (en) | Molecular precursors and processes for preparing copper indium gallium sulfide/selenide coatings and films | |
KR100621447B1 (ko) | 칼코겐화물 막의 용액 증착법 및 칼코겐화물 막을 포함하는 전계 효과 트랜지스터의 제조법 | |
KR101139162B1 (ko) | 클러스터 화합물을 이용한 칼코게나이드 박막의 형성방법 | |
KR101190917B1 (ko) | 칼코게나이드-cnt 하이브리드 박막 및 그 제조방법 | |
EP1763898A2 (en) | Field-effect transistors fabricated by wet chemical deposition | |
WO2013159864A1 (en) | Preparation of semiconductor films | |
Balraj et al. | ESTIMATION OF STRUCTURAL AND OPTICAL PARAMETERS FROM EDAX SPECTRA | |
KR20070022351A (ko) | 습식 화학 증착에 의해 제조된 전계 효과 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070903 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071109 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20071109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071120 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080130 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080428 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20090108 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20090115 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20090126 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090212 |
|
RD12 | Notification of acceptance of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7432 Effective date: 20090728 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20090730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090728 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100616 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |