KR101460236B1 - 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법 - Google Patents

전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101460236B1
KR101460236B1 KR1020130056133A KR20130056133A KR101460236B1 KR 101460236 B1 KR101460236 B1 KR 101460236B1 KR 1020130056133 A KR1020130056133 A KR 1020130056133A KR 20130056133 A KR20130056133 A KR 20130056133A KR 101460236 B1 KR101460236 B1 KR 101460236B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
flexible substrate
separating
electrodeposited
seed layer
Prior art date
Application number
KR1020130056133A
Other languages
English (en)
Inventor
유봉영
박기문
김동욱
Original Assignee
한양대학교 에리카산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 에리카산학협력단 filed Critical 한양대학교 에리카산학협력단
Priority to KR1020130056133A priority Critical patent/KR101460236B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101460236B1 publication Critical patent/KR101460236B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

본 발명은 박막을 분리하는 방법으로서,
박막 분리용 플렉시블 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 전해증착법으로 박막을 증착하는 단계; 상기 증착된 박막 위에 레진을 붓는 단계; 및 굳은 레진과 상기 증착된 박막을 상기 플렉시블 기판과 분리하는 단계를 포함하는 전해증착 박막의 무균열 분리방법이다.
본 발명은 플렉시블 기판을 사용함으로써, 기존에 휘어지지 않는 기판에서 분리하는 방식에 비하여 분리하는 공정이 용이하고 단순한 효과가 있다.
또 본 발명은 균열 없이 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 평가함으로써, 분리과정에서 발생한 손상에 의한 문제가 없이 물리적 특성을 평가할 수 있으므로 신뢰성 높은 평가결과를 얻을 수 있다.
또 발명은 플렉시블 기판 위의 박막을 균열 없이 분리할 수 있기 때문에 박막의 모양과 품질 측면에서 뛰어난 효과가 있다.

Description

전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법{CRACK FREE SEPARATION METHOD FOR THE ELECTRODEPOSITED THIN FILM AND EVALUATING METHOD OF THE PHYSICAL PROPERTIES FOR THE FILM}
본 발명은 박막 분리 방법과 물리적 특성 평가 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 전해증착으로 만들어진 박막을 플렉시블 기판으로부터 분리하는 박막 분리 공정 및 물리적 특성 평가에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED), 광 검출기, 태양 전지의 소자로 쓰이는 박막은 주로 실리콘이나 화합물 반도체를 이용하고 있으나, 이들은 반도체 소자 제작공정으로 제조되기 때문에 제조단가가 높으며 실리콘 원자재의 수급에 어려움을 겪고 있다. 이러한 상황에서 실리콘 소재를 전혀 사용하지 않는 Zn 기반의 칼코지나이드 (chalcogenide)계 박막 제작이 본격 연구되기 시작하였고, 이 박막은 진공방식뿐만 아니라 프린팅 방식에 의해 저가공정이 가능하며, 모양에 구애 받지 않는 제조가 가능하여 현재 많은 주목을 받고 있다
칼코지나이드는 칼코젠(chalcogen) 원소인 S, Se, Te를 포함하는 화합물을 의미하며 밴드갭 에너지가 1 내지 2 eV로서 반도체 중에서 가장 우수한 광흡수 계수를 가질 뿐만 아니라 전기광학적으로도 매우 안정하여 박막소재로 매우 이상적이다.
이를 이용한 Zn 기반의 칼코지나이드계 박막의 제조방법으로는 크게 물리적인 방법(PVD)과 화학적인 방법으로 분류할 수 있는데, 물리적인 방법에는 증발, 스퍼터링, 스핀코팅 등이 있고, 화학적 방법에는 기상성장(CVD)와 전해증착이 있다.
그 중 전해증착(electrodeposition)은 일반적으로 기판 표면에 전기에 의한 반응을 통해 금속 막을 코팅하는데 이용되는 공정이다. 전해질 용액 속에 첨가물질을 용해시킨 후 전기화학적으로 전도성 재료 표면에 도금한 후, 소성단계를 거쳐 박막을 형성한다. 이 전해증착은 챔버 없이 상온과 대기압 하에서 실시할 수 있고 상대적으로 저렴한 장비 이용으로 매우 융통성 있는 장점을 갖고 있다.
하지만 종래에 전해증착법으로 증착된 박막의 전기적 특성을 측정하기 위해서는 1) 제작된 기판 위의 박막에 대해 X-선 회절 실험으로 박막의 구조를 조사하고, 화상분석기를 통해 부식 전, 후의 박막 형태를 비교하였으며 분극 실험을 통해 온도, 용액, 전류밀도 그리고 PH등에 따른 부식특성의 변화를 비교 분석하여 좋은 내식성을 갖는 전착조건을 결정하거나, 2) 실리콘 위에 금속 전도층이 올라와 있는 기판이나 전도성 유리기판 등 다양한 기판 위에 증착된 박막을 박막 위에 에폭시 레진을 부어 굳힌 후 분리하였으나, 분리 시 균열이 생겨 특성이 하락하거나 신뢰성 있는 특성 값이 얻기가 어려운 문제가 더 합리적이고 용이한 박막 분리방법의 필요성이 절실한 상황이며, 뿐만 아니라 박막의 품질을 높이고 결함이 적은 양질의 박막을 제공하기 위해 박막분리공정 기술이 요구되고 있다.
Electriacl properties of CdTe layers electrodeposited from ammonical basic electrolytes.(2003)
본 발명은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 박막 분리공정에 관한 것으로서, 플렉시블 기판을 이용하여 전해증착 된 박막을 균열 없이 분리하는 방법 및 분리 된 박막으로 물리적 특성 평가를 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 전해증착 박막의 무균열 분리방법은,
박막 분리용 플렉시블 기판을 준비하는 단계;
상기 기판 위에 전해증착법으로 박막을 증착하는 단계;
상기 증착된 박막 위에 레진을 붓는 단계; 및
굳은 레진과 상기 증착된 박막을 상기 플렉시블 기판과 분리하는 단계를 포함한다.
플렉시블 기판은 전도성 물질인 것이 좋으며, 특히 금속 포일인 것이 바람직하다.
그리고 신뢰성 있는 전기적 특성을 평가하기 위해 비전도성 레진을 부어 굳힌 후, 증착된 박막을 플렉시블 기판과 분리하는 것이 바람직하다.
다른 형태에 의한 전해증착된 박막의 물리적 특성을 평가하는 방법은, 상기 방법으로 전해증착 박막을 분리하는 단계, 및 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 평가하는 단계를 포함한다.
전해증착 박막의 무균열 분리방법 및 물리적 특성 평가 방법은 Zn 기반의 칼코지나이드계 박막에 적용할 수 있다. 이러한 Zn 기반의 칼코지나이드계 물질은 반도체 중에서 가장 우수한 광 흡수 계수를 가질 뿐만 아니라 전기광학적으로도 매우 안정하여, 최적의 전해증착 조건을 찾기 위한 연구가 계속되고 있는 물질이다.
상술한 바와 같이 본 발명은, 플렉시블 기판을 사용함으로써, 기존의 휘어지지 않는 기판에서 박막을 분리하는 방식에 비하여 분리하는 공정이 용이하고 단순한 효과가 있다.
또 본 발명은 균열 없이 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 평가함으로써, 분리과정에서 발생하는 손상에 의한 문제가 없이 물리적 특성을 평가할 수 있으므로 신뢰성 높은 평가결과를 얻을 수 있다.
또 본 발명은 플렉시블 기판 위의 박막을 균열 없이 분리할 수 있기 때문에 박막의 모양과 품질 측면에서 뛰어난 효과가 있다.
도 1은 무균열 박막 분리 공정의 개략도이다.
도 2의 (a)는 공정을 거쳐 최종적으로 만들어진 시편의 사진이다.
도 2의 (b)는 시편을 광학 현미경 700 배율로 찍은 사진이다.
도 3는 ZnTe의 Zn 원자량의 비율을 나타낸 그래프이다.
도 4는 증착 온도 별 시편의 색상변화와 SEM을 통한 표면의 거칠기를 나타낸 그림이다.
도 5은 ZnTe의 증착 온도 별 X-선 회절분석 그래프이다.
도 6은 ZnTe의 전기 저항을 나타낸 그래프이다.
도 7은 Cu가 도핑 된 ZnTe 박막의 Zn와 Te의 구성 원자비율을 나타낸 그래프이다.
도 8는 Cu가 도핑 된 ZnTe 박막의 X-선 회절분석 그래프이다.
도 9의 (a)는 Cu 도핑에 따른 전기 저항을 나타낸 그래프다.
도 9의 (b)는 Cu가 도핑 된 ZnTe의 전기적 성질을 나타낸 그림이다.
도 10은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 X-선 회절분석 그래프이다.
도 11은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 Zn과 Se의 구성비율 그래프이다.
도 12는 ZnSe의 열처리 온도에 따른 전기 저항을 나타낸 그래프이다.
도 13은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 입자 결정 구조 SEM사진이다.
이하에서는 본 발명에 따른 박막을 분리하는 방법을 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 전해증착 박막의 분리방법은, 박막 분리용 플렉시블 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 위에 전해증착법으로 박막을 증착하는 단계; 상기 증착 된 박막 위에 레진을 붓는 단계; 및 굳은 레진과 상기 증착 된 박막을 상기 플렉시블 기판과 분리하는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명은 기판에 전해증착된 박막을 분리하는 과정에서 발생하는 물리적 손상을 방지하기 위하여 플렉시블(flexible) 기판에 박막을 전해증착하고 기판을 분리하는 것을 특징으로 한다. 이러한 플렉시블 기판으로는 전해증착이 가능한 금속 포일과 같은 전도성 기판을 사용하는 것이 일반적이나, 비전도성 기판에 시드층을 형성하여 전해증착할 수도 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 박막을 증착하기 전에 기판 위에 시드층을 얇게 형성하여, 전해증착을 최적화하거나 비전도성 기판에 대하여 전해증착이 가능하도록 할 수 있다. 이러한 시드층은 전해증착 또는 비전해증착에 의해서 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 증착된 박막 위에 붓는 레진은 비전도성 레진일 수 있다. 비전도성 레진을 사용하여 분리된 박막만 전도성이 있기 때문에, 이 박막에 대해 전기적 특성을 평가할 때 잡전류의 영향이 없다.
본 발명의 다른 형태는 전해증착된 박막의 물리적 특성을 평가하는 평가방법에 대한 것이며, 상기 방법으로 전해증착된 박막을 분리하는 단계, 및 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 평가하는 단계를 포함한다.
본 발명의 평가방법은 균열 없이 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 평가함으로써, 분리과정에서 발생하는 손상 문제 없이 물리적 특성을 평가할 수 있으므로 신뢰성 높은 평가결과를 얻을 수 있다. 따라서 최적 전해증착 조건 확인을 위해, 전해증착된 Zn 기반의 칼코지나이드계 박막의 물리적 특성을 평가하는데 적용할 수 있다.
이하, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 설명한다.
실시예 1
Zn 기반의 칼코지나이드계 박막은 50mM의 Zn(NO3)2, 0.2mM의 TeO2 전해질에 200mM의 시트르산과 400mM의 구연산나트륨을 첨가하여 ZnTe 박막을 제조하였다.
먼저 박막 분리용 플렉시블 기판으로서 전도성 물질인 Cu 포일을 준비하였다. Cu 포일 기판 위에 시드층으로 Au를 전해증착법으로 증착 하였다. Au층 위에 분리대상 박막으로서, 반도체 물질인 ZnTe 박막을 전해증착법으로 증착하였다. ZnTe는 전위 -1V, 20의 조건으로 전해증착하였다. 기판층과 박막층을 분리하기 위해 비전도성 레진인 에폭시 레진을 부어서 굳혔다. 굳힌 레진와 증착된 ZnTe 박막을 시드층이 형성된 플렉시블 기판에서 분리하였다.
실시예 2
실시예 1에서와 분리 조건은 동일하게 하되, Zn 기반의 칼코지나이드계 박막은 10mM의 ZnSO4, 4mM의 H2SeO3 전해질에 500mM의 구연산나트륨을 첨가하여 ZnSe 박막을 제조하였다. ZnSe는 전위 -1.2V, 180분 90℃의 조건으로 전해증착하였다.
전해증착된 ZnSe 박막에 대하여 열처리를 수행하였으며, 열처리 조건은 온도변화속도는 20분, 지속시간은 30분이었고, 200℃~400℃에서 아르곤 가스를 사용하였다.
미세균열 확인
상기 실시예 1에 따라 분리된 박막의 미세균열 존재 여부를 광학현미경으로 관찰했다.
도 2의 (a)는 공정을 거쳐 최종적으로 만들어진 시편의 사진이다.
도 2의 (b)는 시편을 광학 현미경 700 배율로 찍은 사진이다.
최종적으로 만들어진 시편은 도 2의 (a)와 같이 플렉시블 기판 및 그 위에 형성된 시드층으로부터 분리된 것을 확인할 수 있다. 또한 700 배율의 광학현미경으로 시편을 관찰한 결과, 도 2의 (b)와 같이 균열이 존재하지 않는 것을 확인할 수 있었다.
이러한 결과에서, 실시예의 1의 방법으로 전해증착 박막을 분리하는 경우에 분리과정에서 균열이 발생하지 않는 것을 확인할 수 있으며, 이렇게 분리된 전해증착 박막에 대하여 물리적 특성을 측정하는 경우에 신뢰성이 높은 평가결과를 얻을 수 있다.
이하에서는 분리된 전해증착 박막의 물리적 특성 평가를 살펴본다.
증착 온도에 따른 평가
전해증착된 ZnTe 박막에 대한 전해증착 온도의 영향을 확인하기 위해, 전해액의 온도를 20℃, 40℃, 60℃, 80℃로 유지한 상태에서 실시예 1의 조건으로 전해증착하고, 시편을 확인하였다.
도 3는 ZnTe의 Zn 원자량의 비율을 나타낸 그래프이다. 도 3에 따르면, 온도에 따라 Zn의 원자량을 확인한 결과 Zn:Te의 원자량 비율이 1:1로 거의 일정한 것을 확인할 수 있다.
도 4는 증착 온도 별 시편의 색상변화와 SEM으로 촬영한 표면의 거칠기를 나타낸 사진이다. 도 4에 따르면, 박막의 색이 회색에서 적갈색으로 변화되는 것을 위쪽의 시편 사진으로 확인할 수 있다. 또한 증착 온도의 영향으로 ZnTe 박막 표면의 거칠기를 관찰하기 위해 SEM이 사용되었다. 일반적으로 색상이 흑색으로 갈수록 표면이 거칠어지지만, ZnTe 박막의 색상 변화는 거칠기와 비례하지 않는 것을 도 4 아래쪽의 SEM 사진을 통해 확인할 수 있다.
도 5은 ZnTe의 증착 온도 별 X-선 회절분석 그래프이다. 도 5에 따르면, ZnTe 박막의 색상의 변화는 증착 온도에 따른 화합물의 상 변화에 의해 발생한 것을 확인할 수 있다. 이는 20℃에서 나타난 ZnTe(111) 확장피크를 통해, 증착된 ZnTe 박막이 비정질임을 확인하였고, ZnTe(220)과 (311)피크가 60℃에서 발견되었다. 증착된 ZnTe 박막의 결정도는 전해액의 온도가 증가할수록 향상된 것을 확인할 수 있다.
도 6은 실시예 1로 구한 ZnTe의 전기 저항을 나타낸 그래프이다. 도 6에 따르면, 80℃에서 증착된 ZnTe 박막은 고 결정화에도 불구하고 높은 전기저항을 보여주었다. 이 결과로 전기저항을 줄이기 위해 도핑이 필요한 것을 확인할 수 있다.
ZnTe 박막은 증착 온도에 따라 화합물의 상변화로 인해 시편의 색상이 변하였고, 전해증착하는 동안 전해액의 온도가 증가할수록 박막의 결정도가 향상된 것을 확인할 수 있다. 결정도가 높은 박막의 경우, 전기저항이 높아서 도핑이 필요한 것을 확인할 수 있다.
Cu 도핑량에 따른 평가
실시예 1의 조건으로 ZnTe를 전해증착하는 과정에서 전해액에 Cu(NO3)2를 첨가하고, 실시예 1의 방법으로 분리한 시편에 대해 전기적 특성을 평가하여, Cu 도핑 효과를 측정하였다.
도 7은 Cu가 도핑 된 ZnTe 박막의 Zn와 Te의 구성 원자비율을 나타낸 그래프이다. 도 7에 따르면, ZnTe 박막에서 Cu의 도핑량이 증가할수록 Te의 원자량은 거의 일정한 반면에, Zn 원자량은 감소된 것을 확인할 수 있었다. Cu는 ZnTe 화합물 P형의 도펀트 중 하나이고, Zn과 Cu 는 치환반응을 보이는 것으로 확인할 수 있다.
도 8는 Cu가 도핑 된 ZnTe 박막의 X-선 회절분석 그래프이다. 도 8에 따르면, Cu의 도핑량이 증가하면 ZnTe(111)의 피크 강도는 감소하는 것을 알 수 있다. 그러나, ZnTe의 확장 피크는 발견되지 않았으며, Cu-Zn과 Cu-Te 및 Cu-Zn-Te 피크가 감지된 것을 확인할 수 있다.
도 9의 (a)는 Cu 도핑에 따른 전기 저항을 나타낸 그래프다. 도 9의 (b)는 Cu가 도핑 된 ZnTe의 전기적 성질을 나타낸 그림이다. 도 9의 (a)에 도시된 것과 같이, Cu 도핑의 양이 증가하면 전기 저항이 감소하였으며, 도 9의 (b)에서 Cu가 6.36%로 도핑된 P형보다 Cu가 24.6% 도핑된 P형의 전기 저항이 약 700배 낮은 것으로 나타났다. 또한 도 9의 (b)에서 Cu가 6.36%로 도핑된 P형보다 Cu가 24.6% 도핑 된 P형의 캐리어 농도가 더 높고 캐리어 이동성이 낮은 것을 확인할 수 있다.
이상에서, ZnTe 전해증착 과정에서 도핑된 Cu는 Zn과 치환되어 ZnTe 박막의 전기 저항을 낮추는 것을 확인할 수 있다.
ZnTe 박막의 전기저항은 실시예 1에서 물리적 손상 없이 전해증착 ZnTe 박막을 분리하였기 때문에 측정이 가능하였으며, 분리과정에서 균열이 발생한 경우에는 정확한 전기저항 값을 측정할 수 없었을 것이다.
열처리 온도에 따른 평가
실시예 2의 조건으로 전해증착 및 열처리를 수행한 ZnSe 박막을 실시예2의 방법으로 분리하여 전기적 특성을 평가함으로써, 열처리 온도에 따른 효과를 측정하였다.
도 10은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 X-선 회절분석 그래프이다. 도 10에 따르면, 결정의 안정성을 부여하기 위해 열처리를 수행한 ZnSe 박막은 X-선의 회절각도(2θ) 20-30° 사이에 ZnSe(111)피크가 나타나고, 열처리 온도가 증가함에 따라 ZnSe의 피크는 향상되었다.
도 11은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 Zn과 Se의 구성비율 그래프이다.
도 12는 ZnSe의 열처리 온도에 따른 전기저항을 나타낸 그래프이다.
도 13은 ZnSe의 열처리 온도에 따른 입자 결정 구조 SEM사진이다.
도 11에 따르면, Zn과 Se의 비율은 열처리 온도에 의존하지 않는 특징을 보인다. 하지만 열처리 온도가 감소할수록 전기저항이 증가하는 것을 도 12을 통해 확인할 수 있다. 또한 열처리 온도 별 측정을 통해 도 13에서 열처리 온도가 증가함에 따라 입자의 결정구조가 큰 것을 확인할 수 있다.
이상과 같이 본 실시예에 따라 분리된 박막은 균열 없기 때문에, 분리된 전해증착 박막에 대하여 전기적 특성을 측정하는 경우에 신뢰성이 높은 평가결과를 얻을 수 있었다.
또한, 이렇게 분리된 전해증착 박막에 대한 평가를 통해서, Zn 기반의 칼코게나이드계 박막을 전해증착하는 최적의 조건을 도출할 수 있음을 확인할 수 있었다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (14)

  1. 박막 분리용 플렉시블 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판 위에 전해증착법으로 박막을 증착하는 단계;
    상기 증착 된 박막 위에 레진을 붓는 단계; 및
    상기 박막을 상기 플렉시블 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하며,
    상기 분리하는 단계는, 상기 플렉시블 기판의 유연성을 이용하여 상기 박막이 부착된 레진과 상기 플렉시블 기판을 분리함으로써, 균열없이 상기 박막을 상기 플렉시블 기판으로부터 분리하는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 플렉시블 기판이 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 플렉시블 기판이 금속 포일인 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 레진이 비전도성 레진인 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 플렉시블 기판 표면에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 박막이 상기 시드층에 전해증착되는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 시드층을 형성하는 공정이 전해증착 또는 무전해증착으로 수행되는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 박막이 칼코지나이드계 박막인 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 플렉시블 기판 표면에 Au 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 플렉시블 기판이 Cu 포일이고, 상기 Au 시드층을 형성하는 단계가 전해증착 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 무균열 분리 방법.
  10. 청구항 1 내지 청구항 6 중에 어느 하나의 방법으로 전해증착된 박막을 분리하는 단계; 및
    상기 분리된 박막의 물리적 특성을 평가하는 단계를 포함하며,
    상기 분리하는 단계는, 플렉시블 기판의 유연성을 이용하여 상기 전해증착된 박막이 부착된 레진과 플렉시블 기판을 분리함으로써, 균열 없이 상기 전해증착된 박막을 상기 플렉시블 기판으로부터 분리하고,
    상기 평가하는 단계는 상기 레진에 부착된 상기 분리된 박막의 전기적, 자기적 및 광학적 특성 중 어느 하나 이상을 측정하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 물리적 특성 평가 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 박막이 칼코지나이드계 박막인 것을 특징으로 하는 전해증착 박막의 물리적 특성 평가 방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    플렉시블 기판 표면에 Au 시드층을 형성하고, 상기 Au 시드층의 표면에 상기 칼코지나이드계 박막을 전해증착하는 것을 특징으로 하는 포함하는 전해증착 박막의 물리적 특성 평가 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 플렉시블 기판이 Cu 포일이고, 상기 Au 시드층을 전해증착으로 형성하는 것을 특징으로 하는 포함하는 전해증착 박막의 물리적 특성 평가 방법.
  14. 삭제
KR1020130056133A 2013-05-20 2013-05-20 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법 KR101460236B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056133A KR101460236B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130056133A KR101460236B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101460236B1 true KR101460236B1 (ko) 2014-11-10

Family

ID=52287684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130056133A KR101460236B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101460236B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050007120A (ko) * 2003-07-10 2005-01-17 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 칼코겐화물 막의 용액 증착법
KR20110000744A (ko) * 2008-03-26 2011-01-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 다이오드 디바이스
KR101161301B1 (ko) * 2012-05-21 2012-07-04 한국기계연구원 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050007120A (ko) * 2003-07-10 2005-01-17 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 칼코겐화물 막의 용액 증착법
KR20110000744A (ko) * 2008-03-26 2011-01-05 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 다이오드 디바이스
KR101161301B1 (ko) * 2012-05-21 2012-07-04 한국기계연구원 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
논문2008 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Olusola et al. Growth and characterisation of n-and p-type ZnTe thin films for applications in electronic devices
Muhunthan et al. Growth of CZTS thin films by cosputtering of metal targets and sulfurization in H2S
Jeon et al. Formation and characterization of single-step electrodeposited Cu2ZnSnS4 thin films: Effect of complexing agent volume
Echendu et al. Electrochemical Deposition of CdTe Semiconductor Thin Films for Solar Cell Application Using Two‐Electrode and Three‐Electrode Configurations: A Comparative Study
Frari et al. Pulsed electrodeposition of (Bi 1-x Sb x) 2 Te 3 thermoelectric thin films
US20070232065A1 (en) Composition Control For Photovoltaic Thin Film Manufacturing
Echendu et al. Characterization of n-type and p-type ZnS thin layers grown by an electrochemical method
Ishizaki et al. Structural, optical and electrical properties of ZnTe thin films electrochemically deposited from a citric acid aqueous solution
KR101170681B1 (ko) Ｃｉｇｓ박막의 제조방법
EP2592656A1 (en) Photoelectric conversion element and solar cell comprising same
Lee et al. Highly dense and crystalline CuInSe2 thin films prepared by single bath electrochemical deposition
US8444842B2 (en) Electroplating methods and chemistries for deposition of group IIIA-group via thin films
Bamiduro et al. Synthesis and characterization of one-step electrodeposited CuIn (1− x) GaxSe2/Mo/glass films at atmospheric conditions
Mkawi et al. Influence of precursor thin films stacking order on the properties of Cu2ZnSnS4 thin films fabricated by electrochemical deposition method
Muhunthan et al. Interfacial properties of CZTS thin film solar cell
Mkawi et al. Influence of substrate temperature on the properties of electrodeposited kesterite Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) thin films for photovoltaic applications
Keikhaei et al. Fabrication of copper oxide thin films by galvanostatic deposition from weakly acidic solutions
US9410259B2 (en) Electrodeposition of gallium for photovoltaics
Azmi et al. Structural and optical annealing route-dependent properties of CZTS thin films grown by one-step electrodeposition with free annealing sulfurization for photovoltaic application
US20110186125A1 (en) Process for producing electrically conductive zinc oxide layered films and process for producing photoelectric conversion devices
Kondrotas et al. Investigation of selenization process of electrodeposited Cu–Zn–Sn precursor for Cu2ZnSnSe4 thin-film solar cells
KR20130053893A (ko) Ｃｉｇｓ 태양전지용 철-니켈 합금 금속 포일 기판재
KR101460236B1 (ko) 전해증착 박막의 무균열 분리 방법 및 물리적 특성 평가 방법
US20110186124A1 (en) Electrically conductive zinc oxide layered film and photoelectric conversion device comprising the same
KR101507255B1 (ko) 광전 변환 소자 및 그것을 구비한 태양 전지

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170901

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181101

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191001

Year of fee payment: 6