JP2005051183A - 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 - Google Patents
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- 239000011229 interlayer Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 50
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 2
- 244000132059 Carica parviflora Species 0.000 description 1
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素ガスにNH3を添加した混合ガスを導入してエッチングする。
【選択図】 図2
Description
上記低誘電率層間絶縁膜は、塗布によって、またはCVDによって成膜されたものであることが好ましい。
上記エッチングを1Pa以下の作動圧力で行うことが好ましい。1Paを超えると、ラジカル反応を抑制し難くなる。
本発明のドライエッチングプロセスに用いるエッチングガスとしては、フッ化炭素ガス(CnFm)を主エッチングガスとし、このフッ化炭素ガスに、総流量基準で10%以下の比率でNH3を添加した混合ガスを用いる。添加するNH3の下限値は、ホールやトレンチの底部の反応が促進され、所望の安定なエッチングレートが得られる値であればよく、例えば、安定な流量を供給できる限界値である1%以上であることが好ましい。フッ化炭素ガスとしては、例えば、C2F6、C3F8、C4F8、及びC5F8などから選択すればよい。
12 プラズマ発生部 13 基板電極部
S 基板
Claims (4)
- SiOCH或いはSiOC系材料からなる低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法において、
フッ化炭素ガスにNH3を添加した混合ガスを導入してエッチングすることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。 - 前記NH3を、混合ガス総流量基準で10%以下の比率で添加することを特徴とする請求項1記載の低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記低誘電率層間絶縁膜が、塗布によって、またはCVDによって成膜されたものであることを特徴とする請求項1または2記載の低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。
- 前記エッチングを1Pa以下の作動圧力で行うことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003284346A JP4681215B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003284346A JP4681215B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005051183A true JP2005051183A (ja) | 2005-02-24 |
JP4681215B2 JP4681215B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=34268979
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003284346A Expired - Fee Related JP4681215B2 (ja) | 2003-07-31 | 2003-07-31 | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4681215B2 (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001210627A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング方法、半導体装置及びその製造方法 |
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-
2003
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