JP2005051040A - 半導体装置の製造方法及び半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンからなる半導体ウェーハに対して最初に行なう熱処理として、第1の熱処理である650℃〜750℃の温度下で30分〜240分の熱処理を行ない、その後、第2の熱処理である900℃〜1100℃の温度下で30分〜120分の熱処理を行なう。また、第3の熱処理として、ゲート絶縁膜を形成する前に、昇温速度を8℃/分として窒素雰囲気で1000℃にまで昇温し、加熱温度を1000℃とし加熱時間を30分とする熱処理を行なう。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の実施形態について説明する。
以下、本発明の第1の実施形態の一変形例について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。
11A 析出核
11B ゲッタリングサイト
12 エピタキシャル層
110 金属不純物
Claims (11)
- シリコンからなる半導体基板を製造プロセスに受け入れた後、前記半導体基板に対して最初に行なう熱処理として、
650℃〜750℃の温度下で30分〜240分の第1の熱処理を行なう第1の工程と、
前記第1の工程の後に、900℃〜1100℃の温度下で30分〜120分の第2の熱処理を行なう第2の工程と備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1の熱処理及び前記第2の熱処理は、共に昇温速度が1℃/min〜8℃/minであり、降温速度が1℃/min〜60℃/minであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2の工程よりも後に、金属不純物がゲッタリングサイトにまで拡散するように前記半導体基板に対して第3の熱処理を行なう第3の工程と、
前記第3の工程よりも後に、前記半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を形成する第4の工程とをさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第3の工程において、前記第3の熱処理により、前記半導体基板の表面から1μm〜10μmの深さにバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトが形成され、
前記ゲッタリングサイトの密度は5×108 cm-3以上且つ5×1010cm-3以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の熱処理、第2の熱処理及び第3の熱処理におけるサーマルバジェットは、半導体装置の特性が維持される範囲に設定されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- シリコンからなる半導体基板の主面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を形成するよりも前に、前記半導体基板に対して、金属不純物がゲッタリングサイトにまで拡散するように熱処理を行なう第2の工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記熱処理により、前記半導体基板の表面から1μm〜10μmの深さにバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトが形成され、
前記ゲッタリングサイトの密度は5×108 cm-3以上且つ5×1010cm-3以下であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - シリコンからなる半導体基板であって、
前記半導体基板は、該半導体基板に対して最初に行なわれる熱処理である、650℃〜750℃の温度下で30分〜240分の第1の熱処理と、その後の900℃〜1100℃の温度下で30分〜120分の第2の熱処理とを施されることにより、前記半導体基板の表面から所定の深さに形成されたバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトを有し、
前記所定の深さは、金属不純物における前記ゲッタリングサイトへの拡散距離よりも小さいか等しいことを特徴とする半導体基板。 - シリコンからなる半導体基板であって、
前記半導体基板は、その上面に所定の厚さを持つエピタキシャル層が形成されており、
前記エピタキシャル層が形成された半導体基板は、該半導体基板に対して最初に行なわれる熱処理である、650℃〜750℃の温度下で30分〜240分の第1の熱処理と、その後の900℃〜1100℃の温度下で30分〜120分の第2の熱処理とを施されることにより、前記エピタキシャル層の下側に形成されたバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトを有し、
前記エピタキシャル層の厚さは、金属不純物における前記ゲッタリングサイトへの拡散距離よりも小さいか等しいことを特徴とする半導体基板。 - シリコンからなる半導体基板であって、
前記半導体基板は、その表面から所定の深さにバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトを有し、
前記所定の深さは、金属不純物の前記ゲッタリングサイトへの拡散距離よりも小さいか等しいことを特徴とする半導体基板。 - シリコンからなる半導体基板であって、
前記半導体基板は、その主面上に所定の厚さを持つエピタキシャル層が形成され、且つ前記エピタキシャル層の下側にバルク微小欠陥(BMD)層からなるゲッタリングサイトを有し、
前記エピタキシャル層の厚さは、金属不純物の前記ゲッタリングサイトへの拡散距離よりも小さいか等しいことを特徴とする半導体基板。
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