JP2005032416A - 抵抗性クロスポイントメモリセルアレイ内のメモリセルストリング - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリセルストリング内のメモリセル(12)からの読み出し動作を行うためのシステム及び方法を提供する。この方法は、メモリセルストリングに一定電流を加えるステップと、メモリセルストリングにかかる第1の電圧を測定するステップと、メモリセルを第1の状態に書き込むステップと、メモリセルストリングにかかる第2の電圧を測定するステップと、第1の電圧が第2の電圧と異なるか否かを判定するステップを含む。
【選択図】図4
Description
12 メモリストリング
70a、70b、70c、70d メモリセル
72 電流源
74 電流検出回路
Claims (10)
- データ記憶装置(8)であって、
直列に結合された第1のメモリセル(70a、70b、70c、70d)および第2のメモリセル(70a、70b、70c、70d)を含むメモリセルストリング(12)と、
前記ストリングに一定の電流を加えるように構成された電流源(72)と、
前記メモリセルストリングに結合される回路(74)であって、前記電流源が前記メモリセルストリングに前記一定の電流を加え、前記第1のメモリセルが第1の状態に書き込まれるのに応答して、前記メモリセルストリングにかかる電圧の変化を検出するように構成される、回路
とを備える、データ記憶デバイス。 - 前記メモリセルストリングは第1の端部および第2の端部を有し、前記電流源は該第1の端部に結合される、請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記メモリセルストリングの前記第2の端部に結合されるグランド源をさらに備える、請求項2に記載のデータ記憶装置。
- 前記回路は、前記メモリセルストリングにかかる前記電圧の変化を検出することに応答して、前記第1のメモリセルが、前記第1の状態に書き込まれる前に第2の状態であったことを検出するように構成される、請求項1に記載のデータ記憶装置。
- 前記回路は、前記メモリセルストリングにかかる前記電圧の変化を検出しないことに応答して、前記第1のメモリセルが、前記第1の状態に書き込まれる前に該第1の状態であったことを検出するように構成される、請求項1に記載のデータ記憶装置。
- データ記憶装置(8)であって、
並列に結合された第1のメモリセル(70a、70b、70c、70d)および第2のメモリセル(70a、70b、70c、70d)を含むメモリセルストリング(12)と、
前記ストリングに一定の電圧を印加するように構成された電圧源(92)と、
前記電圧源が前記メモリセルストリングに前記一定の電圧を印加し、前記第1のメモリセルが第1の状態に書き込まれるのに応答して、前記メモリセルストリングに流れる電流の変化を検出するための手段(94)
を備える、データ記憶装置。 - 前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルはそれぞれ、第1の端部と第2の端部とを有し、前記電圧源は、前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルそれぞれの前記第1の端部に結合される、請求項6に記載のデータ記憶装置。
- 前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルそれぞれの前記第2の端部に結合されるグランド源をさらに備える、請求項7に記載のデータ記憶装置。
- 前記手段は、前記メモリセルストリングに流れる前記電流の変化を検出することに応答して、前記第1のメモリセルが前記第1の状態に書き込まれる前に第2の状態であったことを検出するための手段である、請求項6に記載のデータ記憶装置。
- 前記手段は、前記メモリセルストリングに流れる前記電流の変化を検出しないことに応答して、前記第1のメモリセルが前記第1の状態に書き込まれる前に該第1の状態であったことを検出するための手段である、請求項6に記載のデータ記憶装置。
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