JP2004528472A - 蛍光体を含有するエポキシ成形材料およびその様な組成物の調製方法 - Google Patents
蛍光体を含有するエポキシ成形材料およびその様な組成物の調製方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】LED等の光電子素子を含む電子パッケージを封止するための成形材料を提供する。
【解決手段】本発明の成形材料は蛍光体材料を含有する部分硬化されたエポキシ組成物を含み、蛍光体材料はエポキシ組成物中に実質的に均一に分散されている。成形材料のB−ステージ化に先立ちエポキシ組成物を事前反応することで、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散させる。その場合、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散され、B−ステージ化の際のみならず封止工程で成形材料を硬化する際に蛍光体材料が沈降することを抑制する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の成形材料は蛍光体材料を含有する部分硬化されたエポキシ組成物を含み、蛍光体材料はエポキシ組成物中に実質的に均一に分散されている。成形材料のB−ステージ化に先立ちエポキシ組成物を事前反応することで、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散させる。その場合、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散され、B−ステージ化の際のみならず封止工程で成形材料を硬化する際に蛍光体材料が沈降することを抑制する。
【選択図】図1
Description
【技術分野】
【0001】
本発明はエポキシ成形組成物に関する。より詳細には、本発明は光放射装置用の光電子封止材として特に有用なエポキシ成形組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
エポキシ樹脂組成物は電子産業において電子パッケージ材料、特に、半導体素子および電子回路の封止材として広く利用されている。このため、エポキシ樹脂系組成物は電子パッケージ材料として利用される成形組成物を作製する際に広く利用されてきた。透明エポキシ成形組成物を光放射ダイオード(LED)等の光電子装置に関連する封止材として利用すること、電子産業において発光用途向けに利用することが良く知られている。
【0003】
LEDは、従来、AlGaAs及びInGaAlPを基礎材料とする多層エピタキシャル構造を有していた。その様なLEDは、一般的に、透明エポキシ組成物中に封止され、LEDからの光を効率良く透過するようドーム形とされるのが一般的である。
【0004】
LEDの様な光電子装置の封止に有益なエポキシ組成物としては液状組成物が必要な場合があり、液状組成物はLEDの周りに充填または注入され硬化される。加えて、部分硬化されたエポキシ組成物をLEDの封止に使用することもあり、この場合、エポキシ組成物は部分的に硬化されるか“ペレット”を形成するために“B−ステージ化”され、そして電子装置と共に成形型に移動されLEDを封止するために過熱および加圧される。
【0005】
更に最近では、GaN(窒化ガリウム)系半導体装置がUV/青色レーザー及びUV/青色LEDで使用されている。UV/青色LEDは電磁スペクトルの紫外(UV)領域、または青色領域、またはUV及び青色領域の何れにも光放射できるLEDである。LEDからのUV/青色光は蛍光体を使用して可視白色光に変換でき、一般的に蛍光体がLEDの表面に塗布されエポキシ封止材で封止される。
【0006】
Liuによる米国特許第5,886,401号で開示されるLEDの構造はLEDを封止するための透明エポキシ組成物を含んでおり、そのエポキシ化合物の外表面に被覆された蛍光体層を含んでいる。加えて、この様な配置の場合、エポキシ及び蛍光体の分離層を形成する工程が必要なため、更なる製造時間および費用が生じる。
【0007】
McElhaneyらによる米国特許第5,149,971号では、光学的に透明なエポキシ体および、そのエポキシ体の一方の表面側に密着された蛍光体微粒子を含むシンチレータ部品が開示されている。蛍光体微粒子は非硬化の状態で液状エポキシと混合され、液状エポキシを収容する成形型の底表面に沈降する。液状エポキシを硬化する際に、蛍光体微粒子がエポキシの一方の表面に被覆される。
【0008】
Vriensらによる米国特許第5,813,753号では、容器の窪みに配置されたUV/青LEDを含む発光用途で使用されるLEDが開示されており、その容器は光を透過する脂環式エポキシ封止材で充填されており、その封止材中に蛍光体微粒子が分散されているかLEDの表面に接着されている。その様な脂環式エポキシ封止材を電子部品を封止する液状エポキシ組成物として使用することは良く知られている。しかしながら、その様な脂環式エポキシ組成物は、特有の高い反応性のために、B−ステージ化できない。更に、粘度が低いために、硬化中は液状組成物から蛍光体微粒子が沈降するのが一般的であり、このため、硬化後の封止材中において蛍光体の分散が不均一となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
以上より、蛍光体の実質的に均一な分散を実現でき、成形組成物として製造および使用が簡便で、LED用の光電子封止材として好適に使用される成形組成物を提供することは有益と考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、エポキシ成分および無水物成分の反応生成物を含むエポキシ組成物と;可視光放射蛍光体材料とを含み、その蛍光体材料は成形材料中に実質的に均一分散されている成形材料に関与する。
【0011】
更なる様態において、本発明はLEDの様な電子素子用封止材に関与し、蛍光体材料が実質的に均一分散された部分硬化エポキシ組成物の反応生成物である成形材料を含む。その成形材料の平均分子量は約5,000から約20,000である。好ましくは、その成形材料はエポキシ組成物および蛍光体材料の部分硬化混合物をB−ステージ化して調製され、部分硬化混合物はエポキシ組成物を増粘するために事前に部分硬化され均一混合物を混合する際に蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散する。
【0012】
更なる様態において、本発明は封止材の調製方法に関与し、エポキシ化合物を含むエポキシ組成物を供給する工程と、エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を混合して、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程とを含む。均一混合物の粘度は、反応前中間物を作製するためにエポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持して増加される。この工程は、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持できる初期粘度となるまでエポキシ組成物を部分硬化することで実現できる。そして、反応前中間物をB−ステージ化し、エポキシ組成物を部分硬化して、成形材料を作製する。
【0013】
更なる様態において、本発明は封止材の調製方法に関与し、エポキシ成分および無水物成分を含むエポキシ組成物を供給する工程と、エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を約105℃から約110℃の温度で混合して、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程とを含む。この混合物を約60℃から約65℃の温度に冷却し、無水物成分との反応のために多価アルコールを混合物に加える。混合物を約70℃から約80℃で約10分から約30分の間昇温し、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持して混合物を増粘し、反応前中間物を作製する。この反応前中間物を約65℃の温度でB−ステージ化し、蛍光体材料が均一に分散された成形材料を作製する。
【0014】
更に、本発明は光電子装置の封止方法に関与し、光電子装置および可視光放射蛍光体材料が均一混合された部分硬化エポキシ組成物を含む成形材料を供給する工程と、光電子装置を成形材料で封止する工程を含み、その後エポキシ組成物を完全硬化する。
【0015】
更なる様態において、本発明はLED及びLEDの周囲の封止材を含む光電子装置を含み、その封止材は蛍光体材料が実質的に均一分散された硬化エポキシ組成物の反応生成物の形態である。
【発明の効果】
【0016】
本発明は組成物に関与し、特に、LED等の光電子素子を含む電子パッケージの封止に例えば有用な封止材に関与する。本発明の封止材は蛍光体材料が均一に分散された部分硬化エポキシ組成物を含む。部分硬化エポキシ組成物中に蛍光体材料を供給することで、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散でき実質的に均一に分散させることができる。この結果、封止工程において、硬化の際に蛍光体材料が沈降することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
既述の通り、本発明の成形材料はエポキシ組成物を含んでいる。そのエポキシ組成物は、既に知られている通り、LEDより放射される光を透過でき実質的に透明なエポキシ組成物である。好ましい応用例では、本発明の成形材料で使用されるエポキシ組成物は環状2価塩基酸の無水物およびエポキシ含有化合物の反応生成物である。
【0018】
本発明で使用される環状無水物成分は、好ましくは、ヘキサヒドロフタル酸無水物(HHPA)の様な脂環式無水物である。テトラヒドロフタル酸無水物およびフタル酸無水物の様な他の関連する無水物をヘキサヒドロフタル酸無水物と共存させる場合もあるが、環状酸無水物の総量の25%を超えない範囲とされ、例えば5から25%で最良の結果となる。
【0019】
エポキシ成分としては、B−ステージ化が可能な熱硬化性エポキシ樹脂は何れも使用できるが、更に詳細に説明する。固形エポキシ樹脂が特に好ましく、3価または多価反応性エポキシ樹脂が特に好ましい。ビスフェノールA又はF、テトラメチル及び/又はビフェニル、及びエピクロロヒドリン、ノボラック等から誘導される固形エポキシ樹脂を含み、有用なエポキシ樹脂に限定はない。イソシアヌル酸トリグリシジル(TGIC)が特に好ましい。特に有用なものの例としてはイソシアヌル酸トリス(2,3−エポキシ−プロピル)を挙げることができ、日産化学工業より商品名TEPIC(登録商標)で販売されている。
【0020】
環状無水物成分およびエポキシ成分の反応を促進するためには、無水物を開環しなければならない。この開環反応の進行を助けるために各種の反応材をエポキシ組成物に組入れることができる。その様な開環は、例えば、水などの活性水素の存在、または水酸基、またはルイス塩基により達成できる。好ましい応用例としては、無水物の開環を促進しエポキシ組成物の硬化を促進するために、多価アルコールをエポキシ組成物に組入れる。多価アルコールは、炭素が3から6個で水酸基が2から4個、好ましくは3個の低級脂肪族多価アルコールでなければならないが、成形材料の特性に悪影響を与えないのであれば、少量の他の多価アルコールを加える場合もある。使用することが特に好ましい多価アルコールはグリセロール及びトリメチロールプロパン(TMP)で、単独または混合して使用する。他の多価アルコールは少量使用され、一般に多価アルコール成分の25%より少なく、例えば5から25%である。この様な多価アルコールの中には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール及びジプロピレングリコールがある。これらの多価アルコール又はその一部の置換体として適当なものはプロポキシル化ペンタエリスリトールで、分子量約400のテトラオールであり、PeP−450の名前で販売されている。このプロポキシル化ペンタエリスリトールを少量使用する場合があり、一般に、多価アルコール成分、好ましくは水酸基成分の5から25%に限られる。“補助”多価アルコールを選択する際には、室温または比較的低温で液体のものを使用することが最も好ましい場合が多い。しかしながら、多価アルコール成分に対して少量であれば、ペンタエリスリトール等の比較的高融点のものも好ましく使用する場合がある。
【0021】
各種の反応剤は本質的に純品で95%を超える純度であり、好ましくは99%を超える純度、最も好ましくは99.9から100%の純度である。もちろん、これらは無色透明であるべきであり、水が含まれることは避けられるべきである。
【0022】
成形材料を作製するための反応および引続いて行なう成形材料の硬化は触媒を使用することなく進行する場合もあるが、反応を加速するために触媒の使用が有用な場合もある。比較的狭い範囲の触媒、炭素数8から18の脂肪酸のスズ石鹸が、成形材料および硬化終了後の製品の透明および無色な性質、および他の好ましい特性を損なうことなく、触媒作用を発揮する。
【0023】
酸無水物およびエポキシを含む反応物以外に、開環のための多価アルコール及び必要に応じてスズ石鹸触媒を使用するが、硬化後のポリマーの透明性および他の特性を確実に維持できるように、成形材料のエポキシ組成物中に他の材料が多量に存在することを避ける。特定の好ましい効果を有する補助剤を少量使用することもできる。例えば、離型剤を使用する場合がある。離型剤の中でも、成形型から製品を簡単にはずすことができるようになることから、炭素数12から20の高級脂肪酸または低級アルコール(炭素数1から3)のエステルで、好ましくは飽和しているもの、最も好ましくはステアリン酸またはステアリン酸メチルを使用する。
【0024】
既述の通り、エポキシ組成物に加えて、本発明の成形材料中には更に蛍光体材料が分散している。蛍光体材料はLEDから放射された光を可視白色光に変換する。蛍光体材料としては、単色(広帯域、狭帯域または多重線、例えば、赤、緑、青、黄、又は白)を変換および放射できるものや、良好な色彩表現を得るために異なった色を変換および放射できる蛍光体材料の混合物を使用できる。特に好ましい応用例としては、本発明の成形材料をUV及び/又は青色光を伝送できるLEDで使用するが、蛍光体材料は、その様なUV及び/又は青色光を可視白色光、特に、約400から800nmの可視白色光の既知の領域の波長を有する光に変換できるものである。蛍光体材料は微粒子または粒子状の形状のものが好ましく、この様な蛍光体材料はエポキシ組成物と混合でき、更に詳細に以下の様に好ましい。
【0025】
既述の通り、蛍光体材料は、UV又は青色LEDと組合わせた際に所望の光放射を行なう既知の何れの蛍光体の中からでも選ぶことができる。例えば、従来技術で既に知られている様に、黄色蛍光体は青色LEDと使用することで白色光を生成するために使用できる。特に好ましい蛍光体の例としてはイットリウム・アルミニウム・ガーネット(“YAG”)黄色蛍光体で、約575nmに放射ピークを有する。この様な蛍光体は465nmに放射ピークを有するInGaN系青色LEDと組合わせて可視白色光を生成する際に特に有益である。
【0026】
成形材料中の各種成分の比率は、酸無水物のモノエステルが生成され、無水物−多価アルコール反応の結果、イソシアヌル酸トリグリシジルのグリシジル成分が酸成分と反応するようにする。当然、この反応において、多価アルコールの分子は無水物由来と考えられるカルボキシル基とも反応する可能性があり、または異なる多価アルコール分子由来の多価アルコール水酸基がカルボキシル基と反応する場合もある。同様に、イソシアヌル酸トリグリシジルの1つ以上のグリシジル成分が無水物カルボキシル基と反応するときもあり、場合によっては、その様な反応の方が、無水物が多価アルコールと反応する前に有効となるときもある。しかしながら、ほとんどの場合、はじめに記載した反応が進行すると考えられ、多価アルコールは酸無水物と反応してモノエステルが生成され、イソシアヌル酸トリグリシジルのグリシジル成分が前の反応で生成された未反応のカルボン酸成分と反応する。この様な反応は、3種類が同時に進行した場合でも有効と考えられる。
【0027】
好ましくは、成形材料は、成形材料の総重量に対して約20重量%から約75重量%のエポキシ含有化合物を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約30重量%から約40重量%のエポキシ含有化合物を含有し;成形材料の総重量に対して約20重量%から約75重量%の酸無水物を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約45重量%から約55重量%の酸無水物を含有し;成形材料の総重量に対して約5重量%から約20重量%の多価アルコールを含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約5重量%から約10重量%の多価アルコールを含有し;そして成形材料の総重量に対して約0.5重量%から約20重量%の蛍光体材料を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約5重量%から約12重量%の蛍光体材料を含有する。加えて、離型剤を成形材料に組み込む場合は、その様な離型剤を好ましくは成形材料の総重量に対して約0.1重量%から約2重量%供給する。
【0028】
既述の通り、蛍光体材料は、実質的に均一に成形材料中に分散される。この様に蛍光体材料を均一に分散させることは、光電子素子上の封止材を硬化する際に蛍光体材料が沈降することを防ぐ上で重要であり、蛍光体材料が沈降すると封止材を通しての光放射の程度が一貫性に欠けたものとなる。しかしながら、成形材料を最終的に硬化している最中や、成形材料を事前に作製する場合で成形材料をB−ステージ硬化している最中に蛍光体材料が沈降するため、成形材料中に蛍光体材料を均一に分散させることが困難なことがある。この様な沈降は、その様な蛍光体材料に伴う比重のみならず、成形材料中で使用される一般的なエポキシ組成物の粘度が低いためだと考えられる。
【0029】
本発明においては、攪拌を継続したり、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散させて反応前中間物を作製することで、エポキシ組成物中に蛍光体材料を均一に分散させた状態を維持しながらエポキシ組成物の粘度を増加させることにより、蛍光体材料をエポキシ組成物中に実質的に均一に分散させることができることを見出した。この場合、成形材料は反応前中間物などの反応生成物として提供される。
【0030】
より好ましくは、本発明の成形材料の調製はエポキシ組成物に蛍光体材料を事前に混合し均一混合物を得る工程を含み、エポキシ組成物中に蛍光体材料が実質的に一様に分散される。この工程は、エポキシ化合物、無水物成分、および蛍光体材料を組合わせ混合することで行なわれる。好ましくは、この様な混合は、約80℃から約140℃で行なわれ、より好ましくは約105℃から約110℃であり、約20分の時間である。この混合工程の間に、重要な反応は起こらない。
【0031】
そして調製された混合物は約45℃から約85℃に冷却され、好ましくは60℃から約65℃である。そして多価アルコールが調製された混合物に、例えば、混合羽根を用いることで混合を続けながら添加される。多価アルコールを添加することにより無水物の反応が開始されると考えられ、半酸/半エステルが生成される。混合温度を約70℃から約80℃の間に約10から30分の時間上昇し、原料の混合を続ける。この間、エポキシ組成物の硬化が始まり、混合物の粘度がゆっくりと上昇する。エポキシ組成物の部分硬化に起因するこの様な粘度の上昇により、部分硬化されたエポキシ組成物中に蛍光体材料が分散される。この初期の部分硬化の最中に、組成物の粘度は75℃で約300から900センチポアズ(cps)に上昇する。この様にして、反応前中間物が作製される。好ましくは、この中間生成物は約300から1,000の重量平均分子量を有する。
【0032】
反応前中間物の粘度は、反応前中間物に組み込まれる蛍光体材料の量のみならず、蛍光体材料の粒子径および表面処理に影響されることを既に述べた。例えば、組成物の総量に対して約12重量%の蛍光体材料を含有している本発明による反応前中間生成物の場合、75℃で20分加熱することで、約600から800cpsの粘度を達成できる。組成物中に組み込まれる蛍光体材料を含有していない同様のエポキシ組成物の場合、75℃で20分の同様の加熱条件で、約400cpsの粘度を達成できる。よって、蛍光体材料を含有することで、より短時間で組成物の粘度上昇を達成できる。
【0033】
成形材料を作製するために、この中間生成物を更に部分硬化する。好ましくは、組成物をB−ステージ化するための細管または型に反応中間物を移送する。組成物をB−ステージ化することで、比較的低温でエポキシ組成物を重合して引続き行なわれる成形封止工程の際に成形時間を迅速なものとでき、安定な成形材料(室温で数ヶ月間安定)を作製することができ、この成形材料は、引続き行なわれる成形封止工程で短い硬化時間で十分に成形できる。B−ステージ化は50℃から100℃の温度領域で有効で、より好ましくは60℃から80℃、最も好ましくは約65℃で、触媒を使用しない場合、30分から24時間、より好ましくは4から10時間である。触媒を使用する場合、この時間を1/4から2/3に短縮できることがある。
【0034】
典型的な場合、B−ステージ化は、従来技術で良く知られている試験方法により約30から約50インチの旋回流が達成されるまで継続する。その様なB−ステージ化を行なうことにより、エポキシ組成物中のエポキシ成分が約40から60%反応した成形材料を得る。そして、引続き行なわれる成形操作において迅速に硬化できるように、成形材料を十分に重合する。B−ステージ化後、適当な粒子径の範囲、例えば1/16インチから1/4インチの直径に樹脂の大きさを減少させることもある。または、適当な大きさの型の中で前成形の形状にB−ステージ化することもでき、型から取出し後、直接使用できる。この方法の場合、成形材料は型の形状を有しており、ペレットの様な、封止工程などで後に加熱する際に安定な生成物を作製できる。
【0035】
エポキシ組成物の部分硬化の結果、成形材料は約5,000から約20,000の重量平均分子量を有している。この様な際には、中間生成物の反応生成物は成形材料を表し、それ自身が均一に分散され蛍光体材料を含有し部分硬化されたエポキシ組成物である。更に、一様に分散された蛍光体材料を含有する前反応中間生成物でB−ステージ化されるため、最終成形材料は、成形組成物中に実質的に均一に分散された蛍光体材料を含有する。
【0036】
既述の通り、本発明の成形材料はペレットの様な実質的に固体の形状で提供される。例えばトランスファー圧縮成形法で使用されるペレットの様な形状で提供される成形材料は従来技術で良く知られており、典型的な場合、エポキシ組成物が部分的に反応され部分硬化された反応生成物を作製するためのエポキシ含有化合物を含む。部分的に反応された構造の成形材料中に蛍光体材料を組み込むことにより、蛍光体材料を成形材料の構造中に一様に保持できる。この結果、封止の際に成形材料を最終硬化する間、蛍光体材料が成形材料中に実質的に均一に分散された状態を保持でき、結果として、完全硬化された封止材が封止材の構造中に一様および均質に分散された蛍光体材料を含有する封止された電子素子を実現できる。
【0037】
本成形材料は、成形材料をB−ステージ化可能で実施できる利点を有する。脂環式エポキシ樹脂が封止材として有用であることは良く知られているが、これらは液状であるためHHPAと共にB−ステージ化できない。無水物、多価アルコール、および脂環式樹脂間の初期反応は架橋されたペレットを生成するが、このペレットは加熱しても流動しないため、本発明の成形材料としては有益ではない。
【0038】
更に本発明によれば、この様な成形材料を使用して光電子装置を封止する方法が提供される。この様な方法においては、LEDの様な光電子装置が、特に硬化エポキシ組成物と一様に混合され均一に分散された蛍光体材料を含有する成形材料と共に提供される。LEDは成形材料により封止され、エポキシ組成物は完全に硬化される。
【0039】
更に典型的な場合、調製された成形材料を使用する成形工程は既知の方法により行なうことができ、これらの方法は事前成形法の利用およびトランスファー成形法または圧縮成形法を含み、高分子が最終構造に熱硬化される。主に本発明の成形材料はトランスファー成形法を念頭としている。硬化後、完成された製品が型より取り出され、その様な離型は冷却を必要とせず終了直後に行なわれる。内包されたものを包み、補強し、堅くし及び/又は絶縁するために普通ポリマーが使用され、その様なポリマーは硬化工程の際に型に配置される。成形は短時間で達成され、短い場合で45秒、普通は1から5分で、約130℃から175℃の温度範囲であり、好ましくは140℃から160℃である。成形圧力(トランスファー成形法の場合)は広範囲が可能であるが、普通は300から2,000ポンド/平方インチの範囲である。
【0040】
本発明の最も重要な応用例は光放射電子装置に関係し、光放射電子装置は、成形前または微粒子状成形材料が利用される操作において硬化された組成物により被覆され安定化され、および保護される。しかしながら、高分子および成形材料は、その様な用途分野に限定されることなく、構造材料、プリント回路基板、製陶材料、封止材、絶縁材などの、より一般的な用途を見出すことができる。
【0041】
更に本発明によれば、光放射ダイオードの周囲が封止された光放射ダイオードの形式の光電子装置が提供される。封止材は、上述の様にエポキシ組成物中に実質的に均一に分散する蛍光体材料を含有する硬化されたエポキシ組成物の反応生成物である。その様な光電子装置を図1に一般的に描写した。
【0042】
図1は光電子装置10を描写しており、封止材50により封止されたLED20を含んでいる。LED20としては、従来知られている何れのLEDも使用できる。例えば、LED20は多層構造を有するLED積層体が好ましく、従来技術で知られている様に上層のオーム接触層および下層のオーム接触層を有する。LED20は、鏡などの反射表面32を含む反射カップ30の中に配置される。反射カップ30はLED20の下層オーム接触層と電気的接続されている。
【0043】
光電子装置10は更にリード配線42及び44を有している。リード配線42は反射カップ30を介してLED20の下層オーム接触層と電気的接続されており、リード配線44は例えば接合配線46を介してLED20の上層オーム接触層と電気的接続されている。
【0044】
光電子装置10は更に周囲を封止する封止材50及びLED20を含んでいる。封止材50は蛍光体材料を含む硬化されたエポキシ組成物の反応生成物を含んでおり、既に述べた通り、蛍光体材料はエポキシ組成物中に実質的に均一に分散されている。封止材50はLED20を取囲んでおり、LED20と比較して比較的大きいドーム形の形状に成形されている。成形材50は、従来技術で知られているトランスファー成形法によりLED20の周囲に形成される。
【0045】
リード配線42及び44により電流を供給することでLED20を活性化すると、LED20からUV及び/又は青色光などの光が放射される。その様な光は封止材50中の蛍光体材料により可視光に変換される。エポキシ組成物中に実質的に均一に分散する蛍光体材料を封止材50が含有するため、光は封止材50中で実質的に均一に変換され分散され、この結果、光電子装置からの可視光の一様な放射を実現する。
【0046】
本発明は更に以下の実施例により例示され、実施例は本発明の成形材料の調製のみならず、従来の組成物による成形材料との比較も明示している。実施例中および明細書の他の箇所および特許請求の範囲で特記しない場合は、全ての部および%は重量によるものであり、温度は摂氏、圧力は大気圧またはその近傍である。
【実施例】
【0047】
(実験例1)
以下の組成を有する成形材料を調製した。
【0048】
【表1】
【0049】
上記の成分を混合し、混合物をB−ステージ化用の成形用トレーに投入した。65℃の温度で約17時間の間、混合物を加熱することでB−ステージ化を完了し、従来技術で良く知られた標準的な試験方法により30から50インチの旋回流が達成されるまで行なった。B−ステージ化後、作製された成形体について、上部、中部、および底部の蛍光体材料の含有量を成形体の位置に応じて分析した。成形体を分析した結果、蛍光体材料の含有量は、上部で11.3%、中部で11.4%、底部で11.6%であった。
【0050】
(実験例2)
先の実験例1と同一の成分の組成を有する成形材料を調製した。しかしながら、実験例2の組成物の場合、イソシアヌル酸トリグリシジル、ヘキサヒドロフタル酸無水物およびステアリン酸成分を蛍光体と液体反応用容器で105℃から110℃で攪拌しながら混合した。混合物を約60℃から65℃に冷却し、そしてグリセリンを添加した。混合物の温度を20分で約75℃に上昇し、混合羽根を用いて成分を連続的に混合した。20分後、組成物の粘度は75℃で約750cpsであった。
【0051】
そして、混合物をB−ステージ化用の成形用トレーに移送した。30から50インチの旋回流が達成されるまで、65℃の温度で約17時間の間、混合物を加熱することで実験例1と同様の方法でB−ステージ化を完了した。B−ステージ化後、作製された成形体について、上部、中部、および底部の蛍光体材料の含有量を成形体の位置に応じて分析した。成形体を分析した結果、蛍光体材料の含有量は、上部、中部、底部のそれぞれで11.9%であった。
【0052】
実験例1及び2の結果を比較するとで、B−ステージ化に先立ち蛍光体をエポキシ化合物中に分散するために事前反応を行なったサンプルの場合、その様な事前反応を行なわなかったサンプルと比較して、蛍光体が均一に分散することが明示される。
【0053】
上述の実験例は、本発明の成形材料および方法を、制限することなく具体的に説明するものである。以上で記載した本発明を多くの方法で変形させることは当業者にとっては自明である。この様な変形は本発明の考え方および視野から逸脱したものとは考えられず、その様な変形の全てが請求項の視野に含まれるよう意図されている。
【図面の簡単な説明】
【0054】
【図1】本発明の光電子装置の模式図である。
【0001】
本発明はエポキシ成形組成物に関する。より詳細には、本発明は光放射装置用の光電子封止材として特に有用なエポキシ成形組成物に関する。
【背景技術】
【0002】
エポキシ樹脂組成物は電子産業において電子パッケージ材料、特に、半導体素子および電子回路の封止材として広く利用されている。このため、エポキシ樹脂系組成物は電子パッケージ材料として利用される成形組成物を作製する際に広く利用されてきた。透明エポキシ成形組成物を光放射ダイオード(LED)等の光電子装置に関連する封止材として利用すること、電子産業において発光用途向けに利用することが良く知られている。
【0003】
LEDは、従来、AlGaAs及びInGaAlPを基礎材料とする多層エピタキシャル構造を有していた。その様なLEDは、一般的に、透明エポキシ組成物中に封止され、LEDからの光を効率良く透過するようドーム形とされるのが一般的である。
【0004】
LEDの様な光電子装置の封止に有益なエポキシ組成物としては液状組成物が必要な場合があり、液状組成物はLEDの周りに充填または注入され硬化される。加えて、部分硬化されたエポキシ組成物をLEDの封止に使用することもあり、この場合、エポキシ組成物は部分的に硬化されるか“ペレット”を形成するために“B−ステージ化”され、そして電子装置と共に成形型に移動されLEDを封止するために過熱および加圧される。
【0005】
更に最近では、GaN(窒化ガリウム)系半導体装置がUV/青色レーザー及びUV/青色LEDで使用されている。UV/青色LEDは電磁スペクトルの紫外(UV)領域、または青色領域、またはUV及び青色領域の何れにも光放射できるLEDである。LEDからのUV/青色光は蛍光体を使用して可視白色光に変換でき、一般的に蛍光体がLEDの表面に塗布されエポキシ封止材で封止される。
【0006】
Liuによる米国特許第5,886,401号で開示されるLEDの構造はLEDを封止するための透明エポキシ組成物を含んでおり、そのエポキシ化合物の外表面に被覆された蛍光体層を含んでいる。加えて、この様な配置の場合、エポキシ及び蛍光体の分離層を形成する工程が必要なため、更なる製造時間および費用が生じる。
【0007】
McElhaneyらによる米国特許第5,149,971号では、光学的に透明なエポキシ体および、そのエポキシ体の一方の表面側に密着された蛍光体微粒子を含むシンチレータ部品が開示されている。蛍光体微粒子は非硬化の状態で液状エポキシと混合され、液状エポキシを収容する成形型の底表面に沈降する。液状エポキシを硬化する際に、蛍光体微粒子がエポキシの一方の表面に被覆される。
【0008】
Vriensらによる米国特許第5,813,753号では、容器の窪みに配置されたUV/青LEDを含む発光用途で使用されるLEDが開示されており、その容器は光を透過する脂環式エポキシ封止材で充填されており、その封止材中に蛍光体微粒子が分散されているかLEDの表面に接着されている。その様な脂環式エポキシ封止材を電子部品を封止する液状エポキシ組成物として使用することは良く知られている。しかしながら、その様な脂環式エポキシ組成物は、特有の高い反応性のために、B−ステージ化できない。更に、粘度が低いために、硬化中は液状組成物から蛍光体微粒子が沈降するのが一般的であり、このため、硬化後の封止材中において蛍光体の分散が不均一となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
以上より、蛍光体の実質的に均一な分散を実現でき、成形組成物として製造および使用が簡便で、LED用の光電子封止材として好適に使用される成形組成物を提供することは有益と考えられる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、エポキシ成分および無水物成分の反応生成物を含むエポキシ組成物と;可視光放射蛍光体材料とを含み、その蛍光体材料は成形材料中に実質的に均一分散されている成形材料に関与する。
【0011】
更なる様態において、本発明はLEDの様な電子素子用封止材に関与し、蛍光体材料が実質的に均一分散された部分硬化エポキシ組成物の反応生成物である成形材料を含む。その成形材料の平均分子量は約5,000から約20,000である。好ましくは、その成形材料はエポキシ組成物および蛍光体材料の部分硬化混合物をB−ステージ化して調製され、部分硬化混合物はエポキシ組成物を増粘するために事前に部分硬化され均一混合物を混合する際に蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散する。
【0012】
更なる様態において、本発明は封止材の調製方法に関与し、エポキシ化合物を含むエポキシ組成物を供給する工程と、エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を混合して、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程とを含む。均一混合物の粘度は、反応前中間物を作製するためにエポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持して増加される。この工程は、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持できる初期粘度となるまでエポキシ組成物を部分硬化することで実現できる。そして、反応前中間物をB−ステージ化し、エポキシ組成物を部分硬化して、成形材料を作製する。
【0013】
更なる様態において、本発明は封止材の調製方法に関与し、エポキシ成分および無水物成分を含むエポキシ組成物を供給する工程と、エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を約105℃から約110℃の温度で混合して、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程とを含む。この混合物を約60℃から約65℃の温度に冷却し、無水物成分との反応のために多価アルコールを混合物に加える。混合物を約70℃から約80℃で約10分から約30分の間昇温し、エポキシ組成物中に蛍光体材料が分散された状態を保持して混合物を増粘し、反応前中間物を作製する。この反応前中間物を約65℃の温度でB−ステージ化し、蛍光体材料が均一に分散された成形材料を作製する。
【0014】
更に、本発明は光電子装置の封止方法に関与し、光電子装置および可視光放射蛍光体材料が均一混合された部分硬化エポキシ組成物を含む成形材料を供給する工程と、光電子装置を成形材料で封止する工程を含み、その後エポキシ組成物を完全硬化する。
【0015】
更なる様態において、本発明はLED及びLEDの周囲の封止材を含む光電子装置を含み、その封止材は蛍光体材料が実質的に均一分散された硬化エポキシ組成物の反応生成物の形態である。
【発明の効果】
【0016】
本発明は組成物に関与し、特に、LED等の光電子素子を含む電子パッケージの封止に例えば有用な封止材に関与する。本発明の封止材は蛍光体材料が均一に分散された部分硬化エポキシ組成物を含む。部分硬化エポキシ組成物中に蛍光体材料を供給することで、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散でき実質的に均一に分散させることができる。この結果、封止工程において、硬化の際に蛍光体材料が沈降することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
既述の通り、本発明の成形材料はエポキシ組成物を含んでいる。そのエポキシ組成物は、既に知られている通り、LEDより放射される光を透過でき実質的に透明なエポキシ組成物である。好ましい応用例では、本発明の成形材料で使用されるエポキシ組成物は環状2価塩基酸の無水物およびエポキシ含有化合物の反応生成物である。
【0018】
本発明で使用される環状無水物成分は、好ましくは、ヘキサヒドロフタル酸無水物(HHPA)の様な脂環式無水物である。テトラヒドロフタル酸無水物およびフタル酸無水物の様な他の関連する無水物をヘキサヒドロフタル酸無水物と共存させる場合もあるが、環状酸無水物の総量の25%を超えない範囲とされ、例えば5から25%で最良の結果となる。
【0019】
エポキシ成分としては、B−ステージ化が可能な熱硬化性エポキシ樹脂は何れも使用できるが、更に詳細に説明する。固形エポキシ樹脂が特に好ましく、3価または多価反応性エポキシ樹脂が特に好ましい。ビスフェノールA又はF、テトラメチル及び/又はビフェニル、及びエピクロロヒドリン、ノボラック等から誘導される固形エポキシ樹脂を含み、有用なエポキシ樹脂に限定はない。イソシアヌル酸トリグリシジル(TGIC)が特に好ましい。特に有用なものの例としてはイソシアヌル酸トリス(2,3−エポキシ−プロピル)を挙げることができ、日産化学工業より商品名TEPIC(登録商標)で販売されている。
【0020】
環状無水物成分およびエポキシ成分の反応を促進するためには、無水物を開環しなければならない。この開環反応の進行を助けるために各種の反応材をエポキシ組成物に組入れることができる。その様な開環は、例えば、水などの活性水素の存在、または水酸基、またはルイス塩基により達成できる。好ましい応用例としては、無水物の開環を促進しエポキシ組成物の硬化を促進するために、多価アルコールをエポキシ組成物に組入れる。多価アルコールは、炭素が3から6個で水酸基が2から4個、好ましくは3個の低級脂肪族多価アルコールでなければならないが、成形材料の特性に悪影響を与えないのであれば、少量の他の多価アルコールを加える場合もある。使用することが特に好ましい多価アルコールはグリセロール及びトリメチロールプロパン(TMP)で、単独または混合して使用する。他の多価アルコールは少量使用され、一般に多価アルコール成分の25%より少なく、例えば5から25%である。この様な多価アルコールの中には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール及びジプロピレングリコールがある。これらの多価アルコール又はその一部の置換体として適当なものはプロポキシル化ペンタエリスリトールで、分子量約400のテトラオールであり、PeP−450の名前で販売されている。このプロポキシル化ペンタエリスリトールを少量使用する場合があり、一般に、多価アルコール成分、好ましくは水酸基成分の5から25%に限られる。“補助”多価アルコールを選択する際には、室温または比較的低温で液体のものを使用することが最も好ましい場合が多い。しかしながら、多価アルコール成分に対して少量であれば、ペンタエリスリトール等の比較的高融点のものも好ましく使用する場合がある。
【0021】
各種の反応剤は本質的に純品で95%を超える純度であり、好ましくは99%を超える純度、最も好ましくは99.9から100%の純度である。もちろん、これらは無色透明であるべきであり、水が含まれることは避けられるべきである。
【0022】
成形材料を作製するための反応および引続いて行なう成形材料の硬化は触媒を使用することなく進行する場合もあるが、反応を加速するために触媒の使用が有用な場合もある。比較的狭い範囲の触媒、炭素数8から18の脂肪酸のスズ石鹸が、成形材料および硬化終了後の製品の透明および無色な性質、および他の好ましい特性を損なうことなく、触媒作用を発揮する。
【0023】
酸無水物およびエポキシを含む反応物以外に、開環のための多価アルコール及び必要に応じてスズ石鹸触媒を使用するが、硬化後のポリマーの透明性および他の特性を確実に維持できるように、成形材料のエポキシ組成物中に他の材料が多量に存在することを避ける。特定の好ましい効果を有する補助剤を少量使用することもできる。例えば、離型剤を使用する場合がある。離型剤の中でも、成形型から製品を簡単にはずすことができるようになることから、炭素数12から20の高級脂肪酸または低級アルコール(炭素数1から3)のエステルで、好ましくは飽和しているもの、最も好ましくはステアリン酸またはステアリン酸メチルを使用する。
【0024】
既述の通り、エポキシ組成物に加えて、本発明の成形材料中には更に蛍光体材料が分散している。蛍光体材料はLEDから放射された光を可視白色光に変換する。蛍光体材料としては、単色(広帯域、狭帯域または多重線、例えば、赤、緑、青、黄、又は白)を変換および放射できるものや、良好な色彩表現を得るために異なった色を変換および放射できる蛍光体材料の混合物を使用できる。特に好ましい応用例としては、本発明の成形材料をUV及び/又は青色光を伝送できるLEDで使用するが、蛍光体材料は、その様なUV及び/又は青色光を可視白色光、特に、約400から800nmの可視白色光の既知の領域の波長を有する光に変換できるものである。蛍光体材料は微粒子または粒子状の形状のものが好ましく、この様な蛍光体材料はエポキシ組成物と混合でき、更に詳細に以下の様に好ましい。
【0025】
既述の通り、蛍光体材料は、UV又は青色LEDと組合わせた際に所望の光放射を行なう既知の何れの蛍光体の中からでも選ぶことができる。例えば、従来技術で既に知られている様に、黄色蛍光体は青色LEDと使用することで白色光を生成するために使用できる。特に好ましい蛍光体の例としてはイットリウム・アルミニウム・ガーネット(“YAG”)黄色蛍光体で、約575nmに放射ピークを有する。この様な蛍光体は465nmに放射ピークを有するInGaN系青色LEDと組合わせて可視白色光を生成する際に特に有益である。
【0026】
成形材料中の各種成分の比率は、酸無水物のモノエステルが生成され、無水物−多価アルコール反応の結果、イソシアヌル酸トリグリシジルのグリシジル成分が酸成分と反応するようにする。当然、この反応において、多価アルコールの分子は無水物由来と考えられるカルボキシル基とも反応する可能性があり、または異なる多価アルコール分子由来の多価アルコール水酸基がカルボキシル基と反応する場合もある。同様に、イソシアヌル酸トリグリシジルの1つ以上のグリシジル成分が無水物カルボキシル基と反応するときもあり、場合によっては、その様な反応の方が、無水物が多価アルコールと反応する前に有効となるときもある。しかしながら、ほとんどの場合、はじめに記載した反応が進行すると考えられ、多価アルコールは酸無水物と反応してモノエステルが生成され、イソシアヌル酸トリグリシジルのグリシジル成分が前の反応で生成された未反応のカルボン酸成分と反応する。この様な反応は、3種類が同時に進行した場合でも有効と考えられる。
【0027】
好ましくは、成形材料は、成形材料の総重量に対して約20重量%から約75重量%のエポキシ含有化合物を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約30重量%から約40重量%のエポキシ含有化合物を含有し;成形材料の総重量に対して約20重量%から約75重量%の酸無水物を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約45重量%から約55重量%の酸無水物を含有し;成形材料の総重量に対して約5重量%から約20重量%の多価アルコールを含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約5重量%から約10重量%の多価アルコールを含有し;そして成形材料の総重量に対して約0.5重量%から約20重量%の蛍光体材料を含有し、更に好ましくは成形材料の総重量に対して約5重量%から約12重量%の蛍光体材料を含有する。加えて、離型剤を成形材料に組み込む場合は、その様な離型剤を好ましくは成形材料の総重量に対して約0.1重量%から約2重量%供給する。
【0028】
既述の通り、蛍光体材料は、実質的に均一に成形材料中に分散される。この様に蛍光体材料を均一に分散させることは、光電子素子上の封止材を硬化する際に蛍光体材料が沈降することを防ぐ上で重要であり、蛍光体材料が沈降すると封止材を通しての光放射の程度が一貫性に欠けたものとなる。しかしながら、成形材料を最終的に硬化している最中や、成形材料を事前に作製する場合で成形材料をB−ステージ硬化している最中に蛍光体材料が沈降するため、成形材料中に蛍光体材料を均一に分散させることが困難なことがある。この様な沈降は、その様な蛍光体材料に伴う比重のみならず、成形材料中で使用される一般的なエポキシ組成物の粘度が低いためだと考えられる。
【0029】
本発明においては、攪拌を継続したり、蛍光体材料をエポキシ組成物中に分散させて反応前中間物を作製することで、エポキシ組成物中に蛍光体材料を均一に分散させた状態を維持しながらエポキシ組成物の粘度を増加させることにより、蛍光体材料をエポキシ組成物中に実質的に均一に分散させることができることを見出した。この場合、成形材料は反応前中間物などの反応生成物として提供される。
【0030】
より好ましくは、本発明の成形材料の調製はエポキシ組成物に蛍光体材料を事前に混合し均一混合物を得る工程を含み、エポキシ組成物中に蛍光体材料が実質的に一様に分散される。この工程は、エポキシ化合物、無水物成分、および蛍光体材料を組合わせ混合することで行なわれる。好ましくは、この様な混合は、約80℃から約140℃で行なわれ、より好ましくは約105℃から約110℃であり、約20分の時間である。この混合工程の間に、重要な反応は起こらない。
【0031】
そして調製された混合物は約45℃から約85℃に冷却され、好ましくは60℃から約65℃である。そして多価アルコールが調製された混合物に、例えば、混合羽根を用いることで混合を続けながら添加される。多価アルコールを添加することにより無水物の反応が開始されると考えられ、半酸/半エステルが生成される。混合温度を約70℃から約80℃の間に約10から30分の時間上昇し、原料の混合を続ける。この間、エポキシ組成物の硬化が始まり、混合物の粘度がゆっくりと上昇する。エポキシ組成物の部分硬化に起因するこの様な粘度の上昇により、部分硬化されたエポキシ組成物中に蛍光体材料が分散される。この初期の部分硬化の最中に、組成物の粘度は75℃で約300から900センチポアズ(cps)に上昇する。この様にして、反応前中間物が作製される。好ましくは、この中間生成物は約300から1,000の重量平均分子量を有する。
【0032】
反応前中間物の粘度は、反応前中間物に組み込まれる蛍光体材料の量のみならず、蛍光体材料の粒子径および表面処理に影響されることを既に述べた。例えば、組成物の総量に対して約12重量%の蛍光体材料を含有している本発明による反応前中間生成物の場合、75℃で20分加熱することで、約600から800cpsの粘度を達成できる。組成物中に組み込まれる蛍光体材料を含有していない同様のエポキシ組成物の場合、75℃で20分の同様の加熱条件で、約400cpsの粘度を達成できる。よって、蛍光体材料を含有することで、より短時間で組成物の粘度上昇を達成できる。
【0033】
成形材料を作製するために、この中間生成物を更に部分硬化する。好ましくは、組成物をB−ステージ化するための細管または型に反応中間物を移送する。組成物をB−ステージ化することで、比較的低温でエポキシ組成物を重合して引続き行なわれる成形封止工程の際に成形時間を迅速なものとでき、安定な成形材料(室温で数ヶ月間安定)を作製することができ、この成形材料は、引続き行なわれる成形封止工程で短い硬化時間で十分に成形できる。B−ステージ化は50℃から100℃の温度領域で有効で、より好ましくは60℃から80℃、最も好ましくは約65℃で、触媒を使用しない場合、30分から24時間、より好ましくは4から10時間である。触媒を使用する場合、この時間を1/4から2/3に短縮できることがある。
【0034】
典型的な場合、B−ステージ化は、従来技術で良く知られている試験方法により約30から約50インチの旋回流が達成されるまで継続する。その様なB−ステージ化を行なうことにより、エポキシ組成物中のエポキシ成分が約40から60%反応した成形材料を得る。そして、引続き行なわれる成形操作において迅速に硬化できるように、成形材料を十分に重合する。B−ステージ化後、適当な粒子径の範囲、例えば1/16インチから1/4インチの直径に樹脂の大きさを減少させることもある。または、適当な大きさの型の中で前成形の形状にB−ステージ化することもでき、型から取出し後、直接使用できる。この方法の場合、成形材料は型の形状を有しており、ペレットの様な、封止工程などで後に加熱する際に安定な生成物を作製できる。
【0035】
エポキシ組成物の部分硬化の結果、成形材料は約5,000から約20,000の重量平均分子量を有している。この様な際には、中間生成物の反応生成物は成形材料を表し、それ自身が均一に分散され蛍光体材料を含有し部分硬化されたエポキシ組成物である。更に、一様に分散された蛍光体材料を含有する前反応中間生成物でB−ステージ化されるため、最終成形材料は、成形組成物中に実質的に均一に分散された蛍光体材料を含有する。
【0036】
既述の通り、本発明の成形材料はペレットの様な実質的に固体の形状で提供される。例えばトランスファー圧縮成形法で使用されるペレットの様な形状で提供される成形材料は従来技術で良く知られており、典型的な場合、エポキシ組成物が部分的に反応され部分硬化された反応生成物を作製するためのエポキシ含有化合物を含む。部分的に反応された構造の成形材料中に蛍光体材料を組み込むことにより、蛍光体材料を成形材料の構造中に一様に保持できる。この結果、封止の際に成形材料を最終硬化する間、蛍光体材料が成形材料中に実質的に均一に分散された状態を保持でき、結果として、完全硬化された封止材が封止材の構造中に一様および均質に分散された蛍光体材料を含有する封止された電子素子を実現できる。
【0037】
本成形材料は、成形材料をB−ステージ化可能で実施できる利点を有する。脂環式エポキシ樹脂が封止材として有用であることは良く知られているが、これらは液状であるためHHPAと共にB−ステージ化できない。無水物、多価アルコール、および脂環式樹脂間の初期反応は架橋されたペレットを生成するが、このペレットは加熱しても流動しないため、本発明の成形材料としては有益ではない。
【0038】
更に本発明によれば、この様な成形材料を使用して光電子装置を封止する方法が提供される。この様な方法においては、LEDの様な光電子装置が、特に硬化エポキシ組成物と一様に混合され均一に分散された蛍光体材料を含有する成形材料と共に提供される。LEDは成形材料により封止され、エポキシ組成物は完全に硬化される。
【0039】
更に典型的な場合、調製された成形材料を使用する成形工程は既知の方法により行なうことができ、これらの方法は事前成形法の利用およびトランスファー成形法または圧縮成形法を含み、高分子が最終構造に熱硬化される。主に本発明の成形材料はトランスファー成形法を念頭としている。硬化後、完成された製品が型より取り出され、その様な離型は冷却を必要とせず終了直後に行なわれる。内包されたものを包み、補強し、堅くし及び/又は絶縁するために普通ポリマーが使用され、その様なポリマーは硬化工程の際に型に配置される。成形は短時間で達成され、短い場合で45秒、普通は1から5分で、約130℃から175℃の温度範囲であり、好ましくは140℃から160℃である。成形圧力(トランスファー成形法の場合)は広範囲が可能であるが、普通は300から2,000ポンド/平方インチの範囲である。
【0040】
本発明の最も重要な応用例は光放射電子装置に関係し、光放射電子装置は、成形前または微粒子状成形材料が利用される操作において硬化された組成物により被覆され安定化され、および保護される。しかしながら、高分子および成形材料は、その様な用途分野に限定されることなく、構造材料、プリント回路基板、製陶材料、封止材、絶縁材などの、より一般的な用途を見出すことができる。
【0041】
更に本発明によれば、光放射ダイオードの周囲が封止された光放射ダイオードの形式の光電子装置が提供される。封止材は、上述の様にエポキシ組成物中に実質的に均一に分散する蛍光体材料を含有する硬化されたエポキシ組成物の反応生成物である。その様な光電子装置を図1に一般的に描写した。
【0042】
図1は光電子装置10を描写しており、封止材50により封止されたLED20を含んでいる。LED20としては、従来知られている何れのLEDも使用できる。例えば、LED20は多層構造を有するLED積層体が好ましく、従来技術で知られている様に上層のオーム接触層および下層のオーム接触層を有する。LED20は、鏡などの反射表面32を含む反射カップ30の中に配置される。反射カップ30はLED20の下層オーム接触層と電気的接続されている。
【0043】
光電子装置10は更にリード配線42及び44を有している。リード配線42は反射カップ30を介してLED20の下層オーム接触層と電気的接続されており、リード配線44は例えば接合配線46を介してLED20の上層オーム接触層と電気的接続されている。
【0044】
光電子装置10は更に周囲を封止する封止材50及びLED20を含んでいる。封止材50は蛍光体材料を含む硬化されたエポキシ組成物の反応生成物を含んでおり、既に述べた通り、蛍光体材料はエポキシ組成物中に実質的に均一に分散されている。封止材50はLED20を取囲んでおり、LED20と比較して比較的大きいドーム形の形状に成形されている。成形材50は、従来技術で知られているトランスファー成形法によりLED20の周囲に形成される。
【0045】
リード配線42及び44により電流を供給することでLED20を活性化すると、LED20からUV及び/又は青色光などの光が放射される。その様な光は封止材50中の蛍光体材料により可視光に変換される。エポキシ組成物中に実質的に均一に分散する蛍光体材料を封止材50が含有するため、光は封止材50中で実質的に均一に変換され分散され、この結果、光電子装置からの可視光の一様な放射を実現する。
【0046】
本発明は更に以下の実施例により例示され、実施例は本発明の成形材料の調製のみならず、従来の組成物による成形材料との比較も明示している。実施例中および明細書の他の箇所および特許請求の範囲で特記しない場合は、全ての部および%は重量によるものであり、温度は摂氏、圧力は大気圧またはその近傍である。
【実施例】
【0047】
(実験例1)
以下の組成を有する成形材料を調製した。
【0048】
【表1】
【0049】
上記の成分を混合し、混合物をB−ステージ化用の成形用トレーに投入した。65℃の温度で約17時間の間、混合物を加熱することでB−ステージ化を完了し、従来技術で良く知られた標準的な試験方法により30から50インチの旋回流が達成されるまで行なった。B−ステージ化後、作製された成形体について、上部、中部、および底部の蛍光体材料の含有量を成形体の位置に応じて分析した。成形体を分析した結果、蛍光体材料の含有量は、上部で11.3%、中部で11.4%、底部で11.6%であった。
【0050】
(実験例2)
先の実験例1と同一の成分の組成を有する成形材料を調製した。しかしながら、実験例2の組成物の場合、イソシアヌル酸トリグリシジル、ヘキサヒドロフタル酸無水物およびステアリン酸成分を蛍光体と液体反応用容器で105℃から110℃で攪拌しながら混合した。混合物を約60℃から65℃に冷却し、そしてグリセリンを添加した。混合物の温度を20分で約75℃に上昇し、混合羽根を用いて成分を連続的に混合した。20分後、組成物の粘度は75℃で約750cpsであった。
【0051】
そして、混合物をB−ステージ化用の成形用トレーに移送した。30から50インチの旋回流が達成されるまで、65℃の温度で約17時間の間、混合物を加熱することで実験例1と同様の方法でB−ステージ化を完了した。B−ステージ化後、作製された成形体について、上部、中部、および底部の蛍光体材料の含有量を成形体の位置に応じて分析した。成形体を分析した結果、蛍光体材料の含有量は、上部、中部、底部のそれぞれで11.9%であった。
【0052】
実験例1及び2の結果を比較するとで、B−ステージ化に先立ち蛍光体をエポキシ化合物中に分散するために事前反応を行なったサンプルの場合、その様な事前反応を行なわなかったサンプルと比較して、蛍光体が均一に分散することが明示される。
【0053】
上述の実験例は、本発明の成形材料および方法を、制限することなく具体的に説明するものである。以上で記載した本発明を多くの方法で変形させることは当業者にとっては自明である。この様な変形は本発明の考え方および視野から逸脱したものとは考えられず、その様な変形の全てが請求項の視野に含まれるよう意図されている。
【図面の簡単な説明】
【0054】
【図1】本発明の光電子装置の模式図である。
Claims (32)
- エポキシ成分(i)および無水物成分(ii)の反応生成物を含むエポキシ組成物(a)と、
可視光放射蛍光体材料(b)とを含み、該蛍光体材料は該成形材料中に実質的に均一分散されている組成物。 - 前記エポキシ成分はイソシアヌル酸トリグリシジルを含む請求項1記載の組成物。
- 前記無水物成分はヘキサヒドロフタル酸無水物を含む請求項1記載の組成物。
- 前記エポキシ組成物は前記エポキシ成分および前記無水物成分の反応を促進するための多価アルコールを更に含む請求項1記載の組成物。
- 前記多価アルコールはグリセロール、トリメチロールプロパン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、およびそれらの混合物からなる群より選ばれる請求項4記載の組成物。
- 前記蛍光体材料は紫外線および青色光を可視白色光に変換できる請求項1記載の組成物。
- 前記エポキシ成分は前記組成物の総重量に対する前記組成物の約20重量%から約75重量%を含む請求項1記載の組成物。
- 前記無水物成分は前記組成物の総重量に対する前記組成物の約20重量%から約75重量%を含む請求項1記載の組成物。
- 前記蛍光体材料は前記組成物の総重量に対する前記組成物の約0.5重量%から約20重量%を含む請求項1記載の組成物。
- 前記蛍光体材料は前記組成物の総重量に対する前記組成物の約5重量%から約12重量%を含む請求項9記載の組成物。
- 請求項1の前記組成物を含む成形材料。
- 重量平均分子量が約5,000から約20,000の成形材料を含み、該成形材料は蛍光体材料が実質的に均一分散された部分硬化エポキシ組成物の反応生成物を含む電子素子用封止材。
- 前記部分硬化エポキシ組成物の重量平均分子量は約400から約1,000である請求項12記載の封止材。
- 前記成形材料は前記エポキシ組成物および前記蛍光体材料の部分硬化混合物をB−ステージ化して調製され、該部分硬化混合物は前記エポキシ組成物を増粘するために事前に部分硬化され該混合物を混合する際に前記蛍光体材料を前記エポキシ組成物中に分散する請求項12記載の封止材。
- 前記エポキシ組成物はエポキシ化合物および無水物の前記反応生成物を含む請求項12記載の封止材。
- (a)エポキシ成分を含むエポキシ組成物を供給する工程と、
(b)該エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を混合して、該エポキシ組成物中に該蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程と、
(c)反応前中間物を作製するために該エポキシ組成物中に該蛍光体材料が分散された状態を保持して該均一混合物を増粘する工程と、および
(d)該反応前中間物の該エポキシ組成物を部分硬化し、該成形材料を作製する工程と
を含む封止材の調製方法。 - 前記増粘工程(c)は前記エポキシ組成物中に前記蛍光体材料が分散された状態を保持できる初期粘度となるまで前記エポキシ組成物を部分硬化する工程を含む請求項16記載の方法。
- 前記増粘工程(c)は前記エポキシ組成物の部分硬化に影響を与えるため前記均一混合物を約50℃から約90℃の温度で約10分から約30分の間加熱する工程を含む請求項17記載の方法。
- 前記反応前中間物の粘度は約300から約900センチポアズである請求項16記載の方法。
- 前記部分硬化工程(d)は前記エポキシ成分を約40%から60%部分硬化する工程を含む請求項16記載の方法。
- 前記部分硬化工程(d)は前記反応前中間物を約50℃から約100℃の温度で約30分から約24時間の間加熱する工程を含む請求項16記載の方法。
- 前記エポキシ組成物はエポキシ成分および無水物成分を含む請求項16記載の方法。
- 前記混合工程(b)は、
攪拌しながら前記エポキシ組成物および前記蛍光体材料を約80℃から約140℃の温度で混合する工程と、
該混合物を約45℃から約85℃の温度に冷却し、多価アルコールを該混合物に加える工程と
を含む請求項22記載の方法。 - (a)エポキシ成分および無水物成分を含むエポキシ組成物を供給する工程と、
(b)該エポキシ組成物に可視光放射蛍光体材料を約105℃から約110℃の温度で混合して、該エポキシ組成物中に該蛍光体材料が分散された均一混合物を得る工程と、
(c)該混合物を約60℃から約65℃の温度に冷却する工程と、
(d)該無水物成分との反応のために多価アルコールを該混合物に加える工程と、
(e)前記混合物を約70℃から約80℃で約10分から約30分の間昇温し、該エポキシ組成物中に該蛍光体材料が分散された状態を保持して該混合物を増粘し、反応前中間物を作製する工程と、および
(f)該エポキシ組成物を約65℃の温度でB−ステージ化し、該蛍光体材料が均一に分散された該成形材料を作製する工程と
を含む封止材の調製方法。 - (a)光電子装置を供給する工程と、
(b)光放射蛍光体材料が均一混合された部分硬化エポキシ組成物を含む成形材料を供給する工程と、
(c)該光電子装置を該成形材料で封止する工程と、および
(d)該エポキシ組成物を完全硬化する工程と
を含む光電子装置の封止方法。 - 前記光電子装置は光放射ダイオードである請求項25記載の方法。
- 前記光放射ダイオードは紫外および/または青色光を放射でき、前記蛍光体材料は該紫外および/または該青色光を可視光に変換できる請求項26記載の方法。
- 光放射ダイオードを含み、該光放射ダイオードは周囲を封止されており、該封止材は蛍光体材料が実質的に均一分散された硬化エポキシ組成物の反応生成物を含む光電子装置。
- 前記エポキシ組成物はエポキシ成分および無水物成分を含み、前記蛍光体材料はエポキシ組成物中に実質的に均一分散されている請求項28記載の光電子装置。
- 前記封止材はB−ステージ化されたエポキシ組成物の完全硬化反応生成物を含み、前記エポキシ組成物は前記エポキシ組成物および前記蛍光体材料の部分硬化混合物をB−ステージ化して調製され、該部分硬化混合物は前記エポキシ組成物を増粘するために事前に部分硬化され該混合物を混合する際に前記蛍光体材料を前記エポキシ組成物中に分散する請求項28記載の光電子装置。
- 前記光放射ダイオードは紫外および/または青色光を放射でき、前記蛍光体材料は該紫外および/または該青色光を可視光に変換できる請求項28記載の光電子装置。
- 前記封止材の該上部表面はドーム形である請求項28記載の光電子装置。
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---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006193570A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Stanley Electric Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード |
JP2006229054A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したledパッケージ及びその製造方法 |
JP2007091960A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP2007154064A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂組成物の製法およびそれにより得られる光半導体素子封止用樹脂組成物ならびに光半導体装置 |
JP2007246830A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Stanley Electric Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード |
JP2008285591A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置 |
JP2009024185A (ja) * | 2005-08-04 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
US8558446B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8575632B2 (en) | 2005-08-04 | 2013-11-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6989412B2 (en) | 2001-06-06 | 2006-01-24 | Henkel Corporation | Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions |
CN1558921A (zh) * | 2001-08-03 | 2004-12-29 | Dsm | 显示器件用可固化组合物 |
US7695166B2 (en) * | 2001-11-23 | 2010-04-13 | Derose Anthony | Shaped LED light bulb |
US20050188569A1 (en) * | 2001-11-23 | 2005-09-01 | Derose Anthony | Display signs and ornaments for holiday seasons |
US20080084009A1 (en) * | 2005-05-02 | 2008-04-10 | Derose Anthony | Method of Making Shaped LED Light Bulb |
WO2004010472A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Microsemi Corporation | Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound |
JP4037207B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2008-01-23 | 信越化学工業株式会社 | 難燃性エポキシ樹脂組成物、並びにそれを使用する半導体封止材料及び樹脂封止型半導体装置 |
US7042020B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-05-09 | Cree, Inc. | Light emitting device incorporating a luminescent material |
US20050052871A1 (en) * | 2003-07-11 | 2005-03-10 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Light-emitting diode and backlight system using the same |
US20070187710A1 (en) * | 2003-09-08 | 2007-08-16 | Schefenacker Vision Systmes Usa Inc. | Led light source |
KR100558446B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2006-03-10 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법 |
CN100377370C (zh) * | 2003-11-22 | 2008-03-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管和面光源装置 |
JP5004410B2 (ja) * | 2004-04-26 | 2012-08-22 | Towa株式会社 | 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置 |
US20050264194A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Ng Kee Y | Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom |
CN1725521B (zh) * | 2004-07-16 | 2010-10-27 | 国际商业机器公司 | 光电子器件及其制造方法 |
TWI256149B (en) * | 2004-09-27 | 2006-06-01 | Advanced Optoelectronic Tech | Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof |
JP5128047B2 (ja) * | 2004-10-07 | 2013-01-23 | Towa株式会社 | 光デバイス及び光デバイスの生産方法 |
CA2492994A1 (en) * | 2005-01-19 | 2006-07-19 | Ivan To | Method for fabricating luminescent articles |
US7394440B2 (en) * | 2005-02-10 | 2008-07-01 | Interdigital Technology Corporation | Three-dimensional antenna fabrication from multiple two-dimensional structures |
US7115428B2 (en) * | 2005-03-07 | 2006-10-03 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating light-emitting devices utilizing a photo-curable epoxy |
KR100691179B1 (ko) * | 2005-06-01 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
EP1896765A1 (en) * | 2005-06-23 | 2008-03-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system and display device |
US7985357B2 (en) * | 2005-07-12 | 2011-07-26 | Towa Corporation | Method of resin-sealing and molding an optical device |
EP1931366B1 (en) * | 2005-09-30 | 2013-05-29 | Piramal Enterprises Limited | Herbal composition for inflammatory disorders |
US20070295983A1 (en) * | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Gelcore Llc | Optoelectronic device |
JP5470680B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
ES2588000T3 (es) * | 2007-04-05 | 2016-10-28 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Elemento constructivo de vidrio de aislamiento por vacío así como procedimiento y dispositivo para su producción |
TWI493609B (zh) * | 2007-10-23 | 2015-07-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體基板、顯示面板及顯示裝置的製造方法 |
US7732553B2 (en) * | 2008-02-28 | 2010-06-08 | The Regents Of The University Of California | Method of producing encapsulation resins |
US7943719B2 (en) * | 2008-02-28 | 2011-05-17 | The Regents of the University of California; | Encapsulation resins |
JP5182512B2 (ja) | 2008-12-15 | 2013-04-17 | 日亜化学工業株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US9041228B2 (en) | 2008-12-23 | 2015-05-26 | Micron Technology, Inc. | Molding compound including a carbon nano-tube dispersion |
US20110147722A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-06-23 | Hawker Craig J | Semiconductor light emitting device comprising high performance resins |
US8035236B2 (en) * | 2009-10-16 | 2011-10-11 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor device comprising high performance encapsulation resins |
US20110309393A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
EP2630193B1 (en) | 2010-10-19 | 2015-04-15 | Ablestik (Shanghai) Limited | Hybrid silicone composition for light emitting device |
KR101092015B1 (ko) * | 2011-05-03 | 2011-12-08 | 주식회사 네패스신소재 | 열경화형 광반사용 수지 조성물, 이의 제조 방법, 이로부터 제조된 광반도체 소자 탑재용 반사판, 및 이를 포함하는 광반도체 장치 |
KR20130059153A (ko) * | 2011-11-28 | 2013-06-05 | 현대자동차주식회사 | 접착제를 이용한 금속재와 고분자 복합재 결합체의 제조방법 |
CN103378226A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-10-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管的制造方法 |
US8859098B2 (en) | 2012-05-18 | 2014-10-14 | Lord Corporation | Acrylic adhesion promoters |
US20140346476A1 (en) * | 2013-05-24 | 2014-11-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Oled display panel and the packaging method thereof, display device |
US10611911B1 (en) | 2016-05-05 | 2020-04-07 | SolEpoxy, Inc. | Epoxy resin composition with soda lime glass filler |
CN109651760A (zh) * | 2018-12-11 | 2019-04-19 | 汕头市骏码凯撒有限公司 | 一种固化后无色透明的耐高温高压蒸煮的环氧模塑料及其制备方法 |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3849383A (en) * | 1973-03-05 | 1974-11-19 | Dexter Corp | Molding compounds from hexahydrophthalic anhydride,triglycidyl isocyanurate and a polyol |
JPS5215539A (en) | 1975-07-28 | 1977-02-05 | Morio Nakano | Resin materials for phosphorescent molded articles |
US4076764A (en) * | 1976-07-22 | 1978-02-28 | Shell Oil Company | Epoxy resin composition having improved physical properties |
DE2642465C3 (de) * | 1976-09-21 | 1981-01-22 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Herstellung einer VerguBmasse |
US4298650A (en) * | 1980-03-31 | 1981-11-03 | Eastman Kodak Company | Phosphorescent screens |
US4362946A (en) * | 1977-11-21 | 1982-12-07 | General Electric Company | Distributed phosphor scintillator structures |
US4288264A (en) * | 1979-11-21 | 1981-09-08 | Emi Limited | Detector construction |
US4551488A (en) * | 1979-12-14 | 1985-11-05 | Kollmorgen Technologies Corporation | Epoxy resin based protective coating composition for printed circuit boards |
US4485200A (en) * | 1982-02-03 | 1984-11-27 | National Starch And Chemical Corporation | Neoprene latex contact adhesives |
US4534743A (en) * | 1983-08-31 | 1985-08-13 | Timex Corporation | Process for making an electroluminescent lamp |
US4532395A (en) * | 1983-09-20 | 1985-07-30 | Timex Corporation | Electroluminescent flexible touch switch panel |
JPS6241280A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-23 | Nichiban Co Ltd | 水中生物付着防止用粘着シ−ト |
US4900641A (en) * | 1986-02-07 | 1990-02-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiographic intensifying screen |
JPS63100391A (ja) | 1986-06-20 | 1988-05-02 | Hitachi Medical Corp | 蛍光体成型体および螢光体成型体の製造方法 |
JPS6461087A (en) * | 1987-09-01 | 1989-03-08 | Sumitomo Chemical Co | Resin composition for printed wiring board |
EP0314507B1 (en) * | 1987-10-30 | 1998-01-21 | Nippon Kasei Chemical Co., Ltd. | Pastes for forming a luminescent layer or insulator layer of a dispersion type electroluminescence element and a dispersion type electroluminescence element |
US5149971A (en) * | 1991-01-16 | 1992-09-22 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Scintillator assembly for alpha radiation detection and method of making the assembly |
US5352951A (en) * | 1991-06-03 | 1994-10-04 | Bkl, Inc. | Electroluminescent device |
US5521236A (en) * | 1994-11-01 | 1996-05-28 | Akzo Nobel N.V. | Flame retarded stabilized polyester composition |
DE4447277A1 (de) * | 1994-12-30 | 1996-07-04 | Hoechst Ag | Stabilisierte, phosphormodifizierte Epoxidharze und ihre Verwendung |
IT1276762B1 (it) * | 1995-06-21 | 1997-11-03 | Pirelli Cavi S P A Ora Pirelli | Composizione polimerica per il rivestimento di cavi elettrici avente una migliorata resistenza al"water treeing"e cavo elettrico |
US5646412A (en) * | 1995-07-19 | 1997-07-08 | Eastman Kodak Company | Coated radiographic phosphors and radiographic phosphor panels |
US5973034A (en) * | 1995-10-11 | 1999-10-26 | Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha | (Oxide or sulfide) powder epoxy (meth) acrylate w/glass and/or metal |
US5866401A (en) * | 1996-03-01 | 1999-02-02 | Schering Corporation | Porcine reproductive and respiratory syndrome vaccine |
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
BRPI9715293B1 (pt) * | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
US6613247B1 (en) * | 1996-09-20 | 2003-09-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component |
US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
US5886401A (en) * | 1997-09-02 | 1999-03-23 | General Electric Company | Structure and fabrication method for interconnecting light emitting diodes with metallization extending through vias in a polymer film overlying the light emitting diodes |
US5956382A (en) * | 1997-09-25 | 1999-09-21 | Eliezer Wiener-Avnear, Doing Business As Laser Electro Optic Application Technology Comp. | X-ray imaging array detector and laser micro-milling method for fabricating array |
US6246123B1 (en) * | 1998-05-04 | 2001-06-12 | Motorola, Inc. | Transparent compound and applications for its use |
US6603259B1 (en) * | 1999-03-12 | 2003-08-05 | Visson Ip, Llc | Electroluminescent device and method of manufacturing same |
JP3573651B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2004-10-06 | 住友ベークライト株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
WO2001024284A1 (en) * | 1999-09-27 | 2001-04-05 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion |
US6603258B1 (en) * | 2000-04-24 | 2003-08-05 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Light emitting diode device that emits white light |
US6396066B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-05-28 | Eastman Kodak Company | Image storage phosphor panels having flexible supports |
US6518600B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-02-11 | General Electric Company | Dual encapsulation for an LED |
JP3430150B2 (ja) * | 2000-12-18 | 2003-07-28 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
US6989412B2 (en) | 2001-06-06 | 2006-01-24 | Henkel Corporation | Epoxy molding compounds containing phosphor and process for preparing such compositions |
CN1180489C (zh) * | 2001-06-27 | 2004-12-15 | 光宝科技股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
US6632892B2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-10-14 | General Electric Company | Composition comprising silicone epoxy resin, hydroxyl compound, anhydride and curing catalyst |
US6555023B2 (en) * | 2001-08-22 | 2003-04-29 | Siemens Westinghouse Power Corporation | Enhanced oxidation resistant polymeric insulation composition for air-cooled generators |
US6617401B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst |
US6878973B2 (en) * | 2001-08-23 | 2005-04-12 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Reduction of contamination of light emitting devices |
DE10213294B4 (de) * | 2002-03-25 | 2015-05-13 | Osram Gmbh | Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement |
US20030173540A1 (en) * | 2003-02-19 | 2003-09-18 | Mortz Bradford K | Long persistent phosphor incorporated within a settable material |
US7474009B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-01-06 | Henkel Corporation | Optoelectronic molding compound that transmits visible light and blocks infrared light |
-
2001
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2006
- 2006-10-23 US US11/551,968 patent/US7622516B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006193570A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Stanley Electric Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード |
JP2006229054A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
US9093619B2 (en) | 2005-02-18 | 2015-07-28 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8836210B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-09-16 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US8558446B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic |
US7687292B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-03-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package with metal reflective layer and method of manufacturing the same |
JP2007005801A (ja) * | 2005-06-20 | 2007-01-11 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 金属反射層を形成したledパッケージ及びその製造方法 |
US8575632B2 (en) | 2005-08-04 | 2013-11-05 | Nichia Corporation | Light-emitting device, method for manufacturing same, molded body and sealing member |
JP2014027302A (ja) * | 2005-08-04 | 2014-02-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法並びに成形体及び封止部材 |
JP2009024185A (ja) * | 2005-08-04 | 2009-02-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物の製造方法 |
JP2017108173A (ja) * | 2005-08-04 | 2017-06-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
JP2015156519A (ja) * | 2005-08-04 | 2015-08-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法並びに成形体 |
US9034671B2 (en) | 2005-08-04 | 2015-05-19 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing same |
US8803159B2 (en) | 2005-08-04 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method for manufacturing same |
JP2007091960A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
WO2007040107A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nitto Denko Corporation | 光半導体素子封止用樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置 |
JP4722686B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2011-07-13 | 日東電工株式会社 | 光半導体素子封止用樹脂組成物の製法およびそれにより得られる光半導体素子封止用樹脂組成物ならびに光半導体装置 |
JP2007154064A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用樹脂組成物の製法およびそれにより得られる光半導体素子封止用樹脂組成物ならびに光半導体装置 |
JP2007246830A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Stanley Electric Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、該組成物を熱硬化してなる透光性硬化物、該硬化物で封止された発光ダイオード |
KR101202152B1 (ko) | 2007-05-17 | 2012-11-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 그의 경화체 및 그것을 사용한 광 반도체 장치 |
US8198382B2 (en) | 2007-05-17 | 2012-06-12 | Nitto Denko Corporation | Epoxy resin composition for photosemiconductor element encapsulation and cured product thereof, and photosemiconductor device using the same |
WO2008142931A1 (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corporation | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置 |
JP2008285591A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置 |
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