JP2003192765A - エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法

Info

Publication number
JP2003192765A
JP2003192765A JP2002241364A JP2002241364A JP2003192765A JP 2003192765 A JP2003192765 A JP 2003192765A JP 2002241364 A JP2002241364 A JP 2002241364A JP 2002241364 A JP2002241364 A JP 2002241364A JP 2003192765 A JP2003192765 A JP 2003192765A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
component
anhydride
encapsulant
epoxy resin
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002241364A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003192765A5 (ja
Inventor
Gary William Yeager
ゲーリー・ウィリアム・イェーガー
Malgorzata Iwona Rubinsztajn
マウゴジャータ・イヴォナ・ルビンシュタイン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2003192765A publication Critical patent/JP2003192765A/ja
Publication of JP2003192765A5 publication Critical patent/JP2003192765A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • C08G59/72—Complexes of boron halides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/05—Alcohols; Metal alcoholates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1535—Five-membered rings
    • C08K5/1539—Cyclic anhydrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/51—Phosphorus bound to oxygen
    • C08K5/52—Phosphorus bound to oxygen only
    • C08K5/524—Esters of phosphorous acids, e.g. of H3PO3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/55—Boron-containing compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic

Abstract

(57)【要約】 【課題】近紫外域乃至可視域の波長範囲内での高透過
率、長期熱安定性、酸化安定性及び紫外線安定性、固体
素子デバイス封入用の他の材料との熱的コンプライアン
ス、低着色度及び高反射率のような性質を有する固体素
子デバイス用パッケージング材料の提供。 【解決手段】（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、
（Ｂ）１種以上の無水物硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲ
ンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、（Ｄ）１種以
上の硬化調整剤、及び任意成分（Ｅ）１種以上の補助硬
化触媒を含むエポキシ樹脂組成物。封入剤（１１）は、
熱安定剤、紫外線安定剤、カップリング剤及び屈折率調
整剤の１種以上を含んでいてもよい。パッケージ、チッ
プ（４）及び本発明のエポキシ樹脂組成物からなる封入
剤（１１）を含むパッケージ固体素子デバイスも提供さ
れる。固体素子デバイスの封入方法も提供される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、封入剤を含むパッ
ケージ固体素子デバイスに関する。また、本発明は発光
ダイオード（ＬＥＤ）のような固体素子デバイスの封入
方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイス又は光電子デバイスとも
呼ばれる固体素子デバイスには、ＬＥＤ、ＣＣＤ、ＬＳ
Ｉ、ホトダイオード、ホトトランジスタ、ホトカプラ、
光電子カプラなどが含まれる。かかるデバイスは、特殊
なパッケージングの必要性を示すことが多い。高効率か
つ高ルーメンの固体白色ＬＥＤは、典型的な低強度かつ
長波長のＬＥＤが要求するよりも厳しい条件に耐え得る
新規なパッケージング材料を要求する。普通のパッケー
ジング材料は、熱的過程、酸化過程及び光劣化過程の組
合せにより、光学的及び機械的性質の漸進的な低下を示
すことが多い。
【０００３】固体素子デバイス封入用の樹脂は、主とし
てビスフェノールＡエポキシ樹脂と脂肪族無水物硬化剤
とのブレンドに頼っていた。Ｄｅｎｋ等の米国特許第４
１７８２７４号に記載されている通り、第三級アミン、
イミダゾール又は三フッ化ホウ素錯体のような公知促進
剤の使用で迅速に硬化するこれらの組成物の欠点の１つ
は、熱老化安定性が劣ることである。これまで使用され
ていた材料は、８０℃を越える温度での長期保存中に変
色する。こうして生じた黄色乃至褐色の樹脂は、著しく
低下した光透過率を示す。さらに、ビスフェノールＡを
基剤とするエポキシ樹脂の芳香族性のため、これらの封
入剤は紫外線に対する安定性が低いのが通例である。従
って、これらの材料は紫外成分を有する光への長期暴露
時に劣化する傾向を示す。かかる劣化は、封入剤の変色
及び光透過率の低下をもたらすことがある。
【０００４】これらの問題に対処するため、Ｄｅｎｋ等
は光電子部品の封止用の樹脂組成物を記載している。こ
れらの樹脂は、（ｉ）脂環式エポキシ樹脂、（ii）カル
ボン酸無水物、（iii）オクタン酸亜鉛、並びに（iv）
低分子量ポリオール、低分子量エステル及びそれらの混
合物からなる群から選択される溶媒を含んでいる。Ｄｅ
ｎｋ等の組成物は、高々４６重量％のエポキシ樹脂を含
んでいる。かかる低レベルのエポキシ樹脂及びそれに伴
う高レベルの硬化剤は、硬化樹脂に発色を引起こしてＬ
ＥＤの総合透過率を低下させることがある。
【０００５】Ｗａｄａ等は、米国特許第５１４５８８９
号に、（ｉ）１００重量部のエポキシ樹脂、（ii）酸無
水物を含む７０〜１４０重量部の硬化剤、（iii）オニ
ウム塩又はジアザビシクロアルケン塩を含む０．５〜
４．０重量部の硬化促進剤、（iv）０．５〜５．０重量
部のリントリホスファイト、及び（ｖ）特定の式で表さ
れる０．５〜５．０重量部のシランカップリング剤を含
む組成物を記載している。Ｗａｄａ等の組成物は、高々
５８重量％のエポキシ樹脂を含んでいる。かかる高レベ
ルの硬化剤は、樹脂封入剤の熱硬化に発色を引起こして
ＬＥＤの総合透過率を低下させることがある。さらに、
前記封入用樹脂は硬化速度を高めかつ適度な加工時間を
得るためにオニウム塩又はジアザビシクロアルケン塩の
ような硬化促進剤の使用が必要とされる。
【０００６】Ｕｒａｍは、米国特許第４４５４２０１号
に、透明性、耐熱性、耐摩耗性及び耐銃弾貫通性を要求
する用途（例えば、軍用ヘリコプターの窓）のための透
明な複合材料組成物を記載している。かかる複合材料中
の透明層は、（ｉ）約８０〜約１００重量部のエポキシ
樹脂、（ii）約５〜約３０重量部のボロキシン（例え
ば、トリメトキシボロキシン）、及び（iii）特定の構
造を有する約１〜約４０重量部の有機リン化合物のブレ
ンドからなる。この特許は軍用複合材料用のボロキシン
硬化エポキシ樹脂を教示しているが、光電子デバイスの
封入は記載されていない。さらに、光電子デバイスの封
入に非芳香族エポキシ樹脂とボロキシン硬化剤とを併用
することがもたらす利益も教示されていない。
【０００７】Ｍｏｒｒｉｓは、米国特許第４３３６３６
７号に、船底に武器装置類を固定するための接着剤組成
物を記載している。この組成物は、（ｉ）３，４−エポ
キシシクロヘキシルアルキル−３，４−エポキシシクロ
ヘキサンカルボキシレート、エキソ−エキソビス（２，
３−エポキシシクロペンチル）エーテル又はエンド−エ
キソビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル
と（ii）トリアルコキシボロキシンとの混合物からな
る。これらのエポキシ組成物は性質上は脂環式のもので
あるが、それらは接着剤用途のために開発されていて、
光電子デバイスの封入に前記組成物を使用することは意
図されていない。
【０００８】２０００年９月１日に提出された本願出願
人の係属中の米国特許出願第０９／６５４８３０号に
は、（１）エポキシ樹脂及び（２）実質的にハロゲンを
含まないホウ素含有触媒を含む光電子デバイス封入用の
組成物が開示されている。これらの材料は優れた光学的
性質を有するが、熱的性質及び吸湿性はある種の光電子
用途にとって最適ではなかった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】望ましくは近紫外域乃
至可視域の波長範囲内での高い透過率、長期の熱安定
性、酸化安定性及び紫外線安定性、固体素子デバイスの
封入に使用される他の材料との熱的コンプライアンス、
低い着色度、並びに高い反射率のような性質を有する固
体素子デバイス用の新規なパッケージング材料は絶えず
要望されている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、発光ダイ
オードのような固体素子デバイスの封入に理想的に適す
る硬化性樹脂組成物を発見した。一実施形態によれば本
発明は、（ａ）パッケージ、（ｂ）チップ、及び（ｃ）
封入剤を含むパッケージ固体素子デバイスであって、前
記封入剤が（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、
（Ｂ）１種以上の無水物硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲ
ンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、（Ｄ）１種以
上の硬化調整剤、及び任意に（Ｅ）１種以上の補助硬化
触媒を含むパッケージ固体素子デバイスに関する。
【００１１】本発明の別の実施形態によれば、パッケー
ジ内に固体素子デバイスを配置する工程と、（Ａ）１種
以上の脂環式エポキシ樹脂、（Ｂ）１種以上の無水物硬
化剤、（Ｃ）実質的にハロゲンを含まない１種以上のホ
ウ素含有触媒、（Ｄ）１種以上の硬化調整剤、及び任意
に（Ｅ）１種以上の補助硬化触媒を含む封入剤を設置す
る工程とを含む、固体素子デバイスの封入方法が提供さ
れる。
【００１２】本発明のその他様々な特徴、態様及び利点
は、以下の説明及び前記特許請求の範囲を参照すること
によって一層明らかとなろう。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の封入剤中で成分（Ａ）と
して有用なエポキシ樹脂としては、Ｂ．Ｅｌｌｉｓ編
「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
ｏｆ ｔｈｅＥｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ」（Ｃｈａｐ
ｍａｎ Ｈａｌｌ、１９９３年、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ）及
びＣ．Ａ．Ｍａｙ編「Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ Ｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｍ
ａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、第２
版、１９８８年）に記載されているものが挙げられる。
本発明で使用し得るエポキシ樹脂は、好ましくは金属水
酸化物（例えば、水酸化物ナトリウム）のような塩基性
触媒の存在下でヒドロキシル、カルボキシル又はアミン
含有化合物をエピクロロヒドリンと反応させることによ
って製造し得るものを含む。また、本発明で使用し得る
エポキシ樹脂は、１以上好ましくは２以上の炭素−炭素
二重結合を含有する化合物をペルオキシ酸のような過酸
化物と反応させることによって製造し得るものも含む。
【００１４】様々な実施形態によれば、本発明用のエポ
キシ樹脂は脂環式及び脂肪族エポキシ樹脂を含む。脂肪
族エポキシ樹脂は、１以上の脂肪族基及び１以上のエポ
キシ基を含有する化合物からなる。脂肪族エポキシ樹脂
の例としては、ブタジエンジオキシド、ジメチルペンタ
ンジオキシド、ジグリシジルエーテル、１，４−ブタン
ジオールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコール
ジグリシジルエーテル及びジペンテンジオキシドが挙げ
られる。
【００１５】脂環式エポキシ樹脂は当技術分野で公知で
あって、約１以上の脂環式基及び１以上のオキシラン基
を含有する化合物からなる。様々な実施形態によれば、
脂環式エポキシ樹脂は１分子当り１以上の脂環式基及び
２以上のオキシラン環を含有する化合物からなる。具体
例としては、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキシル
−５，５−スピロ−（３，４−エポキシ）シクロヘキサ
ン−ｍ−ジオキサン、３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレ
ート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメ
チル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカ
ルボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、ビ
ス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペー
ト、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシ
ルメチル）アジペート、エキソ−エキソビス（２，３−
エポキシシクロペンチル）エーテル、エンド−エキソビ
ス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２，
２−ビス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロ
ヘキシル）プロパン、２，６−ビス（２，３−エポキシ
プロポキシシクロヘキシル−ｐ−ジオキサン）、２，６
−ビス（２，３−エポキシプロポキシ）ノルボルネン、
リノール酸二量体のジグリシジルエーテル、リモネンジ
オキシド、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキ
シル）プロパン、ジシクロペンタジエンジオキシド、
１，２−エポキシ−６−（２，３−エポキシプロポキ
シ）ヘキサヒドロ−４，７−メタノインダン、ｐ−
（２，３−エポキシ）シクロペンチルフェニル−２，３
−エポキシプロピルエーテル、１−（２，３−エポキシ
プロポキシ）フェニル−５，６−エポキシヘキサヒドロ
−４，７−メタノインダン、ｏ−（２，３−エポキシ）
シクロペンチルフェニル−２，３−エポキシプロピルエ
ーテル）、１，２−ビス〔５−（１，２−エポキシ）−
４，７−ヘキサヒドロメタノインダノキシル〕エタン、
シクロペンテニルフェニルグリシジルエーテル、シクロ
ヘキサンジオールジグリシジルエーテル及びジグリシジ
ルヘキサヒドロフタレートが挙げられる。特定の実施形
態によれば、脂環式エポキシ樹脂は３，４−エポキシシ
クロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサン
カルボキシレート及び３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシ
クロヘキサンカルボキシレートである。
【００１６】本発明では芳香族エポキシ樹脂を使用する
こともできるが、芳香族樹脂は変色する傾向が大きいた
め、脂環式及び脂肪族化合物ほど有利ではない。熱安定
剤又は酸化防止剤のような添加剤を芳香族エポキシ樹脂
と共に使用して変色を軽減させることもできる。従っ
て、本発明で有用なエポキシ樹脂の例としては、ビスフ
ェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹
脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノ
ボラックエポキシ樹脂、ビフェノールエポキシ樹脂、ビ
フェニルエポキシ樹脂、４，４’−ビフェニルエポキシ
樹脂、多官能性エポキシ樹脂、ジビニルベンゼンジオキ
シド及び２−グリシジルフェニルグリシジルエーテルも
挙げられる。芳香族、脂肪族及び脂環式樹脂を含む樹脂
が本明細書及び前記特許請求の範囲に記載される場合、
表示の樹脂又は表示の樹脂からなる部分を有する分子の
いずれもが意図されている。また、組成物中に柔軟剤と
して使用し得る脂肪族エポキシ樹脂も有用である。これ
らは、ブタンジオールジグリシジルエーテルのような脂
肪族エポキシ樹脂及びシロキサン樹脂を含んでいる。
【００１７】本発明の封入剤中で成分（Ｂ）として有用
な無水物硬化剤としては、当技術分野で公知のものが挙
げられる。実例は、Ｂ．Ｅｌｌｉｓ編「Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｅ
ｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ」（Ｃｈａｐｍａｎ Ｈａｌ
ｌ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、１９９３年）及びＣ．Ａ．Ｍａ
ｙ編「Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ
ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｍａｒｃｅｌ Ｄ
ｅｋｋｅｒ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、第２版、１９８８年）
に記載されている。様々な実施形態によれば、無水物硬
化剤はビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボン酸無水物、メチルビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水物、
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボン酸無水物、無水フタル酸、ピロメリト酸二無水
物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸
無水物、ジクロロマレイン酸無水物、クロレンド酸無水
物、テトラクロロフタル酸無水物などのうちの１種以上
からなる。また、２種以上の無水物硬化剤からなる混合
物も使用することができる。
【００１８】本発明の封入物中で成分（Ｃ）として有用
なホウ素含有触媒は、実質的にハロゲンを含まないもの
からなる。「実質的にハロゲンを含まない」という用語
は、ホウ素触媒中にハロゲンが存在しないか、或いは封
入剤最終製品が微少量のハロゲンの存在によって実質的
な変色を生じない程度の微少な量で存在することを意味
する。かかる物質は、下記の式（Ｉ）及び（II）で表さ
れるものを含む。
【００１９】
【化７】
【００２０】式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキ
ル若しくはシクロアルキル残基又はそれらの置換誘導
体、或いはＣ1-20アリールオキシ、アルキルオキシ若し
くはシクロアルコキシ残基又はそれらの置換誘導体であ
る。一部の実施形態では、上記の触媒はホウ酸トリフェ
ニル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸
トリシクロヘキシル、トリフェニルボロキシン、トリメ
チルボロキシン、トリブチルボロキシン、トリメトキシ
ボロキシン及びトリブトキシボロキシンを含む。
【００２１】硬化調整剤は、エポキシ樹脂の硬化速度を
調整することができる。様々な実施形態によれば、本発
明で成分（Ｄ）として有用な硬化調整剤は硬化促進剤及
び硬化抑制剤の少なくとも一方からなる。硬化調整剤に
は、孤立電子対をもつヘテロ原子を含有する化合物が挙
げられる。様々な実施形態によれば、硬化調整剤は多官
能性アルコール（例えば、ジオール、トリオールなど）
のようなアルコール及びビスフェノール、トリスフェノ
ールなどからなる。さらに、かかる化合物中のアルコー
ル基は第一級、第二級又は第三級のもの或いはそれらの
混合物であり得る。特定の実施形態では、かかるアルコ
ール基は第一級又は第二級のものである。代表例として
は、ベンジルアルコール、シクロヘキサンメタノール、
アルキルジオール、シクロヘキサンジメタノール、エチ
レングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオー
ル、ペンタンジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジ
オール、オクタンジオール、ポリエチレングリコール、
グリセロール、ポリエーテルグリコール（例えば、Ｄｏ
ｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＣｏｍｐａｎｙからＶＯＲＡＮ
ＯＬの商品名で販売されているもの）などが挙げられ
る。また、ホスファイトを硬化調整剤として使用するこ
ともできる。ホスファイトの実例としては、トリアルキ
ルホスファイト、トリアリールホスファイト、トリアル
キルチオホスファイト及びトリアリールチオホスファイ
トが挙げられる。一部の実施形態では、ホスファイトは
トリフェニルホスファイト、ベンジルジエチルホスファ
イト又はトリブチルホスファイトからなる。その他の好
適な硬化調整剤としては、立体障害アミン及び２，２，
６，６−テトラメチルピペリジル残基〔例えば、ビス
（２，２，６，６−テトラメチルピペリジル）セバケー
ト〕が挙げられる。また、硬化調整剤の混合物も使用す
ることができる。
【００２２】脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤
（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）及び硬化調整剤（Ｄ）の
量は、広範囲にわたって変化させることができる。様々
な実施形態によれば、組成物中の脂環式エポキシ樹脂
（Ａ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤
（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び
任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約６
０重量％より多い。一部の実施形態では、組成物中の脂
環式エポキシ樹脂（Ａ）の量は脂環式エポキシ樹脂
（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、
硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計
重量を基準として約６０〜約９２重量％の範囲内にあ
る。別の実施形態では、組成物中の脂環式エポキシ樹脂
（Ａ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤
（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び
任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約６
８〜約８０重量％の範囲内にある。
【００２３】様々な実施形態によれば、組成物中の無水
物硬化剤（Ｂ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水
物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤
（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準
として約１〜約３０重量％の範囲内にある。別の実施形
態では、組成物中の無水物硬化剤（Ｂ）の量は脂環式エ
ポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触
媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒
（Ｅ）の合計重量を基準として約２〜約２６重量％の範
囲内にある。一部の実施形態では、組成物中の無水物硬
化剤（Ｂ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬
化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）
及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として
約４〜約２４重量％の範囲内にある。
【００２４】様々な実施形態によれば、組成物中のホウ
素含有触媒（Ｃ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無
水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤
（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準
として約８重量％より少ない。別の実施形態では、組成
物中のホウ素含有触媒（Ｃ）の量は脂環式エポキシ樹脂
（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、
硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計
重量を基準として約６重量％より少ない。一部の実施形
態では、組成物中のホウ素含有触媒（Ｃ）の量は脂環式
エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有
触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒
（Ｅ）の合計重量を基準として約０．４〜約６重量％の
範囲内にある。別の実施形態では、組成物中のホウ素含
有触媒（Ｃ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物
硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤
（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準
として約１〜約６重量％の範囲内にある。
【００２５】様々な実施形態によれば、組成物中の硬化
調整剤（Ｄ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物
硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤
（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準
として約８重量％より少ない。別の実施形態では、組成
物中の硬化調整剤（Ｄ）の量は脂環式エポキシ樹脂
（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、
硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計
重量を基準として約６重量％より少ない。一部の実施形
態では、組成物中の硬化調整剤（Ｄ）の量は脂環式エポ
キシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒
（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び任意の補助硬化触媒
（Ｅ）の合計重量を基準として約０．４〜約６重量％の
範囲内にある。別の実施形態では、組成物中の硬化調整
剤（Ｄ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化
剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及
び任意の補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約
１〜約６重量％の範囲内にある。
【００２６】様々な実施形態によれば、本発明の組成物
は無水物とエポキシ樹脂とのモル比が１未満となるよう
な割合で脂環式エポキシ樹脂（Ａ）及び無水物硬化剤
（Ｂ）を含む。無水物とエポキシ樹脂とのモル比は、一
実施形態では約０．８５未満であり、別の実施形態では
約０．５８未満であり、さらに別の実施形態では約０．
３７未満である。
【００２７】本発明で任意成分（Ｅ）として有用な補助
硬化触媒は、当技術分野で公知のものを含む。実例とし
ては、Ｂ．Ｅｌｌｉｓ編「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ
Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｐｏｘｙ
Ｒｅｓｉｎｓ」（Ｃｈａｐｍａｎ Ｈａｌｌ、Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ、１９９３年）及びＣ．Ａ．Ｍａｙ編「Ｅｐｏ
ｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」（Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ、
Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ、第２版、１９８８年）に記載されて
いるものが挙げられる。様々な実施形態によれば、補助
硬化触媒は有機金属塩、スルホニウム塩又はヨードニウ
ム塩からなる。特定の実施形態では、補助硬化触媒はカ
ルボン酸金属塩、アセチルアセトン酸金属塩、オクタン
酸亜鉛、オクタン酸第一スズ、ヘキサフルオロリン酸ト
リアリールスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸
トリアリールスルホニウム（例えば、Ｓａｒｔｏｍｅｒ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから販売されているＣＤ１０１
０）、ヘキサフルオロアンチモン酸ジアリールヨードニ
ウム及びテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸
ジアリールヨードニウムのうちの１種以上からなる。様
々な実施形態によれば、組成物中の補助硬化触媒（Ｅ）
の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤
（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び
補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約１０重量
％未満である。一部の実施形態では、組成物中の補助硬
化触媒（Ｅ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物
硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤
（Ｄ）及び補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として
約０．０１〜約１０重量％の範囲内にある。別の実施形
態では、組成物中の補助硬化触媒（Ｅ）の量は脂環式エ
ポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触
媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び補助硬化触媒（Ｅ）の
合計重量を基準として約０．０５〜約５重量％の範囲内
にある。一部の実施形態では、組成物中の補助硬化触媒
（Ｅ）の量は脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤
（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び
補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約０．０５
〜約１．０重量％の範囲内にある。別の実施形態では、
組成物中の補助硬化触媒（Ｅ）の量は脂環式エポキシ樹
脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒
（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び補助硬化触媒（Ｅ）の合
計重量を基準として約０．０５〜約０．５重量％の範囲
内にある。
【００２８】その他の可能な硬化剤又は触媒としては、
Ｂ．Ｅｌｌｉｓ編「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓ
ｉｎｓ」（Ｃｈａｐｍａｎ Ｈａｌｌ、１９９３年、Ｎ
ｅｗ Ｙｏｒｋ）及びＣ．Ａ．Ｍａｙ編「Ｅｐｏｘｙ
Ｒｅｓｉｎｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｔｅｃｈ
ｎｏｌｏｇｙ」（Ｍａｒｃｅｌ Ｄｅｋｋｅｒ、Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ、第２版、１９８８年）に記載されているも
のが挙げられる。
【００２９】本発明の組成物には、１種以上の熱安定剤
又は紫外線安定剤或いはそれらの混合物が任意に存在し
得る。かかる安定剤は、封入剤の加工中の発色を低減さ
せることができる。熱安定性及び／又は紫外線安定性を
改善するための多くの安定剤が当技術分野で公知であっ
て、それらは多数の特許及び出版物〔例えば、Ｊ．Ｆ．
Ｒａｂｅｋ著「Ｐｈｏｔｏｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ； Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ
ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」（Ｅｌｓｅｖｉｅ
ｒ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅ、ＮＹ、１９９０
年）及びＨ．Ｚｗｅｉｆｅｌ編「Ｐｌａｓｔｉｃｓ Ａ
ｄｄｉｔｉｖｅｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ」（第５版、Ｈａ
ｎｓｅｒ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、２００１年〕に記載
されている。適当な安定剤の実例としては、トリフェニ
ルホスファイト、ジフェニルアルキルホスファイト、フ
ェニルジアルキルホスファイト、トリ（ノニルフェニ
ル）ホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリオ
クタデシルホスファイト、ジステアリルペンタエリトリ
トールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト、ジイソデシルペンタ
エリトリトールジホスファイト、ジ（２，４−ジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリトリトールジホスフ
ァイト、トリステアリルソルビトールトリホスファイト
及びテトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニ
ル）−４，４’−ビフェニルジホスホナイトのような有
機ホスファイト及びホスホナイトが挙げられる。また、
適当な安定剤の実例としては、トリスメチルチオホスフ
ァイト、トリスエチルチオホスファイト、トリスプロピ
ルチオホスファイト、トリスペンチルチオホスファイ
ト、トリスヘキシルチオホスファイト、トリスヘプチル
チオホスファイト、トリスオクチルチオホスファイト、
トリスノニルチオホスファイト、トリスラウリルチオホ
スファイト、トリスフェニルチオホスファイト、トリス
ベンジルチオホスファイト、ビスプロピオチオメチルホ
スファイト、ビスプロピオチオノニルホスファイト、ビ
スノニルチオメチルホスファイト、ビスノニルチオブチ
ルホスファイト、メチルエチルチオブチルホスファイ
ト、メチルエチルチオプロピオホスファイト、メチルノ
ニルチオブチルホスファイト、メチルノニルチオラウリ
ルホスファイト及びペンチルノニルチオラウリルホスフ
ァイトのような硫黄含有リン化合物も挙げられる。これ
らの化合物は単独で使用することもできるし、或いは２
種以上の化合物を組合わせて使用することもできる。
【００３０】また、適当な安定剤には、当技術分野で公
知の立体障害フェノール類も含まれる。立体障害フェノ
ール安定剤の実例としては、２−ｔｅｒｔ−アルキル置
換フェノール誘導体、２−ｔｅｒｔ−アミル置換フェノ
ール誘導体、２−ｔｅｒｔ−オクチル置換フェノール誘
導体、２−ｔｅｒｔ−ブチル置換フェノール誘導体、
２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル置換フェノール誘導体、
２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチル（又は６−メチレ
ン）置換フェノール誘導体及び２，６−ジメチル置換フ
ェノール誘導体が挙げられる。これらの化合物は単独で
使用することもできるし、或いは２種以上の化合物を組
合わせて使用することもできる。ある特定の実施形態で
は、立体障害フェノール安定剤はα−トコフェロール及
びブチル化ヒドロキシトルエンからなる。
【００３１】また、適当な安定剤には立体障害アミンも
含まれる。その実例としては、ビス（２，２，６，６−
テトラメチルピペリジル）セバケート、ビス（１，２，
２，６，６−ペンタメチルピペリジル）セバケート、ｎ
−ブチル−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシベンジルマロン酸ビス（１，２，２，６，６−ペン
タメチルピペリジル）エステル、１−ヒドロキシエチル
−２，２，６，６−テトラメチル−４−ヒドロキシピペ
リジンとコハク酸との縮合生成物、Ｎ，Ｎ’−（２，
２，６，６−テトラメチルピペリジル）ヘキサメチレン
ジアミンと４−ｔｅｒｔ−オクチルアミノ−２，６−ジ
クロロ−ｓ−トリアジンとの縮合生成物、トリス（２，
２，６，６−テトラメチルピペリジル）ニトリロトリア
セテート、テトラキス（２，２，６，６−テトラメチル
−４−ピペリジル）−１，２，３，４−ブタントテラカ
ルボキシレート及び１，１’−（１，２−エタンジイ
ル）−ビス（３，３，５，５−テトラメチルピペラジノ
ン）が挙げられる。これらの化合物は単独で使用するこ
ともできるし、或いは２種以上の化合物を組合わせて使
用することもできる。
【００３２】また、適当な安定剤には過酸化物を分解す
る化合物も含まれる。その実例としては、β−チオジプ
ロピオン酸のエステル（例えば、ラウリル、ステアリ
ル、ミリスチル又はトリデシルエステル）、メルカプト
ベンゾイミダゾール又は２−メルカプトベンゾイミダゾ
ールの亜鉛塩、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジオ
クタデシルジスルフィド及びペンタエリトリトールテト
ラキス（β−ドデシルメルカプト）プロピオネートが挙
げられる。これらの化合物は単独で使用することもでき
るし、或いは２種以上の化合物を組合わせて使用するこ
ともできる。
【００３３】また、本発明の任意成分には、様々な実施
形態でエポキシ樹脂が基材（例えば、ガラス基材）に結
合して表面に対する強い結合力を生み出すことによって
早期破損が起こらないようにするのに役立つカップリン
グ剤も含まれる。カップリング剤は、シラン部分及びメ
ルカプト部分の両方を含有する化合物からなる。その実
例としては、メルカプトメチルトリフェニルシラン、β
−メルカプトエチルトリフェニルシラン、β−メルカプ
トプロピルトリフェニルシラン、γ−メルカプトプロピ
ルジフェニルメチルシラン、γ−メルカプトプロピルフ
ェニルジメチルシラン、δ−メルカプトブチルフェニル
ジメチルシラン、δ−メルカプトブチルトリフェニルシ
ラン、トリス（β−メルカプトエチル）フェニルシラ
ン、トリス（γ−メルカプトプロピル）フェニルシラ
ン、トリス（γ−メルカプトプロピル）メチルシラン、
トリス（γ−メルカプトプロピル）エチルシラン及びト
リス（γ−メルカプトプロピル）ベンジルシランが挙げ
られる。また、カップリング剤はアルコキシシラン及び
有機部分の両方を含む化合物からなる。その実例として
は、式（Ｒ5Ｏ）3Ｓｉ−Ｒ6 〔式中、Ｒ5 はアルキル基
であり、かつＲ6 はビニル基、３−グリシドキシプロピ
ル基、３−メルカプトプロピル基、３−アクリロキシプ
ロピル基、３−メタクリロキシプロピル基及びＣnＨ
2n+1 からなる群から選択される〕で表される化合物が
挙げられる。一部の実施形態では、Ｒ5 はメチル基又は
エチル基であり、かつｎは４〜１６の値を有する。別の
実施形態では、カップリング剤はアルコキシシラン及び
エポキシ部分の両方を含むものからなる。カップリング
剤は単独で使用することもできるし、或いは２種以上の
化合物を組合わせて使用することもできる。
【００３４】また、本発明の任意成分には屈折率調整剤
も含まれる。相対的に回折率の大きいチップ（通例２．
８〜３．２）から屈折率のより小さいエポキシ樹脂封入
剤（通例１．２〜１．６）に光が進入する場合、光の一
部は臨界角で反射されてチップに戻る。屈折率の大きい
調整剤をエポキシ樹脂に添加してその屈折率を増大させ
れば、２つの屈折率間の整合が改善されて放出される光
の量が増加する。かかる材料は、エポキシ樹脂封入剤の
透明度に顕著な影響を及ぼすことなしにエポキシ樹脂の
屈折率を増大させる。この種の調整剤は、大きい屈折率
を有する添加剤からなる。これらの材料としては、光学
的に透明な有機物質又は無機物質、及び放出される光の
波長より小さい粒度の粒子又は組織の凝集物が挙げられ
る。かかる凝集物は、時にはナノ粒子と呼ばれる。かか
る材料は当技術分野で公知であって、散乱の比較的少な
い各種の透明な金属酸化物又は第II−VI族材料を含む。
一実施形態では、ナノ粒子材料は二酸化チタンである。
別の実施形態では、その他の種類の透明な金属酸化物又
は金属酸化物の組合せを使用することができる。例え
ば、酸化マグネシウム、イットリア、ジルコニア、酸化
セリウム、アルミナ、酸化鉛、及び複合材料（例えば、
イットリアとジルコニアとからなるもの）を使用してナ
ノ粒子を形成することができる。さらに別の実施形態で
は、ナノ粒子はセレン化亜鉛、硫化亜鉛、並びにＺｎ、
Ｓｅ、Ｓ及びＴｅからなる合金を含む第II−VI族材料の
１種から形成される。別法として、窒化ガリウム、窒化
ケイ素又は窒化アルミニウムを使用してナノ粒子を形成
することもできる。
【００３５】本発明の組成物は、任意成分を含む各種の
成分を任意適宜の順序で混合することによって調製する
ことができる。様々な実施形態によれば、全ての成分を
一緒に混合することができる。別の実施形態では、２種
以上の成分を予備混合し、次いで他の成分と混合するこ
とができる。一実施形態では、本発明の組成物の成分は
二液型組成物を構成する。この場合には、各種の成分を
２以上の独立した組成物として予備混合し、次いでそれ
らを混合することによって最終組成物が得られる。
【００３６】固体素子デバイス用の封入技術は当技術分
野で公知であって、それらを本発明で使用することがで
きる。様々な実施形態によれば、かかる技術は注型、樹
脂トランスファー成形などからなる。通例は金型内で、
固体素子デバイスを未硬化樹脂で包囲した後、樹脂を硬
化させる。これらの樹脂は、熱、紫外線又は電子ビーム
技術或いはそれらの組合せからなる当技術分野で公知の
方法を使用しながら、１段階又は数段階で硬化させるこ
とができる。例えば、一実施形態ではほぼ室温乃至約２
００℃の範囲内、別の実施形態では約８０〜約２００℃
の範囲内、別の実施形態では約１００〜約２００℃の範
囲内、別の実施形態では約１２０〜約１６０℃の範囲内
の温度で熱硬化を行うことができる。また、別の実施形
態では、当技術分野で公知の技術を使用しながら、最初
はほぼ室温でこれらの材料を光化学的に硬化させること
もできる。光化学反応に原因する多少の温度変動及びそ
れに続いて硬化が起こり得るが、外部加熱は通例必要で
ない。別の実施形態では、これらの材料を２段階で硬化
させることができる。この場合には、例えば最初に熱又
は紫外線硬化を使用することにより、部分的に硬化した
Ｂ段階のエポキシ樹脂を生成させることができる。次い
で、取り扱いの容易なこの材料を例えば熱又は紫外線技
術によってさらに硬化させることにより、封入固体素子
デバイスに関して要求される所望の熱的性能（例えば、
ＴｇやＣＴＥ）、光学的性質及び防湿性を有する材料を
得ることができる。
【００３７】さらに詳しい説明を行わなくても、本明細
書の記載内容を使用すれば、当業者は本発明を十二分に
利用し得るものと考えられる。当業者が本発明を実施す
る際の追加の指針を提供するため、以下に実施例を示
す。ここに示す実施例は、本発明の開示の助けとなる作
業を表すものに過ぎない。従って、これらの実施例は前
記特許請求の範囲に規定される本発明を限定するもので
はない。
【００３８】実施例１〜５ 表１に示すようにエポキシ樹脂及び硬化剤を混合し、次
いで記載の条件下で硬化させることによってエポキシ樹
脂封入剤を調製した。化学量論的量より少ない量の無水
物を使用した。全ての量は重量部で表されている。略語
「ＲＴ」は室温を意味している。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１に示す通り、化学量論的量より少ない
レベルの無水物の使用は色の改善をもたらす。さらに重
要なことには、表１に示された無水物のレベルは発光ダ
イオードデバイスの封入に当技術分野で従前使用されて
きたものより低い。
【００４１】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂組成物に関して知られている用途で使用することが
できる。かかる用途としては、固体素子デバイス用の被
膜、ポッティングコンパウンド及び封入剤が挙げられ
る。一実施形態では、固体素子デバイスはＬＥＤであ
る。図１は、本発明の一実施形態に係るＬＥＤ１を示し
ている。ＬＥＤ１は、リードフレーム５に電気的接続さ
れたＬＥＤチップ４を含んでいる。例えば、図１に示す
ように、ＬＥＤチップ４をリードフレーム５の陽極又は
陰極に直接に電気的接続すると共に、リード線７によっ
てリードフレーム５の逆の陰極又は陽極に接続すること
ができる。図１に示す特定の実施形態では、リードフレ
ーム５がＬＥＤチップ４を支持している。しかし、リー
ド線７を省いて、ＬＥＤチップ４がリードフレーム５の
両極をまたぐように配置することもできる。この場合、
接点層を含むＬＥＤチップ４の底面をリードフレーム５
の陽極及び陰極の両方に接触させればよい。別法とし
て、独立のリード線７を用いてＬＥＤチップ４をリード
フレーム５の陰極及び陽極に接続することもできる。リ
ードフレーム５は、電流源又は電圧源のような電源或い
は別の回路（図示せず）に接続される。
【００４２】ＬＥＤチップ４は、放射放出面９から放射
を放出する。かかるＬＥＤは、可視光線、紫外線又は赤
外線を放出することができる。ＬＥＤチップは、所望の
放射を放出し得る任意の半導体層のｐｎ接合を含む任意
のＬＥＤチップからなるものでよい。例えば、ＬＥＤチ
ップは任意所望の第III−Ｖ族化合物半導体層（例え
ば、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、Ｇ
ａＰなど）、又は第II−VI族化合物半導体層（例えば、
ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＣｄＴｅなど）、又は第IV−IV
族半導体層（例えば、ＳｉＣ）を含むことができる。ま
た、ＬＥＤチップ４は被覆層、導波層及び接点層のよう
な他の層を含むこともできる。
【００４３】ＬＥＤ１は、本発明の封入剤１１を用いて
パッケージ封入されている。封入剤１１の別名は封入材
料である。一実施形態では、ＬＥＤパッケージはシェル
１４のようなパッケージ内に配置された封入剤１１を含
んでいる。かかるシェルは、ＬＥＤの放射に対して透明
な任意のプラスチック又はその他の材料（例えば、ポリ
カーボネート）であり得る。しかし、封入剤１１がシェ
ル無しで使用するのに十分な靭性及び剛性を有するなら
ば、シェル１４を省いて加工を簡略化することもでき
る。その場合、一部の実施形態では、封入剤１１の外面
がシェル１４又はパッケージとして働く。シェル１４
は、ＬＥＤチップ４の上方に光放出面又は放射放出面１
５を有すると共に、リードフレーム５に隣接した非放出
面１６を有する。放射放出面１５は、レンズとして働く
ように湾曲していることがあり、かつ／或いはフィルタ
として働くように着色されていることもある。様々な実
施形態では、非放出面１６はＬＥＤの放射に対して不透
明なことがあり、また金属のような不透明材料から形成
されていることがある。また、所望ならば、シェル１４
はＬＥＤチップ４の周囲に配置された反射体又はその他
の部品（例えば、抵抗器など）を含むこともできる。
【００４４】その他の実施形態では、封入材料はＬＥＤ
１の色出力を最適化するために蛍光体を任意に含有する
ことができる。例えば、封入剤１１に蛍光体を蛍光体粉
末として分散又は配合したり、ＬＥＤチップ４上に蛍光
体を薄膜として被覆したり、或いはシェル１４の内面上
に蛍光体を被覆することができる。任意の蛍光体をＬＥ
Ｄチップと共に使用することができる。例えば、ＩｎＧ
ａＮ活性層を有する青色発光のＬＥＤチップと共に黄色
発光のセリウム添加イットリウム−アルミニウム−ガー
ネット蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ3+）を使用することによ
り、人間の観察者に見える黄色及び青色の光出力を生み
出すことができる。所望に応じ、その他の組合せのＬＥ
Ｄチップ及び蛍光体を使用することもできる。
【００４５】図１に示された一実施形態に係るパッケー
ジＬＥＤチップ４はリードフレーム５によって支持され
ているが、ＬＥＤ１はその他様々な構造を有し得る。例
えば、ＬＥＤチップ４をリードフレーム５の代りにシェ
ル１４の底面１６によって支持したり、或いはシェル１
４の底面上に配置された台座（図示せず）によって支持
することもできる。
【００４６】本発明の別の実施形態では、図２に示すよ
うに、ＬＥＤ２のＬＥＤチップ４をキャリヤ基板１７に
よって支持することができる。キャリヤ基板１７はＬＥ
Ｄパッケージの下方部分を構成していて、プラスチッ
ク、金属又はセラミックのような任意の材料からなるも
のでよい。好ましくは、かかるキャリヤ基板はプラスチ
ックからなり、内部にＬＥＤチップ４を配置した溝１９
を有する。溝１９の側面は、反射体として働く反射性金
属２１（例えば、アルミニウム）で被覆することができ
る。しかし、ＬＥＤチップ４を基板１７の平坦な表面上
に形成することもできる。基板１７は、ＬＥＤチップ４
の接点層と電気的に接触する電極２３を含んでいる。別
法として、図１に示すような１本又は２本のリード線を
用いて電極２３をＬＥＤチップ４に電気的接続すること
もできる。所望ならば、レンズ又は保護材として働くよ
うにするため、封入剤１１上にシェル１４又はガラス板
を形成することもできる。
【００４７】本発明の別の実施形態では、図３に示すよ
うに、プラスチック基板上にＬＥＤアレイ３を形成する
ことができる。ＬＥＤチップ又はダイ４が、陰極リード
２６上に物理的かつ電気的に取付けられている。ＬＥＤ
チップ４の上面は、リード線２７を用いて陽極リード２
５に電気的接続されている。かかるリード線は、公知の
ワイヤボンディング技術によって導電性のチップパッド
に固定することができる。リード２６及び２５はリード
フレームを構成していて、銀めっき銅のような金属から
なるものでよい。リードフレーム及びＬＥＤチップアレ
イ３は、ポリカーボネートパッケージのようなプラスチ
ックパッケージ２９内に収容されている。一部の実施形
態では、ポリカーボネートはビスフェノールＡポリカー
ボネートからなる。プラスチックパッケージ２９には、
本発明の封入剤１１が充填されている。パッケージ２９
はテーパ付きの内部側壁１８を含むが、かかる内部側壁
１８はＬＥＤチップ４を包囲して光拡散キャビティ２０
を形成し、それによってＬＥＤ光の交差光束を確実に生
み出す。
【００４８】以上、代表的な実施形態に関連して本発明
を例示しかつ説明してきたが、本発明の精神から決して
逸脱することなしに様々な変更や置換を施し得るから、
本発明は示された細部に限定されることはない。従っ
て、単なる日常的な実験を使用すれば当業者には本明細
書に開示された本発明の追加の変更例及び同等物が想起
されるはずであり、またかかる変更例及び同等物の全て
が前記特許請求の範囲によって定義された本発明の精神
及び範囲に含まれると考えられる。本明細書中で引用さ
れた全ての特許は、援用によって本明細書の開示内容の
一部をなす。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＥＤの略図であ
る。
【図２】本発明の別の実施形態に係るＬＥＤの略図であ
る。
【図３】本発明のさらに別の実施形態に係るＬＥＤの略
図である。
【符号の説明】
１ ＬＥＤ ２ ＬＥＤ ３ ＬＥＤアレイ ４ ＬＥＤチップ ５ リードフレーム ７ リード線 ９ 放射放出面 １１ 封入剤 １４ シェル １５ 放射放出面 １６ 非放出面 １７ キャリヤ基板 １８ 内部側壁 １９ 溝 ２０ 光拡散キャビティ ２１ 反射性金属 ２３ 電極 ２５ 陽極リード ２６ 陰極リード ２７ リード線 ２９ パッケージ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 33/00 (72)発明者 マウゴジャータ・イヴォナ・ルビンシュタ イン アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、ハイランド・パーク・ロード、 1105番 Ｆターム(参考） 4J002 CD021 DA119 DE079 EU077 EU117 EU187 EV047 EW066 EW088 EX068 FD036 FD057 FD209 GP00 4J036 AJ09 AJ11 AJ15 DB17 DB21 DB22 FA12 FA13 GA06 GA11 GA22 GA24 JA07 KA01 4M109 AA01 CA04 EB04 GA01 5F041 AA43 AA44 DA18 DA44 DA46

Claims (132)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、
    （Ｂ）１種以上の無水物硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲ
    ンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、（Ｄ）１種以
    上の硬化調整剤、及び任意に（Ｅ）１種以上の補助硬化
    触媒を含む、固体素子デバイス封入用の硬化性エポキシ
    樹脂組成物。
  2. 【請求項２】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が１分子
    当り１以上の脂環式基及び２以上のオキシラン環を有す
    る、請求項１記載の組成物。
  3. 【請求項３】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が２−
    （３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ
    −（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサ
    ン、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−
    エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、
    ビニルシクロヘキサンジオキシド、ビス（３，４−エポ
    キシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４
    −エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペ
    ート、エキソ−エキソビス（２，３−エポキシシクロペ
    ンチル）エーテル、エンド−エキソビス（２，３−エポ
    キシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（４−
    （２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル）プロ
    パン、２，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシシク
    ロヘキシル−ｐ−ジオキサン）、２，６−ビス（２，３
    −エポキシプロポキシ）ノルボルネン、リノール酸二量
    体のジグリシジルエーテル、リモネンジオキシド、２，
    ２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパ
    ン、ジシクロペンタジエンジオキシド、１，２−エポキ
    シ−６−（２，３−エポキシプロポキシ）ヘキサヒドロ
    −４，７−メタノインダン、ｐ−（２，３−エポキシ）
    シクロペンチルフェニル−２，３−エポキシプロピルエ
    ーテル、１−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル
    −５，６−エポキシヘキサヒドロ−４，７−メタノイン
    ダン、ｏ−（２，３−エポキシ）シクロペンチルフェニ
    ル−２，３−エポキシプロピルエーテル）、１，２−ビ
    ス〔５−（１，２−エポキシ）−４，７−ヘキサヒドロ
    メタノインダノキシル〕エタン、シクロペンテニルフェ
    ニルグリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールジグ
    リシジルエーテル及びジグリシジルヘキサヒドロフタレ
    ートのうちの１種以上からなる、請求項２記載の組成
    物。
  4. 【請求項４】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が３，４
    −エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシ
    クロヘキサンカルボキシレートからなる、請求項３記載
    の組成物。
  5. 【請求項５】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がビシクロ
    ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン
    酸無水物、メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
    エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ビシクロ［２．
    ２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水
    物、無水フタル酸、ピロメリト酸二無水物、ヘキサヒド
    ロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、ジクロ
    ロマレイン酸無水物、クロレンド酸無水物及びテトラク
    ロロフタル酸無水物のうちの１種以上からなる、請求項
    １記載の組成物。
  6. 【請求項６】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がヘキサヒドロ
    フタル酸無水物からなる、請求項５記載の組成物。
  7. 【請求項７】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ樹
    脂（Ａ）とのモル比が１未満である、請求項１記載の組
    成物。
  8. 【請求項８】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ樹
    脂（Ａ）とのモル比が約０．８５未満である、請求項７
    記載の組成物。
  9. 【請求項９】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ樹
    脂（Ａ）とのモル比が約０．５８未満である、請求項７
    記載の組成物。
  10. 【請求項１０】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ
    樹脂（Ａ）とのモル比が約０．３７未満である、請求項
    ７記載の組成物。
  11. 【請求項１１】 前記ホウ素含有触媒（Ｃ）がホウ酸エ
    ステルからなる請求項１記載の組成物。
  12. 【請求項１２】 前記ホウ酸エステルが式 【化１】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項１１記載の組成物。
  13. 【請求項１３】 前記ホウ酸エステルがホウ酸トリフェ
    ニル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリヘキシル及びホウ
    酸トリシクロヘキシルからなる群から選択される１種以
    上である、請求項１２記載の組成物。
  14. 【請求項１４】 前記ホウ素含有触媒がボロキシンであ
    る、請求項１１記載の組成物。
  15. 【請求項１５】 前記ボロキシンが式 【化２】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項１４記載の組成物。
  16. 【請求項１６】 前記ボロキシンがトリフェニルボロキ
    シン、トリメチルボロキシン、トリブチルボロキシン、
    トリメトキシボロキシン及びトリブトキシボロキシンか
    らなる群から選択される１種以上である、請求項１５記
    載の組成物。
  17. 【請求項１７】 前記硬化調整剤（Ｄ）がアルコール及
    びホスファイトからなる群から選択される１種以上から
    なる、請求項１記載の組成物。
  18. 【請求項１８】 前記硬化調整剤（Ｄ）がベンジルアル
    コール、シクロヘキサンメタノール、アルキルジオー
    ル、シクロヘキサンジメタノール、エチレングリコー
    ル、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタン
    ジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オク
    タンジオール、ポリエチレングリコール、グリセロー
    ル、ポリエーテルグリコール並びにトリアルキルホスフ
    ァイト、トリブチルホスファイト、トリアリールホスフ
    ァイト、トリフェニルホスファイト、ベンジルジエチル
    ホスファイト、トリアルキルチオホスファイト及びトリ
    アリールチオホスファイトからなる群から選択される１
    種以上からなる、請求項１７記載の組成物。
  19. 【請求項１９】 前記硬化調整剤（Ｄ）が２，５−ヘキ
    サンジオール及びトリフェニルホスファイトからなる、
    請求項１８記載の組成物。
  20. 【請求項２０】 脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬
    化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）
    及び補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約０．
    ０１〜約１０重量％の範囲内の量で１種以上の補助硬化
    触媒（Ｅ）を含む、請求項１記載の組成物。
  21. 【請求項２１】 前記補助硬化触媒（Ｅ）が有機金属
    塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩からなる群から
    選択される１種以上である、請求項２０記載の組成物。
  22. 【請求項２２】 前記補助硬化触媒（Ｅ）がカルボン酸
    金属塩、アセチルアセトン酸金属塩、オクタン酸亜鉛、
    オクタン酸第一スズ、ヘキサフルオロリン酸トリアリー
    ルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸トリアリ
    ールスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジアリ
    ールヨードニウム及びテトラキス（ペンタフルオロフェ
    ニル）ホウ酸ジアリールヨードニウムからなる群から選
    択される１種以上からなる、請求項２１記載の組成物。
  23. 【請求項２３】 熱安定剤、紫外線安定剤、カップリン
    グ剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、
    請求項１記載の組成物。
  24. 【請求項２４】 アルコキシシラン及び有機部分の両方
    を含む１種以上のカップリング剤を含む、請求項２３記
    載の組成物。
  25. 【請求項２５】 式（Ｒ5Ｏ）3Ｓｉ−Ｒ6 〔式中、Ｒ5
    はアルキル基であり、かつＲ6 はビニル基、３−グリシ
    ドキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−ア
    クリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基
    及びＣnＨ2n+ 1 （ただし、ｎは両端を含めて４〜１６の
    値を有する）からなる群から選択される〕で表される１
    種以上のカップリング剤を含む、請求項２４記載の組成
    物。
  26. 【請求項２６】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項２５記載の
    組成物。
  27. 【請求項２７】 封入剤（１１）が部分的に硬化してい
    る、請求項１記載の組成物。
  28. 【請求項２８】 封入剤（１１）が硬化している、請求
    項１記載の組成物。
  29. 【請求項２９】 （Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシ
    ルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシ
    レート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水物、（Ｃ）ト
    リメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジ
    オール及びトリフェニルホスファイトを含んでいて、成
    分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合
    計重量を基準として約６０重量％より多いレベルで存在
    し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び
    （Ｄ）の合計重量を基準として約１〜約６重量％の範囲
    内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として約１
    〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分
    （Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約０．３７未満であ
    る、固体素子デバイス封入用の硬化性エポキシ樹脂組成
    物。
  30. 【請求項３０】 熱安定剤、紫外線安定剤、カップリン
    グ剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、
    請求項２９記載の組成物。
  31. 【請求項３１】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項３０記載の
    組成物。
  32. 【請求項３２】 封入剤（１１）が部分的に硬化してい
    る、請求項２９記載の組成物。
  33. 【請求項３３】 封入剤（１１）が硬化している、請求
    項２９記載の組成物。
  34. 【請求項３４】 （Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシ
    ルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシ
    レート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水物、（Ｃ）ト
    リメトキシボロキシン、（Ｄ）２，５−ヘキサンジオー
    ル及びトリフェニルホスファイト、並びに（Ｅ）オクタ
    ン酸第一スズを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準と
    して約６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）
    は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合
    計重量を基準として約１〜約６重量％の範囲内のレベル
    で存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
    （Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準として約１〜約６重
    量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｅ）は成分
    （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量
    を基準として約０．０５〜約５重量％の範囲内のレベル
    で存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約
    ０．５８未満である、固体素子デバイス封入用の硬化性
    エポキシ樹脂組成物。
  35. 【請求項３５】 成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比が
    約０．３７未満である、請求項３４記載の組成物。
  36. 【請求項３６】 １種以上のカップリング剤をさらに含
    む、請求項３４記載の組成物。
  37. 【請求項３７】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項３６記載の
    組成物。
  38. 【請求項３８】 封入剤（１１）が部分的に硬化してい
    る、請求項３４記載の組成物。
  39. 【請求項３９】 封入剤（１１）が硬化している、請求
    項３４記載の組成物。
  40. 【請求項４０】 （ａ）パッケージ、（ｂ）チップ
    （４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むパッケージ固
    体素子デバイスであって、前記封入剤（１１）が（Ａ）
    １種以上の脂環式エポキシ樹脂、（Ｂ）１種以上の無水
    物硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲンを含まない１種以上
    のホウ素含有触媒、（Ｄ）１種以上の硬化調整剤、及び
    任意に（Ｅ）１種以上の補助硬化触媒を含むパッケージ
    固体素子デバイス。
  41. 【請求項４１】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が１分
    子当り１以上の脂環式基及び２以上のオキシラン環を有
    する、請求項４０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  42. 【請求項４２】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が２−
    （３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ
    −（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサ
    ン、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−
    エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、
    ビニルシクロヘキサンジオキシド、ビス（３，４−エポ
    キシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４
    −エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペ
    ート、エキソ−エキソビス（２，３−エポキシシクロペ
    ンチル）エーテル、エンド−エキソビス（２，３−エポ
    キシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（４−
    （２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル）プロ
    パン、２，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシシク
    ロヘキシル−ｐ−ジオキサン）、２，６−ビス（２，３
    −エポキシプロポキシ）ノルボルネン、リノール酸二量
    体のジグリシジルエーテル、リモネンジオキシド、２，
    ２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパ
    ン、ジシクロペンタジエンジオキシド、１，２−エポキ
    シ−６−（２，３−エポキシプロポキシ）ヘキサヒドロ
    −４，７−メタノインダン、ｐ−（２，３−エポキシ）
    シクロペンチルフェニル−２，３−エポキシプロピルエ
    ーテル、１−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル
    −５，６−エポキシヘキサヒドロ−４，７−メタノイン
    ダン、ｏ−（２，３−エポキシ）シクロペンチルフェニ
    ル−２，３−エポキシプロピルエーテル）、１，２−ビ
    ス〔５−（１，２−エポキシ）−４，７−ヘキサヒドロ
    メタノインダノキシル〕エタン、シクロペンテニルフェ
    ニルグリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールジグ
    リシジルエーテル及びジグリシジルヘキサヒドロフタレ
    ートのうちの１種以上からなる、請求項４１記載のパッ
    ケージ固体素子デバイス。
  43. 【請求項４３】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が３，
    ４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ
    シクロヘキサンカルボキシレートからなる、請求項４２
    記載のパッケージ固体素子デバイス。
  44. 【請求項４４】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がビシクロ
    ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン
    酸無水物、メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
    エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ビシクロ［２．
    ２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水
    物、無水フタル酸、ピロメリト酸二無水物、ヘキサヒド
    ロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、ジクロ
    ロマレイン酸無水物、クロレンド酸無水物及びテトラク
    ロロフタル酸無水物のうちの１種以上からなる、請求項
    ４０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  45. 【請求項４５】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がヘキサヒド
    ロフタル酸無水物からなる、請求項４４記載のパッケー
    ジ固体素子デバイス。
  46. 【請求項４６】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ
    樹脂（Ａ）とのモル比が１未満である、請求項４０記載
    のパッケージ固体素子デバイス。
  47. 【請求項４７】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ
    樹脂（Ａ）とのモル比が約０．８５未満である、請求項
    ４６記載のパッケージ固体素子デバイス。
  48. 【請求項４８】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ
    樹脂（Ａ）とのモル比が約０．５８未満である、請求項
    ４６記載のパッケージ固体素子デバイス。
  49. 【請求項４９】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキシ
    樹脂（Ａ）とのモル比が約０．３７未満である、請求項
    ４６記載のパッケージ固体素子デバイス。
  50. 【請求項５０】 前記ホウ素含有触媒（Ｃ）がホウ酸エ
    ステルからなる請求項４０記載のパッケージ固体素子デ
    バイス。
  51. 【請求項５１】 前記ホウ酸エステルが式 【化３】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項５０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  52. 【請求項５２】 前記ホウ酸エステルがホウ酸トリフェ
    ニル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリヘキシル及びホウ
    酸トリシクロヘキシルからなる群から選択される１種以
    上である、請求項５１記載のパッケージ固体素子デバイ
    ス。
  53. 【請求項５３】 前記ホウ素含有触媒がボロキシンであ
    る、請求項５０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  54. 【請求項５４】 前記ボロキシンが式 【化４】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項５３記載のパッケージ固体素子デバイス。
  55. 【請求項５５】 前記ボロキシンがトリフェニルボロキ
    シン、トリメチルボロキシン、トリブチルボロキシン、
    トリメトキシボロキシン及びトリブトキシボロキシンか
    らなる群から選択される１種以上である、請求項５４記
    載のパッケージ固体素子デバイス。
  56. 【請求項５６】 前記硬化調整剤（Ｄ）がアルコール及
    びホスファイトからなる群から選択される１種以上から
    なる、請求項４０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  57. 【請求項５７】 前記硬化調整剤（Ｄ）がベンジルアル
    コール、シクロヘキサンメタノール、アルキルジオー
    ル、シクロヘキサンジメタノール、エチレングリコー
    ル、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタン
    ジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オク
    タンジオール、ポリエチレングリコール、グリセロー
    ル、ポリエーテルグリコール並びにトリアルキルホスフ
    ァイト、トリブチルホスファイト、トリアリールホスフ
    ァイト、トリフェニルホスファイト、ベンジルジエチル
    ホスファイト、トリアルキルチオホスファイト及びトリ
    アリールチオホスファイトからなる群から選択される１
    種以上からなる、請求項５６記載のパッケージ固体素子
    デバイス。
  58. 【請求項５８】 前記硬化調整剤（Ｄ）が２，５−ヘキ
    サンジオール及びトリフェニルホスファイトからなる、
    請求項５７記載のパッケージ固体素子デバイス。
  59. 【請求項５９】 脂環式エポキシ樹脂（Ａ）、無水物硬
    化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒（Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）
    及び補助硬化触媒（Ｅ）の合計重量を基準として約０．
    ０１〜約１０重量％の範囲内の量で１種以上の補助硬化
    触媒（Ｅ）を含む、請求項４０記載のパッケージ固体素
    子デバイス。
  60. 【請求項６０】 前記補助硬化触媒（Ｅ）が有機金属
    塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩からなる群から
    選択される１種以上である、請求項５９記載のパッケー
    ジ固体素子デバイス。
  61. 【請求項６１】 前記補助硬化触媒（Ｅ）がカルボン酸
    金属塩、アセチルアセトン酸金属塩、オクタン酸亜鉛、
    オクタン酸第一スズ、ヘキサフルオロリン酸トリアリー
    ルスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸トリアリ
    ールスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジアリ
    ールヨードニウム及びテトラキス（ペンタフルオロフェ
    ニル）ホウ酸ジアリールヨードニウムからなる群から選
    択される１種以上からなる、請求項６０記載のパッケー
    ジ固体素子デバイス。
  62. 【請求項６２】 熱安定剤、紫外線安定剤、カップリン
    グ剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、
    請求項４０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  63. 【請求項６３】 アルコキシシラン及び有機部分の両方
    を含む１種以上のカップリング剤を含む、請求項６２記
    載のパッケージ固体素子デバイス。
  64. 【請求項６４】 式（Ｒ5Ｏ）3Ｓｉ−Ｒ6 〔式中、Ｒ5
    はアルキル基であり、かつＲ6 はビニル基、３−グリシ
    ドキシプロピル基、３−メルカプトプロピル基、３−ア
    クリロキシプロピル基、３−メタクリロキシプロピル基
    及びＣnＨ2n+ 1 （ただし、ｎは両端を含めて４〜１６の
    値を有する）からなる群から選択される〕で表される１
    種以上のカップリング剤を含む、請求項６３記載のパッ
    ケージ固体素子デバイス。
  65. 【請求項６５】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項６４記載の
    パッケージ固体素子デバイス。
  66. 【請求項６６】 前記封入剤（１１）が部分的に硬化し
    ている、請求項４０記載のパッケージ固体素子デバイ
    ス。
  67. 【請求項６７】 前記封入剤（１１）が硬化している、
    請求項４０記載のパッケージ固体素子デバイス。
  68. 【請求項６８】 （ａ）パッケージ、（ｂ）チップ
    （４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むパッケージ固
    体素子デバイスであって、前記封入剤（１１）が（Ａ）
    ３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
    キシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒ
    ドロフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並
    びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニル
    ホスファイトを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として約６
    ０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分
    （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準と
    して約１〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分
    （Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計
    重量を基準として約１〜約６重量％の範囲内のレベルで
    存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約
    ０．３７未満である、パッケージ固体素子デバイス。
  69. 【請求項６９】 熱安定剤、紫外線安定剤、カップリン
    グ剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、
    請求項６８記載のパッケージ固体素子デバイス。
  70. 【請求項７０】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項６９記載の
    パッケージ固体素子デバイス。
  71. 【請求項７１】 前記封入剤（１１）が部分的に硬化し
    ている、請求項６８記載のパッケージ固体素子デバイ
    ス。
  72. 【請求項７２】 前記封入剤（１１）が硬化している、
    請求項６８記載のパッケージ固体素子デバイス。
  73. 【請求項７３】 （ａ）パッケージ、（ｂ）チップ
    （４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むパッケージ固
    体素子デバイスであって、前記封入剤（１１）が（Ａ）
    ３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポ
    キシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒ
    ドロフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン、
    （Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニルホス
    ファイト、並びに（Ｅ）オクタン酸第一スズを含んでい
    て、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）
    及び（Ｅ）の合計重量を基準として約６０重量％より多
    いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、
    （Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準として約１
    〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は
    成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計
    重量を基準として約１〜約６重量％の範囲内のレベルで
    存在し、成分（Ｅ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
    （Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準として約０．０５〜
    約５重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）
    と成分（Ａ）とのモル比は約０．５８未満である、パッ
    ケージ固体素子デバイス。
  74. 【請求項７４】 成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比が
    約０．３７未満である、請求項７３記載のパッケージ固
    体素子デバイス。
  75. 【請求項７５】 １種以上のカップリング剤をさらに含
    む、請求項７３記載のパッケージ固体素子デバイス。
  76. 【請求項７６】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項７５記載の
    パッケージ固体素子デバイス。
  77. 【請求項７７】 前記封入剤（１１）が部分的に硬化し
    ている、請求項７３記載のパッケージ固体素子デバイ
    ス。
  78. 【請求項７８】 前記封入剤（１１）が硬化している、
    請求項７３記載のパッケージ固体素子デバイス。
  79. 【請求項７９】 （ａ）パッケージ、（ｂ）ＬＥＤ
    （１、２、３）チップ（４）、及び（ｃ）封入剤（１
    １）を含むＬＥＤ（１、２、３）素子であって、前記封
    入剤（１１）が（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシル
    メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレ
    ート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水物、（Ｃ）トリ
    メトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオ
    ール及びトリフェニルホスファイトを含んでいて、成分
    （Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計
    重量を基準として約６０重量％より多いレベルで存在
    し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び
    （Ｄ）の合計重量を基準として約１〜約６重量％の範囲
    内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として約１
    〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分
    （Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約０．３７未満であ
    る、ＬＥＤ（１、２、３）素子。
  80. 【請求項８０】 熱安定剤、紫外線安定剤、カップリン
    グ剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、
    請求項７９記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  81. 【請求項８１】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項８０記載の
    ＬＥＤ（１、２、３）素子。
  82. 【請求項８２】 前記封入剤（１１）が部分的に硬化し
    ている、請求項７９記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  83. 【請求項８３】 前記封入剤（１１）が硬化している、
    請求項７９記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  84. 【請求項８４】 （ａ）パッケージ、（ｂ）ＬＥＤ
    （１、２、３）チップ（４）、及び（ｃ）封入剤（１
    １）を含むＬＥＤ（１、２、３）素子であって、前記封
    入剤（１１）が（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシル
    メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレ
    ート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水物、（Ｃ）トリ
    メトキシボロキシン、（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール
    及びトリフェニルホスファイト、並びに（Ｅ）オクタン
    酸第一スズを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準と
    して約６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）
    は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合
    計重量を基準として約１〜約６重量％の範囲内のレベル
    で存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、
    （Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準として約１〜約６重
    量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｅ）は成分
    （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量
    を基準として約０．０５〜約５重量％の範囲内のレベル
    で存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約
    ０．５８未満である、ＬＥＤ（１、２、３）素子。
  85. 【請求項８５】 成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比が
    約０．３７未満である、請求項８４記載のＬＥＤ（１、
    ２、３）素子。
  86. 【請求項８６】 １種以上のカップリング剤をさらに含
    む、請求項８４記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  87. 【請求項８７】 前記カップリング剤がグリシドキシプ
    ロピルトリメトキシシランからなる、請求項８４記載の
    ＬＥＤ（１、２、３）素子。
  88. 【請求項８８】 前記封入剤（１１）が部分的に硬化し
    ている、請求項８４記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  89. 【請求項８９】 前記封入剤（１１）が硬化している、
    請求項８４記載のＬＥＤ（１、２、３）素子。
  90. 【請求項９０】 パッケージ内に固体素子デバイスを配
    置する工程と、（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、
    （Ｂ）１種以上の無水物硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲ
    ンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、（Ｄ）１種以
    上の硬化調整剤、及び任意に（Ｅ）１種以上の補助硬化
    触媒を含む封入剤（１１）を設置する工程とを含む、固
    体素子デバイスの封入方法。
  91. 【請求項９１】 前記固体素子デバイスが半導体デバイ
    スである、請求項９０記載の方法。
  92. 【請求項９２】 前記固体素子デバイスが光電子デバイ
    スである、請求項９０記載の方法。
  93. 【請求項９３】 前記光電子デバイスが、ＬＥＤ（１、
    ２、３）、ＣＣＤ、ＬＳＩ、ホトダイオード、ホトトラ
    ンジスタ又は光電子カプラからなる半導体デバイスであ
    る、請求項９２記載の方法。
  94. 【請求項９４】 前記パッケージがシェル（１４）又は
    レンズからなる、請求項９０記載の方法。
  95. 【請求項９５】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が１分
    子当り１以上の脂環式基及び２以上のオキシラン環を有
    する、請求項９０記載の方法。
  96. 【請求項９６】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が２−
    （３，４−エポキシ）シクロヘキシル−５，５−スピロ
    −（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−ｍ−ジオキサ
    ン、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−
    エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エ
    ポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、
    ビニルシクロヘキサンジオキシド、ビス（３，４−エポ
    キシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４
    −エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペ
    ート、エキソ−エキソビス（２，３−エポキシシクロペ
    ンチル）エーテル、エンド−エキソビス（２，３−エポ
    キシシクロペンチル）エーテル、２，２−ビス（４−
    （２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル）プロ
    パン、２，６−ビス（２，３−エポキシプロポキシシク
    ロヘキシル−ｐ−ジオキサン）、２，６−ビス（２，３
    −エポキシプロポキシ）ノルボルネン、リノール酸二量
    体のジグリシジルエーテル、リモネンジオキシド、２，
    ２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパ
    ン、ジシクロペンタジエンジオキシド、１，２−エポキ
    シ−６−（２，３−エポキシプロポキシ）ヘキサヒドロ
    −４，７−メタノインダン、ｐ−（２，３−エポキシ）
    シクロペンチルフェニル−２，３−エポキシプロピルエ
    ーテル、１−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル
    −５，６−エポキシヘキサヒドロ−４，７−メタノイン
    ダン、ｏ−（２，３−エポキシ）シクロペンチルフェニ
    ル−２，３−エポキシプロピルエーテル）、１，２−ビ
    ス〔５−（１，２−エポキシ）−４，７−ヘキサヒドロ
    メタノインダノキシル〕エタン、シクロペンテニルフェ
    ニルグリシジルエーテル、シクロヘキサンジオールジグ
    リシジルエーテル及びジグリシジルヘキサヒドロフタレ
    ートのうちの１種以上からなる、請求項９５記載の方
    法。
  97. 【請求項９７】 前記脂環式エポキシ樹脂（Ａ）が３，
    ４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ
    シクロヘキサンカルボキシレートからなる、請求項９６
    記載の方法。
  98. 【請求項９８】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がビシクロ
    ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン
    酸無水物、メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
    エン−２，３−ジカルボン酸無水物、ビシクロ［２．
    ２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸無水
    物、無水フタル酸、ピロメリト酸二無水物、ヘキサヒド
    ロフタル酸無水物、ドデセニルコハク酸無水物、ジクロ
    ロマレイン酸無水物、クロレンド酸無水物及びテトラク
    ロロフタル酸無水物のうちの１種以上からなる、請求項
    ９０記載の方法。
  99. 【請求項９９】 前記無水物硬化剤（Ｂ）がヘキサヒド
    ロフタル酸無水物からなる、請求項９８記載の方法。
  100. 【請求項１００】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキ
    シ樹脂（Ａ）とのモル比が１未満である、請求項９０記
    載の方法。
  101. 【請求項１０１】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキ
    シ樹脂（Ａ）とのモル比が約０．８５未満である、請求
    項９０記載の方法。
  102. 【請求項１０２】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキ
    シ樹脂（Ａ）とのモル比が約０．５８未満である、請求
    項９０記載の方法。
  103. 【請求項１０３】 無水物硬化剤（Ｂ）と脂環式エポキ
    シ樹脂（Ａ）とのモル比が約０．３７未満である、請求
    項９０記載の方法。
  104. 【請求項１０４】 前記ホウ素含有触媒（Ｃ）がホウ酸
    エステルからなる請求項９０記載の方法。
  105. 【請求項１０５】 前記ホウ酸エステルが式 【化５】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項１０４記載の方法。
  106. 【請求項１０６】 前記ホウ酸エステルがホウ酸トリフ
    ェニル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリヘキシル及びホ
    ウ酸トリシクロヘキシルからなる群から選択される１種
    以上である、請求項１０４記載の方法。
  107. 【請求項１０７】 前記ホウ素含有触媒がボロキシンで
    ある、請求項９０記載の方法。
  108. 【請求項１０８】 前記ボロキシンが式 【化６】 （式中、Ｒ1〜Ｒ3はＣ1-20アリール、アルキル若しくは
    シクロアルキル残基又はそれらの置換誘導体、或いはＣ
    1-20アルキルオキシ若しくはシクロアルコキシ残基又は
    それらの置換誘導体である）で表される構造を有する、
    請求項１０７記載の方法。
  109. 【請求項１０９】 前記ボロキシンがトリフェニルボロ
    キシン、トリメチルボロキシン、トリブチルボロキシ
    ン、トリメトキシボロキシン及びトリブトキシボロキシ
    ンからなる群から選択される１種以上である、請求項１
    ０８記載の方法。
  110. 【請求項１１０】 前記硬化調整剤（Ｄ）がアルコール
    及びホスファイトからなる群から選択される１種以上か
    らなる、請求項９０記載の方法。
  111. 【請求項１１１】 前記硬化調整剤（Ｄ）がベンジルア
    ルコール、シクロヘキサンメタノール、アルキルジオー
    ル、シクロヘキサンジメタノール、エチレングリコー
    ル、プロピレングリコール、ブタンジオール、ペンタン
    ジオール、ヘキサンジオール、ヘプタンジオール、オク
    タンジオール、ポリエチレングリコール、グリセロー
    ル、ポリエーテルグリコール並びにトリアルキルホスフ
    ァイト、トリブチルホスファイト、トリアリールホスフ
    ァイト、トリフェニルホスファイト、ベンジルジエチル
    ホスファイト、トリアルキルチオホスファイト及びトリ
    アリールチオホスファイトからなる群から選択される１
    種以上からなる、請求項１１０記載の方法。
  112. 【請求項１１２】 前記硬化調整剤（Ｄ）が２，５−ヘ
    キサンジオール及びトリフェニルホスファイトからな
    る、請求項１１１記載の方法。
  113. 【請求項１１３】 前記封入剤（１１）が脂環式エポキ
    シ樹脂（Ａ）、無水物硬化剤（Ｂ）、ホウ素含有触媒
    （Ｃ）、硬化調整剤（Ｄ）及び補助硬化触媒（Ｅ）の合
    計重量を基準として約０．０１〜約１０重量％の範囲内
    の量で１種以上の補助硬化触媒（Ｅ）を含む、請求項９
    ０記載の方法。
  114. 【請求項１１４】 前記補助硬化触媒（Ｅ）が有機金属
    塩、スルホニウム塩及びヨードニウム塩からなる群から
    選択される１種以上である、請求項１１３記載の方法。
  115. 【請求項１１５】 前記補助硬化触媒（Ｅ）がカルボン
    酸金属塩、アセチルアセトン酸金属塩、オクタン酸亜
    鉛、オクタン酸第一スズ、ヘキサフルオロリン酸トリア
    リールスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸トリ
    アリールスルホニウム、ヘキサフルオロアンチモン酸ジ
    アリールヨードニウム及びテトラキス（ペンタフルオロ
    フェニル）ホウ酸ジアリールヨードニウムからなる群か
    ら選択される１種以上からなる、請求項１１４記載の方
    法。
  116. 【請求項１１６】 前記封入剤（１１）が熱安定剤、紫
    外線安定剤、カップリング剤及び屈折率調整剤のうちの
    １種以上をさらに含む、請求項９０記載の方法。
  117. 【請求項１１７】 前記封入剤（１１）がアルコキシシ
    ラン及び有機部分の両方を含む１種以上のカップリング
    剤を含む、請求項１１６記載の方法。
  118. 【請求項１１８】 前記封入剤（１１）が式（Ｒ5Ｏ）3
    Ｓｉ−Ｒ6 〔式中、Ｒ5 はアルキル基であり、かつＲ6
    はビニル基、３−グリシドキシプロピル基、３−メルカ
    プトプロピル基、３−アクリロキシプロピル基、３−メ
    タクリロキシプロピル基及びＣnＨ2n+1 （ただし、ｎは
    両端を含めて４〜１６の値を有する）からなる群から選
    択される〕で表される１種以上のカップリング剤を含
    む、請求項１１７記載の方法。
  119. 【請求項１１９】 前記カップリング剤がグリシドキシ
    プロピルトリメトキシシランからなる、請求項１１８記
    載の方法。
  120. 【請求項１２０】 前記封入剤（１１）を部分的に硬化
    させる、請求項９０記載の方法。
  121. 【請求項１２１】 前記封入剤（１１）を硬化させる、
    請求項９０記載の方法。
  122. 【請求項１２２】 パッケージ内にＬＥＤ（１、２、
    ３）素子を配置する工程と、（Ａ）３，４−エポキシシ
    クロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサン
    カルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水
    物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５
    −ヘキサンジオール及びトリフェニルホスファイトを含
    んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及
    び（Ｄ）の合計重量を基準として約６０重量％より多い
    レベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、
    （Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として約１〜約６重
    量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分
    （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準と
    して約１〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ
    成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は約０．３７未満で
    ある封入剤（１１）を設置する工程とを含む、ＬＥＤ
    （１、２、３）素子の封入方法。
  123. 【請求項１２３】 前記封入剤（１１）が熱安定剤、紫
    外線安定剤、カップリング剤及び屈折率調整剤のうちの
    １種以上をさらに含む、請求項１２２記載の方法。
  124. 【請求項１２４】 前記封入剤（１１）がグリシドキシ
    プロピルトリメトキシシランを含む、請求項１２３記載
    の方法。
  125. 【請求項１２５】 前記封入剤（１１）を部分的に硬化
    させる、請求項１２２記載の方法。
  126. 【請求項１２６】 前記封入剤（１１）を硬化させる、
    請求項１２２記載の方法。
  127. 【請求項１２７】 パッケージ内にＬＥＤ（１、２、
    ３）素子を配置する工程と、（Ａ）３，４−エポキシシ
    クロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサン
    カルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロフタル酸無水
    物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン、（Ｄ）２，５−ヘ
    キサンジオール及びトリフェニルホスファイト、並びに
    （Ｅ）オクタン酸第一スズを含んでいて、成分（Ａ）は
    成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計
    重量を基準として約６０重量％より多いレベルで存在
    し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）
    及び（Ｅ）の合計重量を基準として約１〜約６重量％の
    範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、
    （Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）の合計重量を基準と
    して約１〜約６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分
    （Ｅ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び
    （Ｅ）の合計重量を基準として約０．０５〜約５重量％
    の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）と成分
    （Ａ）とのモル比は約０．５８未満である封入剤（１
    １）を設置する工程とを含む、ＬＥＤ（１、２、３）素
    子の封入方法。
  128. 【請求項１２８】 成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比
    が約０．３７未満である、請求項１２７記載の方法。
  129. 【請求項１２９】 前記封入剤（１１）が１種以上のカ
    ップリング剤をさらに含む、請求項１２７記載の方法。
  130. 【請求項１３０】 前記封入剤（１１）がグリシドキシ
    プロピルトリメトキシシランを含む、請求項１２９記載
    の方法。
  131. 【請求項１３１】 前記封入剤（１１）を部分的に硬化
    させる、請求項１２７記載の方法。
  132. 【請求項１３２】 前記封入剤（１１）を硬化させる、
    請求項１２７記載の方法。
JP2002241364A 2001-08-23 2002-08-22 エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法 Pending JP2003192765A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/935369 2001-08-23
US09/935,369 US6617400B2 (en) 2001-08-23 2001-08-23 Composition of cycloaliphatic epoxy resin, anhydride curing agent and boron catalyst

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003192765A true JP2003192765A (ja) 2003-07-09
JP2003192765A5 JP2003192765A5 (ja) 2005-11-04

Family

ID=25467000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002241364A Pending JP2003192765A (ja) 2001-08-23 2002-08-22 エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6617400B2 (ja)
EP (1) EP1285939A1 (ja)
JP (1) JP2003192765A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005524737A (ja) * 2002-05-06 2005-08-18 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子
JP2007106853A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 透明複合体
JP2009506153A (ja) * 2005-08-25 2009-02-12 アルタナ エレクトリカル インシュレイション ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 被覆材料
KR20130118339A (ko) 2010-11-05 2013-10-29 가부시키가이샤 닛폰 쇼쿠바이 카티온 경화성 수지 조성물
JP2015034297A (ja) * 2014-10-23 2015-02-19 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7235192B2 (en) 1999-12-01 2007-06-26 General Electric Company Capped poly(arylene ether) composition and method
JP4102112B2 (ja) * 2002-06-06 2008-06-18 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20030236388A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-25 General Electric Company Epoxy polymer precursors and epoxy polymers resistant to damage by high-energy radiation
US7148296B2 (en) * 2003-10-03 2006-12-12 General Electric Company Capped poly(arylene ether) composition and process
JP4131243B2 (ja) * 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US7875686B2 (en) * 2004-08-18 2011-01-25 Promerus Llc Polycycloolefin polymeric compositions for semiconductor applications
JP4676735B2 (ja) * 2004-09-22 2011-04-27 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体装置の製造方法および光半導体装置
US7446136B2 (en) * 2005-04-05 2008-11-04 Momentive Performance Materials Inc. Method for producing cure system, adhesive system, and electronic device
US7405246B2 (en) * 2005-04-05 2008-07-29 Momentive Performance Materials Inc. Cure system, adhesive system, electronic device
US7429800B2 (en) * 2005-06-30 2008-09-30 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Molding composition and method, and molded article
US7378455B2 (en) * 2005-06-30 2008-05-27 General Electric Company Molding composition and method, and molded article
US20070004871A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Qiwei Lu Curable composition and method
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR100665373B1 (ko) * 2006-02-21 2007-01-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
US20080071035A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Delsman Erik R Curable poly(arylene ether) composition and method
US20080071036A1 (en) * 2006-09-15 2008-03-20 Delsman Erik R Cured poly(arylene ether) composition, method, and article
JP5207658B2 (ja) * 2007-05-17 2013-06-12 日東電工株式会社 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体ならびにそれを用いた光半導体装置
JP5663874B2 (ja) * 2007-09-27 2015-02-04 三菱瓦斯化学株式会社 エポキシ樹脂組成物、その硬化物及び発光ダイオード
JP5675230B2 (ja) * 2010-09-03 2015-02-25 株式会社ダイセル 熱硬化性エポキシ樹脂組成物及びその用途
WO2012035112A1 (en) 2010-09-15 2012-03-22 Loctite (R&D) Limited Two-part, cyanoacrylate/cationically curable adhesive systems
US20120097985A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Wen-Huang Liu Light Emitting Diode (LED) Package And Method Of Fabrication
CN104271667B (zh) * 2012-04-27 2018-01-26 陶氏环球技术有限责任公司 可固化环氧树脂组合物和由其制造的复合材料
TWI494339B (zh) 2012-10-23 2015-08-01 Ind Tech Res Inst 部分酯化環氧樹脂及應用其製成之環氧樹脂組成物及其製法
WO2014160086A2 (en) 2013-03-14 2014-10-02 Board Of Regents Of The University Of Nebraska Methods, systems, and devices relating to robotic surgical devices, end effectors, and controllers
US8981027B2 (en) 2013-03-15 2015-03-17 Henkel IP & Holding GmbH Two-part, cyanoacrylate/cationically curable adhesive systems
CN103980231B (zh) * 2014-06-04 2016-03-30 中国科学院上海有机化学研究所 一种五氟苯基环氧丙烷的合成方法
EP3263621B1 (de) * 2016-07-01 2020-03-11 ZoE GmbH & Co. KG Epoxidharzmischung als giessharz
WO2018112199A1 (en) 2016-12-14 2018-06-21 Virtual Incision Corporation Releasable attachment device for coupling to medical devices and related systems and methods
GB2576791B (en) 2018-08-13 2022-09-14 Henkel Ag & Co Kgaa A two-part cyanoacrylate curable adhesive system
GB2576792B (en) 2018-08-13 2022-09-14 Henkel Ag & Co Kgaa A two-part cyanoacrylate curable adhesive system
GB2582537B (en) 2019-03-04 2022-02-23 Henkel IP & Holding GmbH Two-part, cyanoacrylate/cationically curable adhesive systems
WO2024003053A1 (en) 2022-06-28 2024-01-04 Henkel Ag & Co. Kgaa Method of underwater bonding

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL299937A (ja) 1963-10-30
US4336367A (en) 1969-05-15 1982-06-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Epoxy adhesive composition
US4026862A (en) * 1974-02-11 1977-05-31 Westinghouse Electric Corporation Carboxylic acid storage stabilizers for latent catalyst cured epoxy resins
DE2642465C3 (de) 1976-09-21 1981-01-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zur Herstellung einer VerguBmasse
US4454201A (en) 1981-02-05 1984-06-12 Goodyear Aerospace Corporation Transparencies produced from epoxy resins cured with adducts of boroxines and interlayers of mercaptan resins
JPS5867051A (ja) * 1981-10-16 1983-04-21 Hitachi Chem Co Ltd 半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物
JPS60137046A (ja) * 1984-11-02 1985-07-20 Nitto Electric Ind Co Ltd 発光素子または受光素子封止体
US4873309A (en) * 1987-06-08 1989-10-10 Shell Oil Company Stabilized flame-retardant epoxy resin composition from a brominated epoxy resin and a vinyl monomer diluent
JPH02169619A (ja) 1988-12-23 1990-06-29 Toshiba Corp 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いてなる光半導体素子
US4999699A (en) * 1990-03-14 1991-03-12 International Business Machines Corporation Solder interconnection structure and process for making
US5198479A (en) 1990-08-24 1993-03-30 Shin-Etsu Chemical Company Limited Light transmissive epoxy resin compositions and optical semiconductor devices encapsulated therewith
JPH04209624A (ja) * 1990-12-10 1992-07-31 Toshiba Chem Corp 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
US5212261A (en) * 1990-12-17 1993-05-18 Henkel Research Corporation Latent, heat-curable epoxy resin compositions containing metal carboxylate curing systems
JPH065464A (ja) * 1992-06-19 1994-01-14 Hitachi Chem Co Ltd コンデンサ用エポキシ樹脂組成物
US6218482B1 (en) * 1994-02-24 2001-04-17 New Japan Chemical Co., Ltd. Epoxy resin, process for preparing the resin and photo-curable resin composition and resin composition for powder coatings containing the epoxy resin
CN1129648C (zh) 1997-01-21 2003-12-03 陶氏环球技术公司 用于环氧固化体系的潜伏催化剂
US6180696B1 (en) * 1997-02-19 2001-01-30 Georgia Tech Research Corporation No-flow underfill of epoxy resin, anhydride, fluxing agent and surfactant
US6507049B1 (en) * 2000-09-01 2003-01-14 General Electric Company Encapsulants for solid state devices
US6617401B2 (en) * 2001-08-23 2003-09-09 General Electric Company Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005524737A (ja) * 2002-05-06 2005-08-18 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 波長変換する反応性樹脂材料及び発光ダイオード素子
JP2009506153A (ja) * 2005-08-25 2009-02-12 アルタナ エレクトリカル インシュレイション ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 被覆材料
JP2007106853A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd 透明複合体
KR20130118339A (ko) 2010-11-05 2013-10-29 가부시키가이샤 닛폰 쇼쿠바이 카티온 경화성 수지 조성물
JP2015034297A (ja) * 2014-10-23 2015-02-19 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US6878783B2 (en) 2005-04-12
US20030208009A1 (en) 2003-11-06
US20030071367A1 (en) 2003-04-17
EP1285939A1 (en) 2003-02-26
US6617400B2 (en) 2003-09-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003192765A (ja) エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法
JP2003176333A (ja) エポキシ樹脂組成物、該組成物で封入された固体素子デバイス及び封入方法
JP4988141B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、該組成物で封止された固体素子、並びに方法
US6507049B1 (en) Encapsulants for solid state devices
US6916889B2 (en) Epoxy resin compositions, solid state devices encapsulated therewith and method
TWI511996B (zh) 硬化性環氧樹脂組成物
TWI491590B (zh) 多元羧酸組成物、硬化性樹脂組成物、硬化物及多元羧酸組成物之製造方法
TWI440647B (zh) 改質樹脂組成物、其製造方法及含該組成物之硬化性樹脂組成物
JP2008007782A (ja) オプトエレクトロニックデバイス
TW201237059A (en) Curable epoxy resin composition
JP2006332262A (ja) Ｌｅｄ封止用硬化性樹脂組成物及びそれを用いたｌｅｄパッケージ
JP2006290998A (ja) 透光性樹脂組成物
US20070295956A1 (en) Optoelectronic device
US20080160317A1 (en) Optoelectronic device
US20070299162A1 (en) Optoelectronic device
US20070295983A1 (en) Optoelectronic device
JP2006299073A (ja) 光半導体封止用樹脂組成物
US20080001140A1 (en) Optoelectronic device
TW201446873A (zh) 光半導體反射器用環氧樹脂組成物、光半導體裝置用熱硬化性樹脂組成物及使用其製得之光半導體裝置用引線框、密封型光半導體元件以及光半導體裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050819

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050819

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080401

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080924