KR100665373B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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KR100665373B1
KR100665373B1 KR1020060016717A KR20060016717A KR100665373B1 KR 100665373 B1 KR100665373 B1 KR 100665373B1 KR 1020060016717 A KR1020060016717 A KR 1020060016717A KR 20060016717 A KR20060016717 A KR 20060016717A KR 100665373 B1 KR100665373 B1 KR 100665373B1
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박윤곤
이종면
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삼성전기주식회사
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Abstract

광손실이 억제된 고효율 발광다이오드 패키지를 제공한다. 본 발명의 발광다이오드 패키지는, 패키지 기판과; 상기 패키지 기판 상에 실장된 LED 칩과; 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 LED 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되, 상기 몰딩부는 상기 몰딩부의 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는다.
발광다이오드, LED, 패키지, 굴절율 구배

Description

발광다이오드 패키지{Light Emitting Diode Package}
도 1은 종래의 일례에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 2는 종래의 다른 예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 측단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면, 몰딩부의 굴절율 분포 및 몰딩부에서의 광경로를 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 여러 실시형태에 따른 몰딩부의 굴절율(n) 분포를 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면 및 몰딩부의 굴절율 분포를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 설명>
100, 100', 200, 300: 발광다이오드 패키지
101, 111a: 패키지 기판 102: 반사용 금속막
103, 103': 몰딩부 110, 111b: 반사컵
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 몰딩부의 굴절율 분포를 개선하여 발광다이오드 칩의 측면으로부터 방출되는 광을 효율적으로 활용할 수 있고, 휘도가 더욱 개선된 새로운 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 발광다이오드(이하, LED라고도 함)는 우수한 단색성 피크 파장을 가지며 환경친화적이고 소형화가 가능하다는 장점을 가지므로, 다양한 디스플레이 장치 및 광원으로서 널리 사용되고 있다. 통상의 발광다이오드 패키지는 발광다이오드를 투명한 수지 몰딩부로 보호하는 형태의 구조를 갖는다. 이러한 발광다이오드 소자는 구조에 따라 차이가 있으나, 발광 다이오드 전면 이외의 면으로부터 방출되는 측방향의 빛이 전체 빛 중 상당부분을 차지한다.
이와 같은 측면광을 활용하기 위해, 고 반사율의 금속막이 코팅된 반사판을 사용하는 방식을 채용하고 있다. 이러한 반사판을 사용한 종래예가 도 1에 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(11)와 LED 칩 (15)을 포함한다. 패키지 본체(11)는 패키지 기판(11a)과 반사판(11b)을 구비하고, LED 칩(15)은 반사판(11b) 안쪽에 실장되어 몰딩수지(13)에 의해 봉지되어 있다. 컵 형상의 반사판(11b) 표면에는 고반사율의 금속막(12)이 코팅되어 있어, LED 칩(15)으로부터 방출된 측방향의 빛은 반사판(11b)에 의해 반사되어 출사방향(상향)으로 진행하게 된다.
양호한 광효율을 얻기 위해서는 반사판(11b)을 적당한 각도로 설치하여야 하고, 이를 위해 충분한 공간을 필요로 한다. 그러나, 휴대용 액정장치의 광원 등에 사용되는 LED 제품에서는 두께에 대한 제약이 매우 커서 적당한 각도의 반사판을 설치하기 위한 공간이 부족하다. 또한, 반사판 표면에서의 광 손실을 무시할 수 없다.
이러한 문제점을 개선하기 위하여, 금속으로 코팅된 반사판 대신, 고굴절율의 산화분말이 분산된 수지 반사컵을 사용하는 방안이 제안되었다. 도 2는 이러한 종래예에 해당하는 LED 패키지의 측단면도이다. 도 2를 참조하면, LED 패키지(10')는 TiO2와 같은 고굴절율 산화물 분말이 분산되어 있는 패키지 본체(11a', 11b')를 포함한다. 패키지 본체(11a', 11b')는 패키지 기판(11a')과 이에 일체로 연결된 반사컵(11b')을 포함한다. 반사컵(11b') 재료 내에 분산된 고반사 및 고굴절율의 산화물(TiO2 등) 분말로 인해, 반사컵(11b')에 입사된 빛(특히 측면광)의 일부가 상향 으로 반사 된다.
그러나, 이러한 수지 반사컵(11b')을 통한 측면광의 반사율은 높지 못하며, 수지 반사컵(11')으로 인한 광손실이 상당하고, 균일하지 못한 반사로 인해 그 활용도가 매우 낮은 상황이다. 또한, 최근의 소형화, 박형화 경향에 따라 빛을 반사시키기 위해 필요한 충분한 두께를 충족시키지 못하기 때문에, 상당량의 빛이 수지 반사컵(11b') 측면을 통해 소실된다는 문제가 있었다.
본 발명은 상기한 기술적 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 발광다이오드 칩의 측면으로부터 방출되는 광을 보다 더 효율적으로 활용할 수 있고 소형화에 유리한 고휘도 고효율 발광다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.
상기한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 발광다이오드 패키지는, 패키지 기판과; 상기 패키지 기판 상에 실장된 LED 칩과; 상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 LED 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되, 상기 몰딩부는 상기 몰딩부의 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 몰딩부는 상기 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 비선형적으로 증가하는 굴절율 구배를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 몰딩부의 수평거리에 따른 굴절율 분포는 포물선 형상으로 될 수 있다. 또한, 상기 몰딩부의 수평거리에 따른 굴절율 분포는 반원 형상으로 될 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태에 따르면, 상기 몰딩부는 상기 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 선형적으로 증가하는 굴절율 구배를 가질 수 있다.
상기 몰딩부에 사용되는 재료는 폴리머 수지 또는 글래스일 수 있다. 예를 들어, 상기한 바와 같은 연속적 굴절율 분포를 갖는 폴리머 수지 몰딩부는, 광공중합(photocopolymerization), 계면 겔(interfacial-gel) 중합, 기상 물질 전달(vapor phase transfer), 곡선 몰드법(curved mold) 또는 침지법(immersion) 등의 방법에 의하여 제조될 수 있다. 또한, 상기한 바와 같은 연속적 굴절율 분포를 갖는 글래스 몰딩부는, 이온 교환(ion exchange), 중성자 조사(neutron irradiation), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 또는 기타 중합화 기법등의 방법에 의하여 제조될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 상기 몰딩부는, 상기 몰딩부의 상부 영역의 굴절율이 상기 몰딩부의 하부 영역의 굴절율보다 높을 수 있다. 특히, 상기 몰딩부는 상기 몰딩부의 하부 영역으로부터 상부 영역으로 갈수록 굴절율이 연속적으 로 증가하는 굴절율 구배를 가질 수 있다. 이에 따르면, 더욱 더 폭이 좁은 고효율 LED 패키지를 구현할 수 있게 된다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 상기 발광다이오드 패키지는 상기 패키지 기판 상에 배치된 반사컵을 더 포함하고, 상기 LED 칩은 상기 반사컵의 바닥에 실장될 수 있다. 특히, 상기 반사컵의 내측면에는 Ag, Al 등의 반사용 금속막이 코팅될 수 있다. 또한, 상기 반사컵에는 TiO2와 같은 굴절율 2.0 이상의 고굴절율 산화물 분말이 분산되어 있을 수도 있다. 이 경우, 상기 반사컵은 상기 패키지 기판과 일체로 연결될 수도 있다.
본 발명의 주요한 특징은 '상기 몰딩부는 몰딩부 외측면으로부터 발광 다이오드 패키지 수직 단면도의 중심축으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는다'는 점에 있다. 이처럼 동일 매질에서 연속적인 굴절율 분포(경사형 굴절율(gradient index))를 갖는 물질 내에서 빛이 측방향 또는 비스듬한 방향으로 진행하는 경우, 그 빛은 그 물질 내에서 직진하지 않고 굴절율이 높은 쪽으로 굴절하게 된다. 특히, 상기 몰딩부 내의 빛은 스넬의 법칙에 의하여 사인파 형태의 파형을 그리며 방향을 바꾸어 굴절하게 된다.
이러한 경사형 굴절율 분포의 특성을 LED 패키지에 적용함으로써, 별도의 반 사컵 없이도 측면광의 경로를 출사방향(상향)으로 유도할 수 있게 된다. 이에 따라, 반사에 의한 광손실 없이 측면광을 높은 효율로 활용할 수 있고 전체적인 발광 효율 및 휘도를 크게 개선하게 된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 3은 본 발명의 일 실시형태에 따른 LED 패키지를 나타내는 도면으로서, 도 3(a)는 측단면도이고, 도 3(b)는 수평거리(X)에 따른 몰딩부의 굴절율(n) 분포를 나타내는 그래프이고, 도 3(c)는 몰딩부에서의 광경로를 나타내는 도면이다.
도 3(a)을 참조하면, LED 패키지(100)는 패키지 기판(101)과 그 위에 실장된 LED 칩(105)을 포함한다. LED 칩(105)은 패키지 기판(101) 상에 형성된 몰딩부(103)에 의해 봉지되어 있다. 이 몰딩부(103)는 투명 수지 또는 글래스 등의 투광성 재료로 이루어져 있으며, 특히 후술하는 바와 같이 경사형 굴절율(gradient index) 분포를 가진다. 이 때, 패키지 기판의 길이 방향(B-B')와 평행한 방향을 X 방향이라 하고, X 방향과 수직한 중심축(A-A')과 평행한 방향을 Y 방향이라 정한다. 편의상, 외부 단자와 LED 칩(105) 연결하는 리드프레임 등은 도시하지 않는다.
도 3(b)를 참조하면, 몰딩부(103)의 굴절율은 수평거리(X)에 따라 연속적으로 변화하는 분포를 가진다. 몰딩부(103)는, 외측면으로부터 LED 칩(105)의 중심축(A-A')으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는다. 즉, 도 3(b)의 굴절율(n)-수평거리(X) 그래프 상에서 굴절율(n)은 중심축 위치(C)로 갈수록 증가한다. 특히, 본 실시형태에서는 수평거리(X)에 따른 굴절율(n)은 비선형적으로 변하며 더 구체적으로는 포물선 형태의 굴절율(n)-수평거리(X) 프로파일을 나타내고 있다. 도 3에 도시되어 있지 않지만, 본 실시형태에서는, 몰딩부(103)의 높이 또는 수직거리(Y)에 따른 굴절율 구배는 없는 것으로 한다. 즉, 몰딩부(103)의 수직거리(Y)에 따라서는 굴절율이 변하지 않는다.
도 3(c)에는 도 3(b)의 굴절율 분포를 갖는 몰딩부(103) 내에서 진행하는 복수의 광 경로(및 이 광들의 진행속도 차이 여부)가 도시되어 있다. 도 3(c)에 도시된 바와 같이, LED 칩(105)으로부터 방출된 빛은 굴절율이 높은 쪽으로 굴절되어 광출사방향(상향)으로 휘어져 진행하게 된다. 만약, 몰딩부(103)가 실제 몰딩부(103) 두께(h) 이상으로 연장되어 있다면, 도 3(c)에 도시된 바와 같이 빛은 사인파(sine wave)를 그리며 전파하여 간다.
굴절율과 역비례하는 빛의 진행속도로 인하여, 중심 부근의 짧은 경로(ℓ1)를 갖는 빛과 외측면 부근의 긴 경로(ℓ2)를 갖는 빛은 동일한 수직 속도(속도의 수직 성분)를 갖고 진행한다. 따라서, LED 칩으로부터 동시에 방출된 서로 다른 각도(경로)의 광들은 기판(101)으로부터의 동일한 수직거리에 동시에 도착하게 된다.
따라서, 몰딩부(103)의 두께(h)를 특정한 값으로 설정함으로써, 최소의 광손실로 LED 패키지(100)의 출력광의 지향특성을 최대화시킬 수 있다. 구체적으로 말해서, 광원(LED 칩(105))으로부터 방출된 빛(측면광 포함)은 매질(몰딩부(103))내에서 사인파를 그리며 동일한 수직 속도 성분으로 진행하기 때문에, 각 경로를 진행하는 빛은 특정 높이(h)에서 중심축(A-A')으로부터 가장 멀리 위치하게 된다. 이 높이(h)에서 빛은 수직 방향의 순간 속도를 갖고 있기 때문에, 이 높이(h)를 몰딩부(103)의 두께로 설정하면 LED 패키지(100)의 출력광의 수직 지향특성은 최대화된다.
다만, 수직 방향의 순간 속도를 갖는 경우가 주기적으로 나타나므로(사인파로 진행하기 때문에 그러함), 각 경로를 진행하는 빛이 중심축(A-A')으로부터 가장 멀리 위치하는 높이(h) 중 최소 높이가 출력광의 지향특성 및 광손실 억제 측면에서 가장 바람직할 것이다(도 3(c) 참조).
상기한 바와 같은 연속적 굴절율 분포를 갖는 몰딩부(103)는 적절한 재료와 제조 방법을 사용하여 구현될 수 있다. 이러한 경사형 굴절율을 갖는 몰딩부(103)는 아크릴계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리스티렌계 수지, 과불소화 수지 등 폴리머 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 광공중합(photocopolymerization), 계면 겔(interfacial-gel) 중합, 기상 물질 전달(vapor phase transfer), 곡선 몰드법(curved mold) 또는 침지법(immersion) 등의 방법을 사용하여 중심축 위치(C)로 갈수록 증가하는 경사형 굴절율을 갖는 몰딩부(103)를 제조할 수 있다.
또한, 몰딩부(103)는 글래스 물질로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 이온 교환(ion exchange), 중성자 조사(neutron irradiation), 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 또는 기타 중합화 기법 등의 방법을 사용하여 상기한 경사형 굴절율을 갖는 몰딩부(103)를 제조할 수 있다.
도 4는 본 발명의 여러 실시형태에 따른 몰딩부의 굴절율 분포를 나타내는 그래프이다. 전술한 실시형태(도 3(b) 참조)에서는, 포물선 형상의 굴절율(n)-수평거리(X) 프로파일이 보여졌지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 몰딩부는 도 4(a)에 도시된 바와 같은 반구형상의 굴절율 분포(n-X)를 가질 수도 있다. 또한, 포물선이나 반구형과 같은 비선형적인 굴절율 분포(n-X) 뿐만 아니라, 도 4(b)에 도시된 바와 같은 선형적인 굴절율 분포를 이용할 수도 있다. 이외에도 다른 형태의 굴절율 분포 곡선을 채용할 수도 있다. 다만, 전술한 바와 같이, 별도의 반사컵 없이도 측면광을 출사방향으로 효과적으로 휘어지도록 유도하기 위해서는, 중심축(A-A')의 위치(C)으로 갈수록 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 가져야 한다.
도 5는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 LED 패키지를 나타내는 도면으로서, 도 5(a)는 측단면도이고, 도 5(b)는 수평거리(X)에 따른 몰딩부의 굴절율(n) 분포를 나타내는 그래프이고, 도 5(c)는 높이 또는 수직거리(Y)에 따른 몰딩부의 굴절율 분포를 나타내는 그래프이다.
전술한 실시형태들에서는 수평 방향(X 방향)을 따라서만 굴절율 구배가 존재하였으나, 본 실시형태에서는 수평 방향(X 방향)뿐만 아니라 수직 방향(Y 방향)을 따라서도 몰딩부의 굴절율이 변한다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 몰딩부(103')의 굴절율은 외측면으로부터 중심축(A-A')으로 갈수록 연속적으로 증가하고(도 5(b)), 이에 더하여 몰딩부(103')의 하부 영역으로부터 상부 영역으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가한다(도 5(c) 참조).
이와 같이 굴절율을 중심축(A-A')쪽으로 증가시킴과 아울러 몰딩부(103') 하부 영역의 굴절율을 상부 영역보다 낮춤으로써, LED 칩(105)으로부터 방출된 빛은 더욱 급격하게 굴곡하게 된다. 따라서, 이러한 굴절율 분포를 갖는 LED 패키지(100')는 폭이 좁은 사이드뷰(side view) LED 패키지에 매우 유용하게 적용될 수 있다.
도 6 및 7은 본 발명의 다른 실시형태들에 따른 발광다이오드 패키지를 나타내는 도면이다. 이들 실시형태에서, LED 패키지(200, 300)는 패키지 기판(101, 111a) 상에 형성된 반사컵(110, 111b)을 더 포함한다. 전술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 별도의 반사컵을 사용하지 않더라도 측면광을 효율적으로 이용할 수 있다. 그러나, 도 6 및 7과 같이 경사형 굴절율 분포(도 6(b), 도7(b) 참조)와 함께 반사컵(110, 111b)을 채용함으로써(도 6(a), 도 7(a) 참조), 거의 수평으로 방출하는 측면광을 더 효율적으로 활용할 수 있게 된다. 즉, 몰딩부(103)의 폭이 좁으면 수평으로 방출하는 측면광을 상향으로 휘어지게 하기 힘들지만, 별도의 반사컵(110, 111b)을 구비함으로써, 이러한 측면광도 효과적으로 반사시켜 활용할 수 있게 된다.
도 6을 참조하면, 패키지 기판(101) 상에는 반사컵(110)이 별도의 부재로서 탑재되어 있다. 이 반사컵(110)은 구멍뚫린 기판의 형태를 갖고 있으므로 반사판이라 할 수 있다. LED 칩(105)은 반사컵(110) 안쪽 바닥부에 실장된다. 반사컵(110)에 의한 광반사 효과를 높이기 위해, 반사컵(110)의 내측면에는 Ag, Al 등 광반사율이 높은 반사용 금속막(102)이 코팅되어 있다.
도 7을 참조하면, 패키지 기판(111a) 상에는, 이 기판(111a)과 일체로 연결 된 반사컵(111b)이 형성되어 있다. 이 기판(111a)과 반사컵(111b)은 사출 성형등의 방법을 사용하여 리드프레임(도시 안함)과 함께 일체의 형태로 제조될 수 있다. 반사컵(111b)의 내측면(112)에 의한 광반사 효과를 얻기 위해, 반사컵(111b)에는 TiO2와 같은 굴절율 2.0 이상의 고굴절율 산화물 분말이 분산되어 있다. 열을 효과적으로 방출할 수 있도록, 패키지 기판(111a) 아래에 금속 또는 세라믹으로 된 열싱크(heat sink) 부재(130)를 설치할 수도 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변경 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 몰딩부가 중심축으로 갈수록 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 가짐으로써, 별도의 반사컵 없이도 굴절 특성을 이용하여 측면광을 효율적으로 활용할 수 있게 된다. 이에 따라, LED 패키지의 발광 효율 및 휘도가 더욱 개선되고 제품의 소형화 박형화에 유리하게 된다.

Claims (13)

  1. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상에 실장된 LED 칩;
    상기 패키지 기판 상에 형성되어 상기 LED 칩을 봉지하는 몰딩부를 포함하되,
    상기 몰딩부는 상기 몰딩부의 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 상기 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 비선형적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 몰딩부의 수평거리에 따른 굴절율 분포는 포물선형 분포인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 몰딩부의 수평거리에 따른 굴절율 분포는 반원형 분포인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 상기 외측면으로부터 중심축으로 갈수록 굴절율이 선형적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 폴리머 수지로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는 글래스로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩부는, 상기 몰딩부의 상부 영역의 굴절율이 상기 몰딩부의 하부 영역의 굴절율보다 높은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 몰딩부는 상기 몰딩부의 하부 영역으로부터 상부 영역으로 갈수록 굴절율이 연속적으로 증가하는 굴절율 구배를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 패키지 기판 상에 배치된 반사컵을 더 포함하되,
    상기 LED 칩은 상기 반사컵의 바닥에 실장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 반사컵의 내측면에는 반사용 금속막이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 반사컵에는 굴절율 2.0 이상의 산화물 분말이 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 산화물 분말은 TiO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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