TWI747710B

TWI747710B - 背光裝置

Info

Publication number: TWI747710B
Application number: TW110101251A
Authority: TW
Inventors: 劉古煥; 楊凱翔
Original assignee: 云光科技股份有限公司
Priority date: 2021-01-13
Filing date: 2021-01-13
Publication date: 2021-11-21
Also published as: TW202227887A

Abstract

本發明揭露一種背光裝置。背光裝置包含光源座，光源座的上方依序設置有第一均光構件、色轉換組件及第二均光構件。第一均光構件的兩側面分別設置有多個第一角錐結構及有多個反射結構。第二均光構件的一側面設置具有多個第二角錐結構，另一側面則不設置有任何反射結構。各個第一角錐結構及各個第二角錐結構的底邊長度是各個發光二極體的寬度或長度的1/40倍～1/2倍，各反射結構的外徑是各個發光二極體的寬度或長度的1/15倍～5倍，且各反射結構的外徑不大於500微米。通過第一均光構件及第二均光構件的設置，可以讓背光裝置具有更均勻的出光效果。

Description

背光裝置

本發明涉及一種背光裝置，特別是一種包含Mini LED的直下式背光裝置。

習知的Mini LED直下式背光裝置，常存在有在Mini LED上方出現有明顯的亮點的問題。為了解決此問題，部分廠商採用了於Mini LED的燈板上方額外設置擴散板，Mini LED所發出的光束通過擴散板中的擴散粒子的折射後，將可以相對均勻地向外輸出，如此，可以改善亮點的問題。

然，在實際應用中，擴散板必須到達預定的厚度，才能有效地解決亮點的問題。但，對於終端產品的廠商來說，追求的是終端產品輕薄化，因此，現有利用擴散板來解決亮點的技術手段，無法符合生產終端產品(例如筆記型電腦、平板電腦、智慧型手機等)的廠商對於產品薄化的需求。另外，若是增加擴散板的厚度，將會降低最終的出光亮度。

本發明公開一種背光裝置，主要用以改善習知利用擴散板來解決包含Mini LED的背光裝置所存在的亮點的技術手段，無法符合生產終端產品的廠商對於產品薄化的需求。

本發明的其中一實施例公開一種背光裝置，其包含：一光源座、一第一均光構件、一色轉換組件及一第二均光構件。光源座包含一基板及多個發光二極體，多個發光二極體彼此間隔地設置於基板，各個發光二極體能發出波長介於420奈米至480奈米的光束；各個發光二極體的寬度、長度及高度分別不大於0.4公釐(mm)、0.4公釐(mm)及0.2公釐(mm)；第一均光構件設置於光源座的上方，第一均光構件包含：一第一透明本體、多個第一角錐結構及多組第一反射群組。第一透明本體彼此相反的兩個寬側面分別定義為一第一內側面及一第一外側面；第一透明本體的厚度不大於2公釐(mm)。多個第一角錐結構形成於第一內側面，多個第一角錐結構面對多個發光二極體設置；各個第一角錐結構用以折射發光二極體所發出的光束；各個第一角錐結構的任一底邊的長度介於發光二極體的寬度或長度的1/40倍～1/2倍；各個第一角錐結構相對於第一內側面的垂直高度不大於50微米。各組第一反射群組包含多個反射結構，各個反射結構形成於第一外側面；各組第一反射群組所包含的多個反射結構，位於各個發光二極體的一頂出光面向第一外側面的方向正投影的一正投影區域內，位於各個正投影區域內的多個反射結構，越靠近正投影區域的一中心越密集地排列，越遠離正投影區域的中心越鬆散地排列；各個反射結構對發光二極體所發出的光束的反射率不低於90%；各個反射結構對於發光二極體所發出的光束的穿透率不高於10%；各個反射結構的高度不高於30微米(μm)；各個反射結構的最大寬度不大於500微米(μm)，且各個反射結構的最大寬度介於發光二極體的寬度或長度的1/15倍～5倍。第一均光構件設置於色轉換組件及光源座之間，而多個發光二極體所發出的藍光光束依序通過第一均光構件及色轉換組件後，將轉換為白光光束。色轉換組件設置於第二均光構件及第一均光構件之間，第二均光構件包含：一第二透明本體及多個第二角錐結構。第二透明本體面對色轉換組件的寬側面定義為一第二內側面；第二透明本體的厚度不大於2公釐(mm)。多個第二角錐結構形成於第二內側面，各個第二角錐結構用以折射通過色轉換組件的白光光束；各個第二角錐結構的任一底邊的長度介於發光二極體的寬度或長度的1/40倍～1/2倍，各個第二角錐結構相對於第一內側面的垂直高度不大於50微米。

綜上所述，本發明的背光裝置通過第一均光構件、多個第一角錐結構、多個反射結構、第二均光構件及多個第二角錐結構等設計，不但可以提升背光裝置的均光度，還可以達到生產終端產品的廠商對於產品薄化(例如是背光裝置整體的厚度小於5公釐的需求。

為能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，但是此等說明與附圖僅用來說明本發明，而非對本發明的保護範圍作任何的限制。

於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述及的相關內容大部份出現於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。

請一併參閱圖1及圖2，圖1顯示為本發發明的背光裝置100的側面示意圖，圖2為本發明的背光裝置的局部放大示意圖，於圖1中所示的各個第一角錐結構22、各個反射結構231及各個第二角錐結構42的尺寸與各個發光二極體12的尺寸，僅是示意圖而不代表真實的比例。本發明的背光裝置100包含一光源座1、一第一均光構件2、一色轉換組件3、一第二均光構件4及一稜鏡片5。第一均光構件2設置於光源座1的上方，色轉換組件3設置於第一均光構件2的上方，而第一均光構件2位於光源座1及色轉換組件3之間，第二均光構件4設置於色轉換組件3的上方，而色轉換組件3位於第一均光構件2及第二均光構件4之間，稜鏡片5設置於第二均光構件4的上方，而第二均光構件4位於稜鏡片5及色轉換組件3之間。

在不同的實施例中，背光裝置100也可以是不設置有所述稜鏡片5，或者，背光裝置100也可以是依據需求設置有其他構件，而不侷限於僅可設置有上述該些構件。需說明的是，於本實施例的圖1中，並未顯示出用來支撐第一均光構件2、色轉換組件3、第二均光構件4及稜鏡片5的構件，該等構件的外型、尺寸等皆可依據背光裝置100實際應用的產品的類型、外型、尺寸等進行設計，於此不加以限制。

光源座1包含：一基板11、多個發光二極體12及一封裝層13。多個發光二極體12彼此間隔地設置於基板11。基板11可以是依據需求為各式電路板，基板11的材料例如可以是包含玻璃、FR4(玻璃纖維板)、BT(樹脂)等，於此不加以限制。基板11上設置的發光二極體12的數量，可以是依據需求變化，於此不加以限制。

各個發光二極體12能發出藍光光束，且各個發光二極體12的寬度12W、長度12D及高度12H分別不大於0.4公釐(mm)、0.4公釐(mm)及0.2公釐(mm)。在具體的應用中，各個發光二極體12例如可以是覆晶式(flip chip)次毫米發光二極體晶片(Mini LED)，但不以此為限。在其中一個較佳的實施例中，各個發光二極體12的寬度可以是介於0.1公釐(mm)至0.4公釐(mm)，各個發光二極體12的長度可以是介於0.1公釐(mm)至0.4公釐(mm)，各個發光二極體12的高度可以是介於0.05公釐(mm)至0.2公釐(mm)，而彼此相鄰的兩個發光二極體12的中心光軸的距離L可以是介於2公釐至6公釐。

封裝層13形成於基板11上，且封裝層13包覆各個發光二極體12，而各個發光二極體12所發出的藍光光束是通過封裝層13向第一均光構件2的方向射出。封裝層13主要是用來保護各個發光二極體12，而避免各個發光二極體12直接暴露於外。封裝層13的材料例如可以是包含矽樹脂、環氧樹脂等。在不同的實施例中，封裝層13內可以是摻有擴散粒子，藉此使各個發光二極體12所發出的光束能夠更均勻地，由封裝層13相反於基板11的一側向外射出。在較佳的實施例中，封裝層13的厚度可以是介於0.1公釐至0.6公釐，且封裝層13的折射率可以是介於1.4～1.6。

在特殊的應用中，封裝層13也可以是包含磷光體、半導體奈米晶體(II-VI族或III-V族化合物)等材料，而各個發光二極體12所出發出的藍光光束通過封裝層13後，將轉換為白光光束。

如圖3所示，本發明的光源座1在不同的實施例中，基板11也可以是設置有多個封裝體14，各個封裝體14包覆單一個發光二極體12。而且，各個封裝體14可以是製作為半球狀，封裝體14可以作為光學透鏡，通過光學透鏡的設置，將可以進一步地提高發光二極體12的出光角度。當然，封裝體14也可以是摻有色轉換材料，而發光二極體12所發出的藍光光束，通過各個封裝體14後則轉換為白光光束。各個封裝體14例如可以是利用點膠等方式形成於發光二極體12的外圍，但不以此為限。

如圖4所示，在不同的實施例中，基板11還可以是設置有多個擋牆15，各個擋牆15位於彼此相鄰的兩個發光二極體12之間，而各個擋牆15是包圍其中一個發光二極體12。各個擋牆15面對發光二極體12的一側能反射發光二極體12所發出的藍光光束。通過擋牆15的設置，可以增加發光二極體12所發出的光束的利用率，而使發光二極體12所發出的大部分光束都是朝向遠離基板11的方向射出。各個擋牆15的高度可以是大致等於封裝體14的高度，但不以此為限。各個擋牆15的外型、尺寸不以圖中所示為限。各個擋牆15的材料例如可以是白色樹脂，且多個擋牆15例如可以是以點膠、模具成形等方式形成於基板11。

第一均光構件2包含：一第一透明本體21、多個第一角錐結構22及多組第一反射群組23。第一透明本體21的材料例如可以是包含聚碳酸酯(Polycarbonate, PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate, PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇脂(polyethylene terephthalate, PET)等，於此不加以限制。需說明的是，於此所指的第一透明本體21的「透明」，是指第一透明本體21中內部不摻有其他粒子，且第一透明本體21對於發光二極體12所發出的藍光光束的穿透率是不低於90%。換句話說，本發明所述的第一透明本體21與習知的擴散板不相同，習知的擴散板中摻有擴散粒子，而本發明的第一透明本體21則是不摻有任何擴散粒子。

第一透明本體21彼此相反的兩個寬側面分別定義為一第一內側面211及一第一外側面212。多個第一角錐結構22形成於第一內側面211，而多個第一角錐結構22是面對多個發光二極體12設置。各個第一角錐結構22用以折射發光二極體12所發出的光束。

在實際應用中，各個第一角錐結構22與第一透明本體21是一體成型地設置，亦即，在第一透明本體21及多個第一角錐結構22是於製造過程中一次性地形成，而多個第一角錐結構22不是於第一透明本體21製造完成後，才利用黏合或是其他方式固定於第一透明本體21的第一內側面211。

如圖1、圖2、圖5及圖6所示，在實際應用中，各個第一角錐結構22可以是正三角錐結構，而各個第一角錐結構22包含一正三角形底面221及三個斜側面222，任一個斜側面222與正三角形底面221的夾角可以是介於50度至70度。各個第一角錐結構22的任一底邊2211的長度2211D介於發光二極體的寬度12W或長度12D的1/40倍～1/2倍，且各個第一角錐結構22的任一底邊2211的長度2211D不大於100微米(μm)，各個第一角錐結構22的頂點223與第一內側面211的垂直高度22H不大於50微米(μm)，較佳地，各個第一角錐結構22的頂點223與第一內側面211的垂直高度22H介於10微米(μm)至50微米(μm)。較佳地，第一內側面211於任一個正投影區域A中形成有20～50個第一角錐結構22。

較佳地，任一個斜側面222與正三角形底面221的夾角介於55度至65度。舉例來說，各個第一角錐結構22的底邊2211的長度2211D可以是50微米、各個斜側面222的斜邊2221長度2221D可以是38.2微米，而第一角錐結構22的頂點223至正三角形底面221的垂直高度22H則可以是25微米，且任一個斜側面222與正三角形底面221的夾角則可以是60度。在另一個具體例子中，各個第一角錐結構22的底邊2211的長度2211D可以是50微米、各個斜側面222的斜邊2221長度2221D可以是42.3微米，而第一角錐結構22的頂點223至正三角形底面221的垂直高度22H則可以是31微米，且任一個斜側面222與正三角形底面221的夾角則可以是65度。

如圖5所示，各個第一角錐結構22是以最密排列的方式形成於第一透明本體21的第一內側面211，亦即，第一內側面211是佈滿第一角錐結構22，而彼此相鄰的任兩個第一角錐結構22之間不存在有間隙。

值得一提的是，在實際應用中，所述第一透明本體21的厚度21T是不大於2公釐(mm)，而第一均光構件2整體的厚度2T則是小於0.5公釐。在習知技術中，若是採用厚度不大於2公釐(mm)的擴散板來取代本發明的第一均光構件2，申請人經實際實驗發現，光源座1所發出的光束通過該擴散板所輸出的面光源的均光度，明顯低於通過本發明的第一均光構件2所輸出的面光源的均光度，而且如果通過增加該擴散板中的擴散粒子，來使通過該擴散板所輸出的面光源的均光度到達通過本發明的第一均光構件2所輸出的面光源的均光度，則會發生通過該擴散板所輸出的面光源的亮度明顯低於通過本發明的第一均光構件2所輸出的面光源的亮度。

也就是說，本發明的第一均光構件2在厚度不大於2公釐的情況下，對比於習知技術中厚度不大於2公釐(mm)的擴散板，無論在亮度或是均光度的表現都比較好，而習知技術中厚度不大於2公釐的擴散板，若要得到較佳的均光度，則亮度會相對變差，若要得到相對較佳的亮度，則均光度會相對變差，本發明的第一均光構件2則可以同時達到亮度及均光度的要求。

如圖2、圖7及圖8所示，圖7為本發明的背光裝置的第一均光構件的第一外側面的俯視圖，圖8為圖7的局部放大示意圖。各組第一反射群組23包含多個反射結構231，各個反射結構231形成於第一外側面212。各組第一反射群組23所包含的多個反射結構231，位於各個發光二極體12的一頂出光面121向第一外側面212的方向正投影的一正投影區域A內。

如圖6所示，位於各個正投影區域A內的多個反射結構231，越靠近正投影區域的一中心C越密集地排列，越遠離正投影區域的中心C越鬆散地排列，也就是說，越靠近正投影區域A的中心C的任兩個相鄰的反射結構231彼此間的間距P越小，而越遠離正投影區域A的中心C的任兩個相鄰的反射結構231彼此間的間距P則越大。

於本實施例的圖式中，是以各個反射結構231為圓形結構為例，但反射結構231的外型不以圓形為限，各個反射結構231的外型例如也可以是矩形、三角形等。另外，於本實施例的圖式中，是以多個反射結構231大致以同心圓的方式排列設置，但反射結構231的排列方式不以此為限，只要多個反射結構231越靠近正投影區域A的中心C越密集地排列，越遠離正投影區域A的中心C越鬆散地排列，多個反射結構231以何種方式排列，皆可依據需求變化。

如圖6所示，在其中一個較佳的實施例中，各個正投影區域A以其中心C為圓心，以一預定長度R為半徑所繪出的一虛擬圓形，將正投影區域A區隔為一密集區A1及一鬆散區A2，位於各個密集區A1內的多個反射結構231的一底面A3的面積總和，佔密集區A1的面積的至少80%以上，位於各個密集區A1內的多個反射結構231的底面A3的面積總和，佔鬆散區A2的面積的不高於5%。預定長度R不高於正投影區域A的寬度AW或長度AD的1/2倍。

在較佳的實施例中，位於各個密集區A1中彼此相鄰的兩個反射結構231彼此間的間距P不大於預定長度R的1/10倍；位於各個鬆散區A2中彼此相鄰的兩個反射結構231彼此間的間距P不小於預定長度R的1/2倍。在實際應用中，各個反射結構231的最大寬度(外徑)是發光二極體的1/15倍～5倍，且各反射結構231的最大寬度(外徑)不大於500微米(μm)，較佳地，各個反射結構231外徑介於30微米(μm)至500微米(μm)；另外，各個反射結構的高度不高於30微米(μm)。

在實際應用中，各個反射結構231對發光二極體12所發出的光束的反射率不低於90%，且各個反射結構對於發光二極體12所發出的光束的穿透率不高於10%。舉例來說，反射結構231的材料可以是包含氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等金屬氧化物粒子所構成的樹脂，且各個反射結構231可以是利用印刷、噴塗等方式，直接形成於第一外側面212。

請復參圖1，多個發光二極體12所發出的藍光光束依序通過第一均光構件2及色轉換組件3後，將轉換為白光光束。在實際應用中，色轉換組件3例如可以是包含一藍光穿透膜31及一色轉換膜32，藍光穿透膜31對波長介於420奈米至480奈米的光束的穿透率不低於90%，且藍光穿透膜31對波長介於550奈米至750奈米的光束的穿透率不大於5%。藍光穿透膜31設置於色轉換膜32與第一均光構件2之間。色轉換膜32可以包含磷光體、半導體奈米晶體(II-VI族或III-V族化合物)等材料，而通過藍光穿透膜31的藍光光束，將進入色轉換膜32中，並據以轉換為白光光束。在實際應用中，色轉換組件3所包含的藍光穿透膜31的厚度31T及色轉換膜32的厚度32T總和小於1公釐。

請復參圖1、圖5及圖6，第二均光構件4包含：一第二透明本體41及多個第二角錐結構42。第二透明本體41面對色轉換組件3的彼此相反的兩個寬側面分別定義為一第二內側面411及一第二外側面412。第二內側面411形成多個第二角錐結構42，且多個第二角錐結構42面對第一均光構件2的多個反射結構231設置。各個第二角錐結構42用以折射通過色轉換組件3的白光光束。在實際應用中，各個第二角錐結構42是與第二透明本體41一體成型地設置，而多個第二角錐結構42不是通過黏貼或是其他方式固定於第二透明本體41。

在具體的應用中，各個第二角錐結構42可以是正三角錐結構，而第二角錐結構42可以是包含一正三角形底面421及三個斜側面422，正三角形底面421與任一個斜側面422的夾角可以是介於50度至70度。較佳地，正三角形底面421與任一個斜側面422的夾角可以是介於55度至65度。各個第二角錐結構42的任一底邊4211的長度4211D不大於100微米(μm)。各個第二角錐結構42的任一底邊4211的長度4211D介於發光二極體12的寬度12W或長度12D的1/40倍～1/2倍，且各個第二角錐結構42的任一底邊4211的長度4211D不大於100微米(μm)，各個第二角錐結構42的頂點423與第二內側面411的垂直高度42H不大於50微米(μm)，較佳地，各個第二角錐結構42的頂點423與第二內側面411的垂直高度42H介於10微米(μm)至50微米(μm)。

需特別說明的是，第二透明本體41的第二外側面412並未設置有任何反射結構231，若是於第二外側面412形成有反射結構231，則使用者於稜鏡片5外觀看背光裝置100時，將會看到設置於第二外側面412的反射結構231，如此，將會讓使用者有不好的觀看體驗。

於此所指的各個第二角錐結構42與各個第一角錐結構22可以是完全相同的結構，而第一均光構件2及第二均光構件4兩者的差異僅在於第一均光構件2的第一外側面212設置有多個反射結構231，而第二均光構件4的第二外側面412則是不設置有任何反射結構。關於各個第二角錐結構42的斜側面422與正三角形底面421的夾角、斜邊4221的長度4221D、底邊4211的長度4211D、頂點423至正三角形底面421的垂直高度42H的具體的數值，請參閱前述第一角錐結構22所舉的例子，於此不再贅述。當然，在不同的實施例中，各個第二角錐結構42的外型也可以是與各個第一角錐結構22的外型不相同。

需特別強調的是，第二透明本體41與習知的擴散板不相同，第二透明本體41是呈現為透明狀，而第二透明本體41內不額外設置有任何類似擴散粒子的粒子。在實際應用中，所述第二透明本體41的厚度41T是不大於2公釐(mm)，而第二均光構件4整體的厚度4T則是小於0.5公釐。

依上所述，本發明的背光裝置100通過第一均光構件2及第二均光構件4的設計，可以在使背光裝置100整體厚度不大於5公釐的情況下，使背光裝置100輸出的面光源的均光度仍可達到75%以上。相對地，申請人經過實際實驗發現，若是將本發明的背光裝置100中所包含的第一均光構件2及第二均光構件4取代為兩張傳統的厚度不大於2公釐的擴散板，則背光裝置100所輸出的面光源的均光度將不高於70%，而若是增加兩張擴散板中的擴散粒子，以使背光裝置100所輸出的面光源的均光度高於80%，則背光裝置100所述輸出的面光源的亮度將會明顯低於包含第一均光構件2及第二均光構件4的背光裝置100的背光裝置100所輸出的面光源的亮度。

另外，值得一提的是，經申請人實際實驗發現，本發明的背光裝置100，在同時設置有第一均光構件2及第二均光構件4的情況下，背光裝置100所輸出的面光源的亮度可以達到95%以上，且均光度可以達到80%以上，而若背光裝置100僅設置第一均光構件2，而不設置第二均光構件4，則背光裝置100所輸出的面光源的亮度雖然可以達到接近100%，但均光度將降低至60%以下。

綜上所述，本發明的背光裝置100，在採用尺寸接近Mini LED的發光二極體的情況下，通過第一均光構件2、第二均光構件4等設計，可以在使背光裝置100整體厚度小於5公釐的情況下，亮度仍可達到95%以上，而均光度仍可達到80%以上。反觀，習知採用擴散板的背光裝置，在整體厚度小於5公釐的情況下，亮度及均光度皆無法達到與本發明的背光裝置相同的效果。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

100:背光裝置 1:光源座 11:基板 12:發光二極體 121:頂出光面 12W:寬度 12D:長度 12H:高度 13:封裝層 14:封裝體 15:擋牆 2:第一均光構件 2T:厚度 21:第一透明本體 21T:厚度 211:第一內側面 212:第一外側面 22:第一角錐結構 221:正三角形底面 2211:底邊 2211D:長度 222:斜側面 2221:斜邊 2221D:長度 223:頂點 22H:高度 23:第一反射群組 231:反射結構 3:色轉換組件 31:藍光穿透膜 31T:厚度 32:色轉換膜 32T:厚度 4:第二均光構件 4T:厚度 41:第二透明本體 411:第二內側面 412:第二外側面 41T:厚度 42:第二角錐結構 421:正三角形底面 4211:底邊 4211D:長度 422:斜側面 4221:斜邊 4221D:長度 423:頂點 42H:高度 5:稜鏡片 A:正投影區域 A1:密集區 A2:鬆散區 A3:底面 AW:寬度 AD:長度 C:中心 R:預定長度 P:間距 L:距離

圖1為本發明的背光裝置的側面示意圖。

圖2為本發明的背光裝置的光源座的局部放大示意圖。

圖3為本發明的背光裝置的光源座的其中一實施例的側面示意圖。

圖4為本發明的背光裝置的光源座的其中一實施例的側面示意圖。

圖5為本發明的背光裝置的第一均光構件(第二均光構件)的第一內側面(第二內側面)的俯視圖。

圖6為本發明的背光裝置的第一均光構件(第二均光構件)的其中兩個第一角錐結構(第二角錐結構)的示意圖。

圖7為本發明的背光裝置的第一均光構件的第一外側面的俯視圖。

圖8為圖7的局部放大示意圖。

100:背光裝置

1:光源座

11:基板

12:發光二極體

121:頂出光面

13:封裝層

2:第一均光構件

2T:厚度

21:第一透明本體

21T:厚度

211:第一內側面

212:第一外側面

22:第一角錐結構

23:第一反射群組

231:反射結構

3:色轉換組件

31:藍光穿透膜

31T:厚度

32:色轉換膜

32T:厚度

4:第二均光構件

4T:厚度

41:第二透明本體

411:第二內側面

412:第二外側面

41T:厚度

42:第二角錐結構

5:稜鏡片

L:距離

Claims

一種背光裝置，其包含：一光源座，其包含一基板及多個發光二極體，多個所述發光二極體彼此間隔地設置於所述基板，各個所述發光二極體能發出波長介於420奈米至480奈米的光束；各個所述發光二極體的寬度、長度及高度分別不大於0.4公釐(mm)、0.4公釐(mm)及0.2公釐(mm)；一第一均光構件，其設置於所述光源座的上方，所述第一均光構件非為擴散板，所述第一均光構件包含：一第一透明本體，其彼此相反的兩個寬側面分別定義為一第一內側面及一第一外側面；所述第一透明本體的厚度不大於2公釐(mm)；多個第一角錐結構，其形成於所述第一內側面，多個所述第一角錐結構面對多個所述發光二極體設置；各個所述第一角錐結構用以折射所述發光二極體所發出的光束；各個所述第一角錐結構的任一底邊的長度介於發光二極體的寬度或長度的1/40倍～1/2倍；各個所述第一角錐結構相對於所述第一內側面的垂直高度不大於50微米；多組第一反射群組，各組所述第一反射群組包含多個反射結構，各個所述反射結構形成於所述第一外側面；各組所述第一反射群組所包含的多個所述反射結構，位於各個所述發光二極體的一頂出光面向所述第一外側面的方向正投影的一正投影區域內，位於各個所述正投影區域內的多個所述反射結構，越靠近所述正投影區域的一中心越密集地排列，越遠離所述正投影區域的所述中心越鬆散地排列；各個所述反射結構對所述發光二極體所發出的光束的反射率不低於90%；各個所述反射結構對於所述發光二極體所發出的光束的穿透率不高於10%；各個所述反射結構的高度不高於30微米(μm)；各個所述反射結構的最大寬度不大於500微米(μm)，且各個所述反射結構的最大寬度介於發光二極體的寬度或長度的1/15倍～5倍；一色轉換組件，所述第一均光構件設置於所述色轉換組件及所述光源座之間，而多個所述發光二極體所發出的藍光光束依序通過所述第一均光構件及所述色轉換組件後，將轉換為白光光束；一第二均光構件，所述色轉換組件設置於所述第二均光構件及所述第一均光構件之間，所述第二均光構件非為擴散板，所述第二均光構件包含：一第二透明本體，其面對所述色轉換組件的寬側面定義為一第二內側面；所述第二透明本體的厚度不大於2公釐(mm)；多個第二角錐結構，其形成於所述第二內側面，各個所述第二角錐結構用以折射通過所述色轉換組件的白光光束；各個所述第二角錐結構的任一底邊的長度介於發光二極體的寬度或長度的1/40倍～1/2倍各個所述第二角錐結構相對於所述第一內側面的垂直高度不大於50微米。
如請求項1所述的背光裝置，其中，各個所述正投影區域以其中心為圓心，以一預定長度為半徑所繪出的一虛擬圓形，將所述正投影區域區隔為一密集區及一鬆散區，位於各個所述密集區內的多個所述反射結構的一底面的面積總和，佔所述密集區的面積的至少80%以上，位於各個所述密集區內的多個所述反射結構的所述底面的面積總和，佔所述鬆散區的面積的不高於5%；所述預定長度不高於正投影區域的寬度或長度的1/2倍。
如請求項2所述的背光裝置，其中，位於各個所述密集區中彼此相鄰的兩個所述反射結構彼此間的間距不大於所述預定長度的1/10倍；位於各個所述鬆散區中彼此相鄰的兩個所述反射結構彼此間的間距不小於所述預定長度的1/2倍。
如請求項1所述的背光裝置，其中，各個所述第一角錐結構為正三角錐結構，而各個所述第一角錐結構包含一正三角形底面及三個斜側面，任一個所述斜側面與所述正三角形底面的夾角介於50度至70度。
如請求項4所述的背光裝置，其中，任一個所述斜側面與所述正三角形底面的夾角介於55度至65度。
如請求項1所述的背光裝置，其中，各個所述第二角錐結構為正三角錐結構，而各個所述第二角錐結構包含一正三角形底面及三個斜側面，任一個所述斜側面與所述正三角形底面的夾角介於50度至70度。
如請求項6所述的背光裝置，其中，任一個所述斜側面與所述正三角形底面的夾角介於55度至65度。
如請求項1所述的背光裝置，其中，所述色轉換組件包含一藍光穿透膜及一色轉換膜，所述藍光穿透膜對波長介於420奈米至480奈米的光束的穿透率不低於90%，且所述藍光穿透膜對波長介於550奈米至750奈米的光束的穿透率不大於5%；所述藍光穿透膜設置於所述色轉換膜與所述第一均光構件之間；所述背光裝置還包含一稜鏡片，所述第二均光構件設置於所述稜鏡片及所述色轉換膜之間。
如請求項8所述的背光裝置，其中，所述光源座還包含一封裝層，所述封裝層包覆各個所述發光二極體，而各個所述發光二極體所發出的藍光光束是通過所述封裝層向所述第一均光構件的方向射出；所述封裝層的厚度介於0.1公釐至0.6公釐，且所述封裝層的折射率介於1.4～1.6；彼此相鄰的兩個所述發光二極體的中心光軸的距離介於2公釐至6公釐。
如請求項1所述的背光裝置，其中，各個所述發光二極體的寬度介於0.1公釐(mm)至0.4公釐(mm)，各個所述發光二極體的長度介於0.1公釐(mm)至0.4公釐(mm)，各個所述發光二極體的高度介於0.05公釐(mm)至0.2公釐(mm)；所述第一透明本體的厚度介於0.1公釐(mm)至2公釐(mm)，所述第二透明本體的厚度介於0.1公釐(mm)至2公釐(mm)；各個所述第一角錐結構的任一個底邊的長度介於10微米(μm)至100微米(μm)；各個所述第一角錐結構相對於所述第一內側面的高度介於10微米(μm)至50微米(μm)，各個所述反射結構的外徑介於30微米(μm)至500微米(μm)；各個所述第二角錐結構的任一個底邊的長度介於10微米(μm)至100微米(μm)，各個所述第二角錐結構相對於所述第二內側面的高度介於10微米(μm)至50微米(μm)。