TWI666478B - 直下式背光裝置 - Google Patents

Abstract

一種直下式背光裝置包含：光源座及反射片體。反射片體設置於光源座的一側。光源座包含：電路板，電路板設置有多個反射杯結構及多個發光單元。各反射杯結構具有反射腔，各發光單元設置於反射腔中。各發光單元發出的部份光束將直接通過反射片體而向外射出，發光單元發出的部份光束能通過反射腔反射後向反射片體方向射出。反射片體能將來自光源座的部份光束向光源座方向反射。本發明的直下式背光裝置相較於習知的直下式背光模組具有更好的出光均勻度。

Description

直下式背光裝置

本發明涉及一種背光裝置，特別是一種直下式背光裝置。

現有大型顯示裝置(例如是電視等)的光源模組，大致可區分為側光式及直下式，直下式背光模組相對於側光式背光模組具有更好的色彩表現，因此，直下式背光模組為近年來相關廠商主要開發的技術之一。然，現有的直下式背光模組容易發生各區域的亮度不一致，而產生暗區、亮區的問題，即俗稱的Mura現象。

本發明的主要目的在於提供一種直下式背光裝置，用以改善現有技術中，直下式背光裝置容易發生暗區、亮區的問題。

為了實現上述目的，本發明提供一種直下式背光裝置，其包含：一光源座及一反射片體。光源座包含：一電路板、多個反射杯結構及多個發光單元。多個反射杯結構固定設置於電路板的一側，各個反射杯結構由遠離電路板的一側向靠近電路板的一側內凹形成有一反射腔。各個發光單元固定設置於電路板，且多個發光單元對應位於多個反射腔中，各個發光單元包含一發光二極體、一半遮光件及一透光體，發光二極體具有五個發光面，半遮光件設置於發光二極體相反於與電路板相連接的一端面，通過端面向外射出的部份光束能通過半遮光件向外射出，而半遮光件能阻擋通過端面向外射出的部份光束；透光體包覆半遮光件及發光二極體設置，各個發光二極體所發出的光束能通過相對應的透光體向外射出。反射片體設置於光源座的上方，反射片體能將來自 光源座所發出的部份光束向光源座的方向反射，且反射片體能使來自光源座所發出的部份光束通過。其中，形成各個反射腔的側壁為一反射面，各個反射腔的反射面，能反射相對應的發光單元所發出的部份光束，以使光束朝向反射片體方向射出。

本發明的有益效果可以在於：本發明的直下式背光裝置相對於現有的直下式背光模組具有更好的出光均勻度，即，本發明的直下式背光裝置能大幅改善現有直下式背光模組所容易存在的明顯的暗區及亮區的問題。

為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而所附圖式僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

D‧‧‧直下式背光裝置

1‧‧‧光源座

11‧‧‧電路板

12‧‧‧反射杯結構

12A‧‧‧反射腔

12B‧‧‧容置孔

121‧‧‧反射面

121A‧‧‧弧狀區段

13‧‧‧發光單元

131‧‧‧頂面

132‧‧‧環發光面

14‧‧‧發光二極體

141、142、143、144、145‧‧‧發光面

15‧‧‧半遮光件

16‧‧‧透光體

2‧‧‧反射片體

21‧‧‧本體

22‧‧‧反射單元

23‧‧‧正三稜錐結構

231‧‧‧底面

2311‧‧‧底邊

232‧‧‧側面

233‧‧‧頂點

3‧‧‧擴散膜

4‧‧‧稜鏡片

5‧‧‧反射式增亮膜

6‧‧‧藍光穿透膜

7‧‧‧量子點膜

S1‧‧‧間隙

S11‧‧‧距離

S2‧‧‧間隙

S21‧‧‧距離

S3‧‧‧間隙

S31‧‧‧距離

S4‧‧‧間隙

S41‧‧‧距離

L‧‧‧長度

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

W3‧‧‧長度

H1‧‧‧高度

H2‧‧‧高度

H3‧‧‧高度

C1‧‧‧光束路徑

C2‧‧‧光束路徑

C3‧‧‧光束路徑

C4‧‧‧光束路徑

θ1‧‧‧夾角

θ2‧‧‧夾角

R‧‧‧法線

圖1為本發明的第一實施例的直下式背光裝置的局部剖面示意圖。

圖2為本發明的直下式背光裝置的光源座的上視圖。

圖3為圖2的局部放大示意圖。

圖4為本發明的直下式背光裝置的反射杯結構的剖面示意圖。

圖5為本發明的直下式背光裝置的上視圖。

圖6為圖5的局部放大示意圖。

圖7為本發明的直下式背光裝置的單一個反射單元的示意圖。

圖8為本發明的直下式背光裝置的單一個反射單元的上視圖。

圖9為本發明的直下式背光裝置的單一個反射單元的側視圖。

圖10為本發明的直下式背光裝置的發光單元的立體示意圖。

圖11為本發明的直下式背光裝置的發光單元的側視示意圖。

圖12為本發明的直下式背光裝置的第二實施例的局部剖面示意圖。

圖13為圖12的局部放大示意圖。

圖14為本發明的直下式背光裝置的第三實施例的局部剖面示意 圖。

圖15為圖14的局部放大示意圖。

於以下說明中，如有指出請參閱特定圖式或是如特定圖式所示，其僅是用以強調於後續說明中，所述及的相關內容大部份出現於該特定圖式中，但不限制該後續說明中僅可參考所述特定圖式。

請參閱圖1，其顯示為本發明的直下式背光裝置的第一實施例的剖面示意圖。如圖所示，本發明的直下式背光裝置D包含：一光源座1及一反射片體2。需注意的是，本發明的直下式背光裝置D與習知的直下式背光模組最主要的不同之處在於：所述光源座1及所述反射片體2。於以下說明中將主要針對光源座1及反射片體2進行詳細說明，但不代表本發明的直下式背光裝置D僅具有光源座1及反射片體2，本發明的直下式背光裝置D仍可依據需求設置有習知的直下式背光模組所設置的必要構件。

如圖1所示，本發明的直下式背光裝置D的光源座1的上方設置有反射片體2。光源座1具有一電路板11、多個反射杯結構12及多個發光單元13，多個反射杯結構12彼此緊鄰地設置於電路板11的一側，多個發光單元13固定設置於電路板11，且多個發光單元13對應位於多個反射杯結構12中。

反射片體2與光源座1之間形成有一間隙S1，所述間隙S1可以填充有空氣(即空氣層)，而反射片體2可以是透過直下式背光裝置D的框體等結構固定設置於光源座1的上方。如圖1、圖10及圖11所示，在實際應用中，各個發光單元13的長度L可以是介於0.1公釐(mm)至2公釐，發光單元13的寬度W1可以是介於0.1公釐至2公釐，發光單元13的高度H1可以是介於0.1公釐至1.7公釐，而反射片體2與光源座1之間所形成的間隙S1的距離S11可以是小於或等於2公釐。透過上述空氣層的設計，將可更進 一步地增加直下式背光裝置D的出光均勻度。

請一併參閱圖2至圖4，圖2顯示光源座的上視圖，圖3為圖2的局部放大示意圖，圖4為單一個反射杯結構與設置於其中的發光單元的剖面示意圖。多個反射杯結構12可以是彼此緊密地排列設置於電路板11上，即相鄰的兩個反射杯結構12之間可以是沒有間距地設置，但不以此為限，在特殊的應用中，彼此相鄰的兩個反射杯結構12也可以是具有經過適當設計(在不影響直下式背光裝置D整體的出光均勻度)的微小間距。如圖2及圖3所示，各個反射杯結構12於其上視圖中可以大致呈現為正方形狀，但不以此為限，各個反射杯結構12於其上視圖中所呈現的外型可以是依據需求變化，例如可以是矩形、圓形、橢圓形等。

如圖4所示，各個反射杯結構12的一側固定設置於電路板11，各個反射杯結構12由遠離電路板11的一側向靠近電路板11的一側內凹形成有一反射腔12A。各個反射杯結構12固定於電路板11的一側還具有一容置孔12B，容置孔12B位於反射腔12A的底部，設置於電路板11的發光單元13則對應穿出於容置孔12B設置。

形成各個反射腔12A的側壁為一反射面121，各個反射腔12A的反射面121，能反射相對應的發光單元13所發出的部份光束，以使光束朝向反射片體2方向射出。在實際應用中，發光單元13的高度H1(如圖11所標示)是不高於反射腔12A的高度H2，而反射面121是環繞發光單元13設置。

在實際應用中，各個反射腔12A鄰近於電路板11的位置具有一弧狀區段121A，弧狀區段121A的Rho值為0.6至0.95，藉此，反射腔12A將可以更有效地使發光單元13所發出的光束向反射片體2的方向反射。值得一提的是，各個反射杯結構12的寬度W2與高度H2比可以是介於2：1至6：1，但不以此為限，反射腔12A的尺寸及其外型可以是依據發光單元13的不同而對應改變。關於 反射腔12A的外型可以是依據需求變化，在不同的實施例中，反射腔12A也可以是不具有弧狀區段121A，而反射腔12A整體可以是呈現為矩形立方體狀、倒梯台狀等。

在具體應用中，反射杯結構12的反射面121的反射率，較佳地是高於90%。反射杯結構12可以是由高反射率材料所製成，舉例來說可以是使用含有由氧化鈦、氧化鋁、氧化矽等金屬氧化物粒子構成的高反射材料的樹脂製作，但不以此為限；在不同的應用中，反射杯結構12可以是由低反射率的材料製成，而後於形成反射腔12A的壁面設置(例如是以塗佈的方式)具有高反射率的層狀結構，而具有高反射率的層狀結構的一側即可對應形成為前述反射面121。

請一併參閱圖5至圖9，圖5為本發明的直下式背光裝置D的反射片體2的上視圖，圖6為圖5的局部放大示意圖，圖7為單一個反射單元的示意圖，圖8為單一個反射單元的上視圖，圖9為單一個反射單元的側視圖。

反射片體2設置於光源座1的上方。具體來說，反射片體2可以是具有一本體21(如圖9所示)及多個反射單元22，多個反射單元22設置於本體21的一側，且反射片體2設置於光源座1的上方時，多個反射單元22面對光源座1設置。在實際應用中，本體21及多個反射單元22可以是一體成型地設置。

如圖7至圖9所示，各個反射單元22可以是包含有兩個正三稜錐結構23，各個正三稜錐結構23具有一底面231、三個側面232及一頂點233，底面231設置於本體21(如圖9所示)。在實際應用中，形成各個底面231的三個底邊2311，分別為另外三個正三稜錐結構23的底面231的其中一個底邊2311，亦即，相鄰的兩個反射單元22的底面231具有共用的底邊2311。

在特殊的應用中，相鄰的兩個反射單元22彼此間也可以是具有間隙，即，僅有同一反射單元22中的兩個正三稜錐結構23是 具有共用的底邊2311，非同一反射單元22中的正三稜錐結構23則不具有共用的底邊2311。

如圖8、圖10及圖11所示，在實際應用中，各個正三稜錐結構23的底邊2311的長度W3，與各個發光單元13的寬度W1或各個發光單元13的長度L比可以是介於1：1至1：40，舉例來說，底邊2311的長度W3可以是介於50微米(μm)至200微米，發光單元13的寬度W1或長度L則可以是介於0.1公釐(mm)至2.0公釐。

如圖9至圖11所示，各個正三稜錐結構23的底面231至頂點233的垂直高度H3與各個發光單元13的高度H1比可以是介於1：10至1：100，舉例來說，各個正三稜錐結構23的底面231至頂點233的垂直高度可以是介於10微米(μm)至100微米；發光單元13的高度可以是介於0.1公釐(mm)至1.7公釐。

如圖7至圖9所示，各個正三稜錐結構23的各個側面232為三角形，三個側面232分別連接三個底邊2311，至少一個側面232與底面231的夾角θ2可以是介於60度至100度，也就是說，可以是僅有單一個側面232與底面231的夾角θ2是介於60度至100度，或者也可以是兩個側面232分別與底面231的夾角θ2是介於60度至100度，又或者是任一個側面232與底面231的夾角θ2是介於60度至100度。在實際應用中，三個側面232可以是具有相同的形狀，但不以此為限。

特別強調的是，於此所指的正三稜錐結構23是指其底面231的三個底邊2311等長，即底面231為正三角形，而三個側面232為何種三角形則未有限制。

請復參圖1，圖中所示的假想線表示為各個發光單元13所發出的光束路徑(光路)。如圖所示，發光單元13所發出的大部份光束將經過反射腔12A的反射面121的反射後，被導引至朝向反射片體2的方向射出(如圖1所示的光束路徑C3)。經反射面121反 射後的光束，若是以垂直於其中一個正三稜錐結構23的底面231的方向進入反射片體2，則將可直接通過反射片體2，而由反射片體2相反於光源座1的一側向外射出(如圖1所示的光束路徑C2)。經反射面121反射的光束，若是非以垂直於其中一個正三稜錐結構23的方向進入反射片體2，則會被正三稜錐結構23反射，而回到原本或是另一個反射腔12A中(如圖1所示的光束路徑C1)，再次被反射面121反射至反射片體2。另外，發光單元13所發出的大角度(例如是與發光二極體14的出光面的法線R的夾角θ1小於50度)的光束，將可通過反射片體2的折射，而由偏離原入射路徑的路徑向反射片體2的一側射出(如圖1所示的光束路徑C4)。

在具體的應用中，反射片體2對於各個發光單元13所發出的小角度光束(與發光二極體14的出光面的法線R的夾角θ1小於50度)的反射率可以是介於50%~80%，而各個發光單元13所發出的小角度光束(與發光二極體14的出光面的法線R的夾角θ1小於50度)穿過反射片體2的穿透率則可以是介於20%~50%。

在具體的應用中，反射片體2對於各個發光單元13所發出的大角度光束(與發光二極體14的出光面的法線R的夾角θ1大於50度)的反射率可以是介於5%~50%，而各個發光單元13所發出的大角度光束(與發光二極體14的出光面的法線R的夾角θ1大於50度)穿過反射片體2的穿透率則可以是介於50%~95%。

依上所述，透過反射腔12A及反射片體2的相互配合，將可以使通過反射片體2向外射出的光束均勻地射出，從而提升直下式背光裝置D整體所發出的光束的均勻度。

值得一提的是，各個反射腔12A的反射面121是環繞發光單元13設置，且反射腔12A的高度是高於發光單元13的高度，而發光單元13是位於反射腔12A的底部，藉此，各個發光單元13所發出的光束，將不會直接與相鄰的發光單元13所發出的光束有混合的現象；是以，本發明的直下式背光裝置D可以達到良好的 局部(區域)控光(Local Dimming)效果。

請參閱圖10及圖11，圖10顯示為本發明的直下式背光裝置的單一個發光單元13的示意圖，圖11為發光單元13的側視圖。如圖所示，各個發光單元13具有一頂面131及一環發光面132，頂面131位於發光單元13相反於與電路板11相連接的一端面，頂面131的周緣與環發光面132相連接，發光單元13所發出的光束能通過環發光面132及頂面131向外射出。

各個發光單元13可以是包含一發光二極體14、一半遮光件15及一透光體16，發光二極體14具有五個發光面141、142、143、144、145，半遮光件15設置於發光二極體14相反於與電路板11相連接的一端面(發光面141)，通過端面(發光面141)向外射出的部份光束能通過半遮光件15向外射出，而半遮光件15能阻擋通過端面(發光面141)向外射出的另一部份光束。半遮光件15可以是以塗佈的方式形成於發光二極體14的端面(發光面141)，而半遮光件15例如可以是由半透明狀的材料所製成；舉例來說，半遮光件15可以是由厚度薄到可以透光的反射材料所製成。在具體的應用中，半遮光件15可以是由具有不同折射率堆疊而成，例如是DBR反射薄膜。

在具體的應用中，具有半遮光件15的發光單元13，其發光曲線可以是大致呈現為心型，而發光單元13在正向0度的位置的出光強度是低於20%，發光單元13的出光強度最大值則是落在-55度至-75度及55度至75度之間。

透光體16包覆半遮光件15及發光二極體14設置，透光體16形成有所述頂面131及所述環側面232，頂面131與發光面141彼此相面對地設置，各個發光二極體14所發出的光束能通過相對應的透光體16向外射出。所述透光體16用以保護發光二極體14及半遮光件15，以避免發光二極體14及半遮光件15直接裸露而容易受損。在不同的應用中，透光體16中可以是設置有擴散粒子、 螢光粒子、色轉換材料(例如是磷光體、半導體奈米晶片)等，可以是依據發光二極體14所發出的光束波長而決定，於此不加以限制。

透過上述半遮光件15的設置，通過透光體16的頂面131向外射出的光束的光通量，將不會明顯地大於通過透光體16的環發光面132向外射出的光束的光通量，從而可提升直下式背光裝置D所發出的光束的均勻度，而避免使用者容易直接觀察到來自於各個發光二極體的頂面(即發光面141)所發出的光束所形成的光點的問題。更詳細來說，設置有半遮光件15的直下式背光裝置D，相較於未設置有半遮光件15的直下式背光裝置D，具有更好的出光均勻度，且更不容易被使用者觀察到明顯的光點。

綜上所述，本發明的直下式背光裝置D透過各個發光單元13的半遮光件15的設計及反射片體2的設計，將可大幅提升直下式背光裝置D整體的出光均勻度。

請參閱圖12及圖13，圖12為本發明的直下式背光裝置的第二實施例的局部剖面示意圖，圖13為圖12的局部放大示意圖。需說明的是，圖13中所顯示的反射片體2及其所具有的多個正三稜錐結構23與前述本發明的直下式背光裝置D的第一實施例的反射片體2相同。而，本實施例與前述第一實施例最大不同之處在於：本發明的直下式背光裝置D還可以包含有一擴散膜(Diffuser Film)3、一稜鏡片(Prism Sheet)4及一反射式增亮膜(Dual Brightness Enhancement Film)5。在實際應用中，擴散膜3、稜鏡片4及反射式增亮膜5的數量可以是依據需求變化，不以單一片為限。

擴散膜3設置於反射片體2與光源座1之間。擴散膜3與光源座1之間形成有間隙S2；在實際應用中，間隙S2的距離S21例如可以是小於或等於2公釐，但不以此為限。反射式增亮膜5位於反射片體2相反於面對擴散膜3的一側，稜鏡片4位於反射式增亮膜5與反射片體2之間。反射片體2、擴散膜3、稜鏡片4 及反射式增亮膜5，彼此間可以是直接相互連接而不具有間隙，或者也可以是依據需求形成有間隙，於此不加以限制。

所述擴散膜3內可以是具有擴散粒子，而使光束能於其內進行特定方向的折射、反射，據以使通過的光束，能更均勻地向外射出。所述稜鏡片4可以是包含有多個微結構(圖未示)，而多個微結構可以用來改變光束的路徑，據以使通過的光束，能集中於預定的可視角範圍中。反射式增亮膜5可以是包含有多層不同折射率的光學薄膜，而進入反射式增亮膜5的光束將於多層光學薄膜之間反射、折射，透過反射式增亮膜5的設置將可提升直下式背光裝置D的正面亮度及大視角方向的亮度。

在另一實施應用中，擴散膜3面對光源座1的一側，還可以具有多個反射點結構(圖未示)，各個反射點結構能使來自光源座1的部份光束向光源座1的方向反射，也就是說，光源座1所發出的部份光束將被反射點結構反射而再次進入多個反射杯結構12中，光源座1所發出的另一部份的光束則會於通過擴散膜3中的微結構反射後由擴散膜3相反於光源座1的一側向外射出。在實際應用中，多個反射點結構例如可以是利用印刷的方式形成於擴散膜3，但不以此為限。

依上所述，本實施例的直下式背光裝置D透過擴散膜3、稜鏡片4及反射式增亮膜5的設置，將可更進一步提升直下式背光裝置D整體的出光均勻度及其出光亮度。

請一併參閱圖14及圖15，圖14為本發明的直下式背光裝置的第三實施例的局部剖面示意圖，圖15為圖14的局部放大示意圖。如圖所示，本實施例與前述實施例最大不同之處在於：直下式背光裝置D還可以是包含有一藍光穿透膜6及一量子點膜(Quantum Dot Enhancement Film)7，且各個發光單元13是發出藍光光束。

藍光穿透膜6能僅使藍光光束通過，藍光穿透膜6設置於反 射片體2與光源座1之間，量子點膜7設置於藍光穿透膜6與反射片體2之間。各個發光單元13所發出的藍光光束能通過藍光穿透膜6而進入量子點膜7，量子點膜7則能將藍光光束轉換為白光光束。

在實際應用中，量子點膜7與擴散膜3之間形成有一間隙S3，間隙S3中可以是填充有空氣(即空氣層)，而通過量子點膜7射出的部份白光光束，將於反射片體2與藍光穿透膜6之間反覆地反射，藉此將可降低量子點膜7中的量子點的需求量，且可提升整體的出光效率。在實際應用中，量子點膜7與擴散膜3之間所形成的間隙S3的距離S31可以是小於或等於2公釐(mm)。值得一提的是，藍光穿透膜6與光源座1之間也可以是形成有一間隙S4，間隙S4的距離S41可以是小於或等於2公釐(mm)。

特別說明的是，本實施例的直下式背光裝置D還可以是設置有前述實施例的擴散膜3、稜鏡片4及反射式增亮膜5，但不侷限為必需設置該些構件。

以上所述僅為本發明的較佳可行實施例，非因此侷限本發明的專利範圍，故舉凡運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的保護範圍內。

Claims (13)

1. 一種直下式背光裝置，其包含：一光源座，其包含：一電路板；多個反射杯結構，其固定設置於所述電路板的一側，各個所述反射杯結構由遠離所述電路板的一側向靠近所述電路板的一側內凹形成有一反射腔；及多個發光單元，各個所述發光單元固定設置於所述電路板，且多個所述發光單元對應位於多個所述反射腔中，各個所述發光單元包含一發光二極體、一半遮光件及一透光體，所述發光二極體具有五個發光面，所述半遮光件設置於所述發光二極體相反於與所述電路板相連接的一端面，通過所述端面向外射出的部份光束能通過所述半遮光件向外射出，而所述半遮光件能阻擋通過所述端面向外射出的部份光束；所述透光體包覆所述半遮光件及所述發光二極體設置，各個所述發光二極體所發出的光束能通過相對應的所述透光體向外射出；以及一反射片體，其設置於所述光源座的上方，所述反射片體能將來自所述光源座所發出的部份光束向所述光源座的方向反射，且所述反射片體能使來自所述光源座所發出的部份光束通過；其中，形成各個所述反射腔的側壁為一反射面，各個所述反射腔的所述反射面，能反射相對應的所述發光單元所發出的部份光束，以使光束朝向所述反射片體方向射出；其中，各個所述反射腔的寬度與高度比介於2：1至6：1。
2. 如請求項1所述的直下式背光裝置，其中，各個所述反射腔鄰近於所述電路板的位置具有一弧狀區段，所述弧狀區段的Rho值為0.6至0.95。
3. 如請求項1所述的直下式背光裝置，其中，所述反射片體與所述光源座之間形成有一間距，所述間距小於或等於2公釐；所述發光單元的長度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的寬度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的高度介於0.1公釐至1.7公釐。
4. 如請求項1所述的直下式背光裝置，其中，所述直下式背光裝置還包含有一擴散膜、一稜鏡片及一反射式增亮膜，所述擴散膜設置於所述反射片體與所述光源座之間，所述擴散膜與所述光源座之間形成有一間距，所述間距小於或等於2公釐；所述反射式增亮膜位於所述反射片體相反於面對所述擴散膜的一側，所述稜鏡片位於所述反射式增亮膜與所述反射片體之間；所述發光單元的長度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的寬度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的高度介於0.1公釐至1.7公釐。
5. 如請求項4所述的直下式背光裝置，其中，所述擴散膜面對所述光源座的一側，具有多個反射點結構，各個所述反射點結構能使來自所述光源座的部份光束向所述光源座的方向反射。
6. 如請求項1所述的直下式背光裝置，其中，所述直下式背光裝置還包含有一藍光穿透膜及一量子點膜，所述藍光穿透膜能僅使藍光光束通過，所述藍光穿透膜設置於所述反射片體與所述光源座之間，所述量子點膜設置於所述藍光穿透膜與所述反射片體之間，各個所述發光單元是發出藍光光束，而各個所述發光單元所發出的藍光光束能通過所述藍光穿透膜而進入所述量子點膜，所述量子點膜能將藍光光束轉換為白光光束。
7. 如請求項1至6其中任一項所述的直下式背光裝置，其中，所述反射片體具有一本體，所述本體的一側設置有多個反射單元，各個所述反射單元包含有兩個正三稜錐結構。
8. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構具有一底面及一頂點，所述底面設置於所述本體；形成各個所述底面的三個底邊，分別為另外三個所述正三稜錐結構的所述底面的其中一個所述底邊；其中，各個所述底面的三個所述底邊等長。
9. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構的所述底面至所述頂點的垂直高度與各個所述發光單元的高度比介於1：10至1：100。
10. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構的所述底邊的長度，與各個所述發光單元的寬度或各個所述發光單元的長度比介於1：1至1：40。
11. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構的所述底面至所述頂點的垂直高度介於10微米至100微米；所述發光單元的長度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的寬度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的高度介於0.1公釐至1.7公釐。
12. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構的所述底邊的長度介於50微米至200微米；所述發光單元的長度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的寬度介於0.1公釐至2公釐，所述發光單元的高度介於0.1公釐至1.7公釐。
13. 如請求項7所述的直下式背光裝置，其中，各個所述正三稜錐結構具有三個側面，各個所述側面為三角形，三個所述側面分別連接三個所述底邊，至少一個所述側面與所述底面的夾角介於60度至100度。