TWM569435U - Direct light guiding structure - Google Patents

Abstract

本創作係關於一種直下式導光結構，其包含導光板以及複數個發光二極體，該導光板上更設置至少一入光凹槽，該些發光二極體係設置於該入光凹槽內，且該發光二極體下方設置並電性連接一墊高塊，該墊高塊係為了將該發光二極體墊高，使該發光二極體發出之光線進入該反射層後，一部分之光線會直接進入該導光板，另一部分之光線會反射至該入光凹槽側面，由其側面進入該導光板，使得導光板內之光強度分布更加均勻，進而減少光圈以及熱點之現象。

Description

直下式導光結構

本創作係關於一種直下式導光結構，其係直接於該基板與該發光二極體之間設置一墊高結構，使該發光二極體發出之光線能夠經由反射層直接進入其導光板。

隨著電子科技的進步，市面上應用於光學顯示器的背光模組，主要可區分為側光式導光板以及直下式導光板兩種。背光模組(Backlight Module；BLM)又稱背光板，為薄膜電晶體液晶顯示器（TFT-LCD）之重要零組件之一。由於TFT-LCD 為非自發光之顯示器，必須透過背光源投射光線，依序穿透TFT-LCD 面板中之偏光板、玻璃基板、液晶層、彩色濾光片、玻璃基板、偏光板等相關零組件，最後進入人之眼睛成像，達到顯示之功能。

請參閱第一A圖，其係為側光式之導光結構以及第一B，其係為直下式導光結構圖，如圖所示，側光式導光結構與直下式導光結構其導光板之差異在於，使用側光式導光板的背光模組其主要缺點在於出光效率較差，由於導光板一旁側邊上之複數光源所發出的光，往往只有不到一半的光可以從導光板的出光面射出。而習知的使用直下式導光板的背光模組雖具有相對較高的出光效率，但因為光源(尤其是發光二極體之類的點狀光源)是直接放置在導光板與出光面相對的另一面處且是直接朝向出光面發光，所以會有相對嚴重的亮點與暗點現象。

一般直下式的導光結構內之發光二極體係為晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)，然而其發光模式容易產生亮點與暗點的現象，晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)經過前人的努力及開發，目前於產業已是成熟之產品。特別是基於倒裝晶片開發的晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)以其優異的出光效率、良好的散熱結構、精巧的外形尺寸等優點，已開始應用於背光、閃光燈、商用照明等高端用途，其係將導裝芯片通過共晶焊技术焊接在陶瓷或柔性基板上，再將螢光粉層塗佈在作为出光窗口的藍寶石及芯片四周側壁上，進而形成五面發光型光源，其上表面所發出的光，在距離導光板相對最近的出光面，即形成亮點(spot)現象，即使加入二次光學結構進行光學補償，光源上方的出光仍然有亮點問題產生，且二次光學結構容易導致光源結構之體積大幅增加。

另外，亮度損失也是關注的一個焦點，擴散片功能為提供液晶顯示器均勻的面光源。一般傳統的擴散片主要是在擴散片基材中加入化學顆粒，作為散射粒子。然而，於此架構下，由於化學顆粒的光學特性，導致化學顆粒吸光而造成較高的亮度損失。習知技術中，請參閱第一A圖與第一B圖，其為側光式背光模組及直下式背光模組之示意圖。其中，無論哪一類型之背光模組直接通過改變導光板的結構來改善亮度損失的問題。但是，由於發光二極體具有較高的指向性，亦即發光二極體具有特定的出光角度範圍，因此導光板之靠近發光二極體且落在出光角度範圍內的區域會形成亮區，且在出光角度範圍外的區域會形成暗區，這些亮區與暗區會導致導光板所提供的面光源不均勻，這就是所謂的熱點(hot spot)現象。

此外，請技術參閱第一C圖，其為另一直下式導光結構示意圖，如圖所示，當該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)發出光線時，其會先投射至其上方之反射片上，光線碰到反射片後，部份之光線會穿透該反射片並進入該導光板，而其餘的光線會經由該反射片反射，由導光板之側面進入，但該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)之高度不夠，當光線由反射片反射後，會有部份之光線被反射由導光板之側面進入，但該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)設置於該導光板內之空間與該基板之連接處為一彎角，當光線反射後，會由部分之光線由導光片之該彎角被反射出，以及部分光線經過反光片反射後，會先碰到基板再反射進入導光片，如此又會造成二次反射，上述之問題會造成該光線經由導光板出光後，該光線會集中於一處，使該導光板上之亮度不均勻，進而形成光圈效應，造成一部份之範圍具有特別亮的光圈。

綜上所述之習知直下式發光結構中，有許多未盡完善的結構，因此本創作人經過長期的研究及創作，終於創作出一種直下式發光結構，其利用晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)本身以及導光板本身的結構來改變出光的均勻性，減少熱點現象，並且設置一墊高結構於晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)與其設置之基板之間，使該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)發光時，其光線經由反射片反射後，能夠直接由側邊進入該導光板內，使得本案之直下式發光結構之出光更均勻，並減少光線之損耗。

本創作之主要目的，係提供一種直下式發光結構，其係於導光板內之一入光凹槽內設置一發光二極體，該發光二極體下設置一墊高層，其能夠改善出光的均勻性，避免光線經由反射層反射後由導光板與該入光凹槽之彎角進入導光板。

本創作之另一目的，係提供一種直下式發光結構，其能夠改善出光的均勻性，避免亮區與暗區的產生，減少熱點現象，以及減少發光二極體發出之光線在導光板內的損失。

為了達到上述之目的，本創作揭示了一種直下式導光結構，其包含複數個墊高塊，複數個發光二極體，該些發光二極體係為晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)，其係分別設置於該些墊高塊上，且每一該些發光二極體上更設置一反射層，每一該些發光二極體產生一光線，且該光線係射入該反射層，以及一導光板，其包含一入光面以及一出光面，該入光面與該出光面係相對設置，該入光面設置複數個入光凹槽，且該些入光凹槽分別相對並覆蓋於該些發光二極體結構上，其中，該光線射入該反射層後，分為一第一光線以及一第二光線，該第一光線係通過該反射層並穿透該些入光凹槽並射至該導光板，該第二光線被該反射層反射後，直接進入至該入光凹槽。

本創作之一實施例中，其亦揭露每一該些發光二極體其係包含一承載板，該承載板上設置一覆晶式晶片，以及一螢光粉層覆蓋於該覆晶式晶片上。

本創作之一實施例中，其亦揭露該直下式導光結構更進一步設置一基板於該墊高塊下，且該導光板係設置於該基板上，該些入光凹槽係分別覆蓋於該些發光二極體上。

本創作之一實施例中，其亦揭露該些墊高塊係設置於該基板上並分別設置於該些入光凹槽內。

本創作之一實施例中，其亦揭露每一該些發光二極體更包含一擴散層，其係分別設置於該些發光二極體與該反設層之間，該擴散層擴散該些發光二極體所產生之該光線，該光線通過該反射層後，分為該第一光線與該第二光線，該第一光線穿透該反射層並進入該入光凹槽入射至該導光板，該第二光線經該反射層反射後並入射至該擴散層，該擴散層進一步擴散該反射光。

本創作之一實施例中，其亦揭露該擴散層之厚度對應該些發光二極體所產生之光線與該反射光之擴散效果。

本創作之一實施例中，其亦揭露該出光面設置至少一凹錐結構，其係分散並反射該發光二極體所發出之該光線，且該凹錐結構之一錐角面向該入光凹槽。

本創作之一實施例中，其亦揭露該錐角大於100度，該入光凹槽之一入光夾角介於90度與63.43度之間。

本創作之一實施例中，其亦揭露該出光面上更進一步設置一斜面，其係設置於該出光面上，且環設於該凹錐結構之周圍，該斜面與該凹錐結構之間具有一夾角。

本創作之一實施例中，其亦揭露該斜面與該出光面具有一斜夾角，該斜夾角小於171度。

為使　貴審查委員對本創作之特徵及所達成之功效有更進一步之瞭解與認識，謹佐以較佳之實施例及配合詳細之說明，說明如後：

本發明係針對習知技術之導光結構具有特定的出光角度範圍，導光板之靠近發光二極體且落在出光角度範圍內的區域會形成亮區，且在出光角度範圍外的區域會形成暗區，這些亮區與暗區會導致導光板所提供的面光源不均勻，就是所謂的熱點(hot spot)現象其發光之均勻性以及該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)設置於該導光板內之空間與該基板之連接處為一彎角，當光線反射後，會由部分之光線由導光片之該彎角被反射出，以及部分光線經過反光片反射後，會先碰到基板再反射進入導光片，如此又會造成二次反射，上述之問題會造成該光線經由導光板出光後，其發光效率會不均勻，而在導光板上形成光圈效應，造成一部份之範圍具有特別亮的光圈，進而影響出光效率。故，本創作人針對如何解決習知技術上之問題，如何改良研發，並且有效提升直下式導光結構的出光均勻性並減少熱點現象，終於創作出一種直下式導光結構，其利用晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)本身以及導光板本身的結構來改變出光的均勻性，減少熱點現象，並且設置一墊高結構於晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)與其設置之基板之間，使該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)發光時，其光線經由反射片反射後，能夠直接由側邊進入該導光板內，使得本案之直下式發光結構之出光更均勻，並減少光線之損耗。

首先，請參閱第二A圖，其係為本創作之一較佳實施例之立體示意圖，第二B圖，其係為本創作之一較佳實施例之側視示意圖。如圖所示，本創作係一種直下式導光結構1，其包含複數個墊高塊3、複數個發光二極體4以及一導光板5。

其中，該些發光二極體4係分別設置於該些墊高塊3上，其中該些發光二極體4係分別電性連接該些墊高塊3，且該些發光二極體4上方更分別設置一反射層42，每一該些發光二極體4產生一光線44，且該光線44係射入該反射層42，其中該反射層42能夠防止該些發光二極體4正上方直射出該光線44，而產生熱點之現象，以及該導光板5包含一入光面52以及一出光面54，該入光面52與該出光面54係相對設置，該入光面52設置複數個入光凹槽56，且該些入光凹槽56係分別相對並覆蓋於該些發光二極體4，也就是說，每一該些入光凹槽56係分別將每一該些發光二極體4覆蓋於該些入光凹槽56內部，，但該些入光凹槽56內之該導光板5之內壁並不會觸碰至該些發光二極體4以及該些墊高塊3，此外，該直下式導光結構1中，更進一步設置一基板2於該些墊高塊3下，其中該基板2係電性連接該些墊高塊3，且該導光板5係設置於該基板2上，並使該導光板5內之該些入光凹槽56分別覆蓋於該些發光二極體4上，也就是說，該些墊高塊3係設置於該基板2上並分別設置於該些入光凹槽56內，且該基板2係為印刷電路板，其中，當該發光二極體4發出該光線44後，該光線44會先射入該反光層42，並且該光線44被該反射層42分成一第一光線442以及一第二光線444，該第一光線442係通過該反射層42並穿透該些入光凹槽56並進入該導光板5，該第二光線444係被該導光板5反射後，直接由該導光板5之該些入光凹槽56一側進入該導光板5，且經該反射層42將該第二光線444係直接反射至該導光板內，其間不會反射至該基板2後，再經由該基板2反射至於該導光板5內。

接著，請繼續參閱第三A圖，其係為本創作之一較佳實施例之發光二極體之結構示意圖以及第三B圖，其係為本創作之一較佳實施例之發光二極體之剖視圖。如圖所示，該些發光二極體4係為晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)，其中該第三B圖係為第三A圖之A-A’剖視圖，其每一該些發光二極體4其係包含一承載板46，該承載板上設置一覆晶式晶片47，以及一螢光粉層48覆蓋於該覆晶式晶片47上，該覆晶式晶片47係設置於該承載板46，接著再將該螢光粉層48覆蓋於該覆晶式晶片47上，且為了降低該些發光二極體4正面出光過強之現象，其係將該反射層42分別設置於置於該些發光二極體4上，更進一步說明，該反射層42係設置於該螢光粉層48上，當每一該些發光二極體4發光後，其會先進入至該反射層42，再由該反射層42將該光線44分成該第一光線442以及該第二光線444。

請繼續參閱第三C圖，其係為本創作之一較佳實施例之局部放大示意圖，如圖所示，其係針對該些發光二極體4之發光路徑進行說明。當該些發光二極體4發出該光線44後，該光線44會被該反射層42分成該第一光線442以及該第二光線444，該第一光線442直接通過該反射層42，該第二光線444被該反射層42反射，其中，該導光板5與每一該些入光凹槽56之連接處為一彎角R，因為該發光二極體4之下方分別設置該些墊高塊3的原故，使該發光二極體4產生之該光線44不會通過該彎角R，因為該彎角R會使該光線44集中於該導光板5之一處上，其會使得光線分佈不均勻，但如果每一該發光二極體4下方分別設置該些墊高塊3，則該些發光二極體4發出之該光線44就算被該反射層42反射，也不會通過該彎角R，但本實施例因為於該發光二極體4下方設置該墊高塊3，故該光線44不會通過該彎角R，其能夠使該導光板5上之該光線44分佈均勻，且減少光線的損耗。

接著，請繼續參閱第四A圖，其係為本創作之發光二極體之結構示意圖以及第四B圖，其係為本創作之發光二極體之側視圖。如圖所示，該些發光二極體4係為晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)，其中該第四B圖係為第四A圖之B-B’剖視圖，其每一該些發光二極體4其係包含一承載板46，該承載板上設置一覆晶式晶片47，以及一螢光粉層48覆蓋於該覆晶式晶片47上，該覆晶式晶片47係設置於該承載板46，接著再將該螢光粉層48覆蓋於該覆晶式晶片47上，且為了增加該些發光二極體之光線擴散之角度以及降低該些發光二極體4正面出光過強之現象，其係於每一該些發光二極體4上更進一步設置一擴散層43，且該擴散層43係設置於每一該些發光二極體4與該反射層42之間，該擴散層43係用來擴散該些發光二極體4所產生之該光線44，當該些發光二極體4發出該光線44，該光線44通過該擴散層43時，同時擴散於該擴散層43中，也就是說，該擴散層43使該發光二極體4之發光角度擴大並產生較均勻分散之光線，該擴散層43係用來增加該發光二極體4之出光效率其中，該擴散層43之厚度係對應該些發光二極體所產生之該光線44之擴散效果，接著當該光線44通過該擴散層43後，該光線44會進入該反射層42，其中該光線44已經先被該擴散層43擴散，當該光線44經由該反射層42所反射之該第二光線444亦是被該擴散層43擴散之該第二光線444。

請繼續參閱第四C圖，其係為本創作之另一較佳實施例之局部放大示意圖，如圖所示，其係針對該些發光二極體4之發光路徑進行說明。當該些發光二極體4發出該光線44後，該光線44會先經由該擴散層43進行光線的擴散，接著該光線44會被該反射層42分成該第一光線442以及該第二光線444，該第一光線442直接通過該反射層42，該第二光線444被該反射層42反射，其中，該導光板5與每一該些入光凹槽56之連接處為一彎角R，因為該發光二極體4之下方分別設置該些墊高塊3的原故，使該發光二極體4產生之該光線44不會通過該彎角R，因為該彎角R會使該光線44集中於該導光板5之一處上，其會使得光線分佈不均勻，但如果每一該發光二極體4下方分別設置該些墊高塊3，則該些發光二極體4發出之該光線44就算被該反射層42反射，也不會通過該彎角R，但本實施例因為於該發光二極體4下方設置該墊高塊3，故該光線44不會通過該彎角R，其能夠使該導光板5上之該光線44分佈均勻，且減少光線的損耗。

經由上述該直下式導光結構1，當該些發光二極體4產生該光線44後，會通過該擴散層43，由該擴散層43將該光線44均勻擴散，接著該光線44會進入該反射層42內，該反射層42將該光線44分成該第一光線442以及該第二光線444，該第一光線442將直接進入該導光板5內，而該第二光線444係經由該反射層42反射後，由該些入光凹槽56之側邊直接進入該導光板5內，且該第二光線444被該反射層42反射後，其不會再與該基板2反射，然後再由該些入光凹槽56之側邊進入該導光板5內，其係直接由該入光凹槽56進入該導光板5內，最後該第一光線442與該第二光線444再由該導光板5散出，經由上述之做動關係，其能夠使該發光二極體4產生之該光線4可以均勻地進入該導光板5內，使該直下式導光結構1的發光效率以及光的均勻度大幅提升。

請繼續參閱第五A圖，其係為本創作之另一較佳實施例之結構示意圖，第五B圖，其係為本創作之另一較佳實施例之結構側視圖。如圖所示，該導光板5之該出光面54上更進一步設置至少一凹錐結構6，且該導光板5之該入光面52與該出光面54係相對設置，所以該凹錐結構6與該入光凹槽56也是相對設置，更進一步說，該凹錐結構6也是相對於該發光二極體4設置於該出光面54上。

請繼續參閱第六A圖，其係為本創作之另一較佳實施例之側視圖，第六B圖，其係為本創作之另一較佳實施例之做動示意圖。如圖所示，當該些發光二極體發出該光線44後，該光線44進入該入光凹槽56時發生反射及折射，其可將該光線44分成該第一光線442的折射以及該第二光線444的反射，進而避免熱點現象的產生。且該凹錐結構6更進一步設置一斜面62，該斜面62係環設於該凹錐結構6之周圍，使該導光板5之該出光面54上具有兩種斜度，經由該第六B圖可知，當該些發光二極體4發出該光線44後，該第一光線442會由該些發光二極體4之上方射出，並進入該導光板5，接著該第一光線442會被該凹錐結構6以及該斜面62分散並反射該第一光線442之出光，且該凹錐結構6之一錐角θ ₁係面向該入光凹槽56，也就是說該錐角θ ₁係開口朝外，其中該錐角θ ₁之角度為大於100度，以及該入光凹槽56與該入光面52形成一入光夾角θ ₂，該入光夾角θ ₂之角度係介於63.43度到90度之間，該斜面62與該出光面54之間形成一夾角θ ₄，該夾角θ ₄之角度為小於171度，以及該斜面62與該凹錐結構6之間之夾角θ ₃。

經由上述之第五A圖至第六B圖之該直下式導光結構1說明後，當該些發光二極體4發出該光線44後，該光線44會先進入該擴散層43，經由該擴散層43將該光線44進行擴散，使其變成均勻之該光線44，接著該光線44進入該反射層42後，該光線44會被該反射層42分成該第一光線442以及該第二光線444，該第一光線係直接進入該導光板5內，且該導光板5上設置該凹錐結構6以及該斜面62，當該第一光線442進入該凹錐結構6以及該斜面62後，會被其折射及反射，使得該第一光線442能夠更均勻地由該導光板5射出，以及該第二光線444係直接被該反射層42反射，且該第二光線444經該反射層42反射後，係直接由該入光凹槽56凹槽之側邊進入該導光板5內，此外，該入光凹槽56與該基板2之連接部分具有轉折角，因為該些發光二極體4下設置該些墊高塊3，使得該第二光線444不會投射至該入光凹槽56與該基板2之連接部分之轉折角以及該第二光線不會投射至該基板2上在反射至該導光板5內，該第二光線444會直接由該入光凹槽56之側邊直接進入該導光板5，使該導光板5之發光性更加地均勻。

綜上所述，該直下式導光結構1，藉由上述該些墊高塊3分別設置於該些發光二極體4下方後，再搭配晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)之發光性，使得該光線44能夠於該導光板5反射及折射，且避免光線由該入光凹槽56與該基板2之連接部分之轉折角進入該導光板5內，而產生亮度不均勻之現象，故可使該導光板5成為均勻發光的平面發光體，且該晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)更進一步透過該擴散層以及該反射層來改善發光效果，其能夠避免光線於該導光板5上形成亮區與暗區，減少熱點現象，從而使得光強度分佈可更為均勻，並可充份利用該發光二極體所發出之光能量，減少光能量的損失，提高整體的亮度。

惟以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，並非用來限定本發明實施之範圍，舉凡依本創作申請專利範圍所述之形狀、構造、特徵及精神所為之均等變化與修飾，均應包括於本創作之申請專利範圍內。

1‧‧‧直下式導光結構

2‧‧‧基板

3‧‧‧墊高塊

4‧‧‧發光二極體

42‧‧‧反射層

43‧‧‧擴散層

44‧‧‧光線

442‧‧‧第一光線

444‧‧‧第二光線

46‧‧‧承載板

47‧‧‧覆晶式晶片

48‧‧‧螢光粉層

5‧‧‧導光板

52‧‧‧入光面

54‧‧‧出光面

56‧‧‧入光凹槽

6‧‧‧凹錐結構

62‧‧‧斜面

θ₁‧‧‧錐角

θ₂‧‧‧入光夾角

θ₃‧‧‧夾角

θ₄‧‧‧夾角

R‧‧‧彎角

第一A圖：其係為本創作之先前技術之結構示意圖； 第一B圖：其係為本創作之先前技術例之結構示意圖； 第一C圖：其係為本創作之先前技術例之結構示意圖； 第二A圖：其係為本創作之一較佳實施例之結構示意圖； 第二B圖：其係為本創作之一較佳實施例之側視圖； 第三A圖：其係為本創作之一較佳實施例之發光二極體之結構示意圖； 第三B圖：其係為本創作之一較佳實施例之發光二極體之結構側視圖； 第三C圖：其係為本創作之一較佳實施例之發光二極體之結構剖視圖； 第四A圖：其係為本創作之一較佳實施例之另一發光二極體之局部放大示意圖； 第四B圖：其係為本創作之一較佳實施例之另一發光二極體之剖視圖； 第四C圖：其係為本創作之另一較佳實施例之另一發光二極體之局部放大示意圖； 第五A圖：其係為本創作之另一較佳實施例之結構示意圖； 第五B圖：其係為本創作之另一較佳實施例之側視圖； 第六A圖：其係為本創作之另一較佳實施例之側視圖；以及 第六B圖：其係為本創作之另一較佳實施例之做動示意圖。

Claims (10)

1. 一種直下式導光結構，其包含: 複數個墊高塊； 複數個發光二極體，該些發光二極體係為晶片尺寸封裝二極體(CSP LED)，其係分別設置並電性連接於該些墊高塊上，且每一該些發光二極體上更設置一反射層，每一該些發光二極體產生一光線，且該光線係射入該反射層；以及 一導光板，其包含一入光面以及一出光面，該入光面與該出光面係相對設置，該入光面設置複數個入光凹槽，且該些入光凹槽分別相對並覆蓋於該些發光二極體上； 其中，該光線射入該反射層後，分為一第一光線以及一第二光線，該第一光線係通過該反射層並穿透該些入光凹槽並射至該導光板，該第二光線被該反射層反射後，直接由該些入光凹槽進入至該導光板。
2. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，其中每一該些發光二極體其係包含一承載板，該承載板上設置一覆晶式晶片，以及一螢光粉層覆蓋於該覆晶式晶片上。
3. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，更進一步設置一基板於該些墊高塊下，且該導光板係設置於該基板上，該些入光凹槽係分別覆蓋於該些發光二極體上，其中該基板係電性連接該墊高塊。
4. 如申請專利範圍第3項所述之直下式導光結構，其中該些墊高塊係設置於該基板上並分別設置於該些入光凹槽內。
5. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，其中每一該些發光二極體更包含一擴散層，其係設置於該發光二極體與該反設層之間，該擴散層擴散該些發光二極體所產生之該光線，該光線通過該反射層後，分為該第一光線與該第二光線，該第一光線穿透該反射層並進入該入光凹槽入射至該導光板，該第二光線經該反射層反射後並入射至該擴散層，該擴散層進一步擴散該反射光。
6. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，其中該擴散層之厚度對應該些發光二極體所產生之光線與該反射光之擴散效果。
7. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，其中該出光面設置至少一凹錐結構，其係分散並反射該發光二極體所發出之該光線，且該凹錐結構之一錐角面向該入光凹槽。
8. 如申請專利範圍第6項所述之直下式導光結構，其中該錐角大於100度，該入光凹槽之一入光夾角介於90度與63.43度之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，更進一步設置一斜面，其係設置於該出光面上，且環設於該凹錐結構之周圍，該斜面與該凹錐結構之間具有一夾角。
10. 如申請專利範圍第1項所述之直下式導光結構，其中該斜面與該出光面具有一斜夾角，該斜夾角小於171度。