JP2004526299A - 集積されたcmos容量型圧力センサ - Google Patents
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Abstract
Description
(発明の背景)
本発明は概して、半導体装置および半導体プロセスに関するものであり、より詳細には、CMOS回路に集積されたモノリシックな圧力センサに関する。
【0002】
半導体産業は過去に、CMOS回路素子に適合性を有しかつCMOS回路内に集積可能な、容量型圧力センサを形成してきた。このような圧力センサの例は、ジマー(Gunther Zimmer)らに発行された米国特許第5,321,989号および米国特許第5,431,057号、ならびにデュダイセブス(Dudaicevs)らによる論文「A Fully Integrated Surface Micromachined Pressure Sensor with Low Temperature Dependence」8th Int.Conf、Solid State Sensors and Actuators and Eurosensors IX, June 25−29, 616〜619ページにも開示されており、これらの全ては参照により本願に援用される。
【0003】
一般に、圧力センサは、センサダイアフラムの下部に、ドーブされた部分として基板内に形成された固定電極を備える。一般に、電極領域は注入によりドープされ、このドープは、同じ基板内に形成されたCMOSトランジスタのソースおよびドレインの注入と同時に行われる。その後、拡散された電極領域の上に載っているダイアフラムの(ポリ)シリコンが形成される。続いて、ポリシリコンをドープするために、ポリシリコンの注入およびアニールが行われる。このアニール操作によって、CMOS装置のソースおよびドレインの注入が影響を受け、結果としてCMOSトランジスタの特性が変化する。その結果CMOSトランジスタの特性は、本来所望された特性と異なるものとなる。
【0004】
従って、CMOSトランジスタの特性に好ましくない影響を与えないCMOSトランジスタに集積された圧力センサの形成方法が所望されている。
【0005】
(図面の詳細な説明)
以下の図面の説明の全てにおいて、全図面を通して、同一の要素を表すために同一の参照番号が使用される。
【0006】
図1は、モノリシックな半導体基板11上に構築された圧力センサおよびCMOS回路を有する集積圧力センサ10の拡大断面部分を概略的に示すものである。基板11は第一の導電型のもの(後のP型に対応する)から形成され、概して符号16で示されるセンサ部分またはセンサ領域、および概して符号17で示されるCMOS部分またはCMOS領域を備える。好ましい実施態様では、基板11はP型である。基板11は、基板11の表面上に、第一ウエル領域12またはセンサウエル12、および第二ウエル領域13を有し、第一ウエル領域12および第二ウエル領域13の双方は第二の導電型である。ウエル領域12,13は、半導体分野の当業者に周知の技術により形成される。好ましい実施態様では、ウエル領域12,13は、基板11の表面を酸化させて、窒化ケイ素マスクを利用して基板11の表面の一部分を露出させ、続いて基板11の露出された部分内にN型のドーパントを注入し、続いて酸化させてウエル領域12,13の上に載っている酸化層を形成することにより形成される。その後、この好ましい本実施態様では、窒化物マスクを除去して、第一の導電型のドーパントを基体11の表面内に、第三ウエル領域14が形成される領域内に注入する。続いて、ウエル領域12,13,14のドーパントを基板11内に打込み、ウエル領域12,13,14を形成する。この好ましい実施態様では、第三ウエル領域14は、基板11のP型のドーピングの5〜100倍のP型のドーピングを有する。好ましい実施態様ではさらに、多くの場合においてウエル領域13をN型ウエル13と称し、ウエル領域14をP型ウエル14と称する。以下の説明から理解されるように、ウエル領域12はRF/EMI干渉によるセンサ10のキャパシタンスの変動を最小限にするRF/EMI遮蔽物として機能するであろう。
【0007】
図2は、センサ10の製造のその後の工程を概略的に示すものである。センサ絶縁部18は、基板11の表面内に、ウエル領域12の上に載っておりかつウエル領域13内へ延びるように形成される。絶縁部18は、後に、基板11内に形成された他のCMOS回路から圧力センサを隔離するように作用するであろう。絶縁部18は、フィールド酸化膜領域、基板11上に堆積された酸化膜または窒化膜、酸化されたポリ層、または当業者に周知の他の絶縁体などの様々な絶縁領域であり得る。絶縁部18は、センサ10のセンサ領域16内に形成される。好ましい実施態様では、絶縁部18は第一フィールド酸化膜である。基板11の表面内のウエル領域13とウエル領域14との間にウエル絶縁フィールド酸化膜19が形成され、基板11の表面上のウエル領域14内にウエル絶縁フィールド酸化膜21が形成される。フィールド酸化膜19、およびフィールド酸化膜19に関連するフィールドドーパント20は、センサ10内に形成されたCMOS装置内で使用されるCMOSトランジスタを絶縁するために利用され、フィールド酸化膜21、およびフィールド酸化膜21に関連するフィールドドーパント20は、ウエル領域14内に形成された素子を絶縁するために利用される。フィールド酸化膜19, 21およびフィールドドーパント20は、半導体分野の当業者に周知の技術によって形成される。一般に、絶縁部18の厚さは0.3〜1.0μmであり、約0.75μmであることが好ましい。
【0008】
好ましい実施態様では、絶縁部18または第一フィールド酸化膜18、第二フィールド酸化膜19またはウエル絶縁フィールド酸化膜19、および第三フィールド酸化膜21またはセル絶縁フィールド酸化膜21は、同時に形成される。その後にウエル領域14内に形成されるP型トランジスタもまた、同様にウエル14内に形成されるEEPROMセルから絶縁される。続いて、薄いブランケットトンネル酸化膜22が、被覆絶縁体18、フィールド酸化膜19,21、およびウエル領域13,14の表面の上に載るように適用される。この好ましい実施態様では、層22はその後、ウエル領域14内でEEPROMを形成するために利用されるであろう。このようなトンネル酸化膜は、層22の厚さを正確に制御する酸化窒素(N2O)雰囲気内での酸化を含む、半導体分野の当業者に周知の技術によって形成される。絶縁部18の厚さのため、および層22の形成では一般に拡散が制限されていることから、層22は概して非常に薄い。層22の厚さは、3〜15nmの範囲にあり、約0.5〜1.0nmであることが好ましい。その後、フローティングゲートのブランケットポリシリコン層23が、層22の上に載るように被着される。
【0009】
代替的な実施態様では、絶縁部18は、センサ10のダイアフラムを形成するのに十分な表面積、即ち一般にほぼ好ましい実施態様における絶縁部の面積を有するように、基体11内にトレンチを形成することによって形成してもよい。その後、トレンチ表面上および基板表面上に延びる絶縁層に対して熱酸化を行なう。多くの場合、このような酸化の後に化学的機械研磨または他の技術を使用して、基板11の表面を平坦化させる。
【0010】
センサ10の固定電極を形成するのに、トンネル酸化膜、フローティングゲート、ゲート酸化膜、または(後に説明する)ゲートポリ形成工程を使用してことによって、CMOSプロセスフローの一体化が促進され、製造コストが減少するとともに、装置の特性が向上する。
【0011】
図3は、その後のプロセス後のセンサ10を示す。(図2に示す)層23, 22をパターン化およびエッチングして、絶縁部18の表面上にある電極トンネル酸化膜領域または第一トンネル酸化膜領域24上に、センサ10の第一ドープポリシリコン領域28または固定電極28が形成される。コンタクトのポリシリコン領域29またはセンサコンタクト29、およびコンタクトのトンネル酸化膜領域26は、絶縁部18の表面上に電極28と同時に形成される。図3に図示されないが、電極28とセンサコンタクト29は、絶縁部18の表面上にて電気的に連続している。図2の説明で記述したように、絶縁部18の上の層22は薄すぎるため検知されないか、または不存在(non −existent)でなくともよい。フローティングゲート領域または第二ドープポリシリコン領域31は、フロ−ティングゲートのトンネル酸化膜27または第二トンネル酸化膜領域27上に、電極28およびセンサコンタクト29と同時に形成される。パターン化およびエッチングによって、基板11の表面上にフィールド酸化膜21に隣接して、第二トンネル酸化膜領域27が形成される。利用されるパターン化およびエッチング工程は、半導体分野の当業者に周知である。例えば、電極28およびコンタクト29の導電性材料は、別個のドープポリ層を形成およびパターン化するなど、別個の工程で形成され得ることにも留意するべきである。
【0012】
好ましい実施態様では、その後マスクを適用して、第二ドープポリ領域31に隣接するウエル14内へのドーバントの注入を容易にし、ドープ領域52を形成する。領域52は、センサ10の一部として形成されるEEPROMセルの一部分として利用されるであろう。一般にゲート酸化膜は、当業者に周知の方法により、センサ10を被覆するように形成され、センサ領域16から除去される。別のマククを適用して、ドープ領域53のドーパントの注入を容易にし、ウエル14内のフィールド酸化膜19,21の間にトランジスタのスレッショルドが形成されるよう調整する。
【0013】
図4は、その後の工程において、CMOS領域17を被覆し、かつセンサ領域16内へ延びてセンサコンタクト29まで達する保護層35を形成した後の、センサ10を示す。保護層35は、第二ポリシリコン層32、および層32を被覆するエッチストップ層33を備える。層32, 33は、ポリシリコンをブランケット堆積(bl anket deposition)させた後エッチストップ材料をブランケット堆積させて、その双方をパターン化およびエッチングすることによって、センサ領域16部分の上の層33,32の一部分を除去することによって形成される。この除去操作によって、保護層35は、ウエル領域14および領域31の上にあり、かつウエル領域14を横切ってフィールド酸化膜21を越えて延び、フィールド酸化膜19を越えてウエル領域13を横切って、センサコンタクト29の縁に隣接する絶縁材18上まで達する、層32,33を含む保護層35が残留する。層32はこの後、CMOSトランジスタのゲートの形成に利用されるであろう。層32の材料をドープして、電極28およびコンタクト29の領域内でコンダクタが提供される場合は、層32も電極28およびコンタクト29の形成に利用され得ることに留意すべきである。好ましい実施態様では、エッチストップ層33はテトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)である。
【0014】
図5は、センサ10上で行われたその後のプロセスの結果を示す。センサ窒化膜34は、絶縁材18の上に形成され、かつ電極28の縁の上へ重なり、CMOS領域17へ延びてウエル領域13、14の上に載り、かつフィールド酸化膜19,21の上に載っている。好ましい実施態様では、窒化膜34は、ブランケット堆積と、その後の電極28を露出させるパターン化およびエッチングにより形成される、低応力の高シリコン含有窒化ケイ素層34である。代わりに層34は、化学量論的な窒化ケイ素層であってもよい。
【0015】
図6は、センサ領域または第一犠牲層部分36およびCMOS領域または第二犠牲層部分37を有する、犠牲層形成後のセンサ10を示す。第一犠牲層部分36は電極28上に形成されかつ層34の上へ延びており、第二犠牲層部分37はセンサコンタクト29、ウエル領域13,14、フィールド酸化膜19,21の上に載る層34の一部分の上に形成されている。犠牲層部分36,37は、半導体分野の当業者に周知の方法、例えばPSGのブランケット堆積およびその後のパターン化ならびにエッチング等により形成される。好ましい実施態様では、犠牲層部分36,37はPSG膜であり、続いてアニーリングがマスキングおよびエッチングの前に行われる。第一犠牲層部分36の厚さは、完成した圧力センサのキャパシタのギャップを決定するのに使用される。第二犠牲層部分37は、その後センサダイアフラムを形成する間に、CMOS領域17の保護を容易にするために利用される。犠牲層部分36,37を形成するために複数の犠牲層を使用してもよい。好ましい実施態様では、犠牲層部分36,37は0.2〜1.0μmの厚さを有する。
【0016】
図7を参照して、固定電極28の上に載っている圧力センサダイアフラム38を形成した後の、センサ10のその後の製造段階を示す。好ましい実施態様では、ダイアフラム38は、まずセンサ10の表面上にポリシリコンのブランケット堆積物を被着させ、続いてドーパントを注入してドープされたポリシリコン層を形成する。その後、マスクを適用してセンサ10上に残留するべきダイアフラム38を保護し、一方でポリシリコン層の他の部分、即ち第二犠牲層部分37の上および層34の一部分の上のポリシリコン層を除去する。マスクはダイアフラム38の上に重なる開口を有し、従って、露出されたポリシリコン層を除去する間に、ダイアフラム38を貫通するエッチ剥離開口(etch release opening) 54が形成されて、下層の第一犠牲層部分36の表面が露出される。一般に、露出されたポリシリコンを除去するのに利用されるエッチングは、(図6に示す)犠牲層部分36,37に影響を与えない。
【0017】
その後剥離エッチングを行って、ダイアフラム38の下層の第一犠牲層部分36を除去し、かつセンサ10の他の表面から第二犠牲層部分37をも除去する。剥離エッチングに使用される物質は、エッチング操作中にエッチストップとして機能する下層の層34に影響を与えないので、CMOS領域17の表面を含むセンサ10の他の表面は保護される。ダイフラム38を形成する方法、および(図6に示す)犠牲層部分36,37を除去する方法は、半導体分野の当業者に周知である。本実施態様では、ダイアフラム38の下部に低応力の窒化物を使用することによって、ダイアフラム38に加えられる応力が低減されるので、100μmより大きい剥離エッチングにて、表面積が広いかまたは切下げ距離が長いダイアフラムの形成が容易になる。厚さ0.2〜1.0μmの層34を使用することによって、このような切下げ距離が容易になる。好ましい実施態様では、ダイアフラム38は、圧縮応力によって1〜3μmの厚さで形成され、また複数の層から形成されてもよい。
【0018】
図8は、センサ10のその後の製造段階を示し、ここでダイアフラム38をシールするためにシーリング層39を設ける。シーリング層39の材料は、センサダイアフラムのシールに通常使用される任意の材料でよい。一般に、層39は、TEOSのブランケット堆積物を被着させて、堆積したTEOSに側方からの侵食が発生しないようにコンフォーマルでない堆積により、またはラインオブサイト(line of sight)堆積法により形成される。ブランケット堆積後、破線41で示すように、マスクを適用して層39を保護する一方、シーリング材をCMOS領域17およびセンサコンタクト29から除去することによって、シーリング材の所望されない部分を除去する。例えば、シーリング材の所望されない部分の除去に、バッファード・オキサイド・エッチ液(a buffered oxide etch )を使用してもよい。好ましい実施態様では、層39は約1〜4μmの厚さを有する。PSG、プラズマ強化窒化物、およびオキシナイトライドなど他の材料を層39に使用してもよい。
【0019】
マスクが除去されて、層34の一部分がCMOS領域17およびセンサコンタクト29から除去される。この操作によって、ダイフラム38およびシーリング層39が層34に接触した状態で残留する。層34を除去した後、ブランケットエッチングを利用してエッチストップ層33を除去する。好ましい実施態様では、バッファード・オキサイド・エッチ液を利用して、エッチストップ層33に使用されたTEOSを除去する。
【0020】
図9は、その後いくつかのプロセスが行われた後のセンサ10を示す。好ましい実施態様では、ウエル領域14内に、破線枠46で特定されるメモリセルまたはEEPROMを形成し、N型およびP型のCMOSトランジスタを各々対応するウエル領域13,14内に形成する。図8の説明で記述した保護層35の除去後、露出された保護ポリ層32をパターン化およびエッチングして、EEPROMセルのトランジスタゲート56およびアクティブゲート57を形成する。ゲート56は、ウエル領域13,14内に形成される(破線枠でほぼ示す)トランジスタ43,44のCMOSトランジスタゲートになるであろう。トランジスタゲート56およびアクティブゲート57の形成は、当業者に周知である。
【0021】
その後センサ10をマスクして、ウエル領域13,14内のトランジスタゲート56に隣接してソース・ドレイン注入領域58を形成する。当業者に周知であるように、注入領域58は、注入を組み合わせて傾斜したソース・ドレイン領域を形成し得る。好ましい実施態様では、その後のゲート56のシリコン化の間にゲート56を保護するために、トランジスタゲート56に隣接して窒化物スペーサを形成する。このようなスペーサ、およびシリコン化操作ならびに方法は、半導体分野の当業者に周知である。続いて活性化アニーリングを行い、注入領域58内のドーパントを活性化する。好ましい実施態様において、活性化アニーリングは、900〜1, 100℃にて20〜40秒間行われる急速加熱処理(rapid thermal process)である。この活性化はダイアフラム38内のドーパントも活性化させて、ダイアフラム38内に形成された応力を解放する。ソース・ドレイン注入部と、ダイアフラムのドープされたポリシリコンとを同時に活性化アニールすることにより、ダイアフラムポリシリコンの活性化アニールによるCMOSトランジスタの特性に対する影響が回避される。このようにして、破線枠で示す圧力変換器42がセンサ10上に形成される。
【0022】
図10は、金属相互接続の複数層、およびセンサ10を保護するパッシベーション膜49を形成した後のセンサ10を示す。第一層間絶縁膜47および関連する金属相互接続、ならびに第二層間絶縁膜48および素子電極51を、半導体分野の当業者に周知の方法で形成する。センサ10の上に重なるパッシベーション膜49の形成方法は、半導体分野の当業者に周知である。続いて、パッシベーション膜49の一部分を除去して、素子電極51およびダイアフラム38を露出させる。一般にパッシベーション膜49はオキシ窒化物の層であるが、二酸化ケイ素を含む周知のパッシベーション材料を使用してもよい。
【0023】
一実施態様では、パッシベーション膜49にマスクを適用してパターン化することにより、センサ開口61およびコンタクト開口62が形成されるべき場所に対応する開口を形成する。ウェット・バッファード・オキサイド・エッチング(BOE)を利用して、パッシベーション膜49の露出部分を除去する。素子電極51の金属を露出させる前にエッチングを中止して、BOEによるコンタクト51の金属の腐食を回避する。その後、ドライエッチングを利用してコンタクト51を露出させ、かつダイアフラム38の上に載っている誘電体およびシーリング層39を除去する。このドライエッチングは、ダイアフラム38のエッチングまたは損傷を回避するために、ダイアフラム38が露出すると同時に中止する必要がある。
【0024】
当業者に周知であるように、変換器42の遠端部のセンサ10の一部分の上に、変換器42と同様の別の圧力変換器を形成して、差動キャパシタセンサ(differential capacitor sensor)を形成する。
【0025】
代替的な実施態様において、層間絶縁膜47を貫通する金属コンタクトのための開口が形成されると同時に除去された、層間絶縁膜47内およびその下層のシーリング層39の一部内の開口61を形成してもよい。この実施態様では、誘電体47の上の、ダイアフラム38の上に載って形成された金属の全てを除去して、金属によってセンサ10の容量が影響を受けないようにすることが重要である。その後、コンタクト51の金属のための開口を形成すると同時に、誘電体48内に開口61が形成されるであろう。ダイアフラム38の上に載っている誘電体48の表面上の金属も全て除去する必要がある。その後、開口62を形成すると同時に、パッシベーション膜49内に開口61が形成されるであろう。
【0026】
別の代替的な実施態様では、マスクを適用して開口61,62が形成されるべきパッシベーション膜49の領域を露出させる。ドライエッチングを利用することにより、層49を貫通させてさらに誘電体48,47を通過して下部へと貫通させ、シーリング層39を露出して開口61,62を形成する。シーリング層39の材料を除去するウエットエッチングの間に、別のマスクを適用して開口62を保護しかつ開口61を露出させて、ダイアフラム38を露出させる。
【0027】
図11は、センサ10の代替的な実施態様を示し、ここでセンサ10は、ダイアフラムおよびシーリング層をトランジスタ43,44により提供される表面に対してより平坦化した高さまで凹ませることによって、より平坦な表面が提供されている。この実施態様では、フィールド酸化膜18を形成する前に、ウエル領域12内にへこみまたは凹部(moat)を形成する。ウエル領域12内の孔は、後のプロセス工程を容易に行なえるようにするために、例えばV形側面または傾斜側面を形成する異方性エッチングなど、周知の様々な技術により形成され得る。
【0028】
別の代替的な実施態様では、マスクを適用して、開口62が形成されるパッシベーション膜49の領域を露出させる。ドライエッチングを使用して開口61を形成する。その後、別のマスクを適用して、開口61が形成されるパッシベーション領域を露出させる。その後、ウエットエッチングを利用して、層49、層48、層47、および層39内の材料を除去し、ダイアフラム38を露出させる。
【0029】
新規な集積された圧力センサおよび集積された圧力センサの製造方法が目下提供されたことを理解するべきである。フィールド酸化膜などの絶縁層の上にダイアフラムおよび固定電極を形成することによって、センサ10のCMOSおよび他の活性化要素からダイアフラムおよび固定電極を絶縁する。EEPROMセルのフローティングゲート電極と同時に、薄い酸化膜の上に固定電極を形成することによって、固定電極の形成に必要な処理工程が最小となる。CMOSトランジスタのソース・ドレイン領域の注入前に、ドープされたポリシリコンのダイアフラムを形成して、ソースおよびドレインの注入と同時にポリシリコンダイアフラムをアニールすることによって、CMOSトランジスタの特性はポリシリコンダイアフラムのアニールリングによって悪影響を受けないことが保証される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による集積された圧力センサの実施態様の初期製造段階における、拡大断面部分の概略図。
【図2】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図3】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図4】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図5】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図6】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図7】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図8】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図9】本発明による図1の圧力センサの、その後の製造段階における概略図。
【図10】本発明による、図1〜図9の集積された圧力センサのパッシベーション膜および圧力センサ開口の形成後の、拡大断面部分の概略図。
【図11】本発明による、集積された圧力センサの別の実施態様の拡大断面部分の概略図。
Claims (14)
- 集積されたCMOS圧力センサを形成する方法であって、
センサ領域およびCMOS領域を有する第一の導電型の半導体基板を形成する工程と、
センサの固定電極の上に載っているセンサダイアフラムを形成する工程と、
続いて、センサダイアフラムをアニールする前に、半導体基板のCMOS領域内にて半導体基板の表面内にCMOSトランジスタのソース・ドレイン領域を形成する工程と、
センサダイフラムおよびソース・ドレイン領域をアニールする工程と、
からなる方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記センサダイアフラムを形成する工程は、半導体基板の表面上のセンサ領域内に形成されたセンサ絶縁部の上に載っているセンサダイアフラムを形成する工程を含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記センサダイアフラムを形成する工程は、固定電極およびセンサ絶縁部の上に載っているドープされたポリシリコンからセンサダイアフラムを形成する工程を含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記センサダイアフラムを形成する工程は、センサ絶縁部の上に固定電極を形成する工程を含む方法。
- 請求項2に記載の方法であって、前記センサダイアフラムを形成する工程は、センサ絶縁部上に第一部分を有し、かつ半導体基板の表面上のCMOS領域内に第二部分を有するトンネル酸化膜を形成する工程と、
ドープされたポリシリコンから前記ダイアフラムを形成する前に、前記トンネル酸化膜の第一部分の上に固定電極を形成し、前記トンネル酸化膜の第二部分の上にフローティングゲート電極を形成する工程を含む方法。 - 半導体圧力センサを形成する方法であって、
センサ領域およびCMOS領域を有する第一の導電型の半導体基板を形成する工程と、
センサ領域内にセンサ絶縁部を形成し、かつ半導体基板の表面上のCMOS領域内にフィールド酸化膜領域を形成する工程と、前記センサ絶縁部は前記フィールド酸化領域から離間されていることと、
第一ドープポリシリコン領域をセンサ絶縁部の上に載っている電極領域として形成するとともに、第二ドープポリシリコン領域をフローティングゲート領域としてCMOS領域内に形成する工程と、
前記第一ドープポリシリコン領域の上に載っている、ドープされたポリシリコンのセンサダイアフラムを形成し、前記センサダイアフラムの上に載っているシーリング層を形成する工程と、前記第二ドープポリシリコン領域は、前記センサダイアフラムおよびシーリング層を形成する間、保護されていることと、
続いて、半導体基板のCMOS領域表面内のソース・ドレイン領域を注入およびアニールする工程と、
からなる方法。 - 請求項6に記載の方法であって、前記第一フィールド酸化膜領域の一部分の上に第一トンネル酸化膜を形成し、前記第二フィールド酸化膜領域に隣接する半導体基板の表面上に第二トンネル酸化膜を形成する工程をさらに含む方法。
- 請求項6に記載の方法であって、前記半導体基板を形成する工程は、第二の導電型の第一ウエル領域と、第二の導電型の第二ウエル領域と、第一の導電型の第三ウエル領域を有する半導体基板を形成する工程を含み、該第一ウエル領域、第二ウエル領域、および第三ウエル領域は、前記半導体基板の表面上に形成される方法。
- 請求項8に記載の方法であって、前記第一フィールド酸化膜領域を形成する工程は、第一ウエル領域および第二ウエル領域の一部分の上に載っている第一フィールド酸化膜領域を形成する工程を含み、前記第二ウエル領域を形成する工程は、第二ウエル領域および第三ウエル領域に隣接する第二フィールド酸化膜領域を形成する工程を含む方法。
- 請求項9に記載の方法であってさらに、第三ウエル領域内にトンネル酸化膜のフローティングゲート部分に隣接してドーブされた領域を形成する工程と、
第一フィールド酸化膜領域の一部分の上にセンサ領域を有し、かつ第二ウエル領域の上と、第二フィールド酸化膜層の上と、第三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層のフローティングゲート部分の上とにCMOS領域を有する保護層を形成する工程と、
第一フィールド酸化膜領域の一部分の上にセンサ領域を有し、ドープされたポリシリコンの電極部分の上に重なり、かつ第二ウエル領域の上と、第二フィールド酸化膜の上と、第三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層の第二フローティングゲート部分の上とにCMOS領域を有する、低応力の窒化膜を形成する工程と、
ドープされたポリシリコン層の電極部分の上に第一部分を有し、かつ第二ウエル領域の上と、第二フィールド酸化膜層の上と、第三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層の第二フローティングゲート部分の上とに第二部分を有する犠牲層を形成する工程とを含む方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記圧力センサダイフラムを形成する工程は、ポリシリコン層を前記低応力の窒化膜の上および前記犠牲層の第一部分を被覆して形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記ダイアフラムポリシリコン層の上にシーリング層を設ける工程と、
CMOS領域の前記低応力の窒化膜を除去する工程と、
からなる方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記ソース・ドレイン領域の注入およびアニールは、前記第三ウエル領域内のソース・ドレイン領域を注入して、第三ウエル領域内におよび前記トンネル酸化膜の第二部分の上に載っているメモリセルのフローティングゲートを形成し、前記第二ウエル領域内のソース・ドレイン領域を注入して、第二ウエル領域内にCMOSトランジスタを形成する工程を含む方法。
- 半導体圧力センサを形成する方法であって、
第一の導電型の半導体材料の基板を形成する工程と、該基板は、第二の導電型の第一ウエル領域と、第二の導電型の第二ウエル領域と、第一導電性材料の第三ウエル領域とを有し、前記第一ウエル領域、第二ウエル領域、および第三ウエル領域は、基板の表面上に形成されることと、
前記第一ウエル領域および第二ウエル領域の一部分の上に載っている第一フィールド酸化膜領域を形成し、第二ウエル領域および第三ウエル領域に隣接して第二フィールド酸化領域を形成する工程と、
電極部分を有し第一フィールド酸化膜領域の上に載っており、かつフローティングゲート部分を有し第三ウエル領域の上に載っているドープされたポリシリコン層を形成する工程と、
第三ウエル領域内に、トンネル酸化膜のフローティングゲート部分に隣接して、ドープ領域を形成する工程と、
前記第一フィールド酸化膜領域の一部分の上にセンサ領域を有し、かつ前記第二ウエル領域の上と、前記第二フィールド酸化膜層の上と、前記段三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層のフローティングゲート部分の上とにCMOS領域を有するエッチストップ層を形成する工程と、
前記第一フィールド酸化膜領域の一部分の上にセンサ領域を有し、ドープされたポリシリコンの電極部分の上に重なり、かつ第二ウエル領域の上と、第二フィールド酸化膜層の上と、第三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層の第二フローティングゲート部分の上とにCMOS領域を有する、低応力の窒化膜を形成する工程と、
ドープされたポリシリコン層の電極部分の上に第一部分を有し、かつ第二ウエル領域の上と、第二フィールド酸化膜層の上と、第三ウエル領域の上と、ドープされたポリシリコン層の第二フローティングゲート部分の上とに第二部分を有する犠牲層を形成する工程と、
前記低応力の窒化膜の上および前記犠牲層の第一部分を被覆して、ダイアフラムのポリシリコン層を形成する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
前記ダイアフラムのポリシリコン層の上にシーリング層を設ける工程と、
CMOS領域の前記低応力の窒化膜を除去する工程と、
前記第三ウエル領域内のソース・ドレイン領域を注入して、第三ウエル領域内におよび前記トンネル酸化膜の第二部分の上に載っているメモリセルのフローティングゲートを形成し、前記第二ウエル領域内のソース・ドレイン領域を注入して、第二ウエル領域内にCMOSを形成する工程と、
前記ソース・ドレイン領域をアニールする工程と、からなる方法 - 請求項13に記載の方法であって、前記ドープされたポリシリコン層を形成する工程は、前記第一フィールド酸化膜領域の一部分の上に第一部分を有し、かつ前記第三ウエル領域の一部分の上に第二部分を有するトンネル酸化膜を形成する工程を含む方法。
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