JP4999298B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2 LOCOS素子分離領域
3 キャパシタ絶縁膜
4 キャパシタ電極
5 拡散層
6 シリコン酸化膜
7 ゲート絶縁膜
9 ゲート電極
10a 低濃度拡散層(ソース/ドレイン)
10b 高濃度拡散層(ソース/ドレイン)
12 サイドウォールスペーサ
Claims (2)
- アンチヒューズとして用いられるMOSキャパシタと、LDD(Lightly Doped Drain and Source)構造を有するMOSトランジスタとを、同一基板に設けてなる半導体装置の製造方法において、
キャパシタ電極を形成する工程と、その後に施す前記キャパシタ電極をシリコン酸化膜で被覆する工程と、その後に施すMOSトランジスタのゲート電極を形成するためのゲート用体積工程と、その後に施すドライエッチングによるゲート電極形成工程と、その後に施すMOSトランジスタのゲート電極のサイドウォールスペーサを形成するためのサイドウォールスペーサ用体積工程と、その後に施すドライエッチングによるサイドウォールスペーサ形成工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - キャパシタ電極を被覆するシリコン酸化膜は、150nm〜300nmの膜厚であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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