JP2004522295A - 共通基準節点を有する単一または複数の回路のための遮蔽および被遮蔽エネルギー経路ならびに他の要素から成るアマルガム - Google Patents
共通基準節点を有する単一または複数の回路のための遮蔽および被遮蔽エネルギー経路ならびに他の要素から成るアマルガム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004522295A JP2004522295A JP2002536687A JP2002536687A JP2004522295A JP 2004522295 A JP2004522295 A JP 2004522295A JP 2002536687 A JP2002536687 A JP 2002536687A JP 2002536687 A JP2002536687 A JP 2002536687A JP 2004522295 A JP2004522295 A JP 2004522295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrodes
- electrode
- energy
- shielding
- amalgam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910000497 Amalgam Inorganic materials 0.000 title claims description 195
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 139
- 230000006870 function Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 83
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 46
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 44
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 44
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 abstract description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 21
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K Arsenate3- Chemical compound [O-][As]([O-])([O-])=O DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000645 Hg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005267 amalgamation Methods 0.000 description 1
- 229940000489 arsenate Drugs 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003090 exacerbative effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000023266 generation of precursor metabolites and energy Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/35—Feed-through capacitors or anti-noise capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0066—Constructional details of transient suppressor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
(技術分野)
本発明の新規の実施形態は、伝搬エネルギー部分に対する複数のエネルギー調節機能(energy coditioning function)を提供することができる電極アーキテクチャが得られるように、相補電極および/または相補電極グループならびに他の所定の要素を所定の順序で組み合わせて選択的にアマルガム化された、単一の電極遮蔽セットを使用する所定のアマルガム(amalgam)に関する。アマルガム化(amalgamation)の変形形態は、1つの回路に単一の共通電圧基準機能を提供するだけでなく、複数の動的エネルギー調節動作を実行しながら複数の分離された回路システムに同時に共通電圧基準機能を提供するように同時に動作することができる。
【0002】
(発明の背景)
今日、電子具体物の密度は世界中で増大し続けているので、電磁干渉(EMI)を抑制し、電子機器を電磁干渉から保護するための政府の基準および自ら課した基準ははるかに厳しくなった。わずか数年前、干渉の主要な原因は、電圧不平衡、エネルギー・サージによるスプリアス電圧過渡現象、人間または他の電磁波発生源などの原因および状態に起因するものであった。
【0003】
より高い動作周波数では、従来技術の構成部品を使用した伝搬エネルギー部分のライン調節によって、EMI、RFIならびに容量および誘導性寄生の形態の電磁干渉のレベルは増大した。これらの増大は一つには、より高い動作周波数で機能しているときに関連電気回路に干渉を生み出しまたは誘導する受動構成部品の固有の製造不平衡および性能欠陥による。EMIは、EMIからの遮蔽を望ましくする電気回路経路自体からも発生する。
【0004】
ケーブル、回路板トラックまたはトレース、高速伝送線および母線経路に沿って、差動モード(differential mode)および同相モード(common mode)の雑音エネルギーが発生する可能性があり、これらの雑音は通常、これらの経路の周囲で横断する。多くの場合、これらの重要なエネルギー導体はエネルギー場を放射するアンテナとして機能し、問題をよりいっそう悪化させる。
【0005】
例えば高周波減結合に対するものなどの他のエネルギー調節領域における新規かつユニークな方法は、物理的に近い位置で、複数のエネルギー経路または電極グループが互いに電気的に近接して動的に動作することを可能にし、1つの電極配置アマルガム内の他の要素の中でこれらとともに見られる少なくとも1つの電極またはエネルギー経路遮蔽構造によって容易にされたときに共通エネルギー基準節点を同時に共用する、機能上の能力と物理構成の両方で一体のアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置を提供する方法である。
【0006】
少なくとも1つの遮蔽電極構造(shielding electrode structure)を全ての回路に対して利用するエネルギー調節回路実施形態として製造され、そのように使用可能な所定のアマルガムが求められている。
【0007】
さらに、それぞれの相補電極対に沿って動作する伝搬相補エネルギー部分を動的に遮蔽するように機能する全ての回路に対して単一の共通静的構造を可能にし、さらに、動的エネルギー基準節点として動作可能な低インピーダンス共通エネルギー経路を提供する複数の回路配置も求められている。
【0008】
(発明の概要)
本発明は、通電したときに(when energized)複数の回路に調節機能を同時に提供するように実際に動作可能であるエネルギー調節構成部品またはアマルガムを提供することによって当技術分野の現在の限界を克服する。これらの利点および他の利点は、第1の回路を調節する相補的な第1の手段と、第2の回路を調節する相補的な第2の手段と、第1および第2の相補的な調整手段をグループの一部として個別に遮蔽し、かつ同様に互いから遮蔽することができる遮蔽手段とを少なくとも備えたアマルガムによって提供される。これらの利点および他の利点は、以下の図面および説明を参照することによって明白となる。
【0009】
(実施形態の詳細な説明)
簡潔には、この開示全体を通じて使用される語は、出願人が意味するものとして本明細書に与えられた説明を有する辞書を調べることによって定義される用語「アマルガム」である。アマルガムは、特に、「動的な使用および/または状態に対して使用可能な実施形態を形成するために全て一緒にアマルガム化された、さまざまな材料組成およびフォーマットに配置され、非整列、整列、相補的対合、重なり、オフセット・スペースまたは離隔整列、および3次元関係を有する、相対的および非相対的な単一のおよび/またはグループ化された寸法関係、サイズ関係、離隔、離近(spaced−near)、連続、不連続関係配置を使用しているエネルギー調節実施形態として製作された単一のおよび/またはグループ化された導電性、半導電性および不導電性材料要素の混合物を有する、調和した組合せの種々のまたは同種の要素を含む一般的な組合せ」を含む。この用語は、通常、辞書のアマルガムの項の最初に定義されている「水銀と他の金属との各種合金」ではない。したがって、本明細書では開示の目的上、アマルガムを、先に一般化された方法で説明したさまざまな一般的なアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置を包含するものとして使用する。
【0010】
さらに、語「物理的な収束および/または接合の所定の領域および/またはスペース」の頭字語である本明細書で使用される「AOC」は通常、動いている電子が開示のとおりにアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置要素を使用している、一体に製造されたアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置要素の物理的な境界を通常含むアマルガムまたはアマルガム回路配置のエネルギー調節の相対的な影響境界の個別または非個別バージョンとして定義される。本発明のアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置はさらに、多回路動作に対する動作可能性を同時に有し、「電気的に相補的な」動作(その意味は、他方に対して反対の電気動作を生じさせることが実行可能または使用可能な条件または状態である)に対して動作可能なさまざまな電極対および/または相補電極対をほぼ完全に包囲する導電的に結合された多電極遮蔽配置アーキテクチャを含む、電極配置の個別および非個別バージョンに関する。
【0011】
アマルガムは、複数の回路に対するエネルギー調節動作を同時に遮蔽し平滑化する、バイパスおよび/またはフィードスルー・モードまたは動作などの均一に混合された、および/または不均一に混合されたさまざまなエネルギー伝搬モードを含むことができる。この新しいアマルガムは、新しい実施形態の複数の相補電極の部分および/あるいは単一のまたは複数の回路部分に沿って伝搬しているさまざまなエネルギー部分に使用可能な複数のエネルギー調節機能を容易にし、一方で、導電的に「接地」された複数の第1の電極または複数の遮蔽電極によって供給された共通基準節点機能を利用することが分かった。
【0012】
本発明のアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置のほぼ全ての実施形態に関して、出願人は、選択し、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の最終的な構成に結合することができ、一方で、正常に製造し、回路セットの中に配置し、通電した後も、所望の程度のエネルギー調節機能の全てを、一般的なアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置内に依然として維持しているさまざまな広範囲の可能な材料を組み合わせるオプションを製造業者が有することを企図する。
【0013】
所定の特性を有する材料801は通常、間に置かれ、導電結合に利用される配置のさまざまな電極のそれぞれとともに通常見られる所定の位置を除く、配置のさまざまな電極を取り囲む実質的に全ての点で非導電的に結合される。所定の特性を有する物質および/または材料801は、配置のさまざまな電極に対してエネルギー絶縁機能を提供し、ケースおよび/または構造支持、ならびに配置のさまざまな被遮蔽電極(shielded electrode)と遮蔽電極(shield electrode)との間に必要な適当な離隔距離を提供する。これらの要素はほとんどの場合、さまざまな組合せの多くを含む、電極経路要素の単一のおよび/またはグループ化された所定の対および/またはグループの中に、またはこれらを貫通して延びる電極経路に関して概ね包囲/隣接関係に配置される。
【0014】
所定の特性を有する材料801の部分、および/または単一の範囲の所定の特性を有する材料801の平面部分は、アマルガムまたはアマルガム回路配置のいくつかの他のバージョンでは必ずしも必須ではないことに留意されたい。さまざまなタイプの離隔媒質、絶縁体、誘電体、容量性材料、および/または誘導、強磁性、フェライト、バリスタ材料の実施形態は、材料801を含むことができ、絶縁体、誘電体、容量性材料、バリスタ、酸化金属バリスタ型の材料、強磁性材料、フェライト材料、および/またはこれらの任意の組合せの特性を個別に、または任意の組合せで有する材料の化合物または組合せを、実施形態の離隔エネルギー経路に使用することができる。
【0015】
例えば、フェライト特性を有する材料801および/またはフェライトの任意の組合せを含むアマルガムおよび/またはアマルガム配置は、電極のすでに内在している抵抗特性に加わるであろうより強い誘導特性を提供すると考えられる。さらに、全てこの開示に記載された誘電性、非導電性および/または半導電性媒質、誘電体型の材料、所定の特性を有する材料ならびに/あるいは所定の特性を有する媒質によって通常満たされた少なくともある種類のスペーシングを、単純に絶縁体および/または非導電材料部分と呼ぶことができる。
【0016】
材料801のプレートおよび/または部分、材料801の組合せ、ならびに/あるいは材料801のラミネートは、自己支持型電極、および/あるいは処理されかつ/または化学的に「ドープ」された材料などの電極材料付着物を受け取ることが実際にはできず、空気などの他のスペーシング物質および/または他の任意のスペーシングが使用される。詳細には、例えば誘電材料などの実施形態の構成用の材料は、使用可能な処理技術と適合する材料要素の1つおよび/または複数の層を含むことができ、通常は任意の可能な誘電材料に限定されない。これらの材料は、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム・ヒ酸、ガリウム・ヒ素などの半導体材料、ならびに/あるいは任意のK、高Kおよび低K誘電体などの半絶縁および/または絶縁材料とすることができるが、この実施形態は通常、特定の誘電率Kを有する材料に限定されない。
【0017】
さらに、801のような複数の材料および/または互いに異なる電気特性を有するこのような材料の組合せのうち、1つおよび/または複数の材料を、配置の遮蔽電極および/または遮蔽電極経路と被遮蔽電極および被遮蔽電極経路との間に維持することができる。厚さ数ミリメートル以下の小さなアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置、アーキテクチャおよび変形は、多くの代替電極、および誘電特性を有する材料などの最高1000以上の層から成る所定の特性を有する材料を具体化することができる。したがって、より小さなサイズのアマルガムまたはアマルガム・サブ回路アセンブリは、強磁性材料および/または強磁性体に似た誘電層、誘導−フェライト誘電誘導体材料などの、ナノ・サイズ電極によって使用されるスペーシング材料801を含む要素を同様に利用することができる。これらの材料はさらに、一般的な実施形態に含まれるさまざまな所定の電極経路のほとんどのケースで構造支持を提供するが、所定の特性を有するこれらの材料はさらに、実施形態全体および通電された回路が、構造的に支持されたさまざまな所定の電極経路に沿って移動している同時の一定の中断されないエネルギー部分の伝搬を維持し、かつ/または助けるのを助ける。これらの導体は実際には回路網の一部および/または回路網である。
【0018】
電極および/または電極経路に適した電極および/または導体材料は、Ag、Ag/Pd、Cu、Ni、Pt、Au、Pdおよび/または同種の他の金属から成るグループから選択することができる。抵抗材料のこれらの金属材料の組合せがこの目的に適し、これには例えば適当な金属酸化物(酸化ルテニウムなど)が含まれる。これは、特定の応用の緊急性に応じて適当な金属で希釈することができる。一方、他の電極部分は、実質的に非抵抗性の導電材料から形成することができる。電極自体はさらに、ほぼ任意の物質または材料の部分、材料の組合せ、フィルム、プリント回路板材料を、形式上非導電性および/または半導電性の材料部分から電極経路を生み出すことができる任意のプロセスとともに使用することができ、ドープト・ポリシリコン、焼結された多結晶、金属、および/またはポリシリコン・シリケート(polysilicon silicate)、ポリシリコン・シリケートなどの導電性領域を生み出すことができる任意の物質および/またはプロセスが出願人によって企図される。ただしこれらに限定されるわけではない。
【0019】
繰り返しになるが、この実施形態は通常、ニッケル・ベースの磁性材料などの任意の可能な導電材料部分に限定されない。これはさらに、さまざまな導電材料部分組成、導電性磁場影響材料ハイブリッドおよび導電性ポリマー・シート、処理されたさまざまな導電性および非導電性ラミネート、ストレート導電性付着物、材料上に導電的にドープされ、導電的に付着されさまざまなタイプの磁性材料遮蔽および選択的遮蔽を利用した複数の遮蔽関連電極経路、導電性はんだなどの導電性および非導電性要素の複数の電極経路を含む追加の電極構造要素を、材料および構造要素のさまざまな組合せで利用して、通常、製造前および/または通電のためにより大きな電気システムへ配置する前に予め決定される、一般的な個別および/または非個別アマルガムならびに/あるいはアマルガム配置および/または構成を利用したときにホストおよびさまざまなエネルギー調節オプションを使用者に提供することを含む。
【0020】
対向する相補電極経路の電極配置の製作公差、および電極配置の一部の共用中央電極経路間で見られる容量バランスは、共有遮蔽電極配置構造の両側を測定するときに見つけることができ、従来技術の個別ユニット中で広範囲かつ一般的に指定されるX7Rなどの共通非専門誘電体および/または電極導電材料部分を使用して、アマルガム配置の製造中に工場で生み出された容量または磁性レベルに容易に維持することができる。アマルガムは、相互に共用されるAライン−Aライン結合、ならびに少なくとも(2つの)Aライン−CラインおよびBライン−Cライン(Cラインは導電性領域、GnDまたは基準電位である)で、電気的に相補的な動作で同時に動作するように設計されるので、要素の配置、サイズ、分離、結合配置による、このタイプのエネルギー回路の結果の相補的な容量バランスおよび/または公差バランシング特性は、例えば1%の容量公差で通常通りに製造された電極配置が、システムに配置されたときに分割遮蔽電極構造に関して、電極配置内の電気的にかつ/または電荷対向的に対をなす相補エネルギー電極経路間に維持され、相関された1%の容量公差を、取り付けられかつ/または(導電的に)結合された通電された回路に与えることを可能にする。
【0021】
特定のおよび/または所定の構造化された層配置を通常通りに製造するとき、および/または製造した後に、ライン調節、減結合を実行し、かつ/またはエネルギーの伝送を所望のエネルギー形態および/または電気形状に修正するのを助けるために、この配置を成形し、埋め込み、包囲し、かつ/あるいはさまざまなエネルギー・システムおよび/または他のサブシステムに挿入することができる。この電極配置は、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置構成が、グループ化された隣接するアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置要素の間で内部的に見られる対向する圧力の電圧分割およびバランシング機構を利用することを可能にし、材料ヒステリシスおよび圧電効果ならびに/または従来技術で普通に見られる現象の効果を実質的に最小化し、通常は中断されかつ/または失われるであろう伝搬エネルギーの部分が、スイッチング応答ならびにアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置に結合されたエネルギー利用負荷に瞬時のエネルギー伝搬を提供するために克服する必要がある時間制約を受けている、任意の能動構成部品への送達能力に使用可能なアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置エネルギーの形態で実質上保持される程度まで低減させる新しい実施形態に電圧分割構造を変換する電極配置を含む要素を通して、最小化されたヒステリシスおよび圧電効果を全体的に可能にする。
【0022】
これによって、これらの電気的に対向し、かつ/または電荷が対向する相補的な電極経路を、中央に配置された同じ共用共通遮蔽電極経路および/または電極の両側に電気的かつ物理的に配置することができ、したがって、被遮蔽電極経路からのものでない中央共用遮蔽共通電極のこの介在効果がさらに、さまざまな回路電圧利用を実際に半分に分割する電圧分割機能を生みだし、反対向きに対にされた相補的なそれぞれの導体を提供する。通常、電圧エネルギーの半分は電極配置アーキテクチャを含まない回路から期待される。単に、対をなす被遮蔽電極は、電気的に、かつ/または介在する遮蔽と相補経路でない関連する相対共通導体および/または電極経路との間で電荷対向的に互いに向かい合っているので、通電された回路中に電圧分割関係が存在することを認識することができる。電極配置内に相補導体を含む通電された回路は常に、全体的に、電気的にかつ/または電荷対向的に、内部で、中央に配置された遮蔽共通共用経路電極に関して、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置を構成するそれぞれの回路システム・メンバおよび/あるいは部分に対して平衡が保たれる。
【0023】
アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置を構成するそれぞれの共通回路システム・メンバおよび/または部分は通常、共通領域および/または共通電極経路に取り付けられ、かつ/または(導電的に)結合されて、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の少なくともAOC部分を構成する少なくとも複数のそれぞれの回路内に見られるさまざまな伝搬エネルギー部分とのエネルギー関係のために、アマルガムおよび/またはアマルガム回路アセンブリの「0」基準回路節点と呼ばれるものに対して外部共通ゼロ電圧を提供する。
【0024】
説明したとおり、個別であり、かつ/または非個別であるかにかかわらず、適正に取り付けられたアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置は、エネルギー源、対をなすエネルギー経路、エネルギー利用負荷、およびエネルギー源に戻って回路を完成させるエネルギー経路にほぼ常に関係する、複数の別個の異なった回路に対して平行配置原則を使用してほぼ常に、減結合、フィルタリング、電圧バランシングなどの複数の異なったエネルギー調節機能を実行する同時能力の達成を助ける。これはさらに、中心に配置された共通共用電極経路を使用して同時に生み出される「0」電圧基準の両側に対して平衡した方法で電極に作用する伝搬エネルギーの部分の逆向きの相補的な電気相殺配置を含む。この能力は、エネルギー源からそれぞれの負荷へ、さらに帰還のために負荷からエネルギー源へ接続しかつ/または結合しているエネルギーインおよびエネルギーアウト経路に沿って、共通エネルギー基準(第1の複数の電極)の電気的な両側に、見かけのオープンなエネルギー・フローとして、配置が同時に現れることを可能にする。この一般にほぼ常に平行なエネルギー配分方式によって、必ずというわけではないが通常は全ての製造されたアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置要素の材料構成が、一緒に、より効果的かつ効率的に、回路内に位置する負荷および源経路とともに動作することができる。相補的に動作することによって、従来技術に比べて材料応力はかなり低減される。したがって弾性材料記憶および/またはヒステリシス効果などの現象は最小化される。
【0025】
アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置は実質上、電極配置、およびアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置のアーキテクチャの性質、生み出される物理的なエネルギー分割構造を利用するために、この新しい電極配置を後に説明する方法で利用する回路配置である。奇数個の複数の電極の外部導電性領域への導電結合および/または導電取付けは特に、さまざまな標準的な工業取付け/結合材料、およびこれらの材料を導電結合に対して使用可能にするのに使用されるはんだ付け、抵抗はめ合い、還流はんだ付け、導電性接着剤などの取付け方法を含むことができる。これらは、標準導電結合および/または結合を達成するのに使用される通常は標準的な容認されている工業材料およびプロセスである。これらのアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の外部エネルギー経路への導電結合および/または導電取付け技法および方法は、ほとんどの場合、追加の制約を使用者に課すことなく容易に適合させかつ/または単純に適用することができる。電極経路を一緒にまたはグループとして外部共通領域および/または経路へ導電結合することは、アマルガムおよび/またはアマルガム配置によって提供される、相互誘導相殺、相互に対向する導体の相互最小化などの他のエネルギー調節機能の最適な効果を可能にし、エンド・ユーザが必要とする受動構成部品特性を提供する。アマルガム化された複数の電極の結果として互いに導電的に結合されたときに電極配置内で生じ、遮蔽に使用される少なくとも3つの遮蔽機能がある。いくつかの機能は他の変数に従属する。
【0026】
第1は、RFI雑音の物理的遮蔽機能である。RFIの遮蔽は一般に、あらゆる種類の電磁場に対する古典的な「金属障壁」であり、大部分の人が考える遮蔽がこれである。アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置で使用される1つの技法は通常、少なくとも1つの共通電極経路間に、普通は同じサイズで、製造が理想的なエネルギー調節機能を可能にするほどにサイズおよび組成が近い、その対をなす他方の相補電極経路に対してそれが通常通りに配置されたときに、対をなす相補電極経路の導電性領域のインセット(insetting)を可能にすることによって、関連遮蔽共通電極経路を、動作中の含まれる対をなす相補電極経路に関して配置する所定の遮蔽配置法である。
【0027】
第2の遮蔽は、対をなす電気的に対向する隣接した相補電極経路の物理的な遮蔽である。これは、相補的電極経路/電極のサイズに対する共通電極経路のサイズ、ならびに間に挟み込まれた(サンドイッチされた)[sandwiched]相補導体に起因する寄生の通電された静電的抑制および/または最小化によって、かつ含まれる相補経路以外に起因する外部寄生が、時に特に寄生結合と呼ばれる被遮蔽相補経路への結合を逆に試みることを防ぐことによって達成される。寄生結合は普通、電場(「E」)結合として知られており、この遮蔽機能は、主としてさまざまな被遮蔽電極を電場寄生から静電的に遮蔽することに相当する。相補導体経路に起因する相互および/または迷走寄生エネルギーのため干渉伝搬エネルギーの通過を伴う寄生結合は、新しい電極配置内では通常、抑制される。この電極配置は、静電および/またはファラデー遮蔽効果を提供する導電性階層の進行ならびに垂直および水平の(混合)層および所定の層位置の配置を有する汎用遮蔽構造中に逆相の導体をほぼ完全に包囲することによって容量結合をブロックする。相補電極経路に導電的に結合されていない外部共通導電性領域への結合はさらに、続いて、シャシおよび/または接地の導電経路および/または導体、例えば回路システムのエネルギー帰線、シャシ導電経路および/または導体、ならびに/あるいはPCBエネルギー経路および/または導体、ならびに/あるいは接地に通常は取り付けられ、かつ/または(導電的に)結合されるというわけではない内部に配置された導電性モータ・シェルの中などの固有の共通導電性領域として一般に記述されるものなどの領域を含むことができる。内部に位置する共通電極経路セットの利用は、対をなす相補電極経路に沿って伝搬するエネルギー部分として記述され、これらのエネルギー部分は、アマルガムおよび/またはアマルガム回路アセンブリのAOCによる影響を受け、相補電極経路でない少なくとも1つの外部に位置する共通導電性領域上に続いて移動し続けることができ、したがってこの非相補エネルギー経路を低インピーダンスのエネルギー経路として利用して、不必要なEMI雑音の帰還、および通電されたそれぞれの回路へのエネルギーの帰還を低下させ、抑制し、ブロックすることができる。
【0028】
最後に、通常はエネルギー導体配置「遮蔽技法」以上の技法である第3のタイプの遮蔽がある。この遮蔽は通常は、誘導エネルギーおよび/または「H場」、ならびに/あるいは単純に「エネルギー場結合」に対して使用され、別個の対向する電極経路に沿って伝搬している「H場」の部分および/または単に「エネルギー場」のエネルギー部分の相互誘導相殺および/または最小化としても知られている。しかし、相補電極経路対を同時に使用しながら、通常できるだけ近いサイズに構築される領域サイズへの、含まれる対をなす相補電極経路のインセットを可能にする所定の配置方法でエネルギーを物理的に遮蔽することによって、相互相殺と結合する誘導「H場」結合に対して強化された静電的かつ/またはケージ様効果と呼ばれる他のタイプの遮蔽および/または「遮蔽技法」を与えることは、さまざまな伝搬エネルギー部分を含む内部に位置する回路の部分の「H場」電流ループの寸法を制御することを意味する。
【0029】
アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の使用によって、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置内で動作するそれぞれの別個の回路が、それ自体の電圧基準として開発された共通低インピーダンス経路を同時に共用して利用することができ、一方、利用しているそれぞれの回路は、それ自体の相対的なエネルギー基準点に潜在的に維持され、平衡が保たれ、互いに同時に別々に動作している他の回路に対してより大きな回路システム内で通常、受動的に動作したときに、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置内に含まれる任意の回路システムに「与えられる」最小寄生寄与および/または破壊的なエネルギー寄生を維持する。電極遮蔽配置または構造は、同じ共通基準像に関してAOCの部分の中に含まれる伝搬している対向する遮蔽されたエネルギーの相補的な部分のダイオードに似た高インピーダンスのエネルギー・ブロッキング機能をある1つの瞬間に備え、一方、まさしくその同じ瞬間に、瞬時の高いインピーダンスの反対の低インピーダンスのエネルギー・ボイドまたは抗ブロッキング・エネルギー機能が、共通エネルギー経路の両端間で、正反対の電磁気的な方法で、同時に、常に互いの反対側に平衡した方法で位置するエネルギーの部分に対して、電気的に調和した方法で同じ共用遮蔽配置構造の両側に沿って対応して起こっている瞬時の高−低インピーダンス・スイッチング状態で使用可能である。
【0030】
内部に位置する共通電極経路セットは、相補電極経路でない外部に位置する同じ共通導電性領域に導電的に結合され、これによって全ての回路システムが、この非相補エネルギー経路を、低インピーダンスのエネルギー経路として、動作しているそれぞれの回路システムに対して同時に利用して、不必要なEMI雑音の帰還、および通電されたそれぞれの回路システムへのエネルギーの帰還を低下させ、抑制し、ブロックすることが可能になる。包囲している遮蔽電極構造に起因するエネルギー寄生の同時抑制、および電気的に対向する被遮蔽電極経路に起因する相互に対向するエネルギー「H」場の相殺のため、さまざまな回路経路に沿って伝搬しているエネルギーの部分は、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置のさまざまなAOCの中で一緒になって、伝搬エネルギーに生じる、H場エネルギーおよびE場エネルギーの有害な効果を最小化する形態の調節効果を、説明した同時機能を通して、それぞれにスイッチしている一定の動的な同時の低および高インピーダンス・エネルギー経路の相対的に定義された領域を含み、これを維持し、分割された対をなす被遮蔽相補電極経路の潜在的な伝搬経路に沿って見られるエネルギー部分による利用に関して互いの両側に同時に位置するアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置のさまざまなAOCの中で受ける。
【0031】
図1に、遮蔽電極800/800−IMの一部分を示す。これは、図2Aに最もよく示されている、所定の特性を有する材料801の一部を含む構造材料部分800−P上の中央に配置された所定の共用共通遮蔽電極800/800−IMCを含むサンドイッチ単位800Eの一部分を示している。
【0032】
図2には、被遮蔽電極845BA、845BB、855BA、855BB、865BA、865BBが一般に、第2の複数の電極の2つの電極セットのより小さなサイズの電極として示されている。この構成では、より小さなサイズの本体電極部分80がエネルギー部分の伝搬813Bによって利用され、図1の遮蔽電極800/800−IMおよび単一の遮蔽構造4000(図示せず)のより大きなサイズの本体電極部分81が、遮蔽電極の中心部分および図1に示されたAOC中央影響範囲813から外へ移動するエネルギー部分の伝搬813Aを処理している。
【0033】
再び図1を参照すると、中央遮蔽電極800/800−IMを所定の方法で同時にサンドイッチする電極および/または電極経路855BBおよび855BT(図示せず)がそれぞれ、中央に配置された共通遮蔽電極800/800−IMから両方向に離されている。複数の遮蔽電極のそれぞれの遮蔽電極の本体電極部分81が、複数の被遮蔽電極のサンドイッチされた対応する被遮蔽電極のサンドイッチ本体電極部分80よりも大きいことに留意することが重要である。複数の被遮蔽電極は通常、バイパス電極として遮蔽されるように構成されるが、本明細書に説明し、かつ/またはしないように、通常は必要に応じて被遮蔽フィードスルー電極も構成される。
【0034】
電極855BAとして導電材料799を製造業者が配置すると、被遮蔽電極855BAに対する遮蔽電極800の位置に関連して、インセットされた領域806および/または距離806および/またはスペーシング領域806が生じる。このインセット関係は通常、2つの本体電極部分80と81の間のサイズの差の結果として生じる相対的なインセット・スペーシングとしたほうが分かりやすく、かつ/またはそのように定義される。本体電極部分81は2つの本体電極部分のうちの大きいほうの本体電極部分である。この相対的なサイズは、さまざまな本体電極部分80および81ならびに本明細書に79Gおよび/または79「X」「X」と示されたそれらのそれぞれの連続した電極部分延長の配置にも関連する。これらは全て、導電材料799および/または799「X」の順次積層の製造プロセスの間に配置され、このプロセスによって、803で示されたそれぞれの電極本体部分80の電極周縁と805で示されたより大きなそれぞれの電極本体部分81の電極周縁との間に見られるインセット関係および/または外観が形成され、かつ/または結果的に生じる。
【0035】
それぞれの電極の全ての電極本体部分80sのサイズおよび/または全ての電極本体部分81sのサイズは、一般的な任意のアマルガムおよび/またはアマルガム配置内で全て(製作公差が許す)同じ形状とすることができ(または他のサブ回路配置電極セットに対して個々のサブ回路配置ごとに形状を混合することができ)、インセット配置関係はオプションとすることができることに常に留意されたい。
【0036】
しかし、寄生エネルギー部分の高い抑制および/またはさまざまな寄生エネルギー部分の遮蔽を享受するためには、電極本体部分81を含むより大きなサイズの本体遮蔽電極81sに電極本体部分80を含む相補的な電極をインセットして、この寄生エネルギー部分抑制機能を達成しなければならない。さらに、相補電極のインセットによるこの閉じ込めは、2つのより大きな電極のうちの少なくとも一方の所定の電極本体部分80sへの所定の電極本体部分80sのインセットを使用しない配置を利用している構成に比べ、エネルギーの動的遮蔽に対する遮蔽電極構造のこの大きくかつ全体的な有効性を強化する。
【0037】
インセット距離806は、少なくともゼロよりも大きいことが分かっている距離乗数(distance multiplier)と定義することができ、このインセット距離は、電極本体部分80と、隣接する電極配置を構成する電極の電極本体部分81との間の離隔距離関係の乗数に関連する。一実施形態内の2つの隣接する一般的な電極本体部分80sと電極本体部分81の間を分離しかつ/または分離を維持することが分かっている所定の特性を有する材料801の離隔厚さの乗数も決定因子となりうる。例えば、855BBの電極本体部分80は通常、電極855BBの電極本体部分80と図1の隣接する中央共面電極800−IMの本体部分81との間を分離しかつ/または分離を維持することが分かっている所定の特性を有する材料801の距離および/または厚さの1から20+倍(20倍以上)とする。
【0038】
内部電極は、79「XZ」で示された少なくとも1つの第1のリードまたは延長部分を有する本体電極80を含む。使用される伝搬に応じて「X」=「B」(バイパス)または「F」(フィードスルー)であり、「Z」=電極「A」または「B」の延長であり、最後に、本体電極ごとに2つ以上の延長部分がある場合には必要に応じて「#」=その番号である。例えば、図1では、電極855BAの延長として79BAが使用されている。この配置では電極855BAおよび855BB(図示せず)の第1および第2のリードまたは延長部分が、他方とは相補的に反対に配置されるので、少なくとも1つの第1のリードまたは延長部分を有する図示されていない855BAの相補本体電極80は同様に79BBと示される。
【0039】
出願人はさらに、任意のアレイ構成の複数の共面配置された電極の80で示されたさまざまな電極本体部分間でも許されるであろうさまざまなサイズ差を企図することに留意されたい。図示されてはいないが、所定の特性を有する材料801の部分および/または層は、共面配置された追加の電極層を含むことができる。さまざまな同じ複数の電極のメンバの共通導電結合を容易にするそれぞれの複数の電極のそれぞれの外側電極部分および/または電極材料部分890A、890Bおよび/または890「X」、798−1、798−2および/または798−「X」(いずれも図示されていない)はさらに、それぞれの複数の電極と任意の外部導電性部分(図示せず)、エネルギー経路(いずれも図示されていない)との後の導電性結合を容易にすることができる。
【0040】
それぞれの電極本体部分80および/または81から連続した電極延長部分に注目すると、電極本体部分80sは通常、間隔をあけて配置されるが、所定の距離を物理的にインセットしてインセットされた領域806を生み出す。電極本体部分80は通常、(隣接する本体遮蔽電極81sに比べて)サイズが小さく、2つの遮蔽電極の少なくとも2つの離隔しているが、より大きな電極本体部分81sのカバー領域内に重ねられる。唯一の例外は、それから連続的かつ一体的に別々の電極本体部分80以外の点へのその後の導電結合にそれぞれ使用可能な、例えば図1の79BAのような電極延長部分である(もしある場合)。
【0041】
79「XX」リード電極および/または延長部分を非一体的かつ/または連続的に同時に配置しかつ/または処理する可能性がある同じ製造プロセスは、新しい電極配置のある種の変形の製造で後に79「XX」(図示せず)を非常に良好に適用することができることに留意されたい。延長部分を後に適用するこのタイプは通常許されるが、電極本体部分80と不連続の/一体的に生み出された79「XX」部分とを利用するエネルギー動作は、実質的に動作可能であると考えられる条件をほぼ可能にすると思われる方法で導電的に結合される必要が依然としてあると理解される。
【0042】
電極配置の実質的に全てのバージョンで、本体電極は通常、通常一般的な1つの領域サイズとすることができるそれぞれの電極要素の電極本体部分80および/または8lを形成するために周囲まで成形された2つの大きな表面領域によって画定することができる。これらの電極本体部分領域80および/または81は、連続的に結合された79Gおよび/または79「XX」リード電極および/または電極延長部分と考えられる電極部分を含まない。
【0043】
通常、一般的な被遮蔽電極および/または遮蔽電極の電極本体部分80および/または81が終わり、79Gおよび/または79「XX」延長電極部分が始まる正確な点を決定する正確な方法はなく、通常、延長を画定するためには、一般的な被遮蔽電極の電極本体部分80は、電極配置実施形態内に見られる被遮蔽電極グループを遮蔽するために共通電極メンバの1つよりも大きな任意の奇数とすることができる所定の数の電極本体部分81sの重ねられた共通配置から共通遮蔽電極周縁805を形成する、複数の遮蔽電極のうちの隣接する遮蔽電極の遮蔽電極縁805の共通周囲および/または平均共通周囲の間および/または内部に見られる所定の距離および/または所定の距離806の平均を生み出すために実質的に配置された領域であると考えられると言ってさしつかえない。したがってこれは、少なくとも2つの被遮蔽電極の電極本体部分80に対して、電極配置内で対にされた相補的な電極を遮蔽するために少なくとも3つの遮蔽電極を含むことである。同じ導電材料799が電極配置の全ての電極を構成することができ、したがって、電極配置は、所定の方法で配置された所定の異種の電極材料を有することができるが、同種の電極材料799でも同様に十分である。
【0044】
最低限、少なくとも2群の複数の電極が常にあり、第1の複数の電極は、それぞれの電極が互いに実質的に同じサイズおよび形状である。第1の複数の電極のこれらの電極はさらに互いに導電的に結合され、位置を合わせて互いに平行に重ねられる。これらの共通電極はさらに、接地の水平面に対する重ねられた電極グループの回転軸にかかわらず第1の複数の電極のスタックまたはスタッキングとも呼ばれる重ねられた遮蔽配置の中に第2の複数の電極のさまざまなメンバを、互いに対する対応する相対関係に配置することを容易にするために互いから離隔されている。この配置または重ねられたスタッキングはさらに、所定の特性を有する材料の少なくとも部分を含む。最小構成の重ねられた第1の複数の電極の総数は常に1よりも大きな奇数である。
【0045】
これらの電極はさらに、共通電極グループのそれぞれの電極の少なくとも1つの縁に沿って共通導電結合を提供する少なくとも1つの連続した導電材料部分によって互いに導電的に結合することができ、これによって、これらの複数の電極を、接地されていない単一の共通導電構造、接地されていない遮蔽導電ケージまたは接地されていないファラデー・ケージとみなすことができ、またはこれらの複数の電極がこれらの構造またはケージとして機能することができるようになる。明らかに、この構造を外部電位に導電的に結合すると接地の状態が生み出されるだろう。
【0046】
第2の複数の電極の電極は、第2の複数の電極の2つの電極グループまたは電極セットを構成する。これらは第1の電極セットとして電極数の半分に分割され、次いで、対応して相補電極対として互いに対をなした残りの電極セットに対してそれぞれ相補的と考えられる(これらのセットはさらに、下記の説明に基づく複数の電極として特徴づけることができることに留意されたい)。
【0047】
共面配置である場合、全ては互いに離隔されており、第1の電極セットは1つの共面層上にあり、第2の電極セットは対応して第2の共面電極層上にある。第2の複数の電極の総数は常に偶数である。特定の相補電極対のそれぞれの電極は、実質的に同じサイズおよび同じ形状であるのに対して、やはり互いに離隔した実質的に同じサイズおよび同じ形状の第2の相補電極対は、図3Aおよび4Aに示すように、第1の相補電極対のメンバのように個別に実質的に同じサイズおよび同じ形状である必要は必ずしもない。
【0048】
任意のアマルガム中の全体電極配置の一部として、第1の(遮蔽)電極対と第2の(被遮蔽)電極対はサイズおよび形状関係の独立性を維持することに留意されたい。第2の複数の電極の第1の電極対と第2の電極対が、全て実質的に同じサイズおよび同じ形状の電極を含むことができるが、これは必要条件ではない。ただ、一対の特定の電極としてこれらの相補電極対は「個別に」、対をなす特定の電極間に相補関係が生み出されるよう、互いに同じサイズおよび同じ形状の2つの電極として維持される必要がある。
【0049】
他の例では、第2の電極対を第1の電極対と同じサイズとすることができるが、依然として第2の電極対の形状を第1の電極対とは異なる形状とすることができる。この場合も逆もまた真である。少なくとも2つの電極対の他に追加された他の電極対も、新しい全体電極配置アマルガムの一部として、最初の2つの電極対のサイズおよび形状からのサイズおよび形状の独立性を維持するであろう。
【0050】
始めに述べておくが、下記の実施形態の開示は可能な電極の組合せのうちの少数の組合せを提供する。これらはそれぞれ、示した特定の実施形態に対応するが、開示の主要な目的に対しては普遍的である。開示の主な目的は、少なくとも2つの電気的に分離された独立した回路システムが、1つの定義された個別または非個別電極配置アマルガムを相互にかつ動的に利用することを内部的に可能にするために組み合わされた他の要素を含む、遮蔽/被遮蔽電極配置を提供することにある。
【0051】
したがって、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置によって利用されるものなどの受動アーキテクチャを構築して、エネルギー・システムで見られるさまざまなタイプのエネルギー場(h場およびe場)を調節しかつ/または最小化することができる。アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置は通常、1つのタイプのエネルギー場を他のエネルギー場以上に調節するように構築する必要は必ずしもないが、さまざまなタイプの材料を追加しかつ/またはさまざまな電極セットと組み合わせて使用して、1つのエネルギー場に対するこのような特定の調節を他のエネルギー場に対するもの以上に実施することができる実施形態を構築することが企図される。さまざまな厚さの誘電材料および/または媒質ならびに間に配置された遮蔽電極構造は、回路アーキテクチャとの動的な近距離関係が、エネルギーを伝搬する導電性領域および互いの間の関連する不導電性または半導電性距離(相補エネルギー経路)を利用することを可能にする。
【0052】
この目的は、関連した所定の要素の分割およびサイジング、ならびに、さらにこれらの少なくとも2つの電気的に分離された独立した回路システムが、複数の遮蔽電極の導電結合が拡大され、共通基準節点000を有する少なくとも1つの最小アマルガム回路配置の一部として、図2Cに示すように、(007のような)この外側導電性領域に一体化される前に、一つには所与のアマルガムの遮蔽部分によって、アマルガムAOC813を越えて配置された導電性部分の共通電圧電位との導電性組合せで提供された1つの共通回路基準電位または節点を相互にかつ動的に同時に利用することを可能にするために結合された要素の離隔および位置関係を用いた選択的に配置された所定の要素のグルーピングを伴う。
【0053】
本明細書に示したアマルガム構成は、それぞれ実施形態6000、8000および10000を含む図2A、図3Aおよび図4Aを含む。これらの実施形態には、この開示の中で定義することができる少なくとも3つの多回路アマルガム配置、すなわちストレート垂直多回路配置、ストレート水平多回路配置、および垂直/水平多回路配置のハイブリッドがあり、それぞれがそれ自体の一体化された構成をとる。一般に、アマルガムは、内部に配置された少なくとも2つの回路部分を含み、これら(内部に配置されたそれぞれの回路部分)はともに、一方が他方の部分であるのではなく、より大きな1つの回路システムの部分であると考えられる。
【0054】
それぞれの回路部分は、第1および第2のエネルギー経路の部分を含むことができ、これらはそれぞれ、ある点で、AOCの中のアマルガム自体の部分と考えることができる。分離されたそれぞれの回路システムのこれらの第1および第2のエネルギー経路、それぞれのエネルギー経路の第1および第2の外部部分は、相補的な電気動作のために回路システムの一部として他方に対して配置されたエネルギー源およびエネルギー利用負荷部分のエネルギー経路として存在する。内部に配置されたそれぞれの回路部分は、アマルガムのAOCの中にある内部回路部分の対応するそれぞれの所定の部分で、(アマルガムの外部にある)第1および第2のエネルギー経路部分に結合される。
【0055】
所定の位置で実施されるアマルガムの部分との導電結合は、材料を用いた所定の導電結合プロセスまたは方法、あるいははんだ、抵抗はめ合いなどの電気結合分野で使用される所定の物理的な結合技法および所定の材料によって実施することができる。これらの内部回路部分は、電極経路または先に説明した相補エネルギー経路と考えることができる。一般に、先に説明した内部回路部分は遮蔽電極を含まず、これらの遮蔽エネルギー経路は、通常は所定の特性801を有する材料を含む部分によって、配置の中の少なくとも1つの離隔された...による方向性電気結合から絶縁されまたは分離される。
【0056】
それぞれ少なくとも2つの回路部分を有する第1および第2の回路システム(例えば図2CのC1/C2)はそれぞれさらに、少なくとも1つのエネルギー源、エネルギー利用負荷、少なくとも1つの第1のエネルギー経路、少なくとも1つの第2のエネルギー経路を含む。それぞれの回路システムは一般に、エネルギー源の供給側と考えることができるエネルギー源の第1の側から続く第1のエネルギー経路から出発し、第1のエネルギー経路は続いて、エネルギー利用負荷のエネルギー入力側と考えられるエネルギー利用負荷の第1の側に結合される。
【0057】
さらに、エネルギー源の点およびエネルギー利用負荷に実施された結合は、第1のエネルギー経路に対して、この位置が、やはりエネルギー利用負荷とエネルギー源の間にエネルギー源への帰還エネルギー経路として物理的に結合された第2の第1のエネルギー経路の配置から第1のエネルギー経路を導電的に電気的に分離することをコールアウトする(call out)確定的な考慮事項であることが認められる。したがって、(エネルギーの部分が使用または作業のために負荷によって変換された後の)エネルギー利用負荷のリターンアウト側と考えられるエネルギー源の第2の側を出た少なくとも1つの第2のエネルギー経路は、エネルギー源のエネルギー・リターンイン側と考えられるエネルギー利用負荷の第2の側に結合される。
【0058】
コールアウトされた3つの多回路アマルガム配置の1つの顕著な差は、垂直多回路アマルガム配置が、実施される電気動作の他の回路システム部分に対して必ずしも反対または相補的であるというわけではない関係に、むしろアマルガムの中で起こる2つの回路システム間の「ヌル(null)」相互作用を可能にする配置に向けられて回路部分が他方の上に重ねられ、またはスタックされた配置を含むことであり、一方、両方の電気回路システムは、互いに導電的に結合され、任意の1つのそれぞれの回路システムの別の外部導電性部分に導電的に結合された第1の複数の電極の電極から成る「接地」された遮蔽構造によって容易にされた基準電源を共用している。
【0059】
いくつかのケースでは、相補エネルギー経路の1つの部分への結合がある使用者に対して望ましい可能性があることが企図され、そのため、一方の回路システムを、分離された遮蔽電極構造の導電結合を有する他方のシステムよりも優遇するこの配置が出願人によって完全に企図される。しかし、回路システムは、複数間のスタックされまたは隣接するこのような配置を明らかにする少なくともそれぞれの配置に関して互いに他方に対してスタックされて動作可能であるので、遮蔽構造の分離が維持されるとき、含まれる回路システムの非相補エネルギー経路への結合を用いて生み出される最小インピーダンス経路は、少なくとも2つの分離された回路システムのエネルギーに共通する低インピーダンス導電性経路を動的に生み出す。
【0060】
次に、図2A〜2Bのアマルガムの一実施形態6000を参照する。アマルガム6000は、先に論じた材料801の層の上に形成された個々の電極層を示す図2Aの分解図に示されている。図2Aのアマルガム化された所定の遮蔽電極構造は、835、825、815、800/800−IM、810、820、830および840で示されたサイズの等しい奇数個の遮蔽電極、ならびに後に開示する−IMI「X」および/または−IMO「X」で示された画像平面遮蔽電極用のオプションの任意の遮蔽電極(図示せず)を含む所定の遮蔽電極配置である。
【0061】
アマルガム6000は少なくとも、835、825、815、800/800−IM、810、820、830および840で示された実質的に同じ形状、同じサイズの第1の複数の電極、ならびに845BA、845BB、855BA、855BB、865BAおよび865BBで示された実質的に同じ形状、同じサイズの第2の複数の電極を含み、これらは、第1の複数の電極および第2の複数の電極を含むためにやはりセットとして集められた均一にグループ化された可能な任意の数の電極をアマルガムに提供する可能な組合せのために、元々の2群の複数の電極のさまざまな下位構成で組み合わされる。
【0062】
アマルガム6000は、後に図2Cに示すようにそれぞれ他方に対して電気的にヌルの方法で相互に動的に利用しあう少なくとも2つの電気的に分離された独立した回路システム(C1−C2)の2つの90度方向の4つの経路003A、003B、004Aおよび004Bに結合することができる。
【0063】
アマルガムの可能な複数の構成または組合せの第1の組合せは、第1の複数の電極を含み、さらに、少なくとも2つまたは4つの方向に分割され、855BA、855BB、865BAおよび865BBのうちの少なくとも1つの電極を含む構成を含み、そのそれぞれの延長79「XX」が、ちょうど9時、12時、3時および6時の場合の時計の針のように、4つの可能な90度方向のうちの少なくとも1つと向き合った、第2の複数の電極を含む組合せである。
【0064】
アマルガムの可能な複数の構成または組合せの第2の組合せは、第1の複数の電極および第2の複数の電極を含み、相補対のグループとして分割された第2の複数の電極をさらに含み、伝搬エネルギーの通電方向が、他方から180度である少なくとも1対の時計位置を向き、自体の「ロック」された対合方向が互いに対して、「ヌル」(この場合は90度)に配置されたちょうど9時+3時の場合、または12時+6時セットの場合の時計の針のように本明細書にやはり示された可能な2つの「ヌル」または90度方向の一方を向く組合せである。
【0065】
アマルガムの可能な複数の構成または組合せの第3の組合せは、第1の複数の電極および第2の複数の電極を含み、少なくとも2つの電極セットに分割された第2の複数の電極をさらに含む組合せである。第1の電極セットはさらに、相補電極845BA、845BBおよび相補電極865BA、865BBを含む対をなす相補電極のグループを含む。少なくとも2つの電極セットのうちの第2の電極セットは、対をなす相補電極845BAおよび845BBを含む。後に図2Cに示すように、第2の複数の電極の第1の電極セットは、アマルガムを利用する相補部分を有する可能な複数の回路の第1の回路の部分を含み、第2の複数の電極の第2の電極セットは、アマルガムを利用する相補部分を有する可能な複数の回路の第2の回路の部分を含む。
【0066】
アマルガムを構成する第1の複数の電極および第2の複数の電極はさらに、複数の遮蔽電極および複数の被遮蔽電極に分類することができる。835、825、815、800/800−IM、810、820、830および840で示された第1の複数の電極または複数の遮蔽電極にはさらにGNDGという呼称が与えられ、互いに導電的に結合されたときに共通遮蔽構造(符号なし)を提供し、6000アマルガムに関する79G−「x」電極延長方向という識別子、845BA、845BB、855BA、855BB、865BAおよび865BBで示された第2の複数の電極、ならびに先に論じたそれらのそれぞれの79「XX」電極延長の位置および方向。
【0067】
この複数のGNDG電極は遮蔽電極として動作可能であり、互いに導電的に結合されて単一の遮蔽手段として機能し、複数のGNDG電極がグループまたは構造として、外部に配置された共通導電性領域または経路007に導電的に結合されたときに複数の回路システム(この場合にはC1およびC2)に最小インピーダンス経路を提供する。
【0068】
最小構成6000における第1の主要な複数の電極と第2の主要な複数の電極との組合せの他の組合せは、835、825、815、800/800−M、810、820、830および840で示された遮蔽電極として機能する第1の複数の電極の中に差し込まれた少なくとも第1、第2および第3の複数の電極を含むアマルガムとして第1の複数の電極と単に連結する、後に説明するように第2の複数の電極および第3の複数の電極に均一に分割された第2の主要な複数の電極を有する。第1の複数の電極のそれぞれの電極は一般にGNDGと呼ばれる。これは、第1の複数の電極のかなめの8「XX」/800−IMC中央電極として働くように機能がシフトすることができる第1の複数の電極の任意の電極の能力を示すために実施され、示された一般的な電極810GNDGとしてのアマルガムが、図2Cの共通基準節点0000を有する多回路配置の最小アマルガム(互いに対してヌルの方向に向けられた電極対として実施形態6000の2つの対845BA、845BBおよび855BA、855BBだけが配置されたアマルガム。この場合、ヌルは90度)の中央遮蔽電極810/800−IM−Cとなる。
【0069】
図2Aおよび図2Bを続けて参照する。この電極配列では、第2および第3の複数の電極のそれぞれの電極が、第1の複数の電極の少なくとも2つの電極GNDG間にスタックされる。さらに、第2および第3の複数の電極の対をなすそれぞれの電極は、その電極対が、第1の複数の電極の少なくとも1つの電極GNDGをサンドイッチするように配置される。
【0070】
したがって、アマルガム6000の最小電極配列は...。対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BAは、第1の電極GNDGの上、第2の電極GNDGの下にスタックされる。対をなす第2の複数の電極の第2の電極845BBは、第2の電極GNDGの上、第3の電極GNDGの下にスタックされる。対をなす第3の複数の電極の第1の電極855BAは、第3の電極GNDGの上、第4の電極GNDGの下にスタックされる。対をなす第3の複数の電極の第2の電極855BBは、第4の電極GNDGの上、第5の電極GNDGの下にスタックされる。この最小配列では、第2および第3の複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に分離され、さらに第1の複数の電極GNDGからも導電的に分離されている。
【0071】
図1に示したように、図2Aでは電極855BAが、電極800/800−IMと810とによって同時にサンドイッチされた本体電極部分80を有する。遮蔽本体電極部分81sは実質的に同じサイズおよび形状であり、同時に、電極855BAは、他方に対して同じ遮蔽機能領域を受け取るその本体電極部分80のそれぞれの大きな領域側を有しているので、その本体電極部分80の電極縁803は、ともに第1の複数の電極の共通に結合された遮蔽電極800/800−IMおよび810の電極縁805sを有する、重ねられ、位置合わせされた2つの遮蔽本体電極部分81sのサンドイッチしている周囲によって確立された境界「DMZ」または領域806の中に維持される。
【0072】
次に図2Bを参照すると、組み立てられた状態のアマルガム6000が示されている。調節器本体の周囲には外部電極バンドが配置されている。共通遮蔽電極GNDGは、複数の外部電極798−1〜4に導電的に結合された複数の端子電極部分79G−1(図2Aに示されている)を含む。先に論じた最小電極配列では、対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BAが、外部電極891BAに導電的に結合された端子電極部分79BA(図2Aに示されている)を含み、対をなす第3の複数の電極の第2の電極845BBが、外部電極891BBに導電的に結合された端子電極部分79BB(図2Aに示されている)を含む。対をなす第2の複数の電極の第1の電極855BAが、外部電極890BAに導電的に結合された端子電極部分79BA(図2Aに示されている)を含み、対をなす第3の複数の電極の第2の電極855BBが、外部電極890BBに導電的に結合された端子電極部分79BB(図2Aに示されている)を含む。対応する対をなす電極の端子電極部分および外部電極は互いから180度の角度に配置され、エネルギーの相殺を可能にすることに留意されたい。
【0073】
取り付けられた一方または両方の回路が使用できる静電容量を増大させるため、追加の電極対をアマルガム6000に追加する。再び図2Aを参照する。追加の電極対865BA、865BBを、第2の複数の電極の第1の電極対と方向が一致したスタック配列として追加する。対をなす第2の複数の電極の第1の追加の電極865BAを、第5の電極GNDGの上、第6の電極GNDGの下にスタックする。対をなす第3の複数の電極の第2の追加の電極865BBを、第4の電極GNDGの上、第5の電極GNDGの下にスタックする。第1の追加の電極865BAを、外部電極891BAへの共通導電性結合を介して第2の複数の電極の第1の電極845BAに導電的に結合する。第2の追加の電極865BBを、外部電極891BBへの共通導電性結合を介して第3の複数の電極の第2の電極845BAに導電的に結合する。追加の電極対は、第2の電極対855BA、855BBに隣接して配置する代わりに、第1の電極対845BA、845BBに隣接して配置することもできることに留意されたい。図示されてはいないが、より多くの追加の対をなす電極および電極GNDGを追加することによって、結合された一方または両方の回路が使用できる静電容量をさらに増大させることができる。
【0074】
図2Cは多回路図である。この図は、多回路配置の本発明のアマルガムを図示の構成に限定しようとするもではなく、多回路動作における本発明のアマルガムの汎用性、有用性を示すことを意図したものである。
【0075】
共通基準節点0000を有する多回路配置の最小アマルガム(互いに対してヌルの方向に向けられた電極対として実施形態6000の2つの対845BA、845BBおよび855BA、855BBだけが配置されたアマルガム。この場合、ヌルは90度)は、(C1の回路システム全体の相補部分、および図2Aに示した電極845BA、845BBから成る相補電極グループの対応する反転鏡像の対配置)を含むことができる、1つの回路C1の遮蔽されたエネルギーを対向させる第1の手段、および(C2の回路システム全体の相補部分、および図2Aに示した電極855BA、855BBから成る相補電極グループの対応する反転鏡像の対配置)を含むことができる、別の回路C2の遮蔽されたエネルギーを対向させる第2の手段を含むことができ、これらの第1および第2の手段は、(少なくとも830、820、810、800および815を含み、例えば電極810が図2Aの810/800−IM−Cとなる互いに導電的に結合された実質的に同じ形状および同じサイズの少なくとも複数の遮蔽電極である)少なくとも1つの遮蔽手段によって、C1およびC2のそれぞれの回路部分の相補電極グループの対応する反転鏡像の対配置のメンバとして個別に遮蔽された要素を有し、遮蔽手段(上記複数の遮蔽電極)はさらに、遮蔽されたエネルギーを対向させる(上記)第1の手段、および遮蔽されたエネルギーを対向させる(上記)第2の手段を互いから遮蔽する。つまり、C1およびC2のそれぞれの回路部分はそれぞれ、少なくとも2つのそれぞれの回路部分として、(上で説明した)回路部分の遮蔽手段によって(上で説明したように)他方から遮蔽される。
【0076】
詳細には図2Cの多回路図はさらに、上で説明した小さな部分だけでなく、それぞれ少なくとも源001、002および負荷L1、L2を有する分離された2つの回路システムClおよびC2を有する...に結合された図2Aに示した3対から成る完全な実施形態6000を有するであろう多回路実施形態0000の全体を含む。C1およびC2はそれぞれ、アマルガム6000内の自体のある相補部分に寄与し、サンドイッチされ、複数の遮蔽電極のメンバ間で互いに導電的に分離されている。845BA、845BB、855BA、855BBおよび865BA、865BBから成る内部に配置されたそれぞれの回路部分対はそれぞれ、対応する第1の電極または第2の電極結合部分891BAおよび891BBのところで結合される。分離された回路システムC1は、エネルギー源001とエネルギー利用負荷L1の両方に対して存在し、相補電気動作のために、結合SLS1A(源から負荷側1Aまで)、SLS1BおよびLSS1A、LSS1B(負荷から源側1Bまで)のところで回路システムC1の一部として他方に対して配置されたそれぞれの相補エネルギー経路のS−L−C1外部経路部分およびL−S−C1外部経路部分に結合される。分離された回路システムC1はそれぞれ、当技術分野で周知の標準的な結合接続手段(例えばはんだ結合など)である回路部分導電結合C1−891BAおよびC1−891BBによって電極結合部分891BAおよび891BBに結合される。C1−891BBは、S−L−C1外部経路に対して、SLS1A、C1−891BBおよびSLS1Bでの結合を含む外部エネルギー経路グループとの結合によって実施され、源001および負荷L1の電気的に反対の側で外部エネルギー経路グループに結合している。
【0077】
C1−891BAは、上で述べたS−L−C1外部経路の相補外部経路L−S−C1に対して、C1−891BAによる第2の電極結合部分891BAによる結合、負荷のLSS1Aでの、アマルガムの891BAおよび源の帰入力(source return)で結合されたLSS1Bへの結合を含む外部エネルギー経路グループとの結合によって実施される。それぞれの結合は、源1および負荷1の対応するそれぞれの所定の部分を、源1および負荷1の対応するそれぞれの所定の部分の適当な反対側に対して実施した。
【0078】
表示C「X」の1を2に替え、電極結合部分の891BAおよび891BBをそれぞれ890BAおよび890BBに替えるだけで、回路2すなわちC2は同じである。
【0079】
最後に、79G−1ないし79G−4は、互いに導電的に結合され、さらに例えば必ずしもそれぞれの回路システムC1またはC2のではない別の外部導電性部分に導電的に結合された第1の複数の電極の電極から成る「接地」された遮蔽構造によって平等に容易にされた電圧基準節点または共通基準節点(CNR)を提供している導電性部分007に導電的に共通に結合される。さらに、1つの回路の遮蔽されたエネルギーを対向させる少なくとも1つの第1の手段と、他の回路の遮蔽されたエネルギーを対向させる少なくとも1つの第2の手段とを備え、遮蔽されたエネルギーを対向させる第1および第2の手段を、個別におよび互いにそれぞれ遮蔽するための手段を有する共通基準節点を有する多回路配置として説明した最小配置の4つの相補電極の第1の2つの最小グループの2連動作中に、少なくとも2つの容量網セットが、C1およびC2によって個別にそれぞれに生み出され、これは、図2Aに示した同じアマルガム内のユニットX2Y−1およびユニットX2Y−2としてそれぞれ一体化された、少なくとも1つのライン・ツー・ライン・コンデンサ、および2つのライン・ツー・レファレンス・ラインまたは「接地」コンデンサを含むことに留意されたい。これらは全て相互に共用されたものの結果である(基準線は、先に述べたように、アマルガム化され分離された2つの回路配置およびそれらのそれぞれの部分の通電の結果、C1とC2によって相互に共用された共通導電性領域007、接地または基準電位007である)。
【0080】
図2Aは、物理的に少なくとも90度の位相外れおよびC1とC2の間の電気動作で動作可能なヌル配置位置を示しているが、それは、C1とC2の間で互いに対して物理的および電気的にヌル状態であると考えられる。
【0081】
この特定の構成では、図2Aが、C1およびC2が他方に対して互いに等しい90度の物理角度にあるが、普通なら互いに有害な影響を有するであろうそれぞれのh場束放射に対してヌル干渉が使用可能であると考えることを可能にする他の任意の方向位置も、出願人によって十分に企図される。例えば、例えば物理的に90度ずれた2つの回路を他方から垂直に間隔を置いて配置し、同じヌル効果機能を効果的に達成する垂直距離分離でこれらの回路を配置することによって。追加の−IMI−「x」遮蔽電極を有する追加された801材料はこれを実施できる材料である。
【0082】
したがって、少なくとも2つの分離された回路部分対に対するヌル位置は、ヌル関係、ならびに新しいアマルガムの中で見られるそれぞれの分離された回路部分対の少なくとも2つの方向場束位置間の相対効果または干渉のその程度を決定するための第1の位置および第2の位置を展開する8「XX」/−IMC中央遮蔽電極に対する関連中央点からの少なくとも2つまたは3つの位置決め軸について1度から180度とすることができる。したがって、8「XX」/−IMC中央遮蔽電極に対する関連中央点からの少なくとも2つまたは3つの位置決め軸について、通電されたときに、アマルガム配置は、それぞれの一対の分離された回路システム部分に沿って互いに相互作用するエネルギー場(もしある場合)に対して部分的または完全な「ヌル効果」の発生を可能にする。したがって、ほぼ任意の相補バイパスおよび/またはフィードスルー電極経路が、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置内で動作することができる。一緒にAOC、「対をなす電気的に対向する」...で、相補バイパスおよび/またはフィードスルー電極対として、アマルガムの介在遮蔽電極経路の配置に対して互いから少なくとも1度から359度離れた物理方向のどこかにある方法で。
【0083】
この最小構成の第1の複数の電極はさらに互いに導電的に結合され、第1の複数の電極の最低5つのメンバが共通に結合され、物理的な遮蔽を受け取る電極またはエネルギー経路の少なくとも2つの対向する領域のそれぞれの側にそれぞれのサンドイッチ電極の実質的に同じ量の遮蔽領域を提供する単一の実質的に均一な遮蔽構造となり、またはこのような遮蔽構造として機能する。したがって、エネルギー回路1(Cl)のエネルギー経路845BA、8865BAはそれぞれ、845BB、865BBと相補的に対をなし、エネルギー回路2(C2)は、互いにヌルの相補電極855ABおよび855BBとともに、2つの複数の分離された回路として同時に動作する。互いに導電的に結合されて、グループ化され互いに導電的に結合されたケージに似た遮蔽構造として機能する、第1の複数の電極のこれらの7つのメンバ830、820、810、800、815、825および835を利用することによって、第1の複数の電極は、相補導体845BA、8865BA、845BB、865BB、855ABおよび855BBの物理的および動的な遮蔽を提供する。
【0084】
実質的に同一のエネルギー回路1(Cl)のエネルギー経路のこの対応する反対の配置は、グループ化された845BB、865BBとそれぞれ相補的に対をなすグループ化された845BA、8865BAを含み、回路2(C2)は、相補的に対をなす電極855ABおよび855BBとともに動作する。したがって、C1とC2は他方から90度離れて配置され、互いに対してヌル関係になる。
【0085】
全体的に、C1およびC2システムに結合した実施形態6000は、2つのエネルギー経路間の対をなす対称の対応する反対の配置関係と考えられる静的な相補物理関係を確立しまたは生み出すのに使用可能である。Clのエネルギー経路845BA、8865BAはそれぞれ845BB、865BBと相補的に対をなし、C2は、実質的に同じ形状およびサイズの互いにヌルの相補電極855ABおよび855BBとともに動作するので、全体的に両者は、それらのそれぞれの対向する表面領域が他方と「面と向かって」一致するように他方と実質的に一致しまたは対応する。
【0086】
C2が互いにヌルの相補電極855ABおよび855BBとともに動作する間に845BB、865BBとそれぞれ相補的に対をなすC1のエネルギー経路845BA、8865BA間のこの平衡した対応する物理的な相補関係は、回路システムの両側に見られるエネルギー部分が、同時に2つの逆相のエネルギー部分が、C2が互いにヌルの相補電極855ABおよび855BBとともに動作する間に845BB、865BBとそれぞれ相補的に対をなすC1の2つのそれぞれのエネルギー経路845BA、8865BAのうちの一方を利用するこができる程度に、他方に対して平衡した相互に相補的な動的関係で、C2が互いにヌルの相補電極855ABおよび855BBとともに動作する間に845BB、865BBとそれぞれ相補的に対をなすC1のエネルギー経路845BA、8865BAと選択的に結合された通電されたアマルガム配置の通電および動作時に、少なくとも1つの回路システムに、動的動作で伝搬して、通電された回路システムの一部分でこのAOCを利用しているこれらのエネルギーおよびその後の任意のエネルギーに対して実質的に平衡した進行中の持続可能な相補電気調節動作を確立し維持することを可能にする。他方に関して対をなすエネルギー部分は、2つの対応する部分と動的の範囲内で伝搬する続くエネルギー部分の相互作用または混合で効果的に相殺される、アンペール(Ampere)および彼の法則に始まる、ファラデー(Faraday)、マクスウェル(maxwell)、テスラ(Tesla)、アインシュタイン(Einstein)、プランク(Planck)他の生涯の研究を含む科学によって確立された規則に従って互いに相殺する相互h場伝搬を確立する。
【0087】
ストレート垂直多回路動作が可能なアマルガムは、少なくとも2群の複数の電極経路の電極配置を含む。2群の複数の電極経路のうちの第1の複数の電極経路は、配置内に遮蔽電極と考えられる電極を含む。第1の複数の電極経路は、物理的な構成、外観、形状およびサイズにおいて互いに均一であることができる。垂直配置内で、第1の複数の電極経路のメンバは、全ての周囲縁805または...が互いに整列するように互いに対して重ねられて配置される。少なくとも3つの多回路アマルガム配置のそれぞれのアマルガム多回路配置はそれぞれ、通電動作中の回路基準節点として、および任意の多回路アマルガム配置の共通遮蔽電極構造の接地のための結合された共通エネルギー電位として単一の共通導電性領域を利用する。
【0088】
いくつかのケースでは、垂直多回路アマルガム配置が、互いに対して水平に広げられ、他方の上にはスタックされない分離された回路配置部分を含む。
【0089】
アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の動作能力とは、基本的に同じサイズ、および/または効果的かつ実質的に同じサイズの相補導体および/または電極および/または(両方の電極経路を有する)電極経路カウンターパートの対に沿ったさまざまなエネルギー部分の相補伝搬を調節する能力をいい、大部分はほとんど常に、スペーシングが空気であるのか、所定の特性を有する材料であるのか、かつ/あるいは単純に所定の特性を有する媒質および/または物質であるのかにかかわらず、電極間の少なくともある種のスペーシングによって物理的に分離される。次いで、相補エネルギー伝搬の調節も大部分は、互いに導電的に結合された、先に説明した相補電極経路対ではない複数の共用エネルギー導体または電極経路の介在する物理的により大きな配置によって分離される。この構造は、接地されたエネルギー経路構造、共通エネルギー経路構造、共通導電性構造、または相補導体を利用しているエネルギー部分セットと相補導体の両方に対して接地されたファラデー・ケージとして機能する遮蔽構造となり、アマルガムおよび/またはアマルガム回路配置は通常、エネルギー・システムおよび/または試験装置で見られるエネルギー経路に沿ってDC、ACおよびAC/DCハイブリッド型のエネルギー伝搬を使用するエネルギーを調節することができることに留意されたい。これは、多くのさまざまなタイプのエネルギー伝搬フォーマットを含むシステム、同じエネルギー・システム・プラットホーム内の多くの種類の回路伝搬特性を含むシステムでエネルギーを調節するアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置の利用を含む。
【0090】
図2Aには示されておらず、図3Aおよび4Aに開示されている、−IMO−「X」として示された追加的に配置された外側遮蔽電極経路および−IMI−「X」として示された追加的に配置された内側遮蔽電極経路(800/800−IMを除く)は常にオプションである。追加的に配置された外側および内側遮蔽電極経路も常に互いに導電的に結合され、さらに、800/800−IMで示された中央遮蔽電極、および最終的な静的アマルガム中の複数の遮蔽電極のうちの他の任意のメンバに導電的に結合される。
【0091】
8「XX」/800−IMを除いて、使用されるときには、図4Aおよび4Bに示すように800/800−IMで示された共通中央遮蔽電極をサンドイッチする少なくとも偶数の、または1対の−IMI「X」が常にあり、使用されるときには、任意の最終的な静的アマルガムにおいて、800/800−IMで示された共通中央遮蔽電極を含む複数の遮蔽電極に導電的に結合される。
【0092】
(#−IMI−「X」)で示された任意の追加的に配置された内側に配置された共通遮蔽電極経路の有無にかかわらず、全体アマルガムの中の中央遮蔽電極または中央遮蔽電極グループである、あるいは中央遮蔽電極または中央遮蔽電極グループとして全体アマルガムの中に配置される任意の数の遮蔽電極は常に、少なくとも1である奇数個の遮蔽電極である。反対に、全体アマルガムの中に見られる第1の複数の電極または複数の遮蔽電極の電極の総数は常に、少なくとも3の奇数である。
【0093】
−IMO−「X」として示された追加的に配置された外側遮蔽電極経路は通常、アマルガムの遮蔽有効度を全体的に増大させる。これらの電極は、アマルガムに対する外側および内側起源のEMIからの追加の遮蔽有効度を提供するのを助け、さらに、通常、被遮蔽相補電極に隣接した(8「XX」/800−IMを除く)−IM「X」−「X」と示されたもの以外の必須の遮蔽電極を容易にすることができる。さらに、アマルガムを構成する任意の複数のスタックされた全体電極の中心電極、ならびに任意の複数の第1の電極または遮蔽電極を含む全体電極の中心電極として相対的に示された中央遮蔽電極800/800−IMを除いて、第1の複数の電極の残りの電極、ないし複数の遮蔽電極の残りの電極は、中央遮蔽電極800/800−IMの両側に等しくかつ均一に分割される。
【0094】
したがって、(共用中央遮蔽電極800/800−IMを除く)複数の遮蔽電極の2グループの残りの電極の総数はそれぞれで常に偶数になるが、単一のおよび共用の像「0」電圧基準電位物理遮蔽構造が少なくとも3(図3A〜3B)なので、中央遮蔽電極800/800−IMと合わせると、全体では、常に互いに導電的に結合されたときに一緒に働く複数の遮蔽電極を含む奇数個の電極になる。
【0095】
垂直にスタックされた分離された回路部分(図2A〜C)または水平配置と垂直配置のハイブリッド(図4A〜B)の場合以外、3でない例外はあったとしても少なく、少なくとも5つの遮蔽電極が必要となる。アマルガムのそれぞれの源−負荷回路システム、およびそれらのそれぞれの回路システムのエネルギーインまたはエネルギーアウト経路を含む任意のそれぞれの源−負荷回路システムの共通導電性領域または電位に導電的に結合された相互に結合されたそれぞれの複数の遮蔽電極に通電したときに、構造内に全体的にサンドイッチされた被遮蔽エネルギー経路に沿って伝搬するエネルギーに対して静電または動的遮蔽機能を提供する静電遮蔽構造として、偶数と奇数の両方の数の電極が互いに対してそれぞれ同様に動作する。
【0096】
図3Aを参照すると、多回路エネルギー調節構成部品の他の実施形態8000の分解図が示されている。この実施形態では、材料層801の上に複数の共面電極が配置されている。最小構成では、構成部品8000が、第1の回路を調節する相補的な第1の手段、第2の回路を調節する相補的な第2の手段、ならびに第1および第2の相補的な調節手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段を備える。
【0097】
回路を調節する相補的な第1の手段は、対をなす複数の相補電極845FA、845FBによって提供される。第2の回路を調節する相補的な第2の手段は、対をなす第2の複数の相補電極845BA、845BBによって提供される。
【0098】
第1および第2の相補的な調節手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段は、一般にGNDDと呼ばれる第3の複数の電極によって提供される。対をなすそれぞれの相補電極対の一方の電極は第1の材料層801上の所定の位置に配置される。対応する第2の電極は、第2の材料層801上の同じ位置に配置される。
【0099】
対をなす第1の複数の相補電極845FA、845FBおよび対をなす第2の複数の相補電極845BA、845BBは、第3の複数の電極GNDDに差し込まれる。第3の複数の電極GNDGは、先に論じた共通遮蔽構造を提供し、そのため第3の複数の電極GNDGは互いに導電的に結合された遮蔽電極として動作可能であり、最小インピーダンス経路を提供する。
【0100】
互いに共面の対をなす第1の複数の電極の第1の電極845FAと、対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BAは、第1の電極GNDDの上、第2の電極GNDDの下にスタックされる。互いに共面の対をなす第1の複数の電極の第2の電極845FBと、対をなす第2の複数の電極の第2の電極845BBは、第2の電極GNDGの上、第3の電極GNDGの下にスタックされる。
【0101】
対をなす第1の複数の相補電極845FA、845FBはフィードスルー電極として示されており、一方、対をなす第2の複数の相補電極845BA、845BBはバイパス電極として示されていることに留意されたい。これらの電極は、バイパスまたはフィードスルーの任意の組合せとすることができ、示した構成に限定されない。
【0102】
電極GNDDは全て、後に論じる外部電極バンド798−1〜6に導電的に結合されており、したがって互いに導電的に結合されている。反対に、対をなす電極845FA/845FBおよび845BA/845BBのそれぞれの電極は、互いに導電的に分離されており、さらに第3の複数の電極GNDGの電極からも導電的に分離されている。
【0103】
以上に最小構成を論じたが、追加の回路の結合を調節するために、第1および第2の対をなす複数の電極に追加の共面電極対を追加することができる。図3Aを参照すると、対をなす第3の複数の電極845CFA、845CFBが、第1および第2の対をなす複数の電極の対応する電極と共面の関係に追加されている。これらの電極は、クロスオーバー・フィードスルーと呼ばれる2つのフィードスルーから成るフィードスルーの変形である。図示はされていないが、追加の共面電極対を追加することができる。
【0104】
他の変形では、追加の遮蔽を提供し、外部共通導電性領域または経路に結合されたときに最小インピーダンス経路を提供する電極GNDIが、対をなす電極間に共面関係で配置される。
【0105】
先に述べたように、対応する対をなす電極835FA/835FB、835BA/835BB、835CFA/835CFBの追加の層を既存の層の上および/または下に追加することによって、構成部品8000に追加の静電容量を追加することができる。
【0106】
図3Bを参照すると、組み立てられた状態の多回路アマルガム8000が示されている。調節器本体の周囲には外部電極バンドが配置されている。共通遮蔽電極GNDDおよびGNDIは、複数の外部電極798−1〜6に導電的に結合された複数の端子電極部分79G−1〜6(図3Aに示されている)を含む。対をなす第1の複数の電極の第1の電極845FAはその両端に、外部電極891FAおよび891FBに導電的に結合された2つの端子電極部分79FA(図3Aに示されている)を含む。対をなす第1の複数の電極の第2の電極845FBはその両端に、外部電極890FAおよび890FBに導電的に結合された2つの端子電極部分79FB(図3Aに示されている)を含む。対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BAは、外部電極890BAに導電的に結合された端子電極部分79BA(図3Aに示されている)を含み、対をなす第2の複数の電極の第2の電極845BBは、外部電極890BBに導電的に結合された端子電極部分79BB(図3Aに示されている)を含む。対をなす第3の複数の電極の第1の電極845CFAはその両端に、それぞれ外部電極890CFAおよび890CFBに導電的に結合された2つの端子電極部分79CFA1、79CFA2(図3Aに示されている)を含む。対をなす第3の複数の電極の第2の電極845CFBはその両端に、それぞれ外部電極891CFAおよび891CFBに導電的に結合された2つの端子電極部分79CFB1、79CFB2(図3Aに示されている)を含む。対応する対をなす電極の端子電極部分および外部電極は互いから概ね180度の角度で配置され、エネルギーの相殺を可能にすることに留意されたい。
【0107】
以前の実施形態では、スタッキング6000に電極を垂直に追加することによって、および共面スタッキング8000に電極を水平に追加することによって多回路結合能力を提供する多層エネルギー調節器またはアマルガムを開示した。これらの実施形態の一変形が、図4Aおよび4Bに示すように少なくとも3つの回路に対して多回路結合能力を提供するハイブリッド・アマルガム10000である。
【0108】
次に図4Aを参照すると、先に論じた材料層801上に形成された個々の電極層を示すアマルガム10000の分解図が示されている。調節器10000は、第1の回路を調節する相補的な第1の手段、第2の回路を調節する相補的な第2の手段、第3の回路を調節する相補的な第3の手段、および第1、第2および第3の相補的な調節手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段を備える。
【0109】
回路を調節する相補的な第1の手段は、対をなす第1の複数の相補電極845BA1、845BB1によって提供される。第2の回路を調節する相補的な第2の手段は、対をなす第2の複数の相補電極845BA2、845BB2によって提供される。第3の回路を調節する相補的な第3の手段は、対をなす第3の複数の相補電極855BA、855BBによって提供される。
【0110】
第1、第2および第3の相補的な調節手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段は、一般にGNDGと呼ばれる第4の複数の電極によって提供される。
【0111】
第1および第2の対をなすそれぞれの相補電極対の一方の電極は、第1の材料層801上の所定の位置に配置される。対応する第2の電極は、第2の材料層801上の同じ位置に配置される。
【0112】
対をなす第1の複数の相補電極845BA1、845BB1、対をなす第2の複数の相補電極845BA2、845BB2および対をなす第3の複数の相補電極855BA、855BBは、第4の複数の電極GNDDに差し込まれる。第4の複数の電極GNDGは、先に論じた共通遮蔽構造を提供し、そのため第4の複数の電極GNDGは互いに導電的に結合された遮蔽電極として動作可能であり、外部に配置された共通導電性領域または経路に導電的に結合されたときに最小インピーダンス経路を提供する。
【0113】
互いに共面の対をなす第1の複数の電極の第1の電極845BA1と、対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BA2は、第1の電極GNDDの上、第2の電極GNDDの下にスタックされる。互いに共面の対をなす第1の複数の電極の第2の電極845BB1と、対をなす第2の複数の電極の第2の電極845BB2は、第2の電極GNDGの上、第3の電極GNDGの下にスタックされる。対をなす第3の複数の電極の第1の電極855BAは、第3の電極GNDGの上、第4の電極GNDGの下にスタックされる。対をなす第3の複数の電極の第2の電極855BBは、第4の電極GNDGの上、第5の電極GNDGの下にスタックされる。この最小配列では、第1、第2および第3の複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に分離され、さらに第4の複数の電極GNDGからも導電的に分離されている。
【0114】
図4Bを参照すると、組み立てられた状態のハイブリッド・アマルガム1000が示されている。調節器本体の周囲には外部電極バンドが配置されている。共通遮蔽電極GNDGは、複数の外部電極798−1〜4に導電的に結合された複数の端子電極部分79G−1〜4(図4Aに示されている)を含む。対をなす第1の複数の電極の第1の電極845BA1は、外部電極890BBに導電的に結合された端子電極部分79BBA1(図4Aに示されている)を含み、対をなす第1の複数の電極の第2の電極845BB1は、外部電極890BAに導電的に結合された端子電極部分79BBB1(図4Aに示されている)を含む。対をなす第2の複数の電極の第1の電極845BA2は、外部電極891BBに導電的に結合された端子電極部分79BBA2(図4Aに示されている)を含み、対をなす第2の複数の電極の第2の電極845BB2は、外部電極891BAに導電的に結合された端子電極部分79BBB2(図4Aに示されている)を含む。対をなす第3の複数の電極の第1の電極855BAは、外部電極893BBに導電的に結合された端子電極部分79BA(図4Aに示されている)を含み、対をなす第3の複数の電極の第2の電極855BBは、外部電極893BAに導電的に結合された端子電極部分79BB(図4Aに示されている)を含む。対応する対をなす電極の端子電極部分および外部電極は互いから180度の角度で配置され、エネルギーの相殺を可能にすることに留意されたい。
【0115】
図示した対をなす電極は全てバイパス電極だが、この実施形態はこれに限定されるわけではなく、バイパス、フィードスルーおよび/またはクロスオーバー・フィードスルー電極対の任意の組合せを含むことができる。対応する対をなす電極の端子電極部分および外部電極は互いから180度の角度で配置され、エネルギーの相殺を可能にすることに留意されたい。図示されてはいないが、これまでの実施形態において先に示したように、より多くの追加の対をなす電極および電極GNDGを追加することによって、結合された1つ、2つまたは全ての回路が使用可能な静電容量をさらに増大させることができる。
【0116】
先に論じたとおり、対応する対をなす電極および共通遮蔽電極を追加することによって、追加の回路接続を支持することができる。共通遮蔽電極は、接続された全ての回路に対する低インピーダンスの共通経路、ならびに最適化されたファラデーおよび/または遮蔽ケージのような機能およびサージ散逸領域を提供する既存の共通遮蔽構造に導電的に結合される。少なくとも2つの分離された源と少なくとも2つの分離された負荷の間の共通電圧および/または回路電圧基準を共用し提供するために、分離された複数の完全な回路が、同じ共通エネルギー経路に導電的に結合された関連共用電極遮蔽グループを有することができることは出願人によって十分に企図される。追加の遮蔽共通導体を任意の実施形態とともに使用して、出願人によって示され、かつ十分に企図される両方および/または複数の回路に対して、低インピーダンスの増大した共通経路条件を提供することができる。
【0117】
さらに、ほぼ任意の形状、厚さおよび/またはサイズのアマルガムおよび/またはアマルガム回路配置を構築することができ、形状、厚さおよび/またはサイズは電気応用に応じて変更することができる。以上のように、本発明のアマルガムは先に記載したさまざまな目的を達成する。本発明のアマルガムを示し説明したが、当業者なら、本発明のアマルガムの趣旨および範囲から逸脱することなく本発明のアマルガムに他の修正および変更を実施することができることは明らかであり、理解される。
【0118】
最後に、当業者ならば、さまざまな態様およびさまざまな実施形態要素の要素限界をそっくり、かつ/または部分的に交換できること、ならびに以上の説明は例にすぎず、添付の請求項に記載のアマルガムを限定することを意図したものでは全くないことを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の構成に基づく図2Aの実施形態6000の一部分の上面図である。
【図2A】
2つの別個の相補エネルギー経路対を備えた多回路同相/差動モード・エネルギー調節器(conditioner)である、開示の構成に基づく実施形態6000の分解平面図である。
【図2B】
開示の構成に基づく図2Aの個別構成部品バージョン6000の一部分の上面図である。
【図2C】
図2Aおよび図2Bに開示した単一の共通基準節点を共用する分離された2つの回路の回路図である。
【図3A】
共面遮蔽を有する(1つの)クロスオーバー・フィードスルー対、(1つの)ストレート・フィードスルー対および(1つの)バイパス対を含む3つの別個の相補エネルギー経路対を備えた多回路同相/差動モード・エネルギー調節器である、本発明の構成に基づく一変形実施形態8000の分解平面図である。
【図3B】
本発明の構成に基づく図3Aの構成部品8000の一部分の上面図である。
【図4A】
うち(2つの)対が共面である3つの別個の相補バイパス・エネルギー経路対を備えた多回路同相/差動モード・エネルギー調節器である、本発明の構成に基づく一変形実施形態10000の分解平面図である。
【図4B】
本発明の構成に基づく図4Aの構成部品10000の一部分の上面図である。
Claims (40)
- 1つの回路を調節する相補的な第1の手段と、
他の1つの回路を調節する相補的な第2の手段と、
相補的な第1および第2の調節手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段と
を備えたアマルガム。 - 1つの回路のエネルギーを対向させる分離された第1の手段と、
別の1つの回路のエネルギーを対向させる分離された第2の手段と、
エネルギーを対向させる分離された第1および第2の手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段と
を備えたアマルガム。 - 1つの回路の遮蔽されたエネルギーを対向させる第1の手段と、
別の1つの回路の遮蔽されたエネルギーを対向させる第2の手段と、
遮蔽されたエネルギーを対向させる第1および第2の手段を個別にかつ互いから遮蔽する手段と
を備えたアマルガム。 - 分離された第1の回路の一部分のエネルギーを調節する手段と、分離された第2の回路の一部分のエネルギーを調節する手段と、遮蔽手段とを備え、
遮蔽手段が、分離された第1の回路の前記一部分および分離された第2の回路の前記一部分を他方から遮蔽する
アマルガム。 - 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび同じ形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合された、
請求項1に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合された、
請求項2に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、互いに導電的に結合された複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が実質的に同じサイズおよび形状である、
請求項3に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合された、
請求項4に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段、第1および第2の相補的な調節手段が、所定の特性を有する材料によって互いから離隔されている、請求項1に記載のアマルガム。
- 遮蔽手段、エネルギーを対向させる分離された第1および第2の手段を遮蔽する手段が、所定の特性を有する材料によって互いから離隔されている、請求項2に記載のアマルガム。
- 遮蔽手段、遮蔽されたエネルギーを対向させる第1および第2の手段を遮蔽する手段が、所定の特性を有する材料によって互いから離隔されている、請求項3に記載のアマルガム。
- 分離された第1の回路の一部分のエネルギーを調節する手段、分離された第2の回路の一部分のエネルギーを調節する手段および遮蔽手段が、所定の特性を有する少なくとも1種の材料によって互いから離隔されている、請求項4に記載のアマルガム。
- 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合された、
請求項9から12の一項に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合されており、
アマルガムが多層アレイとして動作可能な、
請求項9から12の一項に記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに導電的に結合されており、
前記複数の電極がファラデー・ケージとして動作可能な、
請求項9から12の一項に記載のアマルガム。 - 受動エネルギー調節器として動作可能な、請求項1から8または9から12のいずれかに記載のアマルガム。
- 受動エネルギー調節器として動作可能であり、
調節された受動エネルギーが多層アレイである、
請求項1から8または9から12のいずれかに記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、互いに導電的に結合された複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が実質的に同じサイズおよび形状であり、
遮蔽手段がファラデー・ケージとして動作可能な、
請求項1から4または9から12のいずれかに記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、互いに導電的に結合された複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が実質的に同じサイズおよび同じサイズであり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が環形である、
請求項1から4または9から12のいずれかに記載のアマルガム。 - 遮蔽手段が、互いに導電的に結合された複数の電極であり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が実質的に同じサイズおよび同じサイズであり、
前記複数の電極のそれぞれの電極が少なくとも1つの開口を含む、
請求項1から4または9から12のいずれかに記載のアマルガム。 - エネルギー部分が第1の源を出て、第1の負荷の入力に伝搬し、次いで第1の負荷の出力から再び第1の源に伝搬することができるように動作可能な第1のエネルギー伝搬手段と、
エネルギー部分が第2の源を出て、第2の負荷の入力に伝搬し、次いで第2の負荷の出力から再び第2の源に伝搬することができるように動作可能な第2のエネルギー伝搬手段と、
第1および第2のエネルギー伝搬手段の少なくとも所定の部分を遮蔽する手段と
を備え、
第1のエネルギー伝搬手段、第2のエネルギー伝搬手段および遮蔽手段が互いから導電的に分離されている
アマルガム。 - 第1のエネルギー源から第1のエネルギー利用負荷の少なくとも1つの入力まで導電的に結合された第1のエネルギー経路、および第1のエネルギー利用負荷の出力から第1のエネルギー源の少なくとも1つの帰入力(return)まで導電的に結合された第2のエネルギー経路を含み、第1および第2のそれぞれのエネルギー経路の相互相補部分が、エネルギー経路構造によって個別にかつ他方から同時に遮蔽される、互いに導電的に分離された第1の複数のエネルギー経路と、
第2のエネルギー源から第2のエネルギー利用負荷の少なくとも1つの入力まで導電的に結合された第1のエネルギー経路、および第2のエネルギー利用負荷の出力から第2のエネルギー源の少なくとも1つの帰入力まで導電的に結合された第2のエネルギー経路を含み、第1および第2のそれぞれのエネルギー経路の相互相補部分が、エネルギー経路構造によって個別にかつ他方から同時に遮蔽される、互いに導電的に分離された第2の複数のエネルギー経路と
を備え、
エネルギー経路構造が、第1または第2の複数のエネルギー経路の任意の1つの相互相補部分を、それぞれ第1または第2の複数のエネルギー経路の他の任意の1つの相互相補部分から同時に遮蔽する
アマルガム。 - 第1および第2のエネルギー伝搬手段の所定の部分が、第1および第2のエネルギー伝搬手段の少なくとも所定の部分を遮蔽する手段によって個別にかつ互いからそれぞれ遮蔽された、請求項21に記載のアマルガム。
- 電極配置の所定の導電性部分を利用して少なくとも2つの回路の伝搬エネルギー部分を調節する方法であって、
少なくとも複数の所定の導電性部分を有する電極配置を用意する段階と、
少なくとも2つの回路を用意する段階
を含み、
前記少なくとも2つの回路のそれぞれの回路がさらに、源、負荷、および源および負荷の2端の一方にそれぞれ導電的に結合された一対のエネルギー経路を含み、
さらに、
電極配置の複数の所定の導電性部分のうちの少なくとも1つの第1の所定の導電性部分を、回路電圧基準として動作可能な電位を有する導電性経路に導電的に結合する段階と、
前記少なくとも2つの回路の第1の回路の第1のエネルギー経路対の第1および第2のエネルギー経路を、複数の所定の導電性部分の第2および第3の所定の導電性部分に導電的に結合する段階と、
前記少なくとも2つの回路の第2の回路の第2のエネルギー経路対の第1および第2のエネルギー経路を、複数の所定の導電性部分の第4および第5の所定の導電性部分に導電的に結合する段階と、
前記少なくとも2つの回路に通電して、前記少なくとも2つの回路がそれぞれ前記回路電圧基準を同時に利用できるようにする段階と
を含む方法。 - 互いに導電的に結合された複数の電極と、
互いに導電的に分離された第1の電極セットと、
互いに導電的に分離された第2の電極セットと
を備え、
第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が互いに導電的に分離され、
前記複数の電極の第1および第2の電極が第1の電極セットをサンドイッチし、前記複数の電極の第2および第3の電極が第2の電極セットをサンドイッチし、
第1の電極セットのそれぞれの電極が、第2の電極セットの対応する電極に対してそれぞれ反対向きの位置に配置され、
前記複数の電極のそれぞれの電極が、位置を合わせて互いに重ねられた遮蔽電極であり、
前記複数の電極が互いに重ねられている
電極配置。 - 電極を遮蔽する導電性手段と、
互いに導電的に分離された第1の電極セットと、
互いに導電的に分離された第2の電極セットと
を備え、
第1の電極セットのそれぞれの電極が、第2の電極セットの対応する電極に対してそれぞれ反対向きの位置に配置され、
第1および第2の電極セットが、電極を遮蔽する導電性手段の間に差し込まれ、かつ電極を遮蔽する導電性手段によってサンドイッチされ、
第1および第2の電極セットならびに電極を遮蔽する導電性手段が互いに導電的に分離されている
電極配置。 - 実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極と、
互いに導電的に分離された第1の電極セットと、
互いに導電的に分離された第2の電極セットと
を備え、
第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が互いに導電的に分離され、
第1の電極セットのそれぞれの電極が、第2の電極セットの対応する電極に対してそれぞれ反対向きの位置に配置され、前記複数の電極の第1および第2の電極によって第1の電極セットがサンドイッチされ、前記複数の電極の第2および第3の電極によって第2の電極セットがサンドイッチされ、
前記複数の電極の電極が互いに導電的に結合され、かつ互いに重ねられており、遮蔽構造として動作可能である
電極配置。 - 全て互いに導電的に結合された第1、第2、第3、第4および第5の遮蔽電極を含む複数の遮蔽電極と、
全て互いに導電的に分離された第1、第2、第3および第4の電極を含む複数の電極と
を備え、
第1および第2の遮蔽電極が第1の電極をサンドイッチし、第2および第3の遮蔽電極が第2の電極をサンドイッチし、第3および第4の遮蔽電極が第3の電極をサンドイッチし、第4および第5の遮蔽電極が第4の電極をサンドイッチし、
前記複数の電極の電極が互いに重ねられており、遮蔽構造として動作可能である
電極配置。 - 遮蔽構造のようにも機能する電極遮蔽手段と、
互いに導電的に分離された第1、第2、第3および第4の電極
を備え、
電極遮蔽手段が、第1、第2、第3および第4の電極をそれぞれ実質的に取り囲み、
第1の電極と第2の電極が実質的に同じサイズおよび形状であり、第1の対配置において第1の電極と第2の電極が互いに反対向きに配置され、
第3の電極と第4の電極が実質的に同じサイズおよび形状であり、第2の対配置において第3の電極と第4の電極が互いに反対向きに配置され、
第1の対配置と第2の対配置が、前記複数の電極に対して他方から少なくとも90度離れた位置に配置された
電極配置。 - 重ねられた配置である共通に結合された電極遮蔽手段と、
互いに導電的に分離された第1、第2、第3および第4の電極と
を備え、
共通に結合された電極遮蔽手段が、第1、第2、第3および第4の電極をそれぞれ実質的に取り囲み、
第1の電極と第2の電極が実質的に同じサイズおよび形状であり、第1の対配置において第1の電極と第2の電極が互いに反対向きに配置され、
第3の電極と第4の電極が実質的に同じサイズおよび形状であり、第2の対配置において第3の電極と第4の電極が互いに反対向きに配置され、
第1の対配置と第2の対配置が、共通に結合された電極遮蔽手段に対して他方から少なくとも90度離れた位置に配置された
電極配置。 - 互いに導電的に分離された電極を遮蔽する手段と、
互いに導電的に分離された第1、第2、第3および第4の電極と
を備え、
互いに導電的に分離された電極を遮蔽する手段が、第1、第2、第3および第4の電極からそれぞれ導電的に分離され、
第1の電極と第2の電極が互いに第1の相互対向配置方向にあり、第3の電極と第4の電極が第2の相互対向配置方向にあり、
第1の相互対向配置方向と第2の相互対向配置方向が、互いに導電的に分離された電極を遮蔽する手段に対して、互いから少なくとも90度回転して配置され、
互いに導電的に分離された電極を遮蔽する手段がさらに、少なくとも第1、第2、第3および第4の電極の遮蔽構造のように機能する
電極配置。 - 第1の遮蔽電極;第1の電極;第2の遮蔽電極;第2の電極;第3の遮蔽電極;第3の電極;第4の遮蔽電極;第4の電極および第5の遮蔽電極を含む最小電極配置配列
を備え、
第1、第2、第3、第4および第5の遮蔽電極が、互いに導電的に結合された実質的に同じサイズおよび形状の複数の遮蔽電極からのものであり、
第1、第2、第3および第4の電極が、互いに導電的に分離された実質的に同じサイズおよび形状の複数の電極からのものであり、
第1の電極と第2の電極が互いに対して第1の対向方向位置に配置され、第3の電極と第4の電極が互いに対して第2の対向方向位置に配置され、
第1の対向方向位置と第2の対向方向位置が複数の遮蔽電極に対して他方から少なくとも90度離れて配置され、
複数の遮蔽電極が遮蔽構造として機能する
電極配置。 - 遮蔽構造が、接地および通電されないファラデー・ケージのように機能する、請求項25に記載の電極配置。
- 第1の複数の電極の任意の1つの電極が、第1および第2の電極セットの任意の1つの電極よりも同様に大きい、請求項25に記載の電極配置。
- 前記複数の電極のそれぞれの電極が互いに位置を合わせて重ねられた、請求項25に記載の電極配置。
- 第1の電極セットのそれぞれの電極が、第2の電極セットの対応する電極と実質的に同じサイズおよび形状である、請求項25に記載の電極配置。
- 第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が少なくとも1種の材料によって互いに離隔されており、
前記材料がフェライト材料を含む、
請求項25に記載の電極配置。 - 第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が少なくとも1種の材料によって互いに離隔されており、
前記材料が誘電材料を含む、
請求項25に記載の電極配置。 - 第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が少なくとも1種の材料によって互いに離隔されており、
前記材料がバリスタ材料を含む、
請求項25に記載の電極配置。 - 少なくとも2つの回路
を備え、前記2つの回路のそれぞれの回路がそれぞれに、
少なくとも1つのエネルギー源およびエネルギー利用負荷と、
回路の第1のエネルギー源から回路のエネルギー利用負荷まで導電的に結合されたエネルギー源経路として動作可能な第1の導体と、
回路の第1のエネルギー利用負荷から回路のエネルギー源まで導電的に結合されたエネルギー帰還経路として動作可能な第2の導体と、
回路の第2のエネルギー源から回路のエネルギー利用負荷まで導電的に結合されたエネルギー源経路として動作可能な第3の導体と、
回路の第2のエネルギー利用負荷から回路のエネルギー源まで導電的に結合されたエネルギー帰還経路として動作可能な第2の導体と、
アマルガムのどの1つの導体からも導電的に分離された導電性領域と、
アマルガムと
を有し、前記アマルガムが、
互いに導電的に結合された複数の電極と、
互いに導電的に分離された第1の電極セットと、
互いに導電的に分離された第2の電極セットと
を有し、
第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が少なくとも1種の材料によって互いに離隔され、
第1および第2の電極セットならびに前記複数の電極が互いに導電的に分離され、
前記複数の電極の第1および第2の電極が第1の電極セットをサンドイッチし、前記複数の電極の第2および第3の電極が第2の電極セットをサンドイッチし、
第1の電極セットのそれぞれの電極が、第2の電極セットの対応する電極に対してそれぞれ反対向きの位置に配置され、
第1の電極セットの第1の電極が第1の導体に結合され、第2の電極セットの第1の電極が第2の導体に導電的に結合され、第1の電極セットの第2の電極が第3の導体に導電的に結合され、第2の電極セットの第2の電極が第4の導体に導電的に結合され、複数の遮蔽電極が導電性領域に導電的に結合されている
アマルガム・アセンブリ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US24112800P | 2000-10-17 | 2000-10-17 | |
PCT/US2001/032480 WO2002033798A1 (en) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | Amalgam of shielding and shielded energy pathways and other elements for single or multiple circuitries with common reference node |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004522295A true JP2004522295A (ja) | 2004-07-22 |
Family
ID=22909379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002536687A Pending JP2004522295A (ja) | 2000-10-17 | 2001-10-17 | 共通基準節点を有する単一または複数の回路のための遮蔽および被遮蔽エネルギー経路ならびに他の要素から成るアマルガム |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7433168B2 (ja) |
EP (1) | EP1334542A4 (ja) |
JP (1) | JP2004522295A (ja) |
KR (1) | KR100536511B1 (ja) |
CN (1) | CN1481603A (ja) |
AU (2) | AU1335602A (ja) |
CA (1) | CA2425946A1 (ja) |
IL (1) | IL155402A0 (ja) |
WO (1) | WO2002033798A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7301748B2 (en) | 1997-04-08 | 2007-11-27 | Anthony Anthony A | Universal energy conditioning interposer with circuit architecture |
US7321485B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-01-22 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US6603646B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
US7336468B2 (en) | 1997-04-08 | 2008-02-26 | X2Y Attenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US9054094B2 (en) | 1997-04-08 | 2015-06-09 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit arrangement for integrated circuit |
US8195295B2 (en) | 2008-03-20 | 2012-06-05 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter |
US7180718B2 (en) * | 2003-01-31 | 2007-02-20 | X2Y Attenuators, Llc | Shielded energy conditioner |
US7356050B2 (en) | 2003-12-17 | 2008-04-08 | Siemens Aktiengesellschaft | System for transmission of data on a bus |
WO2005065097A2 (en) | 2003-12-22 | 2005-07-21 | X2Y Attenuators, Llc | Internally shielded energy conditioner |
US6888062B1 (en) | 2003-12-30 | 2005-05-03 | Delphi Technologies, Inc. | Motor assembly having improved electromagnetic noise filtering and dissipation |
US7615479B1 (en) | 2004-11-08 | 2009-11-10 | Alien Technology Corporation | Assembly comprising functional block deposited therein |
WO2006093831A2 (en) | 2005-03-01 | 2006-09-08 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioner with tied through electrodes |
GB2439861A (en) | 2005-03-01 | 2008-01-09 | X2Y Attenuators Llc | Internally overlapped conditioners |
EP1991996A1 (en) | 2006-03-07 | 2008-11-19 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Energy conditioner structures |
US8761895B2 (en) * | 2008-03-20 | 2014-06-24 | Greatbatch Ltd. | RF activated AIMD telemetry transceiver |
US10080889B2 (en) | 2009-03-19 | 2018-09-25 | Greatbatch Ltd. | Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD |
US11147977B2 (en) | 2008-03-20 | 2021-10-19 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an aimd circuit board conductively connected to a ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
US9463329B2 (en) | 2008-03-20 | 2016-10-11 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter with co-fired hermetically sealed feedthrough |
US8095224B2 (en) | 2009-03-19 | 2012-01-10 | Greatbatch Ltd. | EMI shielded conduit assembly for an active implantable medical device |
US10272252B2 (en) | 2016-11-08 | 2019-04-30 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an AIMD having a composite brazed conductive lead |
US9427596B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-08-30 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US10350421B2 (en) | 2013-06-30 | 2019-07-16 | Greatbatch Ltd. | Metallurgically bonded gold pocket pad for grounding an EMI filter to a hermetic terminal for an active implantable medical device |
US10596369B2 (en) | 2011-03-01 | 2020-03-24 | Greatbatch Ltd. | Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device |
US9931514B2 (en) | 2013-06-30 | 2018-04-03 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US11198014B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-12-14 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing |
US20130046354A1 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Greatbatch Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
US9504843B2 (en) | 2011-08-19 | 2016-11-29 | Greatbach Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
US9093974B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-07-28 | Avx Corporation | Electromagnetic interference filter for implanted electronics |
USRE46699E1 (en) | 2013-01-16 | 2018-02-06 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US10249415B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-04-02 | Greatbatch Ltd. | Process for manufacturing a leadless feedthrough for an active implantable medical device |
US10607777B2 (en) | 2017-02-06 | 2020-03-31 | Avx Corporation | Integrated capacitor filter and integrated capacitor filter with varistor function |
US10905888B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-02 | Greatbatch Ltd. | Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer |
US10912945B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-09 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area |
CN112584837A (zh) | 2018-08-31 | 2021-03-30 | 细胞内治疗公司 | 新方法 |
US10695345B2 (en) | 2018-08-31 | 2020-06-30 | Intra-Cellular Therapies, Inc. | Pharmaceutical capsule compositions comprising lumateperone mono-tosylate |
Family Cites Families (190)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3240621A (en) * | 1960-11-14 | 1966-03-15 | Dictaphone Corp | High viscosity dispersions of magnetic pigments |
US3343034A (en) | 1961-06-21 | 1967-09-19 | Energy Conversion Devices Inc | Transient suppressor |
US3573677A (en) * | 1967-02-23 | 1971-04-06 | Litton Systems Inc | Connector with provision for minimizing electromagnetic interference |
US3742420A (en) | 1971-10-21 | 1973-06-26 | J Harnden | Protective electrical feed through assemblies for enclosures for electrical devices |
US3790858A (en) * | 1973-01-29 | 1974-02-05 | Itt | Electrical connector with component grounding plate |
US3842374A (en) | 1973-03-09 | 1974-10-15 | Allen Bradley Co | Feedthrough filter with non-linear resistive dielectric |
DE2433770C2 (de) | 1974-07-13 | 1982-09-02 | Interelectric AG, 6072 Sachseln | Verfahren zum Herstellen eines Stators für eine elektrische Maschine |
US4023071A (en) | 1975-06-09 | 1977-05-10 | Fussell Gerald W | Transient and surge protection apparatus |
US4139783A (en) * | 1975-09-02 | 1979-02-13 | General Electric Company | Single phase signal processing system utilizing charge transfer devices |
SE392010B (sv) * | 1976-02-27 | 1977-03-07 | Ericsson Telefon Ab L M | Net for kompensering av forlustdempningen temperaturavvikelse i ett passivt filter |
US4119084A (en) | 1977-05-11 | 1978-10-10 | Eckels Robert E | Building with passive solar energy conditioning |
JPS5445707A (en) * | 1977-09-17 | 1979-04-11 | Canon Inc | Dc electric machine |
US4191986A (en) * | 1978-05-12 | 1980-03-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Power line transient suppressors |
US4198613A (en) | 1978-05-17 | 1980-04-15 | Bunker Ramo Corporation | Filter contact |
US4335417A (en) | 1978-09-05 | 1982-06-15 | General Electric Company | Heat sink thermal transfer system for zinc oxide varistors |
US4394639A (en) | 1978-12-18 | 1983-07-19 | Mcgalliard James D | Printed circuit fuse assembly |
JPS55100727A (en) | 1979-01-26 | 1980-07-31 | Sony Corp | Noncyclic transversal filter |
US4262317A (en) | 1979-03-22 | 1981-04-14 | Reliable Electric Company | Line protector for a communications circuit |
JPS6311704Y2 (ja) * | 1979-06-11 | 1988-04-05 | ||
JPS55166324A (en) | 1979-06-14 | 1980-12-25 | Fujitsu Ltd | Switched capacitor filter |
US4292558A (en) | 1979-08-15 | 1981-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Support structure for dynamoelectric machine stators spiral pancake winding |
US4275945A (en) | 1979-08-31 | 1981-06-30 | The Bendix Corporation | Filter connector with compound filter elements |
DE3002041C2 (de) | 1980-01-21 | 1983-11-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrische Filterschaltung unter Verwendung von wenigstens einer simulierten Induktivität, die gesteuerte Schalter, Kondensatoren und Verstärker enthält |
FR2496970A1 (fr) * | 1980-12-18 | 1982-06-25 | Eurofarad | Composant electronique multiple du type ceramique multi-couches avec sorties alternees et son procede de fabrication |
US4384263A (en) | 1981-04-02 | 1983-05-17 | Corcom, Inc. | Leadless filter |
US5140297A (en) | 1981-04-02 | 1992-08-18 | Raychem Corporation | PTC conductive polymer compositions |
US4494092A (en) | 1982-07-12 | 1985-01-15 | The Deutsch Company Electronic Components Division | Filter pin electrical connector |
US4563659A (en) * | 1982-07-28 | 1986-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
JPS59144116A (ja) | 1983-02-07 | 1984-08-18 | 株式会社村田製作所 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
CH659550A5 (de) | 1983-03-21 | 1987-01-30 | Bbc Brown Boveri & Cie | Spannungsbegrenzende durchfuehrung. |
US4682129A (en) | 1983-03-30 | 1987-07-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film planar filter connector having separate ground plane shield |
JPS59188103A (ja) | 1983-04-08 | 1984-10-25 | 株式会社村田製作所 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
DE3325357C2 (de) | 1983-07-14 | 1985-05-30 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Anordnung zur Herausführung eines HF-Leiters aus einem abgeschirmten HF-Raum |
US4553114A (en) | 1983-08-29 | 1985-11-12 | Amp Incorporated | Encapsulated printed circuit board filter |
JPS6048230U (ja) | 1983-09-11 | 1985-04-04 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JPS61254022A (ja) | 1983-11-07 | 1986-11-11 | プロフロ− コ−ポレ−シヨン | 電源ラインフイルタ |
US4586104A (en) | 1983-12-12 | 1986-04-29 | Rit Research Corp. | Passive overvoltage protection devices, especially for protection of computer equipment connected to data lines |
US5059140A (en) | 1984-01-16 | 1991-10-22 | Stewart Stamping Corporation | Shielded plug and jack connector |
US4814941A (en) * | 1984-06-08 | 1989-03-21 | Steelcase Inc. | Power receptacle and nested line conditioner arrangement |
JPS611917U (ja) * | 1984-06-08 | 1986-01-08 | 株式会社村田製作所 | ノイズフイルタ− |
US4703386A (en) | 1984-06-08 | 1987-10-27 | Steelcase, Inc. | Power receptacle and associated filter |
US4780598A (en) | 1984-07-10 | 1988-10-25 | Raychem Corporation | Composite circuit protection devices |
US5148005A (en) | 1984-07-10 | 1992-09-15 | Raychem Corporation | Composite circuit protection devices |
US5089688A (en) * | 1984-07-10 | 1992-02-18 | Raychem Corporation | Composite circuit protection devices |
GB8418779D0 (en) * | 1984-07-24 | 1984-08-30 | Bowthorpe Emp Ltd | Electrical surge protection |
US4712062A (en) | 1984-12-20 | 1987-12-08 | Hughes Aircraft Company | Ground shield apparatus for giga-hertz test jig |
EP0187983B1 (de) | 1985-01-15 | 1989-11-29 | BBC Brown Boveri AG | Filterschaltung mit ZnO-Ueberspannungsableitern |
US4685025A (en) | 1985-03-14 | 1987-08-04 | Raychem Corporation | Conductive polymer circuit protection devices having improved electrodes |
JPS628512A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品 |
US4713540A (en) | 1985-07-16 | 1987-12-15 | The Foxboro Company | Method and apparatus for sensing a measurand |
US4612497A (en) | 1985-09-13 | 1986-09-16 | Motorola, Inc. | MOS current limiting output circuit |
US4752752A (en) | 1986-10-07 | 1988-06-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Noise filter |
US4746557A (en) | 1985-12-09 | 1988-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC composite component |
US4801904A (en) * | 1986-01-14 | 1989-01-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-like LC filter |
US4908590A (en) * | 1986-01-14 | 1990-03-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip-like LC filter |
JPS62205615A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 株式会社村田製作所 | セラミツクスの金属化方法 |
JPS62206776A (ja) | 1986-03-05 | 1987-09-11 | 株式会社村田製作所 | フイルタコネクタ |
US4688151A (en) | 1986-03-10 | 1987-08-18 | International Business Machines Corporation | Multilayered interposer board for powering high current chip modules |
US4799070A (en) * | 1986-03-26 | 1989-01-17 | Olympus Optical Co., Ltd. | Ion flow electrostatic recording process and apparatus |
JPH0419784Y2 (ja) | 1986-04-25 | 1992-05-06 | ||
JPH0429547Y2 (ja) | 1986-06-03 | 1992-07-17 | ||
KR880003356A (ko) * | 1986-08-13 | 1988-05-16 | 무라다 아끼라 | 고압콘덴서 |
JPH0758665B2 (ja) | 1986-09-18 | 1995-06-21 | ティーディーケイ株式会社 | 複合型回路部品及びその製造方法 |
GB8623176D0 (en) | 1986-09-26 | 1987-01-14 | Raychem Ltd | Circuit protection device |
US4814295A (en) * | 1986-11-26 | 1989-03-21 | Northern Telecom Limited | Mounting of semiconductor chips on a plastic substrate |
US4794485A (en) | 1987-07-14 | 1988-12-27 | Maida Development Company | Voltage surge protector |
JPS6427305A (en) | 1987-07-22 | 1989-01-30 | Murata Manufacturing Co | Lc filter |
US4908586A (en) * | 1987-09-30 | 1990-03-13 | Amp Incorporated | Compact encapsulated filter assembly for printed circuit boards and method of manufacture thereof |
US4772225A (en) | 1987-11-19 | 1988-09-20 | Amp Inc | Electrical terminal having means for mounting electrical circuit components in series thereon and connector for same |
US4999595A (en) * | 1988-01-22 | 1991-03-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | LC filter structure |
JP2598940B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-04-09 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品 |
US4794499A (en) | 1988-02-16 | 1988-12-27 | Ott John N | Grounding device for lamp with shielded electrodes |
US4845606A (en) | 1988-04-29 | 1989-07-04 | Fmtt, Inc. | High frequency matrix transformer |
US4819126A (en) | 1988-05-19 | 1989-04-04 | Pacific Bell | Piezoelectic relay module to be utilized in an appliance or the like |
US5065284A (en) | 1988-08-01 | 1991-11-12 | Rogers Corporation | Multilayer printed wiring board |
JPH02137212A (ja) | 1988-11-17 | 1990-05-25 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
US5079223A (en) * | 1988-12-19 | 1992-01-07 | Arch Development Corporation | Method of bonding metals to ceramics |
JPH0693589B2 (ja) | 1989-03-23 | 1994-11-16 | 株式会社村田製作所 | Lcフィルター |
US4978906A (en) | 1989-03-29 | 1990-12-18 | Fmtt, Inc. | Picture frame matrix transformer |
US5079669A (en) * | 1989-04-10 | 1992-01-07 | Williams Bruce T | Electrophotographic charging system and method |
US5173670A (en) | 1989-04-12 | 1992-12-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Designing method of π type LC filter |
FR2645982B1 (fr) | 1989-04-14 | 1991-06-14 | Alcatel Espace | Dispositif de regulation d'un parametre electrique lors d'un transfert d'energie entre deux reseaux |
US5161086A (en) | 1989-08-23 | 1992-11-03 | Zycon Corporation | Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture |
US5155655A (en) | 1989-08-23 | 1992-10-13 | Zycon Corporation | Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture |
US5079069A (en) * | 1989-08-23 | 1992-01-07 | Zycon Corporation | Capacitor laminate for use in capacitive printed circuit boards and methods of manufacture |
JPH0745337B2 (ja) | 1989-09-07 | 1995-05-17 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US4942353A (en) | 1989-09-29 | 1990-07-17 | Fmtt, Inc. | High frequency matrix transformer power converter module |
US5179362A (en) * | 1989-12-15 | 1993-01-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power line filter |
US4967315A (en) | 1990-01-02 | 1990-10-30 | General Electric Company | Metallized ceramic circuit package |
JPH03276510A (ja) | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Murata Mfg Co Ltd | 温度補償用磁器誘電体 |
JPH07120604B2 (ja) | 1990-03-26 | 1995-12-20 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
US5142430A (en) | 1990-03-28 | 1992-08-25 | Anthony Anthony A | Power line filter and surge protection circuit components and circuits |
JP2725439B2 (ja) | 1990-05-17 | 1998-03-11 | 株式会社 村田製作所 | 電子部品の周波数調整方法 |
US6183685B1 (en) * | 1990-06-26 | 2001-02-06 | Littlefuse Inc. | Varistor manufacturing method |
US5220480A (en) * | 1990-10-16 | 1993-06-15 | Cooper Power Systems, Inc. | Low voltage, high energy surge arrester for secondary applications |
US5382938A (en) * | 1990-10-30 | 1995-01-17 | Asea Brown Boveri Ab | PTC element |
JPH0779004B2 (ja) | 1990-10-31 | 1995-08-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
US5167483A (en) | 1990-12-24 | 1992-12-01 | Gardiner Samuel W | Method for utilizing angular momentum in energy conversion devices and an apparatus therefore |
US5109206A (en) | 1991-02-07 | 1992-04-28 | Ungermann-Bass, Inc. | Balanced low-pass common mode filter |
JPH05219690A (ja) | 1991-02-28 | 1993-08-27 | Hitachi Ltd | セラミックス摺動集電体 |
IL97425A (en) | 1991-03-04 | 1995-01-24 | Cohen Amir | author |
JP2606044B2 (ja) * | 1991-04-24 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体フィルタ |
US5181859A (en) * | 1991-04-29 | 1993-01-26 | Trw Inc. | Electrical connector circuit wafer |
US5401952A (en) * | 1991-10-25 | 1995-03-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Signal processor having avalanche photodiodes |
US5186647A (en) * | 1992-02-24 | 1993-02-16 | At&T Bell Laboratories | High frequency electrical connector |
US5243308A (en) | 1992-04-03 | 1993-09-07 | Digital Equipment Corporation | Combined differential-mode and common-mode noise filter |
US5378407A (en) * | 1992-06-05 | 1995-01-03 | Raychem Corporation | Conductive polymer composition |
US5266912A (en) * | 1992-08-19 | 1993-11-30 | Micron Technology, Inc. | Inherently impedance matched multiple integrated circuit module |
DE69314742T2 (de) * | 1992-09-23 | 1998-02-19 | Electromer Corp | Vorrichtung zum Schutz gegen elektrische Überbeanspruchung |
KR960013043B1 (ko) * | 1992-10-23 | 1996-09-25 | 삼성전기 주식회사 | 3단자형 노이즈 필터 및 그 제조방법 |
JP3265669B2 (ja) * | 1993-01-19 | 2002-03-11 | 株式会社デンソー | プリント基板 |
US5382928A (en) * | 1993-01-22 | 1995-01-17 | The Whitaker Corporation | RF filter having composite dielectric layer and method of manufacture |
JPH06252285A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 回路基板 |
US5475606A (en) * | 1993-03-05 | 1995-12-12 | International Business Machines Corporation | Faraday cage for a printed circuit card |
JPH0721903A (ja) * | 1993-07-01 | 1995-01-24 | Nec Corp | 電界放出型陰極を用いた陰極線管用電子銃構体 |
US5500629A (en) * | 1993-09-10 | 1996-03-19 | Meyer Dennis R | Noise suppressor |
JP3328399B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-09-24 | ティーディーケイ株式会社 | 積層コンデンサアレイ |
JPH07169649A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Tdk Corp | 積層貫通型コンデンサアレイ |
US5495180A (en) * | 1994-02-04 | 1996-02-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | DC biasing and AC loading of high gain frequency transistors |
JPH07235775A (ja) * | 1994-02-21 | 1995-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 多層プリント配線基板 |
JPH07273502A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Murata Mfg Co Ltd | ローパスフィルタ |
US5481238A (en) * | 1994-04-19 | 1996-01-02 | Argus Technologies Ltd. | Compound inductors for use in switching regulators |
US5491299A (en) * | 1994-06-03 | 1996-02-13 | Siemens Medical Systems, Inc. | Flexible multi-parameter cable |
FR2724527B1 (fr) * | 1994-09-13 | 1996-11-22 | Alsthom Cge Alcatel | Dispositions pour la reduction du champ electromagnetique emis par un equipement d'electronique de puissance |
US5719450A (en) * | 1994-10-17 | 1998-02-17 | Vora; Pramod | Touch responsive electric power controller |
US5614881A (en) * | 1995-08-11 | 1997-03-25 | General Electric Company | Current limiting device |
JP3869045B2 (ja) * | 1995-11-09 | 2007-01-17 | 株式会社日立製作所 | 半導体記憶装置 |
US5751539A (en) * | 1996-04-30 | 1998-05-12 | Maxwell Laboratories, Inc. | EMI filter for human implantable heart defibrillators and pacemakers |
JP3106942B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2000-11-06 | 株式会社村田製作所 | Lc共振部品 |
CN1191936C (zh) * | 1996-04-23 | 2005-03-09 | 萨尔技术有限公司 | 液滴沉积装置及其制造方法 |
US5875099A (en) * | 1996-05-09 | 1999-02-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
US5908350A (en) * | 1996-06-04 | 1999-06-01 | Ralph Dalton | Device for removing stains from swimming pool walls and concrete |
JPH1012490A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-16 | Murata Mfg Co Ltd | 貫通型積層コンデンサアレイ |
US5708553A (en) * | 1996-07-18 | 1998-01-13 | Hung; Je | Automatic switching-off structure for protecting electronic device from burning |
WO1998020557A1 (en) * | 1996-11-08 | 1998-05-14 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Method for reducing via inductance in an electronic assembly and device |
JPH10149948A (ja) * | 1996-11-19 | 1998-06-02 | Tdk Corp | 高電圧貫通形コンデンサ |
JP3092542B2 (ja) * | 1997-03-10 | 2000-09-25 | 株式会社村田製作所 | Lc複合部品 |
JPH10270496A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Hitachi Ltd | 電子装置、情報処理装置、半導体装置並びに半導体チップの実装方法 |
US6687108B1 (en) * | 1997-04-08 | 2004-02-03 | X2Y Attenuators, Llc | Passive electrostatic shielding structure for electrical circuitry and energy conditioning with outer partial shielded energy pathways |
US6509807B1 (en) * | 1997-04-08 | 2003-01-21 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
US6018448A (en) * | 1997-04-08 | 2000-01-25 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
US6894884B2 (en) * | 1997-04-08 | 2005-05-17 | Xzy Attenuators, Llc | Offset pathway arrangements for energy conditioning |
US7110235B2 (en) * | 1997-04-08 | 2006-09-19 | Xzy Altenuators, Llc | Arrangement for energy conditioning |
US6580595B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-06-17 | X2Y Attenuators, Llc | Predetermined symmetrically balanced amalgam with complementary paired portions comprising shielding electrodes and shielded electrodes and other predetermined element portions for symmetrically balanced and complementary energy portion conditioning |
US6606011B2 (en) * | 1998-04-07 | 2003-08-12 | X2Y Attenuators, Llc | Energy conditioning circuit assembly |
US6603646B2 (en) * | 1997-04-08 | 2003-08-05 | X2Y Attenuators, Llc | Multi-functional energy conditioner |
US5909350A (en) * | 1997-04-08 | 1999-06-01 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Paired multi-layered dielectric independent passive component architecture resulting in differential and common mode filtering with surge protection in one integrated package |
US5870272A (en) * | 1997-05-06 | 1999-02-09 | Medtronic Inc. | Capacitive filter feedthrough for implantable medical device |
US6208521B1 (en) * | 1997-05-19 | 2001-03-27 | Nitto Denko Corporation | Film carrier and laminate type mounting structure using same |
US6175287B1 (en) * | 1997-05-28 | 2001-01-16 | Raytheon Company | Direct backside interconnect for multiple chip assemblies |
US6208503B1 (en) * | 1997-06-06 | 2001-03-27 | Nippon Chemi-Con Corporation | Solid electrolytic capacitor and process for producing the same |
US5880925A (en) * | 1997-06-27 | 1999-03-09 | Avx Corporation | Surface mount multilayer capacitor |
JP3982876B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置 |
US5889445A (en) * | 1997-07-22 | 1999-03-30 | Avx Corporation | Multilayer ceramic RC device |
US6198123B1 (en) * | 1997-08-29 | 2001-03-06 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Shielded integrated circuit capacitor connected to a lateral transistor |
US5905627A (en) * | 1997-09-10 | 1999-05-18 | Maxwell Energy Products, Inc. | Internally grounded feedthrough filter capacitor |
JP3470566B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2003-11-25 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
DE19741746C1 (de) * | 1997-09-22 | 1999-02-04 | Siemens Ag | Leitungskoppelbaugruppe |
US6342681B1 (en) * | 1997-10-15 | 2002-01-29 | Avx Corporation | Surface mount coupler device |
US6208226B1 (en) * | 1997-11-06 | 2001-03-27 | Industrial Technology Research Institute | Planar comb(-)line filters with minimum adjacent capacitive(-) coupling effect |
JP2991175B2 (ja) * | 1997-11-10 | 1999-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
DE69837516T2 (de) * | 1997-11-14 | 2007-12-27 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Vielschichtkondensator |
US6191475B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-02-20 | Intel Corporation | Substrate for reducing electromagnetic interference and enclosure |
US6028753A (en) * | 1997-12-19 | 2000-02-22 | Allen-Bradley Company, Llc | Method and apparatus for interrupting a current carrying path in a multiphase circuit |
JPH11205006A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層フィルタ |
US6185091B1 (en) * | 1998-02-09 | 2001-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Four-terminal capacitor |
JP3055136B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2000-06-26 | 日本電気株式会社 | プリント回路基板 |
US6181231B1 (en) * | 1998-04-06 | 2001-01-30 | Silicon Graphics, Inc. | Diamond-based transformers and power convertors |
JP4132270B2 (ja) * | 1998-04-20 | 2008-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP3370933B2 (ja) * | 1998-05-01 | 2003-01-27 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
JP3336954B2 (ja) * | 1998-05-21 | 2002-10-21 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
JP4236017B2 (ja) * | 1998-06-12 | 2009-03-11 | 株式会社アイペックス | ノイズ防止装置 |
US6016095A (en) * | 1998-07-06 | 2000-01-18 | Herbert; Edward | Snubber for electric circuits |
US6208502B1 (en) * | 1998-07-06 | 2001-03-27 | Aerovox, Inc. | Non-symmetric capacitor |
CN1266533A (zh) * | 1998-07-17 | 2000-09-13 | 株式会社村田制作所 | 生产导电合成物的工艺以及由此生产的导电合成物 |
JP3309813B2 (ja) * | 1998-10-06 | 2002-07-29 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
US6037846A (en) * | 1998-10-09 | 2000-03-14 | Nortel Networks Corporation | Surface mount EMI gasket filter |
JP3717034B2 (ja) * | 1998-11-10 | 2005-11-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波素子 |
US6204448B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-03-20 | Kyocera America, Inc. | High frequency microwave packaging having a dielectric gap |
US6392502B2 (en) * | 1998-12-17 | 2002-05-21 | The Whitaker Corporation | Balun assembly with reliable coaxial connection |
US6157528A (en) * | 1999-01-28 | 2000-12-05 | X2Y Attenuators, L.L.C. | Polymer fuse and filter apparatus |
US6208225B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-03-27 | Formfactor, Inc. | Filter structures for integrated circuit interfaces |
US6208501B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-03-27 | Dielectric Laboratories, Inc. | Standing axial-leaded surface mount capacitor |
JP2001156569A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型lc複合部品 |
US6567257B2 (en) * | 2000-04-19 | 2003-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck |
JP3773396B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2006-05-10 | 住友電気工業株式会社 | コンタクトプローブおよびその製造方法 |
JP3551899B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2004-08-11 | 株式会社村田製作所 | 共振器、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
US6696952B2 (en) * | 2000-08-04 | 2004-02-24 | Hei, Inc. | Structures and assembly methods for radio-frequency-identification modules |
CN1468461A (zh) * | 2000-08-15 | 2004-01-14 | X2Y衰减器有限公司 | 用于电路能量调节的电极装置 |
JP2006528868A (ja) * | 2003-07-21 | 2006-12-21 | エックストゥーワイ アテニュエイターズ,エルエルシー | フィルタ組立体 |
-
2001
- 2001-10-17 WO PCT/US2001/032480 patent/WO2002033798A1/en active IP Right Grant
- 2001-10-17 JP JP2002536687A patent/JP2004522295A/ja active Pending
- 2001-10-17 AU AU1335602A patent/AU1335602A/xx active Pending
- 2001-10-17 EP EP01981731A patent/EP1334542A4/en not_active Withdrawn
- 2001-10-17 IL IL15540201A patent/IL155402A0/xx unknown
- 2001-10-17 US US10/399,590 patent/US7433168B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-17 KR KR10-2003-7005361A patent/KR100536511B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-10-17 CA CA002425946A patent/CA2425946A1/en not_active Abandoned
- 2001-10-17 AU AU2002213356A patent/AU2002213356B2/en not_active Ceased
- 2001-10-17 CN CNA018206492A patent/CN1481603A/zh active Pending
- 2001-10-17 US US09/982,553 patent/US20020079116A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-05-31 US US11/139,526 patent/US7224564B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL155402A0 (en) | 2003-11-23 |
KR20030057541A (ko) | 2003-07-04 |
US20040085699A1 (en) | 2004-05-06 |
US7224564B2 (en) | 2007-05-29 |
WO2002033798A1 (en) | 2002-04-25 |
KR100536511B1 (ko) | 2005-12-14 |
AU2002213356B2 (en) | 2005-03-10 |
US20050248900A1 (en) | 2005-11-10 |
AU1335602A (en) | 2002-04-29 |
CN1481603A (zh) | 2004-03-10 |
EP1334542A4 (en) | 2008-10-29 |
CA2425946A1 (en) | 2002-04-25 |
US7433168B2 (en) | 2008-10-07 |
EP1334542A2 (en) | 2003-08-13 |
US20020079116A1 (en) | 2002-06-27 |
WO2002033798B1 (en) | 2002-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004522295A (ja) | 共通基準節点を有する単一または複数の回路のための遮蔽および被遮蔽エネルギー経路ならびに他の要素から成るアマルガム | |
AU2002213356A1 (en) | Amalgam of shielding and shielded energy pathways and other elements for single or multiple circuitries with common reference node | |
US7274549B2 (en) | Energy pathway arrangements for energy conditioning | |
US7262949B2 (en) | Electrode arrangement for circuit energy conditioning | |
US6687108B1 (en) | Passive electrostatic shielding structure for electrical circuitry and energy conditioning with outer partial shielded energy pathways | |
US20090103225A1 (en) | Energy pathway arrangement | |
US7193831B2 (en) | Energy pathway arrangement | |
US6894884B2 (en) | Offset pathway arrangements for energy conditioning | |
US20030029635A1 (en) | Pathway arrangement | |
US20020122286A1 (en) | Energy pathway arrangement | |
AU2002230443B2 (en) | Energy pathway arrangement | |
AU2002230443A1 (en) | Energy pathway arrangement | |
US20020131231A1 (en) | Energy pathway arrangements for energy conditioning | |
JP2004530298A (ja) | エネルギ調節用のオフセット経路構成 | |
JP2004527108A (ja) | エネルギ調節用エネルギ経路の配置 | |
KR100940140B1 (ko) | 에너지 조절 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070724 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071022 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080408 |