JP2004502656A - (r)−2−アルキル−3−フェニル−1−プロパノールの調製方法 - Google Patents

(r)−2−アルキル−3−フェニル−1−プロパノールの調製方法 Download PDF

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Abstract

−置換プロピオン酸エステルを式R−CHOのR−及びR−置換ベンズアルデヒドに立体選択的に付加させて、対応する3−R−3−ヒドロキシ−2−R−プロピオン酸エステルを生成し、そのOH基を脱離基に転化させ、その後、位置選択的に脱離して3−R−2−R−プロペン酸エステルを生成し、対応する3−R−2−R−アリルアルコールに還元して、それらをエナンチオ選択的に水素化すること(ここで、Rは、(a)である)によって、式I(式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり、及びRは、C〜Cアルキルである)の化合物を高収率で得ることができる。

Description

【0001】
本発明は、(R)−2−アルキル−3−フェニル−1−プロパノールの調製のための立体選択的方法及びその工程において得られる新規中間生成物に関する。
【0002】
欧州特許第0678503−A号には、レニン抑制特性を示し、医薬品の血圧降下剤として用いることができるδ−アミノ−γ−ヒドロキシ−ω−アリール−アルカンカルボキシアミドが記載されている。記載されている製造法は、工程の数及び収率の点で不満足なものであり、工業的方法には適さない。これらの方法の不利な点は、得ることができる純粋なジアステレオマーの総収率があまりにも小さいことでもある。
【0003】
新規方法では、2,7−ジアルキル−8−アリール−4−オクテノイルアミドから出発し、その二重結合が、ラクトン化のもとで、5位においてハロゲン化されると同時に4位においてヒドロキシル化され、次に、そのハロゲンがアジドによって置換され、ラクトンがアミド化されて、アジドがアミド基に移動する。所望のアルカンカルボキシアミドは、この新規方法を用いて、高い総収率とともに高純度で得られ、選択的に純粋なジアステレオマーを調製することができる。工程a)のハロラクトン化、工程b)のアジド化、及び工程d)のアジド還元は、P.Heroldによってthe Journal of Organic Chemistry、54巻(1989)、1178〜1185ページに記載されている。
【0004】
2,7−ジアルキル−8−アリール−4−オクテノイルアミドは、例えば、式A:
【0005】
【化11】
Figure 2004502656
【0006】
及び特に、式A1:
【0007】
【化12】
Figure 2004502656
【0008】
(式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり;Rは、C〜Cアルキルであり;Rは、C〜Cアルキルであり;Rは、C〜Cアルキルであり、Rは、C〜CアルキルもしくはC〜Cアルコキシであるか、又はR及びRは、一緒になって、場合によりC〜Cアルキル、フェニルもしくはベンジルで置換されているテトラメチレン、ペンタメチレン、3−オキサ−1,5−ペンチレン又はCHCHO−C(O)−である)
に対応しうる。
【0009】
式A及びA1の化合物は、ラセミ化合物又はエナンチオマーとしての式B:
【0010】
【化13】
Figure 2004502656
【0011】
の化合物を、ラセミ化合物又はエナンチオマーとしての式C:
【0012】
【化14】
Figure 2004502656
【0013】
(式中、R〜R、R及びRは、上記で定義したとおりであり、Yは、Cl、Br又はIであり、Zは、Cl、Br又はIである)
の化合物と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が存在する状態で反応させることによって得ることができる。Y及びZは、好ましくはBr及び特にClである。
【0014】
式Bの化合物は、欧州特許第0678503−A号で知られている。式Cの化合物は、対応する炭酸エステル、アミド又はハロゲン化物のアミド化から調製することができる。トリアルキルアルミニウム又はジアルキルアルミニウムハロゲン化物が存在する状態での、例えば、塩化トリメチルアルミニウム又は塩化ジメチルアルミニウムを用いる、炭酸エステル及びアミンからのカルボキサミド生成は、S.M.WeinrebによってOrg.Synthesis, VI(1998)の49ページに記載されている。炭酸エステルは、強塩基、例えば、アルカリ金属アミドが存在する状態でのtrans−1,3−ジハロゲンプロペン(例えば、trans−1,3−ジクロロプロペン)と対応する炭酸エステルとの反応によって得ることができる。
【0015】
特に、工業的方法に関して、式Bの化合物の立体選択的調製に申し分のない溶液は、まだ発見されていない。意外にも、今般、2−アルキル−3−フェニルプロピオン酸を、わずか三工程で、高収率で、立体選択的に調製することができることがわかった。適切に置換されたベンズアルデヒドを炭酸エステルと縮合させて、2−アルキル−3−ヒドロキシ−3−フェニルプロピオン酸エステルを生成する時、所望のジアステレオマーは、驚くべき高収率で、容易に単離することができる結晶性化合物として得ることができる。ヒドロキシ基を離脱基に転化させた後に、強塩基で脱離させることによって、2−アルキル桂皮酸エステルが、驚くほど高い位置選択性で生成される。水素化後に得られたアリルアルコールを今度は一定の触媒が存在する状態で水素化して、事実上エナンチオマー的に純粋な2−アルキル−3−フェニル−1−プロパノールを生成することができる。その後、これらのアルコールは、それ自体知られている方法で、ハロゲン化によって式Bの化合物に転化させることができる。
【0016】
本発明の目的は、式I:
【0017】
【化15】
Figure 2004502656
【0018】
(式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり、及びRは、C〜Cアルキルである)
の化合物の調製方法であって、
a)式II:
【0019】
【化16】
Figure 2004502656
【0020】
(式中、R及びRは、上記で定義したとおりである)
の化合物を式III:
【0021】
【化17】
Figure 2004502656
【0022】
(式中、Rは、上記で定義したとおりである)
の化合物と反応させて、式IV:
【0023】
【化18】
Figure 2004502656
【0024】
(式中、Rは、C〜C12アルキル、C〜Cシクロアルキル、フェニル又はベンジルである)
の化合物を生成すること;
b)式IVの結晶性化合物を単離し、そのOH基を離脱基に転化させ、及び強塩基が存在する状態で離脱基を含む化合物を反応させて、式V:
【0025】
【化19】
Figure 2004502656
【0026】
の化合物を生成すること;
c)式Vの炭酸エステルを還元して、式VI:
【0027】
【化20】
Figure 2004502656
【0028】
のアルコールを生成すること;及び
d)水素と、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの群からの金属を含み、キラル二座配位子が結合されている不斉水素化触媒としての触媒量の金属錯体とが存在する状態で、式VIのアルコールを水素化して、式Iの化合物を生成することを含む方法である。
【0029】
及びRは、直鎖状又は分岐鎖状アルキルであることができ、好ましくは、1〜4個のC原子を含む。例には、メチル、エチル、n−及びi−プロピル、n−、i−及びt−ブチル、ペンチル及びヘキシルがある。
【0030】
及びRは、直鎖状又は分岐鎖状ハロゲンアルキルであることができ、好ましくは1〜4個のC原子を含み、1又は2個のC原子が特に好ましい。例には、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、クロロメチル、ジクロロメチル、トリクロロメチル、2−クロロエチル及び2,2,2−トリフルオロエチルがある。
【0031】
及びRは、直鎖状又は分岐鎖状アルコキシであることができ、好ましくは1〜4個のC原子を含む。例には、メトキシ、エトキシ、n−及びi−プロピルオキシ、n−、i−及びt−ブチルオキシ、ペンチルオキシ及びヘキシルオキシがある。
【0032】
及びRは、直鎖状又は分岐鎖状アルコキシアルキルであることができる。このアルコキシ基は、好ましくは1〜4個、及び特に1〜2個のC原子を含み、このアルキル基は、好ましくは1〜4個のC原子を含む。例には、メトキシメチル、1−メトキシエテ−2−イル、1−メトキシプロプ−3−イル、2−メトキシブト−4−イル、メトキシペンチル、メトキシヘキシル、エトキシメチル、1−エトキシエテ−2−イル、1−エトキシプロプ−3−イル、1−エトキシブト−4−イル、エトキシペンチル、エトキシヘキシル、プロピルオキシメチル、ブチルオキシメチル、1−プロピルオキシエテ−2−イル及び1−ブチルオキシエス−2−イルがある。
【0033】
及びRは、直鎖状又は分岐鎖状C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであることができる。このアルコキシ基は、好ましくは1〜4個、及び特に1〜2個のC原子を含み、このアルキルオキシ基は、好ましくは1〜4個のC原子を含む。例には、メトキシメチルオキシ、1−メトキシエテ−2−イルオキシ、1−メトキシプロプ−3−イルオキシ、1−メトキシブト−4−イルオキシ、メトキシペンチルオキシ、メトキシヘキシルオキシ、エトキシメチルオキシ、1−エトキシエテ−2−イルオキシ、1−エトキシプロプ−3−イルオキシ、1−エトキシブト−4−イルオキシ、エトキシペンチルオキシ、エトキシヘキシルオキシ、プロピルオキシメチルオキシ、ブチルオキシメチルオキシ、1−プロピルオキシエテ−2−イルオキシ及び1−ブチルオキシエテ−2−イルオキシがある。
【0034】
好ましい態様において、Rは、メトキシ−C〜Cアルキルオキシ又はエトキシ−C〜Cアルキルオキシであり、Rは、好ましくはメトキシ又はエトキシである。Rが1−メトキシプロプ−3−イルオキシであり、Rがメトキシである式Iの化合物は、特に相当好ましい。
【0035】
は、直鎖状又は分岐鎖状アルキルであることができ、好ましくは1〜4個のC原子を含む。例には、メチル、エチル、n−及びi−プロピル、n−、i−及びt−ブチル、ペンチル及びヘキシルがある。好ましい態様において、式Iの化合物中のRは、イソプロピルである。
【0036】
がメトキシ−n−プロポキシであり、Rがメトキシであり、Rがイソプロピルである式Iの化合物は、特に好ましい。
【0037】
は、好ましくはC〜Cアルキルであり、C〜Cアルキルが特に好ましい。一部の例には、メチル、エチル、n−プロピル及びn−ブチルがある。
【0038】
工程a)において用いられる式II及びIIIの出発化合物は知られており、又は知られている方法と類似した方法で調製することができる。式IIの化合物は、欧州特許第0678503−A号に記載されている。この反応は、少なくとも当量の強塩基が存在する状態で、低温、例えば0〜40℃で有利に行われる。この反応は、溶媒(ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン及び特に適するジオキサンなどのエーテル)中でさらに好適に行われる。適する強塩基は、特に、アルカリ金属アルコラート及びリチウムジイソプロピルアミドなどの第二アミドである。
【0039】
式IVの所望のジアステレオマーが、驚くべきことに約75%まで生成される。式IVの化合物は、驚くべきことに結晶性であり、したがって、抽出及び結晶化による一切の実質的損失なしに容易に単離することができる。
【0040】
反応工程b)におけるOH基の離脱基への転化は、それ自体、知られている。カルボン酸もしくはスルホン酸、又はそれらの無水物との反応(アシル化)は、特に適している。カルボン酸の一部の例には、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、安息香酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、メチルスルホン酸及びトリフルオロメチルスルホン酸がある。無水酢酸の使用は、特に功を奏することが判明している。脱離は、強塩基(カリウムt−ブチラート(特に適する)などのアルカリ金属アルコラート)が存在する状態で、好適に行われる。エーテルなどの溶媒の存在は、好適である。反応は、低温、例えば、0〜40℃で、有利に行われる。アシル化には、直接反応混合物中で脱離反応を行うことが有利である。脱離によって、驚くほど高い位置選択性で所望のZ異性体が導かれる。これらの異性体は、結晶性であり、したがって、抽出及び結晶化による一切の実質的損失なしに容易に単離することができる。収率は、80%を越える。
【0041】
工程d)は、好ましくは、低温、例えば、−40〜0℃で、及び有利には溶媒中で行われる。適する溶媒は、例えば、炭化水素(ペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ベンゼン、トルエン及びキシレン)である。好適には、水素化には、金属水素化物、例えば、LiH、NaH、NaBH、LiAlH、及びメチル−、エチル−もしくはイソプロピルアルミニウム二水素化物もしくはスズ三水素化物、ジメチル−、ジエチル−、トリイソプロピル−もしくはトリイソブチルアルミニウム水素化物もしくはスズ二水素化物、及びトリブチルスズ水素化物などのアルキル金属水素化物が、少なくとも等モル量で用いられる。化合物は、抽出によって単離し、蒸留によって精製することができる。収率は、90%より大きくなる。
【0042】
均一系不斉水素化触媒を用いるα,β−不飽和カルボン酸の工程d)における不斉水素化は、それ自体、知られており、例えば、E.Jacobsen, A.Pfaltz, H.Yamamoto(Eds.), Comprehensive Asymmetric Catalysis I to III, Springer Verlag, 1999の121〜182ページに、John M.Brownによって記載されている。ルテニウム及びロジウム触媒が、特に有効である。その1,2、1,3又は1,4位のホスフィン基がC〜C炭素鎖に結合されているキラルジ第三ジホスフィンが、多くの場合、配位子として用いられる。キラルジ第三ジホスフィンの骨組構造は、非環式、単環式又は多環式であることができる。ホスフィン基は、C〜Cアルキル、C〜Cシクロアルキル、C〜C12アリール、及びC〜C12アリール−C〜Cアルキルの群より選択される同じ又は異なる(好ましくは同じ)置換基で置換されうる。シクロアルキル及びアリールは、非置換であってもよいし、又はC〜Cアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cフルオロアルキル又はC〜C12第二アミノで置換されていてもよい。適するホスフィン基には、ホスファニル、好ましくは、必要な場合には一方又は両方のα位においてC〜Cアルキル又はC〜Cアルコキシで置換されている、5員のホスファニルもある。
【0043】
キラルジ第三ジホスフィンの一部の例は、(R″Pは、例えば、必要な場合には置換されているジフェニルホスフィノ又はジシクロヘキシルホスフィノである)1,2−ジ−R″P−プロパン、2,3−ジ−R″P−ブタン、1,2−ジ−R″P−ノルボルナン又はノルボルナジエン、1,2−ジ−R″P−シクロペンタン、1,2−ジ−R″P−N−メチルピロリジン、2,2′−ジ−R″P−ビフェニル又はビナフチル、2,2′−ジ−R″P−6−メチル又は6,6′−ジメチルビフェニル、2,2′−ジ−R″P−6−メトキシ又は6,6′−ジメトキシビフェニル、及び1−(α−R″P−エチル)−2−R″P−フェロセンである。
【0044】
良好な光学収率は、式VII又はVIIa:
【0045】
【化21】
Figure 2004502656
【0046】
(式中、
Meは、ロジウムであり;
Yは、二つのオレフィン又は一つのジエンを表し;
Zは、Cl、Br又はIであり;
は、酸素酸又は錯体酸のアニオンであり;及び
Lは、ホスフィン基が、ジホスフィン主鎖のC〜C鎖に結合され、ジホスフィンが、ロジウム原子とともに5〜7員環を形成するジ第三ジホスフィンの群からのキラル配位子である)
の金属錯体を用いて達成される。
【0047】
Yが、二つのオレフィンを表す場合、それらは、C〜C12オレフィンであることができ、C〜Cオレフィンが好ましく、C〜Cオレフィンは、特に好ましい。例には、プロペン、ブト−1−エン及び特にエチレンがある。ジエンは、5〜12個、好ましくは5〜8個のC原子を含むことができ、非環式、環式又は多環式ジエンであることができる。ジエンの二つのオレフィン基は、好ましくは、1又は2個のCH基によって連結される。例には、1,3−ペンタジエン、シクロペンタジエン、1,5−ヘキサジエン、1,4−シクロヘキサジエン、1,4−又は1,5−ヘプタジエン、1,4−又は1,5−シクロヘプタジエン、1,4−又は1,5−オクタジエン、1,4−又は1,5−シクロオクタジエン及びノルボルナジエンがある。Yは、好ましくは二つのエチレン又は1,5−ヘキサジエン、1,5−シクロオクタジエンもしくはノルボルナジエンを表す。
【0048】
式VIIにおいて、Zは、好ましくはCl又はBrである。Eの例は、ClO 、CFSO 、CHSO 、HSO 、BF 、B(フェニル) 、PF 、SbCl 、AsF 又はSbF である。
【0049】
ビフェニル主鎖を有する配位子は、式VI化合物の不斉水素化に特に適することがわかった。式VII及びVIIaの金属錯体においてこれらの配位子を用いて、少なくとも95%eeの光学収率が達成される。これは、工業規模での製造についての実質的なコスト節約を意味する。したがって、工程d)において、Lが、式VIII:
【0050】
【化22】
Figure 2004502656
【0051】
(式中、
m及びnは、各場合、0又は1〜4の整数であり、R及びRは、水素、又はC〜Cアルキル及びC〜Cアルコキシ基から選択される同じもしくは異なる置換基であり;及び
及びXは、互いに独立して、第二ホスフィノである)
の配位子を表す式VII及びVIIaの金属錯体を用いることが好ましい。
【0052】
置換基は、好ましくは、6位又は6,6′位において結合される。
【0053】
アルキルとして、R及びRは、好ましくは1〜2個のC原子を含むことができる。直鎖状アルキルが好ましい。アルキルとしてのR及びRの例は、メチル、エチル、n−及びi−プロピル、n−、i−及びt−ブチルである。メチル及びエチルが好ましく、メチルは、特に好ましい。
【0054】
アルコキシとして、R及びRは、好ましくは1〜2個のC原子を含むことができる。直鎖状アルコキシが好ましい。アルコキシとしてのR及びRの例は、メトキシ、エトキシ、n−及びi−プロポキシ、n−、i−及びt−ブトキシである。メトキシ及びエトキシが好ましく、メトキシは、特に好ましい。
【0055】
及びX基は、異なるか又は好ましくは同じであることができ、及び式PR1011(式中、R10及びR11は、同じ又は異なり、及び分岐鎖状C〜Cアルキル、C〜Cシクロアルキル、又は非置換又は1〜3個のC〜Cアルキル、C〜Cアルコキシもしくは−CFで置換されたフェニルである)
に対応する。
【0056】
及びXが、PR1011基である(R10及びR11は、各場合、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル又は1もしくは2個のメチル、メトキシもしくはCFで置換されたフェニルである)場合、式VIIIの配位子が特に好ましい。
【0057】
触媒として用いられる金属錯体は、別途調製し単離した化合物として添加してもよいし、反応前にインサイチューで生成し、その後、基質と混合して、水素化してもよい。単離金属錯体を用いる反応において追加の配位子を添加すること、又はインサイチューでの調製において過剰の配位子を用いることは、有利でありうる。過剰とは、例えば、調製に用いられる金属錯体を基準にして10モル以下、好ましくは0.001〜5モルであることができる。
【0058】
工程d)は、低温又は高温、例えば、−20〜150℃、好ましくは−10〜100℃の温度で行うことができ、10〜80℃の温度が特に好ましい。光学収率は、一般に、高温でより低温でのほうが良い。
【0059】
本発明の方法は、常圧又は好ましくは正圧のもとで行うことができる。圧力は、例えば、10〜2×10Pa(パスカル)の範囲でありうる。
【0060】
触媒は、好ましくは、水素化されるべき化合物を基準にして0.0001〜10mol%の量で用いられ、0.001〜10mol%の範囲が特に好ましく、0.01〜5mol%の範囲は、とりわけ好ましい。
【0061】
触媒の調製ならびに工程d)及び他の工程は、不活性溶媒が不在又は存在(この場合、一つの溶媒又は複数の溶媒の混合物を用いることができる)する状態で、行うことができる。適する溶媒は、例えば、脂肪族、シクロ脂肪族及び芳香族炭化水素(ペンタン、ヘキサン、石油エーテル、シクロヘキサン、メチルシクロへキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン)、脂肪族ハロゲン化炭化水素(ジクロロメタン、クロロホルム、ジ−及びテトラクロロエタン)、ニトリル(アセトニロリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル)、エーテル(ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチレングリコールモノメチル又はモノエチルエーテル)、ケトン(アセトン、メチルイソブチルケトン)、炭酸エステル及びラクトン(酢酸エチル又はメチル、バレロラクトン)、N−置換ラクタム(N−メチルピロリドン)、カルボキサミド(ジメチルアミド、ジメチルホルムアミド)、非環式尿素(ジメチルイミダゾリン)、スルホキシド及びスルホン(ジメチルスルホキシド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホキシド、テトラメチレンスルホン)、アルコール(メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル)ならびに水である。溶媒は、単独で用いてもよいし、少なくとも二つの溶媒を併用してもよい。
【0062】
反応は、共触媒、例えば、第四アンモニウムハロゲン化物(ヨー化テトラブチルアンモニウム)が存在する状態で、及び/又はプロトン酸、例えば、鉱酸が存在する状態で行うことができる。
【0063】
本発明の位置選択的及びエナンチオ選択的方法を用いて、式IIの化合物を基準にして少なくとも50重量%の収率で、すべての工程を経由して、式(B)の中間生成物を調製することができる。この高い総収率によって、本方法は、工業的使用に適する。
【0064】
本発明のさらなる目的は、式VI:
【0065】
【化23】
Figure 2004502656
【0066】
(式中、R、R及びRは、前記で定義したとおりである)
の化合物(中間体)に関する。
【0067】
本発明のさらなる目的は、式IV:
【0068】
【化24】
Figure 2004502656
【0069】
(式中、R、R及びRは、前記で定義したとおりである)
の化合物(中間体)に関する。上記の態様及び選好は、R、R、R及びRにあてはまる。
【0070】
以下の例は、本発明をさらに詳細に説明するものである。
【0071】
A)(R)−3−〔4′−CHO−3′−(CHO(CHO)−フェン−1−イル〕−2−イソプロピルプロパン−1−オール(A4)の調製
例A1:
【0072】
【化25】
Figure 2004502656
【0073】
の調製
436mlのジイソプロピルアミン及び2.6Lのテトラヒドロフランの溶液を−20℃に冷却し、1.234Lのn−ヘキシルリチウム(ヘキサン中2.5M)を15分間かけて一滴ずつ添加した。1.7Lのテトラヒドロフラン中の368gのイソ吉草酸エチルの溶液を−20℃で、15分間かけて一滴ずつ添加した。さらに10分後、1.7Lのテトラヒドロフラン中の584gの4−メトキシ−3−(3−メトキシ−プロポキシ)ベンズアルデヒド(欧州特許第0678503号)の溶液を一滴ずつ添加し、40分間、−20℃で攪拌した。その後、2.15Lの塩化アンモニウム飽和水溶液を一滴ずつ添加し、酢酸エチル(2×8L)で抽出した。有機相を0.5Nの塩酸(1×4.3L)、水(1×4.4L)及びブライン(1×4.4L)で連続して洗浄した。硫酸ナトリウム(1.6kg)を用いて混合有機相を乾燥させ、濾過して、ロータリーエバポレータ内で煮詰めた。酢酸エチル(1L)及びヘキサン(11L)からの結晶化によって、残渣から標記化合物A1を白色固体として得た(656g、72%):
【0074】
【表1】
Figure 2004502656
【0075】
例A2:
【0076】
【化26】
Figure 2004502656
【0077】
の調製
100mlのテトラヒドロフラン中の20gのA1及び0.4gの4−ジメチルアミノピリジンの溶液を0℃に冷却して、6.3mlの無水酢酸を一滴ずつ添加し、反応混合物を1時間攪拌した。140mlのテトラヒドロフラン中の19.0gのカリウムt−ブチラートの溶液を、−2〜0℃で30分間かけて一滴ずつ添加し、その後、0℃で2時間攪拌した。250mlのt−ブチルメチルエーテル及び250mlの氷水を反応混合物に添加した。有機相を分離除去し、水性相を再び250mlのt−ブチルメチルエーテルで抽出した。有機相を250mlの水及び250mlのブラインで連続して洗浄した。硫酸マグネシウム(50g)を用いて混合有機相を乾燥させ、濾過して、ロータリーエバポレータを用いて濃縮した。フラッシュクロマトグラフィー(SiO 60F/酢酸エチル/ヘキサン 1:4)によって、残渣から純粋な標記化合物A2を無色油として得た(17.45g、92.6%):
【0078】
【表2】
Figure 2004502656
【0079】
例A3:
【0080】
【化27】
Figure 2004502656
【0081】
の調製
410mlのトルエン中のA237.0gの溶液を−20℃に冷却し、229mlの水素化アルミニウムジイソブチル溶液(トルエン中1.2M)を20分間かけて添加した。反応混合物を1時間、−20℃で攪拌した後、220mlのメタノールをゆっくりと添加した。次に、1.5Lの1N HClを混合物に添加し、その後、これをt−ブチルメチルエーテル(3×1L)で抽出した。有機相を1.2Lの水及び1.2Lのブラインで連続して洗浄した。硫酸マグネシウムを用いて混合有機相を乾燥させて、濾過し、ロータリーエバポレータを用いて濃縮した。分子蒸留によって、残渣から標記化合物A3を無色油として得た(29.7g、91.8%):
【0082】
【表3】
Figure 2004502656
【0083】
例A4:
【0084】
【化28】
Figure 2004502656
【0085】
の調製
排気及びアルゴンでのパージを繰り返すことによって、アルゴン雰囲気下で、マグネチックスターラーを備えたフラスコに、1.2mg(0.0026mmol)の〔Rh(ノルボルナジエン)Cl〕及び3.83mg(0.0054mmol)の(R)−(4,4′,5,5′,6,6′−ヘキサメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)ビス(ジフェニルホスフィン)を入れた。その後、10mlの脱気トルエンを添加して、15分間攪拌した後、ストップコックを装着し、アルゴンでフラッシュした50mlフラスコに、3.75g(0.01275mol)のA3及び20mlの脱気トルエンを導入した。穏やかに加熱しながら、均質溶液が生成されるまで攪拌を継続した。触媒及び基質溶液を、アルゴンカバーのもと、加圧下で、鋼製毛管を通して50mlの鋼製オートクレーブに押し込んだ。3回のパージサイクル(アルゴン20bar/水素20bar)で、水素圧を最終的に1000barに増加した。オートクレーブを30℃に加熱し、スターラーのスイッチを入れることによって水素化を開始させた。反応は、水素の消費(水素のレザバー内の圧力の降下)によって起こった。18時間の反応時間の後、反応混合物を濃縮して、粗標記化合物A4をわずかに黄色がかった油として得た(3.75g、定量的):生成物のエナンチオマー純度(HPLCによって測定した:カラム Chiralcel ODH 0.46×25cm;ヘキサン/iPrOH:95/5;温度:20℃;流量:0.6ml/分;S−生成物:22.9分;R−生成物:25.3分;抽出物:27.8分;UV:210nm)は、>95%ee(R)になった。
【0086】
【表4】
Figure 2004502656
【0087】
例A5:A4の調製
手順は、例1に記載したものと同様であったが、配位子((R)−(6,6′−ジメトキシビフェニル−2,2′−ジイル)−ビス(ジシクロブチルホスフィン))を触媒のために用いた。反応を18時間後に停止させた。転化は、100%になり、エナンチオマー純度は、96.3%(R)であった。

Claims (24)

  1. 式I:
    Figure 2004502656
    (式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり、及びRは、C〜Cアルキルである)
    の化合物の調製方法であって、
    a)式II:
    Figure 2004502656
    (式中、R及びRは、上記で定義したとおりである)
    の化合物を式III:
    Figure 2004502656
    (式中、Rは、上記で定義したとおりである)
    の化合物と反応させて、式IV:
    Figure 2004502656
    (式中、Rは、C〜C12アルキル、C〜Cシクロアルキル、フェニル又はベンジルである)
    の化合物を生成すること;
    b)式IVの結晶性化合物を単離し、そのOH基を離脱基に転化させ、及び強塩基の存在下で離脱基を含む化合物を反応させて、式V:
    Figure 2004502656
    の化合物を生成すること;
    c)式Vの炭酸エステルを還元して、式VI:
    Figure 2004502656
    のアルコールを生成すること;及び
    d)水素と、ルテニウム、ロジウム及びイリジウムの群からの金属を含み、キラル二座配位子が結合されている不斉水素化触媒としての触媒量の金属錯体との存在下で、式VIのアルコールを水素化して、式Iの化合物を生成すること
    を含む方法。
  2. をメトキシ−C〜Cアルキルオキシ又はエトキシ−C〜Cアルキルオキシとして含み、及びRをメトキシ又はエトキシとして含む、請求項1記載の方法。
  3. を1−メトキシプロプ−3−イルオキシとして含み、及びRをメトキシとして含む、請求項2記載の方法。
  4. を直鎖状又は分岐鎖状C〜Cアルキルとして含む、請求項1記載の方法。
  5. をイソプロピルとして含む、請求項4記載の方法。
  6. を1−メトキシ−n−プロピルオキシとして含み、Rをメトキシとして含み、及びRをイソプロピルとして含む、請求項1記載の方法。
  7. 低温で、第二リチウムアミドの存在下での工程a)の加工を含む、請求項1記載の方法。
  8. ヒドロキシル基を最初にアシル化し、その後、低温で、アシル化プロセスの反応混合物中でアルキル金属アルコラートの存在下で脱離させることを工程b)に含む、請求項1記載の方法。
  9. 低温で、還元剤としての金属水素化物の存在下で行われる工程c)を含む、請求項1記載の方法。
  10. 水素化触媒としての、式VII又はVIIa:
    Figure 2004502656
    (式中、
    Meは、ロジウムであり;
    Yは、二つのオレフィン又は一つのジエンを表し;
    Zは、Cl、Br又はIであり;
    は、酸素酸又は錯体酸のアニオンであり;及び
    Lは、ホスフィン基が、ジホスフィン主鎖のC〜C鎖に結合され、ジホスフィンが、ロジウム原子とともに5〜7員環を形成するジ第三ジホスフィン群からのキラル配位子である)
    の金属錯体の存在下で行われる工程d)を含む、請求項1記載の方法。
  11. Lを式VIII:
    Figure 2004502656
    (式中、
    m及びnは、それぞれ、0又は1〜4の整数であり、R及びRは、水素、又はC〜Cアルキル及びC〜Cアルコキシ基から選択される同じもしくは異なる置換基であり;及びX及びXは、互いに独立して、第二ホスフィノである)として含む、請求項10記載の方法。
  12. 6位又は6,6′位に置換基の結合を含む、請求項11記載の方法。
  13. 及びRをメチル、エチル、メトキシ又はエトキシとして含む、請求項11又は12記載の方法。
  14. 及びX基が、同じ又は異なり、及び式−PR1011(式中、R10及びR11は、同じ又は異なり、及び分岐鎖状C〜Cアルキル、C〜Cシクロアルキル又は非置換フェニル又は1〜3個のC〜Cアルキル、C〜Cアルコキシもしくは−CFで置換されたフェニルである)に対応する、請求項11記載の方法。
  15. 式VIIIにおいて、nが0であり、X及びXをPR1011基(式中、R10及びR11は、それぞれ、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、又は1もしくは2個のメチル、メトキシもしくはCFで置換されたフェニルである)として含む、請求項11記載の方法。
  16. −20〜150℃の温度で行われる工程d)を含む、請求項1記載の方法。
  17. 正圧のもとで行われる工程d)を含む、請求項1記載の方法。
  18. 10〜2×10Pa(パスカル)での圧力条件を含む、請求項1記載の方法。
  19. 式VI:
    Figure 2004502656
    (式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり、及びRは、C〜Cアルキルである)
    の化合物。
  20. をメトキシ−C〜Cアルキルオキシ又はエトキシ−C〜Cアルキルオキシとして含み、Rをメトキシ又はエトキシとして含み、及びRをC〜Cアルキルとして含む、請求項19記載の化合物。
  21. を1−メトキシ−n−プロピルオキシとして含み、Rをメトキシとして含み、及びRをイソプロピルとして含む、請求項19記載の化合物。
  22. 式IV:
    Figure 2004502656
    (式中、R及びRは、互いに独立して、H、C〜Cアルキル、C〜Cハロゲンアルキル、C〜Cアルコキシ、C〜Cアルコキシ−C〜Cアルキル、又はC〜Cアルコキシ−C〜Cアルキルオキシであり、Rは、C〜Cアルキルであり、及びRは、C〜C12アルキル、C〜Cシクロアルキル、フェニル又はベンジルである)
    の化合物。
  23. をメトキシ−C〜Cアルキルオキシ又はエトキシ−C〜Cアルキルオキシとして含み、Rをメトキシ又はエトキシとして含み、RをC〜Cアルキルとして含み、及びRをC〜Cアルキルとして含む、請求項19記載の化合物。
  24. を1−メトキシ−n−プロピルオキシとして含み、Rをメトキシとして含み、Rをイソプロピルとして含み、及びRをメチル又はエチルとして含む、請求項19記載化合物。
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