JP2002284790A - ルテニウム化合物、ジアミン配位子および光学活性アルコールの製造方法 - Google Patents
ルテニウム化合物、ジアミン配位子および光学活性アルコールの製造方法Info
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Abstract
ルテニウム化合物を触媒として用いる光学活性アルコー
ル類の高立体選択的、高収率な製造方法を提供する。 【解決手段】式:Ru(X)(Y)(Px)n1[R1R2
C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR7R8)] 〔式中、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、ハ
ロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はC1〜C20
アルコキシ基を表し、Pxは、ホスフィン配位子を表
し、R1〜R8はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を
有してもよいC1〜C20アルキル基等を表す。Aは、
置換基を有していてもよくエーテル結合を有していても
よいC1〜C3アルキレン等を表わす。)で表される基
であり、*は不斉炭素原子であることを示し、n1は1
または2の整数を表す。〕で表されるルテニウム化合
物、式:R1R2C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR
7R8)で表されるジアミン化合物、及び該ルテニウム化
合物を用いて縮合環ケトン類又はα−アミノケトン類を
不斉水素還元する方法。
Description
物、該ルテニウム化合物の配位子として好適に用いられ
るジアミン化合物、及び該ルテニウム化合物を不斉還元
触媒として用いて、縮合環ケトン類又はα−アミノケト
ン類を不斉還元することを特徴とする光学活性アルコー
ル類の製造方法に関する。
合成中間体として有用である。従来、縮合環ケトン類を
触媒的不斉還元することによって、対応する光学活性ア
ルコール類を得る方法としては、 イリジウム錯体を触媒に用いる水素化による方法
〔J.Am.Chem.Soc.,115,3318
(1993)〕、 ルテニウムを触媒に用いる水素移動による方法(特開
平10−130289号公報)、 ルテニウムを触媒に用いる水素化による方法(特開平
11−189600号公報)等が知られている。
ることによって、対応する光学活性アミノアルコールを
得る方法としては、特願2000−208664号
や、J.Am.Chem.Soc.,122,510
(2000)に報告例がある。
イリジウム錯体を用いるため、コスト面から実用化は困
難であり、の方法は、水素源として蟻酸等の有機化合
物を用いなければならず、水素ガス等の安価な水素源を
用いる場合に比べ、操作的・コスト的に不利であり、
の方法は、ケトン類の不斉還元方法として優れたもので
あるが、環状ケトン類の不斉還元についての知見は従来
得られておらず、また、の方法は、α−アミノケトン
類の不斉還元に関するものであるが、触媒としては複数
の置換基を有する高価な2座ホスフィン配位子を用いな
ければ良好な結果が得られない等の問題があった。
て、縮合環ケトン類やα−アミノケトン類から対応する
光学活性アルコール類を高選択的、高収率に製造できる
不斉還元触媒の開発が望まれている。
に鑑みてなされたものであり、入手容易なルテニウム化
合物、該ルテニウム化合物の配位子として好適に用いる
ことができるジアミン化合物、及び該ルテニウム化合物
を不斉還元触媒として用いて、縮合環ケトン類又はα−
アミノケトン類を不斉還元して、対応する光学活性アル
コール類を高立体選択的、かつ高収率に製造する方法を
提供することを課題とする。
(1): Ru(X)(Y)(Px)n1[R1R2C*(NR3R4)
−A−R5R6C*(NR7R8)] 〔式中、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、ハ
ロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はC1〜C20
アルコキシ基を表し、Pxは、ホスフィン配位子を表
し、R1〜R8はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を
有してもよいC1〜C20アルキル基、置換基を有して
もよいC2〜C20アルケニル基、置換基を有してもよ
いC3〜C8シクロアルキル基、置換基を有してもよい
アラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を表
す。また、R1とR2のいずれかがR3とR4のいずれか
と、R5とR6のいずれかがR 7とR8のいずれかとが結合
して環を形成してもよい。Aは、置換基を有していても
よくエーテル結合を有していてもよいC1〜C3アルキ
レン、置換基を有していてもよいC3〜C8シクロアル
キレン、置換基を有していてもよいアリレンまたは置換
基を有していてもよい2価のヘテロ環を表わす。Aがア
ルキレンの場合はR1とR2のいずれかとR5とR6のいず
れかとが結合して環を形成してもよい。)で表される基
であり、*は不斉炭素原子であることを示し、n1は1
または2の整数を表す。〕で表されるルテニウム化合物
(請求項1)、一般式(1)中のジアミンが一般式
(2): [R1R2C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR3R4)] (式中、A、R1、R2、R3、R4、R5、R6は請求項1
と同様である)であることを特徴とする請求項1記載の
ルテニウム化合物(請求項2)、一般式(1)中のジア
ミンが一般式(2’):[R1R2C*(NR3R4)−A−
R1R2C*(NR3R4)](式中、A、R1、R2、R3、
R4は請求項1と同様である)であることを特徴とする
請求項1記載のルテニウム化合物(請求項3)、AがC
1〜C3アルキレンであることを特徴とする請求項1〜
3記載のルテニウム化合物(請求項4)、R 2、R3、R
4、R6、R7及びR8が水素原子である、請求項1、請求
項3または請求項4記載のルテニウム化合物である(請
求項5)。
*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR3R4)〔式中、R
1〜R8、A及び*は、前記で示したいずれかの意味を表
す。〕で表されるジアミン化合物を提供する(請求項
6)。
(3’)
〜8員環を表し、B環部は、置換基を有していてもよ
く、ヘテロ原子を含んでもよい、4〜8員環を表す。)
で表される縮合環ケトン類を、本発明のルテニウム化合
物のいずれか1種若しくは2種以上の存在下に、水素ガ
ス又は水素供与体を水素源として用いて不斉水素還元す
る工程を有することを特徴とする一般式(4)又は
(4’)
じ意味を表す。)で表される光学活性アルコール類の製
造方法を提供する(請求項7)。
O−CH(Rb)−Rc〔式中、Ra及びRcは、それ
ぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいC1〜
C20アルキル基、置換基を有してもよいC2〜C20
アルケニル基、置換基を有してもよいC3〜C8シクロ
アルキル基、置換基を有してもよいアラルキル基又は置
換基を有してもよいアリール基を表す。
及びR11は、それぞれ独立して、水素原子、ホルミル
基、置換基を有してもよいC1〜C20アルキル基、置
換基を有してもよいC2〜C20アルケニル基、置換基
を有してもよいC1〜C20アルコキシ基、置換基を有
してもよいC3〜C8シクロアルキル基、置換基を有し
てもよいC3〜C8シクロアルコキシ基、置換基を有し
てもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアラルキ
ルオキシ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換
基を有してもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し、ま
た、R9とR11若しくはR9とR10は結合して、5〜8員
の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。)〕で表されるα
−アミノケトン類を、本発明のルテニウム化合物のいず
れか1種若しくは2種以上の存在下に、水素ガス又は水
素供与体を水素源として用いて不斉水素還元する工程を
有する、一般式(10):Ra−C*H(OH)−CH
(Rb)−Rc〔式中、Ra、Rb、Rc及び*は前記
と同じ意味を表す。〕で表される光学活性β−アミノア
ルコール製造方法を提供する(請求項8)。
ルテニウム塩(化合物)を出発原料として用いるもので
あって、容易に製造をすることができる。また、本発明
のジアミン化合物は、本発明のルテニウム化合物の配位
子として好適に用いることができる。さらに、本発明の
光学活性アルコール類の製造方法によれば、該ルテニウ
ム化合物を不斉還元触媒として用い、縮合環ケトン類又
はα−アミノケトン類を出発原料として、医薬・農薬の
合成中間体として有用な前記一般式(4)、(4’)及
び(10)で表される光学活性アルコール類を、水素ガ
ス等の安価な水素源を用いて高立体選択的かつ高収率に
製造することができる。
本発明は、一般式(1)で表されるルテニウム化合物、
該ルテニウム化合物の配位子として好適に用いること
ができる一般式(2)で表されるジアミン化合物、及
び該ルテニウム化合物を不斉還元触媒として用いて、一
般式(3)及び(3’)で表される縮合環ケトン類、又
は一般式(5)で表されるα−アミノケトン類を、不斉
還元して光学活性アルコール類を製造する方法である。
ウム化合物である。
エチレン、プロピレン等のC1〜C3のアルキレン;シ
クロプロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、
シクロヘキシレン等のC3〜C8のシクロアルキレン;
フェニレン、ナフチレン等のアリレン;または2価のヘ
テロ環を表し、該へテロ該としては、フラン、ピラン、
ジオキソラン、チオフェン、チオピラン、ピロール、イ
ミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、トリアゾー
ル、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピラジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾピラゾー
ル、ベンゾチアゾール、キノリン、インドリン、フェナ
ントロリン、ジオキソラン−2−オン、ジオキサン、オ
キサゾリジン、オキサゾリジノン、テトラヒドロフラ
ン、テトラヒドロチオフェン、スルホラン等の飽和又は
不飽和のヘテロ環が挙げられる。また、アルキレン基は
任意の位置にエーテル結合を含んでいても良い。
く、該置換基としては、メチル、エチル、プロピル等の
C1〜C6アルキル基;メトキシ、エトキシ、プロポキ
シ等のC1〜C6アルコキシ基;フェニル、ナフチル等
のアリール基;フェノキシ等のアリールオキシ基;ベン
ジルオキシ基等のアラルキルオキシ基が挙げられる。
かとR3とR4のいずれかが結合して環を形成してもよ
い。
ては、例えば、一般式:PRARBR Cで表される単座ホ
スフィン配位子や、一般式:RDREP−W−PRFRGで
表される2座ホスフィン配位子等が挙げられるが、光学
活性であるのが好ましい。
フィン配位子において、RA、RB及びRCは、それぞれ
独立して、メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピ
ル、n−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル基等のC1〜C20アルキル基;置換基を
有してもよいフェニル基;シクロプロピル、シクロペン
チル、シクロヘキシル基等のC3〜C8シクロアルキル
基;等を表す。また、RA、RB及びRCのうちの2つが
結合して、置換基を有してもよい炭素環を形成してもよ
い。
は、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン
原子;水酸基;アミノ基;メチル、エチル、プロピル、
ブチル基等のC1〜C20アルキル基;エテニル、プロ
ペニル、ブテニル基等のC2〜C20アルケニル基;シ
クロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル基等のC
3〜C8シクロアルキル基;ベンジル、α−メチルベン
ジル、α,α−ジメチルベンジル基等のアラルキル基;
フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル基等のアリール
基;メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポ
キシ、ブトキシ基等のC1〜C20アルコキシ基;アシ
ルオキシ基;アシル基;ヘテロ環基;等が挙げられる。
フィン配位子の具体例としては、トリメチルホスフィ
ン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、ト
リフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィ
ン、トリ(p−トリル)ホスフィン、ジフェニルメチル
ホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、イソプロピ
ルメチルホスフィン、シクロヘキシル(O−アニシル)
−メチルホスフィン、1−[2−(ジフェニルホスフィ
ノ)フェロセニル]エチルメチルエーテル、2−(ジフ
ェニルホスフィノ)−2’−メトキシ−1,1’−ビナ
フチル等の3級ホスフィンが好適なものとして挙げるこ
とができる。また、エチルメチルブチルホスフィン、エ
チルメチルフェニルホスフィン、イソプロピルエチルメ
チルホスフィン等のRA、RB及びRCが3種とも異なる
置換基からなるホスフィン配位子を用いることもでき
る。
る2座ホスフィン配位子において、RD、RE、RF及び
RGは、それぞれ独立して、メチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t
−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等のC1〜C20アル
キル基;置換基を有してもよいフェニル基;又はシクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等のC3
〜C8シクロアルキル基;等を表し、また、RDとREあ
るいはRFとRGが結合して置換基を有してもよい炭素環
を形成してもよい。
は、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン
原子;水酸基;アミノ基;メチル、エチル、プロピル、
ブチル基等のC1〜C20アルキル基;エテニル、プロ
ペニル、ブテニル基等のC2〜C20アルケニル基;シ
クロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル基等のC
3〜C8シクロアルキル基;ベンジル、α−メチルベン
ジル、α,α−ジメチルベンジル基等のアラルキル基;
フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル基等のアリール
基;メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポ
キシ、ブトキシ基等のC1〜C20アルコキシ基;アシ
ルオキシ基;アシル基;ヘテロ環基;等が挙げられる。
ン、プロピレン基等のC1〜C5アルキレン基;シクロ
プロピレン、シクロブチレン、シクロペンチレン、シク
ロヘキシレン基等のC3〜C6シクロアルキレン基;フ
ェニレン、ナフチレン、1,1’−ビフェニル−2,
2’−ジイル、1,1’−ビナフチル−2,2’−ジイ
ル、1,1’−ビナフチル−7,7’−ジイル基等の置
換基を有してもよいアリレン基;エテニル、プロペニ
ル、イソプロペニル、ブテニル基等のC2〜C20アル
ケニル基;エチニル、プロピニル基等のC2〜C20ア
ルキニル基;を表す。
換基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブ
チル基等のC1〜C20アルキル基;エテニル、プロペ
ニル、ブテニル等のC2〜C20アルケニル基;メトキ
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、ブト
キシ基等のC1〜C20アルコキシ基;等が挙げられ
る。
る2座ホスフィン配位子の具体例としては、ビスジフェ
ニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタ
ン、ビスジフェニルホスフィノプロパン、ビスジフェニ
ルホスフィノブタン、ビスジメチルホスフィノエタン、
ビスジメチルホスフィノプロパン等が挙げられる。
−(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル
(BINAP)、及びBINAPのナフチル環にアルキ
ル基やアリール基等の置換基をもつBINAP誘導体、
フッ素置換基を有するBINAP誘導体、リン原子上の
同一の2個のベンゼン環にそれぞれアルキルやアルコキ
シ基等の基置換基をそれぞれ1〜5個有するBINAP
等の誘導体等も好適な2座ホスフィン配位子として例示
できる。
−(ジ−p−トリルホスフィノ)−1,1’−ビナフチ
ル(Tol−BINAP)、2,2’−ビス[ビス
(3,5−ジメチルフェニル)ホスフィノ]−1,1’
−ビナフチル(Xylyl−BINAP)、1−
[1’,2−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセニ
ル]エチルジアミン、2,2’−ビス−(ジシクロヘキ
シルホスフィノ)−6,6’−ジメチル−1,1’−ビ
フェニル、2,3−ビス−(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、1−シクロヘキシル−1,2−ビス−(ジフェニ
ルホスフィノ)エタン、1−置換−3,4−ビス−(ジ
フェニルホスフィノ)ピロリジン、2,3−O−イソプ
ロピリデン−2,3−ジヒドロキシ−1,4−ビス−
(ジフェニルホスフィノ)ブタン、1,2−ビス[(O
−メトキシフェニル)フェニルホスフィノ]エタン、置
換−1,2−ビス(ホスホラノ)ベンゼン、5,6−ビ
ス−(ジフェニルホスフィノ)−2−ノルボルネン、
N,N’−ビス−(ジフェニルホスフィノ)−N,N’
−ビス(1−フェニルエチル)エチレンジアミン、1,
2−ビス−(ジフェニルホスフィノ)プロパン、2,4
−ビス−(ジフェニルホスフィノ)ペンタン、[(5,
6),(5’,6’)−ビス(メチレンジオキシ)ビフ
ェニル−2,2’−ジイル]ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、1,2−ビス(t−ブチルメチルホスフィノ)エ
タン、2,4−ビス−(ジフェニルホスフィノ)ペンタ
ン等が挙げられる。
フィン配位子は、安定してルテニウム化合物を形成し得
るものであれば、上記のものに限定されるものではな
い。
子;メチル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n
−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘ
キシル基等の置換基を有してもよいC1〜C20アルキ
ル基(好ましくはC1〜C6のアルキル基);エテニ
ル、n−プロペニル、イソプロペニル、n−ブテニル、
sec−ブテニル、t−ブテニル、ペンテニル、ヘキセ
ニル基等の置換基を有してもよいC2〜C20アルケニ
ル基(好ましくはC2〜C6のアルケニル基);シクロ
プロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等の置換
基を有してもよいC3〜C8シクロアルキル基;ベンジ
ル、α−メチルベンジル、α,α−ジメチルベンジル、
α−エチルベンジル基等の置換基を有してもよいアラル
キル基;又は、フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル
基等の置換基を有してもよいアリール基;を表す。
0アルケニル基、C3〜C8シクロアルキル基、アラル
キル基及びアリール基の置換基としては、例えば、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;水酸基;置
換若しくは無置換アミノ基;メチル、エチル、n−プロ
ピル、イソプロピル、n−ブチル、sec−ブチル、t
−ブチル、n−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチ
ル、t−ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノ
ニル、デシル、ドデシル基等のC1〜C20アルキル
基;エテニル、n−プロペニル、イソプロペニル、n−
ブテニル、sec−ブテニル、t−ブテニル、1,3−
ブタジエニル、n−ペンテニル、2−ペンテニル、3−
ペンテニル、ヘキセニル基等のC2〜C20アルケニル
基;シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、
シクロヘキシル基等のC3〜C8シクロアルキル基;ベ
ンジル、α−メチルベンジル、α,α−ジメチルベンジ
ル、α−エチルベンジル基等のアラルキル基;フェニ
ル、1−ナフチル、2−ナフチル基等のアリール基;メ
トキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキシ、
n−ブトキシ、sec−ブトキシ、t−ブトキシ基等の
C1〜C20アルコキシ基;アシルオキシ基;アシル
基;又はヘテロ環基;等が挙げられる。
ルアミノ、ジメチルアミノ、フェニルアミノ、N−メチ
ル−N−フェニルアミノ基等の炭化水素基が1又は2個
置換したアミノ基;アセチルアミノ、ベンゾイルアミノ
基等のアシルアミノ基;メタンスルホニルアミノ、トル
エンスルホニルアミノ基等のスルホニルアミノ基;N−
メチル−N−アセチルアミノ、N−エチル−N−アセチ
ルアミノ、N−メチル−N−ベンゾイルアミノ、N−エ
チル−N−アシルアミノ基等のN−アルキル−N−アシ
ルアミノ基;N−メチル−N−スルホニルアミノ基、N
−エチル−N−スルホニルアミノ基等のN−アルキル−
N−スルホニルアミノ基;フタルイミド基等の環状イミ
ド基;等が挙げられる。
セトキシ、エチルカルボニルオキシ、イソプロピルカル
ボニルオキシ基等のC1〜C12のアルキルカルボニル
オキシ基;ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニル
オキシ基;フェニルメチルカルボニルオキシ基等のアラ
ルキルカルボニルオキシ基;等が挙げられ、前記アシル
基としては、例えば、プロパノイル、イソプロピルカル
ボニル基等のC1〜C12のアルキルカルボニル基、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、t−ブトキシカルボニル基等のアルコキ
シカルボニル基;ベンゾイル基等のアリールカルボニル
基;フェニルメチルカルボニル基等のアラルキルカルボ
ニル基;等が挙げられる。
ル、ピラニル、ジオキソラニル基等の含酸素ヘテロ環
基;チエニル基等の含イオウヘテロ環基;ピロリル、イ
ミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾ
リル、トリアゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピ
リジル、ピラダジル、ピラジニル、ベンゾイミダゾリ
ル、ベンゾピラゾリル、ペンゾチアゾリル、キノリル、
アントラニル、インドリル、フェナントロニリル基等の
飽和若しくは不飽和の含窒素ヘテロ環基;等が挙げられ
る。
の種類、置換基の数等に特に制限はない。これらの中で
も、合成及び入手容易性の観点から、R2、R3、R4、
R6、R7及びR8が全て水素原子であるジアミン化合物
が好ましい。
れかがR3とR4のいずれかと、あるいはR5とR6のいず
れかがR7とR8のいずれかと、あるいはR1とR2のいず
れかとR5とR6のいずれかとが結合して炭素環を形成し
たジアミン化合物を用いることもできる。
R3R4)−A−R5R6C*(NR7R8)で表されるジア
ミン配位子の好ましい具体例としては、光学活性2,4
−ジアミノペンタン、光学活性2,5−ジアミノヘキサ
ン、光学活性ビス(2−アミノプロピル)エーテル、光
学活性ビス(2−アミノ−2−フェニルエチル)エーテ
ル、光学活性1,3−ジアミノ−1,3−ジフェニルプ
ロパン、光学活性1,4−ジアミノ−1,4−ジフェニ
ルブタン、光学活性1,2−ビス(1−アミノエチル)
ベンゼン、光学活性1,2−ビス(1−アミノエチル)
シクロヘキサン、光学活性1,1−ビス(1−アミノエ
チル)シクロペンタン、3,4−O−イソプロピリデン
−(3R,4R)−ジヒドロキシ−(2R,5R)−ジ
アミノヘキサン等が挙げられる。
法について説明する。ルテニウム化合物の製造方法に用
いられる出発原料としては、0価、1価、2価、3価及
び、さらに高原子価のルテニウムを用いることができ
る。これらの中でも、Angew.Chem.Int.
Ed.,37,1703(1998)に記載の2価ルテ
ニウム錯体を用いる方法が簡便である。すなわち、2価
のルテニウム−ハライド錯体と2座ホスフィン配位子の
溶媒溶液を加熱後、ジアミン化合物を加えることで一般
式(1)で表されるルテニウム化合物を製造することが
できる。
ハライド錯体を用いた場合のルテニウム化合物の製造方
法についてより詳細に説明する。まず、出発原料の2価
のルテニウム−ハライド錯体とホスフィン配位子とを、
溶媒中、加熱し反応させ、対応するホスフィン−ルテニ
ウム−ハライド錯体を得る。
体としては、ホスフィン配位子及びアミン配位子と置換
可能な配位子を有するルテニウム錯体であれば、特に制
限されるものではない。その具体例としては、[2塩化
ルテニウム(ノルボルナジエン)]多核体、[2塩化ルテ
ニウム(シクロオクタジエン)]多核体、[ビス(メチル
アリル)ルテニウム(シクロオクタジエン)]等のジエ
ンが配位したハロゲン化ルテニウム化合物;[2塩化ル
テニウム(ベンゼン)]二核体、[2塩化ルテニウム(p
−シメン)]二核体、[2塩化ルテニウム(トリメチルベ
ンゼン)]二核体、[2塩化ルテニウム(ヘキサメチルベ
ンゼン)]二核体等の芳香族化合物が配位したハロゲン
化ルテニウム;等が挙げられる。
−ハライド錯体1モルに対して、単座の場合は、通常2
〜3倍モル、好ましくは2倍モルであり、2座の場合
は、通常1〜2倍モル、好ましくは等モルである。
ば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ペンタ
ン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジクロロメタン、
クロロホルム、トリクロロメタン、四塩化炭素、1,2
−ジクロロエタン等のハロゲン炭化水素類;ジエチルエ
ーテル、テトラヒドロフラン(THF)、1,2−ジメ
トキシエタン、1,4−ジオキサン等のエーテル類;メ
タノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパ
ノール、ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコー
ル類;N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,
N−ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダゾリ
ジン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−
メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド(H
MPT)等のアミド類;アセトニトリル、ベンゾニトリ
ル等のニトリル類;ジメチルスルホキシド(DMSO)
等が挙げられる。これらの溶媒は単独で、あるいは2種
以上を混合して使用することもできる。
〜100ml、好ましくは、基質1gに対し、1ml〜
10mlの範囲である。反応温度は、通常、0〜200
℃、好ましくは、室温〜100℃の範囲である。
ハライド錯体とジアミン化合物とを反応させて、対応す
るアミン−ホスフィン−ルテニウム−ハライド錯体を得
ることができる。この反応に用いられるジアミン化合物
の使用量は、ホスフィン−ルテニウム−ハライド錯体に
対して、通常1〜2倍モル、好ましくは等モルである。
反応温度は、通常、−100〜200℃、好ましくは−
10〜50℃の範囲である。また、あらかじめ単離した
ホスフィン−ルテニウム−ハライド錯体に、前記と同様
の条件下にジアミン化合物を作用させることによって
も、アミン−ホスフィン−ルテニウム−ハライド錯体を
得ることができる。
テニウム−ハライド錯体を、溶媒中、塩基と反応させる
ことによって一般式(1)で表される(n1=1、X=
Y=H)アミン−ホスフィン−ルテニウムヒドリド錯体
を得ることができる。
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、
1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(DAB
CO)、1,4−ジアザビシクロ[5,4,0]ウンデ−
7−エン(DBU)等の有機塩基;ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム t−ブトキシ
ド、マグネシウムエトキシド等の金属アルコキシド類;
n−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド
(LDA)等の有機リチウム化合物;水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウム等の炭酸塩;水素化ナトリウム
等の金属水素化物;等が挙げられる。塩基の使用量はア
ミン−ホスフィン−ルテニウム−ハライド錯体に対し
て、通常、2〜10,000倍モル、好ましくは、2〜
40倍モルの範囲である。
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ペンタン、
ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジクロロメタン、クロ
ロホルム、トリクロロメタン、四塩化炭素、1,2−ジ
クロロエタン等のハロゲン炭化水素類;ジエチルエーテ
ル、THF、1,2−ジメトキシエタン、1,4−ジオ
キサン等のエーテル類;メタノール、エタノール、n−
プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ベンジ
ルアルコール等のアルコール類;アセトニトリル、ベン
ゾニトリル等のニトリル類;DMF、N,N−ジメチル
アセタミド、1,3−ジメチルイミダゾリジン、1,3
−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メチルピロリ
ドン等のアミド類;DMSO等が挙げられる。これらの
溶媒は単独で、あるいは2種以上を混合して使用するこ
とができる
テニウム−ハライド錯体1gに対して、1ml〜100
ml、好ましくは1ml〜10mlの範囲である。ま
た、反応温度は、通常、−100〜200℃、好ましく
は、−10〜50℃の範囲である。
基、水酸基、アルコキシ基等であるルテニウム化合物
は、上記の方法等で有られるアミン−ホスフィン−ルテ
ニウム−ハライド錯体にRCOONaやRONa(Rは
アルキル基等を表す。)等を反応させて得ることができ
る。
で表されるルテニウム化合物は、一般式(3)、
(3’)で表される縮合環ケトン類及び一般式(5)で
表されるα−アミノケトン類の不斉水素化触媒として有
用である。
する。本発明のジアミン化合物は、一般式(2):R1
R2C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR7R8)で表
されるものである。一般式(2)中、R1〜R8、A及び
*は前記と同じ意味を表す。かかるジアミン化合物は、
例えば、一般式(2a)で表されるジケトンを出発原料
として、下記に示す反応スキームにしたがって製造する
ことができる。
て光学活性ジオール(2b)とし(工程I)、該光学活
性ジオール(2b)を光学活性アジド(2c)に誘導し
(工程II)、光学活性アジド(2c)を還元すること
により(工程III)、容易にジアミン化合物(2)を
製造するこができる。また、ジケトン(2a)をジオキ
シム(2d)に変換し(工程IV)、このものを不斉還
元してジアミン化合物(2)を製造することもできる
(工程V)。
a)としては、例えば、2,4−ペンタンジオン、2,
5−ヘキサンジオン、1,3−ジフェニル−1,3−プ
ロパンジオン、1,4−ジフェニル−1,4−ブタンジ
オン、1,2−ジ(アセチル)ベンゼン等が挙げられ
る。
は、例えば、特開平11−189600号公報の記載と
同様にして行うことができる。すなわち、ジケトン(2
a)と不斉還元触媒とを有機溶媒中に混合し、さらに所
望により塩基を添加して、所定圧力の水素ガス又は水素
供与体の存在下に不斉還元する方法によって光学活性ジ
オール(2b)を得ることができる。
合物である光学活性アミン−ホスフィン−ルテニウム−
ハライド錯体を使用することができる。不斉還元触媒の
使用量は、ジケトン(2a)に対して1/50〜1/
2,000,000倍モル、好ましくは1/100〜1
/1,000,000倍モルの範囲である。
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、D
ABCO、DBU等の有機塩基;ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム t−ブトキシ
ド、マグネシウムエトキシド等の金属アルコキシド類;
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水
酸化物;水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属水酸
化物;炭酸ナトリウム、炭酸カルシウム等の炭酸塩;水
素化ナトリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物;
等が挙げられる。これら塩基の使用量は、不斉還元触媒
の1モルに対し、2〜10,000倍モル、好ましく
は、2〜40倍モルの範囲である。
エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、ブ
タノール、ベンジルアルコール等のアルコール類;ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;ペン
タン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジクロロメタ
ン、クロロホルム、トリクロロメタン、四塩化炭素、
1,2−ジクロロエタン等のハロゲン炭化水素類;ジエ
チルエーテル、THF、1,2−ジメトキシエタン、
1,4−ジオキサン等のエーテル類;DMF、N,N−
ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダゾリジ
ン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−メ
チルピロリドン、HMPT等のアミド類;アセトニトリ
ル、ベンゾニトリル等のニトリル類;DMSO等を用い
ることができ、これらの溶媒は単独で、あるいは2種以
上を混合して使用することもできる。これらの中でも、
反応生成物がアルコール化合物であることからアルコー
ル類の使用が好ましい。
ましくは3〜50気圧の範囲である。また、水素供与体
としては、例えば、水素貯蔵合金やジイミド等を用いる
ことができ、その使用量は、一般式(3)、(3’)又
は(5)で表されるケトン類に対して、通常、1〜10
0倍モルの範囲である。反応は15〜100℃、好まし
くは25〜40℃の温度範囲で円滑に進行する。反応時
間は、ジケトン(2a)濃度、温度、圧力等の反応条件
に依存するが、通常、数分〜1日である。
還元反応は、オキサザボロジンを触媒として不斉ホウ素
還元反応(Tetrahedron Lett.,3
1,601(1990))等の公知の方法に準じて行う
こともできる。
ジド化反応としては、溶媒中、アジド化剤及び塩基の
存在下に室温あるいは加熱下に反応させる方法や、ジ
オール(2b)とトシルクロリド、トリフルオロメチル
スルホニルクロリド等とを塩基存在下に反応させること
によりジスルホン酸エステルとした後、これとアジド化
剤を反応させる方法、ジオール(2b)と塩化チオニ
ル等のハロゲン化剤と反応させることによりジハライド
とした後、これとアジド化剤を反応させる方法等が挙げ
られる。
ルアジド等の有機アジド化剤、アジ化ナトリウム等無機
アジド化剤等の一般式的に購入できるものを使用するこ
とができる。アジド化剤の使用量は、光学活性ジオール
(2b)に対して、通常2〜10倍モルの範囲である。
えば、トリエチルアミン、ピリジン、DABCO、DB
U等の有機塩基;ナトリウムメトキシド、ナトリウムエ
トキシド、カリウム t−ブトキシド、マグネシウムエ
トキシド等の金属アルコキシド類;水酸化ナトリウム、
水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物;水酸化マグ
ネシウム等のアルカリ土類金属水酸化物;炭酸ナトリウ
ム、炭酸カルシウム等の炭酸塩;水素化ナトリウム、水
素化カルシウム等の金属水素化物;等が挙げられる。こ
れらの中でも、DBU等の有機塩基が好ましい。
例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素類;ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジ
クロロメタン、クロロホルム、トリクロロメタン、四塩
化炭素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン炭化水素
類;ジエチルエーテル、THF、1,2−ジメトキシエ
タン、1,4−ジオキサン等のエーテル類;DMF、
N,N−ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダ
ゾリジン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、
N−メチルピロリドン、HMPT等のアミド類;アセト
ニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;等を用いる
ことができる。これらの溶媒は単独で、あるいは2種以
上を混合して使用することもできる
しくは−30℃〜室温の範囲で円滑に進行する。反応時
間は、通常、数分〜1日、好ましくは3〜18時間であ
る。
元反応は、溶媒中、還元剤の存在下に室温又は加熱下に
反応させて行う。還元剤としては、一般的に使用される
還元剤を用いることができるが、その具体例としては、
水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、三水素化シアノホウ素ナトリウム、トリエチル水素
化ホウ素リチウム、ジボラン等を挙げることができる。
また、パラジウムや白金の炭素担持体を触媒として水添
条件下で反応を行うこともできる。
ば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソ
プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコール等のア
ルコール類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類;ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素
類;ジエチルエーテル、THF、1,2−ジメトキシエ
タン、1,4−ジオキサン等のエーテル類;DMF、
N,N−ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダ
ゾリジン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、
N−メチルピロリドン、HMPT等のアミド類;DMS
O等を用いることができる。これらの溶媒は単独で、あ
るいは2種以上を混合して使用することもできる。
しくは−30℃〜室温の温度範囲で円滑に進行する。反
応時間は、通常、数分〜1日、好ましくは、3〜18時
間である。
は、溶媒中、ジケトン(2a)と一般式:R12ONH2
(R12は、アルキル基等を表す。)で表されるアルコキ
シアミンとを室温又は加熱下に反応させて行う。なお、
アルコキシアミンは塩の形で用い、塩基で中和させなが
ら反応させることもできる。かかるアルコキシアミンの
塩としては、例えば、メトキシアミン塩酸塩、エトキシ
アミン塩酸塩、ベンジルオキシアミン塩酸塩等が挙げら
れる。その使用量は、ジケトン(2a)に対して、1〜
100倍モル、好ましくは2〜20倍モルの範囲であ
る。
性なものであればよく、工業的に使用できる一般的なも
のを用いることができる。その具体例としては、メタノ
ール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノー
ル、ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール
類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類;ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジクロ
ロメタン、クロロホルム、トリクロロメタン、四塩化炭
素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン炭化水素類;
ジエチルエーテル、THF、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサン等のエーテル類;DMF、N,
N−ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダゾリ
ジン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−
メチルピロリドン、HMPT等のアミド類;アセトニト
リル、ベンゾニトリル等のニトリル類;DMSO、水等
が挙げられる。これらの溶媒は単独で、あるいは2種以
上を混合して使用することもできる。
しくは、室温〜溶媒の沸点の温度範囲で円滑に進行す
る。反応時間は、通常、数分〜1日、好ましくは、8〜
18時間である。
斉還元反応は、例えば、オキサザボロリジンによる不斉
ホウ素還元反応(J.Org.Chem.,65(1
8),5879(2000)参照。)等の公知の方法に
準じて行うことができる。
コール類の製造方法について説明する。
ミノケトン類(5)を出発原料として、ルテニウム化合
物を触媒として不斉水素化還元反応により、それぞれに
対応する光学活性アルコール(4)、(4’)又は(1
0)を製造することができる。
(3’)について説明する。 一般式(3)及び
(3’)において、A環部は置換基を有してもよい3〜
8員環を表し、B環部は、置換されていてもよく、ヘテ
ロ原子を含んでもよい、4〜8員環を表す。前記置換基
を有してもよい3〜8員環もしくは4〜8員環として
は、例えば、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペ
ンタン、シクロヘキサン環等の飽和炭化水素環;シクロ
プロペン、シクロブテン、シクロブタジエン、シクロペ
ンテン、シクロペンタジエン、シクロヘキセン、シクロ
ヘキサジエン、ベンゼン環等の不飽和炭化水素環;等が
挙げられる。
テロ環としては、例えば、フラン、ピラン、ジオキソラ
ン等の含酸素ヘテロ環;チオフェン等の含イオウヘテロ
環;ピロール、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾー
ル、イソオキサゾール、トリアゾール、チアゾール、イ
ソチアゾール、ピリジン、ピラダジン、ピラジン、ベン
ゾイミダゾール、ベンゾピラゾール、ペンゾチアゾー
ル、キノリン、インドリン、フェナントロニリン等の飽
和若しくは不飽和の含窒素ヘテロ環;等が挙げられる。
を有してもよいα−テトラロン類、置換基を有してもよ
いβ−テトラロン類、置換基を有してもよいクロモン
類、置換基を有してもよい4−クロマノン類、置換基を
有してもよいチオクロマン−4−オン類、置換基を有し
てもよい2,3−ジヒドロ−1H−キノリン−4−オン
類、置換基を有してもよい2−イソチオクロマン−4−
オン類、置換基を有してもよい2,3−ジヒドロ−1H
−イソキノリン−4−オン類、置換基を有してもよい1
−インダノン類、置換基を有してもよい2H−ベンゾフ
ラン−3−オン類、置換基を有してもよい2H−ベンゾ
チオピラン−3−オン類、置換基を有してもよいインド
リン−3−オン類、置換基を有していてもよい4−ケト
−4,5,6,7−テトラヒドロチアナフテン類等が挙
げられる。
えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;
水酸基;アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アセ
チルアミノ等の置換されていてもよいアミノ基;メチ
ル、エチル、n−プロピル、イソプロピル、n−ブチ
ル、sec−ブチル、t−ブチル、n−ペンチル、イソ
ペンチル、ネオペンチル、t−ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル基等のC
1〜C20アルキル基;エテニル、n−プロペニル、イ
ソプロペニル、n−ブテニル、sec−ブテニル、t−
ブテニル、1,3−ブタジエニル、n−ペンテニル、2
−ペンテニル、3−ペンテニル、ヘキセニル基等のC2
〜C20アルケニル基;シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等のC3〜C8
シクロアルキル基;ベンジル、α−メチルベンジル、
α,α−ジメチルベンジル、α−エチルベンジル基等の
アラルキル基;フェニル、1−ナフチル、2−ナフチル
基等のアリール基;メトキシ、エトキシ、n−プロポキ
シ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、sec−ブトキ
シ、t−ブトキシ基等のC1〜C20アルコキシ基;ア
シルオキシ基;アシル基;ヘテロ環基;等が挙げられ
る。
セトキシ、エチルカルボニルオキシ、イソプロピルカル
ボニルオキシ基等のC1〜C12のアルキルカルボニル
オキシ基;ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニル
オキシ基;フェニルメチルカルボニルオキシ基等のアラ
ルキルカルボニルオキシ基;等が挙げられ、前記アシル
基としては、例えば、プロパノイル、イソプロピルカル
ボニル基等のC1〜C12のアルキルカルボニル基、メ
トキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキ
シカルボニル、t−ブトキシカルボニル基等のアルコキ
シカルボニル基;ベンゾイル基等のアリールカルボニル
基;フェニルメチルカルボニル基等のアラルキルカルボ
ニル基;等が挙げられる。
ル、ピラニル、ジオキソラニル基等の含酸素ヘテロ環
基;チエニル基等の含イオウヘテロ環基;ピロリル、イ
ミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾ
リル、トリアゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピ
リジル、ピラダジル、ピラジニル、ベンゾイミダゾリ
ル、ベンゾピラゾリル、ペンゾチアゾリル、キノリル、
アントラニル、インドリル、フェナントロニリル基等の
飽和若しくは不飽和の含窒素ヘテロ環基;等が挙げられ
る。
の種類、置換基の数等に特に制限はない。また、例示し
た縮合環ケトン類のベンゼン環がこれらの置換基を有し
てもよい他の縮合環に置き換わってもよい。
い範囲において置換基をさらに有してもよい。かかる置
換基としては、例えば、フッ素、塩素、臭素等のハロゲ
ン原子;水酸基;カルボキシル基;アミノ基;メチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブ
チル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等のC1〜C
6アルキル基;メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソ
プロポキシ、ブトキシ、t−ブトキシ基等のC1〜C6
アルコキシ基;メトキシカルボニル、エトキシカルボニ
ル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニ
ル、ブトキシカルボニル、t−ブトキシカルボニル基等
のC1〜C6アルコキシカルボニル基;ベンゼン環の任
意の位置に置換基を有してもよいフェニル基;ナフタレ
ン環の任意の位置に置換基を有してもよい、1−ナフチ
ル、2−ナフチル基等のナフチル基;環の任意の位置に
置換基を有してもよい、フラン、ピラン、ジオキソラ
ン、ジオキサン、ピロール、チオフェン、イミダゾー
ル、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、ト
リアゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、
ピリダジン、ピラジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾピ
ラゾール、ベンゾチアゾール、キノリン等のヘテロ環
基;等が挙げられる。
説明する。式中、Ra及びRcは、それぞれ独立して、
水素原子;メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、イソ
ペンチル、ネオペンチル、t−ペンチル、ヘキシル、ヘ
プチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル基等の置
換基を有してもよいC1〜C20アルキル基;ビニル、
1−プロペニル、2−プロペニル、1−イソプロペニ
ル、1−ブテニル、1−イソプロペニル、2−ブテニ
ル、3−ブテニル、1,3−ブタジエニル、1−ペンテ
ニル、2−ペンテニル、3−ペンテニル基等の置換基を
有してもよいC2〜C20アルケニル基;シクロプロピ
ル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基
等の置換基を有してもよいC3〜C8シクロアルキル
基;ベンジル、α−メチルベンジル、α,α−ジメチル
ベンジル、α−エチルベンジル基等の置換基を有しても
よいC7〜C20アラルキル基;フェニル、1−ナフチ
ル、2−ナフチル基等の置換基を有してもよいアリール
基;置換基を有してもよいヘテロ環基等を表す。
としては、例えば、フラニル、ピラニル、ジオキソラニ
ル基等の含酸素ヘテロ環基;チエニル基等の含イオウヘ
テロ環基;ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキ
サゾリル、イソオキサゾリル、トリアゾリル、チアゾリ
ル、イソチアゾリル、ピリジル、ピラダジル、ピラジニ
ル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾピラゾリル、ペンゾチ
アゾリル、キノリル、アントラニル、インドリル、フェ
ナントロニリル基等の飽和若しくは不飽和の含窒素ヘテ
ロ環基;等が挙げられる。
ルキル基、アラルキル基、アリール基及びヘテロ環基の
置換基としては、本反応を阻害することのない置換基で
あれば、その置換位置、置換基の種類、置換基の数等に
特に制限はない。その具体例としては、フッ素、塩素、
臭素等のハロゲン原子;水酸基;カルボキシル基;アミ
ノ基;メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチ
ル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル
基等のC1〜C6アルキル基;メトキシ、エトキシ、プ
ロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、t−ブトキシ基
等のC1〜C6アルコキシ基;メトキシカルボニル、エ
トキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポ
キシカルボニル、ブトキシカルボニル、t−ブトキシカ
ルボニル基等のC1〜C6アルコキシカルボニル基;ベ
ンゼン環の任意の位置に置換基を有してもよいフェニル
基;ナフタレン環の任意の位置に置換基を有してもよい
(1−ナフチル、2−ナフチル基等の)ナフチル基;環
の任意の位置に置換基を有してもよい(フラン、ピラ
ン、ジオキソラン、ジオキサン、ピロール、チオフェ
ン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオ
キサゾール、トリアゾール、チアゾール、イソチアゾー
ル、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ベンゾイミダゾ
ール、ベンゾピラゾール、ベンゾチアゾール、キノリン
等の)ヘテロ環基;等が挙げられる。
N−、一般式(7):R9CO(R10CO)N−、一般
式(8):R9R11N−、のいずれかの基を表す。
立して、水素原子;ホルミル基;メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、t−ブ
チル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、t−ペ
ンチル、ヘキシル、ヘプチル基等のC1〜C20アルキ
ル基;メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、イソブトキシ、t−ブトキシ、ペンチル
オキシ、イソペンチルオキシ、ネオペンチルオキシ、t
−ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等の置換基を有し
てもよいC1〜C20アルコキシ基;シクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等の
C3〜C8シクロアルキル基;シクロペンチルオキシ、
シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ基等のC3〜C
8シクロアルコキシ基;置換基を有してもよいC1〜C
20アルケニル基;ベンジル、4−クロロベンジル、α
−メチルベンジル基等の置換基を有してもよいアラルキ
ル基;ベンジルオキシ、4−クロロベンジルオキシ、4
−メチルベンジルオキシ基等の置換基を有してもよいC
7〜C20アラルキルオキシ基;フェニル、1−ナフチ
ル、2−ナフチル基等の置換基を有してもよいアリール
基;ベンゾイルオキシ、1−ナフチルオキシ、2−ナフ
チルオキシ基等の置換基を有してもよいアリールオキシ
基;等を表す。
合には、R11が水素原子で、かつ、R9がアルコキシ
基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基及びアラル
キルオキシ基の何れかであると、アンチ立体配置の光学
活性アミノアルコールが優先的に得られる。このためシ
ン立体配置の光学活性アミノアルコールを得る場合には
それ以外の置換基の組み合わせを選択する必要がある。
ここで、シン立体配置とは炭素鎖を主鎖としてジグザグ
に左右方向に置いた場合に、その上下方向にそれぞれ置
換するアミノ基とヒドロキシルが同じ面を向くような立
体配置のことをいい、アンチ立体配置とはアミノ基とヒ
ドロキシル基が逆の面を向くような立体配置のことをい
う。
キル基、アラルキルオキシ基、アリール基及びアリール
オキシ基の置換基としては、本反応を阻害することのな
い置換基であれば、その置換位置、置換基の種類、置換
基の数等に特に制限はない。その具体例としては、フッ
素、塩素、臭素等のハロゲン原子;水酸基;カルボキシ
ル基;アミノ、メチルアミノ、アセチルアミノ等の置換
基を有していてもよいアミノ基;メチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、sec−ブチル、t−ブ
チル、ペンチル、ヘキシル基等のC1〜C20アルキル
基;メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキ
シ、ブトキシ、t−ブトキシ基等のC1〜C20アルコ
キシ基;メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プ
ロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブト
キシカルボニル、t−ブトキシカルボニル基等のC1〜
C20アルコキシカルボニル基;ベンゼン環の任意の位
置に置換基を有してもよいフェニル基;ナフタレン環の
任意の位置に置換基を有してもよい(1−ナフチル、2
−ナフチル基等の)ナフチル基;環の任意の位置に置換
基を有してもよい(フラン、ピラン、ジオキソラン、ジ
オキサン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラ
ゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、トリアゾー
ル、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリダジ
ン、ピラジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾピラゾー
ル、ベンゾチアゾール、キノリン等の)ヘテロ環基;等
が挙げられる
合して、5〜8員の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。
かかるヘテロ環のとしては、例えば、スクシンイミド、
マレイミド、フタルイミド、1,2−シクロヘキサンカ
ルボキサミド、2,4,6−トリオキソピペリジン、α
−ピリドン等のイミド類等が挙げられる。
プロピオニルアミノ、プロピルカルボニルアミノ、ベン
ゾイルアミノ、4−メチルベンゾイルアミノ、2−クロ
ロベンゾイルアミノ、3−メトキシベンゾイルアミノ、
2−クロロ−4−メトキシベンゾイルアミノ基等のアシ
ルアミノ基;ジアセチルアミノ、ジベンゾイルアミノ基
等のジアシルアミノ基;N−アセチル−N−メチルアミ
ノ、N−ベンゾイル−N−メチルアミノ、N−アセチル
−N−エチルアミノ、N−ベンゾイル−N−エチルアミ
ノ、N−アセチル−N−ベンジルアミノ、N−ベンゾイ
ル−N−ベンジルアミノ、4−メチルベンゾイルメチル
アミノ基等のN−アルキル−N−アシルアミノ基;N−
アセチル−N−フェニルアミノ、N−アセチル−N−4
−メチルファニルアミノ、N−アセチル−N−2−クロ
ロフェニルアミノ、N−アセチル−N−2,4−ジクロ
ロフェニルアミノ、N−ベンジル−N−フェニルアミ
ノ、N−ベンジル−N−4−メチルフェニルアミノ、N
−ベンジル−N−2−クロロフェニルアミノ、N−ベン
ジル−N−2,4−ジクロロフェニルアミノ基等のN−
アリール−N−アシルアミノ基;N−メトキシカルボニ
ル−N−メチルアミノ、N−エトキシカルボニル−N−
メチルアミノ、N−メトキシカルボニル−N−エチルア
ミノ、N−エトキシカルボニル−N−エチルアミノ、N
−プロポキシカルボニル−N−プロピルアミノ、N−イ
ソプロポキシカルボニル−N−メチルアミノ、N−ブト
キシカルボニル−N−エチルアミノ、N−t−ブトキシ
カルボニル−N−ブトキシアミノ基等のN−アルコキシ
カルボニル−N−アルキルアミノ基;
ノ、N−エトキシカルボニル−N−メチルアミノ、N−
メトキシカルボニル−N−エチルアミノ、N−エトキシ
カルボニル−N−エチルアミノ、N−プロポキシカルボ
ニル−N−プロピルアミノ、N−イソプロポキシカルボ
ニル−N−メチルアミノ、N−ブトキシカルボニル−N
−エチルアミノ、N−t−ブトキシカルボニル−N−メ
チルアミノ基、N−t−ブトキシカルボニル−N−ブト
キシアミノ基等のN−アルコキシカルボニル−N−アル
キルアミノ基;N−メトキシカルボニル−N−フェニル
アミノ、N−エトキシカルボニル−N−フェニルアミ
ノ、N−プロポキシカルボニル−N−フェニルアミノ、
N−イソプロポキシカルボニル−N−フェニルアミノ、
N−ブトキシカルボニル−N−フェニルアミノ、N−t
−ブトキシカルボニル−N−フェニルアミノ基等のN−
アルコキシカルボニル−N−アリールアミノ基;
−エチル−メチルスルホニルアミノ、N−プロピル−メ
チルスルホニルアミノ、N−イソプロピル−メチルスル
ホニルアミノ、N−ベンジル−メチルスルホニルアミ
ノ、N−ブチル−メチルスルホニルアミノ、N−メチル
−エチルスルホニルアミノ、N−エチル−エチルスルホ
ニルアミノ、N−メチル−プロピルスルホニルアミノ、
N−エチル−プロピルスルホニルアミノ、N−メチル−
イソプロピルスルホニルアミノ、N−エチル−イソプロ
ピルスルホニルアミノ、N−メチル−ブチルスルホニル
アミノ、N−エチル−ブチルスルホニルアミノ、N−メ
チル−t−ブチルスルホニルアミノ、N−エチル−t−
ブチルスルホニルアミノ等のN−アルキル−アルキルス
ルホニルアミノ基;N−メチル−フェニルスルホニルア
ミノ、N−エチル−フェニルスルホニルアミノ、N−ベ
ンジル−フェニルスルホニルアミノ、N−メチル−4−
メチルフェニルスルホニルアミノ、N−ベンジル−4−
メチルフェニルスルホニルアミノ、N−エチル−2−ク
ロロフェニルスルホニルアミノ、N−メチル−2,4−
ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のN−アルキル
−置換フェニルスルホニルアミノ基;
N−フェニル−エチルスルホニルアミノ、N−フェニル
−プロピルスルホニルアミノ、N−フェニル−イソプロ
ピルスルホニルアミノ、N−フェニル−ブチルスルホニ
ルアミノ、N−フェニル−t−ブチルスルホニルアミノ
等のN−アリール−アルキルスルホニルアミノ基;N−
フェニル−フェニルスルホニルアミノ、N−フェニル−
4−メチルフェニルスルホニルアミノ、N−フェニル−
2−クロロフェニルスルホニルアミノ、N−フェニル−
2,4−ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のN−
アリール−置換フェニルスルホニルアミノ基;スクシン
イミドイル基、マレイミドイル基、フタルイミドイル
基、3−メチルフタルイミドイル基、4−メチルフタル
イミドイル基、4−n−ブチルフタルイミドイル基、4
−クロロフタルイミドイル基、テトラメチルフタルイミ
ドイル基、1,2−シクロヘキサンカルボキサミドイル
基、2,4,6−トリオキソピペリジン−1−イル基、
α−ピリドン−1−イル基等のイミド基等を挙げること
ができる。
アミノケトン類は、公知の方法で製造し、入手すること
ができる。
斉水素化反応は、基質となる上記した縮合ケトン類
(3)、(3’)又はα−アミノケトン類(5)を、一
般式(1)で表されるルテニウム化合物の存在下に、所
望により塩基を添加して、所定圧力の水素ガス又は水素
供与体の存在下に不斉還元することにより行う。
物の原料となるルテニウム錯体(又はルテニウム
塩)、リン化合物及びジアミン化合物とを別々に反応系
に添加、又はホスフィン配位子を有するルテニウム錯
体(又はルテニウム塩)及びジアミン化合物とを別々に
反応系に添加して、必要に応じて塩基を添加してルテニ
ウム化合物を生成させた後、該ルテニウム化合物を反応
系から取り出すことなく、そこへ基質を添加することに
より、in situで不斉水素化反応を行わせること
もできる。
るルテニウム化合物の使用量は、反応容器の大きさや触
媒活性によって異なるが、反応基質である縮合ケトン類
又はα−ジアミノケトン類に対して、通常1/50〜1
/2,000,000倍モル、好ましくは1/500〜
1/500,000倍モルの範囲である。
チルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、
DABCO、DBU等の有機塩基;ナトリウムメトキシ
ド、ナトリウムエトキシド、カリウム t−ブトキシ
ド、マグネシウムメトキシド、マグネシウムエトキシド
等の金属アルコキシド類;n−ブチルリチウム等の有機
リチウム化合物;LDA、リチウムビストリメチルシリ
ルアミド等のリチウムアミド類;水酸化リチウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化
物;水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等のアルカ
リ土類金属水酸化物;炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等
のアルカリ金属炭酸塩;炭酸水素ナトリウム、炭酸水素
カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩;炭酸マグネシウ
ム、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩;水素
化ナトリウム、水素化カルシウム等の金属水素化物;が
挙げられる。
対し、通常2〜500,000倍モル、好ましくは、2
〜5,000倍モルの範囲である。
ものであれば特に制限ない。その具体例としては、メタ
ノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノ
ール、ブタノール、ベンジルアルコール等のアルコール
類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類;ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類;ジクロ
ロメタン、クロロホルム、トリクロロメタン、四塩化炭
素、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン炭化水素類;
ジエチルエーテル、THF、1,2−ジメトキシエタ
ン、1,4−ジオキサン等のエーテル類;DMF、N,
N−ジメチルアセタミド、1,3−ジメチルイミダゾリ
ジン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N−
メチルピロリドン、HMPT等のアミド類;アセトニト
リル、ベンゾニトリル等のニトリル類;DMSO等を用
いることができる。これらの溶媒は単独で、あるいは2
種以上を混合して使用することもできる。これらの溶媒
の中でも、反応生成物がアルコール化合物であることか
ら、アルコール類の使用が好ましい。
又は(5)で表されるケトン類の溶解度及び経済性に依
存し、場合によっては無溶媒又は高希釈条件に近い状態
でも反応は進行するが、通常、該ケトン類100重量部
に対して0.1〜10,000重量部、好ましくは20
〜1,000重量部の範囲である。
ましくは3〜50気圧の範囲であり、水素供与体として
は、例えば、水素貯蔵合金やジイミド等を用いることが
でき、その使用量は、一般式(3)、(3’)又は
(5)で表されるケトン類に対して、通常、1〜100
倍当量の範囲である。反応温度は、通常−50〜100
℃、好ましくは25〜40℃の温度範囲である。また、
反応時間は、反応基質濃度や温度、圧力等の反応条件に
依存するが、通常、数分〜数日である。反応形式として
は特に制限はないが、例えば、バッチ式においても連続
式においても実施することができる。
により、単離・精製を行い目的物を得ることができる。
目的物の構造は、1H−NMR、旋光度測定、液体クロ
マトグラフィー、ガスクロマトグラフィー等の公知の分
析手段によって決定することができる。
ノアルコール(10)において、Rcが水素原子でない
ものはシン(syn)立体配置を有する。ここでシン立
体配置とは、炭素鎖を主鎖としてジグザグに左右方向に
置いた場合に、その上下方向にそれぞれ置換するアミノ
基とヒドロキシル基が同じ面を向くような立体配置をい
う。
本発明はこれらのみに限定されるものではない。尚、各
実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りであ
る。 NMRスペクトル:Varian GEMINI−30
0(300MHz)、バリアン社製 旋光度:JASCO DIP−360、日本分光(株)
製 高速液体クロマトグラフィー:LC−10Advp、S
PD−10Avp、島津製作所(株)製 ガスクロマトグラフィー:GC−17A、C−R7A
Plus、島津製作所(株)製
ロキシ−1,4−ジフェニルブタンの合成
タン0.477g(2mmol)のイソプロパノール3
ml溶液、トルエン5ml及び水酸化カリウムイソプロ
パノール溶液(1M)0.2mlを混合し脱気し、
[(R)−Xylyl−BINAP]RuCl2[(R)−
1,1’−ジアニシル−2−イソプロピル−1,2−エ
チレンジアミン[(R)−DAIPENと略す:J.A
m.Chem.Soc.,120、13529(199
8)]]12mg(0.01mmol)を加えた。その
後、水素を8気圧まで圧入し、室温で18時間攪拌し
た。反応液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘ
キサン/酢酸エチル=1/1)で精製して、目的の
(S,S)−1,4−ジヒドロキシ−1,4−ジフェニ
ルブタン0.43gを得た。収率90%
ド−1,4−ジフェニルブタンの合成
4−ジフェニルブタン0.55g(2.27mmol)
とDBU0.7ml(2.72mmol)のトルエン6
ml溶液にジフェニルホスホリルアジド1.78g
(2.72mmol)を攪拌しながら0℃で添加した。
室温で18時間攪拌した後、反応液を希塩酸にあけ酢酸
エチルで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾
燥し、濃縮して得られた残留物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10/1)で
精製することにより、目的の(R,R)−1,4−ジア
ジド−1,4−ジフェニルブタン0.21gを得た。収
率32%
7.5−7.3(m,10H)、4.4(t,2H)、
1.9(m,2H)、1.7(m,2H)
ノ−1,4−ジフェニルブタン塩酸塩の合成
ジフェニルブタン0.21g(0.83mmol)のエ
タノール6ml溶液に、5%パラジウムカーボン0.1
gを加え、反応系を水素置換して、常温、常圧下に48
時間攪拌した。反応終了後、反応溶液から不溶物を濾別
し、濾液に濃塩酸を加えて濃縮し、析出した結晶を濾取
した。得られた結晶を酢酸エチルで洗浄し、乾燥するこ
とにより、目的とする(R,R)−1,4−ジアミノ−
1,4−ジフェニルブタン塩酸塩0.1gを得た。収率
37%
m):8.6(s,6H)、7.4(s,10H)、
4.2(m,2H)、2.0(m,2H)、1.5
(m,2H) [α]D 24=−10.1°(c=1.0,MeOH)
BINAP][(2R,5R)−2,5−ジアミノヘキサ
ン]の合成
2ml、(2R,5R)−2,5−ジアミノヘキサン5
mg(0.025mmol)を加え、脱気した後、Ru
Cl 2[(S)−Tol−BINAP]のDMF付加物2
5mg(0.025mmol)を加えて溶解させた。溶
媒を減圧留去することにより目的物を得た。この化合物
の31P−NMR(CDCl3)を測定した結果、43.
9ppmにシングレットピークが観測された。
BINAP][(1R,4R)−1,4−ジアミノ−1,
4−ジフェニルブタン]の合成
2ml、(1R,4R)−1,4−ジアミノ−1,4−
ジフェニルブタン8mg(0.025mmol)を加
え、脱気した後、RuCl2[(R)−Tol−BINA
P]のDMF付加物25mg(0.025mmol)を
加えて溶解させた。溶媒を減圧留去することにより目的
物を得た。この化合物の31P−NMR(CDCl3)を
測定した結果、44.6ppmにシングレットピークが
観測された。
ン−(3R,4R)−ジヒドロキシ−(2R,5R)−
ジアジドヘキサンの合成 3,4−O−イソプロピリデン−(3R,4R)−ジヒ
ドロキシ−(2S,5S)−ヘキサンジオール ビスメ
タンスルホナート1.52g(4.4mmol)をDM
SO15mlに溶解し、アジ化ナトリウム1.27g
(17.5mmol)を加えて50度で24時間撹拌し
た。反応終了後、反応溶液に水を加え酢酸エチルで抽出
した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮し
て得られた残留物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー(ヘキサン/酢酸エチル=10/1)で精製すること
によりジアジド体0.71gを得た。収率67%。
ン−(3R,4R)−ジヒドロキシ−(2R,5R)−
ジアミノヘキサンの合成 3,4−O−イソプロピリデン−(3R,4R)−ジヒ
ドロキシ−(2R,5R)−ジアジドヘキサン0.71
gをメタノール5mlに溶解し、5%パラジウムカーボ
ン0.1gを加え反応系を水素置換して常温、常圧下2
4時間撹拌した。反応終了後反応溶液から不溶物を濾別
し、濾液を濃縮して得られた残留物をクーゲルロールで
蒸留(160度/5mmHg)して目的物0.49gを
得た。収率88% 1H−NMR(CDCl3, δppm):3.68
(m, 2H)、3.0(m, 2H)、1.46(b
s, 4H)、1.39(s, 6H)、1.16(d,
J=6.4Hz,6H) 〔α〕D 23=28.9゜ (c=1.4, MeOH)
p][3,4−O−イソプロピリデン−(3R,4R)
−ジヒドロキシ−(2R,5R)−ジアミノヘキサン]
の合成 シュレンクチューブ中に脱気したイソプロパノール5m
l、3,4−O−イソプロピリデン−(3R,4R)−
ジヒドロキシ−(2R,5R)−ジアミノヘキサン50
mg(0.266mmol)、[RuCl2(シメン)]
2 82mg(0.134mmol)を加え、還流下30
分撹拌した。続いて(S)−BINAP166mg
(0.266mmol)を加えて還流下45分撹拌し
た。冷却した後ヘキサンを加えて析出した結晶を濾別し
て目的物を得た。この化合物の31P−NMR(CDCl
3)を測定した結果、45.4ppmにシングレットピ
ークが観測された。
トラヒドロ−1−ナフトールの合成
(容量100ml)中に、(2R,5R)−2,5−ジ
アミノヘキサン塩酸塩1mg(0.005mmol)、
テトラロン0.37g(2.5mmol)、水酸化カリ
ウムイソプロパノール溶液(1M)75μl及びイソプ
ロパノール1.5mlを室温で添加し、脱気した後、R
uCl2[(S)−Tol−BINAP]のDMF付加
物5mg(0.005mmol)を加えた。反応系内に
水素を8気圧まで圧入し、室温にて1.5時間攪拌し
た。反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液:ジエチルエーテル)で精製して光学異性体混
合物を得た。転化率64% このものの光学純度をガスクロマトグラフィー(移動
相:ヘリウム、カラム:CP−Chiralcel−D
ex CB、クロムパック(株)製)で測定したところ、
91%eeであった。
ンを変えた場合の反応生成物の光学純度(%ee)を第
1表に示した。
トラヒドロ−1−ナフトールの合成
(容量100ml)中に、(S,S)−2,4−ジアミ
ノペンタン塩酸塩1.mg(0.005mmol)、テ
トラロン0.37g(2.5mmol)、水酸化カリウ
ムイソプロパノール(1M)75μl及びイソプロパノ
ール3mlを室温で添加し、脱気した後、RuCl
2[(R)−Tol−BINAP]のDMF付加物5m
g(0.005mmol)を加えた。反応系内に水素ガ
スを8気圧まで圧入し、室温にて1.5時間攪拌した
後、反応混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(溶離液:ジエチルエーテル)で精製して光学異性体混
合物を得た。転化率83%。このものの光学純度を高速
液体クロマトグラフィー(移動相:ヘキサン/イソプロ
パノール=9/1、カラム:Chiralcel O
B、ダイセル化学工業(株)製)で測定したところ75
%eeであった。
て反応を行い、得られた(S)−1,2,3,4−テト
ラヒドロ−1−ナフトールの転化率%、光学純度%ee
を第2表に示した。
2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフトールの合成 簡易型オートクレーブ(容量100ml)中に、7−メト
キシ−1−テトラロン0.19g(1mmol)、Ru
Cl2[(R)−binap][(1R,4R)−1,
4−ジフェニルブタン−1,4−ジアミン]5mg
(0.005mmol)を加えアルゴン置換した後に、
脱気したイソプロパノール2.5mlおよび水酸化カリ
ウムイソプロパノール溶液(1M)100μlを加え
た。反応系内に水素を8気圧まで圧入し、室温にて1.
5時間撹拌した。反応混合物をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=2/1)で精製し
光学異性体混合物を定量的に得た。このものの光学純度
を高速液体クロマトグラフィー(移動相:ヘキサン/イ
ソプロパノール=92/8、カラム:Chiralce
l OD−H、ダイセル化学工業(株)製)で測定した
ところ、92%eeであった。
2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフトールの合成 簡易型オートクレーブ(容量100ml)中に、5−メト
キシ−1−テトラロン0.41g(2.5mmol)、
RuCl2[(S)−binap][(2R,5R)−
ジアミノヘキサン]5mg(0.005mmol)を加
えアルゴン置換した後に、脱気したイソプロパノール2
mlおよび水酸化カリウムイソプロパノール溶液(1
M)100μlを加えた。反応系内に水素を8気圧まで
圧入し、室温にて2時間撹拌した。反応混合物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル
=2/1)で精製し光学異性体混合物0.36gを得
た。収率87% このものの光学純度を高速液体クロマトグラフィー(移
動相:ヘキサン/イソプロパノール=9/1、カラム:
Chiralcel OB、ダイセル化学工業(株)製)
で測定したところ、95%eeであった。
−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフトールの合
成 簡易型オートクレーブ(容量100ml)中に、RuCl
2[(S)−binap][3,4−O−イソプロピリ
デン−(3R,4R)−ジヒドロキシ−(2R,5R)
−ジアミノヘキサン]5mg(0.005mmol)を
加えアルゴン置換した後に、イソプロパノール2.5m
l中に水酸化カリウムイソプロパノール溶液(1M)1
00μlおよび2−メチル−1−テトラロン0.16g
(1mmol)を溶解したものを脱気した後に加えた。
反応系内に水素を8気圧まで圧入し、室温にて2時間撹
拌した。このものをガスクロマトグラフィー(移動相:
ヘリウム、カラム:βDEX325、スペルコ製)で測
定したところ、転換率>99%、98%de、88%e
eであった。
(R)−Xylyl−BINAPを用い、ジアミンとし
て(1R,2R)−ジフェニルエチレンジアミンを用い
た以外は実施例10と同様の条件で実験を行った。転化
率26%、26%de、84%ee(cis体)、33%
ee(trans体)であった。
2−(N−メチル−N−ベンゾイルアミノ)−1−プロ
パノールの合成
(容量100ml)中に、(2R,5R)−2,5−ジ
アミノヘキサン塩酸塩2.2mg(0.0125mmo
l)、1−フェニル−2−(N−メチル−N−ベンゾイ
ル)アミノプロパン−1−オン0.67g(2.5mm
ol)、0.1Nのt−ブトキシカリウムのイソプロパ
ノール1.5ml溶液及びイソプロパノール5mlを室
温で添加し、脱気した後、RuCl2[(S)−Tol−
BINAP]のDMF付加物12.5mg(0.012
5mmol)を加えた。反応系内に水素を12気圧まで
圧入し、25℃にて1時間攪拌した後、反応混合物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ジエチル
エーテル)で精製して、光学活性−1−フェニル−2−
(N−メチル−N−ベンゾイルアミノ)−1−プロパノ
ール0.65gを得た。収率97%
純度を高速液体クロマトグラフィー(移動相:ヘキサン
/エタノール=15/1、カラム:Chiralcel
OJ、ダイセル化学工業(株)製)で測定したとこ
ろ、光学純度は89%eeであり、ジアステレオマー純
度は99%de以上であった。
2−(N−メチル−N−ベンゾイルアミノ)−1−プロ
パノールの合成
(容量100ml)中に、(1R,4R)−1,4−ジ
フェニルブタン−1,4−ジアミン3.6mg(0.0
1mmol)、1−フェニル−2−(N−メチル−N−
ベンゾイル)アミノプロパン−1−オン0.53g(2
mmol)、水酸化カリウムイソプロパノール(1M)
100μl及びイソプロパノール5mlを室温で添加
し、脱気した後、RuCl2[(R)−Tol−BIN
AP]のDMF付加物の10mg(0.01mmol)
を加えた。反応系内に水素ガスを12気圧まで圧入し、
25℃にて1時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー(溶離液:ジエチルエーテ
ル)で精製して、光学活性−1−フェニル−2−(N−
メチル−N−ベンゾイルアミノ)−1−プロパノール
0.5gを得た。収率94%
純度を高速液体クロマトグラフィー(移動相:ヘキサン
/エタノール=15/1、カラム:Chiralcel
OJ、ダイセル化学工業(株)製)で測定したとこ
ろ、光学純度94%eeであり、ジアステレオマー純度
99%de以上であった。
入手容易なルテニウム化合物、該ルテニウム化合物の配
位子として好適に用いることができるジアミン化合物を
提供できる。また、該ルテニウム化合物を触媒として用
いて、縮合環ケトン類やα−アミノケトン類を不斉還元
することにより、対応する光学活性アルコール類を、高
立体選択的かつ高収率で製造することができる。
Claims (8)
- 【請求項1】一般式(1): Ru(X)(Y)(Px)n1[R1R2C*(NR3R4)
−A−R5R6C*(NR7R8)] 〔式中、X及びYは、それぞれ独立して、水素原子、ハ
ロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はC1〜C20
アルコキシ基を表し、Pxは、ホスフィン配位子を表
し、R1〜R8はそれぞれ独立して、水素原子、置換基を
有してもよいC1〜C20アルキル基、置換基を有して
もよいC2〜C20アルケニル基、置換基を有してもよ
いC3〜C8シクロアルキル基、置換基を有してもよい
アラルキル基又は置換基を有してもよいアリール基を表
す。また、R1とR2のいずれかがR3とR4のいずれか
と、R5とR6のいずれかがR 7とR8のいずれかとが結合
して環を形成してもよい。Aは、置換基を有していても
よくエーテル結合を有していてもよいC1〜C3アルキ
レン、置換基を有していてもよいC3〜C8シクロアル
キレン、置換基を有していてもよいアリレンまたは置換
基を有していてもよい2価のヘテロ環を表わす。Aがア
ルキレンの場合はR1とR2のいずれかとR5とR6のいず
れかとが結合して環を形成してもよい。)で表される基
であり、*は不斉炭素原子であることを示し、n1は1
または2の整数を表す。〕で表されるルテニウム化合
物。 - 【請求項2】請求項1記載の一般式(1)中のジアミン
が一般式(2): [R1R2C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR3R4)] (式中、A、R1、R2、R3、R4、R5、R6は請求項1
と同様である)であることを特徴とする請求項1記載の
ルテニウム化合物。 - 【請求項3】請求項1記載の一般式(1)中のジアミン
が一般式(2’): [R1R2C*(NR3R4)−A−R1R2C*(NR3R4)] (式中、A、R1、R2、R3、R4は請求項1と同様であ
る)であることを特徴とする請求項1記載のルテニウム
化合物。 - 【請求項4】請求項1記載の一般式(1)におけるAが
C1〜C3アルキレンであることを特徴とする請求項1
記載のルテニウム化合物。 - 【請求項5】請求項1記載の一般式(1)における
R2、R3、R4、R6、R7及びR8が水素原子である、請
求項1、請求項3、請求項4記載のルテニウム化合物。 - 【請求項6】一般式(2): [R1R2C*(NR3R4)−A−R5R6C*(NR3R4)] (式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6は請求項1と同
様である)で表わされるジアミン化合物。 - 【請求項7】一般式(3)又は(3’) 【化1】 (式中、A環部は置換基を有してもよい3〜8員環を表
し、B環部は、置換基を有していてもよく、ヘテロ原子
を含んでもよい、4〜8員環を表す。)で表される縮合
環ケトン類を、請求項1〜4のいずれかに記載のルテニ
ウム化合物の存在下に、水素ガス又は水素供与体を水素
源として不斉水素還元する工程を有する、一般式(4)
又は(4’) 【化2】 (式中、A環部、B環部及び*は前記と同じ意味を表
す。)で表される光学活性アルコール類の製造方法。 - 【請求項8】 一般式(5):Ra−CO−CH(Rb)−Rc 〔式中、Ra及びRcは、それぞれ独立して、水素原
子、置換基を有してもよいC1〜C20アルキル基、置
換基を有してもよいC2〜C20アルケニル基、置換基
を有してもよいC3〜C8シクロアルキル基、置換基を
有してもよいアラルキル基又は置換基を有してもよいア
リール基を表す。Rbは、 一般式(6):R9CO(R11)N− 一般式(7):R9CO(R10CO)N− 一般式(8):R9R11N− で表されるいずれかの基を表す。(ここで、R9、R10
及びR11は、それぞれ独立して、水素原子、ホルミル
基、置換基を有してもよいC1〜C20アルキル基、置
換基を有してもよいC2〜C20アルケニル基、置換基
を有してもよいC1〜C20アルコキシ基、置換基を有
してもよいC3〜C8シクロアルキル基、置換基を有し
てもよいC3〜C8シクロアルコキシ基、置換基を有し
てもよいアラルキル基、置換基を有してもよいアラルキ
ルオキシ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換
基を有してもよいアリールオキシ基を表す。また、R9
とR11又はR9とR10は結合して、5〜8員の含窒素ヘ
テロ環を形成してもよい。)〕で表されるα−アミノケ
トン類を、請求項1〜4記載のいずれかのルテニウム化
合物の存在下に、水素ガス又は水素供与体を水素源とし
て不斉水素還元する工程を有する、 一般式(10):Ra−C*H(OH)−CH(Rb)−Rc 〔式中、Ra、Rb、Rc及び*は前記と同じ意味を表
す。〕で表される光学活性β−アミノアルコール類の製
造方法。
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-
2002
- 2002-01-15 JP JP2002006604A patent/JP4286486B2/ja not_active Expired - Lifetime
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