JP2004349675A - 鏡面仕上げ装置 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 66
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 44
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 31
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 30
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 21
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 16
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 abstract description 3
- 238000013021 overheating Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 31
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 15
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 12
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 11
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 3
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004078 waterproofing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
【解決手段】 ワーク10の被研削(研磨)面に摺接可能な研削手段と、前記研削手段を濡らさないように前記ワーク10の研削手段と摺接しない部位を清浄に維持し冷却する洗浄冷却手段と、を備えた。また、研削手段の材質に関し、体積比率で25%以上の砥粒を含有する、JISに基づく吸水時間が5秒以下、気孔の体積比率が40%以上、連続した気孔の構造をもつ条件、ゴム硬度が10以上30以下である条件の何れかの条件に適合した多孔質体でなるメカノケミカル砥石30を用いた。
【選択図】 図1
Description
図4に示すように、鏡面仕上げ装置に洗浄冷却媒体42の液供給装置が付設されている。前工程(図示せず)で、例えばシリコン単結晶の円柱を薄い円盤状にスライスしたワーク10が、回転テーブル20上に載置され、真空吸着により保持され、矢印J方向に毎分約10〜150回転で回転している。
これは、軟質砥粒と被加工物との接触点に生ずるメカノケミカル現象(すなわち加えられた機械エネルギーにより誘起される化学反応)を利用して、極微小単位の鏡面仕上げを行うものである。しかし、メカノケミカル現象においては、化学反応を弱められる原因になる水濡れを嫌う性質がある。
1.「洗浄」による切粉の除去
2.「冷却」によるワークおよびワーク付設物等の過熱変質を回避
3.「潤滑」による凝着磨耗による面荒れを防止
すなわち、水濡れを嫌う性質の乾式メカノケミカル鏡面仕上げ装置であっても、研削加工に伴って発生する切粉等をワークの周辺から除去して清浄に維持し、かつ摩擦熱が蓄積して過熱しないように洗浄冷却しながら乾式メカノケミカル鏡面仕上げ加工ができるようにした鏡面仕上げ装置を提供する。
なお、従来例でいう化学的作用のあるメカノケミカル砥石30は研削手段の一例に過ぎない。
すなわち、洗浄冷却媒体としての液または気液混合体を噴射する前記洗浄冷却手段によれば、水を主体とする液体が、化学的作用をする箇所へ浸入しないように、化学的作用をする箇所の乾燥または準乾燥状態を維持することができる。
さらに、液噴射方向を研削部位にかからないように設定する等、他の装置を用いなくとも、研削部位を濡らさない手段をとることが容易に可能となる。
(イ)水晶 :Fe3O4
(ロ)Si :BaCo3 ,CaCO3
(ハ)Si3N4 :Cr2O3
(ニ)Fe2O3 :Fe3O4
(ホ)AlO3 :SiO2 ,Fe2O3 ,Fe3O4
(ヘ)Si3N4 :CaCO3 ,MgO ,SiO2 ,Fe2O3 ,Fe3O4
(ト)ガラス :CeO2
(チ)SiC :Cr2O3 ,Al2O3
(リ)AlN :Cr2O3
(ヌ)ZrO2 :SiO2 ,CeO2
さらに、液噴射方向を研削部位にかからないように設定する等、他の装置を用いなくとも、研削部位を濡らさないで維持することが容易に可能となる。
従って本発明の鏡面仕上げ装置は、サファイヤ等の宝石類の研磨にも適する。ただし、その機構設計に関する説明は省略する。
また、「噴霧制御手段3」は請求項3でいう液噴射制御手段である。
なお、実施例として、アイオン(株)のベルイーターY(R)またはアイオン(株)のウェットロン(R)を使用した。
なお、このPVAでなる砥粒結合体は一例に過ぎず、砥粒結合体の材料は他の吸水性を持つものでもよい。
図3は図示せぬCMP装置等に用いられるシリカ入りウレタンパッドの研削面における断面模式図である。
その従来例の装置において、本発明の技術思想を加味すれば、化学的作用を阻害しないように、ミスト42または純水は必要最小限の分量に止めることで、当然に給送部40は、小型軽量にして設備費用と運転費用を軽減できる。
従って、メカノケミカル砥石30にメカノケミカル現象による、化学反応を起こすのに最適な温度を維持しながら、被研削面11の洗浄冷却も効率良くできる。
また、実施形態では環状(カップ状)砥石の外周側から水をかけているが、逆に環状砥石の内周側から水をかける構成でもよい。
2 噴霧ノズル
3 噴霧制御手段
5 流体カーテン制御手段
7 流体カーテン
8 砥粒
10 ワーク
11 被研削面
21 防水隔壁
23 空気
30 メカノケミカル砥石
31 砥石面
33 シリカ粒子
35 気孔
42 洗浄冷却媒体としてのミスト
Claims (9)
- ワークの被研削面に摺接可能な研削手段と、
前記研削手段を濡らさないようにして、前記ワークの研削手段と摺接していない部位を清浄に維持し冷却する洗浄冷却手段と、を備えたことを特徴とする鏡面仕上げ装置。 - 前記研削手段は化学的作用のある鏡面仕上げ工具を備え、
前記洗浄冷却手段は、洗浄冷却媒体として液または気液混合体を噴射することを特徴とする請求項1に記載の鏡面仕上げ装置。 - 前記洗浄冷却手段は、
前記液または気液混合体の噴射を制御する液噴射制御手段を有することを特徴とする請求項2に記載の鏡面仕上げ装置。 - 前記洗浄冷却手段は、
前記噴射された液または気液混合体に対して前記研削手段の化学的作用をする箇所を遮蔽できる構成に、流体のカーテンを展開する流体カーテン展開手段、流体の流れにより前記液または気液混合体を排除する流体排除手段、吸水体による吸湿手段、または鏡面仕上げ工具の近傍に周設した防水手段、の少なくとも一種類を用いたこと特徴とする請求項2または請求項3に記載の鏡面仕上げ装置。 - 前記流体カーテン展開手段または流体排除手段に用いる流体として、空気または窒素およびこれらに酸素、二酸化炭素を付加したものを用いたことを特徴とする請求項4に記載の鏡面仕上げ装置。
- 前記研削手段の材料として、酸化物の砥粒を用いたことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の鏡面仕上げ装置。
- 前記研削手段として、砥石、固定砥粒パッド、研磨テープ、または研磨シートの少なくとも一種類を用いたことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の鏡面仕上げ装置。
- 前記研削手段の材質に関して、体積比率で25%以上の砥粒を含有し、JISに基づく吸水時間が5秒以下であり、前記研削手段の材質中の体積比率で40%以上の連続した気孔を有することを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の特徴とする鏡面仕上げ装置。
- 前記研削手段の材質に関して、JIS K 6253−1997高硬さタイプDのデュロメータによるゴム硬度が10以上30以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の鏡面仕上げ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003342071A JP4153857B2 (ja) | 2003-04-30 | 2003-09-30 | 鏡面仕上げ装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003124735 | 2003-04-30 | ||
JP2003342071A JP4153857B2 (ja) | 2003-04-30 | 2003-09-30 | 鏡面仕上げ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004349675A true JP2004349675A (ja) | 2004-12-09 |
JP4153857B2 JP4153857B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=33543385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003342071A Expired - Fee Related JP4153857B2 (ja) | 2003-04-30 | 2003-09-30 | 鏡面仕上げ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4153857B2 (ja) |
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