JP2018118360A - 研磨装置 - Google Patents

Abstract

【課題】オーバーレイの精度を改善する。【解決手段】研磨装置３００は、ウエハＷの裏面Ｗｂ（被研磨面）に当接して裏面Ｗｂを研磨するように構成された環状を呈する研磨体３１６と、下端部に研磨体３１６が取り付けられた支持体３１１と、研磨体３１６の中央の空間を通じて、研磨体３１６が当接している裏面Ｗｂを吸引するように構成されたポンプ３４０とを備える。【選択図】図６

Description

本開示は、基板等の被研磨物を研磨する研磨装置に関する。

基板（例えば、半導体ウエハ）を微細加工して半導体デバイスを製造するにあたり、フォトリソグラフィ技術を用いて凹凸パターンを基板に形成することが広く行われている。例えば、基板に凹凸パターンを形成する工程は、基板の表面にレジスト膜を形成することと、このレジスト膜を所定のパターンに沿って露光することと、露光後のレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成することと、レジストパターンを介して基板をエッチングすることを含む。このようなフォトリソグラフィ処理が同一の基板に対して複数回行われることにより、基板に多層配線構造が形成される。基板に多層配線構造を形成する際には、基板面内において、前のフォトリソグラフィ処理が行われる領域と次のフォトリソグラフィ処理が行われる領域との位置合わせ（オーバーレイ（overlay）ともいう）の精度が高いことが求められる。

ところで、基板の露光処理は、露光装置内のステージ上に基板が保持された状態で行われる。ステージの表面には多数の支持ピンが立設されている。ステージには多数の吸引孔が設けられている。露光処理の際には、露光装置内に搬送された基板は支持ピンの先端に支持されており、吸引孔を通じてエアが吸引されることにより基板の裏面が支持ピンの先端に密着する。

しかしながら、基板は必ずしも平坦ではなく、基板に反り、歪み、撓み等が存在している場合がある。このような非平坦状態の基板が支持ピンの先端に対して吸着されると、非平坦状態のままで基板がステージ上に保持されることがある。この状態で露光処理が行われると、本来露光されるべき領域ではなく当該領域からずれた他の領域に露光が行われてしまう。そのため、オーバーレイの精度に影響を与えうる。

特許文献１は、スキャトロメータを用いてオーバーレイのエラーに関する情報を取得し、当該情報に基づいて露光を制御することを開示している。しかしながら、特許文献１には、基板を露光装置のステージに載置する際に生ずる露光位置のずれについて何ら開示しておらず、当該位置ずれを解決するための示唆も存在していない。

特開２０１１−１７１７３２号公報

本開示は、オーバーレイの精度を改善することが可能な研磨装置を説明する。

［１］本開示の一つの観点に係る研磨装置は、基板の被研磨面に当接して被研磨面を研磨するように構成された環状を呈する研磨体と、一端部に研磨体が取り付けられた支持体と、研磨体の中央の吸引空間を通じて、研磨体が当接している被研磨面を吸引するように構成された吸引部とを備える。

本開示の一つの観点に係る研磨装置では、研磨体が基板の被研磨面を研磨するので、被研磨面が粗面化される。そのため、露光時に基板がステージに保持される際、被研磨面に対する支持ピンの先端の接触面積が減少する。従って、被研磨面が支持ピンの先端に対して滑りやすくなり、ステージ上での基板の非平坦状態が抑制される。その結果、目標とする本来の露光領域に対する実際の露光位置のずれが抑制されるので、オーバーレイの精度を改善することが可能となる。加えて、本開示の一つの観点に係る研磨装置では、研磨体の中央の吸引空間を通じて、研磨体が当接している被研磨面を吸引部が吸引する。そのため、基板が研磨体に対して引き寄せられる。従って、研磨体による被研磨面の研磨に際し、基板の非平坦状態が抑制され、研磨体が被研磨面に密接しやすくなる。その結果、研磨体により被研磨面がより均一に研磨され、被研磨面に研磨斑が生じ難くなるので、露光の際に被研磨面が支持ピンの先端に対して均一に滑りやすくなる。以上より、オーバーレイの精度をいっそう改善することが可能となる。

［２］上記第１項に記載の研磨装置において、研磨体を取り囲むように被研磨面に向けて研磨液を供給する液供給部を更に備えていてもよい。この場合、研磨体による被研磨面の研磨に際し、液供給部が研磨液を供給し続けることにより、研磨液の内側の空間が外側の空間に対して密封される。そのため、吸引部により研磨体の中央の吸引空間を通じて被研磨面を吸引する際、研磨体がより効果的に被研磨面に吸着される。従って、研磨体による被研磨面の研磨に際し、基板の非平坦状態がいっそう抑制され、研磨体による被研磨面の研磨を促進することができる。その結果、オーバーレイの精度をさらに改善することが可能となる。また、研磨体の中央の吸引空間が、シリコンリング等の物理的な密封部材ではなく、研磨液により密封されているので、研磨体が基板の周縁に移動した場合でも、当該吸引空間内を密封したままとすることが可能となる。

［３］上記第２項に記載の研磨装置において、研磨液は、粘度が１０００ｃＰ〜５０００ｃＰの粘性液体であってもよい。研磨液の粘度が１０００ｃＰ以上であると、液供給部から供給される研磨液が切れ目なく連続的に流れやすくなるので、研磨液の内側の空間における密封性が高まる傾向にある。研磨液の粘度が５０００ｃＰ以下であると、研磨液が十分な流動性を有しているので、研磨体による被研磨面の研磨によって生ずる研磨カスが研磨液により効果的に洗い流される傾向にある。

［４］上記第１項〜第３項のいずれか一項に記載の研磨装置において、研磨体はラビリンス構造を呈していてもよい。この場合、研磨体の外部からの吸引空間内への液体の流入を抑制することが可能となる。

［５］上記第２項又は第３項に記載の研磨装置において、研磨体は、研磨体の外側から吸引空間内への研磨液の流通を阻害する一方で気体を流通させるラビリンス構造を呈していてもよい。この場合、外部からの吸引空間内への研磨液の流入を抑制することが可能となる。加えて、研磨体の外部から吸引空間内に気体が流入するので、吸引部によって吸引空間内に生成される負圧が保たれやすくなる。

［６］上記第４項又は第５項に記載の研磨装置において、研磨体は、複数の第１の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第１の研磨ユニットと、複数の第２の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第２の研磨ユニットとを有し、第２の研磨ユニットは、第１の研磨ユニットを取り囲むように配置されていてもよい。この場合、研磨体の内側の吸引空間に到達するためには、研磨液が２つの研磨ユニットを通過しなければならない。そのため、吸引空間内に研磨液がいっそう流入し難くなる。従って、吸引部によって吸引空間内に生成される負圧がいっそう保たれやすくなる。

［７］上記第６項に記載の研磨装置において、複数の第１の研磨部のうち隣り合う第１の研磨部同士の間における第１の間隙の大きさは、複数の第２の研磨部のうち隣り合う第２の研磨部の間における第２の間隙の大きさよりも小さく設定されていてもよい。この場合、相対的に外側に位置する複数の第２の研磨部同士の間に設けられている第２の間隙から研磨液が流入しても、相対的に内側に位置する複数の第１の研磨部同士の間に設けられている第１の間隙に研磨液が流入し難くなる。

［８］上記第１項〜第７項のいずれか一項に記載の研磨装置において、支持体を被研磨面に沿って所定方向に移動させるように構成された駆動部と、駆動部による支持体の進行方向に向けて研磨体に対して弾性力を付与するように構成された弾性体とを更に備え、支持体は、進行方向に交差し且つ被研磨面に沿って延びる軸に関して揺動可能に構成されていてもよい。この場合、研磨体が被研磨面に接触しつつ移動する際、支持体の進行方向とは逆方向の動摩擦力が基板から研磨体に作用しても、弾性体により当該動摩擦力が打ち消される。そのため、研磨体が被研磨面に対して傾き難くなり、研磨体が被研磨面に密接した状態が維持される。従って、研磨体により被研磨面がよりいっそう均一に研磨されるので、オーバーレイの精度をよりいっそう改善することが可能となる。

［９］上記第１項〜第８項のいずれか一項に記載の研磨装置において、研磨体の中央の吸引空間内の圧力を測定するように構成された気圧センサを更に備えていてもよい。この場合、気圧センサにおいて測定された気圧に基づいて、研磨体が被研磨面に対して密接しているか否かを判断することが可能となる。

［１０］上記第１項〜第７項のいずれか一項に記載の研磨装置において、支持体と研磨体との間に設けられた緩衝部材を更に備えていてもよい。この場合、非平坦状態の基板の被研磨面に研磨体が当接すると、緩衝部材が変形して、研磨体が被研磨面に倣うように研磨体の姿勢が変化する。そのため、研磨体が被研磨面に密接しやすくなる。従って、研磨体により被研磨面がよりいっそう均一に研磨されるので、オーバーレイの精度をよりいっそう改善することが可能となる。

本開示に係る研磨装置によれば、オーバーレイの精度を改善することが可能となる。

図１は、基板処理システムを概略的に示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。 図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 図４は、露光装置の一部を側方から見たときの様子を概略的に示す部分断面図である。 図５は、露光装置のステージを示す平面図である。 図６は、研磨ユニットを示す斜視図である。 図７は、研磨装置を示す側面図である。 図８は、研磨装置の下部を示す斜視図である。 図９は、研磨装置の下部を示す下面図である。 図１０は、粘性液体が吐出されている状態における研磨装置の下部を示す斜視図である。 図１１は、基板処理システムを示すブロック図である。 図１２は、コントローラのハードウェア構成を中心に示す概略図である。 図１３は、研磨装置によるウエハの研磨処理手順を説明するための図である。 図１４は、研磨装置によるウエハの研磨処理手順を説明するための図である。 図１５は、研磨装置によるウエハの研磨処理手順を説明するための図である。 図１６は、ウエハの裏面の研磨状態とオーバーレイの精度との関係を説明するための図である。 図１７は、実施例に係る研磨装置を用いてウエハの裏面を研磨したときのオーバーレイの様子を示す図である。 図１８は、比較例に係る研磨装置を用いてウエハの裏面を研磨したときのオーバーレイの様子を示す図である。 図１９は、他の例に係る研磨装置の下部を示す斜視図である。

以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

［基板処理システム］
図１に示されるように、基板処理システム１（基板処理装置）は、塗布現像装置２（基板処理装置）と、コントローラＣｎｔ１（制御部）とを備える。基板処理システム１には、露光装置１００が併設されている。

塗布現像装置２は、露光装置１００による露光処理の前に、感光性レジスト膜を含む種々の塗布膜をウエハＷ（基板）の表面Ｗａ（図４等参照）に形成する処理を行う。塗布現像装置２は、露光装置１００による感光性レジスト膜の露光処理後に、当該感光性レジスト膜の現像処理を行う。

ウエハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウエハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウエハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウエハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。

図１〜図３に示されるように、塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インターフェースブロック６とを備える。キャリアブロック４、処理ブロック５及びインターフェースブロック６は、水平方向に並んでいる。

キャリアブロック４は、図１及び図３に示されるように、キャリアステーション１２と、搬入搬出部１３とを有する。キャリアステーション１２は複数のキャリア１１を支持する。キャリア１１は、少なくとも一つのウエハＷを密封状態で収容する。図３に示されるように、キャリア１１の側面１１ａには、ウエハＷを出し入れするための開閉扉（図示せず）が設けられている。キャリア１１は、側面１１ａが搬入搬出部１３側に面するように、キャリアステーション１２上に着脱自在に設置される。

搬入搬出部１３は、キャリアステーション１２及び処理ブロック５の間に位置している。搬入搬出部１３は、複数の開閉扉１３ａを有する。キャリアステーション１２上にキャリア１１が載置される際には、キャリア１１の開閉扉が開閉扉１３ａに面した状態とされる。開閉扉１３ａ及び側面１１ａの開閉扉を同時に開放することで、キャリア１１内と搬入搬出部１３内とが連通する。搬入搬出部１３は、受け渡しアームＡ１を内蔵している。受け渡しアームＡ１は、キャリア１１からウエハＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からウエハＷを受け取ってキャリア１１内に戻す。

処理ブロック５は、図１及び図２に示されるように、単位処理ブロック１４〜１７を有する。単位処理ブロック１４〜１７は、床面側から単位処理ブロック１７、単位処理ブロック１４、単位処理ブロック１５、単位処理ブロック１６の順に並んでいる。単位処理ブロック１４〜１７は、図３に示されるように、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２とを有する。

液処理ユニットＵ１は、各種の処理液又はガスをウエハＷの表面Ｗａ又は裏面Ｗｂ（図４等参照）に供給するように構成されている。熱処理ユニットＵ２は、例えば熱板によりウエハＷを加熱し、加熱後のウエハＷを例えば冷却板により冷却して熱処理を行うように構成されている。

単位処理ブロック１４は、ウエハＷの表面Ｗａ上に下層膜を形成するように構成された下層膜形成ブロック（ＢＣＴブロック）である。単位処理ブロック１４は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ２を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１４の液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の塗布液をウエハＷの表面Ｗａに塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１４の熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて下層膜とするための加熱処理が挙げられる。下層膜としては、例えば、反射防止（ＳｉＡＲＣ）膜が挙げられる。

単位処理ブロック１５は、下層膜上に中間膜を形成するように構成された中間膜（ハードマスク）形成ブロック（ＨＭＣＴブロック）である。単位処理ブロック１５は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ３を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１５の液処理ユニットＵ１は、中間膜形成用の塗布液を下層膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１５の熱処理ユニットＵ２は、中間膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させて中間膜とするための加熱処理が挙げられる。中間膜としては、例えば、ＳＯＣ（Spin On Carbon）膜、アモルファスカーボン膜が挙げられる。

単位処理ブロック１６は、熱硬化性を有するレジスト膜を中間膜上に形成するように構成されたレジスト膜形成ブロック（ＣＯＴブロック）である。単位処理ブロック１６は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ４を内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１６の液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の塗布液を中間膜上に塗布して塗布膜を形成する。単位処理ブロック１６の熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、塗布膜を硬化させてレジスト膜とするための加熱処理（ＰＡＢ：Pre Applied Bake）が挙げられる。なお、レジスト膜としては、感光性レジスト膜及び非感光性レジスト膜が含まれる。

単位処理ブロック１７は、露光されたレジスト膜の現像処理を行うように構成された現像処理ブロック（ＤＥＶブロック）である。単位処理ブロック１７は、各ユニットＵ１，Ｕ２にウエハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずにウエハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とを内蔵している（図２参照）。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、露光後のレジスト膜に現像液を供給してレジスト膜を現像する。単位処理ブロック１７の液処理ユニットＵ１は、現像後のレジスト膜に洗浄液（リンス液）を供給して、レジスト膜の溶解成分を現像液と共に洗い流す。洗浄液としては、例えば純水（ＤＩＷ：deionized water）が挙げられる。これにより、レジスト膜が部分的に除去され、レジストパターンが形成される。単位処理ブロック１７の熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像処理前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、現像処理後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。

処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には、図２及び図３に示されるように、棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、床面から単位処理ブロック１５にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームＡ７が設けられている。昇降アームＡ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でウエハＷを昇降させる。

処理ブロック５内におけるインターフェースブロック６側には、棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は床面から単位処理ブロック１７の上部にわたって設けられており、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。

インターフェースブロック６は、受け渡しアームＡ８及び研磨ユニットＵ１２を内蔵しており、露光装置１００に接続される。受け渡しアームＡ８は、棚ユニットＵ１１のウエハＷを取り出して研磨ユニットＵ１２に渡すように構成されている。受け渡しアームＡ８は、研磨ユニットＵ１２での研磨処理が完了した後のウエハＷを受け取って露光装置１００に渡すように構成されている。受け渡しアームＡ８は、露光装置１００での露光処理が完了した後のウエハＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻すように構成されている。

コントローラＣｎｔ１は、基板処理システム１を部分的又は全体的に制御する。コントローラＣｎｔ１は、露光装置１００のコントローラＣｎｔ２（後述する）との間で信号の送受信が可能であり、各コントローラＣｎｔ１，Ｃｎｔ２の連携により基板処理システム１及び露光装置１００が制御される。コントローラＣｎｔ１の詳細については後述する。

［露光装置］
続いて、図４及び図５を参照して、露光装置１００の構成について説明する。露光装置１００は、塗布現像装置２との間でウエハＷを授受して、ウエハＷの表面Ｗａに形成された感光性レジスト膜の露光処理（パターン露光）を行うように構成されている。例えば、露光装置１００は、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、ｇ線、ｉ線、又は極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）が挙げられる。

露光装置１００は、ステージ１０１と、駆動機構１０２と、３つの昇降ピン１０３と、ポンプ１０４と、コントローラＣｎｔ２とを備える。露光装置１００は、図示していないが、光源、レチクル等も備える。

ステージ１０１は、図４及び図５に示されるように、ウエハＷよりも一回り大きい円形状を呈している。ステージ１０１には、厚さ方向に貫通する複数の吸引孔１０５と、厚さ方向に貫通する３つの貫通孔１０６とが設けられている。複数の吸引孔１０５は、図５に示されるように、ステージ１０１の中心から径方向において所定間隔を有すると共に放射状に拡がるように配置されている。各吸引孔１０５は、図４に示されるように、ポンプ１０４に接続されている。３つの貫通孔１０６は、略同一円周上に位置すると共に周方向において略等しい間隔を有するように位置している。

ステージ１０１の上面には、図４及び図５に示されるように、ウエハＷを支持するように構成された複数の支持ピン１０７が立設されている。複数の支持ピン１０７は、図５に示されるように、吸引孔１０５及び貫通孔１０６とは異なる位置であって、ステージ１０１の中心から径方向において所定間隔を有すると共に放射状に拡がるように配置されている。

駆動機構１０２は、ステージ１０１の下方に配置されている。駆動機構１０２は、コントローラＣｎｔ２からの動作信号に基づいて動作し、昇降ピン１０３を上下動させるように構成されている。駆動機構１０２は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。昇降ピン１０３はそれぞれ、駆動機構１０２による昇降に応じて、対応する貫通孔１０６内に挿通可能である。昇降ピン１０３の先端が支持ピン１０７の先端よりも上方に突出している場合、昇降ピン１０３の先端上にウエハＷを載置可能である。昇降ピン１０３の先端上に載置されたウエハＷは、昇降ピン１０３の上下動に伴い昇降する。昇降ピン１０３の先端が支持ピン１０７の先端よりも下方に位置するように降下すると、ウエハＷが昇降ピン１０３の先端から支持ピン１０７の先端へと受け渡され、支持ピン１０７の先端上においてウエハＷが支持される。

ポンプ１０４は、コントローラＣｎｔ２からの動作信号に基づいて動作し、各吸引孔１０５を通じてエアを吸引するように構成されている。支持ピン１０７の先端上にウエハＷが載置されている状態でポンプ１０４が動作すると、ウエハＷが支持ピン１０７の先端に対して吸着され、ウエハＷの裏面Ｗｂが支持ピン１０７の先端に密着する。

コントローラＣｎｔ２は、露光装置１００を部分的又は全体的に制御する。コントローラＣｎｔ２の構成は、下記に詳述するコントローラＣｎｔ１の構成と同様であるので、その説明を省略する。

［研磨ユニット］
続いて、図６〜図９を参照して、研磨ユニットＵ１２の構成について説明する。研磨ユニットＵ１２は、図６に示されるように、回転保持部２００と、研磨装置３００とを備える。

回転保持部２００は、回転部２０１と、シャフト２０２と、保持部２０３とを有する。回転部２０１は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、シャフト２０２を回転させるように構成されている。回転部２０１は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。保持部２０３は、円板状を呈するベース部材２０３ａと、ベース部材２０３ａの周縁から立設する爪部材２０３ｂとを含む。ベース部材２０３ａの中心部は、シャフト２０２の先端部が接続されている。爪部材２０３ｂは、ウエハＷの周縁と係合可能に構成されている。ウエハＷが爪部材２０３ｂに係合すると、ウエハＷの姿勢が略水平の状態でウエハＷが保持部２０３に保持される。

すなわち、回転保持部２００は、ウエハＷの姿勢が略水平で且つ裏面Ｗｂ（被研磨面）が上方（研磨装置３００側）を向いた状態で、ウエハＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸）周りでウエハＷを回転させる。本実施形態では、回転軸は、円形状を呈するウエハＷの中心を通っているので、中心軸でもある。回転保持部２０は、上方から見て時計回りにウエハＷを所定の回転数で回転させてもよいし、上方から見て反時計回りにウエハＷを所定の回転数で回転させてもよい。回転保持部２００によるウエハＷの回転数は、例えば、１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ程度であってもよい。

研磨装置３００は、図６〜図８に示されるように、本体部３１０と、駆動部３２０と、液供給部３３０と、ポンプ３４０（吸引部）と、付勢部３５０と、気圧センサ３６０とを有する。

本体部３１０は、支持体３１１と、回転部３１２と、ベアリング３１３と、環状ノズル３１４と、緩衝部材３１５と、研磨体３１６とを含む。支持体３１１は、円筒状を呈しており、鉛直方向に沿って延びている。回転部３１２は、支持体３１１の上端（一端）に取り付けられている。回転部３１２は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、支持体３１１の延在方向に延びる軸周りに支持体３１１を回転させるように構成されている。回転部３１２は、例えば電動モータ等の動力源であってもよい。

ベアリング３１３は、支持体３１１の下部に取り付けられている。環状ノズル３１４は、円環状を呈する円板部材３１４ａを含む。円板部材３１４ａの下面側には、全体として円環状を呈するように略等間隔に並ぶ複数のノズル口３１４ｂ（図８及び図９参照）が設けられている。円板部材３１４ａの内周縁は、ベアリング３１３に取り付けられている。そのため、環状ノズル３１４はベアリング３１３を介して支持体３１１に取り付けられているので、支持体３１１は環状ノズル３１４に対して自由に回転可能である。

緩衝部材３１５は、円環状を呈しており、支持体３１１の下端（他端）に取り付けられている。緩衝部材３１５は、外力が付与されたときに適宜変形可能に構成されている。緩衝部材３１５としては、例えば、合成樹脂等からなる多孔体（スポンジ）であってもよい。

研磨体３１６は、円環状を呈する台座３１７を介して緩衝部材３１５に取り付けられている。換言すれば、研磨体３１６は、支持体３１１の下端部に支持されている。そのため、研磨体３１６は、回転部３１２によって支持体３１１と共に回転する。研磨体３１６は、上方から見て時計回りに回転してもよいし、上方から見て反時計回りに回転してもよい。研磨体３１６の回転数は、例えば、５０ｒｐｍ程度であってもよい。

研磨体３１６は、図８及び図９に示されるように、複数の研磨部３１６ａ（第１の研磨部）と、複数の研磨部３１６ｂ（第２の研磨部）とを含む。複数の研磨部３１６ａは、台座３１７上において円環状を呈するように並んでおり、一つの研磨ユニット（第１の研磨ユニット）を構成している。各研磨部３１６ａは、平面視において円弧状を呈している。複数の研磨部３１６ａのうち隣り合う研磨部３１６ａ同士の間には、図９に示されるように、間隙Ｇ１（第１の間隙）が設けられている。複数の研磨部３１６ｂは、図８及び図９に示されるように、台座３１７上において円環状を呈するように並んでおり、一つの研磨ユニット（第２の研磨ユニット）を構成している。複数の研磨部３１６ｂは、複数の研磨部３１６ａを取り囲むように配置されている。各研磨部３１６ｂは、平面視において円弧状を呈している。複数の研磨部３１６ｂのうち隣り合う研磨部３１６ｂ同士の間には、図９に示されるように、間隙Ｇ２（第２の間隙）が設けられている。

間隙Ｇ１と間隙Ｇ２とは、図９に示されるように、放射方向（研磨部３１６ａ，３１６ｂの径方向）から見て互いに重なり合っていない。換言すれば、当該放射方向において、研磨部３１６ａと研磨部３１６ｂとは、互い違いに（千鳥状に）配置されている。間隙Ｇ１の大きさは、間隙Ｇ２の大きさよりも小さく設定されている。

駆動部３２０は、図６及び図７に示されるように、直動機構３２１，３２２と、支持アーム３２３とを含む。直動機構３２１，３２２は共に、支持アーム３２３に接続されている。直動機構３２１は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、支持アーム３２３を水平方向に沿って直線状に進退させるように構成されている。具体的には、直動機構３２１は、研磨体３１６をウエハＷの中心部と周縁部との間で移動させるように構成されている。直動機構３２２は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、支持アーム３２３を鉛直方向に沿って直線状に進退させるように構成されている。具体的には、直動機構３２２は、研磨体３１６をウエハＷの裏面Ｗｂとその上方との間で移動させるように構成されている。直動機構３２１，３２２は、例えばリニアアクチュエータ等の動力源であってもよい。支持アーム３２３は、揺動軸３２３ａを介して、支持体３１１の上端（回転部３１２）を揺動可能に支持している。揺動軸３２３ａは、水平方向に沿って延びると共に、直動機構３２１による支持体３１１の移動方向と交差する方向に延びている。換言すれば、支持体３１１（本体部３１０）は、揺動軸３２３ａに関して揺動可能に構成されている。

液供給部３３０は、図６に示されるように、環状ノズル３１４に研磨液Ｌを供給するように構成されている。液供給部３３０は、液源３３１と、ポンプ３３２とを含む。

液源３３１は、研磨液Ｌの供給源として機能する。研磨液Ｌは、粘性を有する液体であってもよい。より詳しくは、研磨液Ｌは、粘度が１０００ｃＰ〜５０００ｃＰの粘性液体であってもよい。当該粘性液体としては、例えば、水に粘性調整剤（添加剤）が添加されたものが挙げられる。研磨液Ｌの粘度が１０００ｃＰ以上であると、各ノズル口３１４ｂから吐出された研磨液Ｌが切れ目なく連続的に流れやすくなるので、研磨液Ｌの内側の空間における密封性が高まる傾向にある。研磨液Ｌの粘度が５０００ｃＰ以下であると、研磨液Ｌが十分な流動性を有しているので、研磨体３１６による裏面Ｗｂ（被研磨面）の研磨によって生ずる研磨カスが研磨液Ｌにより効果的に洗い流される傾向にある。

ポンプ３３２は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、液源３３１から研磨液Ｌを吸引し、環状ノズル３１４の各ノズル口３１４ｂに送り出す。各ノズル口３１４ｂに達した研磨液Ｌは、各ノズル口３１４ｂから下方に向けて吐出される。各ノズル口３１４ｂは環状に配列されているので、各ノズル口３１４ｂから吐出された研磨液Ｌは、図１０に示されるように、円筒状又は逆円錐台状を呈する液膜をなす。各ノズル口３１４ｂから吐出された研磨液Ｌは、ウエハＷの裏面Ｗｂに向けて供給されてもよいし、研磨体３１６（研磨部３１６ｂ）の外周面に向けて供給されてもよい。

ポンプ３４０は、支持体３１１に接続されている。ポンプ３４０は、コントローラＣｎｔ１からの動作信号に基づいて動作し、支持体３１１内のエアを吸引するように構成されている。そのため、ポンプ３４０が動作すると、支持体３１１、円環状の緩衝部材３１５、円環状の台座３１７及び研磨体３１６（研磨部３１６ａ）の中央の吸引空間Ｖ（図８及び図９参照）を通じて、エアが吸引される。そのため、研磨体３１６がウエハＷの裏面Ｗｂに当接しているときにポンプ３４０が動作すると、裏面Ｗｂが研磨体３１６に対して吸着される。ポンプ３４０において吸引されたエアは、研磨ユニットＵ１２の外部に排気される。

付勢部３５０は、補助柱３５１と、弾性体３５２とを含む。補助柱３５１は、支持アーム３２３から下方に向けて鉛直方向に沿って延びている。補助柱３５１は、支持体３１１（本体部３１０）に関して、直動機構３２１による支持体３１１（本体部３１０）の進行方向とは逆側に位置している。補助柱３５１の下端部は、環状ノズル３１４の外周縁と対向している。弾性体３５２は、補助柱３５１の下端部と環状ノズル３１４の外周縁との間に配置されている。弾性体３５２は、環状ノズル３１４を介して本体部３１０に弾性力を付与するように構成されている。そのため、弾性体３５２は、直動機構３２１による支持体３１１（本体部３１０）の進行方向に向けて、支持体３１１を介して研磨体３１６に弾性力を付与している。弾性体３５２は、例えばコイルスプリングであってもよい。

気圧センサ３６０は、支持体３１１を通じて吸引空間Ｖ内の気圧を測定するように構成されている。気圧センサ３６０によって測定された気圧データは、コントローラＣｎｔ１に送信される。

［コントローラの構成］
コントローラＣｎｔ１は、図１１に示されるように、機能モジュールとして、読取部Ｍ１と、記憶部Ｍ２と、処理部Ｍ３と、指示部Ｍ４とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラＣｎｔ１の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラＣｎｔ１を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路（例えば論理回路）、又は、これを集積した集積回路（ＡＳＩＣ：Application Specific Integrated Circuit）により実現されるものであってもよい。

読取部Ｍ１は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体ＲＭからプログラムを読み取る。記録媒体ＲＭは、基板処理システム１の各部を動作させるためのプログラムを記録している。記録媒体ＲＭとしては、例えば、半導体メモリ、光記録ディスク、磁気記録ディスク、光磁気記録ディスクであってもよい。

記憶部Ｍ２は、種々のデータを記憶する。記憶部Ｍ２は、例えば、読取部Ｍ１において記録媒体ＲＭから読み出したプログラム、ウエハＷを処理する際の各種データ（いわゆる処理レシピ）、外部入力装置（図示せず）を介してオペレータから入力された設定データ等を記憶する。

処理部Ｍ３は、各種データを処理する。処理部Ｍ３は、例えば、記憶部Ｍ２に記憶されている各種データに基づいて、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２、及び研磨ユニットＵ１２（例えば、回転部２０１，３１２、直動機構３２１，３２２、ポンプ３３２，３４０等）を動作させるための動作信号を生成する。処理部Ｍ３は、研磨ユニットＵ１２の気圧センサ３６０から入力された気圧データに基づいて、吸引空間Ｖ内の気密が保持されているか否かを判断する。

指示部Ｍ４は、処理部Ｍ３において生成された動作信号を各種装置に送信する。

コントローラＣｎｔ１のハードウェアは、例えば一つ又は複数の制御用のコンピュータにより構成される。コントローラＣｎｔ１は、ハードウェア上の構成として、例えば図１２に示される回路Ｅ１を有する。回路Ｅ１は、電気回路要素（circuitry）で構成されていてもよい。回路Ｅ１は、具体的には、プロセッサＥ２と、メモリＥ３（記憶部）と、ストレージＥ４（記憶部）と、ドライバＥ５と、入出力ポートＥ６とを有する。プロセッサＥ２は、メモリＥ３及びストレージＥ４の少なくとも一方と協働してプログラムを実行し、入出力ポートＥ６を介した信号の入出力を実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。メモリＥ３及びストレージＥ４は、記憶部Ｍ２として機能する。ドライバＥ５は、基板処理システム１の各種装置をそれぞれ駆動する回路である。入出力ポートＥ６は、ドライバＥ５と基板処理システム１の各種装置（例えば、回転部２０１，３１２、直動機構３２１，３２２、ポンプ３３２，３４０、気圧センサ３６０等）との間で、信号の入出力を行う。

本実施形態では、基板処理システム１は、一つのコントローラＣｎｔ１を備えているが、複数のコントローラＣｎｔ１で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理システム１がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコントローラＣｎｔ１によって実現されていてもよいし、２個以上のコントローラＣｎｔ１の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｎｔ１が複数のコンピュータ（回路Ｅ１）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路Ｅ１）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路Ｅ１）の組み合わせによって実現されていてもよい。コントローラＣｎｔ１は、複数のプロセッサＥ２を有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサＥ２によって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサＥ２の組み合わせによって実現されていてもよい。

［研磨方法］
続いて、図１３〜図１５を参照して、研磨ユニットＵ１２によるウエハＷの裏面Ｗｂ（被研磨面）の研磨方法について説明する。まず、棚ユニットＵ１１から取り出されたウエハＷが受け渡しアームＡ８により研磨ユニットＵ１２に搬送されると、ウエハＷは、被研磨面である裏面Ｗｂが上方を向いた状態で、保持部２０３によって保持される。

次に、コントローラＣｎｔ１が直動機構３２１に指示して、研磨体３１６がウエハＷの中心部の上方に位置するように支持体３１１（本体部３１０）を直動機構３２１により移動させる。この状態で、コントローラＣｎｔ１が直動機構３２２に指示して、研磨体３１６がウエハＷの裏面Ｗｂに当接するように支持体３１１（本体部３１０）を直動機構３２２により降下させる（図１３（ａ）の矢印Ａｒ１参照）。

次に、コントローラＣｎｔ１がポンプ３４０に指示して、吸引空間Ｖ内のエアをポンプ３４０によって吸引させる（図１３（ｂ）の矢印Ａｒ２参照）。これにより、ウエハＷの裏面Ｗｂが研磨体３１６によりしっかりと接する。その後、コントローラＣｎｔ１がポンプ３４０に指示して、いったんポンプ３４０の動作を停止させる。

次に、コントローラＣｎｔ１がポンプ３３２に指示して、環状ノズル３１４のノズル口３１４ｂから研磨液ＬをウエハＷの裏面Ｗｂ又は研磨体３１６の外周面に向けて吐出させる（図１３（ｃ）参照）。これにより、研磨液Ｌが研磨体３１６を取り囲むように各ノズル口３１４ｂから吐出され、研磨液Ｌの内側の領域が密封される。なお、このときポンプ３４０の動作が停止しているので、研磨液Ｌがポンプ３４０内に吸引されてポンプ３４０の動作に影響を与える虞がない。

次に、コントローラＣｎｔ１がポンプ３４０に指示して、吸引空間Ｖ内のエアをポンプ３４０によって吸引させる（図１４（ａ）の矢印Ａｒ３参照）。このとき、研磨液Ｌの内側の空間が外側の空間に対して密封されているので、ウエハＷの裏面Ｗｂが研磨体３１６に密着する。

次に、コントローラＣｎｔ１が回転部３１２に指示して、支持体３１１を回転させる（図１４（ｂ）の矢印Ａｒ４参照）。これにより、支持体３１１と共に、緩衝部材３１５、台座３１７及び研磨体３１６が回転する。また、この前後において、コントローラＣｎｔ１が回転部２０１に指示して、回転保持部２００によりウエハＷを回転させる。

次に、コントローラＣｎｔ１が直動機構３２１に指示して、研磨体３１６がウエハＷの中心部から周縁部に向けて移動するように支持体３１１（本体部３１０）を直動機構３２１により移動させる（図１５の矢印Ａｒ５参照）。このとき、ウエハＷは、自重及び本体部３１０の荷重により、中央部が下方に向けて凸の状態に湾曲しやすい（図１５参照）。そのため、ウエハＷの中央部ほど曲率半径が大きくなる一方で、ウエハＷの周縁部ほど曲率半径が小さくなる。従って、支持体３１１（本体部３１０）がウエハＷの周縁部に向かうにつれて、弾性体３５２の弾性力により支持体３１１（本体部３１０）が揺動軸３２３ａ周りに揺動して傾斜し、研磨体３１６がウエハＷの裏面Ｗｂに倣うようになる（図１５参照）。また、図示はしていないが、緩衝部材３１５が変形して、研磨体３１６が裏面Ｗｂに倣うように研磨体３１６の姿勢が変化しうる。

［作用］
以上のような本実施形態では、研磨体３１６がウエハＷの裏面Ｗｂ（被研磨面）を研磨するので、裏面Ｗｂが粗面化される。そのため、露光時にウエハＷがステージ１０１に保持される際、裏面Ｗｂに対する支持ピン１０７の先端の接触面積が減少する。従って、各吸引孔１０５を通じてウエハＷが吸引されるときに、裏面Ｗｂが支持ピン１０７の先端に対して滑りやすくなり、ステージ１０１上でのウエハＷの非平坦状態が抑制される。その結果、目標とする本来の露光領域に対する実際の露光位置のずれが抑制されるので、オーバーレイの精度を改善することが可能となる。加えて、本実施形態では、研磨体３１６の中央の吸引空間Ｖを通じて、研磨体３１６が当接している裏面Ｗｂをポンプ３４０が吸引する。そのため、ウエハＷが研磨体３１６に対して引き寄せられる。従って、研磨体３１６による裏面Ｗｂの研磨に際し、ウエハＷの非平坦状態が抑制され、研磨体３１６が裏面Ｗｂに密接しやすくなる（図１６（ａ）参照）。その結果、研磨体３１６により裏面Ｗｂがより均一に研磨され、裏面Ｗｂに研磨斑が生じ難くなるので、露光の際に裏面Ｗｂが支持ピン１０７の先端に対して均一に滑りやすくなる。以上より、オーバーレイの精度をいっそう改善することが可能となる。

なお、裏面Ｗｂに研磨斑が生じていると、裏面Ｗｂに対する支持ピン１０７の先端の接触面積が増大し、裏面Ｗｂと支持ピン１０７の先端との間に生ずる摩擦力が大きくなる（図１６（ｂ）参照）。そのため、各吸引孔１０５を通じてウエハＷが吸引されても、ウエハＷの被平坦状体が解消され難い（同参照）。従って、このような状態のウエハＷに対して露光処理が行われると、本来露光されるべき領域ではなく当該領域からずれた他の領域に露光が行われてしまう。

本実施形態では、環状ノズル３１４の各ノズル口３１４ｂからウエハＷの裏面Ｗｂに向けて吐出された研磨液Ｌは、研磨体３１６を取り囲む。そのため、研磨体３１６による裏面Ｗｂの研磨に際し、各ノズル口３１４ｂから研磨液Ｌが供給され続けることにより、研磨液Ｌの内側の吸引空間Ｖが外側の空間に対して密封される。従って、ポンプ３４０により吸引空間Ｖを通じて裏面Ｗｂを吸引する際、研磨体３１６がより効果的に裏面Ｗｂに吸着される。その結果、研磨体３１６による裏面Ｗｂの研磨に際し、ウエハＷの非平坦状態がいっそう抑制され、研磨体３１６による裏面Ｗｂの研磨を促進することができる。以上により、オーバーレイの精度をさらに改善することが可能となる。また、吸引空間Ｖが、シリコンリング等の物理的な密封部材ではなく、研磨液Ｌにより密封されているので、研磨体３１６がウエハＷの周縁に移動した場合でも、吸引空間Ｖ内を密封したままとすることが可能となる。

本実施形態では、複数の研磨部３１６ａのうち隣り合う研磨部３１６ａ同士の間隙Ｇ１と複数の研磨部３１６ｂのうち隣り合う研磨部３１６ｂ同士の間隙Ｇ２とが放射方向からみて互いに重なり合っていない。そのため、相対的に外側に位置する複数の研磨部３１６ｂ同士の間に設けられている間隙Ｇ２から研磨液Ｌが流入しても、相対的に内側に位置する複数の研磨部３１６ａ同士の間に設けられている間隙Ｇ１に研磨液Ｌが流入し難くなる。そのため、ポンプ３４０によって吸引空間Ｖ内に生成される負圧が保たれやすくなる。

本実施形態では、間隙Ｇ１の大きさは間隙Ｇ２の大きさよりも小さく設定されている。そのため、間隙Ｇ１に研磨液Ｌがいっそう流入し難くなる。

本実施形態では、弾性体３５２は、揺動軸３２２ａに関して揺動可能な支持体３１１に対し、直動機構３２１による支持体３１１の進行方向に向けて弾性力を付与している。そのため、研磨体３１６が裏面Ｗｂに接触しつつ移動する際、支持体３１１の進行方向とは逆方向の動摩擦力がウエハＷから研磨体３１６に作用しても、弾性体３５２により当該動摩擦力が打ち消される。従って、研磨体３１６が裏面Ｗｂに対して傾き難くなり、研磨体３１６が裏面Ｗｂに密接した状態が維持される。その結果、研磨体３１６により裏面Ｗｂがよりいっそう均一に研磨されるので、オーバーレイの精度をよりいっそう改善することが可能となる。

本実施形態では、気圧センサ３６０によって吸引空間Ｖ内の気圧を測定している。そのため、気圧センサ３６０によって測定された気圧に基づいて、吸引空間Ｖ内の気密が保持されているか否かを判断することが可能となり、ひいては研磨体３１６が裏面Ｗｂに対して密接しているか否かを判断することが可能となる。

本実施形態では、緩衝部材３１５が支持体３１１と研磨体３１６との間に設けられている。そのため、非平坦状態のウエハＷの裏面Ｗｂに研磨体３１６が当接すると、緩衝部材３１５が変形して、研磨体３１６が裏面Ｗｂに倣うように研磨体３１６の姿勢が変化する。従って、研磨体３１６が裏面Ｗｂに密接しやすくなる。その結果、研磨体３１６により裏面Ｗｂがよりいっそう均一に研磨されるので、オーバーレイの精度をよりいっそう改善することが可能となる。

［評価試験］
ここで、実施例として、上記の実施形態に係る研磨ユニットＵ１２を用いて、ウエハＷの裏面Ｗｂの研磨を行った。その後、当該ウエハＷを露光装置１００に搬入してレジストパターンを形成した後、オーバーレイを測定した。その結果を図１７に示す。このときのＸ方向におけるオーバーレイの平均±３σは７．３７ｎｍであり、Ｙ方向におけるオーバーレイの平均±３σは７．６０であった。

一方、比較例として、研磨ユニットＵ１２によってウエハＷの裏面Ｗｂの研磨を行わずに、当該ウエハＷを露光装置１００に搬入してレジストパターンを形成した後、オーバーレイを測定した。その結果を図１８に示す。このときのＸ方向におけるオーバーレイの平均±３σは９．８０ｎｍであり、Ｙ方向におけるオーバーレイの平均±３σは９．９４であった。

さらに、比較例に係るウエハＷに対する実施例に係るウエハＷのオーバーレイの改善率を算出した。オーバーレイの改善率は、｛１−（実施例及び比較例に係るウエハＷのＸＹ移動合成距離）／（比較例に係るウエハＷのＸＹ移動合成距離）｝×１００（％）にて求められる。ここで、ＸＹ移動合成距離とは、｛（Ｘ方向のオーバーレイ）^２＋（Ｙ方向のオーバーレイ）^２｝^１／２にて求められる。従って、オーバーレイ改善率が高いほど、正確な位置からの露光位置のずれが抑制されていると結論づけられる。上記の実施例及び比較例においては、オーバーレイの改善率は１３％であった。

［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、間隙Ｇ１，Ｇ２の大きさは、略等しくてもよいし、一方が他方に対して大きくてもよい。

間隙Ｇ１と間隙Ｇ２とは、放射方向（研磨部３１６ａ，３１６ｂの径方向）から見て互いに重なり合っていてもよい。

研磨体３１６は、研磨部３１６ａ，３１６ｂのうちどちらか一方で構成されていてもよい。

研磨体３１６は、研磨部３１６ｂをさらに外側から囲む他の研磨部を含んでいてもよい。

研磨部３１６ａと研磨部３１６ｂとの間の領域に対して研磨液Ｌが吐出されてもよい。

図１９に示されるように、各研磨部３１６ａの上端側が円環状の接続部３１６ｃで一体的に接続されていてもよい。同様に、図１９には示されていないが、各研磨部３１６ｂの上端側も円環状の接続部で一体的に接続されていてもよい。これらは、例えば、円筒状を呈する研磨材料の一端側に溝又は切欠きを設けることにより形成することができる。

研磨体３１６は、上記の実施形態の構成に限られず、ラビリンス構造であればよい。ラビリンス構造とは、本明細書において、研磨体３１６の外方から吸引空間Ｖ内に至る流路の態様（例えば、流路の大きさ、流路の長さ、流路の経路等）によって液体の流通を阻害する機能を有する構造をいう。当該ラビリンス構造は、上記の実施形態と同様に、当該流路を通じて気体を流通させる機能を有していてもよい。

研磨装置３００は、緩衝部材３１５、付勢部３５０及び気圧センサ３６０のいずれかを一つ以上を備えていなくてもよい。

上記実施形態では、ポンプ３４０により研磨体３１６を介してウエハＷを吸引し、研磨体３１６をウエハＷの裏面Ｗｂに吸着させているが、電磁吸着により研磨体３１６とウエハＷの裏面Ｗｂとを当接させてもよい。

１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置、１００…露光装置、１０１…ステージ、１０４…ポンプ、１０５…吸引孔、１０７…支持ピン、２００…回転保持部、３００…研磨装置、３１１…支持体、３１２…回転部、３１４…環状ノズル、３１４ｂ…ノズル口、３１５…緩衝部材、３１６…研磨体、３１６ａ…研磨部、３１６ｂ…研磨部、３２０…駆動部、３３０…液供給部、３４０…ポンプ（吸引部）、３５０…付勢部、３５２…弾性体、３６０…気圧センサ、Ｃｎｔ１，Ｃｎｔ２…コントローラ（制御部）、Ｇ１…間隙（第１の間隙）、Ｇ２…間隙（第２の間隙）、Ｕ１２…研磨ユニット、Ｖ…吸引空間、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…表面、Ｗｂ…裏面（被研磨面）。

Claims (10)

1. 基板の被研磨面に当接して前記被研磨面を研磨するように構成された研磨体と、
   一端部に前記研磨体が取り付けられた支持体と、
   前記研磨体の中央の吸引空間を通じて、前記研磨体が当接している前記被研磨面を吸引するように構成された吸引部とを備える、研磨装置。
2. 前記研磨体を取り囲むように前記被研磨面に向けて研磨液を供給する液供給部を更に備える、請求項１に記載の研磨装置。
3. 前記研磨液は、粘度が１０００ｃＰ〜５０００ｃＰの粘性液体である、請求項２に記載の研磨装置。
4. 前記研磨体はラビリンス構造を呈する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨装置。
5. 前記研磨体は、前記研磨体の外側から前記吸引空間内への前記研磨液の流通を阻害する一方で気体を流通させるラビリンス構造を呈する、請求項２又は３に記載の研磨装置。
6. 前記研磨体は、
   複数の第１の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第１の研磨ユニットと、
   複数の第２の研磨部が環状を呈するように並んで構成された第２の研磨ユニットとを有し、
   前記第２の研磨ユニットは、前記第１の研磨ユニットを取り囲むように配置されている、請求項４又は５に記載の研磨装置。
7. 前記複数の第１の研磨部のうち隣り合う第１の研磨部同士の間における第１の間隙の大きさは、前記複数の第２の研磨部のうち隣り合う第２の研磨部の間における第２の間隙の大きさよりも小さく設定されている、請求項６に記載の研磨装置。
8. 前記支持体を前記被研磨面に沿って所定方向に移動させるように構成された駆動部と、
   前記駆動部による前記支持体の進行方向に向けて前記研磨体に対して弾性力を付与するように構成された弾性体とを更に備え、
   前記支持体は、前記進行方向に交差し且つ前記被研磨面に沿って延びる軸に関して揺動可能に構成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の研磨装置。
9. 前記吸引空間内の圧力を測定するように構成された気圧センサを更に備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載の研磨装置。
10. 前記支持体と前記研磨体との間に設けられた緩衝部材を更に備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の研磨装置。