JP2004341052A - 光学要素 - Google Patents
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Abstract
【目的】新規な、低耐熱性基材に好適な帯電防止性能を有する光学要素を提供すること。
【構成】プラスチック製の光学基材上に複層構成の反射防止膜を備えた眼鏡レンズなどの光学要素。前記反射防止膜が透明導電層を含み、該透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成する。他の反射防止膜の構成層は、電子ビーム真空蒸着等により形成する。
【選択図】 なし
【構成】プラスチック製の光学基材上に複層構成の反射防止膜を備えた眼鏡レンズなどの光学要素。前記反射防止膜が透明導電層を含み、該透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成する。他の反射防止膜の構成層は、電子ビーム真空蒸着等により形成する。
【選択図】 なし
Description
【０００１】
【技術分野】
本発明は、基材上に複層構成反射防止膜を備えた光学要素に関する。特に、基材がプラスチック眼鏡レンズ等の低耐熱性基材の場合に好適な発明である。
【０００２】
【背景技術】
眼鏡や写真用レンズのような光学要素の場合、水滴が付着すると、結像がゆがめられるため、水滴が付着し難いことが望ましい。
【０００３】
水滴付着の原因は、親水性の無機ガラス基材や有機ガラス基材の表面に、手あか・塵埃等の汚れが付着したり、また、微細な傷が生じたりすることにより、不均一な親水性面となるためである。
【０００４】
一方、光学要素の表面には、通常、反射率低減または増大のために親水性の金属酸化物・ハロゲン化物層（以下「金属酸化物層」）等が形成されている。
【０００５】
そして、上記金属酸化物層は、通常、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等で代表される物理的蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成されている。
【０００６】
ＰＶＤで形成された金属酸化物層の表面は微細凹凸が存在するため、金属酸化物層は、汚れ等が付着し易いとともに、付着した場合は除去し難く、さらには、微細な傷も発生し易い。また、金属酸化物層は、親水性を有するため、水滴付着の傾向が増大するという問題点がある。
【０００７】
このような場合、最表面に撥水・防汚処理をすることが考えられ、同処理を行うことで滑り性が増し、拭き傷等も付きにくくなる。
【０００８】
しかし、従来の撥水（防汚）処理はフッ素系有機膜を最表層に形成しているため、表面を布等で拭き上げ或いは擦りつけたとき、容易に帯電し、逆に埃等を吸着し易くなってしまう。
【０００９】
そこで、帯電防止のために、光学基材上に透明導電層を形成することが考えられる。そして、眼鏡レンズ等の光学基材上に、透明導電層を含む反射防止膜を備えた光学要素に関する技術が記載された先行技術文献として、特許文献１〜３等が存在する。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭６３−２８０７９０号公報
【特許文献２】
特開平１１−１４９０６３号公報
【特許文献３】
特開２００２ー３１７０１公報
【００１１】
【発明の開示】
本発明は、上記先行技術文献に開示されていない新規な、低耐熱性基材に好適な帯電防止性能を有する光学要素を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明者らは上記課題を解決するために、鋭意開発に努力をした結果、下記構成の光学要素に想到した。
【００１３】
光学基材上に複層構成の反射防止膜又は反射増加膜を備えた光学要素において、前記反射防止膜又は反射増加膜が透明導電層を含み、該透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成することを特徴とする。
【００１４】
ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化錫との混合物）をターゲットとして、一般的な電子ビームにより、真空蒸着法で成膜を行うと、酸素が分離してしまい、酸化度が不十分な酸化膜が形成される。酸化度が不十分な酸化膜は、光学要素に必然的な透明性が劣る。そこで、従来は、前記先行技術文献の如く、スパッタリング・イオンプレーティング等の如く、プラズマを利用して酸素イオンを発生させ、酸化度が十分な酸化膜を成膜させていた。しかし、プラズマを利用するため、プラスチック等のプラズマに対して弱い基材を使用すると、基材の劣化・変形等が発生しやすい。
【００１５】
そこで、本発明者らは、真空蒸着に際して、イオンアシストによれば、酸素イオンを基材に向けて照射させることができ、スパッタリング・イオンプレーティングと同様に、酸化膜の酸化度の調節が可能となり、しかも、基材をプラズマに直接さらさずに低温雰囲気下で成膜ができることを見出して、本発明に想到したものである。
【００１６】
通常、本発明の光学要素は、光学基材と反射防止膜又は反射増加膜との間に、更に、プライマーコート及びハードコートを備えている。
【００１７】
さらに、光学基材をプラスチック製とした場合は、基材が熱又はアークによる損傷のない安定した品質の光学要素の提供が可能となる。
【００１８】
そして、上記において、透明導電層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成し、ジルコニア、チタニア等からなる高屈折率層上に隣接させることが望ましい。透明導電層の膜厚制御が容易となる。
【００１９】
本発明は、反射防止膜又は反射増加膜を備えた光学要素ばかりでなく、透明導電層を備えた光学基材上に透明導電層がイオンアシスト真空蒸着により形成された光学要素全てを含む。
【００２０】
本発明の、光学基材の上に透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により成膜する方法は、成膜条件を
加熱温度：２５〜１００℃、真空度：１〜０．００５Ｐａ、イオン銃ガス導入量：１〜１００ｓｃｃｍ、イオン銃加速電圧：３００〜１０００Ｖとすることが望ましい。
【００２１】
本発明の光学要素は、少なくとも１層以上の透明導電層が含まれており、イオンアシスト法を用いてプラスチック眼鏡レンズ等の低耐熱性基材へも、アーク損傷又は熱損傷を与えない低温で成膜可能となるものである。
【００２２】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明は、光学基材上に複層構成の反射防止膜または反射増加膜（ミラーコート）を備えた光学要素を前提とする。
【００２３】
ここで光学基材としては、無機ガラス基材、有機ガラス基材を問わない。そして、光学要素としては、眼鏡レンズ、カメラ用レンズなどの光学用レンズ、さらには、各種ディスプレイの前面ガラスないし前面フィルター、さらには、光学プリズム等も含まれるものである。
【００２４】
上記無機ガラス基材としては、特に限定されないがソーダガラス、ほうけい酸ガラス、石英ガラス、サファイガラスなどを挙げることができる。
【００２５】
上記有機ガラス基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、脂肪族アリルカーボネート、芳香族アリルカーボネート、ポリチオウレタンなどの通常眼鏡レンズに使用される基材の他に、アクリル系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリオレフィン系樹脂などを挙げることができる。
【００２６】
そして、耐擦傷性（特に、有機ガラス基材の場合）の見地から、通常、ハードコート膜を形成し、さらに、該ハードコート膜（１）を形成する場合には、耐衝撃性を高めるため、プライマー層（２）を基材との間に介在させる。
【００２７】
（１）上記ハードコートは、ガラス表面に耐擦傷性等を付与できるものなら特に限定されないが下記シリコーン系（ｉ）又はアクリル系（ｉｉ）のものが、好適に使用できる。
【００２８】
（ｉ） シリコーン系ハードコート；
例えば、オルガノアルコキシシランの加水分解物に、触媒、金属酸化物微粒子（複合微粒子を含む）を加え、希釈溶剤にて塗布可能な粘度になるように調節する。さらに、このハードコート液には、適宜界面活性剤、紫外線吸収剤等の添加も可能である。
【００２９】
▲１▼上記オルガノアルコキシシランとしては、下記一般式にて示されるものが使用可能である。
【００３０】
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉ（ＯＲ３ ）４−（ａ＋ｂ）
（但し、Ｒ１ は炭素数１〜６のアルキル基、ビニル基、エポキシ基、メタクリルオキシ基、フェニル基であり、Ｒ２ は炭素数１〜３の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、アリール基、Ｒ３ は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシアルキル基である。また、ａ＝０又は１、ｂ＝０、１又は２である）。
【００３１】
具体的には、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等を挙げることができる。これらは、単独使用の他に、２種以上を併用することも可能である。
【００３２】
▲２▼上記触媒としては、トリメリト酸、無水トリメリト酸、イタコン酸、ピロメリト酸、無水ピロメリト酸等の有機カルボン酸、メチルイミダゾール、ジシアンジアミド等の窒素含有有機化合物、チタンアルコキシド、ジルコアルコキシド等の金属アルコキシド、アセチルアセトンアルミニウム、アセチルアセトン鉄等の金属錯体、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属有機カルボン酸塩を使用できる。
【００３３】
▲３▼金属酸化物微粒子としては、平均粒径が５〜５０μｍのコロイダルシリカ、コロイダルチタニア、コロイダルジルコニア、コロイダル酸化セリウム（ＩＶ）、コロイダル酸化タンタル（Ｖ）、コロイダル酸化スズ（ＩＶ）、コロイダル酸化アンチモン（ＩＩＩ ）、コロイダルアルミナ、コロイダル酸化鉄（ＩＩＩ ）等を使用でき、これらは、単一使用の他に、２種以上を併用、または複合微粒子として使用することも可能である。
【００３４】
▲４▼希釈溶剤としては、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類及びセロソルブ類等の極性溶剤を好適に使用できる。
【００３５】
▲５▼コーティング方法としては、ディッピング法、スピンコート法等の公知の方法から選ばれる。硬化条件は、８０〜１３０℃×１〜４ｈである。
【００３６】
（ｉｉ）アクリル系ハードコート；
例えば、１分子中に３個以上のアクリロイルオキシ基を有する多官能アクリル系オリゴマー、モノマーに、目的機能を有するモノマー、オリゴマー、及び光重合開始剤を加えたものを必須成分とする。必要に応じて、重合禁止剤、レベリング剤及び紫外線吸収剤等の添加剤、熱可塑性樹脂や酸化金属微粒子等の改質剤の添加も可能である。
【００３７】
▲１▼上記多官能アクリル系オリゴマー、モノマーとは、１分子中に３個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物で、下記のものを例示できる。
【００３８】
ポリオールアクリレート（多価アルコールまたはポリエーテル型多価アルコールの（メタ）アクリレート）：トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリトリトールペンタアクリレート等
ポリエステルアクリレート（多塩基酸と多価アルコールとアクリル酸の三成分を反応させて得られるポリエステルの（メタ）アクリレート）：例えば多塩基酸としてはフタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等、多価アルコールとしてはトリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール等をそれぞれ代表的に使用できる。
【００３９】
ウレタンアクリレート（３価以上のポリオール成分、３価以上のポリイソシアナートまたはポリオールポリイソシアナートと水酸基含有多官能（メタ）アクレートの三成分を反応させて得られる。）：例えば、ポリオール成分としてはトリメチロールプロパン等、ポリイソシアナートとしてはＨＭＤＩのビューレット又は三量体、水酸基含有多官能（メタ）アクレートとしてはペンタエリトリトールトリアクリレート等の前記ポリオールアクリレートを、それぞれ代表的に使用できる。
【００４０】
エポキシアクリレート（エポキシ化合物に（メタ）アクリル酸、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートを反応させて得られる）：グリセリントリグリシジルエーテルトリアクリレート、トリス（グリシジルエーテルエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテルテトラアクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルポリアクリレート、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテルポリアクリレート等。
【００４１】
その他：トリスアクリロイルオキシイソシアヌレート、アミノポリアクリレート、ヘキサキスメタクリロイルオキシエチルホスファゼン、トリスアクリロイルオキシエチルイソシアヌレート等
▲２▼上記光重合開始剤としては、下記例示のものを使用できる。
【００４２】
アセトフェノン系：４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、混合光開始剤（アリルケトン類起源）、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、アリルケトン含有光開始剤、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等
ベンゾイン系：ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルメチルケタール等
ベンゾフェノン系：ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド、３、３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等
チオキサンソン系：チオキサンソン、２−クロルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等
特殊グループ：α−アシロキシムエステル、アシルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジル−９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、２−エチルアンスラキノン、４’，４”−ジエチルイソフタロフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等
このときトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、等の光重合開始助剤を併用することもできる。
【００４３】
重合開始剤の濃度としては、硬化性樹脂に対して０．５〜１０ｗｔ％、好ましくは１〜７ｗｔ％である。
【００４４】
▲３▼上記重合禁止剤としては、下記例示ものを使用できる。
【００４５】
ヒドロキノン、メトキノン、ｐ−ベンゾキノン、フェノチアジン、モノ−ｔ−ブチルヒドロキノン、カテコール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、アンスラキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチルヒドロキシトルエン等
▲４▼上記レベリング剤としては、炭化水素系、シリコーン系、フッ素系が使用できる。
【００４６】
▲５▼上記紫外線吸収剤としては、ヒドロキシベンゾフェノン系、サルチレート系、ベンゾトリアゾール系、ヒンダードアミン系等を挙げることができる。
【００４７】
▲６▼上記熱可塑性樹脂は、ポリウレタンエラストマー、ポリブタジエンエラストマー、アクリルニトリル／ブタジエンエラストマー等を挙げることができる。
【００４８】
▲７▼上記酸化金属微粒子及び希釈溶剤としては、上記シリコーン系で例示したものと同様のものが使用できる。
【００４９】
コーティング方法も、シリコーン系の場合と同様である。
【００５０】
硬化条件は、管壁負荷８０〜１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀ランプ系またはメタルハライドランプ系紫外線光源下にて２〜１８０秒とする。
【００５１】
（ｉｉ）プライマー層としては、特に、耐衝撃性に優れたプライマーを使用して形成することが望ましい。
【００５２】
具体的には、▲１▼ウレタン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＵ）に金属酸化物無機微粒子を添加したＴＰＵプライマー組成物、▲２▼塗膜形成ポリマーの全部または主体がエステル系熱可塑性エラストマー（ＴＰＥＥ）に上記と同様の金属酸化物無機微粒子を添加したＴＰＥＥプライマー組成物が好適に使用できる。
【００５３】
▲１▼ＴＰＵは、長鎖ポリオールとポリイソシアナートからなるソフトセグメントと短鎖ポリオールとポリイソシアナートからなるハードセグメントとで構成されるもので、水性エマルション（乳濁液）の形態で添加されることが望ましい。
【００５４】
金属酸化物微粒子は、前述のハードコートにおけるものを使用できる。
【００５５】
▲２▼ＴＰＥＥは、ハードセグメントにポリエステル、ソフトセグメントにポリエーテル又はポリエステルを使用したマルチブロック共重合体で、このハードセグメントとソフトセグメントとの重量比率は、通常、前者／後者＝約３０／７０〜１０／９０とする。
【００５６】
また、ウレタン系プライマーと同様の金属酸化物無機微粒子を屈折率調節用として用いる。
【００５７】
（３）上記ハードコート上には、適宜、無機薄膜を形成して反射防止膜やミラーコート（反射増加膜）とする。
【００５８】
すなわち、金属酸化物・金属ハロゲン化物などのセラミックス及び金属膜からなる単層又は２種類以上の物質からなる多層の薄膜を形成して、光学的に反射率を低減させたり、増大させたりして形成する。
【００５９】
ここで、無機薄膜材料としては：
チタン、タンタル、ジルコニウム、ニオブ、アンチモン、イットリウム、インジウム、スズ、ランタン、セリウム、マグネシウム、アルミニウム、珪素等のいずれか、又は２種以上の複数を成分とする無機酸化物、
マグネシウム、ランタン、アルミニウム、リチウム等の無機ハロゲン化物、
珪素、ゲルマニウム、クロム、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、白金等の金属単体又はこれらの内から２種以上の複数を成分とする金属混合体（焼結体、合金を含む。）、
などを挙げることができる。
【００６０】
反射防止膜及び反射増加膜（ミラーコート）は、通常、真空蒸着法（電子ビーム蒸着）、イオンアシスト法（イオンアシスト真空蒸着法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法などの乾式メッキ法（ＰＶＤ法）を使用して形成する。イオンアシスト法は、真空蒸着の１種とも言えるが、特殊であるため別に分類した。
【００６１】
（４）そして、上記反射防止膜又は反射増加膜のうちの一層又は複層として透明導電層をイオンアシスト法により成膜する。
【００６２】
そして、透明導電層の膜厚は、０．００１〜０．１μｍ、望ましくは、０．００３〜０．０３μｍとする。上記光学基材の最表層には、防汚・撥水処理を行ってもよい。
【００６３】
導電層の材料としては特に限定されないが、例えばインジウム、スズ、亜鉛等のいずれか、又は２種以上の複数を成分とする無機酸化物が好ましい。特に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムと酸化錫との混合物）が望ましい。
【００６４】
上記導電層の膜厚は、０．００１〜０．１μｍ、好ましくは０．００３〜０．０５μｍ、更に好ましくは０．００３〜０．０３μｍとする。導電層の膜厚が０．００１μｍ未満では帯電防止効果を付与し難く、０．１μｍを超えると光透過性が減少しまた成膜に長時間を要する。
【００６５】
導電層の形成は、導電層形成材料を、１００℃未満に加熱された真空容器内に入れ、少なくともＯ２を含む気体を適時送入しながら１〜０．００５Ｐａの圧力に調節した状態で加熱を行い、更にイオン銃を用いてイオンアシストを行いながら成膜する。
【００６６】
真空容器内の加熱温度としては、常温〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃とすることが望ましい。常温より下では成膜された膜の密度が低く十分な膜耐久性が得られず、１００℃を超えると成膜する基板の劣化・変形がおきる可能性がある。
【００６７】
イオンアシスト条件としては、ガス導入量１〜１００ｓｃｃｍ好ましくは５〜５０ｓｃｃｍ、加速電圧１００〜１２００Ｖ、好ましくは３００〜１０００Ｖとすることが望ましい。ガス導入量・加速電圧共に少ないと得られる導電層の透明性或いは導電性が得られず、多いとイオン銃の制御性が悪くなり、またイオン銃の劣化が早くなりコスト高となる。ここで、「ｓｃｃｍ」とは、「ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍ」の略で、０℃、１０１．３ｋＰａ（１気圧）におけるものを指す。
【００６８】
イオン銃への導入ガスとしては、Ｏ２、Ａｒのいずれか又はその混合ガスとすることが望ましい。
【００６９】
なお、上記イオンアシストに先立ち、ハードコート膜の表面処理を行うことが望ましい。具体的には、▲１▼酸素又はアルゴン雰囲気下におけるプラズマ処理、▲２▼酸・アルカリによる薬品処理、▲３▼イオン銃による酸素イオン又はイオン照射処理（イオンクリーニング）等を挙げることができる。これらのうちで、イオンクリーニングが望ましい。
【００７０】
なお、イオンクリーニング及びイオンアシストについては、特開平１０−１２３３０１・１１−１７４２０５号等に詳細に記載されている。
【００７１】
成膜時の真空圧は１．０〜０．００５Ｐａ、好ましくは０．５〜０．００８Ｐａ、更に好ましくは０．１〜０．０１Ｐａとする。１Ｐａ未満では蒸発分子の平均自由行程が短く適当な成膜速度が得られず、また０．００５Ｐａを超えると成膜速度は得られるが導電層の透明性が得られない。
【００７２】
また、成膜速度は、０．０５〜１０．０Å／ｓ、好ましくは０．１〜５．０Å／ｓとする。０．０５Å／ｓ未満では生産性が劣り成膜コスト高となり、５．０Å／ｓ以上では適当な膜厚分布を得ることが難しくなる。成膜速度は、真空圧・加熱温度を調節することにより調節が可能である。
【００７３】
なお、導電層以外の反射防止膜又は反射増加膜の他の構成層は、導電層と同じイオンアシストでも、電子ビームなどの他の真空蒸着でもよい。通常、電子ビームで行うことが、同じ、真空室を使用でき望ましい。
【００７４】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説明をする。
【００７５】
（１）実施例・比較例で使用した、薬剤・光学基材は下記のとおりである。
【００７６】
＜薬剤＞
ＴＰＥＥ「ペスレジンＡ−１６０Ｐ」（高松油脂株式会社製、ポリエステル・ポリエーテル型水分散エマルジョン（水性）、固形分濃度２７％）
チタニア系酸化金属微粒子Ａ「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」（触媒化成工業株式会社製、固形分濃度３０％、分散溶媒メチルアルコール）
チタニア系酸化金属微粒子Ｂ「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７，Ｇ）」（触媒化成工業株式会社製、固形分濃度２０％、分散溶媒メチルアルコール）
コロイダルシリカ「メタノールシリカゾル」（日産化学株式会社製、固形分濃度３０％、分散溶媒メチルアルコール）
＜光学基材＞
屈折率１．５０：「ＣＲ−３９」（ＰＰＧ Ｃｏ製）
屈折率１．６０：「ＭＲ−８」（三井化学株式会社製）
屈折率１．６７：「ＭＲ−７」（三井化学株式会社製）
屈折率１．７４：「ＨＩＥ−１」（三井化学株式会社製）
各光学基材は、前処理として４０℃の１０％水酸化ナトリウム水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、次いで水洗、乾燥させたものを使用した。
【００７７】
（２）各プライマー組成物は下記の如く調製したものである。
【００７８】
＜プライマー組成物１＞
市販のＴＰＥＥ「ペスレジンＡ−１６０Ｐ」１００部に、チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７．Ｇ）」５７部、希釈剤としてメチルアルコール３５０部、及びシリコーン系界面活性剤「Ｌ−７００１」１部を混合し、均一な状態になるまで撹拌して、プライマー組成物を調製した。
【００７９】
＜プライマー組成物２＞
チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７，Ｇ）」を２１０部に変更する以外はプライマーコート１と同様にして調製した。
【００８０】
（３）各ハードコート組成物は、下記の如く調製したものである。
【００８１】
＜ハードコート組成物１＞
γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン１０９部、テトラエトキシシラン４０部、γーグリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン２７部に、メチルアルコール１６０部を加え、撹拌しながら０．０１Ｎの塩酸３８部を滴下して一昼夜加水分解を行って加水分解物を調製した。
【００８２】
該加水分解物に、コロイダルシリカ３９０部、シリコーン系界面活性剤（日本ユニカー製「ＳＩＬＷＥＴ Ｌー７００１」）１部と、触媒としてアセチルアセトン鉄１．５部を混合し、一昼夜撹拌してハードコート組成物を調製した。
【００８３】
＜ハードコート組成物２＞
γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン１５０部、テトラエトキシシラン２５部に、メチルアルコール１５０部を加え、撹拌しながら０．０１Ｎの塩酸４０部を滴下して一昼夜加水分解を行って加水分解物を調製した。
【００８４】
該加水分解物に、チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」１７０部、シリコーン系界面活性剤（Ｌ−７００１）１部と、触媒としてアセチルアセトンアルミニウム１．０部を混合し、一昼夜撹拌してハードコート組成物を調製した。
【００８５】
＜ハードコート組成物３＞
チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」を ３５０部に変更する以外はハードコート２と同様にして調製した。
【００８６】
（４）反射防止膜・反射増加膜（ミラーコート）の基材側からの層構成は、下記のものとした。そして、何れも、６０℃に加熱しながら、圧力１．３３×１０−３Ｐａまで排気し、酸素イオンクリーニングを行った後、基板側から順に下記構成で各層を成膜して行った。なお、ＩＴＯ層及びＴｉＯ２層は、下記イオンアシスト法、その他の層は電子ビーム法により、それぞれ真空蒸着で成膜し、更に、最表層には、ふっ素系撥水処理を行う。
【００８７】
＜導電層含有反射防止膜１＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １１２ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １０２ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ３０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ９３ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １２５ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜４＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ３４ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ４５ｎｍ
第４層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 １００ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第７層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ９４ｎｍ
第８層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １２９ｎｍ
＜導電層含有反射増加膜１＞
第１層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第２層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第３層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第４層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第５層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １１０ｎｍ
第６層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第７層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜１＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３２ｎｍ
第５層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ９３ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １４５ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜３＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ３４ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ４５ｎｍ
第４層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 １２０ｎｍ
第５層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第６層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ９４ｎｍ
第７層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １２９ｎｍ
＜導電層非含有反射増加膜１＞
第１層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第２層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第３層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第４層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第５層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
（５）導電層（ＩＴＯ層）の成膜条件は、下記の如くとした。
【００８８】
＜導電層成膜方法１＞
真空室にＯ２ガスを真空度：４．５×１０−２Ｐａとなるように流量を調節し、かつ、イオン銃にＯ２ガスを導入しながら加速電圧１ｋＶに設定して酸素イオンを基材に放射しながら、電子銃を用いて蒸発源であるＩＴＯ（オプトロン株式会社製ＩＴＯ）をＥＢ（電子ビーム）加熱して、成膜速度：１Å／ｓのとなるように成膜を行う。
【００８９】
＜導電層成膜方法２＞
上記１の方法において、真空度：４．０×１０−２Ｐａ、成膜速度：０．５Å／ｓとした以外は同様にして成膜を行う。
【００９０】
（６）実施例・比較例は、下記の如く調製した。
【００９１】
＜実施例−１＞
ＣＲ−３９レンズにハードコート１を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、ハードコートを形成した。ハードコートを施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射増加膜１を導電層成膜条件１として成膜した。
【００９２】
＜実施例−２＞
ＭＲ−８レンズにプライマーコート１を塗布し、１００℃×２０分の条件で硬化後、ハードコート２を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射防止膜１を導電層成膜方法１として成膜した。
【００９３】
＜実施例−３＞
ＭＲ−８レンズにプライマーコート１を塗布し、１００℃×２０分の条件で硬化後、ハードコート２を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを実施例２と同様にして導電層含有反射防止膜２を導電層成膜方法１として成膜した。
【００９４】
＜実施例−４＞
ＭＲ−７レンズにハードコート３を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、ハードコートを形成した。該ハードコートを施したレンズを実施例３と同様にして導電層含有反射防止膜形成３を成膜した。
【００９５】
＜実施例−５＞
ＨＩＥ−１レンズにプライマーコート２を塗布し、１００℃×２０ｍｉｎの条件で硬化後、ハードコート３を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを実施例３と同様にして、導電層含有反射防止膜４を実施例３と同様にして成膜した。
【００９６】
＜実施例−６＞
ハードコートまでは実施例５と同様にして行い、プライマー・ハードコート膜を施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射防止膜４を導電層成膜方法２として成膜した。
【００９７】
＜比較例−１＞
ハードコートまでは実施例１と同様にして行い、導電層非含有反射増加膜１を成膜した。
【００９８】
＜比較例−２＞
ハードコートまでは実施例２と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜１を成膜した。
【００９９】
＜比較例−３＞
ハードコートまでは実施例４と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜２を成膜した。
【０１００】
＜比較例−４＞
ハードコートまでは実施例５と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜形成３を成膜した。
【０１０１】
（７）物性試験及び評価
上記に従って調製した各試験片について、以下各項目の試験を行った。
【０１０２】
＜試験項目＞
（１）帯電防止性評価試験
メガネ拭き（帝人株式会社製ミクロスター）に６００ｇの荷重を加え、各試験片の表面を１０回／５ｓにて擦り、擦った直後に発生した静電電位を静電電位測定器（シシド静電気株式会社製スタチロンＤＺ３）を用いて静電電位発生量を評価した。
○：静電電位 ０．１ｋＶ以下
×：静電電位 ０．１ｋＶ以上
（２）耐温水性試験
８０℃に加熱した純水中に試験片を１０分間浸漬させた後、帯電防止性評価試験を行った。
【０１０３】
（３）耐候性試験
促進耐候性試験：カーボンアーク型サンシャインスーパーロングライフウエザーメーター（スガ試験機社製）で２００時間暴露して、帯電防止性評価試験を行った。
【０１０４】
（４）透明性
各試験片の視感度透過率を視感度透過率計（冨士光電工業株式会社製ＳＴＳ−２）にて測定行い評価する。
【０１０５】
○：視感度透過率９５％以上
×：視感度透過率９５％未満
（５）密着性試験
試験片に１ｃｍ四方に１ｍｍ間隔で１００個の升目を形成し、セロハン製粘着テープを強く押しつけた後、９０°方向に急激に剥がし、剥離しない升目の数を数えた。
【０１０６】
＜試験評価＞
上記試験結果を示す表１・２から、各実施例の光学要素は、帯電防止効果を有するもとともに、各種耐久性（耐温水性、耐候性、密着性）に優れでいることが分かる。特に、プラスチック基材に対して、熱・アーク損傷を伴わずに、透明性に優れた導電層の成膜が可能であることが分かる。
【０１０７】
【表１】
【０１０８】
【表２】
【技術分野】
本発明は、基材上に複層構成反射防止膜を備えた光学要素に関する。特に、基材がプラスチック眼鏡レンズ等の低耐熱性基材の場合に好適な発明である。
【０００２】
【背景技術】
眼鏡や写真用レンズのような光学要素の場合、水滴が付着すると、結像がゆがめられるため、水滴が付着し難いことが望ましい。
【０００３】
水滴付着の原因は、親水性の無機ガラス基材や有機ガラス基材の表面に、手あか・塵埃等の汚れが付着したり、また、微細な傷が生じたりすることにより、不均一な親水性面となるためである。
【０００４】
一方、光学要素の表面には、通常、反射率低減または増大のために親水性の金属酸化物・ハロゲン化物層（以下「金属酸化物層」）等が形成されている。
【０００５】
そして、上記金属酸化物層は、通常、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等で代表される物理的蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）で形成されている。
【０００６】
ＰＶＤで形成された金属酸化物層の表面は微細凹凸が存在するため、金属酸化物層は、汚れ等が付着し易いとともに、付着した場合は除去し難く、さらには、微細な傷も発生し易い。また、金属酸化物層は、親水性を有するため、水滴付着の傾向が増大するという問題点がある。
【０００７】
このような場合、最表面に撥水・防汚処理をすることが考えられ、同処理を行うことで滑り性が増し、拭き傷等も付きにくくなる。
【０００８】
しかし、従来の撥水（防汚）処理はフッ素系有機膜を最表層に形成しているため、表面を布等で拭き上げ或いは擦りつけたとき、容易に帯電し、逆に埃等を吸着し易くなってしまう。
【０００９】
そこで、帯電防止のために、光学基材上に透明導電層を形成することが考えられる。そして、眼鏡レンズ等の光学基材上に、透明導電層を含む反射防止膜を備えた光学要素に関する技術が記載された先行技術文献として、特許文献１〜３等が存在する。
【００１０】
【特許文献１】
特開昭６３−２８０７９０号公報
【特許文献２】
特開平１１−１４９０６３号公報
【特許文献３】
特開２００２ー３１７０１公報
【００１１】
【発明の開示】
本発明は、上記先行技術文献に開示されていない新規な、低耐熱性基材に好適な帯電防止性能を有する光学要素を提供することを目的とする。
【００１２】
本発明者らは上記課題を解決するために、鋭意開発に努力をした結果、下記構成の光学要素に想到した。
【００１３】
光学基材上に複層構成の反射防止膜又は反射増加膜を備えた光学要素において、前記反射防止膜又は反射増加膜が透明導電層を含み、該透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成することを特徴とする。
【００１４】
ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化錫との混合物）をターゲットとして、一般的な電子ビームにより、真空蒸着法で成膜を行うと、酸素が分離してしまい、酸化度が不十分な酸化膜が形成される。酸化度が不十分な酸化膜は、光学要素に必然的な透明性が劣る。そこで、従来は、前記先行技術文献の如く、スパッタリング・イオンプレーティング等の如く、プラズマを利用して酸素イオンを発生させ、酸化度が十分な酸化膜を成膜させていた。しかし、プラズマを利用するため、プラスチック等のプラズマに対して弱い基材を使用すると、基材の劣化・変形等が発生しやすい。
【００１５】
そこで、本発明者らは、真空蒸着に際して、イオンアシストによれば、酸素イオンを基材に向けて照射させることができ、スパッタリング・イオンプレーティングと同様に、酸化膜の酸化度の調節が可能となり、しかも、基材をプラズマに直接さらさずに低温雰囲気下で成膜ができることを見出して、本発明に想到したものである。
【００１６】
通常、本発明の光学要素は、光学基材と反射防止膜又は反射増加膜との間に、更に、プライマーコート及びハードコートを備えている。
【００１７】
さらに、光学基材をプラスチック製とした場合は、基材が熱又はアークによる損傷のない安定した品質の光学要素の提供が可能となる。
【００１８】
そして、上記において、透明導電層は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成し、ジルコニア、チタニア等からなる高屈折率層上に隣接させることが望ましい。透明導電層の膜厚制御が容易となる。
【００１９】
本発明は、反射防止膜又は反射増加膜を備えた光学要素ばかりでなく、透明導電層を備えた光学基材上に透明導電層がイオンアシスト真空蒸着により形成された光学要素全てを含む。
【００２０】
本発明の、光学基材の上に透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により成膜する方法は、成膜条件を
加熱温度：２５〜１００℃、真空度：１〜０．００５Ｐａ、イオン銃ガス導入量：１〜１００ｓｃｃｍ、イオン銃加速電圧：３００〜１０００Ｖとすることが望ましい。
【００２１】
本発明の光学要素は、少なくとも１層以上の透明導電層が含まれており、イオンアシスト法を用いてプラスチック眼鏡レンズ等の低耐熱性基材へも、アーク損傷又は熱損傷を与えない低温で成膜可能となるものである。
【００２２】
【発明を実施するための最良の形態】
本発明は、光学基材上に複層構成の反射防止膜または反射増加膜（ミラーコート）を備えた光学要素を前提とする。
【００２３】
ここで光学基材としては、無機ガラス基材、有機ガラス基材を問わない。そして、光学要素としては、眼鏡レンズ、カメラ用レンズなどの光学用レンズ、さらには、各種ディスプレイの前面ガラスないし前面フィルター、さらには、光学プリズム等も含まれるものである。
【００２４】
上記無機ガラス基材としては、特に限定されないがソーダガラス、ほうけい酸ガラス、石英ガラス、サファイガラスなどを挙げることができる。
【００２５】
上記有機ガラス基材としては、ポリカーボネート（ＰＣ）、脂肪族アリルカーボネート、芳香族アリルカーボネート、ポリチオウレタンなどの通常眼鏡レンズに使用される基材の他に、アクリル系樹脂、ノルボルネン系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリオレフィン系樹脂などを挙げることができる。
【００２６】
そして、耐擦傷性（特に、有機ガラス基材の場合）の見地から、通常、ハードコート膜を形成し、さらに、該ハードコート膜（１）を形成する場合には、耐衝撃性を高めるため、プライマー層（２）を基材との間に介在させる。
【００２７】
（１）上記ハードコートは、ガラス表面に耐擦傷性等を付与できるものなら特に限定されないが下記シリコーン系（ｉ）又はアクリル系（ｉｉ）のものが、好適に使用できる。
【００２８】
（ｉ） シリコーン系ハードコート；
例えば、オルガノアルコキシシランの加水分解物に、触媒、金属酸化物微粒子（複合微粒子を含む）を加え、希釈溶剤にて塗布可能な粘度になるように調節する。さらに、このハードコート液には、適宜界面活性剤、紫外線吸収剤等の添加も可能である。
【００２９】
▲１▼上記オルガノアルコキシシランとしては、下記一般式にて示されるものが使用可能である。
【００３０】
Ｒ１ａＲ２ｂＳｉ（ＯＲ３ ）４−（ａ＋ｂ）
（但し、Ｒ１ は炭素数１〜６のアルキル基、ビニル基、エポキシ基、メタクリルオキシ基、フェニル基であり、Ｒ２ は炭素数１〜３の炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基、アリール基、Ｒ３ は炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシアルキル基である。また、ａ＝０又は１、ｂ＝０、１又は２である）。
【００３１】
具体的には、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルクロロシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等を挙げることができる。これらは、単独使用の他に、２種以上を併用することも可能である。
【００３２】
▲２▼上記触媒としては、トリメリト酸、無水トリメリト酸、イタコン酸、ピロメリト酸、無水ピロメリト酸等の有機カルボン酸、メチルイミダゾール、ジシアンジアミド等の窒素含有有機化合物、チタンアルコキシド、ジルコアルコキシド等の金属アルコキシド、アセチルアセトンアルミニウム、アセチルアセトン鉄等の金属錯体、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム等のアルカリ金属有機カルボン酸塩を使用できる。
【００３３】
▲３▼金属酸化物微粒子としては、平均粒径が５〜５０μｍのコロイダルシリカ、コロイダルチタニア、コロイダルジルコニア、コロイダル酸化セリウム（ＩＶ）、コロイダル酸化タンタル（Ｖ）、コロイダル酸化スズ（ＩＶ）、コロイダル酸化アンチモン（ＩＩＩ ）、コロイダルアルミナ、コロイダル酸化鉄（ＩＩＩ ）等を使用でき、これらは、単一使用の他に、２種以上を併用、または複合微粒子として使用することも可能である。
【００３４】
▲４▼希釈溶剤としては、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類及びセロソルブ類等の極性溶剤を好適に使用できる。
【００３５】
▲５▼コーティング方法としては、ディッピング法、スピンコート法等の公知の方法から選ばれる。硬化条件は、８０〜１３０℃×１〜４ｈである。
【００３６】
（ｉｉ）アクリル系ハードコート；
例えば、１分子中に３個以上のアクリロイルオキシ基を有する多官能アクリル系オリゴマー、モノマーに、目的機能を有するモノマー、オリゴマー、及び光重合開始剤を加えたものを必須成分とする。必要に応じて、重合禁止剤、レベリング剤及び紫外線吸収剤等の添加剤、熱可塑性樹脂や酸化金属微粒子等の改質剤の添加も可能である。
【００３７】
▲１▼上記多官能アクリル系オリゴマー、モノマーとは、１分子中に３個以上のアクリロイルオキシ基を有する化合物で、下記のものを例示できる。
【００３８】
ポリオールアクリレート（多価アルコールまたはポリエーテル型多価アルコールの（メタ）アクリレート）：トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリトリトールペンタアクリレート等
ポリエステルアクリレート（多塩基酸と多価アルコールとアクリル酸の三成分を反応させて得られるポリエステルの（メタ）アクリレート）：例えば多塩基酸としてはフタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等、多価アルコールとしてはトリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール等をそれぞれ代表的に使用できる。
【００３９】
ウレタンアクリレート（３価以上のポリオール成分、３価以上のポリイソシアナートまたはポリオールポリイソシアナートと水酸基含有多官能（メタ）アクレートの三成分を反応させて得られる。）：例えば、ポリオール成分としてはトリメチロールプロパン等、ポリイソシアナートとしてはＨＭＤＩのビューレット又は三量体、水酸基含有多官能（メタ）アクレートとしてはペンタエリトリトールトリアクリレート等の前記ポリオールアクリレートを、それぞれ代表的に使用できる。
【００４０】
エポキシアクリレート（エポキシ化合物に（メタ）アクリル酸、ヒドロキシル基含有（メタ）アクリレートを反応させて得られる）：グリセリントリグリシジルエーテルトリアクリレート、トリス（グリシジルエーテルエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテルテトラアクリレート、フェノールノボラックポリグリシジルエーテルポリアクリレート、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテルポリアクリレート等。
【００４１】
その他：トリスアクリロイルオキシイソシアヌレート、アミノポリアクリレート、ヘキサキスメタクリロイルオキシエチルホスファゼン、トリスアクリロイルオキシエチルイソシアヌレート等
▲２▼上記光重合開始剤としては、下記例示のものを使用できる。
【００４２】
アセトフェノン系：４−フェノキシジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−ジクロロアセトフェノン、４−ｔ−ブチル−トリクロロアセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、混合光開始剤（アリルケトン類起源）、４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、アリルケトン含有光開始剤、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等
ベンゾイン系：ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジルメチルケタール等
ベンゾフェノン系：ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、アクリル化ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド、３、３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等
チオキサンソン系：チオキサンソン、２−クロルチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等
特殊グループ：α−アシロキシムエステル、アシルホスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジル−９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、ジベンゾスベロン、２−エチルアンスラキノン、４’，４”−ジエチルイソフタロフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等
このときトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、等の光重合開始助剤を併用することもできる。
【００４３】
重合開始剤の濃度としては、硬化性樹脂に対して０．５〜１０ｗｔ％、好ましくは１〜７ｗｔ％である。
【００４４】
▲３▼上記重合禁止剤としては、下記例示ものを使用できる。
【００４５】
ヒドロキノン、メトキノン、ｐ−ベンゾキノン、フェノチアジン、モノ−ｔ−ブチルヒドロキノン、カテコール、ｐ−ｔ−ブチルカテコール、ベンゾキノン、２，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノン、アンスラキノン、２，６−ジ−ｔ−ブチルヒドロキシトルエン等
▲４▼上記レベリング剤としては、炭化水素系、シリコーン系、フッ素系が使用できる。
【００４６】
▲５▼上記紫外線吸収剤としては、ヒドロキシベンゾフェノン系、サルチレート系、ベンゾトリアゾール系、ヒンダードアミン系等を挙げることができる。
【００４７】
▲６▼上記熱可塑性樹脂は、ポリウレタンエラストマー、ポリブタジエンエラストマー、アクリルニトリル／ブタジエンエラストマー等を挙げることができる。
【００４８】
▲７▼上記酸化金属微粒子及び希釈溶剤としては、上記シリコーン系で例示したものと同様のものが使用できる。
【００４９】
コーティング方法も、シリコーン系の場合と同様である。
【００５０】
硬化条件は、管壁負荷８０〜１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀ランプ系またはメタルハライドランプ系紫外線光源下にて２〜１８０秒とする。
【００５１】
（ｉｉ）プライマー層としては、特に、耐衝撃性に優れたプライマーを使用して形成することが望ましい。
【００５２】
具体的には、▲１▼ウレタン系熱可塑性エラストマー（ＴＰＵ）に金属酸化物無機微粒子を添加したＴＰＵプライマー組成物、▲２▼塗膜形成ポリマーの全部または主体がエステル系熱可塑性エラストマー（ＴＰＥＥ）に上記と同様の金属酸化物無機微粒子を添加したＴＰＥＥプライマー組成物が好適に使用できる。
【００５３】
▲１▼ＴＰＵは、長鎖ポリオールとポリイソシアナートからなるソフトセグメントと短鎖ポリオールとポリイソシアナートからなるハードセグメントとで構成されるもので、水性エマルション（乳濁液）の形態で添加されることが望ましい。
【００５４】
金属酸化物微粒子は、前述のハードコートにおけるものを使用できる。
【００５５】
▲２▼ＴＰＥＥは、ハードセグメントにポリエステル、ソフトセグメントにポリエーテル又はポリエステルを使用したマルチブロック共重合体で、このハードセグメントとソフトセグメントとの重量比率は、通常、前者／後者＝約３０／７０〜１０／９０とする。
【００５６】
また、ウレタン系プライマーと同様の金属酸化物無機微粒子を屈折率調節用として用いる。
【００５７】
（３）上記ハードコート上には、適宜、無機薄膜を形成して反射防止膜やミラーコート（反射増加膜）とする。
【００５８】
すなわち、金属酸化物・金属ハロゲン化物などのセラミックス及び金属膜からなる単層又は２種類以上の物質からなる多層の薄膜を形成して、光学的に反射率を低減させたり、増大させたりして形成する。
【００５９】
ここで、無機薄膜材料としては：
チタン、タンタル、ジルコニウム、ニオブ、アンチモン、イットリウム、インジウム、スズ、ランタン、セリウム、マグネシウム、アルミニウム、珪素等のいずれか、又は２種以上の複数を成分とする無機酸化物、
マグネシウム、ランタン、アルミニウム、リチウム等の無機ハロゲン化物、
珪素、ゲルマニウム、クロム、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、白金等の金属単体又はこれらの内から２種以上の複数を成分とする金属混合体（焼結体、合金を含む。）、
などを挙げることができる。
【００６０】
反射防止膜及び反射増加膜（ミラーコート）は、通常、真空蒸着法（電子ビーム蒸着）、イオンアシスト法（イオンアシスト真空蒸着法）、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法などの乾式メッキ法（ＰＶＤ法）を使用して形成する。イオンアシスト法は、真空蒸着の１種とも言えるが、特殊であるため別に分類した。
【００６１】
（４）そして、上記反射防止膜又は反射増加膜のうちの一層又は複層として透明導電層をイオンアシスト法により成膜する。
【００６２】
そして、透明導電層の膜厚は、０．００１〜０．１μｍ、望ましくは、０．００３〜０．０３μｍとする。上記光学基材の最表層には、防汚・撥水処理を行ってもよい。
【００６３】
導電層の材料としては特に限定されないが、例えばインジウム、スズ、亜鉛等のいずれか、又は２種以上の複数を成分とする無機酸化物が好ましい。特に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムと酸化錫との混合物）が望ましい。
【００６４】
上記導電層の膜厚は、０．００１〜０．１μｍ、好ましくは０．００３〜０．０５μｍ、更に好ましくは０．００３〜０．０３μｍとする。導電層の膜厚が０．００１μｍ未満では帯電防止効果を付与し難く、０．１μｍを超えると光透過性が減少しまた成膜に長時間を要する。
【００６５】
導電層の形成は、導電層形成材料を、１００℃未満に加熱された真空容器内に入れ、少なくともＯ２を含む気体を適時送入しながら１〜０．００５Ｐａの圧力に調節した状態で加熱を行い、更にイオン銃を用いてイオンアシストを行いながら成膜する。
【００６６】
真空容器内の加熱温度としては、常温〜１００℃、好ましくは５０〜９０℃とすることが望ましい。常温より下では成膜された膜の密度が低く十分な膜耐久性が得られず、１００℃を超えると成膜する基板の劣化・変形がおきる可能性がある。
【００６７】
イオンアシスト条件としては、ガス導入量１〜１００ｓｃｃｍ好ましくは５〜５０ｓｃｃｍ、加速電圧１００〜１２００Ｖ、好ましくは３００〜１０００Ｖとすることが望ましい。ガス導入量・加速電圧共に少ないと得られる導電層の透明性或いは導電性が得られず、多いとイオン銃の制御性が悪くなり、またイオン銃の劣化が早くなりコスト高となる。ここで、「ｓｃｃｍ」とは、「ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｃ／ｍ」の略で、０℃、１０１．３ｋＰａ（１気圧）におけるものを指す。
【００６８】
イオン銃への導入ガスとしては、Ｏ２、Ａｒのいずれか又はその混合ガスとすることが望ましい。
【００６９】
なお、上記イオンアシストに先立ち、ハードコート膜の表面処理を行うことが望ましい。具体的には、▲１▼酸素又はアルゴン雰囲気下におけるプラズマ処理、▲２▼酸・アルカリによる薬品処理、▲３▼イオン銃による酸素イオン又はイオン照射処理（イオンクリーニング）等を挙げることができる。これらのうちで、イオンクリーニングが望ましい。
【００７０】
なお、イオンクリーニング及びイオンアシストについては、特開平１０−１２３３０１・１１−１７４２０５号等に詳細に記載されている。
【００７１】
成膜時の真空圧は１．０〜０．００５Ｐａ、好ましくは０．５〜０．００８Ｐａ、更に好ましくは０．１〜０．０１Ｐａとする。１Ｐａ未満では蒸発分子の平均自由行程が短く適当な成膜速度が得られず、また０．００５Ｐａを超えると成膜速度は得られるが導電層の透明性が得られない。
【００７２】
また、成膜速度は、０．０５〜１０．０Å／ｓ、好ましくは０．１〜５．０Å／ｓとする。０．０５Å／ｓ未満では生産性が劣り成膜コスト高となり、５．０Å／ｓ以上では適当な膜厚分布を得ることが難しくなる。成膜速度は、真空圧・加熱温度を調節することにより調節が可能である。
【００７３】
なお、導電層以外の反射防止膜又は反射増加膜の他の構成層は、導電層と同じイオンアシストでも、電子ビームなどの他の真空蒸着でもよい。通常、電子ビームで行うことが、同じ、真空室を使用でき望ましい。
【００７４】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて、更に詳細に説明をする。
【００７５】
（１）実施例・比較例で使用した、薬剤・光学基材は下記のとおりである。
【００７６】
＜薬剤＞
ＴＰＥＥ「ペスレジンＡ−１６０Ｐ」（高松油脂株式会社製、ポリエステル・ポリエーテル型水分散エマルジョン（水性）、固形分濃度２７％）
チタニア系酸化金属微粒子Ａ「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」（触媒化成工業株式会社製、固形分濃度３０％、分散溶媒メチルアルコール）
チタニア系酸化金属微粒子Ｂ「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７，Ｇ）」（触媒化成工業株式会社製、固形分濃度２０％、分散溶媒メチルアルコール）
コロイダルシリカ「メタノールシリカゾル」（日産化学株式会社製、固形分濃度３０％、分散溶媒メチルアルコール）
＜光学基材＞
屈折率１．５０：「ＣＲ−３９」（ＰＰＧ Ｃｏ製）
屈折率１．６０：「ＭＲ−８」（三井化学株式会社製）
屈折率１．６７：「ＭＲ−７」（三井化学株式会社製）
屈折率１．７４：「ＨＩＥ−１」（三井化学株式会社製）
各光学基材は、前処理として４０℃の１０％水酸化ナトリウム水溶液に３ｍｉｎ浸漬させ、次いで水洗、乾燥させたものを使用した。
【００７７】
（２）各プライマー組成物は下記の如く調製したものである。
【００７８】
＜プライマー組成物１＞
市販のＴＰＥＥ「ペスレジンＡ−１６０Ｐ」１００部に、チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７．Ｇ）」５７部、希釈剤としてメチルアルコール３５０部、及びシリコーン系界面活性剤「Ｌ−７００１」１部を混合し、均一な状態になるまで撹拌して、プライマー組成物を調製した。
【００７９】
＜プライマー組成物２＞
チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１２０Ｚ（Ｓ−７，Ｇ）」を２１０部に変更する以外はプライマーコート１と同様にして調製した。
【００８０】
（３）各ハードコート組成物は、下記の如く調製したものである。
【００８１】
＜ハードコート組成物１＞
γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン１０９部、テトラエトキシシラン４０部、γーグリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン２７部に、メチルアルコール１６０部を加え、撹拌しながら０．０１Ｎの塩酸３８部を滴下して一昼夜加水分解を行って加水分解物を調製した。
【００８２】
該加水分解物に、コロイダルシリカ３９０部、シリコーン系界面活性剤（日本ユニカー製「ＳＩＬＷＥＴ Ｌー７００１」）１部と、触媒としてアセチルアセトン鉄１．５部を混合し、一昼夜撹拌してハードコート組成物を調製した。
【００８３】
＜ハードコート組成物２＞
γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン１５０部、テトラエトキシシラン２５部に、メチルアルコール１５０部を加え、撹拌しながら０．０１Ｎの塩酸４０部を滴下して一昼夜加水分解を行って加水分解物を調製した。
【００８４】
該加水分解物に、チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」１７０部、シリコーン系界面活性剤（Ｌ−７００１）１部と、触媒としてアセチルアセトンアルミニウム１．０部を混合し、一昼夜撹拌してハードコート組成物を調製した。
【００８５】
＜ハードコート組成物３＞
チタニア系酸化金属微粒子「オプトレイク１１３０Ｆ−２（Ａ−８）」を ３５０部に変更する以外はハードコート２と同様にして調製した。
【００８６】
（４）反射防止膜・反射増加膜（ミラーコート）の基材側からの層構成は、下記のものとした。そして、何れも、６０℃に加熱しながら、圧力１．３３×１０−３Ｐａまで排気し、酸素イオンクリーニングを行った後、基板側から順に下記構成で各層を成膜して行った。なお、ＩＴＯ層及びＴｉＯ２層は、下記イオンアシスト法、その他の層は電子ビーム法により、それぞれ真空蒸着で成膜し、更に、最表層には、ふっ素系撥水処理を行う。
【００８７】
＜導電層含有反射防止膜１＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １１２ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １０２ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ３０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ９３ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １２５ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層含有反射防止膜４＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ３４ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ４５ｎｍ
第４層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 １００ｎｍ
第５層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第７層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ９４ｎｍ
第８層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １２９ｎｍ
＜導電層含有反射増加膜１＞
第１層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第２層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第３層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第４層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第５層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １１０ｎｍ
第６層 ＩＴＯ 屈折率 ２．００ 光学膜厚 ２０ｎｍ
第７層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜１＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ８１ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２２ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３２ｎｍ
第５層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜２＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 ９３ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第４層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １４５ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３１ｎｍ
＜導電層非含有反射防止膜３＞
第１層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ２６ｎｍ
第２層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ３４ｎｍ
第３層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 ４５ｎｍ
第４層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 １２０ｎｍ
第５層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １８ｎｍ
第６層 ＴｉＯ２ 屈折率 ２．３６ 光学膜厚 ９４ｎｍ
第７層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １２９ｎｍ
＜導電層非含有反射増加膜１＞
第１層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第２層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第３層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第４層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
第５層 ＺｒＯ２ 屈折率 ２．０５ 光学膜厚 １２０ｎｍ
第６層 ＳｉＯ２ 屈折率 １．４６ 光学膜厚 １３０ｎｍ
（５）導電層（ＩＴＯ層）の成膜条件は、下記の如くとした。
【００８８】
＜導電層成膜方法１＞
真空室にＯ２ガスを真空度：４．５×１０−２Ｐａとなるように流量を調節し、かつ、イオン銃にＯ２ガスを導入しながら加速電圧１ｋＶに設定して酸素イオンを基材に放射しながら、電子銃を用いて蒸発源であるＩＴＯ（オプトロン株式会社製ＩＴＯ）をＥＢ（電子ビーム）加熱して、成膜速度：１Å／ｓのとなるように成膜を行う。
【００８９】
＜導電層成膜方法２＞
上記１の方法において、真空度：４．０×１０−２Ｐａ、成膜速度：０．５Å／ｓとした以外は同様にして成膜を行う。
【００９０】
（６）実施例・比較例は、下記の如く調製した。
【００９１】
＜実施例−１＞
ＣＲ−３９レンズにハードコート１を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、ハードコートを形成した。ハードコートを施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射増加膜１を導電層成膜条件１として成膜した。
【００９２】
＜実施例−２＞
ＭＲ−８レンズにプライマーコート１を塗布し、１００℃×２０分の条件で硬化後、ハードコート２を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射防止膜１を導電層成膜方法１として成膜した。
【００９３】
＜実施例−３＞
ＭＲ−８レンズにプライマーコート１を塗布し、１００℃×２０分の条件で硬化後、ハードコート２を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを実施例２と同様にして導電層含有反射防止膜２を導電層成膜方法１として成膜した。
【００９４】
＜実施例−４＞
ＭＲ−７レンズにハードコート３を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、ハードコートを形成した。該ハードコートを施したレンズを実施例３と同様にして導電層含有反射防止膜形成３を成膜した。
【００９５】
＜実施例−５＞
ＨＩＥ−１レンズにプライマーコート２を塗布し、１００℃×２０ｍｉｎの条件で硬化後、ハードコート３を塗布し、１１０℃×２ｈの条件で硬化させ、プライマー・ハードコートを形成した。該プライマー・ハードコートを施したレンズを実施例３と同様にして、導電層含有反射防止膜４を実施例３と同様にして成膜した。
【００９６】
＜実施例−６＞
ハードコートまでは実施例５と同様にして行い、プライマー・ハードコート膜を施したレンズを回転するレンズドームにセットし、導電層含有反射防止膜４を導電層成膜方法２として成膜した。
【００９７】
＜比較例−１＞
ハードコートまでは実施例１と同様にして行い、導電層非含有反射増加膜１を成膜した。
【００９８】
＜比較例−２＞
ハードコートまでは実施例２と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜１を成膜した。
【００９９】
＜比較例−３＞
ハードコートまでは実施例４と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜２を成膜した。
【０１００】
＜比較例−４＞
ハードコートまでは実施例５と同様にして行い、導電層非含有反射防止膜形成３を成膜した。
【０１０１】
（７）物性試験及び評価
上記に従って調製した各試験片について、以下各項目の試験を行った。
【０１０２】
＜試験項目＞
（１）帯電防止性評価試験
メガネ拭き（帝人株式会社製ミクロスター）に６００ｇの荷重を加え、各試験片の表面を１０回／５ｓにて擦り、擦った直後に発生した静電電位を静電電位測定器（シシド静電気株式会社製スタチロンＤＺ３）を用いて静電電位発生量を評価した。
○：静電電位 ０．１ｋＶ以下
×：静電電位 ０．１ｋＶ以上
（２）耐温水性試験
８０℃に加熱した純水中に試験片を１０分間浸漬させた後、帯電防止性評価試験を行った。
【０１０３】
（３）耐候性試験
促進耐候性試験：カーボンアーク型サンシャインスーパーロングライフウエザーメーター（スガ試験機社製）で２００時間暴露して、帯電防止性評価試験を行った。
【０１０４】
（４）透明性
各試験片の視感度透過率を視感度透過率計（冨士光電工業株式会社製ＳＴＳ−２）にて測定行い評価する。
【０１０５】
○：視感度透過率９５％以上
×：視感度透過率９５％未満
（５）密着性試験
試験片に１ｃｍ四方に１ｍｍ間隔で１００個の升目を形成し、セロハン製粘着テープを強く押しつけた後、９０°方向に急激に剥がし、剥離しない升目の数を数えた。
【０１０６】
＜試験評価＞
上記試験結果を示す表１・２から、各実施例の光学要素は、帯電防止効果を有するもとともに、各種耐久性（耐温水性、耐候性、密着性）に優れでいることが分かる。特に、プラスチック基材に対して、熱・アーク損傷を伴わずに、透明性に優れた導電層の成膜が可能であることが分かる。
【０１０７】
【表１】
【表２】
Claims (10)
- 光学基材上に複層構成の反射防止膜を備えた光学要素において、前記反射防止膜が透明導電層を含み、該透明導電層がイオンアシスト真空蒸着により形成されてなることを特徴とする光学要素。
- 前記光学基材と前記反射防止膜との間に、更に、プライマーコート及びハードコートを備えていることを特徴とする請求項１記載の光学要素。
- 前記反射防止膜の上に更に撥水処理層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の光学要素。
- 光学基材上に複層構成の反射増加膜を備えた光学要素において、前記反射増加膜が透明導電層を含み、該透明導電層がイオンアシスト真空蒸着により形成されていることを特徴とする光学要素。
- 前記光学基材と前記反射増加膜との間に、更に、プライマーコート及びハードコートを備えていることを特徴とする請求項４記載の光学要素。
- 前記反射増加膜の上に更に撥水処理層が形成されていることを特徴とする請求項４又は５記載の光学要素。
- 前記光学基材が有機ガラス基材であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光学要素。
- 前記透明導電層が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で形成され、ジルコニア、チタニア等からなる高屈折率層上に隣接していることを特徴とする請求項７記載の光学要素。
- 光学基材上に透明導電層がイオンアシスト真空蒸着により形成されてなることを特徴とする光学要素。
- 光学基材の上に透明導電層をイオンアシスト真空蒸着により形成する方法であって、
該イオンアシスト真空蒸着の条件が、加熱温度：２５〜１００℃、真空度：１〜０．００５Ｐａ、イオン銃ガス導入量：１〜１００ｓｃｃｍ、イオン銃加速電圧：３００〜１０００Ｖとすることを特徴とする光学基材上の導電層形成方法。
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