JP2004223708A - マルチメタルレイヤｍｅｍｓ構造及びこれを作製するプロセス - Google Patents

マルチメタルレイヤｍｅｍｓ構造及びこれを作製するプロセス Download PDF

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Abstract

【課題】 ＣＭＯＳプロセス技術を用いた、空中に可撓自在に懸架されたメッシュ状の金属層を含む構造、およびこのような構造をつくるためのプロセスを提供する。
【解決手段】 シリコン基板１２の上に、ベース犠牲層１４，第１金属層１６、第１犠牲層２０、第２金属層２２、第２犠牲層２６、第３金属層２８を順に積層する。第２金属層２０、第３金属層２８のそれぞれ一部は、マイクロ金属メッシュを形成している。マイクロ金属メッシュ部分の各犠牲層を等方性ドライエッチングで除去すると、マイクロ金属メッシュの部分は犠牲層の厚さで定まる高さで浮いた状態で懸架される。
【選択図】 図５

Description

本発明は、概してマイクロ電気機械システム(ＭＥＭＳ)デバイスに関しており、さらに詳細には、交互に重なった金属及び犠牲材料の層から作製されるＭＥＭＳデバイスに関する。
ＭＥＭＳデバイスは、一般的に、伝統的なＣＭＯＳプロセス技術を用いて作製されている。このようなプロセス技術は、２〜３例を挙げると、メモリデバイス、プロセッサ、論理回路のような多くの異なるタイプの集積回路を製造するために使用されるにつれて、随分と発展している。その結果、ＣＭＯＳプロセス技術に改善がある場合にはいつでも、ＭＥＭＳデバイスの作製は進歩している。
一般的なＭＥＭＳデバイスを製造する場合、種々の金属層が基板上に形成され、パターンに従ってエッチングされて、所望のデバイスが形成される。製造されたデバイスは、一般的に、種々の金属層の複合物を成している。そして、デバイスの下から基板の一部が除去されて、デバイスは基板から解放される。例えば、このような技術を用いて作製されたＭＥＭＳデバイスは、２〜３例を挙げると、加速度計、スイッチ、種々のキャパシタ、センサに使用される種々のデザインのビーム(beam)と、キャパシタ、マイクロスピーカ及びマイクロホンに使用される可撓性のメッシュ(flexible mesh)とを含んでいる。
デバイスが複合構造(composite structures)を含んでいる場合、複合構造を成す個々の材料は、熱及びその他の種類のストレスに夫々影響される。これらストレスは、早々に構造を曲げ、又は損傷させる可能性がある。基板の一部を除去しデバイスを解放する工程は、プロセスパラメータを精密に制御して、正しい量の基板が除去されることを保証する必要がある。アンダーエッチング(under-etching)だと、デバイスが解放されない可能性がある。オーバーエッチング(over-etching)だと、デバイスは、設計及び予期された特性と異なる特性を有する可能性がある。従って、ＣＭＯＳプロセス技術を用いることが容易であると共に、簡単で容易に繰り返しできる方法で、デバイスが単一材料で作製できるプロセスに対する要求が存在している。
本発明は、基板に支えられる第１金属層を含む構造に関する。第１犠牲層は、第１金属層に支えられる。第２金属層は、第１犠牲層に支えられる。第２金属層は、マイクロ金属メッシュ(micro-machined metal mesh)を形成する部分を有する。マイクロ金属メッシュの領域にて第１犠牲層の部分が除去される場合、マイクロ金属メッシュは解放されて、第１犠牲層の厚さで定まる高さで第１金属層上に浮かぶ。本構造は、基板表面と第１金属層の間に、犠牲材料のベース層を与えることによって変更される。その態様では、第１金属層の一部は、マイクロメッシュを形成してもよい。マイクロメッシュの領域にてベース犠牲層の一部が除去されると、該金属メッシュは解放される。さらに、第２犠牲材料層及び第３金属層が与えられてもよい。マイクロメッシュは、第３金属層の一部に形成されてもよい。第１、第２及び第３金属層は、第１金属、第２金属及び第３金属に夫々対応している必要はなく、如何なる金属層で実現されてもよい。
また、本発明は、交互に重なった金属及び犠牲層で作られる複合構造に関する。このような構造は、基板に支えられる第１金属層を含んでよい。第１犠牲材料層は、第１金属層に支えられる。第２金属層は、第１犠牲材料層に支えられる。第２金属層の一部は、マイクロ金属メッシュを形成するようにパターニングされる(形作られる)。交互に重なった金属及び犠牲層がさらに与えられてよい。このような複合デバイスは、ＣＭＯＳ製造設備で作られて、要求されるわけではないが、ポスト製造プロセス用の別の設備に搬送されてよいことは予想される。ポスト製造プロセスでは、メッシュは解放されて、必要な場合にはシールされる。
また、本発明は、交互に積層された一連の金属及び犠牲材料層を作るプロセスに関する。その方法は、基板上に第１金属層を形成する工程と、第１金属層上に第１犠牲材料層を形成する工程と、第１犠牲材料層上に第２金属層を形成する工程と、第２金属層をパターニングしてマイクロ金属メッシュを形成する工程とを含む。工程が追加されて、追加の金属及び犠牲材料層が与えられてもよい。追加のパターニング工程が与えられて、追加のマイクロメッシュが追加の金属層に形成されてもよい。
また、本発明は、このように製造された層の積み重ねを処理することに関する。このような製造では、マルチメタルレイヤＭＥＭＳ構造を作ることを目的とする一連のドライエッチプロセスが予期される。プロセスは、複数の金属層がプロセスの本質的な部分である場合、ポストＣＭＯＳマイクロマニシングプロセス(post-CMOS micro-machining process)にて行える。マスクを用いて又はマスクを用いずにエッチングを行って犠牲材料の層を除去し、その結果、種々のメッシュが解放される。適切な場合には、メッシュの幾らかはシールされてよい。
この一連のプロセスを用いて実現できるデバイスは、オンチップの種々のキャパシタ、及びオンチップのメカニカルスイッチを含んでいる。第２金属層で形成されたマイクロ金属メッシュをシールすることによって、オンチップの差動式平行板型マイクロホン(differential parallel plate microphone)に加えて、オンチップの平行板型マイクロホンを作製できる。本発明で使用できる構造金属は、アルミニウム又は銅のような、従来の半導体プロセスの金属相互接続(interconnects)からもたらされてよく、それらは、現在の主流であるＣＭＯＳ製造材料である。犠牲材料は、金属相互接続間に配置された誘電体材料であってよい。ＣＭＯＳプロセスに追加の犠牲材料が加えられる必要はない。他のポストＣＭＯＳマイクロマニシングプロセスとは異なり、シリコン基板へのエッチングは、ＭＥＭＳ構造を解放するのには要求されない。それらの利点及び利益等は、以下に記載の発明を実施するための最良の形態から明らかになるであろう。また、本発明が容易に理解されて、簡単に実施されるために、本発明は、限定ではなく説明の目的で、添付の図面と共に説明される。
図１乃至図４は、交互に重なった犠牲材料及び金属層を基板に形成して、マルチレイヤ構造(図４を参照)が作製されるプロセスを図示している。本明細書にて用いられているように、「形成する」は、化学気相成長法(chemical vapor deposition)、スパッタリング等の任意のタイプのＣＭＯＳプロセスを用いて、材料の層を堆積し、形成し、さもなければ作り出す、という広い意味で使用されることを意図している。また、本明細書にて、第１金属層、第２金属層等への言及は、第１金属、第２金属等に対応している必要はない。第１金属層には、例えば、第２金属が用いられてよい。基板は、例えば、ＣＭＯＳ製造プロセスで一般的に使用されるシリコン基板(12)であってよい。図１に示されるように、ベース犠牲材料層(14)が基板(12)上に形成される。犠牲層(14)は、シリコン基板(12)が耐性を有する(impervious)エッチャントでドライエッチングされる種々の如何なる材料であってよい。例えば、二酸化シリコン(silicon dioxide)、フッ素含有二酸化シリコン(fluorine enriched silicon dioxide)、又は有機物質のような誘電体が、犠牲層を形成するのに用いられてよい。
ある実施例では、第１金属層(16)は、ベース犠牲材料層(14)上に形成される。第１金属層(16)及びそれに続く金属層は、銅やアルミニウムのような、ＣＭＯＳプロセスで用いられる一般的な金属であるが、これらに限定されない。公知の技術を用いて、第１金属層(16)はパターニングされて、金属メッシュ(18)が形成される。ベース犠牲材料層(14)の厚さは、金属メッシュ(18)が基板(12)上で最終的に浮く高さをを決定する。金属メッシュ(18)を形成する工程は、２００１年３月２２日に発行された国際公開公報ＷＯ/０１/２０９４８Ａ２(題名「MEMS Digital-to-Acoustic Transducer With Error Cancellation」)に開示された技術に従って行われてよい。該公報は引用をもって本明細書の一部となる。
図２では、第１犠牲材料層(20)が、第１金属層(16)に支えられるように形成される。第１犠牲材料層(20)の犠牲材料は、ベース犠牲材料層(14)と同じ種類の材料であってもよい。その犠牲材料は、第１金属層(16)で支えられていることに加えて、第１メッシュ(18)により形成されたギャップを満たしている。その後、第１犠牲材料層(20)の表面には、これを平坦にするプロセス工程が施されてもよい。その後、第２金属層(22)が、第１犠牲材料層(20)で支えられるように形成される。第２金属層(22)がパターニングされて、金属メッシュ(24)が形成される。金属メッシュ(24)は、第１金属層(16)内に形成された金属メッシュ(18)の少なくともその一部の上に横たわっている。
図３を参照すると、第２犠牲材料層(26)は、第２金属層(22)上に形成される。第２犠牲材料層(26)は、ベース犠牲材料層(14)と同じ材料で作られてよく、第２金属層(22)に支えられていることに加えて、金属メッシュ(24)を満たしている。その後、必要ならば、第２犠牲材料層(26)には、これをスムースにするプロセス工程が施されてもよい。第３金属層(28)は、第２犠牲材料層(26)上に形成される。第３金属層(28)はパターニングされて、金属メッシュ(30)が形成されている。金属メッシュ(30)は、第２金属層(22)の一部に形成されたメッシュ(24)の少なくともその一部の上に横たわっている。
図４を参照すると、第３金属層(28)上に横たわる最終又は最上犠牲材料層(32)が形成されて、マルチレイヤ構造(10)は完成する。図４に図示されたマルチレイヤ構造(10)は、ＣＭＯＳ製造設備にて作られるであろう。その後、マルチレイヤ構造(10)には、図５乃至図８に関連して説明されるポストＣＭＯＳプロセス工程が施される。ポストＣＭＯＳプロセスは別の設備にて行われるであろうが、それは、本発明に要求される事ではない。
図５は、ドライ等方性エッチングプロセスが施されているマルチレイヤ構造(10)を示している。本図における矢印は、犠牲層(32)(26)(20)及び最終的に犠牲層(14)がエッチングされる模様を表現している。ドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング(ＲＩＥ)、プラズマエッチング、ベーパーＨＦエッチング、又は、選択された犠牲材料を除去するために適当な如何なるエッチングであってよい。ＲＩＥ又はプラズマエッチングでは、二酸化シリコンの犠牲材料に対してフッ素ベースのガスが、有機誘電体の犠牲材料に対して酸素を用いることができる。図５に示すように、構造(10)は、マスクを用いることなくエッチングにさらされる。エッチング工程によって、第３金属層(28)に形成されたマイクロ金属メッシュ(30)、第２金属層(22)に形成されたマイクロ金属メッシュ(24)、最後に、第１金属層(16)に形成されたマイクロ金属メッシュ(18)は解放される。メッシュ(18)は、ベース犠牲材料層(14)の厚さで決まる距離で基板(12)上に浮いている。同様に、メッシュ(18)とメッシュ(24)間の距離は、第１犠牲材料層(20)の厚さで決定され、メッシュ(24)とメッシュ(30)間の距離は、第２犠牲材料層(26)の厚さで定まる。エッチングの後、リンス又は同様な洗浄プロセスは要求されない。
図６では、図４のマルチレイヤ構造(10)に、ドライ等方性エッチング工程が施されているが、本ケースでは、マスク(34)が与えられている。その他の点については、図５に関して先に説明したように、プロセスは工程６、７及び８に達する。しかしながら、マスク(34)を用いた結果、図８に示す最終的な構造(10)では、上側、即ち最上の犠牲層(32)の部分は、まだそのまま残っている。マスク(34)は、任意の従来技術を用いて除去できる。
図９及び図９Ａは、本発明の技術を用いて作製される別のデバイスを示している。図９では、金属層及び犠牲層のパターンは、上述のように作られる。しかしながら、このデバイスでは、メッシュは、第１金属層(16)に形成されていない。第２金属層(22)には、メッシュ(40)が形成されており、第３金属層(28)には、開口(42)が設けられている。なお、第３金属層(28)は省略されてもよい。図９の構造には、図９Ａに示すように等方性エッチングが施される。該エッチングは、メッシュ(40)を遊離させて、金属層(16)で止まる。該金属層(16)は、エッチストップとして機能する。金属メッシュ(40)は、可動な上側電極として機能し、第１金属層(16)は、下側電極として機能することによって、図９のデバイスは、可変キャパシタとして動作する。
図１０のデバイスは、メッシュ(40)がシールされている点を除いて、図９Ａのデバイスと類似している。メッシュ(40)は、化学気相成長法を用いて、例えばポリマーフィルムを堆積してシールされる。そして、シールされているメッシュ(40)は、可撓性、又は可動ダイアフラム(44)を構成する。メッシュ(40)をシールするその他の方法には、熱蒸着法が含まれる。その他のシール材には、プラスチック(plastic)、ゴム(rubber)、テフロン(teflon)(登録商標)、ピラレン(pyralene)、ポリアミド(polyamide)等の有機材料が含まれる。図１０のデバイスは、簡単な平行板型マイクロホンとして動作する。
図１１を参照すると、図８に示す構造(10)には、第２金属層(22)の一部に形成されたメッシュ(24)をシールするシール工程が施されている。このような構造は、差動式平行板型マイクロホンとして動作可能である。
本発明では、各種の金属層の何れかにメッシュが形成されることは要求されない。例えば、図１２Ａ、１２Ｂ、１３Ａ及び１３Ｂは、本発明に基づいて作製されたスイッチであり、メッシュではなくて、ビームが各種の金属層で形成されている。例えば、図１２Ａでは、ビーム(46)は、第２金属層(22)に形成されている。そのビーム(46)と、第１金属層(16)に形成された下側ビーム(48)との間の距離は、第１犠牲層(20)の厚さで定まっている。図１２Ｂに示されるように、可動ビーム(46)は、下側ビーム(48)に直交している。
本発明に基づいて作製されたスイッチの別の実施例は、図１３Ａ及び図１３Ｂに示されている。図１３Ａ及び図１３Ｂでは、可動な上側ビームは、カンチレバー型の(cantilevered)ビーム(50)の形状をしている。
本発明は、構造材料としての金属層のみを含むＭＥＭＳ構造を構築する。本発明は、従来のポストＣＭＯＳマイクロマシニングプロセスと区別される。従来のポストＣＭＯＳマイクロマシニングプロセスでは、ＭＥＭＳ構造は、複合された金属及び誘電体材料で作られる。本発明のプロセスは、シリコン基板に付けられて独特な動作が可能な金属構造を有するデバイスを構築可能である。従来のポストＣＭＯＳプロセスで得られる他の全ての種類の動作、例えば、金属及び誘電体で作られるＭＥＭＳ構造における相対的な面内(in-plane)及び面外(out-plane)動作に加えて、本発明のプロセスは、高さが異なる金属相互接続で作られる積層された(laminated)機械構造に相対動作をもたらす。
ＭＥＭＳ構造の金属材料は、現在主流のＣＭＯＳ製造材料である、例えばアルミニウム又は銅等の、従来の半導体プロセスの金属相互接続によってもたらされる。犠牲材料は、金属層間の誘電体材料である。追加の犠牲材料をＣＭＯＳプロセスにを加える必要はない。
他のポストＣＭＯＳマイクロプロセスとは違って、シリコン基板へのエッチングは、ＭＥＭＳ構造を解放するために必要とはされない。本発明は、構造材料としてＣＭＯＳ金属を用いており、表面マイクロマシニング技術のほとんどは、構造材料としてポリシリコンを用いている。本発明は、ＣＭＯＳプロセスを変更することなく、現時のＣＭＯＳチップに応用できる。
本発明のプロセスを用いて、広い範囲の応用が進展する。本発明の応用分野には、例えば、携帯電話、ＰＤＡ、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、補聴器、玩具、及び記録/放送用途で使用されるマイクロホン又はマイクロスピーカと、無線通信及び回路設計に用いられる調整自在な平行板型キャパシタ及びＲＦ−ＭＥＭＳスイッチとがある。
本発明は、好ましい実施例について説明されたが、当該技術分野の通常の知識を有する者は、多くの修正及び変更が可能であることを認めるであろう。本発明は、特許請求の範囲によってのみ限定され、現在における好ましい実施例を述べる目的の上記の説明によっては限定されない。
図１は、ベース犠牲層及び第１金属層が形成された後の基板を図示しており、第１金属層は、マイクロメッシュを形成するようにパターニングされている。 図２は、第１犠牲層及び第２金属層が形成された後の図１の基板を図示しており、第２金属層は、マイクロメッシュを形成するようにパターニングされている。 図３は、第２犠牲層及び第３金属層が形成された後の図２の基板を図示しており、第３金属層は、マイクロメッシュを形成するようにパターニングされている。 図４は、最終の犠牲材料層が形成された図３の基板を図示している。 図５は、エッチマスクを用いることなく、図４の積み重ねられた層にドライエッチが施される模様を図示している。 図６は、エッチマスクを用いて、図４の積み重ねられた層にドライエッチが施される模様を図示している。 図６は、エッチマスクを用いて、図４の積み重ねられた層にドライエッチが施される模様を図示している。 図８は、エッチマスクが除去された図７の基板を図示している。 図９は、本発明の方法を用いて作製された可変キャパシタを図示している。 図９Ａは、本発明の方法を用いて作製された可変キャパシタを図示している。 図１０は、メッシュがシールされた後の図９Ａのデバイスを図示しており、図１０のデバイスは、平行板型マイクロホンとして動作可能となっている。 図１１は、第２金属層のマイクロ金属メッシュがシールされた図８のデバイスを図示しており、図１１のデバイスは、差動式平行板型マイクロホンとして動作可能となっている。 図１２Ａは、本発明に基づいて作製された第１実施例のスイッチを図示している。 図１２Ｂは、本発明に基づいて作製された第１実施例のスイッチを図示している。 図１３Ａは、本発明に基づいて作製された第２実施例のスイッチを図示している。 図１３Ｂは、本発明に基づいて作製された第２実施例のスイッチを図示している。
符号の説明
(10) マルチレイヤ構造
(12) シリコン基板
(14) ベース犠牲材料層
(16) 第１金属層
(18) 金属メッシュ
(20) 第１犠牲材料層
(22) 第２金属層
(24) 金属メッシュ
(26) 第２犠牲材料層
(28) 第３金属層
(30) 金属メッシュ
(40) 金属メッシュ
(42) 開口
(44) 可動ダイアフラム
(46) 可動ビーム
(48) 下側ビーム
(50) カンチレバー型ビーム

Claims (31)

  1. 基板に支えられる第１金属層と、第１金属層に支えられる第１犠牲層と、第１犠牲層に支えられる第２金属層とを具えており、
    第２金属層は、マイクロ金属メッシュを形成しており、
    第１犠牲層は、そのマイクロ金属メッシュの領域にて除去されて、そのマイクロ金属メッシュは、第１犠牲層の厚さで定まる高さで第１金属層上に浮いている構造。
  2. マイクロ金属メッシュは、シールされて可動なメンブレンになっており、第１金属層の一部は電極として機能する、請求項１に記載の構造。
  3. シールは、プラスチック、ゴム、テフロン、ピラレン、及びポリアミドからなる群から選択された材料で形成される、請求項２に記載の構造。
  4. さらに、基板に支えられると共に第１金属層を支えるベース犠牲材料層を含んでおり、
    第１金属層は、マイクロメッシュを形成しており、
    ベース犠牲材料層は、そのマイクロメッシュの領域にて除去されて、そのマイクロメッシュは、ベース犠牲材料層の厚さで定まる高さで基板上に浮いている、請求項１に記載の構造。
  5. さらに、第２金属層に支えられる第２犠牲材料層と、第２犠牲材料層に支えられる第３金属層とを含んでおり、
    第３金属層は、マイクロ金属メッシュを形成しており、
    第２犠牲材料層は、そのマイクロ金属メッシュの領域にて除去されて、そのマイクロ金属メッシュは、第２犠牲層の厚さで定まる高さで第２金属層上に浮いている、請求項４に記載の構造。
  6. 第２金属層のマイクロ金属メッシュは、シールされて可動なメンブレンになっており、第１金属層のマイクロメッシュは、下側電極として機能し、第３金属層のマイクロ金属メッシュは、上側電極として機能する、請求項５に記載の構造。
  7. シールは、プラスチック、ゴム、テフロン、ピラレン、及びポリアミドからなる群から選択された材料で形成される、請求項６に記載の構造。
  8. 基板に支えられる第１金属層と、第１金属層上に浮いたマイクロ金属メッシュを形成する第２金属層とを具えており、
    マイクロ金属メッシュは、シール材でシールされて可撓性のメンブレンを形成している構造。
  9. シールは、プラスチック、ゴム、テフロン、ピラレン、及びポリアミドからなる群から選択された材料で形成される、請求項８に記載の構造。
  10. 第１金属層は、基板の表面上に浮いたマイクロメッシュを具えており、
    さらに、前記構造は、可撓性のメンブレン上に浮いたマイクロ金属メッシュを形成する第３金属層を具えている、請求項８に記載の構造。
  11. 基板上に第１金属層を形成する工程と、
    第１金属層上に第１犠牲材料層を形成する工程と、
    第１犠牲材料層上に第２金属層を形成する工程と、
    第２金属層をパターニングして、マイクロ金属メッシュを形成する工程とを含む、積み重なった層を製造するプロセス。
  12. さらに、第２金属層上に第２犠牲材料層を形成する工程と、
    第２犠牲材料層上に第３金属層を形成する工程と、
    第３金属層をパターニングして、マイクロ金属メッシュを形成する工程とを含む、請求項１１に記載のプロセス。
  13. さらに、第１金属層を形成する工程の前に、基板上にベース犠牲材料層を形成する工程と、
    第１金属層をパターニングして、マイクロメッシュを形成する工程とを含む、請求項１１に記載のプロセス。
  14. 基板上に第１金属層を形成する工程と、
    第１金属層上に第１犠牲材料層を形成する工程と、
    第１犠牲材料層上に第２金属層を形成する工程と、
    第２金属層をパターニングして、マイクロ金属メッシュを形成する工程と、
    マイクロ金属メッシュを解放するように、第１犠牲材料の一部を除去する工程とを含む、積層構造を製造するプロセス。
  15. 第１犠牲材料の一部を除去する工程はドライエッチングを含む、請求項１４に記載のプロセス。
  16. 第１犠牲材料の一部を除去する工程に含まれるドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング、プラズマエッチング及びベーパーＨＦエッチングの何れか一つを含む、請求項１５に記載のプロセス。
  17. さらに、第１犠牲材料の一部を除去する工程の前に、積層構造をマスクする工程を含む、請求項１４に記載のプロセス。
  18. さらに、第２金属層のマイクロ金属メッシュをシールする工程を含む、請求項１４に記載のプロセス。
  19. 第２金属層のマイクロ金属メッシュをシールする工程は、プラスチック、ゴム、テフロン、ピラレン、及びポリアミドの何れか一つを用いてシールする工程を含む、請求項１８に記載のプロセス。
  20. さらに、第２金属層のマイクロ金属メッシュの下に横たわる第１金属層のある部分をパターニングして、ベース犠牲層によって基板から離された第１金属層にマイクロメッシュを形成する工程と、
    第１金属層のマイクロメッシュを解放するために、ベース犠牲層の一部を除去する工程をと含む、請求項１４に記載のプロセス。
  21. ベース犠牲層の一部を除去する工程はドライエッチングを含む、請求項２０に記載のプロセス。
  22. ベース犠牲層の一部を除去する工程に含まれるドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング、プラズマエッチング及びベーパーＨＦエッチングの何れか一つを含む、請求項２１に記載のプロセス。
  23. さらに、ベース犠牲層の一部を除去する工程の前に積層構造をマスクする工程を含む、請求項２０に記載のプロセス。
  24. さらに、第１及び第２金属層と積層関係にある第３金属層を形成する工程と、
    第３金属層をパターニングして、第２犠牲層によって第２金属層から離された第３金属層にマイクロ金属メッシュを形成する工程と、
    第３金属層のマイクロ金属メッシュを解放するために、第２犠牲層の一部を除去する工程とを含む、請求項２０に記載のプロセス。
  25. 第２犠牲層の一部を除去する工程はドライエッチングを含む、請求項２４に記載のプロセス。
  26. 第２犠牲層の一部を除去する工程に含まれるドライエッチングは、リアクティブイオンエッチング、プラズマエッチング及びベーパーＨＦエッチングの何れか一つを含む、請求項２５に記載のプロセス。
  27. さらに、第２犠牲層の一部を除去する工程の前に積層構造をマスクする工程を含む、請求項２４に記載のプロセス。
  28. さらに、第２金属層のマイクロ金属メッシュをシールする工程を含む、請求項２４に記載のプロセス。
  29. 第２金属層のマイクロ金属メッシュをシールする工程は、プラスチック、ゴム、テフロン、ピラレン、及びポリアミドの何れか一つを用いる、請求項２８に記載のプロセス。
  30. 基板に支えられる第１金属層より形成された第１ビームと、
    第１金属層に支えられる第１犠牲層と、
    第１犠牲層で支えられる第２金属層を成す第２ビームとを具えており、
    第２ビームは、第１ビームと直交するように配置され、
    第１犠牲層は第２ビームの領域にて除去されて、第２ビームは、第１犠牲層の厚さで決定される高さで第１ビーム上に浮いている構造。
  31. 第２ビームはカンチレバー型である、請求項３０に記載の構造。
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