JP2009072845A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に設けられた集積回路と、前記基板に対して可動な可動部とを有する半導体デバイスの製造方法であって、前記可動部を犠牲膜で覆うステップと、引張応力を有する材料からなる第1の封止層によって前記犠牲膜を覆うステップと、前記第1の封止層に貫通孔を形成するステップと、前記貫通孔を介して前記犠牲膜を除去し、前記可動部の周囲に空間を形成するステップと、前記第1の封止層の上に第2の封止層を成膜して、前記貫通孔を閉塞するステップと、からなる。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の第1実施例による製造方法によって製造されたMEMS共振器100の断面図を示している。第1実施例のMEMS共振器100には、図示しないトランジスタや多層配線を有する半導体基板101の上に、ポリシリコンやシリコンゲルマニウム等の導電性材料からなる電極102が形成されている。更に、半導体基板101の上には、その主面及び電極102から離間して振動子等の可動部104が形成されている。可動部104は、図示しない支持部によって、例えば片持ち梁状若しくは両持ち梁状に半導体基板101に対して支持されている。可動部104の厚みは約1〜5μmである。半導体基板101の上には、更に、電極102及び可動部104を覆うように、シリコン酸化膜等の封止材料からなる封止層106が形成されている。封止層106には、所定の位置に貫通孔が形成されており、かかる貫通孔を塞ぐように、各々Ti及びAl合金からなる第1封鎖膜107及び第2封鎖膜108が形成されている。
次に、本発明の第2実施例による製造方法について説明する。
101、201 半導体基板
102、202 電極
103、203 犠牲層
104、204 可動部
106、206a、206b、206c 封止層
107、207 第1封鎖部
108、208 第2封鎖部
Claims (8)
- 半導体基板上に設けられた集積回路と、前記基板に対して可動な可動部とを有する半導体デバイスの製造方法であって、
前記可動部を犠牲膜で覆うステップと、
引張応力を有する材料からなる第1の封止層によって前記犠牲膜を覆うステップと、
前記第1の封止層に貫通孔を形成するステップと、
前記貫通孔を介して前記犠牲膜を除去し、前記可動部の周囲に空間を形成するステップと、
前記第1の封止層の上に第2の封止層を成膜して、前記貫通孔を閉塞するステップと、からなることを特徴とする製造方法。 - 前記半導体デバイスが微小電気機械システムであることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1の封止層を、O3及びTEOSを用いたAP-CVD法によって成膜することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第2の封止層を、スパッタリングによって成膜することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第2の封止層が、アルミニウムからなることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記第1の封止層を少なくとも2層からなる多層構造とし、前記多層構造はO3及びTEOSを用いたAP-CVD法によって成膜される層と、プラズマCVD法によって成膜される層と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記多層構造を3層構造とし、プラズマCVD法によって成膜される層と、O3及びTEOSを用いたAP-CVD法によって成膜される層と、プラズマCVD法によって成膜される層と、を順に積層することを特徴とする請求項6に記載の製造方法。
- 前記プラズマCVD法によって成膜される層の厚みの合計を、前記O3及びTEOSを用いたAP-CVD法によって成膜される層の厚みの半分以下とすることを特徴とする請求項6又は7に記載の製造方法。
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