JP2004210804A - 接着フィルム及びその用途 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(A)ポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルムであって、上記ポリイミド樹脂は、下記一般式(I)
【化1】
(式中、R1は各々独立に2価の有機基を示し、mは8〜40の整数であり、m個のR1のうち−CH2−、−CHR−又は−CR2−(但しRは炭素数1〜5の環状でないアルキル基を示す)の個数がk個であって、k/m≧0.85であり、R2はテトラカルボン酸の残基を示す。)で表される繰り返し単位を有してなるポリイミド樹脂である接着フィルム。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、IC、LSI等の半導体素子と、リードフレームや絶縁性支持基板等の支持部材の接合材料又は半導体素子とを接着するための接着フィルム及びこれを用いた半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ICやLSIとリードフレームの接合にはAu−Si共晶合金、半田あるいは銀ペースト等が用いられている。Au−Si共晶合金は、耐熱性及び耐湿性は高いが、弾性率が大きいため大型チップへ適用した場合に割れやすいほか、高価である難点がある。半田は安価であるものの、耐熱性が劣り、更に弾性率はAu−Si共晶合金と同様に高く、大型チップへ適用が困難である。
【0003】
一方、銀ペーストは安価で、耐湿性が高く、弾性率も上記3者の中では最も低く、350℃の熱圧着型ワイヤボンダーに適用できる耐熱性も有するので、現在はICやLSIとリードフレームの接着用材料の主流である。しかし、近年ICやLSIの高集積化が進み、それに伴ってチップが大型化しているなかで、ICやLSIとリードフレームを銀ペーストで接合しようとする場合、銀ペーストをチップ全面に広げ塗布するには困難を伴う。
【0004】
マイクロエレクトロニックマニュファクチャリングアンドテスティング(MICRO ELECTRONIC MANUFACTURING AND TESTING1985年10月)に、導電性フィラーを熱可塑性樹脂に充填したダイボンド用の接着フィルムが報告された。これは熱可塑性樹脂の融点付近まで温度を上げ、加圧接着するものである。上記雑誌で報告された導電性接着フィルムは、融点が低い熱可塑性樹脂を選んで用いると接着温度を低くすることができ、リードフレームの酸化等、チップに与えるダメージは少なくてすむ。しかし、熱時接着力が低いのでダイボンド後の熱処理、例えばワイヤボンド、封止工程等に耐えられない。そのような熱処理に耐えられるように融点の高い熱可塑性樹脂を用いると、接着温度が高くなり、リードフレームの酸化等のダメージを受ける問題がある。
これらを解決するものとして、特定のポリイミド樹脂を用いた接着フィルム、これに導電性フィラーもしくは無機フィラーを含有するダイボンド用接着フィルムがある(例えば特許文献1及び2参照)。
【0005】
上記のようなダイボンド用接着フィルムは従来の熱可塑性樹脂を用いたフィルムと比較し、リードフレームへのダメージが小さく、熱時接着力にも優れている。しかし有機化合物を主体とした絶縁性支持基板に使用する場合、支持基板の変形等を防ぐ目的でさらに低温での貼付が必要とされ、このために、例えば、ガラス転移温度を低下させたポリイミド樹脂を含有するダイボンド用接着フィルム等が提案されている。(例えば特許文献3参照)。
【0006】
【特許文献1】
特開平6−145639号
【特許文献2】
特開平7−228697号
【特許文献3】
特開平10−330723号
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし単に樹脂のガラス転移点を低くしただけでは、HAST試験等の高温高湿環境下における信頼性試験に対して耐性が低くなる傾向があり、フィルムの接着力と実装時の耐リフロー性、耐PCT性、高温高湿下の信頼性の高レベルでの両立は極めて困難であった。
【0008】
また、近年の半導体装置は、小型化、薄型化を達成するために、半導体素子を保護する封止部材を削減しているため、ダイボンド用接着フィルムが従来よりも周囲の温度や湿度の影響を受けやすい。さらに、絶縁性支持基板を用いた半導体装置の場合、片面等の部分的封止になることが多く、影響はさらに顕著である。しかしながら近年の半導体実装方式は、半田の鉛フリー化への要求から、従来のものより高い温度での耐リフロー性が要求されている。
【0009】
本発明は並立が困難なこれらの命題に対応し、良好な熱時接着力を持ち、かつ耐リフロー性が高く、高い信頼性を有し、さらに低温貼付性を併せ持つダイボンド用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置を提供するものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明は、後に説明する一般式(I)で表される繰り返し単位を有するポリイミド樹脂を含有してなる接着フィルムに関する。
また本発明は、さらに熱硬化性樹脂を含有してなる上記接着フィルムに関する。
また本発明は上記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤からなる接着フィルムに関する。
また本発明は、上記接着フィルムとダイシングフィルムとを積層した構造を有してなる接着シートに関する。
また本発明は上記接着フィルムを用いて、半導体素子同士又は半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置に関する。
【0011】
さらに本発明は、原料となる熱可塑性樹脂に長鎖有機基を導入した接着フィルムに関する。
さらに本発明は、原料となる熱可塑性樹脂に加水分解性の低い構成単位を導入した接着フィルムに関する。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の接着フィルムは、下記一般式(I)
【化6】
(式中、R1は各々独立に2価の有機基を示し、mは8〜40の整数であり、m個のR1のうち−CH2−、−CHR−又は−CR2−(但しRは炭素数1〜5の環状でないアルキル基を示す)の個数がk個であって、k/m≧0.85であり、R2はテトラカルボン酸二無水物の残基を示す。)
で表される繰り返し単位を有してなるポリイミド樹脂を含有してなるもので、k/m≧0.85の関係式が成り立つことが必要である。
上記式(I)中、nはポリイミドの繰り返し単位を示し、ポリイミドの重量平均分子量は10000〜500000が好ましく、20000〜300000がさらに好ましく、30000〜200000が最も好ましい。分子量が10000未満では熱可塑性樹脂としての特性が弱くなり、具体的には接着フィルムの強度が低下する。分子量が500000を超える場合、一般的な溶液重合法では反応時間が長く工程上不経済である上、得られたポリイミド樹脂の再溶解が困難で、溶液の粘度も高すぎて取り扱い難いため好ましくない。ポリイミドの平均分子量としては、ゲル浸透クロマトグラフィーによって得られる重量平均分子量を用いるのが好ましい。
上記式(I)中の炭素数1〜5の環状でないアルキル基としては、環状でなければ特に限定されることはなく、例えば炭素数1〜5の未置換線状アルキル基、炭素数1〜3のアルキル基で置換された炭素数1〜5の線状アルキル基等が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1,2−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、等が挙げられる。
【0013】
上記k/mの値としては、k/m≧0.90であることが好ましく、k/m≧0.95であることがより好ましい。k/m<0.85であると、吸湿性が増加し、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。
【0014】
本発明において、R1は二価有機基の最小のセグメントを示す。具体的には例えば、−CH2−、−CHR−、−CR2−、−NH−、−CO−、−Ar−、−S−、−SO−等が挙げられる。本発明の接着フィルムに含まれる置換基R1は、これらのうち−CH2−、−CHR−、−CR2−(以下メチレン基類と略す)が多く含まれる構造のポリイミドを用いることによって、本発明の接着フィルムを用いて半導体素子と支持部材(または半導体素子同士)を接着する際の接着温度を低温化(120〜160℃)することが可能になる上に、耐吸湿性に優れた接着フィルムを得ることができる。
【0015】
また、R1中に極性基あるいは極性原子(酸素原子、窒素原子等)が含まれないことが好ましい。R1中に極性基あるいは極性原子が含まれると、吸湿性が増加し、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。
【0016】
本発明の接着フィルムに含まれるポリイミド樹脂としてさらに具体的に例示すれば、下記一般式(Ia)
【化7】
(但し式中、mは8〜20の整数であり、R1は芳香族テトラカルボン酸の残基を示す。)で表される繰り返し単位を有してなるポリイミド樹脂が挙げられる。上記式(Ia)中のnは、上記一般式(I)において定義したと同様の内容を示す。
【0017】
本発明の接着フィルムに含まれる一般式(I)で表されるポリイミドは、下記一般式(II)
【化8】
(式中、R1は各々独立に2価の有機基を示し、mは8〜40の整数であり、m個のR1のうち−CH2−、−CHR−又は−CR2−(但しRは炭素数1〜5の環状でないアルキル基を示す。)の個数がk個であって、k/m=0.85である。)
で表される化合物を含むジアミンと、テトラカルボン酸二無水物とを反応させて得ることができ、式(II)で表されるジアミンを、全ジアミンのうち50モル%以上用いることが好ましく、60モル%以上用いることがより好ましく、70モル%以上用いることがさらに好ましい。
上記式(II)中の炭素数1〜5の環状でないアルキル基としては、環状でなければ特に限定されることはなく、例えば炭素数1〜5の未置換線状アルキル基、炭素数1〜3のアルキル基で置換された炭素数1〜5の線状アルキル基等が挙げられ、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1,2−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1−エチルプロピル基、等が挙げられる。
【0018】
上記式(II)で表されるジアミンは、2価の有機基R1の総数mと、そのうちメチレン基類の数kとの間に、k/m≧0.85の関係式が成り立つことが好ましい。R1としてメチレン基類以外の基が多く存在し、k/m<0.85であると、吸湿性が増加し、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。k/mの値としては、k/m≧0.90であることが好ましく、k/m≧0.95であることがより好ましい。
【0019】
また、R1中に極性基あるいは極性原子が含まれないことが好ましい。R1中に極性基あるいは極性原子が含まれると、吸湿性が増加し、耐リフロークラック性が低下する傾向がある。
【0020】
また従来よりも低温(120〜160℃)における接着(半導体素子と支持部材、又は半導体素子同士の接着。以下同じ)に対応するために、m≧8が好ましく、m≧10がより好ましい。mの上限としては、原料となるジアミンが容易に入手できる点でm≦40であることが好ましい。但し、mが大きな値となるほど低温接着性に効果がある傾向があるため、mが40以上の数値であっても同様に低温接着性の効果を得ることができると予想される。mの値が8に満たない場合は、用いるジアミンのモル数に比較して分子鎖長が小さくなる為、低温接着の効果が小さくなる傾向がある。
【0021】
上記のようなジアミンとしては、例えば、1,8−オクタンジアミン(m=k=8)、1,9−ノナンジアミン(m=k=9)、1,10−デカンジアミン(m=k=10)、1,11−ウンデカンジアミン(m=k=11)、1,12−ドデカンジアミン(m=k=12)、トリデカメチレンジアミン(m=k=13)、オクタデカメチレンジアミン(m=k=18)等の脂肪族ジアミン、ジ(5,5′−ジアミノペンチル)エーテル(m=11、k=10、k/m=0.91)、3,3’−(デカメチレンジオキシ)−ビス−(プロピルアミン)(m=18、k=16、k/m=0.89)等のアルキルエーテルなどが挙げられ、このうちn−アルキルジアミンを使用することが好ましい。
例えば、1,12−ドデカンジアミン(m=k=12、k/m=1.0)を用いた接着フィルムは、構造の似通った1,4−ブタンジオール−ビス(3−アミノプロピル)エーテル(R1は−CH2−と−O−の二種、m=12、k=10、k/m=0.83)を用いた接着フィルムと比較し、他の組成が同様の場合でも明確に信頼性、特に耐リフロー性に優れる。
【0022】
本発明の接着フィルムに含まれる一般式(I)で表されるポリイミドをさらに具体的に例示すれば、下記一般式(IIa)
【化9】
(但し式中、mは8〜20の整数である。)で表されるジアミンを50mol%以上含むジアミンと、テトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られるものが挙げられる。
【0023】
一般式(II)で表されるジアミンと共に使用できるその他のジアミンとしては、例えば、1,2−ジアミノエタン、1,3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、1,5−ジアミノペンタン等の脂肪族ジアミン、o−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、p−フェニレンジアミン、3,3′−ジアミノジフェニルエーテル、3,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジアミノジフェニルメタン、3,4′−ジアミノジフェニルメタン、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,4′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、4,4′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、3,3′−ジアミノジフェニルスルホン、3,4′−ジアミノジフェニルスルホン、4,4′−ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−ジアミノジフェニルスルフイド、3,4′−ジアミノジフェニルスルフイド、4,4′−ジアミノジフェニルスルフイド、3,3′−ジアミノジフェニルケトン、3,4′−ジアミノジフェニルケトン、4,4′−ジアミノジフェニルケトン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、2,2′−(3,4′−ジアミノジフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−(3,4′−ジアミノジフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,3′−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、3,4′−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、4,4′−(1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデン))ビスアニリン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフエノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン等の芳香族ジアミン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(4−アミノフェニル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ビス(4−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェニル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(2−アミノエチル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノブチル)ジシロキサン、1,3−ジメチル−1,3−ジメトキシ−1,3−ビス(4−アミノブチル)ジシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(4−アミノフェニル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラフェニル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(2−アミノエチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(4−アミノブチル)トリシロキサン、1,1,5,5−テトラメチル−3,3−ジメトキシ−1,5−ビス(5−アミノペンチル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサメチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサエチル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン、1,1,3,3,5,5−ヘキサプロピル−1,5−ビス(3−アミノプロピル)トリシロキサン等が挙げられ、これらは単独でまたは二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0024】
この中でも特に、ポリイミドの溶剤への溶解性向上による作業性の向上、基材との親和性による接着力向上、吸湿しにくさ、化学的安定性による信頼性の確保、等の兼ね合いから、一般式(III)に示すシロキサンジアミンの類が特に好ましい。尚、一般式(III)に示すシロキサンジアミンは、一般式(II)で表されるジアミンの他に、その他のジアミンと併用することもできる。
【化10】
(但し式(III)中、R2は各々独立にメチル基またはフェニル基、R3は各々独立に炭素数1以上6以下の二価の炭化水素基を示す。jは1〜8の整数である。)
但し、鎖長が極端に長いシロキサンジアミンを使用すると、フィルムが高温化に置かれたとき、シロキサンがフィルムの表面に移動することに起因すると考えられる、接着性の低下が素早く進行しやすい。このため作業裕度が低い、使いにくい接着フィルムになることがある。具体例としては、熱圧着の自動化ライン等で一時停止が生じた場合、加熱冶具の近傍に停止したフィルムが不具合を生じる可能性が高くなる。この点から鎖長は短いほうが好ましく、j≦8が好ましく、j≦5がより好ましく、j≦3がさらに好ましい。jの最小値は1であり、これより短いシロキサン(Si−O−Si)結合を持つものはない。
作業裕度の測定方法としては、基板等に熱圧着したフィルムを高温の熱板上に一定時間放置し、その後チップ等を所定条件で熱圧着する。これを、熱板上に放置せず接着した試料と強度を比較することで作業裕度を評価できる。
シロキサンジアミンの量については、ジアミン全体に対して3〜50mol%が好ましく、5から45mol%がより好ましく、10〜40mol%が最も好ましい。シロキサンジアミンの量が適切である場合、最も強い接着力が得られる。
【0025】
また一般式(II)で表されるジアミンには、これを用いて合成したポリイミドの溶剤への溶解性を低下させるものがあるため、使用するものに応じて適切なジアミンを補足的に用いて、例えば、溶解性の優れたジアミンを用いる等して、樹脂の溶解性を上げることでフィルムの製造を行いやすくすることが出来る。
【0026】
またポリイミド樹脂の原料のテトラカルボン酸二無水物としては、特に制限はないが、得られた接着フィルムの耐湿性を高めることができる点で、加水分解性を有する官能基を含まないテトラカルボン酸二無水物の使用量を多くすることが好ましい。具体的な使用量としては、全テトラカルボン酸二無水物の60mol%以上であることが好ましく、70mol%以上であることがより好ましく、
80mol%以上であることが特に好ましい。使用量が60mol%未満であると、ガラス転移温度以上かつ高湿度な環境における分解が促進されやすくなり、半導体装置の構造によってはHAST試験等の信頼性試験に耐えられなくなる傾向がある。
【0027】
上記加水分解性を有する官能基としては、例えば、カルボン酸エステル等のエステル基、アミド基(−NHCO−、但しイミド化反応の中間体であるアミド酸を除く)等が挙げられる。
【0028】
上記加水分解性を有する置換基を含まないテトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3′,4,4′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2′,3,3′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、2,2−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、1,1−ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ビス(2,3−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ベンゼン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,2′,3−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,7−ジクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7−テトラクロルナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、フエナンスレン−1,8,9,10−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、チオフエン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、2,3,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4,3′,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,2′,3′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物、1,4−ビス(3,4−ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,3,3−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、p−フェニレンビス(トリメリテート無水物)、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、4,8−ジメチル−1,2,3,5,6,7−ヘキサヒドロナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ−(2,2,2)−オクト(7)−エン2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、2,2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、4,4′−ビス(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフイド二無水物、4,4′−(4,4′イソプロピリデンジフェノキシ)−ビス(フタル酸無水物)、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ビス(エキソビシクロ(2,2,1)ヘプタン−2,3−ジカルボン酸二無水物)スルホン等が挙げられる。
【0029】
また、上記のようなテトラカルボン酸二無水物として、下記式(IV)
【化11】
で示される4,4′−(4,4′イソプロピリデンジフェノキシ)−ビス(フタル酸無水物)を用いることが、接着力に優れ各特性のバランスがよい高信頼性の接着フィルムを得ることが出来る点で好ましい。
この場合、前記式(IV)で示されるテトラカルボン酸二無水物は、全テトラカルボン酸二無水物の60mol%以上で含むことが好ましく、70mol%以上で含むことがさらに好ましい。
【0030】
また、本発明の接着フィルムに係るポリイミド樹脂の他の製造原料としては、例えば、4,4′−(エタン−1,2ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(デカン−1,10ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、1,4−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸二無水物)、1,3−ビス(2−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル)ベンゼンビス(トリメリット酸二無水物)、4,4′−(プロパン−1,3ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ブタン−1,4ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ペンタン−1,5ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ヘキサン−1,6ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ヘプタン−1,7ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(オクタン−1,8ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ノナン−1,9ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ウンデカン−1,11ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物、4,4′−(ドデカン−1,12ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。これらのテトラカルボン酸二無水物は加水分解性置換基を有するため、全テトラカルボン酸二無水物の40mol%を超えない範囲で使用することができる。
【0031】
テトラカルボン酸二無水物とジアミンの縮合反応は、有機溶媒中で行う。この場合、テトラカルボン酸二無水物とジアミンは、等モル又はほぼ等モルで用いるのが好ましいが、±10mol%の範囲内で酸アミン比をずらしてもよく、また、各成分の添加順序は任意である。合成の際に用いる有機溶媒としては、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、m−クレゾール、o−クロルフェノール等が挙げられる。
【0032】
上記縮合反応の反応温度は150℃以下が好ましく、0〜120℃がより好ましい。一般式(II)で示されるジアミンの溶解性が優れない場合、50℃以上に加温することで均一な反応液が得られて好ましい場合もある。反応が進行するにつれ反応液の粘度が徐々に上昇する。この場合、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が生成する。
【0033】
ポリイミドは、上記反応物(ポリアミド酸)を脱水閉環させて得ることができる。脱水閉環は120℃〜250℃で熱処理する方法や化学的方法を用いて行うことができる。120℃〜250℃で熱処理する方法の場合、脱水反応で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を共沸除去してもよい。なお、本発明においてポリイミド樹脂とは、ポリイミド及びその前駆体を総称する。ポリイミドの前駆体には、ポリアミド酸のほか、ポリアミド酸が部分的にイミド化したものがある。なおポリアミド酸の合成と熱処理による脱水閉環については必ずしも明確に工程が分かれていなくてもよい。
【0034】
化学的方法で脱水閉環させる場合は、閉環剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合物等を用いることができる。このとき必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミン、アミノピリジン、イミダゾール等の閉環触媒をさらに用いてもよい。閉環剤又は閉環触媒は、テトラカルボン酸二無水物1モルに対し、それぞれ1〜8モルの範囲で使用するのが好ましい。
【0035】
合成されたポリイミド樹脂は、反応に用いた溶剤の大半を取り除き固体とすることが出来る。この方法としては、例えば、反応に用いた溶剤を適切な温度及び圧力で蒸発させ、樹脂を乾燥する方法が挙げられる。また、適切な樹脂溶解性の低さを持った貧溶媒に反応液を加えて樹脂を析出させ、反応に用いた溶剤を含んだ貧溶媒を濾過や沈降により取り除いた後、樹脂を乾燥する方法等も挙げられ、このようにすることによって樹脂中の不純物、特に揮発性の低い物をも取り除くことができるため好ましい。
【0036】
上記貧溶媒としてはポリイミド樹脂の溶解性が低ければ特に限定されないが、取り扱いやすさから水や炭素数4以下の低級アルコール等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、溶媒全体として樹脂が析出可能である範囲で良溶媒が混合されてもよい。
【0037】
また、反応系に不純物が存在しないか又は特性に影響を及ぼさない程度に少ない場合は、反応に用いた溶剤をそのまま用い、後述する接着フィルム製造に用いる溶剤として用いることもでき、この場合は反応に用いた溶剤を取り除く必要が無いため工程が短く、製造コストの点で好ましい。
【0038】
本発明の接着フィルムは、熱時強度向上の目的で、熱硬化性樹脂を含有することができる。熱硬化性樹脂としては、従来公知のものを使用することができ、特に制限はないが、中でも半導体周辺材料としての利便性(高純度品の入手容易、品種が多い、反応性制御しやすい)の点で、エポキシ樹脂(通常エポキシ樹脂硬化剤を併用する)又は1分子中に少なくとも2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物が好ましい。
【0039】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、その具体例としては、例えば、分子内に少なくとも2個のエポキシ基を含むもので、硬化性や硬化物特性の点からフェノールのグリシジルエーテル型のエポキシ樹脂が好ましい。このような樹脂としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールAD、ビスフェノールS、ビスフェノールFもしくはハロゲン化ビスフェノールAとエピクロルヒドリンの縮合物、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、ビスフェノールAノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0040】
これらエポキシ樹脂の中でも、特に3官能以上のエポキシ樹脂を含むものは特性向上における効果が高いため好ましい。3官能以上のエポキシ樹脂としては、分子内に少なくとも3個以上のエポキシ基を含むものであれば特に制限はなく、例えば、下記一般式(V)
【化12】
(式中、複数のR3は各々独立に水素又は炭素数1〜5のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を示し、pは1〜20の整数である)で表されるノボラック型エポキシ樹脂の他、3官能型(又は4官能型)のグリシジルエーテル、3官能型(又は4官能型)のグリシジルアミン等が挙げられる。
【0041】
上記一般式(V)で表されるノボラック型エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック樹脂のグリシジルエーテル、フェノールノボラック樹脂のグリシジルエーテル等が挙げられ、これらは硬化物の架橋密度が高く、フィルムの熱時の接着強度を高くすることができる点で好ましい。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0042】
熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、エポキシ樹脂硬化剤を併用することが特性上好ましい。このようなエポキシ樹脂硬化剤としては、特に制限はなく、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられるが、中でもフェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。
【0043】
上記分子中に少なくとも2個のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、t−ブチルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンクレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジェンフェノールノボラック樹脂、キシリレン変性フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、トリスフェノールノボラック樹脂、テトラキスフェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ポリ−p−ビニルフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂等が挙げられる。これらの中で、数平均分子量が400〜1500の範囲内のものが好ましい。これにより、パッケージ組み立て加熱時に、チップ表面、又は装置等の汚染の原因となるアウトガスを有効に低減できる。
【0044】
エポキシ樹脂硬化剤は、上記に例示した中でも、パッケージ組み立て加熱時におけるチップ表面、装置等の汚染、又は臭気の原因となるアウトガスを有効に低減できる点で、ナフトールノボラック樹脂又はトリスフェノールノボラック樹脂が好ましい。
【0045】
上記ナフトールノボラック樹脂としては、下記一般式(VI)、又は下記一般式(VII)で表される、分子内に芳香環を3個以上有するナフトール系化合物が挙げられる。
【化13】
【化14】
(式中、複数のR4はそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、又は水酸基を示し、qは1〜10の整数であり、Xは2価の有機基を示し、Yは下記式
【化15】
から選ばれる2価の置換基を示す。)
【0046】
上記一般式(VI)及び(V)において置換基Xの具体例としては、例えば、下記式
【化16】
で表される2価の置換基等が挙げられる。
【0047】
このようなナフトール系化合物をさらに具体的に例示すれば、下記一般式(VIII)又は(IX)で表されるキシリレン変性ナフトールノボラックや、下記一般式(X)で表されるp−クレゾールとの縮合によるナフトールノボラック等が挙げられる。
【化17】
【化18】
【化19】
(上記式(VIII)〜(X)中、rは1〜10の整数である。)
【0048】
また、上記トリスフェノール系化合物とは、分子内に3個のヒドロキシフェニル基を有するトリスフェノールノボラック樹脂であればよいが、中でも下記一般式(XI)で表される化合物が好ましい。
【化20】
(式中、複数のR5は各々独立に水素、炭素数1〜10のアルキル基、フェニル基、及び水酸基から選ばれる基を示し、Wは下記式
【化21】
から選ばれる四価の有機基を示す。)
【0049】
このようなトリスフェノール系化合物の具体的な例としては、例えば、
4,4′,4″−メチリデントリスフェノール、
4,4′−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビスフェノール、
4,4′,4″−エチリジントリス(2−メチルフェノール)、
4,4′,4″−エチリジントリスフェノール、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルフェノール)、
4,4′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルフェノール)、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3−ジメチルフェノール)、
4,4′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、
4,4′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3−ジメチルフェノール)、
2,2′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5−ジメチルフェノール)、
2,2′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5−ジメチルフェノール)、
2,2′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3,5−トリメチルフェノール)、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3,6−トリメチルフェノール)、
4,4′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3,6−トリメチルフェノール)、
4,4′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3,6−トリメチルフェノール)、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)、
4,4′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)、
4,4′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)、
4,4′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルフェノール)、
4,4′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、
4,4′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2,3,6−トリメチルフェノール)、
4−(ビス(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシ−6−メチルフェニル)メチル)−1,2−ベンゼンジオール、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3−メチルフェノール)、
4,4′,4″−(3−メチル−1−プロパニル−3−イリデン)トリスフェノール、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルエチルフェノール)、
4,4′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルエチルフェノール)、
4,4′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−メチルエチルフェノール)、
2,2′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5,6−トリメチルフェノール)、
2,2′−((4−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5,6−トリメチルフェノール)、
4,4′−((2−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシルフェノール)、
【0050】
4,4′−((3−ヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシルフェノール)、
4,4′−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、
4,4′,4″−メチリジントリス(2−シクロヘキシル−5−メチルフェノール)、
4,4′−(1−(4−(1−(3−シクロヘキシル−4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビス(2−シクロヘキシルフェノール)、
2,2′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5−ジメチルフェノール)、
4,4′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−(メチルエチル)フェノール)、
2,2′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(3,5,6−トリメチルフェノール)、
4,4′−((3,4−ジヒドロキシフェニル)メチレン)ビス(2−シクロヘキシルフェノール)、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0051】
熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含む熱硬化性樹脂を用いる場合、その使用量としては、ポリイミド樹脂100重量部に対して、エポキシ樹脂を1〜200重量部を使用することが好ましく、1〜100重量部がより好ましく、1〜90重量部とすることがさらに好ましい。使用量が200重量部を超えるとフィルム形成性が悪くなる傾向がある。
【0052】
また、エポキシ樹脂硬化剤はエポキシ樹脂100重量部に対して、0.1〜150重量部使用することが好ましく、0.1〜120重量部であることがより好ましく、10〜100重量部とすることがさらに好ましい。150重量部を超えると硬化性が不充分となる傾向がある。
【0053】
また、本発明の接着フィルムは、さらに硬化促進剤を併用してもよい。硬化促進剤は、エポキシ樹脂を硬化させるために用いられるものであれば特に制限はなく、具体的には、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール−テトラフェニルボレート、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)ウンデセン−7−テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0054】
硬化促進剤の量は熱硬化性樹脂100重量部に対し、0.01〜50重量部が好ましく、0.01〜20重量部がより好ましく、0.1〜10重量部とすることがさらに好ましい。ここで50重量部を超えると保存安定性が悪くなる傾向がある。0.01重量部未満では硬化促進剤としての効果が充分得られない傾向がある。
【0055】
また、本発明の接着フィルムに使用する熱硬化性樹脂として、1分子中に少なくとも2個の熱硬化性イミド基を有するイミド化合物を選択する場合、その化合物の例としては、オルトビスマレイミドベンゼン、メタビスマレイミドベンゼン、パラビスマレイミドベンゼン、1,4−ビス(p−マレイミドクミル)ベンゼン、1,4−ビス(m−マレイミドクミル)ベンゼン等の化合物が挙げられる。
【0056】
また、この他にも、下記の式(XII)〜(XV)で表されるイミド化合物等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0057】
【化22】
(式中、R7はO、CH2、CF2、SO2、S、CO、C(CH3)2又はC(CF3)2を示し、4つのR6は各々独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。)
【0058】
【化23】
(式中、R9はO、CH2、CF2、SO2、S、CO、C(CH3)2又はC(CF3)2を示し、4つのR8は各々独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基、フッ素、塩素又は臭素を示し、Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。)
【0059】
【化24】
(式中、sは0〜4の整数であり、Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示す。)
【0060】
【化25】
(式中、二つのR9は各々独立に二価の炭化水素基を示し、複数個のR10は各々独立に一価の炭化水素基を示し、Dはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基を示し、tは1以上の整数である。)
【0061】
なお、各構造式において、Dで示されるエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基としては、マレイン酸残基、シトラコン酸残基などが挙げられる。
【0062】
本発明で用いられるイミド化合物の量は、ポリイミド樹脂100重量部に対して0〜200重量部が好ましく、0〜150重量部がより好ましく、1〜100重量部がさらに好ましい。200重量部を超えるとフィルム形成性が悪くなる傾向がある。
【0063】
上記一般式(XII)で表されるイミド化合物としては、例えば、4,4−ビスマレイミドジフェニルエーテル、4,4−ビスマレイミドジフェニルメタン、4,4−ビスマレイミド−3,3′−ジメチルジフェニルメタン、4,4−ビスマレイミドジフェニルスルホン、4,4−ビスマレイミドジフェニルスルフィド、4,4−ビスマレイミドジフェニルケトン、2,2′−ビス(4−マレイミドフェニル)プロパン、4,4−ビスマレイミドジフェニルフルオロメタン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−マレイミドフェニル)プロパン等が挙げられる。
【0064】
上記一般式(XIII)で表されるイミド化合物としては、例えば、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)エーテル、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)メタン、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)フルオロメタン、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(3−マレイミドフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)スルフィド、ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)ケトン、2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−(4−マレイミドフェノキシ)フェニル)プロパン等が挙げられる。
【0065】
これらイミド化合物の硬化を促進するため、ラジカル重合剤を使用してもよい。ラジカル重合剤としては、アセチルシクロヘキシルスルホニルパーオキサイド、イソブチリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリル等がある。このとき、ラジカル重合剤の使用量は、イミド化合物100重量部に対して概ね0.01〜1.0重量部が好ましい。
【0066】
なお、熱硬化性樹脂を含有させた接着フィルムは、熱時の剪断接着力が高くなる特徴がある。しかし、熱時のピール接着力(後述する測定方法によって求められるチップ引き剥がし力)は逆に低下するので、使用目的に応じて、熱硬化性樹脂含有又は非含有の接着フィルムとし、使い分けることができる。ここで熱硬化性樹脂とは、加熱により3次元的網目構造を形成し、硬化する樹脂のことである。
【0067】
本発明の接着フィルムは、必要に応じてフィラーを含有させることができる。本発明に用いるフィラーとしては、特に制限はなく、例えば、銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉等の金属フィラー、アルミナ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカ、窒化ホウ素、チタニア、ガラス、酸化鉄、セラミック等の無機フィラー、カーボン、ゴム系フィラー、ポリマー系フィラー等の有機フィラーなどが挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。
【0068】
上記フィラーは所望する機能に応じて使い分けることができる。例えば、金属フィラーは、接着剤組成物に導電性、熱伝導性、チキソ性等を付与する目的で添加され、非金属無機フィラーは、接着フィルムに熱伝導性、低熱膨張性、低吸湿性等を付与する目的で添加され、有機フィラーは接着フィルムに靭性等を付与する目的で添加される。これら金属フィラー、無機フィラー又は有機フィラーは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。中でも、半導体装置に求められる特性を付与できる点で、金属フィラー、無機フィラー、又は絶縁性のフィラーが好ましく、無機フィラー、又は絶縁性フィラーの中では、樹脂ワニスに対する分散性が良好でかつ接着強度の向上に効果がある点で窒化ホウ素がより好ましい。
【0069】
上記フィラーの平均粒子径は10μm以下、最大粒子径は25μm以下であり、平均粒子径が5μm以下、最大粒子径が20μm以下であることが好ましい。平均粒子径が10μmを超え、かつ最大粒子径が25μmを超えると、破壊靭性向上の効果が得られない傾向がある。下限は特に制限はないが、通常、どちらも0.1μmである。
【0070】
上記フィラーは、平均粒子径10μm以下、最大粒子径は25μm以下の両方を満たす必要がある。最大粒子径が25μm以下であるが平均粒子径が10μmを超えるフィラーを使用すると、高い接着強度が得られない傾向がある。また、平均粒子径は10μm以下であるが最大粒子径が25μmを超えるフィラーを使用すると、粒径分布が広くなり接着強度にばらつきが出やすくなる傾向がある。また、本発明の接着剤組成物を薄膜フィルム状に加工して使用する場合、表面が粗くなり接着力が低下する傾向がある。
【0071】
上記フィラーの平均粒子径及び最大粒子径の測定方法としては、例えば、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、200個程度のフィラーの粒径を測定する方法等が挙げられる。
【0072】
SEMを用いた測定方法としては、例えば、接着剤組成物を用いて半導体素子と半導体支持基板とを接着した後、加熱硬化(好ましくは150〜200℃で1〜10時間)させたサンプルを作製し、このサンプルの中心部分を切断して、その断面をSEMで観察する方法等が挙げられる。
【0073】
また、用いるフィラーが金属フィラー又は無機フィラーである場合は、接着剤組成物を600℃のオーブンで2時間加熱し、樹脂成分を分解、揮発させ、残ったフィラーをSEMで観察、測定する方法をとることもできる。フィラーそのものをSEMで観察する場合、サンプルとしては、SEM観察用の試料台の上に両面粘着テープを貼り付け、この粘着面にフィラーを振り掛け、その後、イオンスパッタで蒸着したものを用いる。このとき、前述のフィラーの存在確率が全フィラーの80%以上であるとする。
【0074】
上記フィラーの使用量は、使用するフィラーの種類、付与する特性、又は機能に応じて決められるが、ポリイミド樹脂100重量部に対して1〜8000重量部とする。1重量部未満であるとフィラー添加による特性、又は機能の付与の効果が得られず、8000重量部を超えると接着性が低下し、いずれも好ましくない。
【0075】
また、本発明の接着フィルムは、接着力を向上させるため、さらにシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤等の添加剤を加えてもよい。
【0076】
本発明の接着フィルムは、一般式(I)で表されるポリイミド樹脂、及び必要に応じて上記各成分を有機溶媒中で混合、混練又は分散して塗工ワニスを調製した後、基材フィルム上に前記塗工ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去することによって、図1に示すような単層の接着フィルム1を得ることができる。上記の混合、混練、分散は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ホモディスパー等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常50℃〜200℃で、0.1〜90分間加熱して行う。
【0077】
本発明の接着フィルム製造の際に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、酢酸エチル等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【0078】
本発明の接着フィルム製造時に使用する基材フィルムは、上記の加熱、乾燥条件に耐えるものであれば特に限定するものではなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。これらの基材としてのフィルムは2種以上組み合わせて多層フィルムとしてもよく、表面がシリコーン系、シリカ系等の離型剤などで処理されたものであってもよい。この時、図2に示すように、基材フィルム2を除去せずにフィルムの支持体とした基材つき接着フィルムとしてもよい。
【0079】
また本発明の接着フィルムは、図3に示すように、基材フィルム層2及び粘着剤層3を含むダイシングテープと貼り合わせて、一枚のシートとすることもできる。このように予めダイシングテープと接着フィルムを積層しておくことによって、半導体装置製造工程を簡略化することができる。
【0080】
得られた接着フィルムは、IC、LSI等の半導体素子と、半導体素子を搭載する支持部材との接着用途や、パッケージの種類に応じて、半導体素子同士の接着用途に用いることもできる。上記支持部材としては、例えば、42アロイリードフレーム、銅リードフレーム等のリードフレーム、エポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂等のプラスチックフィルム、ガラス不織布等基材にエポキシ樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミド系樹脂等のプラスチックを含浸・硬化させたもの、ガラス基板、アルミナ等のセラミックス基板などが挙げられる。
【0081】
本発明の接着フィルムの使用例の一つである半導体装置10の構造を図4に示す。この構造の半導体装置は、複数の半導体素子を重ねて実装した構造を有する。すなわち、図4において、一段目の半導体素子4は本発明の接着フィルム1を介して半導体素子支持部材5に接着され、一段目の半導体素子4の上に更に本発明の接着フィルム1′を介して二段目の半導体素子4′が接着されている。一段目の半導体素子4及び二段目の半導体素子4′の接続端子(図示せず)は、ワイヤ6を介して外部接続端子(図示せず)と電気的に接続され、封止材7によって封止されている。このように、本発明の接着フィルムは、半導体素子を複数重ねる構造の半導体装置にも好適に使用できる。
【0082】
半導体素子と支持部材の接着、または半導体素子同士の接着の条件としては、前記したような半導体素子と支持部材との間又は半導体素子同士の間に本発明の接着フィルムを挾み、温度60〜300℃、時間0.1〜300秒間で接着させる。
【0083】
本発明の接着フィルムに熱硬化性樹脂を含有させた場合は、さらに接着後の半導体素子に熱を加えることで接着フィルムの被着体への密着や硬化を促進させ、接合部の強度を増すことが好ましい。この時の加熱温度は、通常、60〜220℃、0.1〜600分間であり、接着剤組成によって適切な条件を選択する。樹脂封止等を実施する場合は封止樹脂の硬化工程の加熱を利用してもよい。
【0084】
【実施例】
以下、本発明を実施例により説明する。
【0085】
(合成例1)
温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた500mlの四つ口フラスコに、ジアミンとして1,12−ジアミノドデカン(0.08モル)、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン(0.02モル)、溶剤としてN−メチル−2−ピロリドン150gをとり、60℃にて攪拌、溶解した。ジアミンの溶解後、テトラカルボン酸無水物として4,4′−(4,4′−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(0.08モル)及び4,4′−(デカン−1,10ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物(0.02モル)を少量ずつ添加した。60℃で1時間反応させたのち、N2ガスを吹き込みながら170℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去した。その反応液をポリイミド樹脂(A1)の溶液として得た。
【0086】
(合成例2)
合成例1において、4,4′−(4,4′−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(0.08モル)の代わりに、4,4′−オキシジフタル酸二無水物(0.08モル)を使用した以外は合成例1と同等の工程により、ポリイミド樹脂(A2)を得た。
【0087】
(合成例3)
合成例1において、テトラカルボン酸無水物として4,4′−(4,4′−イソプロピリデンジフェノキシ)ビス(フタル酸二無水物)(0.06モル)及び4,4′−(デカン−1,10ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物(0.04モル)を使用した以外は合成例1と同等の工程により、ポリイミド樹脂(A3)を得た。
【0088】
(合成例4)
合成例1において、ジアミンとして2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(0.1モル)、テトラカルボン酸無水物として4,4′−(デカン−1,10ジイルビス(オキシカルボニル))ジフタル酸無水物(0.1モル)を使用し、原材料の溶解を室温で実施した以外は合成例1と同等の工程により、ポリイミド樹脂(A4)を得た。
【0089】
(合成例5)
合成例4において、ジアミンとして2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン(0.05モル)及び1,4−ブタンジオールビス(3−アミノプロピル)エーテル(0.05モル)を使用した以外は合成例4と同等の工程により、ポリイミド樹脂(A5)を得た。
【0090】
(合成例6)
合成例1において、1,12−ジアミノドデカン(0.08モル)の代わりに、1,4−ブタンジオールビス(3−アミノプロピル)エーテル(0.08モル)を使用した以外は合成例1と同等の工程により、ポリイミド樹脂(A6)を得た。
【0091】
なお、上記ジアミンのm及びkの値は下記のようになる。
(1)1,12−ジアミノドデカン:m=12、k=12、k/m=1.0
(2)1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ビス(3−アミノプロピル)ジシロキサン:m=9、k=6、k/m=0.67
(3)2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン:m=7、k=0、k/m=0
(4)1,4−ブタンジオールビス(3−アミノプロピル)エーテル:m=12、k=10、k/m=0.83
【0092】
(実施例1〜3)及び(比較例1〜3)
実施例1〜3及び比較例1〜3の接着フィルムは、それぞれ合成例1〜6の樹脂(A1〜A6)を用いて、以下の方法で作製されたワニスをフィルム化して得られた。
【0093】
それぞれ合成例1〜6に従って得た樹脂100重量部(但しN−メチル−2−ピロリドン溶液中の固形分として)に対し、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成製YDCN−702)6重量部、4,4′−(1−(4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル)エチリデン)ビスフェノール(本州化学製Tris−P−PA)3重量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート(東京化成製TPPK)0.5重量部、窒化硼素フィラー(水島合金鉄製HP−P1)10重量部を加え、良く混錬してワニスとした。
【0094】
調合したワニスを剥離処理済みのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、80℃で30分、つづいて120℃で30分加熱し、その後、室温でポリエチレンテレフタレートフィルムを剥して除き、厚さ20〜50μmの接着フィルムを得た。
【0095】
(評価試験)
実施例1〜3及び比較例1〜3で得られた接着フィルムについて、信頼性評価とピール接着力の測定を行った。
【表1】
【0096】
なお、信頼性の評価法及びピール強度の測定法は以下の通り。
(耐PCT性測定)
接着フィルムを8mm×10mmの大きさに切断し、これを8mm×10mm×0.4mmのシリコンチップと直径0.8mmのスルーホール付きリードフレームの間に挟み圧着させ、180℃で60分間後硬化させたのち、121℃/2気圧/湿度100%の飽和PCTにて所定時間処理した。接着フィルムの表面状態をリードフレームのスルーホールから観察し、外観に変化がみられない処理時間を耐PCT性の値とした。この時の外観の変化とは、フィルム含有成分のフィルム外への流出、表面の粗化、膨潤、クラック、ピンホール、膨れ、剥離等の物理的形状の変化のうち目視出来るものを指す。本発明においては上記の物理的形状に変化が認められない限り、色相、色調のみの変化は外観の変化としない。
【0097】
(耐リフロー性測定)
接着フィルムを8mm×10mmの大きさに切断し、これを8mm×10mm×0.4mmのシリコンチップとQFP銅リードフレームの間に挟み、500gの荷重をかけて、160℃で5秒間圧着させたのち、モールド用封止材(日立化成工業製CEL−9200)にてモールドし、180℃で4時間硬化させてパッケージとした。
【0098】
これをJEDEC所定の吸湿条件で吸湿させた後、IRリフロー炉にて260℃リフロー(最大温度265℃)を3回通過させ、パッケージの破損や厚みの変化、界面の剥離等が1個も観察されない条件のうち最も厳しい吸湿条件をもって耐リフロー性のレベルとした。
この時のJEDEC所定の吸湿条件とは、温度30℃、湿度60%の恒温恒湿槽にて192時間パッケージを吸湿させた条件を称してレベル3とする。同様に85℃、60%、168時間の条件をレベル2とし、85℃、85%、168時間の条件をレベル1とする。
【0099】
(ピール強度測定:チップ引き剥がし強度)
接着フィルムを5mm×5mmの大きさに切断し、これを5mm×5mm×0.4mmのシリコンチップと42アロイリードフレームの間に挟み、500gの荷重をかけて160℃で5秒間圧着させ、180℃で60分間後硬化させたのち、240℃、20秒加熱時のチップ引剥し強さを、プッシュプルゲージを改良した図5に示す装置20で測定した。この装置によれば接着剤の面接着強度を測定することができる。この数値が高いほどリフロークラックが発生しにくくなる。
【0100】
上記から明らかなように、本発明の接着フィルムは、半導体素子と支持部材との接着(または半導体素子同士の接着)を160℃という低温で行うことができ、ピール強度(チップ引きはがし強度)だけでなく、耐PCT性及び耐リフロー性にも優れたものである。
【0101】
【発明の効果】
本発明の接着フィルムは高温高湿下の信頼性に優れ、かつ接着力も高い。そのため、ダイボンド用としてリードフレーム、絶縁性支持基板を用いた次世代の半導体実装技術にも好適に使用できる。この接着フィルムを用いて製造される半導体装置は、高温下の接着性や耐PCT性、耐リフロー性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の接着フィルムの一形態を示す、接着剤層のみからなる接着フィルムの断面模式図である。
【図2】本発明の接着フィルムの一形態を示す、基材フィルムの上に接着剤層が積層されてなる接着フィルムの断面模式図である。
【図3】本発明の接着フィルムの一形態を示す、ダイボンドフィルムとダイシングテープの両方の役割を果たすことができる接着フィルムの断面模式図である。
【図4】本発明の接着フィルムの使用方法の一例を示す半導体装置の断面模式図である。
【図5】ピール強度測定に用いる測定装置の断面模式図である。
【符号の説明】
1 本発明の接着フィルム
1′ 本発明の接着フィルム
2 基材フィルム
3 ダイシングテープ
4 一段目の半導体素子
4′ 二段目の半導体素子
5 支持部材
6 ワイヤ
7 封止剤
8 半田ボール
10 半導体装置
11 プッシュプルゲージ
12 本発明の接着フィルム
13 半導体素子
14 ダイパッド部
15 支え
16 熱板
17 支え
20 測定装置
Claims (14)
- さらに(B)熱硬化性樹脂を含有してなる請求項1〜4のいずれかに記載の接着フィルム。
- (B)熱硬化性樹脂が、(B1)エポキシ樹脂及び(B2)エポキシ樹脂硬化剤からなる請求項5記載の接着フィルム。
- (B2)エポキシ樹脂硬化剤が、分子中に水酸基を2個以上有し、数平均分子量が400〜1500であるフェノール系化合物である請求項6に記載の接着フィルム。
- 前記(B2)エポキシ樹脂硬化剤は、分子内に芳香環を3個以上有するナフトール系化合物、又は、トリスフェノール系化合物である請求項6に記載の接着フィルム。
- さらに(C)フィラーを含有してなる請求項1〜9のいずれかに記載の接着フィルム。
- 前記(C)フィラーの平均粒子径が10μm以下、最大粒子径が25μm以下である請求項10記載の接着フィルム。
- (A)一般式(I)で表されるポリイミド樹脂100重量部に対して、(B)熱硬化性樹脂1〜200重量部、及び/又は(C)フィラー1〜8000重量部を含有してなる請求項1〜11のいずれかに記載の接着フィルム。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の接着フィルムとダイシングフィルムとを積層した構造を有してなる接着シート。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の接着フィルムを用いて、半導体素子同士又は半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。
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