JP2004179630A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. ドナーウエハから転写された薄結晶層を支持体上に含んでなり、該薄層がその電気的または光学的性質を変えるための１以上の異物種を含有している、基板の生産方法であって、
   異物種（２４）を含まないドナーウエハ（２０）のゾーン中へ原子種を注入して、結合面の下に脆化ゾーン（２２）を形成させ、ここで、脆化ゾーンおよび結合面が、転写される薄層（２３）の境界を定めているステップと、
   ドナーウエハ（２０）をその結合面で支持体（１０）へ結合させるステップと、
   脆化ゾーン（２２）の領域で開裂を生じさせて、支持体（１０）および薄層（２３）を含んでなる基板を得るために、応力を加えるステップと
   を順次行うことからなり、
   前記原子種の注入が異物種（２４）を含まないドナーウエハ（２０）のゾーン中に行われ、
   前記方法が、前記開裂の生成後に、前記薄層をアニーリング処理下、薄層を半絶縁性にするのに適した異物種の源に曝すことにより、異物種（２４）を薄層（２３）の厚さ方向へ拡散させるステップを更に含んでなることで特徴付けられる方法。
2. ドナーウエハから転写された薄結晶層を支持体上に含んでなり、該薄層がその電気的または光学的性質を変えるための１以上の異物種を含有している、基板の生産方法であって、
   前記薄層をアニーリング処理下、薄層を半絶縁性にするのに適した異物種の源に曝すことにより、異物種（２４）を薄層（２３）の厚さ方向へ拡散させるステップと、
   異物種（２４）を含まないドナーウエハ（２０）のゾーン中へ原子種を注入して、結合面の下に脆化ゾーン（２２）を形成させ、ここで、脆化ゾーンおよび結合面が、転写される薄層（２３）の境界を定めているステップと、
   ドナーウエハ（２０）をその結合面で支持体（１０）へ結合させるステップと、
   脆化ゾーン（２２）の領域で開裂を生じさせて、支持体（１０）および薄層（２３）を含んでなる基板を得るために、応力を加えるステップと
   を順次行うことからなることで特徴付けられる方法。
3. 前記異物種を拡散させるステップが、注入深さよりも浅い深さのところまで行われる、請求項２に記載の方法。
4. 前記開裂後に、異物種が枯渇した移写層の部分を除去する薄化ステップを含んでなる、請求項３に記載の方法。
5. 前記結合前に、ドナーウエハ上および／または支持体上に結合層を作製するステップを更に含んでいる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
6. 前記結合層が前記基板で埋込み絶縁体を形成している、請求項５に記載の方法。
7. 前記ドナーウエハの物質がIII‐Ｖ半導体材料である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記異物種に、拡散により材料を半絶縁性にしうる種類を含む、請求項７に記載の方法。
9. 前記材料が燐化インジウムである、請求項８に記載の方法。
10. 前記異物種が、鉄およびロジウムからなる群より選択される、請求項９に記載の方法。
11. 前記異物種が、水銀またはカドミウムのようなシャローアクセプターと、チタンまたはクロムのようなシャロードナーとの組合せを含む、請求項９に記載の方法。
12. 前記注入された種が、水素イオンおよび希ガスイオンから選択される、少なくとも１つの種を含んでなる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
13. 前記支持体物質が、前記薄層の前記物質よりも機械的に強くなるように選択される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
14. 前記基板の前記薄層で行われる、後のエピタキシャル成長ステップを含んでいる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記エピタキシャル成長物質の格子が、前記薄層の物質と調和しない、請求項１４に記載の方法。
16. 少なくとも１層の結晶物質を含んでなるドナーウエハ（２０）であって、
    該ウエハが、マイクロエレクトロニクス、オプトエレクトロニクスまたはオプティクス用の基板を組み立てるための支持体上に、ウエハから除去された既定厚の半導体物質の薄層を転写する方法を行うために用いられるものであり、かつ、
    該ウエハが、該除去側に、該既定厚よりも浅い深さ（２５）のところで、該ドナーウエハの物質の性質を該物質が半絶縁性になるように変えうる少なくとも１つの拡散異物種（２４）を含んでなることで特徴付けられるウエハ。
17. 前記ウエハの前記物質がIII‐Ｖ半導体材料である、請求項１６に記載のウエハ。
18. 前記III‐Ｖ半導体材料が燐化インジウムである、請求項１７に記載のウエハ。
19. 前記異物種が、鉄およびロジウムからなる群より選択される、請求項１８に記載のウエハ。