JP2004171738A - 高速データの出力のためのパイプラッチ回路 - Google Patents

高速データの出力のためのパイプラッチ回路 Download PDF

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Abstract

【課題】 制御が簡単であり、さらに回路面積が最小化し、高速動作に有利なパイプラッチ回路を提供する。
【解決手段】 第1データを入力される第1入力レジスタ70aと、それぞれ直列接続した複数のレジスタを備え第1入力レジスタの出力を選択的に格納し選択的に出力する複数の第1直列パイプラッチ70c_1〜70c_kと、複数の第1直列パイプラッチから出力されるデータを格納する第1接続レジスタ70bと、第2データを入力される第2入力レジスタ70a’と、それぞれ直列接続した複数のレジスタを備え第2入力レジスタの出力を選択的に格納し選択的に出力する複数の第2直列パイプラッチ70’c_1〜70’c_kと、複数の第2直列パイプラッチから出力されるデータを格納する第2接続レジスタ70’bと、第1及び第2の接続レジスタに格納されたデータを立ち上がりエッジ用又は立ち下がりエッジ用の出力データに選択して出力するマルチプレクサ80と、複数の第1及び第2の直列パイプラッチとマルチプレクサを制御するパイプラッチ回路制御部200cとを備える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体メモリ装置に関し、特にセル領域から出力されるデータを入力されてラッチした後、外部に出力するためのパイプラッチ回路に関する。
通常、同期式メモリは連続的なデータの出力のためにパイプラッチ回路を有する。パイプラッチ回路は、セル領域から伝達されたデータを格納し、クロックに同期させて順に出力バッファに出力する役割を果たす回路である。こうしたパイプラッチ回路を制御する回路としてパイプラッチ回路制御装置があるが、パイプラッチ回路制御装置はセル領域から伝達されるデータをクロックに同期させて順にパイプラッチ回路に格納し、出力できるように制御する装置である。
図13は、通常のDDR(Double Date Rate)同期式メモリ装置を示すブロック構成図である。
図13を参照して説明すると、DDR同期式メモリ装置はローアドレスを入力されてデコーディングして出力するローアドレス入力部400と、カラムアドレスを入力されてデコーディングして出力するカラムアドレス入力部300と、ローアドレス入力部400とカラムアドレス入力部300から出力される信号によって該当するデータを出力するセル領域500と、クロック信号と命令語信号などを入力されてデコーディングする命令語解釈部600と、セル領域500から出力されるデータを順に入力されて出力バッファに出力するパイプラッチ回路100と、クロック信号と命令語解釈部600の出力信号を入力されてパイプラッチ回路100を制御するパイプラッチ回路制御部200と、パイプラッチ回路100の出力を外部の出力データに出力するための出力バッファ700とを備える。
クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジにそれぞれデータが出力されるDDRメモリ装置では、パイプラッチ回路100が偶数データと奇数データをそれぞれセル領域500から入力され、これを立ち上がりエッジ用のデータと立ち下がりエッジ用のデータとに区分して出力バッファ700に出力する。偶数データと奇数データは、外部から入力される動作クロックの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジにそれぞれ同期されて出力するためにセル領域500からパイプラッチ回路100に入力されるデータである。
一方、パイプラッチ回路100は、入力されてラッチするデータの数に応じて構成されるレジスタの数が変わり、パイプラッチ回路100を構成するレジスタの個数はメモリ装置のCAS(column address strobe)レイテンシなどにより決定される。また、制御する方法によってレジスタが直列に接続されて構成される直列パイプラッチ回路と、レジスタが並列に接続されて構成される並列パイプラッチ回路などがある。
図14は従来技術によりレジスタを並列に構成した並列パイプラッチ回路を示すブロック構成図である。
図14を参照して説明すると、並列パイプラッチ回路100aは、偶数データを入力されるために並列に配置された複数のレジスタ20_1、20_2、...、20_nと、奇数データを入力されるために並列に配置された複数のレジスタ20´_1、20´_2、...、20´_nと、レジスタ20_1、20_2、...、20_n、20´_1、20´_2、...20´_nの前段にそれぞれ備えられ、n個の偶数入力制御信号1〜nに制御されて入力される偶数データをレジスタ20_1、20_2、...、20_nにそれぞれ格納するようにするパス回路10_1、10_2、...、10_nと、n個の奇数入力制御信号1〜nに制御されて入力される奇数データをレジスタ20´_1、20´_2、...、20´_nにそれぞれ格納するようにするパス回路10´_1、10´_2、...、10´_nと、各レジスタ20_1、20_2、...、20_n、20´_1、20´_2、...、20´_nから偶数データと奇数データをそれぞれ選択的に出力するためのn個のマルチプレクサ30_1〜30_nと、マルチプレクサ30_1〜30_nの出力端に備えられ、n個の偶数出力制御信号1〜nとn個の奇数出力制御信号1〜nにより制御されてマルチプレクサ30_1〜30_nから出力されるデータを立ち上がりエッジ用のデータまたは立ち下がりエッジ用のデータに出力するためのパス回路40_1、40_2、...、40_n、40´_1、40´_2、...、40´_nとを備える。
図15は、図14に示されたパイプラッチ回路100aを制御するためのパイプラッチ回路制御部200aのブロック構成図である。
図15を参照して説明すると、パイプラッチ回路制御部200aはクロック信号とデータ出力タイミング制御信号を入力されて2n個の入力制御信号と、2n個の出力制御信号及びn個のマルチプレクサ選択信号を出力する。ここで、2n個はn個の偶数用の制御信号とn個の奇数用の制御信号とを足した数である。
以下、図14及び図15を参照して並列パイプラッチ回路の動作について説明する。
まず、読み出すアドレスに対応するデータがセル領域からパイプラッチ回路100aに入力されると、パイプラッチ回路制御部200aから出力されるn個の偶数入力制御信号1〜n及びn個の奇数入力制御信号1〜nにより2n個のパス回路10_1、10_2、...、10_n、10´_1、10´_2、...、10´_nが順にターンオンされ、ターンオンされるパス回路によって偶数データ及び奇数データが順にレジスタ20_1、20_2、...、20_n、20´_1、20´_2、...、20´_nに格納される。
次いで、パイプラッチ回路制御部200aから出力されるn個のマルチプレクサ選択信号1〜nによりn個のマルチプレクサ30_1、30_2、...、30_nではレジスタ20_1、20_2、...、20_n、20´_1、20´_2、...、20´_nから出力されるデータを立ち上がりエッジ用のデータに出力するか、または立ち下がりエッジ用のデータにそれぞれ選択して出力する。
次いで、パイプラッチ回路制御部200aから出力されるn個の奇数出力制御信号1〜nとn個の偶数出力制御信号1〜nによりパス回路40_1、40_2、...、40_n、40´_1、40´_2、...、40´_nが選択的にターンオンされて、n個のマルチプレクサ1〜nから出力されるデータを出力バッファ(図13の700)に出力する。
前述した並列パイプラッチ回路100aは、入力されるデータを一回のみラッチし、出力制御信号により出力するように構成されているため、高速でデータを出力できるという長所を有する。しかし、並列パイプラッチ回路200aを用いる場合は、パイプラッチ回路制御部200aで入力制御信号と出力制御信号とをそれぞれ別に生成して出力しなければならないため、パイプラッチ回路制御部200aの構造が複雑になるという短所がある。
例えば、16個のレジスタを用いてパイプラッチ回路を構成すると仮定すると、16個の入力制御信号(偶数入力制御信号:8、奇数入力制御信号:8)と16個の出力制御信号(偶数出力制御信号:8、奇数出力制御信号:8)を互いに異なるタイミングで生成しなければならない。また、この場合の並列パイプラッチ回路は、8個のマルチプレクサが必要であるが、マルチプレクサはその特性上、大きい面積を占有するため、マルチプレクサを複数備えなければならない並列パイプラッチ回路は集積回路の面積が大きくなるという短所がある。
上記の問題を解決するため、最小限の面積と簡単な制御構造を用いるにはレジスタを直列に接続して構成する直列パイプラッチ回路を用いることもある。
図16はレジスタを直列に構成した直列パイプラッチ回路100b及びパイプラッチ回路制御部200bを示すブロック構成図である。
図16を参照して説明すると、直列パイプラッチ回路100bは、偶数データを入力されて順に伝達するために直列に接続された複数のレジスタ50_1、50_2、...、50_nと、レジスタ50_1、50_2、...、50_nの間にそれぞれ備えられて後段に接続されたレジスタにデータを伝達させるための複数のパス回路60_1、...、60_n−1と、奇数データを入力されて順に伝達するために直列に接続された複数のレジスタ50´_1、50´_2、...、50´_nと、レジスタ50´_1、50´_2、...、50´_nの間にそれぞれ備えられて後段に接続されたレジスタにデータを伝達させるための複数のパス回路60_1、...、60_n−1と、n番目のレジスタ50_n、50´_nに格納されたデータを立ち上がりエッジ用のデータと立ち下がりエッジ用のデータとに区分して出力するためのマルチプレクサ60aとを備える。
また、パイプラッチ回路制御部200bは、クロック信号とデータ出力タイミング制御信号を入力されて、2(n−1)個の入出力制御信号と、出力制御信号及びマルチプレクサ選択信号を出力する。
以下、図16を参照して直列パイプラッチ回路100bの動作を説明する。
まず、アドレスが入力されると、入力されたアドレスに対応する偶数データと奇数データがセル領域からパイプラッチ回路100bに順に出力されるが、偶数データ用のレジスタ50_1、50_2、...、50_nと奇数データ用のレジスタ50´_1、50´_2、...、50´_nは、これを順に格納する。この場合、パイプラッチ回路制御部200bは、偶数データと奇数データが順に各レジスタ50_1、50_2、...、50_n、50´_1、50´_2、...、50´_nに格納されるように順にパス回路60_1、...、60_n−1をターンオンさせるn−1個の偶数入出力制御信号1〜n−1とn−1個の奇数入出力制御信号1〜n−1とを出力する。
次いで、パイプラッチ回路制御部200bからマルチプレクサ60aに出力される選択信号によって終段レジスタ50_n、50´_nに格納された偶数データと奇数データが立ち上がりエッジ用のデータと立ち下がりエッジ用のデータに選択され、出力制御信号により出力バッファ(図1の700)にそれぞれ出力する。
直列パイプラッチ回路100bでは、レジスタに入力されるデータと出力されるデータの制御が入出力制御信号により同時に行なわれるため、パイプラッチ制御部を並列パイプラッチ回路より簡単に制御できるという長所を有する。
例えば、16個のレジストで直列パイプラッチ回路100bを構成するようになると、14個の入出力制御信号のみを生成すれば良い。従って、生成する入出力制御信号の数が並列パイプラッチ回路100aでは計40個の制御信号(入力制御信号16個、出力制御信号16個、マルチプレクサ制御信号8個)が必要であるが、直列パイプラッチ回路では16個の制御信号(入出力制御信号14個、選択信号1個、出力制御信号1個)のみ生成すれば良いので、直列パイプラッチ回路100bが並列パイプラッチ回路100aより簡単に制御できるという長所を有する。
また、直列パイプラッチ回路100bは、マルチプレクサを最終出力レジスタ側に1つのみ備えれば良いので、並列パイプラッチ回路100aより回路の面積を大きく減らすことができるという長所がある。マルチプレクサはレジスタより大きい面積が必要であるため、マルチプレクサの数が減少すると、回路の面積が大きく減少する。
米国特許第6,353,574B1号明細書
しかし、直列パイプラッチ回路100bは、データの入力から出力まで直列に接続されているレジスタを順に制御する構成になっているため、高速でデータを出力させるには多くの制限がある。すなわち、1つのデータがレジスタに入力されてから、次に接続されているレジスタに移動しなければ、次のデータを入力されることができない。
結論的に、直列パイプラッチ回路100bは並列パイプラッチ回路100aに比べて集積回路の面積や制御信号を発生させるにおいて有利であるが、高速で動作するには大きい制約がある。従って、次第にメモリ装置の高速動作が求められている中で、制御方式が簡単、かつ、高速で動作可能なパイプラッチ回路が要求される。
そこで、本発明は、前記従来の技術の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、制御が簡単であり、さらに回路面積を最小化し、高速動作に有利なパイプラッチ回路を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明は、それぞれ順に入力される複数個の第1データと第2データを格納し、これを立ち上がりエッジ用の出力データまたは立ち下がりエッジ用の出力データに出力するためのパイプラッチ回路において、前記第1データを入力されるための第1入力レジスタと、それぞれ直列接続された複数のレジスタを備え、前記第1入力レジスタの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第1直列パイプラッチと、前記複数の第1直列パイプラッチから出力されるデータを格納するための第1接続レジスタと、前記第2データを入力されるための第2入力レジスタと、それぞれ直列接続された複数のレジスタを備え、前記第2入力レジスタの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第2直列パイプラッチと、前記複数の第2直列パイプラッチから出力されるデータを格納するための第2接続レジスタと、前記第1接続レジスタと前記第2接続レジスタに格納されたデータを前記立ち上がりエッジ用の出力データまたは前記立ち下がりエッジ用の出力データに選択して出力するためのマルチプレクサと、前記複数の第1及び第2直列パイプラッチと、前記マルチプレクサを制御するためのパイプラッチ回路制御部とを備えるパイプラッチ回路を提供する。
上述したようになされる本発明によると、回路面積が減少し、さらに制御が簡単であり、高速でデータを入出力できる半導体装置のパイプラッチ回路を具現できる。
以下、本発明の最も好ましい実施の形態を添付する図面を参照して説明する。
図1は本発明の一実施の形態に係るパイプラッチ回路のブロック構成図である。
図1を参照して説明すると、本実施の形態に係るパイプラッチ回路100cは、偶数データを入力されるための第1入力レジスタ70aと、それぞれ直列接続された複数のレジスタを備えて第1入力レジスタ70aの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第1直列パイプラッチ70c_1〜70c_kと、複数の第1直列パイプラッチ70c_1〜70c_kから出力されるデータを格納するための第1接続レジスタ70bと、奇数データを入力されるための第2入力レジスタ70´aと、それぞれ直列接続された複数のレジスタを備えて前記第2入力レジスタ70´aの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第2直列パイプラッチ70´c_1〜70´c_kと、複数の第2直列パイプラッチ70´c_1〜70´c_kから出力されるデータを格納するための第2接続レジスタ70´bと、第1接続レジスタ70bと第2接続レジスタ70´bに格納されたデータを立ち上がりエッジ用の出力データまたは立ち下がりエッジ用の出力データに選択して出力するためのマルチプレクサ80と、複数の第1及び第2の直列パイプラッチ70c_1〜70c_k、70´c_1〜70´c_kと出力マルチプレクサ80とを制御するためのパイプラッチ回路制御部200cとを備える。
また、パイプラッチ回路制御部200cは、クロック信号とデータ出力タイミング制御信号を入力されてn−2個の奇数入出力制御信号と、n−2個の偶数入出力制御信号と、出力制御信号及びマルチプレクサ選択信号を出力する。
図2は、図1に示された直列パイプラッチ70c_1〜70c_k、70´c_1〜70´c_kのうち、一例を示すブロック構成図である。
図2を参照して説明すると、直列パイプラッチ(例えば、70c_1)は、第1入力レジスタ70aから出力される偶数データを伝達するための第1パス回路70c_1_1と、第1パス回路70c_1_1により伝達されたデータを順に伝達するために直列接続された複数のレジスタ70c_1_1´、70c_1_2´、...、70c_1_m´と、直列接続された複数のレジスタ70c_1_1´、70c_1_2´、...、70c_1_m´の間にそれぞれ備えられ、前段のレジスタに格納されたデータを後段のレジスタに伝達するための複数の第2パス回路70c_1_2、70c_1_3、...、70c_1_mと、直列接続された複数のレジスタのうち、終段のレジスタ70c_1_m´に格納されたデータを第1接続レジスタ70bに伝達するための第3パス回路70c_1_m+1とを備える。図1に示された直列パイプラッチ70c_1〜70c_k、70´c_1〜70´c_kは、いずれも図2に示されているような構成を有している。ここで、「k」はパイプラッチを構成する直列パイプの数であり、mは1つの直列パイプを構成するレジスタの数である。従って、1つの直列パイプを構成するレジスタの数(m=(n−2)/k)は、パイプラッチ回路100cで偶数または奇数のデータパスにそれぞれ用いられるレジスタの数(n)から2個(入力レジスタ、接続レジスタ)を引いた数(n−2)を直列パイプの数(k)で割った値である。
図3は、図1に示されたパイプラッチ回路制御部200cのブロック構成図である。
図3を参照して説明すると、パイプラッチ回路制御部200cは、データ出力タイミング制御信号にイネーブルされて入力されたクロック信号を伝達し、前記クロック信号の1周期ごとに順にイネーブルされる複数の初期化信号a_1〜a_k、b_1〜b_kを出力する制御信号発生部210と、前記複数の初期化信号a_1〜a_k、b_1〜b_kのうち、1つによってイネーブルされて前記クロック信号を入力されて複数の直列パイプラッチ70c_1〜70c_k、70´c_1〜70´c_kにそれぞれ備えられる第1ないし第3のパス回路を順にターンオンさせるための複数の直列パイプラッチ制御部220_1〜220_k、220´_1〜220´_kを備える。
図4は、図3に示されている複数の直列パイプラッチ制御部220_1〜220_k、220´_1〜220´_kのうち、1つの一実施の形態を示すブロック構成図である。
図4を参照して説明すると、直列パイプラッチ制御部(例えば、220_1)は選択された初期化信号a_1にイネーブルされて直列パイプラッチ70c_1に備えられる第1ないし第3のパス回路70c_1_1、70c_1_2、...、70c_1_m+1の数(m+1)だけ、前記クロック信号をカウントしてm+1個のマルチプレクサ制御信号を出力するためのm+1ビットカウンタ220_1aと、カウントされたクロック信号を用いて直列パイプラッチ70c_1に備えられた第1ないし第3のパス回路70c_1_1、70c_1_2、...、70c_1_m+1を順にターンオンさせるm+1個だけの入出力制御信号を出力するためのマルチプレクサ220_1bとを備える。
図5は、図3に示されている複数の直列パイプラッチ制御部220_1〜220_k、220´_1〜220´_kのうち、1つの第2実施の形態を示すブロック構成図である。
図5に示された直列パイプラッチ制御部220_1´は、図4に示されている直列パイプラッチ制御部220_1からマルチプレクサ220_1bに入力されるクロック信号が遅延回路220_1cを経て入力されるように構成されている。これはクロック信号を入力されるm+1ビットカウンタ220_1aの動作タイミングに余裕を与えるためである。すなわち、m+1ビットカウンタ220_1aに出力されるm+1個のマルチプレクサ制御信号が先にマルチプレクサ220_1bに入力され、クロック信号は遅延回路220_1cを通過してマルチプレクサ220_1bに入力されるようにする。
図6は従来技術と本発明に係るパイプラッチ回路の回路とを比較した表である。図6を参照して、従来用いられてきた直列パイプラッチ回路及び並列パイプラッチ回路と、本発明によるパイプラッチ回路に用いられる単位素子の数や制御信号の数とを比較する。図6における括弧内の数字は、8個の偶数データ用レジスタと、8個の奇数データ用レジスタであり、計16個のレジスタを用いてパイプラッチ回路を構成する場合を示すものであって、便宜上、括弧内の数字を中心に説明する。
まず、並列パイプラッチ回路の場合は、立ち上がりエッジ用の出力データまたは立ち下がりエッジ用の出力データに出力するために、偶数データと奇数データパスにそれぞれ8個のレジスタが配置される。また、8個の偶数データと8個の奇数データをそれぞれ選択的に出力するためにマルチプレクサは8個必要である。
また、パス回路は入力されるデータを格納するために16個、格納されたデータを出力するために16個、計32が必要である。制御信号の数はパス回路の数だけ必要であるため、パス回路の制御信号は32個必要であり、ここにマルチプレクサ選択信号は8個必要である。従って、この場合、並列パイプラッチ回路の制御部は、計40個の互いに異なるタイミングを有する入出力制御信号を生成して並列パイプラッチ回路に出力しなければならない。
一方、直列パイプラッチ回路は偶数用データを順にそれぞれ入力されるために8個のレジスタが直列接続されて配置され、奇数用データを順にそれぞれ入力されるため、8個のレジスタが直列接続されて配置される。この場合は、直列接続された8個のレジスタのうち、終段のレジスタに格納されたデータが立ち上がりエッジ用のデータまたは立ち下がりエッジ用のデータに出力されるため、マルチプレクサは1つのみ備えられる。
また、パス回路は直列接続されたレジスタの間にのみ備えられ、偶数用データパスのための8個のレジスタと奇数用データパスのための8個のレジスタにそれぞれ7個のパス回路が必要であるため、計14個のパス回路が必要である。従って、直列パイプラッチ回路において必要な制御信号はパス回路制御信号14個とマルチプレクサ選択信号及び出力制御信号が必要であり、計16個となる。
一方、本発明によるパイプラッチ回路は、16個のレジスタのうち、1つの直列パイプラッチに幾つのレジスタが備えられるかによって制御信号の個数が決まる。ここでは、2個のレジスタが1つの直列パイプラッチに備えられると仮定する。
本発明のパイプラッチ回路の場合は、計16個のレジスタのうち、入力レジスタとして2個、接続レジスタとして2個が用いられ、残り12個のレジスタは6個の直列パイプラッチにそれぞれ2個ずつ備えられる。この場合、マルチプレクサは2個の接続レジスタと接続される1個のみ必要であり、パス回路は1つの直列パイプラッチに3個ずつ計18個が必要である。従って、パイプラッチ回路制御部では18個のパス回路制御信号とマルチプレクサ選択信号及び出力制御信号を含めて、計20個の制御信号が出力されなければならない。
一方、パス回路は最も簡単に伝送ゲートで構成でき、レジスタは2個のインバータを用いたラッチを用いることができる。マルチプレクサは入力される2個の信号を立ち上がりエッジ用のデータ出力または立ち下がりエッジ用のデータ出力に選択して出力しなければならないので、基本的にレジスタ1つよりは大きい面積を占有する。
従って、本発明のパイプラッチ回路は直列パイプラッチ回路のように1つのマルチプレクサを用いるため、並列パイプラッチ回路に比べてパイプラッチ回路の回路集積面積を大きく減らすことができる。また、必要な制御信号の数も前述したように並列パイプラッチ回路に比べて大きく減少するため、(並列パイプラッチ回路制御信号:40、本発明のパイプラッチ回路制御信号:20)、パイプラッチ回路の制御部を簡単に構成でき、制御や動作も簡単になる。
本発明によるパイプラッチは、並列パイプラッチ回路に比べて前記のような長所を有し、一方では入力レジスタに入力されたデータを複数の直列パイプラッチが選択的に入力される構造であるため、直列パイプラッチ回路より高速でデータを伝達されて出力することができる。直列パイプラッチ回路はその構造上、次のレジスタにデータが伝達されないと、セル領域からデータが伝達されないため、高速で動作することができなかった。
しかし、本発明ではセル領域から伝達されたデータが入力レジスタを介して1つの直列パイプラッチに伝達された後、前記直列パイプラッチにデータが格納されている状態であっても、入力レジスタに複数の直列パイプが接続されており、またセル領域からデータを入力されて入力レジスタを介して他の直列パイプに伝達できる。
結論的に本発明によるパイプラッチ回路は、並列パイプラッチ回路に比べて簡単に制御可能であるが、並列パイプラッチ回路が有する最も大きい長所である高速データ入出力が可能な構造である。
図7ないし図12は、16個のレジスタを用いて本発明の好ましい実施の形態に係るパイプラッチ回路を構成したブロック構成図、及び回路図とその動作に関する図面である。
図7を参照して説明すると、本実施の形態に係るパイプラッチ回路100dは、偶数データを入力される第1入力レジスタ70a_1と、第1入力レジスタ70a_1に格納されたデータを選択的に入力されて選択的に出力し、それぞれ2個のレジスタを備えている3個の直列パイプラッチ70c_1a、70c_2a、70c_3aと、直列パイプラッチ70c_1a、70c_2a、70c_3aから選択的に出力するデータを格納するための第1接続レジスタ70b_1と、奇数データを入力される第2入力レジスタ70´a_1と、第2入力レジスタ70´a_1に格納されたデータを選択的に入力されて選択的に出力し、それぞれ2個のレジスタを備えている3個の直列パイプラッチ70´c_1a、70´c_2a、70´c_3aと、直列パイプラッチ70´c_1a、70´c_2a、70´c_3aから出力されるデータを格納する第2接続レジスタ70`b_1と、第1及び第2の接続レジスタ70b_1、70´b_1から出力されるデータを立ち上がりエッジ用の出力データまたは立ち下がりエッジ用の出力データに選択して出力するための出力マルチプレクサ80_1と、6個の直列パイプ70´c_1a、70´c_2a、70´c_3a、70´c_1a、70´c_2a、70´c_3aと出力マルチプレクサ80_1を制御するためのパイプラッチ回路制御部(図9の200dを参照)とを備える。
図8は図7に示されている6個の直列パイプラッチのうち、1つの内部ブロック図を示すものである。
図8を参照して説明すると、直列パイプラッチ70c_1aは、直列接続された2個のレジスタ70c_1a_1、70c_1a_2と、レジスタ70c_1a_1の入力端に備えられたパス回路70c_1_1と、レジスタ70c_1a_1の出力端に備えられたパス回路70c_1_3と、2個のレジスタ70c_1a_1、70c_1a_2の間に備えられたパス回路70c_1_2とを備える。
図9は、図7に示されているパイプラッチ回路の制御部200dを示すブロック構成図である。
図9を参照して説明すると、パイプラッチ回路の制御部200dは、データ出力タイミング信号にイネーブルされてクロック信号及び初期化信号a_1、a_2、a_3を直列パイプ制御部220a_1、220a_2、220a_3にそれぞれ伝達し、出力制御信号及び選択信号を生成して出力マルチプレクサ80_1に出力する制御信号発生部210aと、初期化信号a_1、a_2、a_3にそれぞれイネーブルされて、同期化されたクロック信号を用いて3個の偶数入出力制御信号A1〜A3、B1〜B3、C1〜C3をそれぞれ出力する3個の直列パイプラッチ制御部220a_1、220a_2、220a_3と、3個の初期化信号にそれぞれイネーブルされて、同期化されたクロック信号を用いて3個の奇数入出力制御信号をそれぞれ出力する3個の直列パイプラッチ制御部(図示せず)とを備える。ここで、奇数入出力制御信号D1〜D3、E1〜E3、F1〜F3を出力するための3個の直列パイプラッチ制御部の図は省略した。
1つの直列パイプラッチ制御部(例えば、220a_1)は、初期化信号a_1にイネーブルされて同期化されたクロック信号をカウントする3ビットカウンタ220a_1aと、カウンタ220a_1aから出力される3個のマルチプレクサ制御信号により同期化されたクロック信号を選択的に出力することによって、3個の偶数入出力制御信号A1〜A3を生成するマルチプレクサ220a_1bとから構成される。
図10は、図9に示されている6個の直列パイプラッチ制御部のうち、1つの直列パイプ制御部220a_1を示す回路図である。
図10に示された「220_1a」は3ビットカウンタであって、初期化信号によりリセットされ、同期化されたクロック信号を入力されてカウントして第1ないし第3の信号pout<0>〜pout<2>を出力する。初期化信号がハイレベルに入力されると、NANDゲートND1、ND2とNORゲートNR1はインバータに動作するようになって、それぞれに対応するインバータI1、I2、I3と共にラッチに動作するようになる。
初期化信号が入力されて3ビットカウント220_1aがイネーブルされた状態で、3ビットカウント220_1aでは入力される同期化されたクロック信号Syncをカウントしながら、順に第1信号pout<0>ないし第3信号pout<2>をマルチプレクサ220_1bに出力する。
マルチプレクサ220_1bは、順に入力される第1信号pout<0>ないし第3信号pout<2>により伝送ゲートT1〜T3を順にターンオンさせ、これによって同期化されたクロック信号Syncがそれぞれ偶数入出力制御信号A1〜A3に出力する。
図11は、図7に示されているパイプラッチ回路を、レジスタは2個のインバータを用い、パス回路は伝送ゲートを用いて構成した回路図である。理解のため、図7に示されている図面符号をそのまま使用する。
図11を参照して説明すると、セル領域から出力されて入力レジスタ70a_1にラッチされた偶数データは、順に入力される偶数入出力制御信号A1〜A3により直列パイプ70c_1aに移動される。次いで、セル領域から出力されて入力レジスタ70a_1にラッチされた次の偶数データは、偶数入出力制御信号B1〜B3により直列パイプ70c_2aに移動される。次に入力された偶数データは、偶数入出力制御信号C1〜C3により直列パイプ70c_3aに移動される。
次いで、接続レジスタ70b_1では直列パイプ70c_1a、70c_2a、70c_3aから出力されるデータをマルチプレクサ80_1に伝達する。奇数データの移動経路も偶数データの移動経路と同様であるため、説明は省略する。
マルチプレクサ80_1は、選択信号により接続レジスタ70b_1、70´b_1にラッチされたデータを立ち上がりエッジ用のデータまたは立ち下がりエッジ用のデータに選択し、出力制御信号によりデータを出力する。
図12は、図7に示されているパイプラッチ回路の動作のうち、偶数データが入力されて出力される過程を示す波形図である。奇数データに対するパイプラッチ回路の動作波形は偶数データの場合と同様であるため、省略した。
ここで、偶数入出力制御信号A1〜A3は直列パイプラッチ制御部220a_1から出力される信号であり、偶数入出力制御信号B1〜B3は直列パイプラッチ制御部220a_2から出力される信号であり、偶数入出力制御信号C1〜C3は直列パイプラッチ制御部220a_3から出力される信号である。
図12を参照して説明すると、セル領域から偶数データA、B、C、...が順に入力されると、パイプラッチ回路制御部200dから適切なタイミングで出力される9個の偶数入出力制御信号A1〜A3、B1〜B3、C1〜C3によって、直列パイプラッチ70c_1a、70c_2a、70c_3aに備えられた6個のレジスタと接続レジスタ70b_1及び入力レジスタ70a_1にそれぞれ格納される。
接続レジスタ70b_1に格納された偶数データは、パイプラッチ回路制御部200dから出力される選択信号によって立ち上がりエッジ用のデータまたは立ち下がりエッジ用のデータに選択され、出力制御信号により出力バッファを介して外部に出力する。
従って、第1入力レジスタ70a_1に格納された第1偶数データAが3個の直列パイプラッチのうち、1つの直列パイプラッチ(例えば、70c_1a)に伝達されてから、直列パイプラッチ70c_1aに格納された第1偶数データAが後段のレジスタに伝達されなくても第1入力レジスタ70a_1ではセル領域から第2偶数データBを連続的に入力されて他の直列パイプラッチ(例えば、70c_2a)に伝達できるので、高速でデータを入力され得る。すなわち、高周波の動作が可能になる。
尚、本発明は、前記実施の形態に限られるものではない。本発明の趣旨から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
本発明の一実施の形態に係るパイプラッチ回路のブロック構成図である。 図1に示された直列パイプラッチの一実施の形態を示すブロック構成図である。 図1に示されているパイプラッチ回路制御部のブロック構成図である。 図3に示されている直列パイプラッチ制御部の一実施の形態を示すブロック構成図である。 図3に示されている直列パイプラッチ制御部の第2実施の形態を示すブロック構成図である。 従来技術と本発明に係るパイプラッチ回路を比較した図表である。 16個のレジスタを用いて本発明に係るパイプラッチ回路を構成したブロック構成図である。 図7に示されている直列パイプラッチを示すブロック構成図である。 図7に示されているパイプラッチ回路の制御部を示すブロック構成図である。 図9に直列パイプラッチ制御部を示す回路図である。 図7に示されているパイプラッチ回路を示す回路図である。 図7に示されているパイプラッチ回路の動作を示す波形図である。 通常のDDR同期式DRAMを示すブロック構成図である。 従来技術によりレジスタを並列に構成したパイプラッチ回路を示すブロック構成図である。 図14に示されたパイプラッチ回路を制御するためのパイプラッチ回路制御部のブロック構成図である。 従来技術によりレジスタを直列に構成したパイプラッチ回路及びその制御部のブロック構成図である。
符号の説明
100c、100d…パイプラッチ回路、70a…第1入力レジスタ、
70´a…第2入力レジスタ、70b…第1接続レジスタ、
70´b…第2接続レジスタ、70c_1〜70c_k…第1直列パイプラッチ、
70´c_1〜70´c_k…第2直列パイプラッチ、
70c_1_1…第1パス回路、70c_1_2〜70c_1_m…第2パス回路、
70c_1_m+1…第3パス回路、70c_1_1´〜70c_1_m´…レジスタ、
80、80_1…マルチプレクサ、200c、200d…パイプラッチ回路制御部、
210、210a…制御信号発生部、
220_1〜220_k、220´_1〜220´_k…直列パイプラッチ制御部。

Claims (6)

  1. それぞれ順に入力される複数個の第1データと第2データを格納し、これを立ち上がりエッジ用の出力データまたは立ち下がりエッジ用の出力データに出力するためのパイプラッチ回路において、
    前記第1データを入力されるための第1入力レジスタと、
    それぞれ直列接続された複数のレジスタを備え、前記第1入力レジスタの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第1直列パイプラッチと、
    前記複数の第1直列パイプラッチから出力されるデータを格納するための第1接続レジスタと、
    前記第2データを入力されるための第2入力レジスタと、
    それぞれ直列接続された複数のレジスタを備え、前記第2入力レジスタの出力を選択的に格納し、選択的に出力するための複数の第2直列パイプラッチと、
    前記複数の第2直列パイプラッチから出力されるデータを格納するための第2接続レジスタと、
    前記第1接続レジスタと前記第2接続レジスタに格納されたデータを前記立ち上がりエッジ用の出力データまたは前記立ち下がりエッジ用の出力データに選択して出力するためのマルチプレクサと、
    前記複数の第1及び第2の直列パイプラッチと前記マルチプレクサを制御するためのパイプラッチ回路制御部と
    を備えることを特徴とするパイプラッチ回路。
  2. 前記第1直列パイプラッチは、
    前記第1入力レジスタから出力されるデータを伝達するための第1パス回路と、
    前記第1パス回路により伝達されたデータを順に伝達するために直列接続された複数のレジスタと、
    前記直列接続された複数のレジスタの間にそれぞれ備えられ、前段のレジスタに格納されたデータを後段のレジスタに伝達するための複数の第2パス回路と、
    前記直列接続された複数のレジスタのうち、終段に備えられたレジスタに格納されたデータを前記第1接続レジスタに伝達するための第3パス回路を備えることを特徴とする請求項1に記載のパイプラッチ回路。
  3. 前記パイプラッチ回路制御部は、
    データ出力イネーブル信号にイネーブルされて入力されたクロック信号を伝達し、前記クロック信号の1周期ごとに順にイネーブルされる複数の初期化信号を出力する制御信号発生部と、
    前記複数の初期化信号のうちの1つによってイネーブルされて前記クロック信号を入力されて前記複数の第1直列パイプラッチにそれぞれ備えられる第1ないし第3のパス回路が順にターンオンされるようにするための複数の直列パイプラッチ制御部と
    を備えることを特徴とする請求項2に記載のパイプラッチ回路。
  4. 前記直列パイプラッチ制御部は、
    選択された初期化信号にイネーブルされて前記直列パイプラッチに備えられる第1ないし第3のパス回路の数だけ前記クロック信号をカウントするためのカウント手段と、
    前記カウントされたクロック信号によって前記直列パイプラッチに備えられた第1ないし第3のパス回路を順にターンオンさせる複数の入出力制御信号を出力するためのマルチプレクサと
    を備えることを特徴とする請求項3に記載のパイプラッチ回路。
  5. 前記第1及び第2の入力レジスタは、
    2つのインバータを用いた反転ラッチを備えることを特徴とする請求項4に記載のパイプラッチ回路。
  6. 前記第1及び第2の接続レジスタは、
    2つのインバータを用いた反転ラッチを備えることを特徴とする請求項4に記載のパイプラッチ回路。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095287A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体装置のデータ入出力マルチプレクサ
JP2007213773A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Hynix Semiconductor Inc 半導体記憶装置のデータ出力回路及び方法
US7450440B2 (en) 2005-09-29 2008-11-11 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for initializing a pipe latch unit in a semiconductor memory device
US7515482B2 (en) 2005-09-29 2009-04-07 Hynix Semiconductor Inc. Pipe latch device of semiconductor memory device
JP2010033691A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体集積回路及びそのデータ出力方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100670656B1 (ko) * 2005-06-09 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치
KR100805007B1 (ko) 2006-03-22 2008-02-20 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 속도를 증가시키는 파이프 래치 회로와 이를포함하는 반도체 메모리 장치, 및 그 데이터 출력 동작방법
US7631211B1 (en) * 2006-06-27 2009-12-08 Altera Corporation Sharing elements in multiple data-rate I/O
KR102457155B1 (ko) * 2015-11-09 2022-10-20 에스케이하이닉스 주식회사 래치 회로, 그 래치 기반의 이중 데이터 레이트 디코딩 장치
KR102526591B1 (ko) * 2015-12-28 2023-05-02 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 메모리 장치
KR20170079544A (ko) * 2015-12-30 2017-07-10 에스케이하이닉스 주식회사 래치 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR102528971B1 (ko) * 2016-05-09 2023-05-08 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 출력 회로 및 그를 포함하는 반도체 메모리 장치
KR102508309B1 (ko) * 2018-04-23 2023-03-10 에스케이하이닉스 주식회사 파이프 래치, 이를 이용하는 반도체 장치 및 반도체 시스템
KR20230072337A (ko) * 2021-11-17 2023-05-24 에스케이하이닉스 주식회사 파이프회로를 이용하는 반도체장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090696A (ja) * 1998-07-17 2000-03-31 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JP2000173264A (ja) * 1998-11-26 2000-06-23 Samsung Electronics Co Ltd ウェ―ブパイプラインスキムを備える同期型半導体メモリ装置及びそれのデ―タパス制御方法
JP2001189076A (ja) * 1999-11-26 2001-07-10 Hyundai Electronics Ind Co Ltd 同期式メモリ装置のデータ出力装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5295174A (en) * 1990-11-21 1994-03-15 Nippon Steel Corporation Shifting circuit and shift register
JP3147432B2 (ja) * 1991-10-09 2001-03-19 株式会社日立製作所 パイプライン処理装置
JPH05324860A (ja) * 1992-05-27 1993-12-10 Nec Corp シングルチップマイクロコンピュータ
JP3202108B2 (ja) * 1992-09-16 2001-08-27 富士通株式会社 パイプライン処理を用いたプロセッサ
JPH0963262A (ja) * 1995-08-17 1997-03-07 Fujitsu Ltd シンクロナスdram
JPH10334659A (ja) 1997-05-29 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
KR100305647B1 (ko) * 1998-05-27 2002-03-08 박종섭 동기식메모리장치
KR100304705B1 (ko) 1999-03-03 2001-10-29 윤종용 포스티드 카스 레이턴시 기능을 가지는 동기식 반도체 메모리 장치 및 카스 레이턴시 제어 방법
JP2000331491A (ja) * 1999-05-21 2000-11-30 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
KR100318420B1 (ko) 1999-06-28 2001-12-24 박종섭 동기식 반도체 메모리 소자의 파이프 레지스터
KR20020014563A (ko) 2000-08-18 2002-02-25 윤종용 반도체 메모리 장치
KR100652362B1 (ko) 2000-09-20 2006-11-30 삼성전자주식회사 정상동작에서는 고정된 카스 레이턴시를 갖고테스트시에는 다양한 카스 레이턴시로 테스트 가능한반도체 메모리 장치
KR100391147B1 (ko) * 2000-10-24 2003-07-16 삼성전자주식회사 멀티 파이프라인 구조를 가지는 고속 동기 반도체 메모리및 그의 동작방법
KR100374637B1 (ko) 2000-10-24 2003-03-04 삼성전자주식회사 Jedec 규격의 포스티드 카스 기능을 가지는 동기식반도체 메모리 장치
US6922033B2 (en) 2000-11-28 2005-07-26 John T. Ziegenhorn Barbeque cover support device
CN1157668C (zh) * 2001-02-13 2004-07-14 明基电通股份有限公司 万用串行总线高速传输装置及方法
US6832289B2 (en) * 2001-10-11 2004-12-14 International Business Machines Corporation System and method for migrating data
US6552955B1 (en) 2001-10-30 2003-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device with reduced power consumption
DE202015106658U1 (de) * 2014-12-10 2016-01-18 Inglass S.P.A. Injektor für Vorrichtungen zum Spritzgießen von Kunststoff

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000090696A (ja) * 1998-07-17 2000-03-31 Mitsubishi Electric Corp 同期型半導体記憶装置
JP2000173264A (ja) * 1998-11-26 2000-06-23 Samsung Electronics Co Ltd ウェ―ブパイプラインスキムを備える同期型半導体メモリ装置及びそれのデ―タパス制御方法
JP2001189076A (ja) * 1999-11-26 2001-07-10 Hyundai Electronics Ind Co Ltd 同期式メモリ装置のデータ出力装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095287A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体装置のデータ入出力マルチプレクサ
US7450440B2 (en) 2005-09-29 2008-11-11 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for initializing a pipe latch unit in a semiconductor memory device
US7515482B2 (en) 2005-09-29 2009-04-07 Hynix Semiconductor Inc. Pipe latch device of semiconductor memory device
US7715245B2 (en) 2005-09-29 2010-05-11 Hynix Semiconductor, Inc. Pipe latch device of semiconductor memory device
US7830731B2 (en) 2005-09-29 2010-11-09 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for initializing a pipe latch unit in a semiconductor memory device
JP2007213773A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Hynix Semiconductor Inc 半導体記憶装置のデータ出力回路及び方法
JP2010033691A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Hynix Semiconductor Inc 半導体集積回路及びそのデータ出力方法

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