JP2004170908A5 - - Google Patents
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003321780A JP4506133B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002318625 | 2002-10-31 | ||
JP2003321780A JP4506133B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009276224A Division JP4862936B2 (ja) | 2002-10-31 | 2009-12-04 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004170908A JP2004170908A (ja) | 2004-06-17 |
JP2004170908A5 true JP2004170908A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2006-04-20 |
JP4506133B2 JP4506133B2 (ja) | 2010-07-21 |
Family
ID=32715885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003321780A Expired - Fee Related JP4506133B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-09-12 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4506133B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4349375B2 (ja) | 2005-04-11 | 2009-10-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2007025611A (ja) * | 2005-06-17 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4957023B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2012-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP5034434B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 電気光学装置 |
JP5176814B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-04-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法 |
JP5482279B2 (ja) * | 2010-02-17 | 2014-05-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP6065964B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2017-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR102650011B1 (ko) * | 2016-07-14 | 2024-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN109324720B (zh) * | 2018-09-28 | 2023-09-26 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板、触摸显示屏及阵列基板的驱动方法 |
CN113077715A (zh) * | 2021-03-17 | 2021-07-06 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN115707308A (zh) * | 2021-08-03 | 2023-02-17 | 华为技术有限公司 | 显示面板和电子设备 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3101779B2 (ja) * | 1992-01-31 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
JP3490216B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-01-26 | シャープ株式会社 | スイッチング素子基板の製造方法 |
JP3961044B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 電子回路装置 |
JP3751681B2 (ja) * | 1996-06-11 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3808155B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2006-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
JP3767154B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置 |
JP3456384B2 (ja) * | 1997-09-26 | 2003-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネル |
US6181398B1 (en) * | 1998-09-03 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Multiple pixel driven mirror electrodes for improved aperture ratio of reflective displays |
US6850292B1 (en) * | 1998-12-28 | 2005-02-01 | Seiko Epson Corporation | Electric-optic device, method of fabricating the same, and electronic apparatus |
JP3728958B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2005-12-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP3687399B2 (ja) * | 1999-03-16 | 2005-08-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP4651777B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2011-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2001133750A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-05-18 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
JP3864036B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2006-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置 |
JP3608531B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2005-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
JP3743291B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
JP2002287149A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-03 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器並びに投射型液晶装置 |
-
2003
- 2003-09-12 JP JP2003321780A patent/JP4506133B2/ja not_active Expired - Fee Related
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