CN110416227A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示基板制备技术领域，其可至少部分解决显示基板因有源区清洗可能产生的不良问题。本发明实施例的显示基板包括基底，且具有显示区和边框区；所述制备方法包括：在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区；在所述边框区中形成第一引线；形成直接覆盖所述第一引线的缓冲层；形成连通至所述有源区的连接过孔；形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层；在形成所述保护层后，对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗；在进行所述清洗后，除去所述边框区的保护层；在除去所述保护层后，在所述边框区中形成第二引线，所述第二引线在所述基底上的正投影与第一引线在所述基底上的正投影在至少部分位置重叠。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示基板制备技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示基板具有用于设置薄膜晶体管等像素结构的显示区，以及用于设置边缘引线的边框区。
边框区中的第一引线被缓冲层(Buffer)直接覆盖，而在形成缓冲层后，需要形成连通至薄膜晶体管的有源区的连接过孔(连接过孔必然贯穿缓冲层，还可贯穿栅绝缘层等其它绝缘层)，并对连接过孔处暴露的有源区进行清洗，以除去有源区表面的杂质，防止其与源极、漏极搭接不良。
发明内容
本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，至少部分降低显示基板因有源区清洗可能产生的不良问题。
本发明实施例的一个方面提供一种显示基板的制备方法，所述显显示基板包括基底，且具有显示区和边框区；所述制备方法包括：
在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区；
在所述边框区中形成第一引线；
形成直接覆盖所述第一引线的缓冲层；
形成连通至所述有源区的连接过孔；
形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层；
在形成所述保护层后，对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗；
在进行所述清洗后，除去所述边框区的保护层；
在除去所述保护层后，在所述边框区中形成第二引线，所述第二引线在所述基底上的正投影与第一引线在所述基底上的正投影在至少部分位置重叠。
可选的，所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：
形成光刻胶层的图形，其中所述光刻胶层在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影无重叠，所述光刻胶层在边框区中直接覆盖缓冲层而作为所述保护层。
可选的，在所述形成直接覆盖所述第一引线的缓冲层与所述形成光刻胶层的图形之间，还包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述边框区中无层间绝缘层；
所述形成光刻胶层的图形包括：仅在所述边框区中形成光刻胶层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔。
可选的，所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述层间绝缘层在边框区中直接覆盖缓冲层而作为所述保护层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔；
所述除去所述边框区的保护层包括：除去所述边框区的层间绝缘层，保留其它位置的层间绝缘层。
可选的，所述显示基板为柔性显示基板，所述显示基板还包括位于边框区远离显示区一侧的可弯折区；所述制备方法还包括：
在所述可弯折区中形成凹槽，其中所述凹槽与连通至所述有源区的连接过孔同步形成；
在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构。
可选的，所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构时，同步形成覆盖所述边框区的缓冲层的保护层；
所述除去所述边框区的保护层包括：除去所述边框区中的柔性材料，保留所述填充结构。
可选的，所述在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区前，还包括：
形成阻挡层；
所述在所述可弯折区中形成凹槽包括：在所述可弯折区中形成进入所述阻挡层而未贯穿阻挡层的凹槽。
可选的，在所述可弯折区中形成凹槽之前，还包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口和第二开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述第二开口在基底上的正投影与待形成凹槽的区域在基底上的正投影重合；在边框区中形成光刻胶层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔；
所述在所述可弯折区中形成凹槽包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀在所述可弯折区中形成凹槽；
所述在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构前，还包括：除去所述光刻胶层。
可选的，在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区与在所述边框区中形成第一引线之间，还包括：
形成栅绝缘层；
形成薄膜晶体管的栅极；
形成第一绝缘层。
可选的，所述制备方法所述还包括：
形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述边框区中的所述第二引线同步形成。
可选的，所述缓冲层由无机材料构成；
和/或，
所述缓冲层的厚度在10nm至200nm之间。
可选的，所述对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗包括：
用含有氟化氢的清洗剂对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗。
可选的，所述显示基板为有机发光二极管显示基板；
和/或，
所述显示基板为柔性显示基板。
本发明实施例的另一个方面提供一种显示基板，所述显示基板是通过上述的显示基板的制备方法制备得到的。
本发明实施例的另一个方面提供一种显示装置，包括：
上述的显示基板。
附图说明
图1为本发明实施例的一种显示基板的制备方法中形成缓冲层后的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例的一种显示基板的制备方法中形成连接过孔前的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例的一种显示基板的制备方法中进行清洗前的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例的一种显示基板的制备方法中除去保护层后的剖面结构示意图；
图5为本发明实施例的一种显示基板的制备方法中形成第二引线后的剖面结构示意图
图6为本发明实施例的一种显示基板的剖面结构示意图；
图7为本发明实施例的另一种显示基板的制备方法中进行清洗前的剖面结构示意图；
图8为本发明实施例的另一种显示基板的制备方法中进行清洗前的剖面结构示意图；
其中，附图标记为：A、显示区；B、边框区；C、可弯折区；
1、缓冲层；11、保护层；
21、连接过孔；22、凹槽；23、第一开口；24、第二开口；
3、层间绝缘层；
41、有源区；42、栅极；43、源极；44、漏极；
51、第一引线；52、第二引线；53、第三引线；54、第四引线；55、第五引线；
6、填充结构；61、封闭结构；
7、光刻胶层；
81、阳极；82、像素限定层；83、发光层；84、阴极；
9、基底；91、阻挡层；92、栅绝缘层；93、第一绝缘层；94、平坦化层；95、封装层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
可以理解的是，此处描述的具体实施例和附图仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。
可以理解的是，在不冲突的情况下，本发明中的各实施例及实施例中的各特征可相互组合。
可以理解的是，为便于描述，本发明的附图中仅示出了与本发明相关的部分，而与本发明无关的部分未在附图中示出。
可以理解的是，本发明的实施例中所涉及的每个单元、模块可仅对应一个实体结构，也可由多个实体结构组成，或者，多个单元、模块也可集成为一个实体结构。
名词解释
在本申请中，如无特殊说明，以下技术词语应按照下述的解释理解：
“A直接覆盖B”是指从层叠关系上看A后于B形成，且B远离基底的一侧直接与A接触。
“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，构图工艺也可为压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。
多个结构“同层设置”是指多个结构是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。
多个结构“同步形成”是指多个结构是由同一个工艺步骤同时形成的，例如是由同一个材料层经同一次构图工艺形成(即同层设置)，或是多个孔状的结构通过同一次刻蚀工艺形成。
实施例1：
本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，其制备的显示基板包括基底，且具有显示区和边框区；制备方法包括：
在显示区中形成薄膜晶体管的有源区；
在边框区中形成第一引线；
形成直接覆盖第一引线的缓冲层；
形成连通至有源区的连接过孔；
形成直接覆盖边框区的缓冲层的保护层；
在形成保护层后，对连接过孔处暴露的有源区进行清洗；
在进行清洗后，除去边框区的保护层；
在除去保护层后，在边框区中形成第二引线，第二引线在基底上的正投影与第一引线在基底上的正投影在至少部分位置重叠。
本发明实施例的显示基板的制备方法中，在对有源区进行清洗时，边框区的缓冲层是被保护层覆盖的，故其不会因清洗而产生裂纹，从而可避免第一引线与第二引线导通，消除短路不良；同时，由于保护层在形成第二引线前会被除去，故最终产品中并不含有额外的保护层，对产品性能不会产生不良影响。
实施例2：
参照图1至图6，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法。
本发明实施例制备的显示基板包括显示区A和边框区B，二者可相邻。其中，显示基板具体可为阵列基板，其显示区A是指用于设置薄膜晶体管、存储电容、有机发光二极管、栅线、数据线、电源线等像素结构的区域，即用于进行显示的像素(或子像素)均设于显示区A中。而边框区B与显示区A相邻，其中用于设置边缘引线，显示区A中各像素结构所需的信号可通过这些边缘引线引入显示区A中。
可选的，显示基板为有机发光二极管显示基板。
本发明实施例制备的显示基板可为有机发光二极管(OLED)显示基板。由于有机发光二极管易受水分、氧气(O2)的影响而失效，导致暗点、缩短使用寿命等，故其显示区A通常需要被封装层95封装，此时其中的缓冲层1(Buffer)还可起到阻止水分、氧气通过，避免水分、氧气从其下方的各绝缘层(如有机材料的绝缘层)渗入显示区A的作用。
可选的，显示基板为柔性显示基板。
本发明实施例制备的显示基板可整体或局部是柔性的，从而其轻薄、便携、可弯折。为避免柔性显示基板在弯折半径较小(如小于3mm)时出现损伤，故其中的各层绝缘层可使用较柔软的有机材料，且缓冲层1的厚度可较薄，故此时保证缓冲层1不产生裂纹就显得更加重要。
可选的，柔性显示基板还包括位于边框区B远离显示区A一侧的可弯折区C(PadBending)。
其中，可弯折区C位于边框区B远离显示区A一侧，用于连接驱动线路板等，以将驱动信号引入显示基板；且可弯折区C能够被弯折，从而将驱动线路板折叠到显示装置的背面，使它们在外界不可见，提高显示装置的屏占比，实现窄边框。
当然，应当理解，显示基板可同时满足以上多个条件，即其可以是柔性的有机发光二极管显示基板，且包括可弯折区C。
具体的，以下以显示基板是具有可弯折区C的柔性的有机发光二极管显示基板为例进行说明，此时对应的制备方法包括：
S201、形成有源区41、第一引线51。
在形成缓冲层1和进行清洗之前，先在显示区A中形成像素结构的薄膜晶体管(如开关晶体管、驱动晶体管等)的有源区41等部分结构，并在边框区B中形成第一引线51，该第一引线51用于将特定的信号引入显示区A。
当然，显示区A中实际多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管均具有相应的有源区41等结构。
可选的，本步骤(S201)具体包括：
S2011、在基底9上形成阻挡层91。
也就是说，在显示基板的柔性的基底9(如聚酰亚胺基底9)上，直接形成一个阻挡层91(Barrier)，其一方面可阻挡水分、氧气等的进入，另一方面可增强其它结构与基底9的连接。
其中，阻挡层91可为完整的层
S2012、在显示区A中形成薄膜晶体管的有源区41。
通过构图工艺，在阻挡层91上形成薄膜晶体管的有源区41。
可选的，有源区41是由硅基半导体材料构成的，例如多晶硅(p-Si)，这是因为对硅基半导体材料进行清洗时更容易造成缓冲层1损坏。
S2013、形成栅绝缘层92。
形成直接覆盖以上有源区41的栅绝缘层92(GI)。
其中，栅绝缘层92可以是完整的层。
可选的，为提高显示基板的弯折性能，栅绝缘层92可由有机材料构成。
S2014、形成薄膜晶体管的栅极42。
通过构图工艺，形成薄膜晶体管的栅极42，即薄膜晶体管可采用顶栅结构(当然若其采用底栅结构也是可行的)。
可选的，在形成栅极42时，还可同步在边框区B和显示区A中分别形成与其同层设置的其它导电结构，如第三引线53、第四引线54。
S2015、形成第一绝缘层93。
形成直接覆盖以上栅极42(还可有第三引线53、第四引线54)的第一绝缘层93。
其中，第一绝缘层93可以是完整的层。
可选的，为提高显示基板的弯折性能，第一绝缘层93可由有机材料构成。
S2016、在边框区B中形成第一引线51。
通过构图工艺，在边框区B中形成第一引线51。
可选的，在形成第一引线51时，还可同步在显示区A中形成与其同层设置的其它导电结构，如第五引线55。
S202、形成直接覆盖第一引线51的缓冲层1。
形成缓冲层1，得到参照图1的结构，在边框区B中，缓冲层1直接覆盖第一引线51，即第一引线51远离基底9的表面直接与缓冲层1接触。
其中，第一绝缘层93可以是完整的层。
可选的，缓冲层1由无机材料构成。
缓冲层1可采用无机材料，这是因为其下方的第一绝缘层93、栅绝缘层92等通常使用有机材料，水分、氧气容易通过这些有机绝缘层渗入显示区A，故需要通过具有较强的阻隔水分、氧气能力的无机材料的缓冲层1将边框区B封闭，避免水分、氧气与其下方的有机绝缘层接触。
可选的，缓冲层1的厚度在10nm至200nm之间。
缓冲层1厚度较大(如大于400nm)时，可较好的防止自身在清洗过程中出现裂纹，但过厚的缓冲层1(尤其无机材料的缓冲层1)在弯折中容易损坏，从而限制柔性的显示基板的弯折半径(如无法达到小于3mm)，故缓冲层1的厚度优选较薄。
S203、形成保护层11和连接过孔21。
在有源区41上方的各绝缘层(如栅绝缘层92、第一绝缘层93、缓冲层1)的预定位置形成连通至有源区41的连接过孔21，并形成直接覆盖边框区B中的缓冲层1的保护层11。
其中，连接过孔21供后续形成的源极43和漏极44与有源区41连接，而保护层11用于在清洗过程中保护缓冲层1。
当然，对应每个有源区41，应当有两个间隔的连接过孔21，且栅极42应位于两个连接过孔21之间。
可选的，本步骤(S203)可包括：
S2031、形成有机材料的层间绝缘层3的图形，其中层间绝缘层3设有第一开口23，该第一开口23在基底9上的正投影与待形成连接过孔21的区域在基底9上的正投影重合。
通过构图工艺，形成有机材料的层间绝缘层3(OILD)的图形，该层间绝缘层3为有机材料，有利于提高柔性显示基板的弯折性能。
该层间绝缘层3在边框区B无分布，故本步骤后边框区B中的缓冲层1是暴露的。同时，层间绝缘层3在显示区A有分布，且在对应连接过孔21处具有第一开口23。
可选的，层间绝缘层3在可弯折区C中具有第二开口24，该第二开口24在基底9上的正投影与待形成凹槽22的区域在基底9上的正投影重合。
层间绝缘层3也可在可弯折区C中有分布，同时在可弯折区C的预定位置具有第二开口24。
S2032、形成光刻胶层7的图形，其中光刻胶层7在基底9上的正投影与待形成连接过孔21的区域在基底9上的正投影无重叠，光刻胶层7在边框区B中直接覆盖缓冲层1而作为保护层11。
通过曝光、显影形成光刻胶层7的图形，该光刻胶层7直接覆盖边框区B的缓冲层1，从而边框区B中的光刻胶层7同时也是保护层11，形成参照图2的结构。当然，光刻胶层7不能影响连接过孔21、凹槽22的形成，故在对应这些结构的位置应没有光刻胶层。
可选的，光刻胶层7仅位于边框区B中。
当具有以上层间绝缘层3时，光刻胶层7可位于边框区B中，而在其它位置没有分布。
当然，如果是光刻胶层7在显示区A和可弯折区C中有与层间绝缘层3相同的图形，也是可行的；或者，如果没有层间绝缘层，而用光刻胶层7取代层间绝缘层也是可行的。
S2033、以层间绝缘层3和光刻胶层7为掩膜，通过刻蚀形成连通至有源区41的连接过孔21。
以层间绝缘层3和光刻胶层7为掩膜，通过刻蚀，将在第一开口23处暴露的各绝缘层(第一绝缘层93、栅绝缘层92、缓冲层1)除去，形成连接过孔21。当然，应当理解，此时连接过孔21实际已经与以上第一开口23成为一体了，即第一开口23可视为连接过孔21的一部分。
可选的，本步骤(S2032)中还包括：以层间绝缘层3和光刻胶层7为掩膜，通过刻蚀同步形成对应第二开口24的凹槽22。
当层间绝缘层3在可弯折区C中具有第二开口24时，在刻蚀形成连接过孔21的同时，则该第二开口24处的各绝缘层(第一绝缘层93、栅绝缘层92、缓冲层1)也会被除去，从而形成凹槽22。
通过形成凹槽22，可减薄可弯折区C中结构的厚度，使其能更好的弯折。
可选的，形成凹槽22具体包括：在可弯折区C中形成进入阻挡层91而未贯穿阻挡层91的凹槽22。
由于第二开口24处并无有源区，故该位置的阻挡层91也可受到刻蚀，本步骤中可控制刻蚀剂、刻蚀时间等，从而将阻挡层91也刻蚀掉一部分，但不刻穿，即让凹槽22进入阻挡层91，但未贯穿阻挡层91，例如使凹槽22底部与基底9间具有10nm至100nm的距离(阻挡层91的总厚度当然应比该距离大)。这样可尽量除去可弯折区C的膜层，最大限度的提高其弯折效果，但同时避免基底9受到腐蚀。
S2034、在凹槽22中形成柔性材料的填充结构6。
为保证可弯折区C的平整，还需要通过构图工艺等，在凹槽22中形成柔性材料的填充结构6(Filling)，将凹槽22基本填平，得到参照图3的结构。
其中，填充结构6的材料可为聚酰亚胺(PI)等，因其是柔性的，故对弯折不会产生不良影响。
S204、对连接过孔21处暴露的有源区41进行清洗。
可见，此时有源区41的部分表面通过连接过孔21暴露，这些表面用于与后续形成的源极43、漏极44接触。为避免有源区41与源极43、漏极44产生搭接不良而提高接触电阻，故需要对有源区41暴露的接触面进行清洗，除去接触面的杂质。
可见，参照图3，此时边框区B的缓冲层1是被保护层11(光刻胶层7)直接覆盖的，故清洗工艺不会对缓冲层1造成影响，也不会在其中造成裂纹，从而可保证后续形成的第二引线52不会与第一引线51导通。
可选的，本步骤(S204)可包括：用含有氟化氢的清洗剂对连接过孔21处暴露的有源区41进行清洗。
具体的，可用氟化氢(HF)清洗剂进行清洗，由于氟化氢清洗剂比较容易造成缓冲层1损伤，故特别适于本发明实施例。
S205、除去边框区B的保护层11。
将边框区B的保护层11除去，得到参照图4的结构，以使最终的产品中无保护层，避免保护层11影响产品的性能。
可选的，当保护层11为光刻胶层7时，本步骤(S205)包括：除去所有的光刻胶层7。
也就是说，可通过光刻胶剥离、灰化(Ashing)等将所有的光刻胶层7(保护层11)均除去。
S206、在边框区B中形成第二引线52，第二引线52在基底9上的正投影与第一引线51基底9上的正投影在至少部分位置重叠。
通过构图工艺，在边框区B中形成位于缓冲层1表面上的第二引线52，得到参照图5的结构。该第二引线52用于将特定的信号引入显示区A，且在至少部分位置与第一引线51有交叠。
当然，应当理解，虽然在图中第一引线51、第二引线52、第三引线53是重叠的，但实际上它们的位置、方向等并不一定完全相同，只要最终第一引线51与第二引线52之间存在相互交叉的位置即可。
如前，由于在清洗过程中边框区B的缓冲层1被保护层11覆盖，故缓冲层1不会因清洗产生裂纹，第二引线52也就不会因裂纹与第一引线51导通，从而避免了短路不良。
可选的，本步骤(S206)中还包括：同步形成薄膜晶体管的源极43和漏极44。
在形成第二引线52时，还可同步形成与其同层设置的源极43和漏极44，以简化工艺。当然，应当理解，该源极43和漏极44是分别通过连接过孔21与有源区41连接的，以形成完整的薄膜晶体管。
当然，本步骤中还可同步形成其它与第二引线52同层设置的结构，例如形成位于边框区B的填充结构6上的封闭结构61，以防止水分、氧气进入柔性结构。
S207、完成显示基板的制备。
在形成第二引线52后，可继续制备平坦化层94、阳极81、像素限定层82(PDL)、发光层83、阴极84、封装层95等其它结构，得到参照图6的柔性的有机发光二极管显示基板。
因其它结构的具体形式是多样的，故在此不再详细描述。
实施例3：
参照图7，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法。
本实施例的显示基板的制备方法与实施例2的显示基板的制备方法类似。区别在于，本实施例中，采用有机材料的层间绝缘层3作为保护层11。
具体的，本实施例与以上实施例2的多数步骤是相同的，其不同的步骤包括：
本实施例的形成保护层11和连接过孔21的步骤(S203)包括：
S3031、形成有机材料的层间绝缘层3的图形，其中层间绝缘层3设有第一开口23，该第一开口23在基底9上的正投影与待形成连接过孔21的区域在基底9上的正投影重合，层间绝缘层3在边框区B中直接覆盖缓冲层1而作为保护层11。
也就是说，可改变层间绝缘层3的图形，使其直接覆盖边框区B的缓冲层1，从而边框区B中的层间绝缘层3同时也是保护层11。
当然，由于此时边框区B具有层间绝缘层3，故其中不再需要形成光刻胶层。
可选的，层间绝缘层3在可弯折区C中还可具有以上第二开口24。
S3032、以层间绝缘层3为掩膜，通过刻蚀形成连通至有源区41的连接过孔21。
以层间绝缘层3为掩膜，通过刻蚀形成以上对应第一开口23的连接过孔21。当然，若层间绝缘层3中还具有第二开口24，则此时还可同步形成对应第二开口24的凹槽22。
S3033、在凹槽22中形成柔性材料的填充结构6。
当形成了凹槽22时，还可继续形成以上填充结构6，得到参照图7的结构。
相应的，本实施例的除去边框区B的保护层11的步骤(S205)包括：
S305、除去边框区B的层间绝缘层3，保留其它位置的层间绝缘层3。
由于此时层间绝缘层3作为保护层11而进入边框区B，故需要通过构图工艺单独将边框区B的层间绝缘层3(保护层11)除去，而保留其它位置的层间绝缘层3(因为他们不是保护层)，得到与以上实施例2对应的参照图4的结构。
实施例4：
参照图8，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法。
本实施例的显示基板的制备方法与实施例2的显示基板的制备方法类似。区别在于，本实施例中，采用与填充结构6同层设置的保护层11。
具体的，本实施例与以上实施例2的多数步骤是相同的，其不同的步骤包括：
本实施例的保护层11和连接过孔21的步骤(S203)包括：
S4031、形成有机材料的层间绝缘层3的图形，其中层间绝缘层3具有第一开口23和第二开口24，第一开口23在基底9上的正投影与待形成连接过孔21的区域在基底9上的正投影重合，第二开口24在基底9上的正投影与待形成凹槽22的区域在基底9上的正投影重合，边框区B中无层间绝缘层。
也就是说，形成具有第一开口23和第二开口24的层间绝缘层3，且边框区B中无该层间绝缘层分布。
S4032、在边框区B中形成光刻胶层7。
由于层间绝缘层3并未覆盖边框区B，故需要在边框区B中单独形成光刻胶层7，得到与实施例2对应的参照图2的结构(但其中的光刻胶层7不是保护层)。
S4033、以层间绝缘层3和光刻胶层7为掩膜，通过刻蚀形成连通至有源区41的连接过孔21，并同步形成对应第二开口24的凹槽22。
以层间绝缘层3和光刻胶层7为掩膜，通过刻蚀将在第一开口23、第二开口24处暴露的各绝缘层(第一绝缘层93、栅绝缘层92、缓冲层1)除去，形成连接过孔21和凹槽22。
S4034、除去光刻胶层7。
通过光刻胶剥离、灰化等工艺，除去边框区B中的光刻胶层7。
S4035、在凹槽22中形成柔性材料的填充结构6，并同步形成位于边框区B中的保护层11。
在形成以上填充结构6的同时，在边框区B中形成与其同层的柔性材料膜层作为保护层11，得到参照图8的结构。
可选的，边框区B中的保护层11的厚度小于填充结构6的厚度，例如保护层11厚度可在0.05μm至1μm。
以上厚度的不同可通过多种方式实现：例如，可将填充结构6的材料(如聚酰亚胺)加入凹槽22中，并通过旋涂的方式使其扩展到边框区B，故只有当凹槽22被基本填满形成填充结构6后，才会在边框区B中形成很薄的保护层11；再如，也可通过阶梯曝光工艺形成保护层11，即先在边框区B和凹槽22中形成相同厚度的膜层，之后进行阶梯曝光并显影，将边框区B中的膜层局部减薄，形成保护层11。
本实施例的除去边框区B的保护层11的步骤(S205)包括：
S405、除去边框区B中的柔性材料，保留填充结构6。
此时的保护层11是与填充结构6同层设置的柔性材料，故本步骤中需要单独将边框区B的缓冲层3上的柔性材料(也就是保护层11)除去，而保留填充结构6(因为其不是保护层)，得到与实施例2对应的参照图4的结构。
以上除去过程可采用构图工艺实现，即通过构图工艺单独除去边框区B中的保护层11。
或者，除去过程也可通过灰化工艺实现，即通过灰化工艺同时减薄保护层11和填充结构6，由于保护层11的厚度远比填充结构6厚度薄，故当保护层11被减薄至消失时，填充结构6仍基本保留。
实施例5：
本发明实施例提供一种显示基板，其是上述的任意一种显示基板的制备方法制备得到的。
该显示基板可通过以上任意实施例的方法制备得到，故其具有由制备方法的各步骤形成的结构，且其中的缓冲层即使在厚度很薄时也不存在裂纹，可避免第一引线与第二引线导通，消除短路不良。
实施例6：
本发明实施例提供一种显示装置，其包括上述的显示基板。
具体的，该显示装置可为液晶显示面板(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括基底，且具有显示区和边框区，其特征在于，所述制备方法包括：
在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区；
在所述边框区中形成第一引线；
形成直接覆盖所述第一引线的缓冲层；
形成连通至所述有源区的连接过孔；
形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层；
在形成所述保护层后，对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗；
在进行所述清洗后，除去所述边框区的保护层；
在除去所述保护层后，在所述边框区中形成第二引线，所述第二引线在所述基底上的正投影与第一引线在所述基底上的正投影在至少部分位置重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：
形成光刻胶层的图形，其中所述光刻胶层在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影无重叠，所述光刻胶层在边框区中直接覆盖缓冲层而作为所述保护层。
3.根据权利要求2所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述形成直接覆盖所述第一引线的缓冲层与所述形成光刻胶层的图形之间，还包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述边框区中无层间绝缘层；
所述形成光刻胶层的图形包括：仅在所述边框区中形成光刻胶层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述层间绝缘层在边框区中直接覆盖缓冲层而作为所述保护层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔；
所述除去所述边框区的保护层包括：除去所述边框区的层间绝缘层，保留其它位置的层间绝缘层。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板为柔性显示基板，所述显示基板还包括位于边框区远离显示区一侧的可弯折区；所述制备方法还包括：
在所述可弯折区中形成凹槽，其中所述凹槽与连通至所述有源区的连接过孔同步形成；
在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，
所述形成直接覆盖所述边框区的缓冲层的保护层包括：在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构时，同步形成覆盖所述边框区的缓冲层的保护层；
所述除去所述边框区的保护层包括：除去所述边框区中的柔性材料，保留所述填充结构。
7.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区前，还包括：
形成阻挡层；
所述在所述可弯折区中形成凹槽包括：在所述可弯折区中形成进入所述阻挡层而未贯穿阻挡层的凹槽。
8.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述可弯折区中形成凹槽之前，还包括：
形成有机材料的层间绝缘层的图形，其中所述层间绝缘层设有第一开口和第二开口，所述第一开口在基底上的正投影与待形成连接过孔的区域在基底上的正投影重合，所述第二开口在基底上的正投影与待形成凹槽的区域在基底上的正投影重合；在边框区中形成光刻胶层；
所述形成连通至所述有源区的连接过孔包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀形成连通至所述有源区的连接过孔；
所述在所述可弯折区中形成凹槽包括：以所述层间绝缘层和光刻胶层为掩膜，通过刻蚀在所述可弯折区中形成凹槽；
所述在所述凹槽中形成柔性材料的填充结构前，还包括：除去所述光刻胶层。
9.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源区与在所述边框区中形成第一引线之间，还包括：
形成栅绝缘层；
形成薄膜晶体管的栅极；
形成第一绝缘层。
10.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，还包括：
形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
其中，所述薄膜晶体管的源极和漏极与所述边框区中的所述第二引线同步形成。
11.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，
所述缓冲层由无机材料构成；
和/或，
所述缓冲层的厚度在10nm至200nm之间。
12.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗包括：
用含有氟化氢的清洗剂对所述连接过孔处暴露的有源区进行清洗。
13.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，
所述显示基板为有机发光二极管显示基板；
和/或，
所述显示基板为柔性显示基板。
14.一种显示基板，其特征在于，
所述显示基板是通过权利要求1至13中任意一项所述的显示基板的制备方法制备得到的。
15.一种显示装置，其特征在于，包括：
权利要求14所述的显示基板。
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