CN112786648A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置。该显示装置包括：基础层，基础层包括被划分成显示图像的有源区域和与该有源区域相邻的非有源区域；开口，开口位于该有源区域的一部分中并且穿透基础层和其上的功能层；以及切断结构，切断结构位于开口的附近并且被设置成切断开口与发光单元之间的有机发光层的连接。可以在与开口对应的位置中设置摄像装置。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0138620号和2019年11月1日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0138627号的优先权，所述韩国专利申请的公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开内容涉及其中摄像装置设置在有源区域中的显示装置。
背景技术
显示装置使用诸如液晶显示装置或电致发光显示装置的各种显示元件来呈现各种图像。在它们当中，人们试图在显示区域的扩大与智能电话中使用的显示装置的便携性之间找到最佳比例，并且最近的显示装置通过将摄像装置设置在有源区域内来充分利用平坦区域。
为了将摄像装置设置在有源区域中，需要形成其中容纳摄像装置的开口孔。摄像装置孔通常是通过照射激光束以去除有源区域的一部分的过程而形成的。
然而，在照射激光束以去除显示装置中的预定区域的过程中，可能导致诸如裂纹的损坏，并且该损坏被传递至有源区域而降低图像质量或使显示元件劣化。
发明内容
本公开内容的目的是提供一种用于在有源区域内设置诸如摄像装置的图像捕获装置的结构。此外，本公开内容的另一目的是提供一种改善可能在放置结构中导致的脆弱性的方法。
本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以根据以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。
根据本公开内容的一方面，提供了一种显示装置。该显示装置可以包括：基础层，基础层包括被划分成显示图像的有源区域和与该有源区域相邻的非有源区域；开口，开口位于该有源区域的一部分中并且穿透基础层和其上的功能层；以及切断结构，切断结构位于开口的附近并且被设置成切断开口与发光单元之间的有机发光层的连接。可以在与开口对应的位置中设置摄像装置。
切断结构可以具有抑制覆盖切断结构的无机层被层压同时形成谷状形状的形状。在这种情况下，覆盖切断结构的无机层可以是包括在覆盖有源区域的封装层中的无机层。切断结构的侧面倾斜度可以为65度或更小。切断结构具有至少两个侧面倾斜角，并且切断结构的下部的倾斜角可以小于切断结构的上部的倾斜角。
切断结构可以位于有源区域的开口与发光单元之间以包围开口。可以从切断结构的外周向内蚀刻在切断结构下方的无机绝缘层。
切断结构包括至少两个突出结构，并且突出结构中的每一个由与平坦化层相同的材料形成，平坦化层覆盖包括在有源区域的像素电路中的薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极。
显示装置还包括封装层，封装层包括顺序地层压并覆盖有源区域的第一无机层、有机层和第二无机层；以及阻挡结构，阻挡结构被设置成阻挡有机层的流动。切断结构可以位于阻挡结构的一侧或两侧。可以设置有两个阻挡结构，并且切断结构可以位于两个阻挡结构之间。
根据本公开内容的另一方面，显示装置包括第一区域，基础层和其上的功能层从第一区域被穿通；第二区域，第二区域包围第一区域；以及第三区域，第三区域包围第二区域并且设置有像素。被设置成切断有机发光层的连接的切断结构和与该切断结构相邻的裂纹预防结构位于第二区域中。
根据本公开内容的又一方面，显示装置可以包括基础层，基础层包括被划分成显示图像的有源区域和与该有源区域相邻的非有源区域；开口，开口位于有源区域的一部分中并且穿透基础层和其上的功能层；与开口相邻的切断结构；以及与切断结构的侧面相邻的缓冲层。
示例性实施方式的其他详细事项包括在详细描述和附图中。
根据本公开内容的示例性实施方式，可以提供一种改善了在有源区域中的摄像装置放置结构的脆弱性的显示装置。具体地，根据本公开内容的示例性实施方式，可以有效地抑制在摄像装置容纳区域附近的损坏和湿气渗透。因此，本公开内容的示例性实施方式可以提供具有改善的可靠性的显示装置。
根据本公开内容的效果不限于以上示例的内容，并且在本说明书中包括了更多各种效果。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的上述及其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1示出了可以包括在电子设备中的示例性显示装置；
图2是示意性地示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的截面图；
图3A和图3B是示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的切断结构的示例性图；
图4A至图4C是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的切断结构和裂纹预防结构的图；以及
图5A至图5C是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的切断结构和裂纹预防结构的图。
具体实施方式
通过参照下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文所公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅作为示例来提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求书的范围来限定。
用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图所示出的形状、尺寸、比例、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细说明，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。在本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……构成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何提及可以包括复数，除非另外明确规定。即使未明确说明，部件也被解释为包括普通的误差范围。
当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“邻接”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。当元件或层设置在另一元件或层“上”时，其他层或其他元件可以直接地置于另一元件上或直接地置于它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开内容的技术构思中，下面要提及的第一部件可以为第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示出的每个部件的尺寸和厚度，但是本公开内容不限于所示的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此附着或组合，并且可以以技术上不同的方式互锁和操作，并且这些实施方式可以彼此独立地或者彼此相关联地实施。
在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。
图1示出了可以包括在电子设备中的示例性显示装置。
参照图1，显示装置100包括被划分成显示图像的至少一个有源区域A/A，并且在有源区域A/A中形成像素的阵列。可以在有源区域A/A的附近设置一个或更多个非有源区域I/A。即，非有源区域I/A可以与有源区域A/A的一个或更多个侧面相邻。在图1中，非有源区域I/A包围矩形的有源区域A/A。然而，有源区域A/A的形状和非有源区域I/A的形状/放置不限于图1所示出的示例。有源区域A/A和非有源区域I/A可以具有适合于安装有显示装置100的电子设备的设计的形状。有源区域A/A的示例性形状为五边形、六边形、圆形或椭圆形。
有源区域A/A中的每个像素可以与像素电路相关联。像素电路可以在底板上包括一个或更多个开关晶体管和一个或更多个驱动晶体管。每个像素电路可以电连接至栅极线和数据线，以便与位于非有源区域I/A中的一个或更多个驱动电路例如栅极驱动器和数据驱动器通信。
驱动电路可以由非有源区域I/A中的薄膜晶体管(TFT)来实现。该驱动电路可以被称为面板内栅极(GIP)。此外，一些部件例如数据驱动器IC被安装在划分开的印刷电路板上，并且可以使用电路膜例如柔性印刷电路板(FPCB)、膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)来耦接至设置在非有源区域I/A中的连接接口(焊盘、凸块或引脚)。非有源区域I/A与连接接口一起弯折，使得印刷电路(COF、PCB等)可以位于显示装置100的后侧上。
显示装置100还可以包括各种附加元件，以生成各种信号或驱动有源区域A/A中的像素。驱动像素的附加元件可以包括反相器电路、多路复用器或静电放电电路。显示装置100还可以包括与除像素驱动功能之外的功能相关联的附加元件。例如，显示装置100可以包括提供触摸感测功能、用户认证功能(例如，指纹识别)、多级压力感测功能或触觉反馈功能的附加元件。上述附加元件可以位于非有源区域中和/或连接至连接接口的外部电路中。
显示装置100可以在有源区域A/A中包括容纳摄像装置的区域。由于制造效率和/或美学原因，显示装置(特别是平坦区域)的尺寸通常受到限制。如果容纳摄像装置的区域设置在非有源区域I/A中，则非有源区域I/A的尺寸增加，并且有源区域A/A的尺寸相应地减小。相反，如果容纳摄像装置的区域设置在有源区域A/A中，则非有源区域I/A的尺寸可以相应地减小，使得有源区域A/A的尺寸最大化。
因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，设置有图像捕获元件例如摄像装置的区域设置在有源区域A/A中，使得可以扩大有源区域A/A的区域，同时减小非有源区域I/A的区域。在下文中，为了便于描述，将有源区域A/A的内部划分成第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。虽然在第一区域A1和第二区域A2中不显示图像，但是第一区域A1和第二区域A2也被其中显示图像显示元件的第三区域A3包围，使得在本公开内容中第一区域A1和第二区域A2被分类为有源区域A/A。同时，第一区域A1和第二区域A2可以设置在平坦表面上的任意位置中，使得该位置不限于图1所示出的位置。
第一区域A1为其中设置有开口使得诸如摄像装置的图像捕获装置被设置的部分。第一区域A1设置在有源区域A/A中。第一区域A1是定位有摄像装置使得不显示图像的区域。第一区域A1可以具有圆形形状或椭圆形形状。
第三区域A3为其中设置有像素的部分。像素是呈现颜色(或光)的单位结构。像素可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。像素包括发光元件(发光二极管)或装置控制电路。
第二区域A2位于第一区域A1与第三区域A3之间。由于第二区域A2包围第一区域A1的外周，因此第二区域A2可以具有与第一区域A1的形状对应的形状，但是第二区域A2的形状不限于此。例如，当第一区域A1具有圆形形状时，第二区域A2可以具有圆形形状或椭圆形形状。
第二区域A2将第一区域A1与第三区域A3分隔开，使得第一区域A1和第三区域A3不受彼此影响。例如，第二区域A2抑制形成在第三区域A3中的有机发光层和/或封装层渗透到第一区域A1中。此外，第二区域A2抑制当形成第一区域A1时可能导致的损坏传递至第三区域A3。第二区域A2可以包括用于上述抑制功能的结构。
图2是示意性地示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的截面图。
在附图中所示出的第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3可以应用于参照图1所描述的有源区域A/A的至少一部分。在下文中，将以电致发光显示装置作为示例来描述该区域。该电致发光显示装置包括有机发光显示装置和无机发光显示装置。
与第一区域A1对应的基础层101和其上的功能层被去除。因此，通孔和图像捕获装置(未示出)沿竖直方向位于第一区域A1中。在这种情况下，去除工艺可以是使用激光的冲压工艺。图像捕获装置可以位于在第一区域A1中的基础层101下方。
在第三区域A3中，薄膜晶体管(半导体层102、栅电极104以及源电极和漏电极108)、有机发光元件(第一电极112、有机发光层114和第二电极116)以及各种功能层位于基础层101上。
基础层101支承有机发光显示装置100的各种部件。基础层101可以由透明绝缘材料例如诸如玻璃或塑料的绝缘材料形成。基板(阵列基板)也被称为包括形成在基础层101上的元件和功能层，例如开关TFT、驱动TFT、有机发光元件和钝化层的构思。
缓冲层103可以位于基础层101上。缓冲层是用于保护薄膜晶体管(TFT)不受诸如从基础层101或其下方的层泄漏的碱离子的杂质影响的功能层。缓冲层可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成。缓冲层103可以包括多缓冲物和/或有源缓冲物。
薄膜晶体管设置在基础层101或缓冲层103上。如图2所示出的，在薄膜晶体管中，半导体层(有源层)102、栅极绝缘体105、栅电极104、层间介电层107以及源电极和漏电极108可以顺序地层压。相反，在薄膜晶体管中，栅电极、栅极绝缘体、半导体层以及源电极和漏电极可以顺序地设置。
半导体层102可以由多晶硅(p-Si)制成。在这种情况下，预定区域可以掺杂有杂质。此外，半导体层102可以由非晶硅(a-Si)或诸如并五苯的各种有机半导体材料制成。此外，半导体层102可以由氧化物制成。
栅电极104可以由各种导电材料例如镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)或它们的合金制成。
栅极绝缘体105和层间介电层107可以由诸如硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)或绝缘有机材料的绝缘材料形成。选择性地去除栅极绝缘体105和层间介电层107以形成接触孔，源极区和漏极区通过该接触孔露出。
源电极和漏电极108可以在栅极绝缘体105或层间介电层107上形成为单层或多层。如果需要，由无机绝缘材料构成的钝化层可以覆盖源电极和漏电极108。
平坦化层109可以位于薄膜晶体管上。平坦化层109保护薄膜晶体管并使其上部平坦化。平坦化层109可以被配置成具有各种形状。可以以各种方式修改平坦化层109，例如，平坦化层109可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸的有机绝缘膜或者诸如硅氮化物膜(SiNx)或硅氧化物膜(SiOx)的无机绝缘膜形成，或者可以由单层或双层或多层形成。
可以形成有机发光元件，使得第一电极112、有机发光层114和第二电极116顺序地设置。即，有机发光元件可以由形成在平坦化层109上的第一电极112、位于第一电极112上的有机发光层114以及位于有机发光层114上的第二电极116构成。
第一电极112通过接触孔电连接至驱动薄膜晶体管的漏电极108。当有机发光显示装置100是顶部发射型时，第一电极112可以由具有高反射率的不透明导电材料形成。例如，第一电极112可以由银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或它们的合金形成。第一电极112可以是有机发光二极管的阳极。
堤部110形成在除发射区域之外的剩余区域中。因此，堤部110具有使与发射区域对应的第一电极112露出的堤部孔。堤部110可以由诸如硅氮化物膜(SiNx)或硅氧化物膜(SiOx)的无机绝缘材料或者诸如BCB、丙烯酸树脂或酰亚胺树脂的有机绝缘材料制成。
有机发光层114位于第一电极112上。有机发光层114可以包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层。根据需要或工艺，这些层可以形成在整个发光单元(第三区域)上或仅形成在发光单元(第三区域)的部分区域中。有机发光层可以配置有发射一种光的单发光层结构，或者可以配置有由多个发光层构成以发射白光的结构。使用图3A和图3B所示出的切断结构，可以不在第一区域A1中形成有机发光层114。
第二电极116位于有机发光层114上。当有机发光显示装置100是顶部发射型时，第二电极116由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成以将在有机发光层114中生成的光发射至第二电极116的上部。第二电极116可以是有机发光二极管的阴极。
封装层120位于第二电极116上。封装层120抑制来自外部的氧气和湿气的渗透，从而抑制发光材料和电极材料的氧化。当有机发光元件暴露于湿气或氧气时，导致其中发射区域减小的像素收缩现象或在发射区域中生成暗点。封装层可以由由玻璃、金属、铝氧化物(AlOx)或硅(Si)基材料形成的无机膜构成，或者具有其中有机层122与无机层121和123交替层压的结构。在这种情况下，无机层121和123用于阻止湿气或氧气的渗透，并且有机层122用于使无机层121和123的表面平坦化。当封装层由多个薄膜层形成时，与单层的情况相比，湿气或氧气的移动路径更长且更复杂，使得湿气/氧气难以渗透其中。
阻挡膜可以位于封装层120上以封装整个基础层101。阻挡膜可以是相位差膜或光学各向同性膜。在这种情况下，粘合层可以位于阻挡膜与封装层120之间。粘合层将封装层120和阻挡膜结合。粘合层可以是热固性粘合剂或天然固化粘合剂。例如，粘合层可以由诸如阻挡压敏粘合剂(B-PSA)的材料构成。
第二区域A2不包括发光元件，但是包括旁路线(未示出)、阻挡结构190和切断结构195以阻挡第一区域A1与第三区域A3之间的相互影响。
旁路线被配置成使沿水平方向或竖直方向穿过第一区域A1的各种布线延伸，以绕过第一区域A1。旁路线可以被配置在与原始线相同的层上或与原始线不同的层上。
设置有阻挡结构190以抑制封装层120的有机层122溢出到第一区域A1中。虽然在图2中，示出了有机层122的流动被两个阻挡结构中的设置在比另一阻挡结构更内侧的阻挡结构阻挡，但是有机层122可以越过内侧阻挡结构，而可以被外侧阻挡结构阻挡。
设置切断结构195以切断有机发光层114的连接。当有机发光层114暴露于外部时，其可以用作湿气的渗透路径。在第一区域A1中，有机发光层114可以暴露于外部，使得切断结构195是必要的。将参照图3A描述切断结构195的原理和结构。
第三区域A3的功能层中的一些也保留在第二区域A2中。此外，当形成阻挡结构190和切断结构195时，可以使用功能层中的一些。例如，对于阻挡结构190，可以使用用于平坦化层109和/或堤部110的材料，并且对于切断结构195，可以使用用于平坦化层109的材料。
同时，在非有源区域I/A中，各种驱动电路(例如，GIP)、电极、布线和功能结构可以位于基础层101上。虽然在非有源区域I/A中没有设置像素电路和发光元件，但是也可以设置基础层101和有机/无机功能层103、105、107和109。此外，在非有源区域I/A中，出于不同的目的可以设置用于构成有源区域A/A的材料。例如，与有源区域的TFT的栅电极相同的金属或与源/漏电极相同的金属可以设置在非有源区域I/A中以用于布线或电极。此外，与有机发光二极管的一个电极(例如，阳极)相同的金属可以设置在非有源区域I/A中以用于布线和电极。
图3A和图3B是示出根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的切断结构的示例性图。
图3A和图3B是第二区域A2的放大图，并且省略了除切断结构之外的元件。
切断结构195可以包括至少两个突出结构，并且在图3A和3B中，示出了仅一些突出结构。切断结构195由与覆盖薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极的平坦化层109相同的材料形成。即，切断结构195可以由在层间介电层107上的平坦化层109制成以具有柱状形状。可以去除在柱状物的外周下方的介电层107。虽然在附图中，示出了去除仅一个介电层107，如果需要，也可以去除介电层107下方的介电层105和103。可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺来执行去除工艺。
当将在切断结构的外周部分下方的介电层更向内地去除(底切)时，沉积在切断结构的上部上的层(例如，附图标记114)不会完全覆盖切断结构的外周部分的下方。因此，如附图所示出的，发生断开。使用上述现象，切断结构的下层被部分地去除以隔离特定层。如上所述，有机发光层114用作湿气转移路径而导致显示装置的缺陷，使得诸如本公开内容的切断结构195的预防结构非常有用。
同时，发明人发现有机发光层的切断结构有一些脆弱性。其中之一是，当在切断结构上进一步层压一些无机层时，可能会生成也被称为接缝(seam)的凹陷边界S。切断结构的侧面斜坡越陡，沉积在其上的各层越有效地断开，但是相反，边界部分S以更深的谷的形式出现。因此，边界部分S比其他部分更易于受到冲击，使得边界部分可能容易破裂。此外，当发生损坏时，湿气可能通过边界部分S渗透。因此，需要互补的形状/结构以抑制在切断结构中发生这种脆弱性，并且认识到该问题的发明人已经设计了这种裂纹预防结构。
图4A至图4C是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的切断结构和裂纹预防结构的图。
图4A所示出的示例性实施方式的大多数部件与图2的示例性实施方式的部件相同。因此，将省略对图4A的与图2的部件相同的部件的描述。然而，在图4A所示出的示例性实施方式中，切断结构495的位置或形状与图2的示例性实施方式中的切断结构195的位置或形状不同。下文中，将主要描述差异。
显示装置400可以包括：第一区域A1，基础层401和其上的功能层从第一区域A1被穿通；第二区域A2，第二区域A2包围第一区域A1；以及第三区域A3，第三区域A3包围第二区域A2并且在其上设置有像素。在第一区域A1中，即，在与开口对应的位置中，可以设置摄像装置。被设置成切断有机发光层414的连接的切断结构495可以位于第二区域A2中。在这种情况下，切断结构495被形成为抑制在沉积在其上的无机层上产生的凹陷的接缝。
切断结构495位于有源区域的开口(第一区域A1)与发光单元(第三区域A3)之间。切断结构495可以由与覆盖薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极408的平坦化层409相同的材料形成。
切断结构495设置在开口与发光单元之间以切断有机发光层414的连接。通过切断结构495切断有机发光层414的连续性的原理如参照图3A所描述的。为此，如图4B或图4C所示出的，在切断结构495下方的无机绝缘层407可以从切断结构495的最外周更向内地蚀刻。
切断结构495可以包括至少两个突出结构。图4B和图4C是突出结构之一的放大图。在突出结构中的每一个中，从突出结构的最外周更向内地挖掘突出结构下方的无机绝缘层407。
显示装置400包括：基础层401，基础层401包括被划分成显示图像的有源区域和在有源区域的附近的非有源区域；开口，开口设置在有源区域的一部分中并且穿透基础层401和其上的功能层；以及切断结构495，切断结构495位于开口的附近并且设置在开口与发光单元之间以切断有机发光层的连接。
切断结构具有抑制覆盖切断结构的无机层被层压同时形成谷状形状的形状。发明人了解到，切断结构(突出结构中的每一个)的侧面倾斜角θ影响了该现象，如图3B所示出的。根据研究结果，在如图4B所示出的切断结构中，侧面斜坡越陡，沉积在其上的无机层中生成的接缝就越多。相反，随着斜坡平缓，不会发生该现象。即，侧面倾斜角θ与接缝的发生率成比例。
因此，有利的是，切断结构的侧面倾斜角等于或小于预定值。通过研究和实验，发明人已经发现，当侧面倾斜角为65度(°)或更小时，切断结构不会产生谷状形状和所产生的裂纹。此外，发明人还发现，当侧面倾斜角为70度(°)或更大时，切断结构形成大量的谷状形状和由此导致的裂纹。因此，根据本公开内容的示例性实施方式的切断结构形成为使得侧面倾斜角为65度或更小。下面的表1和表2是根据切断结构的倾斜角的高温/高湿可靠性实验的结果。实验进行了两次，并且在每次实验中计数了湿气渗透差的样品的数目。
[表1]
[表2]
同时，如图4C所示出的，切断结构可以具有至少两个侧面倾斜角θ1和θ2。在这种情况下，有利的是，切断结构的下部的倾斜角θ2小于切断结构的上部的倾斜角θ1。当θ2小于θ1时，切断结构的侧面可以形成为更平缓。
根据本公开内容的示例性实施方式的切断结构具有如图4B或图4C所示出的形状，使得沉积在切断结构495上方的层(例如，423)不会导致谷状形状，使得可以抑制如图3B所示出的边界间隙。
根据示例性实施方式的显示装置400还可以包括覆盖有源区域的封装层420。封装层420可以包括顺序地层压的第一无机层421、有机层422和第二无机层423。
根据示例性实施方式的显示装置400还可以在第二区域A2中包括控制有机层422的流动的阻挡结构490。在这种情况下，阻挡结构490可以位于有源区域的切断结构495与发光单元之间。可替选地，阻挡结构490可以位于切断结构495与开口之间。即，切断结构495可以位于阻挡结构490的内侧或外侧，并且在一些示例性实施方式中，切断结构495可以设置在阻挡结构490的两侧，或者如图4A所示出的，切断结构495可以设置在两个阻挡结构490之间。在这种情况下，两个阻挡结构490可以具有不同的高度，并且更靠近开口的阻挡结构490的高度可以较高。为了制造具有不同高度的阻挡结构，可以仅通过平坦化层409形成较低的阻挡结构，并且可以通过平坦化层409和堤部层410形成较高的阻挡结构。
图5A至图5C是示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的切断结构和裂纹预防结构的图。
图5A所示出的示例性实施方式的大多数部件与图2的示例性实施方式的部件相同。因此，将省略对图5A的与图2的部件相同的部件的描述。然而，封装层520的有机层522和其上的第二无机层523与图2的示例性实施方式中的有机层122和第二无机层123不同。因此，图5A的切断结构595的外周与图2的外周不同。在下文中，将主要描述差异。
显示装置可以包括：基础层501，基础层501包括被划分成显示图像的有源区域以及在该有源区域的附近的非有源区域；开口，开口设置在有源区域的一部分中并且穿透基础层501及其上的功能层；以及设置在开口的附近的切断结构595；以及与切断结构595的侧面相邻的缓冲层522'。
切断结构595位于有源区域的开口(第一区域A1)与发光单元(第三区域A3)之间。切断结构595可以由与平坦化层509相同的材料形成，平坦化层509覆盖包括在有源区域的像素电路中的薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极508。
设置切断结构595以切断开口与发光单元之间的有机发光层514的连接。通过切断结构595来切断有机发光层514的连续性的原理如参照图3A所描述的。为此，如图5C所示，在切断结构595下方的无机绝缘层507可以从切断结构595的最外周更向内地蚀刻。
切断结构595可以包括至少两个突出结构。图5C是示出突出结构之一的放大图。在突出结构中的每一个中，其下方的无机绝缘层507从突出结构的最外周更向内地挖掘。缓冲层522'设置在突出结构之间。缓冲层522'填充切断结构595的侧面上的谷，并且使侧面的斜坡更平缓。因此，沉积在切断结构595和缓冲层522'上的层(例如，523)不会被卷入其下方的谷中，从而抑制了如图3B所示出的边界间隙的产生。
根据示例性实施方式的显示装置还可以包括覆盖有源区域的封装层520。封装层520可以包括顺序地层压的第一无机层521、有机层522和第二无机层523。在这种情况下，缓冲层522'可以由与封装层的一部分例如有机层522相同的材料形成。利用这种构造，缓冲层522'可以设置在第一无机层521与第二无机层523之间。缓冲层522'可以与有机层522一起涂覆或者可以通过单独的工艺(例如，点焊工艺)填充在突出结构之间。
根据示例性实施方式的显示装置还可以在第二区域A2中包括控制有机层522的流动的阻挡结构590。在这种情况下，阻挡结构590可以位于有源区域的切断结构595与发光单元之间。可替选地，阻挡结构590可以位于切断结构595与开口之间。即，切断结构595可以位于阻挡结构590的内侧或外侧，并且在一些示例性实施方式中，切断结构595可以设置在阻挡结构590的两侧，或者，如图5B所示出的，切断结构595可以设置在两个阻挡结构590之间。在这种情况下，两个阻挡结构590可以具有不同的高度，并且更靠近开口的阻挡结构590的高度可以较高。为了制造具有不同高度的阻挡结构，仅通过平坦化层509形成较低的阻挡结构，并且可以通过平坦化层509和堤部层510形成较高的阻挡结构。
显示装置可以包括：第一区域A1，基础层和其上的功能层从第一区域A1穿通；第二区域A2，第二区域A2包围第一区域A1；以及第三区域A3，第三区域A3包围第二区域A2并且其上设置有像素。可以在第一区域A1中设置摄像装置。被设置成切断有机发光层514的连接的切断结构595以及与切断结构595相邻的裂纹预防结构522'可以位于第二区域A2中。设置裂纹预防结构522'以抑制由于切断结构595的形状而在沉积在切断结构595上方的无机层中引起的凹陷的边界(接缝)。
裂纹预防结构522'可以设置在介电层上。在这种情况下，在切断结构595下方的介电层503、505和507中的至少之一可以从切断结构595的外周向内地设置，如图3A所示，这用于切断有机发光层。
裂纹预防结构522'包括与切断结构595的侧面相邻的缓冲层。切断结构595包括至少两个突出结构，并且裂纹预防结构522'位于突出结构之间。
显示装置还可以包括覆盖第三区域A3的发光像素的封装层520。封装层520可以包括顺序地层压的第一无机层521、有机层522和第二无机层523。在这种情况下，裂纹预防结构522'可以由与封装层的一部分例如有机层522相同的材料形成。利用这种构造，裂纹预防结构522'设置在第一无机层521与第二无机层523之间。
上述结构可以提供一种显示装置，该显示装置可以免于在产生开口的过程中或者在产生开口之后由于冲击而发生的损坏(例如，裂纹)。此外，该结构可以减少由于湿气渗透而引起的元件缺陷。
尽管已经参照附图详细地描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此，并且可以在不脱离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅出于说明性目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应当基于所附的权利要求书来解释，并且在其等同范围内的所有技术构思应当被解释为落入本公开内容的范围内。
Claims (22)
1.一种显示装置，包括：
基础层，所述基础层包括被划分成显示图像的有源区域和与所述有源区域相邻的非有源区域；
开口，所述开口位于所述有源区域的一部分中，并且穿透所述基础层和所述基础层上的功能层；以及
切断结构，所述切断结构位于所述开口的附近，并且被设置成切断在所述有源区域的所述开口与发光单元之间的有机发光层的连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，所述切断结构具有抑制覆盖所述切断结构的无机层被层压同时形成谷状形状的形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述切断结构的侧面倾斜角为65度或更小。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述切断结构具有至少两个侧面倾斜角，并且所述切断结构的下部的倾斜角小于所述切断结构的上部的倾斜角。
5.根据权利要求2所述的显示装置，还包括：
封装层，所述封装层覆盖所述有源区域，
其中，覆盖所述切断结构的无机层是包含在所述封装层中的无机层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述切断结构位于所述有源区域的所述开口与所述发光单元之间以包围所述开口。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述切断结构下方的无机绝缘层从所述切断结构的外周向内地蚀刻。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述切断结构包括至少两个突出结构，并且所述至少两个突出结构中的每一个由与平坦化层相同的材料形成，所述平坦化层覆盖包括在所述有源区域的像素电路中的薄膜晶体管TFT的源电极或漏电极。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
封装层，所述封装层包括顺序地层压并覆盖所述有源区域的第一无机层、有机层和第二无机层；以及
阻挡结构，所述阻挡结构被设置成阻挡所述有机层的流动，以及
其中，所述切断结构位于所述阻挡结构的一侧或两侧。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，设置有两个阻挡结构，并且所述切断结构位于所述两个阻挡结构之间。
11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
缓冲层，所述缓冲层与所述切断结构的侧面相邻。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述切断结构包括至少两个突出结构，并且所述缓冲层位于所述至少两个突出结构之间。
13.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
封装层，所述封装层覆盖所述有源层，
其中，所述缓冲层与所述封装层的一部分的材料相同。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述封装层包括顺序地层压的第一无机层、有机层和第二无机层，并且所述缓冲层设置在所述第一无机层与所述第二无机层之间。
15.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述缓冲层填充所述切断结构的侧面上的谷。
16.一种显示装置，包括：
第一区域，基础层和所述基础层上的功能层从所述第一区域穿通；
第二区域，所述第二区域包围所述第一区域；以及
第三区域，所述第三区域包围所述第二区域并且设置有像素，
其中，在所述第二区域中，设置有被设置成切断有机发光层的连接的切断结构和与所述切断结构相邻的裂纹预防结构。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述切断结构包括至少两个突出结构，并且所述裂纹预防结构位于所述至少两个突出结构之间。
18.根据权利要求16所述的显示装置，还包括：
封装层，所述封装层覆盖所述第三区域的发光像素，并且包括顺序地层压的第一无机层、有机层和第二无机层，
其中，所述裂纹预防结构位于所述第一无机层与所述第二无机层之间。
19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，在所述切断结构下方的无机绝缘层中的至少之一从所述切断结构的外周向内地设置。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述裂纹预防结构被设置成抑制由于所述切断结构的形状而在沉积在所述切断结构上方的无机层上引起的凹陷的边界。
21.根据权利要求18所述的显示装置，还包括：
阻挡结构，所述阻挡结构被设置成阻挡所述有机层的流动，
其中，所述切断结构位于所述阻挡结构的一侧或两侧。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，设置有两个阻挡结构，并且所述切断结构位于所述两个阻挡结构之间。
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