CN115707308A - 显示面板和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板和电子设备。显示面板包括衬底、阵列层、显示层和屏蔽结构。显示层包括多个发光器件，每个发光器件包括第一电极、发光层和第二电极；多个第一电极相互连接形成面状的第一电极层，第一电极层由显示区延伸到非显示区；阵列层包括位于非显示区的驱动电路；屏蔽结构位于非显示区；屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在衬底的正投影部分交叠；屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层位于非显示区的部分在衬底的正投影的合集覆盖周边电路在衬底的正投影。在屏蔽结构相当于将非显示区内具有恒定电位的结构向靠近面板边缘的方向加长，屏蔽结构能够消散显示面板边缘的电荷，防止静电电荷对周边电路中晶体管的沟道产生影响。

Description

显示面板和电子设备

技术领域

本申请属于显示技术领域，更具体的涉及一种显示面板和电子设备。

背景技术

有机发光二极管(OLED)由于其低功耗、高对比度、广色域、高响应速度、以及自发光等特性，成为新一代主流的显示技术。而且由于其自发光特性能够制作薄型化的显示面板，使得折叠、卷曲等柔性产品的制作成为可能。现有的产品在外加电场的影响下存在闪屏、灰斑或者发绿等显示不良的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种显示面板和电子设备，以解决在外加电场作用下显示不良的问题，提升显示性能可靠性。

第一方面，本申请一实施例提供一种显示面板，显示面板包括：

衬底；

显示层，位于衬底的一侧；显示层包括多个发光器件，每个发光器件包括堆叠设置的第一电极、发光层和第二电极；多个第一电极相互连接形成第一电极层，第一电极层由显示区延伸到非显示区；

阵列层，位于衬底和显示层之间；阵列层包括位于非显示区的周边电路；

屏蔽结构，屏蔽结构位于非显示区；屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在衬底的正投影部分交叠；且，屏蔽结构在衬底的正投影为第一投影，第一电极层位于非显示区的部分在衬底的正投影为第二投影，第一投影和第二投影的合集覆盖周边电路在衬底的正投影。

在一种实施例中，周边电路包括栅极驱动电路，第一投影和第二投影的合集覆盖栅极驱动电路在衬底的正投影。在另一种实施例中，周边电路包括栅极驱动电路和发光驱动电路，第一投影和第二投影的合集覆盖栅极驱动电路和发光驱动电路在衬底的正投影。

本申请实施例提供的显示面板在非显示区设置有屏蔽结构，屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在非显示区内的部分在衬底的正投影部分交叠。显示面板显示时在第一电极层上通常会施加一定的电压，而在屏蔽结构上也接通一定电压之后，相当于将非显示区内具有恒定电压电位的结构向靠近显示面板边缘的方向加长，则屏蔽结构会对显示面板边缘的电势产生较大影响。设置屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在非显示区中的部分的正投影的合集覆盖周边电路在衬底的正投影，则屏蔽结构接通一定电压之后能够用于消散显示面板边缘的电荷，防止静电电荷对周边电路中晶体管的沟道产生影响。本申请实施例中屏蔽结构能够起到静电屏蔽作用，降低周边电路中晶体管由于静电导致特性偏移进而引起电路失效的风险，从而降低在外加电场作用下显示不良的风险。

在一些实施方式中，周边电路包括多个晶体管，晶体管包括沟道；屏蔽结构位于沟道的远离衬底的一侧。本申请实施例将屏蔽结构设置在沟道的远离衬底的一侧，在显示面板产生的静电电荷由显示面向背面膜材传导时，在传递到屏蔽结构之后就首先被屏蔽结构疏散，从而能够阻断了静电向背面膜材的传导，以防止静电对周边电路中晶体管特性产生影响。

在另一些实施方式中，屏蔽结构与第二电极位于同一层。

在另一些实施方式中，屏蔽结构包括第一屏蔽层和第二屏蔽层；第一屏蔽层的靠近显示区的一端在衬底的正投影与第一电极层在衬底的正投影部分交叠；第一屏蔽层的远离显示区的一端在衬底的正投影与第二屏蔽层在衬底的正投影交叠、且第一屏蔽层与第二屏蔽层通过过孔相连接。该实施方式中，两层屏蔽层共同组成屏蔽结构，第二屏蔽层相对于第一屏蔽层远离显示区。在采用显示面板中现有的膜层制作屏蔽层时，能够通过对第一屏蔽层和第二屏蔽层分别所在的膜层位置进行设计，以对非显示区中现有的电路进行避让。

在一些实施方式中，第一屏蔽层与第二电极位于同一层，第二屏蔽层位于阵列层中距离显示层最近的金属层中。该实施方式中，第一屏蔽层和第二屏蔽层均复用显示面板中原有的膜层制作，不增加新的工艺制程。首先设置第一屏蔽层与第一电极层的边缘交叠，第一屏蔽层向远离显示区的方向延伸后与位于阵列层中的第二屏蔽层交叠且电连接。第一屏蔽层与第二电极位于同一层，则第一屏蔽层的设置不会影响阵列层中正常的电路布线。

在一些实施方式中，屏蔽结构位于沟道的靠近衬底的一侧。在显示面板应用过程中，背面膜材感生出电荷能够被屏蔽结构疏散，从而能够阻断了静电向沟道所在膜层的传导，以防止静电对周边电路中晶体管特性产生影响。

在一些实施方式中，显示面板还包括位于显示区的遮光层，屏蔽结构与遮光层位于同一层。屏蔽结构能够与遮光层在同一工艺制程中制作，屏蔽结构的制作不增加新的工艺制程，工艺简单。

显示面板还包括位于非显示区的电压端子，屏蔽结构与电压端子电连接。电压端子复用为接地端子或者复用为向第一电极层提供电压的电压端子。

第二方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括本申请任意实施例提供的显示面板。

本申请提供的显示面板和电子设备，具有如下有益效果：在显示面板的非显示区设置有屏蔽结构，屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在非显示区内的部分在衬底的正投影部分交叠。显示面板显示时在第一电极层上通常会施加一定的电压，而在屏蔽结构上也接通一定电压之后，相当于将非显示区内具有恒定电压电位的结构向靠近显示面板边缘的方向加长，则屏蔽结构会对显示面板边缘的电势产生较大影响。设置屏蔽结构在衬底的正投影与第一电极层在非显示区中的部分的正投影的合集覆盖驱动电路在衬底的正投影，则屏蔽结构接通一定电压之后能够用于消散显示面板边缘的电荷，防止静电电荷对周边电路中晶体管的沟道产生影响。本申请实施例中屏蔽结构能够起到静电屏蔽作用，降低周边电路中晶体管由于静电导致特性偏移进而引起电路失效的风险，从而降低在外加电场作用下显示不良的风险。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种显示面板示意图；

图2为图1中切线A-A＇位置处一种截面示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图4为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图；

图5为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图；

图6为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图；

图7为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；

图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图；

图10为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部俯视示意图；

图11为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图；

图12为本申请实施例提供的电子设备示意图。

具体实施方式

本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

在现有技术中，在显示面板的表面设置有抗指纹涂层，抗指纹涂层含有较高浓度的氟元素，导致电子产品在使用过程中会由于摩擦积累负电荷，进而使得显示面板的背面膜材感生出电荷。又由于晶体管沟道所在膜层距背面膜材距离较近，则背面膜材中的电荷会导致周边电路中晶体管的特性出现偏移，进而影响周边电路对发光二极管的驱动性能，导致显示失效。基于此，本申请实施例提供一种显示面板，在非显示区设置屏蔽结构，利用屏蔽结构消散静电电荷，以解决静电无法及时消散导致的周边电路失效的问题。

图1为本申请一实施例提供的一种显示面板示意图，图2为图1中切线A-A＇位置处一种截面示意图。

如图1所示，显示面板包括显示区1和围绕显示区1的非显示区2，在非显示区2还设置有绑定区3，在绑定区3设置有多个连接端子(图1中未示出)。在一种实施例中，显示面板的非显示区2上设置有驱动芯片，则连接端子与驱动芯片上的引脚一一对应连接。在另一种实施例中，显示面板的非显示区2上固定有柔性电路板，则连接端子与柔性电路板上的引脚一一对应连接。

如图2所示，显示面板包括衬底10、阵列层20和显示层30。可选的，衬底10为柔性衬底，比如PI(聚酰亚胺)衬底。

显示层30位于衬底10的一侧。显示层30可以包括像素定义层31和多个发光器件32，每个发光器件32包括堆叠的第一电极321、发光层322和第二电极323，其中，第一电极321位于第二电极323的远离衬底10的一侧。在一种实施例中，发光器件32为有机发光二极管；在另一种实施例中，发光器件32为无机发光二极管。多个第一电极321相互连接形成第一电极层34，第一电极层34由显示区1延伸到非显示区2。也就是说，第一电极层34为覆盖显示区1并延伸到非显示区2的一整层结构，其中，第一电极层34相当于公共电极层。在一种实施例中，第一电极321为阴极，第二电极323为阳极，则第一电极层34为阴极层。

阵列层20位于衬底10和显示层30之间，阵列层20包括位于非显示区2的周边电路21，还包括位于显示区1的像素电路22，像素电路22与发光器件32电连接。像素电路22的输出端与发光器件32的第二电极323电连接。像素电路22向第二电极323提供电压信号，同时在第一电极321上施加公共电压信号，则在第一电极321和第二电极323的控制下使得发光器件32发光。图2中像素电路22仅做简化示意。

周边电路21包括多个晶体管23，晶体管23包括沟道24，晶体管23包括栅极、源极和漏极，其中，源极和漏极之间的导电半导体即为沟道24。在一些实施例中，阵列层20还可以包括位于衬底10之上的半导体层25，沟道24位于半导体层25。在显示面板制作时，制作出图案化的半导体层25之后，在预设形成沟道的区域采用沟道掺杂技术注入离子，以最终形成沟道24。

像素电路22的工作周期至少包括数据写入阶段和发光阶段，在数据写入阶段将数据线上提供的数据信号写入到像素电路22中驱动晶体管的栅极；在发光阶段，驱动晶体管在其栅极电压的控制下产生驱动电流。

在另一些实施例中，周边电路21还可以包括栅极驱动电路，栅极驱动电路包括级联的多个第一移位寄存器，显示面板还包括多条扫描线，扫描线与第一移位寄存器的输出端电连接，像素电路22包括扫描控制端，扫描控制端与扫描线电连接。级联的多个第一移位寄存器依次向多条扫描线提供扫描信号，再通过扫描线向扫描控制端输入扫描信号、以控制像素电路22工作在数据写入阶段。

在另一种实施例中，周边电路21还包括栅极驱动电路和发光驱动电路，发光驱动电路包括级联的多个第二移位寄存器，显示面板还包括多条发光控制线，发光控制线与第二移位寄存器的输出端电连接，像素电路22还包括发光控制端，发光控制端与发光控制线电连接。级联的多个第二移位寄存器依次向多条发光控制线提供发光控制信号，再通过发光控制线将发光控制信号提供给发光控制端、以控制像素电路22工作在发光阶段。在栅极驱动电路和发光驱动电路的配合控制下，像素电路22的输出端向第二电极323提供电压信号。

在一些实施例中，如图2所示的，显示面板还可以包括封装层50，封装层50用于对发光器件32进行封装保护。在一些实施例中，封装层50可以包括堆叠的第一无机层51、有机层52和第二无机层53。图2中还示出了位于非显示区2的挡墙33，挡墙33用于限定封装层50的边缘，并能够防止封装层50的边缘裂纹向显示区传递。在一些实施例中，在非显示区2还可以设置有裂纹检测线、裂纹挡墙等结构。其中，裂纹检测线用于在显示面板出厂之前对非显示区的裂纹情况进行检测。裂纹挡墙用于对非显示区2内的裂纹进行阻挡，防止裂纹向显示区1内延伸。

在另一些实施例中，如图2所示，显示面板还可以包括屏蔽结构40，屏蔽结构40位于非显示区2。由图2中圈出的区域Q位置可以看出，在垂直于衬底10所在平面的方向e上，屏蔽结构40与第一电极层34的边缘至少部分交叠。图2中示意了垂直于衬底10的方向e，可以理解垂直于衬底10所在平面的方向e与向衬底10做正投影的投影方向相同。屏蔽结构40与第一电极层34的边缘交叠，也就是说，屏蔽结构40在衬底10的正投影与第一电极层34在衬底10的正投影部分重合。

图2中简化出了周边电路21所在位置，屏蔽结构40在衬底10的正投影为第一投影，第一电极层34在非显示区2的部分在衬底10的正投影为第二投影，可以看出第一投影和第二投影的合集覆盖周边电路21在衬底10的正投影。

在一种实施例中，图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图，如图3中示意出了位于显示区1的像素电路22、位于非显示区2的栅极驱动电路211和发光驱动电路212。栅极驱动电路211包括级联的多个第一移位寄存器71，发光驱动电路212包括级联的多个第二移位寄存器72。像素电路22通过扫描线73与第一移位寄存器71连接，像素电路22还通过发光控制线74与第二移位寄存器72连接。第一电极层34由显示区1延伸到非显示区2。屏蔽结构40在衬底10的正投影与第一电极层34位于非显示区2的部分在衬底的正投影的合集，覆盖栅极驱动电路211在衬底10的正投影。

在另一种实施例中，图4为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部简化示意图，如图4所示，屏蔽结构40在衬底10的正投影与第一电极层34位于非显示区2的部分在衬底的正投影的合集、覆盖栅极驱动电路211在衬底10的正投影以及发光驱动电路212在衬底10的正投影。

本申请上述实施例提供的显示面板在非显示区设置有屏蔽结构40，屏蔽结构40在衬底10的正投影与第一电极层34在非显示区2的部分在衬底10的正投影交叠。显示面板显示时在第一电极层34上通常会施加一定的电压，在屏蔽结构40上也接通一定电压之后(其中，可以将屏蔽结构40接地，或者设置屏蔽结构40与第一电极层34连接相同电压信号)，相当于将非显示区2内具有恒定电压电位的结构向靠近显示面板边缘的方向加长，则屏蔽结构40会对显示面板边缘的电势产生较大影响。设置屏蔽结构40在衬底10的正投影与第一电极层34在非显示区2中的部分的正投影的合集覆盖周边电路21在衬底10的正投影，则屏蔽结构40接通一定电压之后能够用于消散显示面板边缘的电荷，防止静电电荷对周边电路21中晶体管的沟道产生影响。本申请实施例中屏蔽结构40能够起到静电屏蔽作用，降低周边电路中晶体管由于静电导致特性偏移进而引起电路失效的风险，从而降低在外加电场作用下显示不良的风险。

在本申请另一些实施例中，屏蔽结构40可以位于衬底10和第一电极层34之间。则屏蔽结构40在显示面板的封装层50的工艺之前制作，屏蔽结构40能够复用阵列层20或者显示层30中的工艺制程制作。而且向屏蔽结构40提供电压的电压端子通常设置在阵列层20，将屏蔽结构40设置在衬底10和第一电极层34之间，屏蔽结构40和向其提供电压的电压端子之间的连接更容易实现。

在另一些实施方式中，在封装层50之上还可以设置有偏光层、保护层、抗指纹层、防眩光层等膜层。

如图2所示的，屏蔽结构40位于沟道24的远离衬底10的一侧。在显示面板应用过程中，由于摩擦会在显示面板的显示面一侧产生负电电荷，其中，显示面也即出光表面。在显示面一侧产生的负电进而会导致显示面板的背面膜材感生出电荷。而晶体管的沟道相比于其他电路结构更加靠近衬底10(即显示面板的背面一侧)，本申请实施例将屏蔽结构40设置在沟道24的远离衬底10的一侧，在显示面板产生的静电电荷由显示面向背面膜材传导时，在传递到屏蔽结构40之后就首先被屏蔽结构40疏散，从而能够阻断了静电向背面膜材的传导，以防止静电对周边电路中晶体管特性产生影响。

如图2所示的，屏蔽结构40包括第一屏蔽层41和第二屏蔽层42；在垂直于衬底10所在平面方向e上，第一屏蔽层41的靠近显示区1的一端与第一电极层34的边缘交叠；第一屏蔽层41的远离显示区1的一端与第二屏蔽层42交叠。换句话说，第一屏蔽层41的靠近显示区1的一端在衬底10的正投影与第一电极层34在衬底10的正投影交叠，第一屏蔽层41的远离显示区1的一端在衬底10的正投影与第二屏蔽层42在衬底10的正投影交叠。并且第一屏蔽层41与第二屏蔽层42通过过孔相连接。在屏蔽结构40上通入一定电压之后，第一屏蔽层41和第二屏蔽层42上具有相同电位。该实施方式中，两层屏蔽层共同组成屏蔽结构40，第二屏蔽层42相对于第一屏蔽层41远离显示区1。在采用显示面板中现有的膜层制作屏蔽层时，能够通过对第一屏蔽层41和第二屏蔽层42分别所在的膜层位置进行设计，以对非显示区中现有的周边电路进行避让。

在一些实施方式中，第一屏蔽层41与第二电极323位于同一层，第二屏蔽层42位于阵列层20中距离显示层30最近的金属层中。该实施方式中，第一屏蔽层41和第二屏蔽层42均复用显示面板中原有的膜层制作，不增加新的工艺制程。在非显示区2设置有公共电压总线、周边电路21等结构。阵列层20中的金属层用于制作显示区1内的像素电路，还用于制作非显示区2的周边电路。其中，公共电压总线与第一电极层34电连接，用于给第一电极层34提供电压信号。在复用显示面板中原有的膜层制作屏蔽结构40时，为了保证在垂直于衬底10所在平面方向e上屏蔽结构40与第一电极层34的边缘交叠，如果单独使用阵列层20中的金属层制作屏蔽结构40，可能会影响非显示区2中的正常布线。本申请实施例中，首先设置第一屏蔽层41与第一电极层34的边缘交叠，第一屏蔽层41向远离显示区1的方向延伸后与位于阵列层20中的第二屏蔽层42交叠且电连接。第一屏蔽层41的设置不会影响阵列层20中正常的电路布线。

在一些实施例中，如图2所示，显示面板包括位于衬底10之上依次远离衬底10的半导体层25、第一金属层26、第二金属层27、第三金属层28和第四金属层29。其中，第四金属层29为该实施例中距显示层30最近的金属层。可选的，第二屏蔽层42位于第四金属层29中。

在另一些实施例中，像素电路22还可以包括存储电容，如图2所示，存储电容80的一个极板位于第一金属层26，另一个极板位于第二金属层27。显示面板中还包括扫描线、数据线、发光控制线、电源线等。其中，扫描线与栅极驱动电路电连接，发光控制线与发光驱动电路电连接。扫描线、数据线、发光控制线、电源线分别在四个金属层中进行布线。在一种实施例中，扫描线位于第一金属层26、发光控制线位于第二金属层27、数据线和电源线位于第三金属层28，在第四金属层29中还设置有辅助电源线，辅助电源线与电源线并联连接，以降低电源线上的压降。

在一些实施例中，第一金属层26和第二金属层27采用相同材料制作，第一金属层26和第二金属层27的制作材料包括钼。在一些实施例中，第三金属层28的制作材料包括钛和铝，在一种实施例中第三金属层28为钛/铝/钛三层结构。在另一些实施例中，第四金属层29和第三金属层28采用相同材料制作。

另外，本申请实施例中封装层50在衬底10的正投影覆盖第一屏蔽层41在衬底10的正投影，第一屏蔽层41与发光器件32中的第二电极323位于同一层。如此设置能够保证第一屏蔽层41被封装层50覆盖，避免第一屏蔽层41裸露在外引起不良。

在另一种实施例中，图5为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图。如图5所示，屏蔽结构40与第二电极323位于同一层。

在另一种实施例中，图6为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图。如图6所示，显示面板包括位于衬底10之上依次远离衬底10的半导体层25、第一金属层26、第二金属层27、第三金属层28。屏蔽结构40与发光器件32中的第二电极323位于同一层。该实施方式中，晶体管的沟道24位于半导体层25；存储电容80的一个极板位于第一金属层26，另一个极板位于第二金属层27；扫描线位于第一金属层26、发光控制线位于第二金属层27、数据线和电源线位于第三金属层28。

在一些实施方式中，图7为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图。如图7所示，在垂直于衬底10所在平面的方向e上屏蔽结构40与第一电极层34的边缘交叠，屏蔽结构40位于沟道24的靠近衬底10的一侧。在显示面板应用过程中，背面膜材感生出电荷能够被屏蔽结构40疏散，从而能够阻断了静电向沟道所在膜层的传导，以防止静电对周边电路中晶体管特性产生影响。

如图7所示的，在衬底10和阵列层20之间还设置有阻隔层11和缓冲层12，其中，阻隔层11位于缓冲层12的靠近衬底10的一侧。在一种实施例中，屏蔽结构40位于阻隔层11和缓冲层12之间。在另一种实施例中，屏蔽结构40位于衬底10和阻隔层11之间。在另一种实施例中，显示面板包括两层阻隔层，屏蔽结构40位于两层阻隔层之间。

如图7所示的，显示面板还包括位于显示区1的遮光层13，遮光层13的衬底10的正投影覆盖显示区1内晶体管的沟道的衬底10的正投影。

在一种实施例中，屏蔽结构40与遮光层13位于同一层。也就是说，屏蔽结构40能够与遮光层13在同一工艺制程中制作，屏蔽结构的制作不增加新的工艺制程，工艺简单。

另外，图7实施例中以阵列层20包括四个金属层进行示意(可参见图2中相关说明)。在另一种实施例中，阵列层20包括如图6中示意的三个金属层，且屏蔽结构40位于沟道24的靠近衬底10的一侧，在此不再附图示意。

在一些实施例方式中，如图7所示的，屏蔽结构40的远离显示区1一侧的边缘距显示面板的边缘之间的间距为d。d≠0，d介于几微米至几十微米之间。在显示面板的侧面边缘不会暴露屏蔽结构40，避免侧面边缘暴露导电结构引起不良。

在一些实施例方式中，屏蔽结构40的远离显示区1一侧的边缘与显示面板的边缘基本平齐，在此不再附图示意。

在一种实施例中，图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，如图8所示，第一电极层34由显示区1延伸到非显示区2，屏蔽结构40设置在显示区1的两侧，屏蔽结构40与第一电极层34在非显示区2的至少部分边缘交叠。

在另一种实施例中，图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的俯视示意图，如图9所示，第一电极层34由显示区1延伸到非显示区2，屏蔽结构40半环绕显示区1设置，屏蔽结构40与第一电极层34在非显示区2的至少部分边缘交叠。

图9中还示意出了位于绑定区3的多个连接端子，连接端子中至少包括一个电压端子4，屏蔽结构40与电压端子4电连接。图9中示意屏蔽结构40通过显示面板上的连接线连接到电压端子4。在应用中显示面板上设置有驱动芯片或者柔性电路板，则通过驱动芯片或者柔性电路板向电压端子4提供一定的电压信号，进而将屏蔽结构40接通一定电压。其中，屏蔽结构40接通的电压信号的电压值可以根据具体需求进行设定。

在一些实施方式中，电压端子4复用为接地端子或者复用为向第一电极层34提供电压的电压端子。

在一种实施例中，图10为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部俯视示意图，如图10所示，非显示区2还设置有公共电压总线5，公共电压总线5与第一电极层34电连接用于给第一电极层34提供电压信号。其中，公共电压总线5延伸到绑定区3与电压端子4电连接。屏蔽结构40通过连接线6连接到公共电压总线5，实现屏蔽结构40连接到电压端子4。该实施方式中，屏蔽结构40与第一电极层34上具有相同的电位。

本申请中对于公共电压总线5所在的膜层位置、以及公共电压总线5与周边电路21之间的相关位置均不做限定。在非显示区2的电路布线也相对复杂，用于连接屏蔽结构40与公共电压总线5的连接线6在设计时可能需要会对现有的电路布线进行避让，具体的，可根据公共电压总线5所在的膜层位置、屏蔽结构40所在膜层位置、以及周围相关电路布线情况对连接线6进行设计。

可选的，本申请实施例中屏蔽结构的制作材料包括金属材料、金属氧化物、或者包括金属合金。其中，金属材料包括钼、钛、铝、镉等金属中任意一种或多种，金属氧化物比如为铟锡氧化物。

在一些实施方式中，屏蔽结构的制作材料也可以为具有一定导电性能的有机聚合物材料。

在另一种实施例中，图11为图1中切线A-A＇位置处另一种截面示意图。如图11所示，显示面板还包括位于衬底10远离阵列层20一侧的支撑层60和散热层70。其中，支撑层60用于在显示面板的背面对整体的结构层进行支撑保护，保证显示面板背面一侧的抗冲击性能。散热层70能够起到散热作用，避免显示面板工作时温度过高导致元器件工作异常。在一些实施方式中，散热层70包括铜箔层和泡棉。

本申请实施例还提供一种电子设备，图12为本申请实施例提供的电子设备示意图，如图12所示，电子设备包括本申请任意实施例提供的显示面板100。对于显示面板100的结构已经在上述显示面板实施例中进行说明，在此不再赘述。本申请实施例提供的电子设备可以为手机、平板、笔记本电脑、电视、智能穿戴设备等电子设备。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底；

显示层，位于所述衬底的一侧；所述显示层包括多个发光器件，每个所述发光器件包括堆叠设置的第一电极、发光层和第二电极；多个所述第一电极相互连接形成第一电极层，所述第一电极层由显示区延伸到非显示区；

阵列层，位于所述衬底和所述显示层之间；所述阵列层包括位于所述非显示区的周边电路；

屏蔽结构，所述屏蔽结构位于所述非显示区；所述屏蔽结构在所述衬底的正投影与所述第一电极层在所述衬底的正投影部分交叠；且，所述屏蔽结构在所述衬底的正投影为第一投影，所述第一电极层位于所述非显示区的部分在所述衬底的正投影为第二投影，所述第一投影和所述第二投影的合集覆盖所述周边电路在所述衬底的正投影。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述周边电路包括多个晶体管，所述晶体管包括沟道；

所述屏蔽结构位于所述沟道的远离所述衬底的一侧。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述屏蔽结构与所述第二电极位于同一层。

4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述屏蔽结构包括第一屏蔽层和第二屏蔽层；

所述第一屏蔽层的靠近所述显示区的一端在所述衬底的正投影与所述第一电极层在所述衬底的正投影部分交叠；所述第一屏蔽层的远离所述显示区的一端在所述衬底的正投影与所述第二屏蔽层在所述衬底的正投影交叠；且所述第一屏蔽层与所述第二屏蔽层通过过孔相连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

所述第一屏蔽层与所述第二电极位于同一层，

所述第二屏蔽层位于所述阵列层中距离所述显示层最近的金属层中。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述周边电路包括多个晶体管，所述晶体管包括沟道；

所述屏蔽结构位于所述沟道的靠近所述衬底的一侧。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括位于所述显示区的遮光层，所述屏蔽结构与所述遮光层位于同一层。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述显示面板还包括位于所述非显示区的电压端子，所述屏蔽结构与所述电压端子电连接。

9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，

所述电压端子复用为接地端子或者复用为向所述第一电极层提供电压的电压端子。

10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的显示面板。

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