CN112768497A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述阵列基板包括：基底；第一遮光导电层，设于所述基底上；第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光显示(Organic Light-Emitting Diode,OLED))设备为自发光型显示设备，OLED设备包括多个有机发光器件，每一有机发光器件包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。其中，分别通过阴极和阳极实现对有机发光层的电子注入和空穴注入，通过空穴和电子在有机发光层中复合以产生激子，这些激子从激发态跃迁到基态，从而生成光。
作为自发光型显示设备，OLED设备不需要单独的光源，因此，OLED设备可以以低电压驱动，并且更易制作为轻薄化的外形；此外，OLED设备具有宽视角、高对比度和灵敏的响应速度等优势，故而OLED设备被广泛应用于多种领域，如智能移动终端、电视机、电脑、可折叠或可卷曲显示设备等。
目前，大部分的OLED设备采用的是LTPS(Low Temperature Poly-silicon低温多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)的面板技术。在经历过去数年的改良，LTPS显示面板拥有高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，使其成为了当今市面上最成熟和主流的TFT面板技术方案。虽然LTPS显示面板尽管受到了市场欢迎，但其具有生产成本较高、所需功耗较大的劣势。
因此，技术人员开发出来了LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板技术，即将LTPS显示面板技术和Oxide显示面板技术相结合得到的LTPO显示面板。
LTPO显示面板包含LTPS和IGZO两组TFT器件结构，该制程存在制程复杂且光罩数量多的问题。同时，薄膜晶体管器件(TFT)下方的有机膜层、无机膜层均会存在一定的移动电荷，该移动电荷受薄膜晶体管器件(TFT)电流等驱动的作用，会反向影响器件的正常工作，从而会使TFT器件电学性能恶化，对TFT信赖性及光学评价等项目造成不良影响。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，以解决薄膜晶体管器件下方的有机膜层、无机膜层存在的移动电荷，会影响薄膜晶体管器件的电学性、信赖性、光学性能的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基底；第一遮光导电层，设于所述基底上；第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
进一步地，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。
进一步地，所述的阵列基板还包括：屏蔽层，设于所述交叠区，其中，一源漏极走线通过所述屏蔽层电连接至所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
进一步地，所述第一有源层为LTPS，所述第二有源层为IGZO。
进一步地，所述的阵列基板还包括：缓冲层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述基底上；所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；第一栅极绝缘层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述缓冲层上；第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且正对于所述第一遮光导电层；第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层且设于所述第一栅极绝缘层上；所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上且正对于所述第二遮光导电层；第三栅极绝缘层，覆盖所述第二有源层且设于所述第二栅极绝缘层上；第二栅极层，设于所述第三栅极绝缘层上，具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；介电层，覆盖所述第二栅极层且设于所述第三栅极绝缘层上；通孔，从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；其中，所述屏障层填充所述通孔；所述源漏极层设于所述介电层上，且连接至所述第一有源层和所述第二有源层。
进一步地，所述的阵列基板还包括：钝化层，覆盖所述源漏极层且设于所述介电层上。
为实现上述目的，本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括如下步骤：提供一基底；形成第一遮光导电层于所述基底上；形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方；形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方；形成源漏电极层于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
进一步地，形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方的步骤包括：形成缓冲层于所述基底上且覆盖所述第一遮光导电层，所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方的步骤包括：形成第一栅极绝缘层于所述缓冲层上且覆盖所述第一遮光导电层；形成第一栅极层和所述第二遮光导电层于所述第一栅极绝缘层上，其中所述第一栅极层正对于所述第一遮光导电层；形成第二栅极绝缘层于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层；形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方的步骤包括：形成所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二有源层正对于所述第二遮光导电层；形成第三栅极绝缘层于所述第二栅极绝缘层上，所述第三栅极绝缘层覆盖所述第二有源层；形成源漏电极层于所述第二有源层的上方的步骤包括：形成第二栅极层于所述第三栅极绝缘层上，所述第二栅极层具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；形成介电层于所述第三栅极绝缘层上，所述介电层覆盖所述第二栅极层；形成通孔，所述通孔从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；形成所述屏障层与所述通孔内；形成源漏极通孔，所述源漏极通孔贯穿至所述第一有源层和所述第二有源层表面；以及形成所述源漏极层于所述介电层上，且填充所述源漏极通孔连接至所述第一有源层和所述第二有源层。
进一步地，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板，包括前文所述的阵列基板。
本发明的技术效果在于，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，所述显示面板为LTPO结构，所述第一栅极层与所述第二遮光导电层同层设置，且通过在通过所述屏蔽层将所述源漏极层与所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层以及所述第二遮光导电层实现电连接。既可以减少光罩的数量，也可对薄膜晶体管下方和侧面的移动电荷起到完美的屏蔽作用，在保持薄膜晶体管优异电学特性的同时，明显改善薄膜晶体管(TFT)的信赖性，从而实现性能优异的柔性显示屏幕。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
1000显示面板； 100第一基板；
200第二基板； 101基底；
102第一遮光导电层； 103缓冲层；
104第一有源层； 105第一栅极绝缘层；
106第一栅极层； 107第二遮光导电层；
108第二栅极绝缘层； 109第二有源层；
110第三栅极绝缘层； 111第二栅极层；
112介电层； 113屏障层；
114源漏极层； 115钝化层；
116平坦层； 117阳极；
118像素定义层； 119支撑层；
201OLED器件； 202阴极；
203薄膜封装层； 204触控层；
205偏光层； 206盖板玻璃；
1011第一柔性层； 1012第一阻隔层；
1013第二柔性层； 1014第二阻隔层；
114a第一源漏极走线； 114b第二源漏极走线；
114c第三源漏极走线； 114d第四源漏极走线；
1130通孔； 10重合区；
20凹槽。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
如图1所示，图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
本实施例提供一种显示面板1000包括相对设置的第一基板100和第二基板200。
具体的，所述第一基板100为阵列基板，其包括基底101、第一遮光导电层102、缓冲层103、第一有源层104、第一栅极绝缘层105、第一栅极层106、第二遮光导电层107、第二栅极绝缘层108、第二有源层109、第三栅极绝缘层110、第二栅极层111、介电层112、屏障层113、源漏极层114、钝化层115、平坦层116、阳极117、像素定义层118以及支撑层119。
基底101包括第一柔性层1011、第一阻隔层1012、第二柔性层1013以及第二阻隔层1014。其中，所述第一柔性层1011和所述第二柔性层1013所用的材料包括但不限于聚酰亚胺等有机材料；所述第一阻隔层1012和所述第二阻隔层1014所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述第一遮光导电层102设于所述基底101上。所述第一遮光导电层102所用的材料包括但不限于金属材料、石墨烯。
所述缓冲层103覆盖所述第一遮光导电层102且设于所述基底101上。所述缓冲层103所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述第一有源层104设于所述第一遮光导电层102上方。具体的，所述第一有源层104设于所述缓冲层103上且正对于所述第一遮光导电层102，所述第一有源层104为LTPS。
所述第一栅极绝缘层105覆盖所述第一遮光导电层102且设于所述缓冲层103上。所述第一栅极绝缘层105所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述第一栅极层106设于所述第一栅极绝缘层105上且正对于所述第一遮光导电层102。所述第一栅极层106可以为透明电极也可以为金属电极，在此不作限定。
所述第二遮光导电层107设于所述第一有源层104的上方，且与所述第一有源层104错位设置。具体的，所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107同层设置，即所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107可以通过一张光罩在同一层上形成，在实际工艺制程中，有利于节省光罩的数量。所述第二遮光导电层107在所述基底101上的投影与所述第一遮光导电层102的在所述基底101上的投影部分重合，形成有重合区10。所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107所用的材料相同或者不同，在此不做特别的限定。
所述第二栅极绝缘层108覆盖所述第一栅极层106和所述第二遮光导电层107且设于所述第一栅极绝缘层105上。所述第二栅极绝缘层108所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述第二有源层109设于所述第二遮光导电层107上方。具体的，所述第二有源层109设于所述第三栅极绝缘层110上且正对于所述第二遮光导电层107，所述第二有源层109为IGZO。
所述第三栅极绝缘层110覆盖所述第二有源层109且设于所述第二栅极绝缘层上108。所述第三栅极绝缘层110所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述第二栅极层111设于所述第三栅极绝缘层110上，所述第二栅极层111具有至少两个第二栅极，其中一个所述第二栅极正对于所述第一遮光导电层102，另一个所述第二栅极正对于所述第二遮光导电层107。
所述介电层112覆盖所述第二栅极层111且设于所述第三栅极绝缘层110上。所述介电层112所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
一通孔1130位于所述重合区10，其从所述介电层112依次贯穿所述第三栅极绝缘层110、所述第二栅极绝缘层108、所述第二遮光导电层107、所述第一栅极绝缘层105至所述第一遮光导电层102上表面。所述屏蔽层113设于所述交叠区10，且填充所述通孔1130。所述屏蔽层所用的材料为金属材料，如铜、铁、铝等。
所述源漏电极层114设于所述第二有源层109的上方，所述源漏电极层114中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107。
具体的，所述源漏电极层114设于所述介电层112上。所述源漏电极层114包括第一源漏极走线114a、第二源漏极走线114b、第三源漏极走线114c以及第四源漏极走线114d。其中，所述第一源漏极走线114a连接至所述第一遮光导电层102的一端，所述第二源漏极走线114b连接至所述第一遮光导电层102的另一端。所述第三源漏极走线114c连接至所述第二遮光导电层107的一端，所述第四源漏极走线114d连接至所述第二遮光导电层107的另一端。所述第二源漏极走线114b与第三源漏极走线114c为一体式结构。
在本实施例中，一体式结构的第二源漏极走线114b和第三源漏极走线114c通过所述屏蔽层113电连接至所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107。换句话来说，本实施例利用一个通孔1130形成所述屏蔽层113，且将所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107与所述源漏极层114实现电连接，从而有利于将所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107下方和侧面的所述基底101的电荷实时外导，进而去除电荷对所述阵列基板的影响。
所述钝化层115覆盖所述源漏极层114且设于所述介电层112上。所述钝化层115所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述平坦层116设于所述钝化层115上，其所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
所述阳极117设于所述平坦层116上，且连接至所述源漏极层114。具体的，所述阳极117连接至所述第一源漏极走线114a，其所用的材料包括但不限于金属材料、透明材料(如氧化铟锡)。
所述像素定义层118设于所述平坦层116上且延伸至部分所述阳极117的上表面。
所述支撑层119设于所述像素定义层118上。其中，所述像素定义层118与所述支撑层119、所述阳极117的上表面围成一个凹槽20。
所述第二基板200包括OLED器件201、阴极202、薄膜封装层203、触控层204、偏光层205以及盖板玻璃206。
所述OLED器件201设置于所述凹槽20内且延伸至所述支撑层119的表面。
所述阴极202设于所述OLED器件201上，其所用的材料包括但不限于金属材料、透明材料(如氧化铟锡)。
所述薄膜封装层203设于所述阴极202上，其为有机层与无机层形成的叠层结构。
所述触控层204设于所述薄膜封装层203上，所述触控层204可用于实现指纹识别功能。
所述偏光层205设于所述触控层204上。
所述盖板玻璃206设于所述偏光层205上。
本实施例提供一种阵列基板100，在形成所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107可以采用同一张光罩，有利于减少光罩数量。另外，通过在通过所述屏蔽层113将所述源漏极层114与所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102以及所述第二遮光导电层107实现电连接，从而有利于将所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107下方和侧面的所述基底101的电荷实时外导，进而去除电荷对所述阵列基板的影响，提高所述阵列基板的性能。
本实施例提供一种显示面板1000，其为LTPO结构，所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107同层设置，且通过在通过所述屏蔽层113将所述源漏极层114与所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102以及所述第二遮光导电层107实现电连接。既可以减少光罩的数量，也可对薄膜晶体管下方和侧面的移动电荷起到完美的屏蔽作用，在保持薄膜晶体管优异电学特性的同时，明显改善薄膜晶体管(TFT)的信赖性，从而实现性能优异的柔性显示屏幕。
本实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法包括第一基板和第二基板的工艺制程，其中所述第一基板为阵列基板。
所述阵列基板的制备方法包括如下步骤：提供一基底；形成第一遮光导电层于所述基底上；形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方；形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方；形成源漏电极层于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
具体的，所述阵列基板的制备方法具体包括如下步骤S1)-S18)。
如图1所示，S1)提供一基底101。所述基底101包括第一柔性层1011、第一阻隔层1012、第二柔性层1013以及第二阻隔层1014。其中，所述第一柔性层1011和所述第二柔性层1013所用的材料包括但不限于聚酰亚胺等有机材料；所述第一阻隔层1012和所述第二阻隔层1014所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S2)形成所述第一遮光导电层102设于所述基底101上。所述第一遮光导电层102所用的材料包括但不限于金属材料、石墨烯。
S3)形成所述缓冲层103于所述基底101上，所述缓冲层103覆盖所述第一遮光导电层102。所述缓冲层103所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S3)形成所述第一有源层104于所述缓冲层103上且正对于所述第一遮光导电层102，所述第一有源层104为LTPS。
S4)形成所述第一栅极绝缘层105于所述缓冲层103上，所述第一栅极绝缘层105覆盖所述第一遮光导电层102。所述第一栅极绝缘层105所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S5)形成所述第一栅极层106、所述第二遮光导电层107于所述第一栅极绝缘层105上，所述第一栅极层106正对于所述第一遮光导电层102。具体的，采用一张光罩在所述第一栅极绝缘层105上形成所述第一栅极层106、所述第二遮光导电层107，有利于节省光罩的数量。所述第二遮光导电层107在所述基底101上的投影与所述第一遮光导电层102的在所述基底101上的投影部分重合，形成有重合区10。所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107所用的材料相同或者不同，在此不做特别的限定。
S6)形成所述第二栅极绝缘层108设于所述第一栅极绝缘层105上，所述第二栅极绝缘层108覆盖所述第一栅极层106和所述第二遮光导电层107。所述第二栅极绝缘层108所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S7)形成所述第二有源层109于所述第三栅极绝缘层110上且正对于所述第二遮光导电层107，所述第二有源层109为IGZO。
S8)形成所述第三栅极绝缘层110于所述第二栅极绝缘层上108，所述第三栅极绝缘层110覆盖所述第二有源层109。所述第三栅极绝缘层110所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S9)形成所述第二栅极层111于所述第三栅极绝缘层110上。所述第二栅极层111具有至少两个第二栅极，其中一个所述第二栅极正对于所述第一遮光导电层102，另一个所述第二栅极正对于所述第二遮光导电层107。
S10)形成所述介电层112于所述第三栅极绝缘层110上，所述介电层112覆盖所述第二栅极层108。所述介电层112所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S11)形成一通孔1130于所述重合区10，所述通孔1130从所述介电层112依次贯穿所述第三栅极绝缘层110、所述第二栅极绝缘层108、所述第二遮光导电层107、所述第一栅极绝缘层105至所述第一遮光导电层102上表面。
S12)沉积金属材料于所述通孔1130内形成所述屏蔽层113。所述屏蔽层所用的材料为金属材料，如铜、铁、铝等。
S13)形成所述源漏电极层114设于所述介电层112上。，所述源漏电极层114包括第一源漏极走线114a、第二源漏极走线114b、第三源漏极走线114c以及第四源漏极走线114d。其中，所述第一源漏极走线114连接至所述第一遮光导电层102的一端，所述第二源漏极走线114b连接至所述第一遮光导电层102的另一端。所述第三源漏极走线114c连接至所述第二遮光导电层107的一端，所述第四源漏极走线114d连接至所述第二遮光导电层107的另一端。所述第二源漏极走线114b与第三源漏极走线114c为一体式结构。
在本实施例中，一体式结构的第二源漏极走线114b和第三源漏极走线114c通过所述屏蔽层113电连接至所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107。换句话来说，本实施例利用一个通孔1130形成所述屏蔽层113，且将所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107与所述源漏极层114实现电连接，从而有利于将所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107下方和侧面的所述基底101的电荷实时外导，进而去除电荷对所述阵列基板的影响。
S14)形成所述钝化层115于所述介电层112上且覆盖所述源漏极层114。所述钝化层115所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S15)形成所述平坦层116于所述钝化层115上。所述平坦层116所用的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅等无机材料。
S16)形成所述阳极117于所述平坦层116上，且连接至所述源漏极层114。具体的，所述阳极117连接至所述第一源漏极走线114a，其所用的材料包括但不限于金属材料、透明材料(如氧化铟锡)。
S17)形成所述像素定义层118于所述平坦层116上且延伸至部分所述阳极117的上表面。
S18)形成所述支撑层119于所述像素定义层118上。其中，所述像素定义层118与所述支撑层119、所述阳极117的上表面围成一个凹槽20。
所述第二基板200包括OLED器件201、阴极202、薄膜封装层203、触控层204、偏光层205以及盖板玻璃206。
所述第二基板的制备方法包括如下步骤S201)-S206)。
S201)形成所述OLED器件201于所述凹槽20内且延伸至所述支撑层119的表面。
S202)形成所述阴极202于所述OLED器件201上，其所用的材料包括但不限于金属材料、透明材料(如氧化铟锡)。
S203)形成所述薄膜封装层203于所述阴极202上，其为有机层与无机层形成的叠层结构。
S204)形成所述触控层204于所述薄膜封装层203上，所述触控层204可用于实现指纹识别功能。
S205)形成所述偏光层205于所述触控层204上。
S206)形成所述盖板玻璃206于所述偏光层205上。
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，在形成所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107采用同一张光罩，有利于减少光罩数量。另外，通过在通过所述屏蔽层113将所述源漏极层114与所述第一有源层104、所述第二有源层109、所述第一遮光导电层102以及所述第二遮光导电层107实现电连接，从而有利于将所述第一遮光导电层102和所述第二遮光导电层107下方和侧面的所述基底101的电荷实时外导，进而去除电荷对所述阵列基板的影响，提高所述阵列基板的性能。
本实施例提供一种显示面板1000，其为LTPO结构，所述第一栅极层106与所述第二遮光导电层107同层设置，既可以减少光罩的数量，也可对薄膜晶体管下方和侧面的移动电荷起到完美的屏蔽作用，在保持薄膜晶体管优异电学特性的同时，明显改善薄膜晶体管(TFT)的信赖性，从而实现性能优异的柔性显示屏幕。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基底；
第一遮光导电层，设于所述基底上；
第一有源层，设于所述第一遮光导电层上方；
第二遮光导电层，设于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；
第二有源层，设于所述第二遮光导电层上方；
源漏电极层，设于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
屏蔽层，设于所述交叠区，其中，一源漏极走线通过所述屏蔽层电连接至所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述第一有源层为LTPS，所述第二有源层为IGZO。
5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
缓冲层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述基底上；
所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；
第一栅极绝缘层，覆盖所述第一遮光导电层且设于所述缓冲层上；
第一栅极层，设于所述第一栅极绝缘层上且正对于所述第一遮光导电层；
第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层且设于所述第一栅极绝缘层上；
所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上且正对于所述第二遮光导电层；
第三栅极绝缘层，覆盖所述第二有源层且设于所述第二栅极绝缘层上；
第二栅极层，设于所述第三栅极绝缘层上，具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；
介电层，覆盖所述第二栅极层且设于所述第三栅极绝缘层上；
通孔，从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；
其中，所述屏障层填充所述通孔；
所述源漏极层设于所述介电层上，且连接至所述第一有源层和所述第二有源层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
钝化层，覆盖所述源漏极层且设于所述介电层上。
7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一基底；
形成第一遮光导电层于所述基底上；
形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方；
形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方，且与所述第一有源层错位设置；
形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方；
形成源漏电极层于所述第二有源层的上方，所述源漏电极层中具有源漏极走线，其中一源漏极走线电连接于所述第一有源层、所述第二有源层、所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成第一有源层设于所述第一遮光导电层上方的步骤包括：
形成缓冲层于所述基底上且覆盖所述第一遮光导电层，所述第一有源层设于所述缓冲层上且正对于所述第一遮光导电层；
形成第二遮光导电层于所述第一有源层的上方的步骤包括：
形成第一栅极绝缘层于所述缓冲层上且覆盖所述第一遮光导电层；
形成第一栅极层和所述第二遮光导电层于所述第一栅极绝缘层上，其中所述第一栅极层正对于所述第一遮光导电层；
形成第二栅极绝缘层于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极层和所述第二遮光导电层；
形成第二有源层设于所述第二遮光导电层上方的步骤包括：
形成所述第二有源层设于所述第二栅极绝缘层上，所述第二有源层正对于所述第二遮光导电层；
形成第三栅极绝缘层于所述第二栅极绝缘层上，所述第三栅极绝缘层覆盖所述第二有源层；
形成源漏电极层于所述第二有源层的上方的步骤包括：
形成第二栅极层于所述第三栅极绝缘层上，所述第二栅极层具有至少两个第二栅极，分别正对于所述第一遮光导电层和所述第二遮光导电层；
形成介电层于所述第三栅极绝缘层上，所述介电层覆盖所述第二栅极层；
形成通孔，所述通孔从所述介电层依次贯穿所述第三栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层、所述第二遮光导电层、所述第一栅极绝缘层至所述第一遮光导电层上表面；
形成所述屏障层与所述通孔内；
形成源漏极通孔，所述源漏极通孔贯穿至所述第一有源层和所述第二有源层表面；以及
形成所述源漏极层于所述介电层上，且填充所述源漏极通孔连接至所述第一有源层和所述第二有源层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述第二遮光导电层在所述基底上的投影与所述第一遮光导电层的在所述基底上的投影部分重合，形成有重合区。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
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