CN109273404A - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的像素TFT退火工艺的高温会对掺杂后的周边区的LTPS性能造成不利影响的问题。本发明的阵列基板的制备方法是采用像素区第一有源层的退火工艺借助周边区第二有源层的脱氢工艺中的高温步骤同时进行，这样第一有源层的退火过程不会对第二有源层的性能造成不利影响。本发明的制备方法的工艺操作简单易行，适用于工业中流水线生产。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
显示器件中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)主要有两大类：(1)位于显示(Active Area，AA)区，用于控制液晶偏转，一般称为像素区TFT；(2)位于AA区周边，用于驱动各条栅线，称为周边区TFT。
通常来讲，周边区TFT需要拥有以下特点：高切换速度，高驱动电流，低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)型的TFT更符合其要求；像素区TFT需要拥有以下特点：较低的漏电流，均一性好，氧化物(Oxide)型的TFT更符合其要求。
在普通的OLED/LCD显示器中，通常只采用单一类型的TFT，难以同时满足上述两种不同类型的TFT的特性需求。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：若阵列基板同时包含低温多晶硅型TFT和氧化物型TFT等两种TFT结构，则低温多晶硅型作为周边区TFT使用，氧化物型作为像素区TFT使用，且像素区TFT部分的氧化物型为底栅结构，如图1(图1中的其余结构未标示)所示。虽然该方案可以结合两种TFT的优势，提高OLED/LCD的显示性能，但是存在以下问题：(1)像素区10的TFT结构的第一有源层12采用氧化物(例如铟镓锌氧化物，indium galliumzinc oxide，IGZO)制成，在制作时需要经过退火工艺，而周边区20的TFT结构的第二有源层22由LTPS材料构成，此时已经完成掺杂，第一有源层的退火工艺的高温可能会对掺杂后的LTPS性能造成不利影响，从而降低第二有源层的掺杂效果；(2)像素区TFT采用的是背沟道刻蚀(BCE，Back Channel Etching)型结构，此时源漏极的刻蚀可能会对氧化物有源层的沟道结构产生一定程度的破坏。
发明内容
本发明针对现有的像素TFT退火工艺的高温会对掺杂后的周边区的LTPS性能造成不利影响的问题，提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是：
一种阵列基板的制备方法，包括以下制备步骤：
在衬底上的像素区形成第一薄膜晶体管，包括：
形成第一半导体层，
对所述第一半导体层进行退火工艺以形成第一有源层；
在衬底上的周边区形成第二薄膜晶体管，包括：
形成第二半导体层，
对所述第二半导体层进行脱氢工艺以形成第二有源层；
其中，所述第一半导体层先于所述第二半导体层形成，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
需要说明的是，本发明中“像素区”是指本领域常用的“显示区”。本发明中半导体层并不完全等同于有源层，半导体层是最终形成有源层之前的一个步骤。
优选的是，在形成第一有源层与形成第二有源层的步骤之间还包括形成覆盖所述第一有源层的第二缓冲层的步骤。
优选的是，在衬底上的像素区形成第一有源层之前还包括以下步骤：
在衬底上形成包括第一遮光部和第二遮光部的遮光层，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内；
形成覆盖所述遮光层的第一缓冲层。
优选的是，在形成第二有源层的步骤之后还包括：
形成覆盖所述第二有源层的栅极绝缘层的步骤；
在栅极绝缘层上对应第一有源层、第二有源层的位置处形成第一栅极、第二栅极的步骤；
形成覆盖所述第一栅极和第二栅极的层间介质层的步骤。
优选的是，在形成层间介质层的步骤之后还包括：
在所述层间介质层上对应第一有源层和第二有源层的位置处形成第一源漏极、第二源漏极的步骤；
将所述第一源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层、第二缓冲层的第一过孔与第一有源层连接；将所述第二源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层的第二过孔与第二有源层连接的步骤。
优选的是，所述方法还包括：
在第一源漏极、第二源漏极上依次形成平坦化层、公共电极、钝化层、像素电极的步骤。
优选的是，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
优选的是，所述第一有源层由IGZO构成；所述第二有源层由低温多晶硅构成。
本发明还提供一种阵列基板，包括衬底，还包括设于所述衬底上的位于像素区的第一薄膜晶体管以及位于周边区的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括采用退火工艺形成的第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括采用脱氢工艺形成的第二有源层，其中，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
优选的是，所述第一有源层相较于所述第二有源层更靠近所述衬底设置，所述第一有源层与所述第二有源层之间设有覆盖所述第一有源层的第二缓冲层。
优选的是，所述衬底与第一有源层所在的面之间设有遮光层，所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部；其中，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内。
优选的是，所述阵列基板还包括：
覆盖所述遮光层的第一缓冲层，覆盖所述第一有源层的第二缓冲层，所述第二有源层设于所述第二缓冲层上；
覆盖所述第二有源层的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层远离衬底的一面上对应第一有源层、第二有源层的位置处分别设有的第一栅极、第二栅极；
覆盖所述第一栅极和第二栅极的层间介质层；所述层间介质层上对应第一有源层和第二有源层的位置处分别设有第一源漏极、第二源漏极；所述第一源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层、第二缓冲层的第一过孔与第一有源层连接；所述第二源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层的第二过孔与第二有源层连接；
以及，平坦化层、公共电极、钝化层、像素电极；所述平坦化层覆盖所述第一源漏极、第二源漏极，所述公共电极设于平坦化层上，所述钝化层覆盖所述公共电极，所述像素电极通过钝化层、平坦化层的过孔与所述第一源漏极连接。
本发明还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本发明还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明的阵列基板的制备方法是采用像素区第一有源层的退火工艺借助周边区第二有源层的脱氢工艺中的高温步骤同时进行，这样第一有源层的退火过程不会对第二有源层的性能造成不利影响。本发明的制备方法的工艺操作简单易行，适用于工业中流水线生产。
附图说明
图1为现有的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例1的阵列基板的制备方法流程示意图；
图3、图4为本发明的实施例2的阵列基板的制备方法流程示意图；
图5、图6为本发明的实施例2、实施例3的阵列基板的结构示意图；
其中，附图标记为：10、衬底；11、像素区；12、周边区；21、第一有源层；22、第二有源层；31、第一遮光部；32、第二遮光部；41、第一缓冲层；42、第二缓冲层；50、栅极绝缘层；51、第一栅极；52、第二栅极；60、层间介质层；61、第一源漏极；62、第二源漏极；71、平坦化层；72、公共电极；73、钝化层；74、像素电极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图2所述，包括以下制备步骤：
S1、在衬底上的像素区形成第一薄膜晶体管，包括：
形成第一半导体层，对所述第一半导体层进行退火工艺以形成第一有源层；
S2、在衬底上的周边区形成第二薄膜晶体管，包括：
形成第二半导体层，对所述第二半导体层进行脱氢工艺以形成第二有源层；
其中，所述第一半导体层先于所述第二半导体层形成，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
本实施例的阵列基板的制备方法是采用像素区第一半导体层的退火工艺借助周边区第二半导体层的脱氢工艺中的高温步骤同时进行，这样第一半导体层的退火过程不会对第二半导体层的性能造成不利影响。本实施例的制备方法的工艺操作简单易行，适用于工业中流水线生产。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板的制备方法，如图3-6所示，包括以下制备步骤：
S01a、在衬底10上沉积黑色有机物，或者高反低透金属或合金，如Al、Mo、Cu、Cu/Al合金等以形成厚度为20-200nm的遮光金属层，并进行图案化以形成第一遮光部31和第二遮光部32。
需要说明的是，在像素区11、周边区12对应有源层的位置处均需设置遮光部，这样设计的作用是：当该阵列基板用于显示装置时，各自的遮光部可以遮挡背光源的光，保护有源层，即第二遮光部32保护第二有源层22，第一遮光部31保护第一有源层21。
S01b、沉积一层厚度为20-200nm的SiNx，一层厚度为100-500nm的SiO2，以形成覆盖所述遮光层的第一缓冲层41。具体的，第一缓冲层41可以是多层结构，也可以是单层结构，多层或者单层结构的材料可以选自SiNx或SiO2。
S02a、在第一缓冲层41上沉积厚度为20-200nm的IGZO作为第一半导体层，将第一半导体层图案化，以形成第一薄膜晶体管的第一有源层21。
S02b、形成第二有源层22。
如图3所示，可以在第一缓冲层41上形成第二半导体层，也可以如图4所示，先沉积一层厚度为50-200nm的SiO2，然后再沉积一层厚度为20-200nm的SiNx作为覆盖所述第一有源层21的第二缓冲层42，然后再在第二缓冲层42上与周边区12对应的位置形成第二半导体层；由于第一半导体层的IGZO为敏感材料，容易受到后续工艺的影响，因此较为优选的方式是图4的方式，即在此增加第二缓冲层42的作用是：第二缓冲层42可以充分保护第一半导体层的IGZO。
具体的，形成第二有源层22的步骤包括：先沉积20-200nm a-Si层作为第二半导体层，之后进行脱氢，此时借助脱氢的高温可以完成IGZO的退火过程。更具体的，对a-Si层进行激光晶化(ELA)形成P-Si层，之后对P-Si层进行图案化；对P-Si有源层进行沟道掺杂和离子注入。当然采用气相化学气相沉积或固相晶化等方式形成P-Si层也是可行的。
需要说明的是，所述第一半导体层先于所述第二半导体层形成，先形成第一半导体层的作用是：在对第二半导体层进行高温脱氢的同时完成所述第一半导体层的退火工艺。这样第一半导体层的退火过程不会对第二半导体层的性能造成不利影响，有利保证沟道掺杂效果。具体的，高温脱氢在350-650℃下进行，脱氢时间为20-60min，该工艺中要求H含量小于2％。
S03a、沉积一层厚度为50-200nm的SiO2，一层厚度为20-200nm的SiNx以形成覆盖所述第二有源层22的栅极绝缘层50。
S03b、在栅极绝缘层50上对应第一有源层、第二有源层的位置处形成厚度为50-500nm的第一栅极51、第二栅极52。
具体的，第一栅极51、第二栅极52的材料可以选自Mo或Mo/Nb合金或Mo/Al/Mo合金。
S03c、形成覆盖所述第一栅极51和第二栅极52的层间介质层60。
具体的，层间介质层60包括一层100-500nm厚的SiNx材料，和一层100-500nm厚的SiO2材料。
S04a、在所述层间介质层60上对应第一有源层21和第二有源层22的位置处形成第一源漏极61、第二源漏极62；以及将所述第一源漏极61通过贯穿层间介质层60、栅极绝缘层50、第二缓冲层42的第一过孔与第一有源层21连接；将所述第二源漏极62通过贯穿层间介质层60、栅极绝缘层50的第二过孔与第二有源层22连接。
具体的，形成第一源漏极61、第二源漏极62的材料选自Ti或Al；更具体的，其可以是三层结构，例如，一层厚度为30-300nm的Ti，加一层厚度为100-600nm的Al，加一层厚度为30-300nm的Ti。
S04b、在第一源漏极61、第二源漏极62上依次形成平坦化层71、公共电极72、钝化层73、像素电极74。
具体的，平坦化层71的厚度为500-5000nm，平坦化层71的材料可以选自丙烯酸类树脂；公共电极72的厚度为20-200nm，公共电极72的材料可以选自ITO等透明金属氧化物；钝化层73的厚度为100-400nm；钝化层73的材料可以是SiNx；像素电极74的厚度为20-200nm，公共电极72的材料可以选自ITO等透明金属氧化物。
本实施例的方法是在阵列基板上的像素区11和周边区12分别形成两种TFT，即在周边区12的为低温多晶硅型TFT，在像素区11的为氧化物型TFT，其中，像素区11第一有源层21的退火工艺借助周边区第二有源层22的脱氢工艺中的高温步骤同时进行，这样第一有源层21的退火过程不会对第二有源层22的性能造成不利影响。
实施例3：
本实施例提供一种阵列基板，包括衬底10，还包括设于所述衬底10上的位于像素区11的第一薄膜晶体管以及位于周边区12的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括采用退火工艺形成的第一有源层21，所述第二薄膜晶体管包括采用脱氢工艺形成的第二有源层22，其中，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
本实施例的阵列基板上的像素区11和周边区12分别包括两种TFT，其中，周边区12的为低温多晶硅型TFT，像素区11的为氧化物型TFT，具体的，像素区11第一有源层21的退火工艺借助周边区第二有源层22的脱氢工艺中的高温步骤同时进行，这样第一有源层21的退火过程不会对第二有源层22的性能造成不利影响。
优选的是，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
其中，像素区11的TFT为顶栅型薄膜晶体管，如图5、图6所示，顶栅型薄膜晶体管中IGZO更靠近衬底设置，这样第一有源层21上方的功能层还可以实现对IGZO沟道的保护，避免IGZO在后续刻蚀工艺中受到影响。
优选的是，所述第一有源层21相较于所述第二有源层22更靠近所述衬底10设置，所述第一有源层21与所述第二有源层22之间设有覆盖所述第一有源层21的第二缓冲层42。
其中，第二缓冲层42可以包括两层，一层由厚度为20-200nm的SiNx构成，另一层由厚度为50-200nm的SiO2构成。由于第一有源层21的IGZO为敏感材料，容易受到后续工艺的影响，因此在此增加第二缓冲层42，其作用是：第二缓冲层42可以充分保护第一有源层21的IGZO。
优选的是，所述衬底10与第一有源层21所在的面之间设有遮光层，所述遮光层包括第一遮光部31和第二遮光部32；其中，所述第一有源层21在衬底10上的正投影落入所述第一遮光部31在衬底10上的正投影范围内；所述第二有源层22在衬底10上的正投影落入所述第二遮光部32在衬底10上的正投影范围内。
也就是说，在像素区11、周边区12对应有源层的位置处均需设置遮光部，这样设计的作用是：当该阵列基板用于显示装置时，各自的遮光部可以遮挡背光源的光，保护有源层，即第二遮光部32保护第二有源层22，第一遮光部31保护第一有源层21。具体的，遮光层由黑色有机物，或者高反低透金属/合金等材料构成，例如Al、Mo、Cu、Cu/Al合金等，遮光层的厚度为20-200nm。
优选的是，所述阵列基板还包括：
覆盖所述遮光层的第一缓冲层41，覆盖所述第一有源层21的第二缓冲层42，所述第二有源层22设于所述第二缓冲层42上；
在此给出一种形成第一缓冲层41具体的结构：第一缓冲层41包括两层，一层由厚度为20-200nm的SiNx构成，另一层由厚度为100-500nm的SiO2构成。
覆盖所述第二有源层22的栅极绝缘层50，所述栅极绝缘层50远离衬底10的一面上对应第一有源层、第二有源层的位置处分别设有第一栅极51、第二栅极52；
具体的，栅极绝缘层50包括两层，其中一层由厚度为50-200nm的SiO2构成，另一层由厚度为20-200nm的SiNx构成。第一栅极51、第二栅极52的材料可以选自Mo或Mo/Nb合金或Mo/Al/Mo合金；第一栅极51、第二栅极52的厚度为50-500nm。
覆盖所述第一栅极51和第二栅极52的层间介质层60；所述层间介质层60上对应第一有源层21和第二有源层22的位置处分别设有第一源漏极61、第二源漏极62；所述第一源漏极61通过贯穿层间介质层60、栅极绝缘层50、第二缓冲层42的第一过孔与第一有源层21连接；所述第二源漏极62通过贯穿层间介质层60、栅极绝缘层50的第二过孔与第二有源层22连接；
具体的，层间介质层60包括一层100-500nm厚的SiNx材料，和一层100-500nm厚的SiO2材料。
具体的，构成第一源漏极61、第二源漏极62的材料选自Ti或Al；更具体的，其可以是三层结构，例如，一层厚度为30-300nm的Ti，加一层厚度为100-600nm的Al，加一层厚度为30-300nm的Ti。
以及，平坦化层71、公共电极72、钝化层73、像素电极74；所述平坦化层71覆盖所述第一源漏极61、第二源漏极62，所述公共电极72设于平坦化层71上，所述钝化层73覆盖所述公共电极72，所述像素电极74通过钝化层73、平坦化层71的过孔与所述第一源漏极61连接。
具体的，平坦化层71的厚度为500-5000nm，平坦化层71的材料可以选自丙烯酸类树脂；公共电极72的厚度为20-200nm，公共电极72的材料可以选自ITO等透明金属氧化物；钝化层73的厚度为100-400nm；钝化层73的材料可以是SiNx；像素电极74的厚度为20-200nm，公共电极72的材料可以选自ITO等透明金属氧化物。
显然，上述各实施例的具体实施方式还可进行许多变化；例如：各层的材料可以根据需要进行调整，各层的厚度可以根据需要进行改变。
实施例4：
本发明还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
实施例5：
本实施例提供了一种显示装置，其包括上述任意一种显示面板。所述显示装置可以为：液晶显示面板、电子纸、OLED显示面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
在衬底上的像素区形成第一薄膜晶体管，包括：
形成第一半导体层，
对所述第一半导体层进行退火工艺以形成第一有源层；
在衬底上的周边区形成第二薄膜晶体管，包括：
形成第二半导体层，
对所述第二半导体层进行脱氢工艺以形成第二有源层；
其中，所述第一半导体层先于所述第二半导体层形成，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第一有源层与形成第二有源层的步骤之间还包括形成覆盖所述第一有源层的第二缓冲层的步骤。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在衬底上的像素区形成第一有源层之前还包括以下步骤：
在衬底上形成包括第一遮光部和第二遮光部的遮光层，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内；
形成覆盖所述遮光层的第一缓冲层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成第二有源层的步骤之后还包括：
形成覆盖所述第二有源层的栅极绝缘层的步骤；
在栅极绝缘层上对应第一有源层、第二有源层的位置处形成第一栅极、第二栅极的步骤；
形成覆盖所述第一栅极和第二栅极的层间介质层的步骤。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成层间介质层的步骤之后还包括：
在所述层间介质层上对应第一有源层和第二有源层的位置处形成第一源漏极、第二源漏极的步骤；以及
将所述第一源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层、第二缓冲层的第一过孔与第一有源层连接；将所述第二源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层的第二过孔与第二有源层连接的步骤。
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
在第一源漏极、第二源漏极上依次形成平坦化层、公共电极、钝化层、像素电极的步骤。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一有源层由IGZO构成；所述第二有源层由低温多晶硅构成。
9.一种阵列基板，包括衬底，还包括设于所述衬底上的位于像素区的第一薄膜晶体管以及位于周边区的第二薄膜晶体管，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括采用退火工艺形成的第一有源层，所述第二薄膜晶体管包括采用脱氢工艺形成的第二有源层，其中，所述脱氢工艺和所述退火工艺同时完成。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层相较于所述第二有源层更靠近所述衬底，所述第一有源层与所述第二有源层之间设有覆盖所述第一有源层的第二缓冲层。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底与第一有源层所在的面之间设有遮光层，所述遮光层包括第一遮光部和第二遮光部；其中，所述第一有源层在衬底上的正投影落入所述第一遮光部在衬底上的正投影的范围内；所述第二有源层在衬底上的正投影落入所述第二遮光部在衬底上的正投影的范围内。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
覆盖所述遮光层的第一缓冲层，覆盖所述第一有源层的第二缓冲层，所述第二有源层设于所述第二缓冲层上；
覆盖所述第二有源层的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层远离衬底的一面上对应第一有源层、第二有源层的位置处分别设有的第一栅极、第二栅极；
覆盖所述第一栅极和第二栅极的层间介质层；所述层间介质层上对应第一有源层和第二有源层的位置处分别设有第一源漏极、第二源漏极；所述第一源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层、第二缓冲层的第一过孔与第一有源层连接；所述第二源漏极通过贯穿层间介质层、栅极绝缘层的第二过孔与第二有源层连接；
以及，平坦化层、公共电极、钝化层、像素电极；所述平坦化层覆盖所述第一源漏极、第二源漏极，所述公共电极设于平坦化层上，所述钝化层覆盖所述公共电极，所述像素电极通过钝化层、平坦化层的过孔与所述第一源漏极连接。
13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求9-12所述的阵列基板。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13所述的显示面板。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109817645A (zh) * 2019-02-18 2019-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备
CN109950355A (zh) * 2019-03-11 2019-06-28 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 平板探测器及其制作方法
CN110071146A (zh) * 2019-04-09 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
CN110164979A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
CN110299322A (zh) * 2019-07-03 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110556386A (zh) * 2019-09-05 2019-12-10 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板
CN111276519A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
WO2020173153A1 (en) * 2019-02-26 2020-09-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, adjustment method thereof, and display apparatus
CN111834381A (zh) * 2020-07-30 2020-10-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法
WO2021073445A1 (zh) * 2019-10-15 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN112768497A (zh) * 2021-01-07 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
CN113192990A (zh) * 2021-06-03 2021-07-30 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
WO2022213420A1 (zh) * 2021-04-07 2022-10-13 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、oled显示面板
WO2023184402A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110729313B (zh) * 2019-11-29 2024-06-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板制备方法、显示装置
CN113299674B (zh) * 2021-05-08 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板
CN114023762B (zh) * 2021-10-18 2023-06-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
KR20230089119A (ko) * 2021-12-13 2023-06-20 엘지디스플레이 주식회사 산화물 반도체를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103715196A (zh) * 2013-12-27 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106803510A (zh) * 2015-11-26 2017-06-06 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法
CN106876412A (zh) * 2017-03-15 2017-06-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板以及制作方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200304227A (en) 2002-03-11 2003-09-16 Sanyo Electric Co Top gate type thin film transistor
KR100485531B1 (ko) * 2002-04-15 2005-04-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 다결정 실리콘 박막트랜지스터와 그 제조방법
JP2006100661A (ja) 2004-09-30 2006-04-13 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
WO2011078005A1 (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置
CN103295962A (zh) * 2013-05-29 2013-09-11 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法，显示装置
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9412799B2 (en) 2013-08-26 2016-08-09 Apple Inc. Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
CN104332477B (zh) * 2014-11-14 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管组件、阵列基板及其制作方法、和显示装置
CN104538352A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
KR102453950B1 (ko) * 2015-09-30 2022-10-17 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그 구동 방법
CN106449653B (zh) 2016-09-30 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
TWI651848B (zh) * 2016-12-13 2019-02-21 友達光電股份有限公司 金屬氧化物半導體層的結晶方法、半導體結構、主動陣列基板、及氧化銦鎵鋅晶體
CN106783921A (zh) * 2016-12-22 2017-05-31 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103715196A (zh) * 2013-12-27 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106803510A (zh) * 2015-11-26 2017-06-06 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板、显示器及其制造方法
CN106876412A (zh) * 2017-03-15 2017-06-20 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板以及制作方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109817645A (zh) * 2019-02-18 2019-05-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板、电子设备
WO2020173153A1 (en) * 2019-02-26 2020-09-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, adjustment method thereof, and display apparatus
JP7417549B2 (ja) 2019-02-26 2024-01-18 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 表示基板及びその調整方法、表示装置
US11276739B2 (en) 2019-02-26 2022-03-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, adjustment method thereof, and display apparatus
CN109950355A (zh) * 2019-03-11 2019-06-28 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 平板探测器及其制作方法
CN109950355B (zh) * 2019-03-11 2021-11-05 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 平板探测器及其制作方法
CN110071146B (zh) * 2019-04-09 2021-02-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
WO2020206772A1 (zh) * 2019-04-09 2020-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
CN110071146A (zh) * 2019-04-09 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子设备
CN110164979A (zh) * 2019-05-31 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示面板
CN110299322A (zh) * 2019-07-03 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11315963B2 (en) 2019-07-03 2022-04-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate and method for preparing the same, and display device
CN110299322B (zh) * 2019-07-03 2022-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN110556386A (zh) * 2019-09-05 2019-12-10 京东方科技集团股份有限公司 驱动背板及其制备方法、显示面板
WO2021073445A1 (zh) * 2019-10-15 2021-04-22 京东方科技集团股份有限公司 显示背板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN111276519B (zh) * 2020-02-10 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111276519A (zh) * 2020-02-10 2020-06-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN111834381B (zh) * 2020-07-30 2023-10-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法
CN111834381A (zh) * 2020-07-30 2020-10-27 合肥鑫晟光电科技有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制作方法
CN112768497A (zh) * 2021-01-07 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示面板
WO2022213420A1 (zh) * 2021-04-07 2022-10-13 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法、oled显示面板
CN113192990A (zh) * 2021-06-03 2021-07-30 合肥维信诺科技有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板
WO2023184402A1 (zh) * 2022-03-31 2023-10-05 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板

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