JP2004165277A - 電子部品実装構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子部品11が実装される被実装体30a上の実装領域を除く部分に、配線パターン28bを形成する工程と、被実装体30aの実装領域に、電子部品11をその接続端子12が形成された面を上向きにして実装する工程と、電子部品11及び前記配線パターン28bを被覆する絶縁膜30bを形成する工程とを含む。
【選択図】 図6
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品実装構造及びその製造方法に係り、より詳しくは、半導体チップなどが絶縁膜に埋設された状態で配線基板上に実装された電子部品実装構造及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
マルチメディア機器を実現するためのキーテクノロジーであるLSI技術はデータ伝送の高速化、大容量化に向かって着実に開発が進んでいる。これに伴って、LSIと電子機器とのインターフェイスとなる実装技術の高密度化が進められている。
【0003】
さらなる高密度化の要求から、基板上に複数の半導体チップを3次元的に積層して実装したマルチチップパッケージ(半導体装置)が開発されている。その一例として、特許文献1には、配線基板上に複数の半導体チップが絶縁層に埋設された状態で3次元的に実装され、絶縁層を介して多層に形成された配線パターンに当該半導体チップがフリップチップ接合された構造を有する半導体装置が記載されている。
【0004】
また、特許文献2には、電子部品を高密度に実装すると共に、電子部品に対する電子ノイズから電子部品をシールドするために、コア材に設けられた凹部に電子部品が実装され、該凹部の内壁面及び底面が導電性金属からなる構成を含む、複数の電子部品が実装された電子部品パッケージが記載されている。
【0005】
【特許文献1】
特開2001−196525号公報
【特許文献2】
特開2001−274034号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した特許文献1では、実装された半導体チップ上に層間絶縁膜を形成する際に、層間絶縁膜が半導体チップの厚みに起因して段差が生じた状態で形成されてしまうことに関しては何ら考慮されていない。すなわち、半導体チップ上の層間絶縁膜に段差が生じると、この上に配線パターンを形成する工程におけるフォトリソグラフィのフォーカスマージンが小さくなって所望のレジスト膜パターンを精度よく形成するのが困難になる恐れがある。
【0007】
さらには、層間絶縁膜上に形成される配線パターンにも段差が生じるため、この配線パターンに半導体チップをフリップチップ接合する際に接合の信頼性が低下する恐れがある。
【0008】
また、特許文献2では、コア材に凹部を設け、その凹部に電子部品を実装する技術に関するものであって、凹部を備えていない配線基板の上方に層間絶縁膜に埋設された半導体チップを実装する場合の上記したような問題に関しては何ら考慮されていない。
【0009】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、半導体チップなどがベース基板上の層間絶縁膜に埋設された構造を有する電子部品実装構造において、半導体チップ上の層間絶縁膜が容易に平坦化されて形成される電子部品実装構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は電子部品実装構造の製造方法に係り、電子部品が実装される被実装体上の実装領域を除く部分に、配線パターンを形成する工程と、前記被実装体の実装領域に、前記電子部品を該電子部品の接続端子が形成された面を上向きにして実装する工程と、前記電子部品及び前記配線パターンを被覆する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【0011】
本発明では、まず、被実装体(絶縁性のベース基板やベース基板上に形成された絶縁膜など)の電子部品が実装される領域を除く部分に配線パターンが形成される。その後、被実装体の実装領域に電子部品(半導体チップなど)がフェイスアップで実装される。次いで、電子部品と配線パターンを被覆する絶縁膜が形成される。あるいは、被実装体に電子部品を実装した後に、実装領域以外の部分に配線パターンを形成するようにしてもよい。
【0012】
本発明の一つの好適な態様においては、電子部品の上面と配線パターンの上面とが略同一の高さになるようにして形成される。これにより、配線パターンが電子部品の段差を平坦化するためのダミーパターンとしても機能するようになるため、電子部品及び配線パターンを被覆する絶縁膜はその上面全体にわたって平坦化される。
【0013】
従って、絶縁膜上に電子部品及び配線パターンに電気的に接続される上側配線パターンを形成する場合、フォトリソグラフィでレジスト膜をパターニングするときに、下地の絶縁膜は平坦化されているため、露光における焦点深度を小さく設定することができる。このため、電子部品の上方に所要の上側配線パターンを精度よく安定して形成することができるようになる。
【0014】
さらに、上側配線パターンにも段差が生じなくなるため、上側配線パターンに半導体チップのバンプをフリップチップ実装する場合、接合高さのばらつきがなくなり、半導体チップのバンプと上側配線パターンとの接合の信頼性を向上させることができる。
【0015】
しかも、電子部品の実装領域を配線パターンの形成工程で配線パターンの不形成部を同時に設けることで確保するようにする場合は、後工程で絶縁膜を研磨などにより平坦化する方法と比べて、製造工程が削減されて製造コストを低減することができる。
【0016】
また、本発明の一つの好適な態様では、被実装体に電子部品を実装した後に、実装領域以外の部分に配線パターンを形成する場合において、被実装体として未硬化の状態のときに粘着性を有する樹脂膜を使用し、この未硬化の状態の樹脂膜に電子部品を粘着させるようにしてもよい。そして、後工程で樹脂膜が熱処理されて硬化して電子部品が樹脂膜に固着される。このようにすることにより、電子部品の背面(接続端子側と反対面)に接着層を形成する工程を特別に行なう必要がなくなるので、製造コストを低減させることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【0018】
最初に、半導体チップが絶縁膜に埋設されて実装された半導体装置の製造における不具合な点について説明する。図1は半導体チップが絶縁膜に埋設されて実装された半導体装置の製造における不具合な点を示す断面図である。
【0019】
図1(a)に示すように、まず、所定の配線パターン(不図示)を備えたベース基板100上に第1層間絶縁膜102が形成され、ベース基板100の配線パターンに第1層間絶縁膜102に形成されたビアホール(不図示)を介して接続されたCu配線104が形成される。このCu配線104上には接着層106を介して接続端子108aを備えた半導体チップ108がその接続端子108aが上面になった状態で固着される。
【0020】
続いて、半導体チップ108及びCu配線104上に第2層間絶縁膜110が形成される。このとき、第2層間絶縁膜110は、半導体チップ108の段差に起因して、Cu配線104上よりも半導体チップ108上の方が盛り上がって形成されることになる。
【0021】
次いで、図1(b)に示すように、半導体チップ108の接続端子108aなどの上の第2層間絶縁膜110がレーザなどによりエッチングされてビアホール112が形成される。続いて、ビアホール112の内面及び第2層間絶縁膜110上にシードCu膜(不図示)が形成された後、配線パターンが形成される部分が開口されたレジスト膜(不図示)がフォトリソグラフィにより形成される。
【0022】
次いで、シード金属膜をめっき給電層に利用した電解めっきにより、レジスト膜パターンの開口部にCu膜パターンが形成された後、レジスト膜が除去される。続いて、Cu膜パターンをマスクにしてシードCu膜がエッチングされて、配線パターン114が得られる。
【0023】
第2層間絶縁膜110の上面は半導体チップ108の影響で段差が生じていることから、上記したフォトリソグラフィによりレジスト膜パターンを形成する工程において、露光におけるフォーカスマージンが小さくなってしまう。このため、第2層間絶縁膜110上に所要のレジスト膜パターンを高精度で形成することが困難になり、これにより所望の配線パターン114を精度よく形成することが困難になる。
【0024】
続いて、バンプ116aを備えた半導体チップ116のバンプ116が配線パターン114の接続部114aにフリップチップ接合される。このとき、配線パターン114の接続部114aは、第2層間絶縁膜110の段差に起因してその高さがばらついているため、半導体チップ116のバンプ116aと配線パターン114の接続部114aとの接合不良が発生しやすい。
【0025】
本発明の実施形態の電子部品実装構造は上記した課題を解決することができる。
【0026】
(第1の実施の形態)
次に、本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を説明する。図2〜図6は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図である。
【0027】
図2(a)に示すように、まず、所定のトランジスタや多層配線(不図示)などが形成され、厚みが400μm程度のシリコンウェハ10(半導体ウェハ)を用意する。このシリコンウェハ10の上面にはAlなどからなる接続端子12が露出していて、接続端子12以外の部分はシリコン窒化膜やポリイミド樹脂などからなるパシベーション膜14で被覆されている。
【0028】
その後、図2(b)に示すように、シリコンウェハ10の接続端子12側の面(以下、素子形成面という)にマスク材16を貼り付ける。このマスク材16としては、PET又はポリエチレン基材にUV硬化型アクリル系粘着材が塗布されたBG(Backside Grinding)テープ、又はポリイミド系樹脂(感光性又は非感光性)からなるレジスト膜などが使用される。BGテープは、常温、圧力が100Paの条件下でローラ加圧によりシリコンウェハ10上にラミネートされて形成される。また、レジスト膜は、シリコンウェハ10上に300rpmで塗布液が塗布され、続いて3000rpmで塗布液が全面に均一化された後に、熱処理されることにより形成される。
【0029】
次いで、図2(c)に示すように、素子形成面がマスク材16で保護されたシリコンウェハ10の素子不形成面(以下、背面という)をグラインダーにより研削することにより、シリコンウェハ10の厚みを50μm程度以下、好ましくは25μm以下、最も好適には10〜15μm程度に薄型化する。
【0030】
次いで、図2(d)に示すように、シリコンウェハ10の素子形成面に形成されたマスク材16を除去した後、シリコンウェハ10の背面(研削面)にダイアタッチ材18を形成する。ダイアタッチ材18は、後工程でシリコンウェハ10が個片化された半導体チップが被実装体に実装される際の接着材となるものである。
【0031】
ダイアタッチ材18としては、エポキシ系の樹脂フィルム又は導電性ペーストなどが使用される。なお、実装の都合上、熱膨張係数(CTE)や熱伝導率を所望値に調整する場合は、シリカや金属粉などのフィラーを含有したエポキシ系の樹脂フィルムを使用することが好ましい。あるいは、実装の都合上、熱伝導率を高く設定する場合は、導電性ペーストを使用することが好ましい。ダイアタッチ材18として樹脂フィルムを使用する場合は、100〜130℃、0.5MPa程度の条件下でシリコンウェハ10の背面にプレスされて貼着される。
【0032】
ダイアタッチ材18の厚みは5〜10μm程度であり、シリコンウェハ10とダイアタッチ材18との厚みの合計が20μm程度以下とすることが好ましい。
【0033】
続いて、図3(a)に示すように、外枠20に固定されたダイシングテープ22を用意し、シリコンウェハ10のダイアタッチ材18の面をダイシングテープ22に100〜130℃の温度下で仮付けする。
【0034】
その後、図3(b)に示すように、ダイシングブレード19を備えたダイシングソーによりシリコンウェハ10をダイシングする。このダイシング工程では、ダイシングブレード19として、粒径が2〜10μm程度のダイヤモンド砥石を樹脂で固めたダイヤモンドブレードが使用される。そして、シリコンウェハ10は2段階のステップカットによりダイシングされる。すなわち、まず、第1段階で第1スピンドルに取り付けられたブレードによりシリコンウェハ10の上側部まで切り込みを入れる。続いて、第2スピンドルに取り付けられたブレードによりシリコンウェハ10の残りの下側部及びダイアタッチ材18を切断し、さらにダイシングテープ22の上層部まで切り込みを入れる。このとき、例えば、ワーク送り速度は30〜100mm/sec程度、スピンドルの回転数は4000〜5000rpmである。
【0035】
このようにして、シリコンウェハ10はダイシングテープ22に仮付けされた状態で個々の半導体チップ11に個片化される。そして、図3(c)に示すように、個々の半導体チップ11はダイシングテープ22からピックアップされる。半導体チップ11をピックアップする方法として、ダイシングテープ22の裏面からニードルにより半導体チップ11を突き上げる方式の他に、ニードルを使用しないでUV照射と加熱によってダイシングテープ22を拡張させて半導体チップ11を剥離するニードルレス方式がある。
【0036】
このようにして、厚みが10〜15μm程度に薄型化されると共に、背面にダイアタッチ材18が形成された複数の半導体チップ11(電子部品)が得られる。半導体チップ11は電子部品の一例であって、この他にコンデンサ部品などの各種部品を使用することができる。
【0037】
次に、上記した半導体チップ11が実装される配線基板の一例について説明する。図4(a)に示すように、まず、ビルドアップ配線基板を製造するためのベース基板24を用意する。このベース基板24は樹脂などの絶縁性材料から構成されている。またベース基板24にはスルーホール24aが設けられていて、このスルーホール24aにはその内面にベース基板24上の第1配線パターン28に繋がるスルーホルめっき層24bが形成され、その孔は樹脂24cで埋め込まれている。
【0038】
その後、第1配線パターン28を被覆する第1層間絶縁膜30を形成する。第1層間絶縁膜30としては、例えば、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂を使用することができる。すなわち、第1配線パターン28上にこの樹脂フィルムをラミネートした後、80〜140℃で熱処理して硬化させることにより樹脂層となる。
【0039】
なお、第1層間絶縁膜30としての樹脂膜は、上記した樹脂フィルムをラミネートする方法の他に、樹脂膜をスピンコート法又は印刷により形成するようにしてもよい。また、樹脂膜の他にCVD法により形成されたシリコン酸化膜などの無機絶縁膜を使用してもよい。
【0040】
次いで、第1配線パターン28上の第1層間絶縁膜30の所定部に第1ビアホール30xを形成する。
【0041】
続いて、第1層間絶縁膜30上にセミアディティブ法により第2配線パターンを形成する。詳しく説明すると、第1ビアホール30x内面及び第1層間絶縁膜30上に無電解めっきによりシードCu層(不図示)を形成した後、所定パターンの開口部を有するレジスト膜(不図示)を形成する。次いで、シードCu膜をめっき給電層に用いた電解めっきによりレジスト膜の開口部にCu膜パターンを形成する。続いて、レジスト膜を除去した後に、Cu膜パターンをマスクにしてシードCu膜をエッチングする。これにより第1配線パターン28に第1ビアホール30xを介して接続された第2配線パターン28aが形成される。
【0042】
続いて、第2配線パターン28a上に第1層間絶縁膜30と同様な材料からなる第2層間絶縁膜30aを形成し、第2配線パターン28aの所定部を露出させる第2ビアホール30yを形成する。
【0043】
次いで、上記した第2配線パターン28aの形成方法と同様な方法により、第2ビアホール30yを介して第2配線パターン28aに接続される第3配線パターン28bを形成する。このとき、前述した半導体チップ11が後工程で実装される実装領域Aに第3配線パターン28bが形成されないようにする。
【0044】
すなわち、セミアディティブ法で形成する場合は、上記した第2配線パターン28aを形成する工程のうちのレジスト膜を形成する工程において、レジスト膜が実装領域Aをマスクする所定パターンで形成されるようにすればよい。
【0045】
さらに、第3配線パターン28bの膜厚は、半導体チップ11とダイアタッチ材18との合計の厚みと略同一になるように設定される。例えば、半導体チップ11とダイアタッチ材18との合計の厚みが20μmである場合、第3配線パターン28bの膜厚は20μm±5μm程度になるように設定される。
【0046】
なお、第2及び第3配線パターン28a,28bは上記したセミアディティブ法の他に、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法により形成されるようにしてもよい。
【0047】
また、上記した形態では、第3配線パターン28bを形成する際に、実装領域Aに配線の不形成部と配線パターンとを同時に形成したが、まず、実装領域にCu膜を残した状態で配線パターンを形成し、その後に実装領域のCu膜を除去するようにしてもよい。この場合、実装領域のCu膜はウェットエッチング、ドライエッチング、ドリル又はレーザーなどにより除去される。
【0048】
その後、図4(b)に示すように、第2層間絶縁膜30a上における第3配線パターン28bが形成されていない実装領域Aに、前述した半導体チップ11のダイアタッチ材18の面を接着する。すなわち、半導体チップ11はその素子形成面が上向きになった状態(フェイスアップ)で実装される。このとき、上記した理由により、半導体チップ11は、その素子形成面(上面)が第3配線パターン28bの上面と略同一の高さになって実装される。
【0049】
次いで、図4(c)に示すように、図4(b)の構造体の上に第1層間絶縁膜30と同様な材料からなる第3層間絶縁膜30bを形成する。このとき、半導体チップ11と第3配線パターン28bとの上面が略同一の高さになっているため、第3層間絶縁膜30bは半導体チップ11上に局所的に盛り上がって形成されることはなく、全体にわたって平坦化された状態で形成される。
【0050】
なお、半導体チップ11の近傍の第3配線パターン28bが、半導体チップ11の外周を囲む枠状に形成されるようにしてもよい。この場合、第3層間絶縁膜30bの平坦性をさらに向上させることができる。
【0051】
続いて、図5(a)に示すように、半導体チップ11の接続端子12及び第3配線パターン28bの上の第3層間絶縁膜30bをレーザなどでエッチングすることにより第3ビアホール30zを形成する。
【0052】
その後、図5(b)に示すように、前述した第2配線パターン28aの形成方法と同様な方法により、第3ビアホール30z内面及び第3層間絶縁膜30b上にシードCu膜27を形成し、続いて第4配線パターンに対応する開口部を有するレジスト膜29をフォトリソグラフィにより形成する。このとき、第3層間絶縁膜30bは全体にわたって平坦化されて形成されていることで、露光におけるデフォーカスが発生しなくなるので、所要のレジスト膜29を精度よく形成することができる。
【0053】
次いで、図5(c)に示すように、シードCu膜27をめっき給電層とした電解めっきにより、レジスト膜29をマスクとしてCu膜パターン33を形成し、レジスト膜29を除去した後、Cu膜パターン33をマスクにしてシードCu膜を27エッチングする。これにより、半導体チップ11の接続電極12及び第3配線パターン28bに第3ビアホール30zを介して接続された第4配線パターン28cが形成される。
【0054】
このように、半導体チップ11を被覆する第3層間絶縁膜30bの上面が平坦になるようにしたので、第3層間絶縁膜30b上に第4配線パターン28cを形成する際のフォトリソグラフィにおいて焦点深度を大きく設定する必要がなくなる。従って、第4配線パターン28cに対応する開口部を有するレジスト膜29を精度よく安定して形成することができるようになるため、所望の第4配線パターン28cを精度よく安定して形成することができる。
【0055】
次いで、図6に示すように、第4配線パターン28c上にその接続部28xに開口部31aを有するソルダレジスト膜31を形成する。続いて、バンプ32を備えた半導体チップ11aを用意し、第4配線パターン28cの接続部28xに半導体チップ11aのバンプ32をフリップチップ接合する。なお、第4配線パターン28cの接続部28xにはNi/Auめっきが施されている。
【0056】
このとき、第4配線パターン28cの接続部28xは、半導体チップ11の上方及び半導体チップ11が存在しない領域上において高さのばらつきがなく略同一の高さに配置されるため、半導体チップ11aのバンプ32を接続部28xに信頼性よく接合させることができる。
【0057】
なお、ソルダレジスト31の開口部31aにはんだボールを搭載するなどしてバンプを形成し、半導体チップ11aの接続端子をこのバンプに接合するようにしてもよい。
【0058】
以上により、本発明の第1実施形態の半導体装置1(電子部品実装構造)が完成する。
【0059】
なお、半導体チップ11が第3層間絶縁膜30b内に埋設された形態を例示したが、第1又は第2層間絶縁膜30,30aの内に埋設されるようにしてもよい。この場合、半導体チップ11は、ベース基板24又は第1層間絶縁膜30上に実装され、第1配線パターン28又は第2配線パターン28aの膜厚が半導体チップ11の厚みと略同一になるようにすればよい。
【0060】
また、1つの半導体チップ11が層間絶縁膜に埋設されて実装された形態を例示したが、例えば、図5(c)の工程で第4配線パターン28cを第3配線パターン28bと同様に半導体チップ11の実装領域を避けた部分に形成した後に、半導体チップ11を第3層間絶縁膜30b上に実装するようにしてもよい。つまり、複数の半導体チップが、同様な構成で複数の層間絶縁膜にそれぞれ埋設された状態で多層化されて相互接続された形態としてもよい。このような場合も、各層間絶縁膜はそれぞれ平坦化されて形成されるので、半導体チップ11を内蔵した層間絶縁膜と配線パターンとを何ら問題なく積層化して形成することができる。
【0061】
このように、半導体チップ11が実装される被実装体としては、ベース基板24、又は各ビルドアップ層の層間絶縁膜30〜30bである。
【0062】
第1実施形態の半導体装置1では、ベース基板24上に第1〜第3層間絶縁膜30〜30bと第1〜第3配線パターン28〜28cが積層されて形成されている。そして、半導体チップ11は、第2層間絶縁膜30a上の第3配線パターン28bが形成されていない実装領域に第3層間絶縁膜30bに埋設された状態でフェイスアップで実装されている。さらに、半導体チップ11が実装された第2層間絶縁膜30a上に形成された第3配線パターン28bの膜厚は、半導体チップ11の厚みと略同一になって形成されている。
【0063】
半導体チップ11の接続端子12は第4配線パターン28cを介してその上方に3次元的に配置された半導体チップ11aに電気的に接続されている。
【0064】
本実施形態の半導体装置1では、半導体チップ11が第3配線パターン28b上に形成されるのではなく、第3配線パターン28bの不形成部の第2層間絶縁膜30aの領域に配置される。そして、半導体チップ11と第3配線パターン28bとの厚みは略同一に設定されるようにしたため、半導体チップ11上の第3層間絶縁膜30bは、半導体チップ11の段差の影響を受けずに平坦な状態で形成される。従って、第3層間絶縁膜30b上に形成される第4配線パターン28cは、半導体チップ11の段差の影響を受けることなく精度よく安定して形成される。
【0065】
しかも、半導体チップ11の上方の第4配線パターン28cの接続部28xが配置される高さが一定となるため、第4配線パターン28cの接続部28xと半導体チップ11aのバンプ32との接合に係るコプラナリティー(平坦度)を小さくすることができる。これにより、第4配線パターン28cの接続部28xと半導体チップ11aのバンプ32との接合不良(ブリッジやオープンなど)の発生が防止される。
【0066】
(第2の実施の形態)
図7〜図10は本発明の第2実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図である。第2実施形態が第1実施形態と異なる点は、半導体チップ11の背面にダイアタッチ材18を特別に形成するのではなく、半導体チップ11が実装される層間絶縁膜に粘着性をもたせることにより、半導体チップを層間絶縁膜上に接着することにある。なお、第1実施形態と同様な工程については、その詳しい説明を省略する。また、図7〜図10において、図2〜図6と同一要素については同一符号を付してその説明を省略する。
【0067】
本発明の第2実施形態の電子部品実装方法の製造方法は、まず、図7(a)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、図2(c)と同様な構造体を得る。すなわち、素子形成面がマスク材16で被覆されていると共に、背面が研削されて厚みが50μm以下、好適には10〜15μmに薄型化されたシリコンウェハ10を得る。なお、本実施形態ではシリコンウェハ10の背面にはダイアタッチ材が形成されていない。
【0068】
次いで、図7(b)に示すように、シリコンウェハ10の背面(研削面)をダイシングテープ22に貼り付ける。その後に、図7(c)に示すように、ダイシングブレード19を備えたダイシングソーによりシリコンウェハ10をダイシングする。続いて、図7(d)に示すように、ダイシングテープ22から半導体チップ11をピックアップすることにより、個片化された複数の半導体チップ11を得る。
【0069】
次いで、図8(a)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、第1配線パターン28を備えたベース基板24上に第1層間絶縁膜30、第1ビアホール30x及び第2配線パターン28aを形成する。
【0070】
続いて、同じく図8(a)に示すように、第2配線パターン28a上に樹脂フィルムをラミネートし、熱処理をしないで第2層間絶縁膜30aとする。第2実施形態では、第2層間絶縁膜30aとして未硬化の状態のときにはタック性(粘着性)を有する樹脂フィルムを使用する。このような樹脂フィルムの材料としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系熱硬化樹脂、ポリフェニレン系熱硬化樹脂などを使用することができる。このようにして、第2配線パターン28a上にタック性を有する第2層間絶縁膜30aが形成される。その後に、第2配線パターン28a上の第2層間絶縁膜30aの所定部を開口して第2ビアホール30xを形成する。
【0071】
次いで、図8(b)に示すように、前述した半導体チップ11の背面を、タック性を有する第2層間絶縁膜30a上に接着する。続いて、第2層間絶縁膜(樹脂フィルム)30aを150℃程度の温度で熱処理して硬化させることにより半導体チップ11が第2層間絶縁膜30a上に固着される。第2実施形態では、半導体チップ11の素子形成面がマスク材16で被覆された状態でその背面が第2層間絶縁膜30a上に固着される。
【0072】
その後、図8(c)に示すように、半導体チップ11上のマスク材16及び第2層間絶縁膜30a上に無電解めっきによりシードCu膜27を形成する。続いて、シードCu膜27上に第3配線パターンが形成される部分に開口部36aを有するレジスト膜36をフォトリソグラフィにより形成する。
【0073】
続いて、図9(a)に示すように、シードCu膜27をめっき給電層に利用した電解めっきにより、レジスト膜36をマスクにしてCu膜パターン35を形成した後、レジスト膜36を除去する。
【0074】
次いで、図9(b)に示すように、Cu膜パターン35をマスクにしてシードCu膜27をエッチングすることにより第3配線パターン28bとする。このとき、第3配線パターン28bは、第1実施形態と同様に、半導体チップ11の厚みと略同一な膜厚で形成される。その後に、半導体チップ11からマスク材16が除去される。
【0075】
上記した図8(c)〜図9(b)の工程では、半導体チップ11の素子形成面がマスク材16で被覆された状態で行なわれるので、シードCu膜27をエッチングする工程などで半導体チップ11の素子形成面にダメージが入る恐れはない。
【0076】
このようにして、第1実施形態と同様に、第2層間絶縁膜30a上における第3配線パターン28bの不形成部に半導体パターン11が実装されると共に、半導体パターン11の上面と第3配線パターン28bの上面は略同一の高さになる。第2実施形態では、前述したように、半導体チップ11が実装された後に、第2層間絶縁膜30a上における半導体チップ11の実装領域以外の部分に第3配線パターン28bが形成される。
【0077】
次いで、図9(c)に示すように、第1実施形態の図4(c)〜図5(a)に係る工程の方法と同様な方法により、半導体チップ11及び第3配線パターン28bを被覆する第3層間絶縁膜30bを形成した後に、半導体チップ11の接続端子12などを露出する第3ビアホール30zを形成する。
【0078】
続いて、図10に示すように、第1実施形態の図5(b)〜図6に係る工程の方法と同様な方法により、半導体チップ11の接続端子12などに第3ビアホール30zを介して接続された第4配線パターン28cを第3層間絶縁膜30b上に形成する。続いて、第4配線パターン28cの上にその接続部28xを露出する開口部31aを有するソルダレジスト膜31を形成する。その後に、バンプ32を有する半導体チップ11xのバンプ32を第4配線パターン28cの接続部28xにフリップチップ接合する。
【0079】
これにより、第2実施形態の半導体装置1a(電子部品実装構造)が完成する。
【0080】
なお、第2実施形態においても、図9(c)の工程の後に、第3層間絶縁膜30b上に半導体チップ11を実装し、続いて第3配線パターン28bと同様な第4配線パターン28cを形成することにより、半導体チップ11を内蔵した層間絶縁膜を多層化して形成して、複数の半導体チップが相互接続された形態としてもよい。
【0081】
第2実施形態の半導体装置1aは、第1実施形態と同様な効果を奏する。さらに、第2実施形態では、シリコンウェハ10の背面にダイアタッチ材を形成する工程を省略することができるので、第1実施形態より製造コストを低減させることができる。
【0082】
また、ダイアタッチ材を省略することにより、半導体チップ11の厚みだけを考慮して第3配線パターン28bの膜厚を設定することができるので、第3配線パターン28bの膜厚が不必要に厚くなることがない。
【0083】
(第3の実施の形態)
図11及び図12は本発明の第3実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図である。第3実施形態が第1実施形態と異なる点は、半導体チップ11の背面にダイアタッチ材を形成するのではなく、ダイシングテープとして粘着材を含むものを使用し、ダイシングテープから半導体チップ11をピックアップするときに半導体チップ11の背面に粘着材が転写されるようにしたことにある。なお、第1及び第2実施形態と同様な工程については、その詳しい説明を省略する。また、図11及び図12において、図2〜図10と同一要素については同一符号を付してその説明を省略する。
【0084】
第3実施形態の電子部品実装構造の製造方法は、図11(a)に示すように、まず、第1実施形態と同様な方法により、第1実施形態の図2(c)と同様に素子形成面がマスク材16で被覆され、薄型化されたシリコンウェハ10を得る。
【0085】
その後、図11(b)に示すように、外枠20に固定されたダイシングテープ22aを用意する。第3実施形態で使用されるダイシングテープ22aは、ダイシングテープ22aに貼着されるシリコンウェハ10の背面に粘着材を転写できる機能を有している。このようなダイシングテープ22aとしては、例えば、リンテック社製の「LE5000」を使用することができる。
【0086】
次いで、図11(c)に示すように、第1実施形態と同様な方法により、シリコンウェハ10の背面をダイシングテープ22aに仮付けし、ダイシングブレード19を備えたダイシングソーによりシリコンウェハ10をダイシングする。
【0087】
続いて、図11(d)に示すように、ダイシングテープ22aから半導体チップ11をピックアップして個片化された複数の半導体チップ11を得る。このとき、半導体チップ11の背面にはダイシングテープ22aに含まれる粘着材18aが転写されて残される。
【0088】
次いで、図12(a)に示すように、第2実施形態の図8(a)の配線基板と同一構造で、第2層間絶縁膜30aがタック性を備えていないものを用意する。続いて、上記した半導体チップ11の粘着材18aの面を第2層間絶縁膜30aの実装領域に接着する。
【0089】
次いで、第2実施形態の図8(c)〜図10の工程と同様な工程を遂行することにより、図12(b)に示すように、第3実施形態の半導体装置1b(電子部品実装構造)が完成する。
【0090】
なお、第3実施形態では、第2実施形態のように半導体チップ11を実装した後に、第3配線パターン28bを形成するようにしたが、第1実施形態のように第3配線パターン28bを形成し、その後に、半導体チップ11上のマスク材16を除去してから半導体チップ11を実装するようにしてもよい。この場合、半導体チップ11が実装された時点では、第1実施形態の図4と同様な状態となる。
【0091】
第3実施形態の半導体装置1aは第1実施形態と同様な効果を奏すると共に、第2実施形態と同様にシリコンウェハ10の背面に特別に特別にダイアタッチ材18を形成する必要がないので、製造コストを低減することができる。
【0092】
第3実施形態においても、第1又は第2実施形態と同様な各種の変形や変更を行うことができる。
【0093】
(その他の実施形態)
第1〜第3実施形態においては、半導体チップが実装される層間絶縁膜(第2層間絶縁膜30aで例示)と同一膜上に形成される配線パターン(第3配線パターン28bで例示)は、半導体チップの厚みに合わせた膜厚で形成され、一方、その他の配線パターンは配線抵抗などを考慮した膜厚に設定される。
【0094】
従って、第1〜第3実施形態では、半導体チップが実装される層間絶縁膜上に形成される配線パターンの膜厚と他の層間絶縁膜上に形成される配線パターンの膜厚とは異なる場合がある。
【0095】
第1〜第3実施形態において、半導体チップの厚みを十分に薄くできる場合(10μm程度)、配線基板上に積層される複数の配線パターンの間でそれらの膜厚を同一とした形態としてもよい。
【0096】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、被実装体の電子部品が実装される領域を除く部分に配線パターンが形成された後、被実装体の実装領域に電子部品が実装される。その後、電子部品と配線パターンを被覆する絶縁膜が形成される。好適には、電子部品の上面と配線パターンの上面が略同一の高さになるように形成される。
【0097】
これにより、電子部品及び配線パターンを被覆する絶縁膜は、全体にわたって平坦化されて形成されるため、絶縁膜上に上側配線パターンを形成する場合、フォトリソグラフィに係るフォーカスマージンを向上させることができる。このため、電子部品の上方に所要の上側配線パターンを精度よく形成することができるようになる。
【0098】
また、上側配線パターンにも段差が生じなくなるため、半導体チップのバンプを上側配線パターンに接合する際の接合の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は半導体チップが絶縁膜に埋設されて実装された半導体装置の製造における不具合な点を示す断面図である。
【図2】図2は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図3】図3は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その2)である。
【図4】図4は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その3)である。
【図5】図5は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その4)である。
【図6】図6は本発明の第1実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その5)である。
【図7】図7は本発明の第2実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図8】図8は本発明の第2実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その2)である。
【図9】図9は本発明の第2実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その3)である。
【図10】図10は本発明の第2実施形態に係る電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その4)である。
【図11】図11は本発明の第3実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その1)である。
【図12】図12は本発明の第3実施形態の電子部品実装構造の製造方法を示す部分断面図(その2)である。
【符号の説明】
1,1a,1b…半導体装置(電子部品実装構造)、10…シリコン基板、11,11a…半導体チップ(電子部品)、12…接続端子、14…パシベーション膜、16…マスク材、18,18a…ダイアタッチ材、20…外枠、22,22a…ダイシングテープ、24…ベース基板、24a…スルーホール、24b…スルーホールめっき層、24c…樹脂、27…シードCu膜、28…第1配線パターン、28a…第2配線パターン、28b…第3配線パターン、28c…第4配線パターン、28x…接続部、29,36…レジスト膜、30…第1層間絶縁膜、30x…第1ビアホール、30a…第2層間絶縁膜、30y…第2ビアホール、30b…第3層間絶縁膜、30z…第3ビアホール、31…ソルダレジスト膜、31a…開口部、32…バンプ、33,35…Cu膜パターン。
Claims (13)
- 電子部品が実装される被実装体上の実装領域を除く部分に、配線パターンを形成する工程と、
前記被実装体の実装領域に、前記電子部品を該電子部品の接続端子が形成された面を上向きにして実装する工程と、
前記電子部品及び前記配線パターンを被覆する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造の製造方法。 - 電子部品が実装される被実装体上の実装領域に、前記電子部品を、該電子部品の接続端子が形成された面を上向きにして実装する工程と、
前記被実装体上の実装領域を除く部分に、配線パターンを形成する工程と、
前記電子部品及び前記配線パターンを被覆する絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造の製造方法。 - 前記絶縁膜を形成する工程の後に、
前記電子部品の接続端子及び前記配線パターンの上の前記絶縁膜にビアホールを形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記電子部品の接続端子及び前記配線パターンに前記ビアホールを介して電気的に接続される上側配線パターンを形成する工程とをさらに有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品実装構造の製造方法。 - 前記電子部品の上面と前記配線パターンの上面とは略同一の高さになるように形成され、かつ前記絶縁膜は平坦化されて形成されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の電子部品実装構造の製造方法。
- 前記被実装体は、絶縁性のベース基板、又は、ベース基板の上もしくは上方に形成された絶縁膜であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電子部品実装構造の製造方法。
- 前記被実装体は、ベース基板の上又は上方に形成された絶縁膜であって、前記絶縁膜は未硬化状態のときに粘着性をもつ樹脂膜からなり、
前記電子部品を実装する工程は、前記粘着性をもつ樹脂膜上に前記電子部品を接着する工程を含み、かつ、
前記電子部品を実装する工程の後であって、前記配線パターンを形成する工程の前に、前記樹脂膜を熱処理して硬化させる工程をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の電子部品実装構造の製造方法。 - 前記電子部品は、所定素子が形成されたウェハの背面が、粘着材を転写できるダイシングテープに貼着された状態でダイシングされて個片化されたものであって、前記電子部品が前記ダイシングテープから剥離された後に、該電子部品の背面には該ダイシングテープから転写された粘着材が残されており、
前記電子部品を接着する工程は、前記電子部品の背面を、前記粘着材を介して被実装体に接着する工程であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品実装構造の製造方法。 - 前記電子部品は、厚みが50μm程度以下の半導体チップであることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の電子部品実装構造の製造方法。
- 電子部品が実装される絶縁性の被実装体と、
前記被実装体上の実装領域に、該電子部品の接続端子の面が上向きになって実装された前記電子部品と、
前記被実装体上の、前記電子部品の実装領域以外の部分に形成された配線パターンと、
前記電子部品と前記配線パターンとを被覆する絶縁膜とを有することを特徴とする電子部品実装構造。 - 前記電子部品の接続端子及び配線パターン上の前記絶縁膜の所定部に形成されたビアホールと、
前記絶縁膜上に形成され、かつ前記電子部品の接続端子及び前記配線パターンに前記ビアホールを介して接続された上側配線パターンとをさらに有することを特徴とする請求項9に記載の電子部品実装構造。 - 前記電子部品の上面と配線パターンの上面とは略同一の高さに調整されており、かつ前記絶縁膜の上面は平坦化されていることを特徴とする請求項9又は10に記載の電子部品実装構造。
- 前記被実装体は、絶縁性のベース基板、又は、ベース基板の上もしくは上方に形成された絶縁膜であることを特徴とする請求項9又は10に記載の電子部品実装構造。
- 前記電子部品は、厚みが50μm程度以下の半導体チップであることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の電子部品実装構造。
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