JP2004165152A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- 気密容器の製造方法であって、
第１の部材と第２の部材を接合する工程を有しており、
該接合する工程は、
前記第１の部材上に設けられた下地上に、低融点金属を有する接合材を設ける工程と、
該接合材を加熱する工程と、
前記第２の部材上に設けられた酸化物を含む膜と前記加熱された接合材とを接触させる工程と、
を有しており、
前記下地は、前記接合材の該下地に対する濡れ性が、前記第１の部材の前記下地を形成する前の面に対する前記接合材の濡れ性よりも良好であるような下地であることを特徴とする気密容器の製造方法。 - 前記接合する工程は、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合して、気密空間を規定する閉じた接合線を形成する工程であり、
前記接触させる工程は、該工程によって設けられる酸化物を含む膜が、前記閉じた接合線となるべき位置の全長に渡って前記接合材と接触可能に存在する状態にすることを含む請求項１に記載の気密容器の製造方法。 - 前記下地は金属からなる請求項１または２に記載の気密容器の製造方法。
- 前記下地は前記接合材よりも酸化されにくい金属からなる請求項３に記載の気密容器の製造方法。
- 前記酸化物は、ＳｉＯ2もしくはＰｂＯである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
- 前記接合材を設ける工程が、前記接合材を加熱する工程の後に行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
- 前記接合材を設ける工程が、前記接合材を加熱する工程とともに行われることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
- 前記接合材がインジウムもしくはインジウムを含む合金である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の気密容器の製造方法。
- 前記接合材を加熱する工程は、前記接合材の少なくとも表面が酸化する条件で行う請求項１乃至８のいずれか一項に記載の気密容器の製造方法。
- 前記接触させる工程は、前記酸化物を含む膜と加熱して溶融した前記接合材とを接触させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の気密容器の製造方法。
- 気密容器と、該気密容器内の表示素子と、を有する画像表示装置の製造方法であって、前記気密容器を請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の製造方法によって製造する工程を有することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
- 前記気密容器は、第１の基板、該第１の基板に対向する第２の基板、該第１の基板と第２の基板との間の気密空間を囲む包囲部材を有しており、前記第１の部材は、前記包囲部材である請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
- 前記気密容器は、第１の基板、該第１の基板に対向する第２の基板、該第１の基板と第２の基板との間の気密空間を囲む包囲部材を有しており、前記第１の部材は、前記第１の基板もしくは第２の基板である請求項１１に記載の画像表示装置の製造方法。
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