JP2003077396A

JP2003077396A - パネル状気密容器の製造方法

Info

Publication number: JP2003077396A
Application number: JP2001265304A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kaneko; 哲也金子; Kohei Nakada; 耕平中田; Toshihiko Miyazaki; 俊彦宮崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-09-03
Filing date: 2001-09-03
Publication date: 2003-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】画像表示パネル１９の表裏面を構成するリア
プレート２０及びフェースプレート２１と、周側壁を構
成する外枠２２とを、少なくとも封着処理室７を含む減
圧された複数の処理室を有する一連の処理装置へ搬入し
て順次処理室間を搬送し、所定の処理を経たリアプレー
ト２０とフェースプレート２１と外枠２２とを、封着材
を用いて前記封着処理室で７封着処理する画像表示パネ
ル１９の製造方法において、処理装置の設置面積を小さ
くできるようにする。【解決手段】少なくともリアプレート２０及びフェー
スプレート２１を、それぞれ立てた状態で搬送する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表裏面を構成する
一対の基板を、内面間に隙間をあけて対向配置して周囲
を気密に封着処理することで、密封された隙間を有する
パネル状気密容器を製造する方法に関する。更に具体的
には、例えば、表面である表示面を構成するフェースプ
レートと、裏面を構成するリアプレートとを、周側壁を
構成する外枠を挟んで対向させて封着することで形成さ
れる画像表示パネルなどの製造に用いられるパネル状気
密容器の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば画像表示パネルなどのパネ
ル状気密容器は、内部空間容積がきわめて小さく、封着
後に内壁面などからガスの放出があった場合に、内部の
真空度が大きく低下しやすいことから、構成部材を、減
圧された複数の処理室を有する一連の処理装置へ搬入し
て順次処理室間を搬送して浄化処理を施し、所定の処理
を経た前記一対の基板を、高真空度に保たれた封着処理
室において、内面間に隙間をあけて対向配置して周囲を
気密に封着処理方法が知られている。

【０００３】更に具体的に説明すると、ＷＯ００／６０
６３４号公報には、蛍光体を有するフェースプレート
を、ベーク処理室に搬送してベーク処理し、冷却処理室
で冷却してからゲッタ処理室へ搬送して内面にゲッタ膜
を被着させた後、更にアライメント処理室を介して封着
処理室へ搬送する一方、電子源を有するリアプレートを
上記フェースプレートとは別途ベーク処理室に搬送して
ベーク処理し、冷却処理室で冷却してからアライメント
処理室を介して封着処理室へ搬送し、アライメント処理
室でアライメントされた上記フェースプレートとリアプ
レートを、予めフェースプレートの溝内に入れておいた
封着材を用いて封着室で封着して画像表示パネルを製造
することが提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ＷＯ０
０／６０６３４号公報におけるフェースプレートとリア
プレートは、それぞれ横に寝かせた状態で処理室間に搬
送されるものとなっていることから、各処理室の平面面
積が大きくなって、処理装置の設置面積が大きくなる問
題がある。

【０００５】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、パネル状気密容器の表裏面を構成する一対
の基板と周側壁を構成する外枠とを、少なくとも封着処
理室を含む減圧された複数の処理室を有する一連の処理
装置へ搬入して順次処理室間を搬送し、所定の処理を経
た前記一対の基板と外枠とを、封着材を用いて前記封着
処理室で封着処理するパネル状気密容器の製造方法にお
いて、処理装置の設置面積を小さくできるようにするこ
とを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的のた
めに、パネル状気密容器の表裏面を構成する一対の基板
と周側壁を構成する外枠とを、少なくとも封着処理室を
含む減圧された複数の処理室を有する一連の処理装置へ
搬入して順次処理室間を搬送し、所定の処理を経た前記
一対の基板と外枠とを、封着材を用いて前記封着処理室
で封着処理するパネル状気密容器の製造方法において、
少なくとも前記一対の基板を、それぞれ立てた状態で搬
送するとことを特徴とするパネル状気密容器の製造方法
を提供するものである。

【０００７】上記本発明は、前記外枠を、前記基板とは
別に、立てた状態で搬送すること、前記外枠を、外枠の
表裏面方向に搬送すること、前記一対の基板を、それぞ
れ基板の内外面方向に搬送すること、前記処理装置の処
理室として、少なくとも前記一対の基板が前記封着処理
室への搬送に先立って搬送される基板ベーク処理室を設
けると共に、前記外枠の表裏面に予め前記封着材を設け
ておき、少なくとも前記一対の基板を前記外枠とは分け
て前記基板ベーク処理室に搬送してベーク処理を施すこ
と、基板をその内外面方向に搬送する場合において、前
記処理装置の処理室として、少なくとも前記一対の基板
が前記封着処理室への搬送に先立って搬送される基板ベ
ーク処理室と、該基板ベーク処理室を経た少なくとも一
方の基板の内面に表面浄化処理又はパネルゲッタ処理を
施す表面浄化処理室又はパネルゲッタ処理室を設けると
共に、該少なくとも一方の基板について、前後の基板間
の間隔を縮小・拡大可能な状態で複数を連続して搬送
し、前記ベーク処理室において前後の基板間の間隔を縮
小して複数の基板を基板ベーク処理室に入れて同時にベ
ーク処理を施し、前記表面浄化処理室又はパネルゲッタ
処理室において前後の基板間の間隔を拡大して表面浄化
処理又はパネルゲッタ処理を施すこと、前記基板ベーク
処理室を、一対の基板を構成する２つの基板のそれぞれ
について設け、該２つの基板をそれぞれ別の基板ベーク
処理室に搬送してベーク処理を施すこと、前記基板ベー
ク処理室における基板のベーク処理の加熱条件を、基板
に吸着されたガスが放出される温度以上とすること、前
記処理装置の処理室として、外枠が封着処理室への搬送
に先立って搬送される外枠ベーク処理室を設け、前記外
枠を前記基板とは分けて該外枠ベーク処理室に搬送して
ベーク処理を施すこと、外枠ベーク処理室における外枠
のベーク処理の加熱条件を、外枠に付着又は吸着されて
いる水分の放出温度以上で、予め外枠に設けられた封着
材の流動化温度未満とすること、一対の基板と外枠とを
分離された状態のまま封着処理室へ搬送すること、外枠
を、予め設けられた封着材を用いて、基板ベーク処理室
におけるベーク処理を経たいずれか一方の基板にセット
して封着処理室へ搬送すること、外枠を、外枠ベーク処
理室におけるベーク処理後、予め設けられた封着材を用
いて、基板ベーク処理室におけるベーク処理を経たいず
れか一方の基板にセットして封着処理室へ搬送するこ
と、をその好ましい態様として含むものである。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、画像表示パ
ネルの製造を例に、本発明を更に説明する。

【０００９】図１（ａ）は、本発明の製造方法に用いる
製造装置の第１の例を模式的に示す図で、図１（ｂ）〜
（ｄ）は、図１（ａ）における外枠処理ライン、リアプ
レート〜封着処理ライン、フェースプレート処理ライン
における各処理対象部材の温度プロファイルと各処理室
の真空度プロファイルを示すものである。

【００１０】図１（ａ）において、中段のラインがリア
プレート処理ラインで、１は前処理室、２は基板ベーク
処理室、３は表面浄化処理室、４は冷却処理室、５はチ
ャンバゲッタ処理室、６は組み立て処理室、７は封着処
理室、８は後処理室で、前処理室１からチャンバゲッタ
処理室５までがリアプレート処理ラインで、これに続く
組み立て処理室６から後処理室までが封着処理ラインで
ある。リアプレート処理ラインについては図２に拡大し
て示し、封着処理ラインについては図５に拡大して示
す。

【００１１】図１（ａ）において、下段のラインがフェ
ースプレート処理ラインで、９は前処理室、１０は基板
ベーク処理室、１１は表面浄化処理室、１２は冷却処理
室、１３はチャンバゲッタ処理室、１４はパネルゲッタ
処理室で、このパネルゲッタ処理室１４が、上記封着ラ
インにおける組み立て処理室６に接続されている。この
フェースプレート処理ラインについては、図３に拡大し
て示す。

【００１２】図１（ａ）において、上段のラインが外枠
処理ラインで、１５は前処理室、１６は外枠ベーク処理
室、１７は冷却処理室、１８はチャンバゲッタ処理室
で、このチャンバゲッタ処理室１８が、上記封着ライン
における組み立て処理室６に接続されている。この外枠
処理ラインについては、図４に拡大して示す。

【００１３】上記リアプレート処理ライン、フェースプ
レート処理ライン及び外枠処理ラインは、それぞれパネ
ル状の気密容器である画像表示パネル１９の構成部材を
それぞれ図中矢印で示される方向に搬送処理するもの
で、２枚の基板のうちの１枚であるリアプレート（以下
「ＲＰ」と記す。）２０はリアプレート処理ラインへ搬
入され、もう１枚であるフェイスプレート（以下「Ｆ
Ｐ」と記す。）２１はフェースプレート処理ラインへ搬
入され、画像表示パネル１９の周側壁を構成する外枠２
２は外枠処理ラインへ搬入されるものとなっている。ま
た、リアプレート処理ラインへ搬入されたＲＰ２０と、
フェースプレート処理ラインへ搬入されたＦＰ２１と、
外枠処理ラインへ搬入された外枠２２とは、それぞれ搬
送ユニット２３，２４，２５によって順次封着ラインの
組み立て処理室６へと搬送され、この組み立て処理室６
で合流し、リアプレート処理ラインと一連の搬送ユニッ
ト２３で封着処理室７へ送られて封着されて、画像表示
パネル１８が形成されるものである。

【００１４】本例においては、ＲＰ２０、ＦＰ２１及び
外枠２２は、それぞれ立てた状態で搬送されるものとな
っている。この立てた状態とは、垂直にすることに限ら
ず、斜めにした状態をも含むもので、具体的には傾斜角
が４５°〜０°（垂直）となる範囲で立てることが好ま
しい。

【００１５】処理装置全体の設置面積を軽減するために
は、通常、通過する処理室の数が多くなるＲＰ２０とＦ
Ｐ２１を立てた状態で搬送することが必要であるが、図
示されるように、外枠２２も立てた状態で搬送すると、
一層処理装置の設置面積を小さくすることができるので
好ましい。また、ＲＰ２０とＦＰ２１をその内外面方向
に搬送すると、ＲＰ２０及び／又はＦＰ２１が搬送され
る各処理室の搬送方向長さを短くすることができ、処理
装置全体長さを短くすることができるので好ましい。外
枠２２についても、その表裏面方向に搬送すると、上記
と同様に処理装置の全体長さを短くすることができるの
で好ましい。

【００１６】以下、各処理ラインについて更に説明す
る。

【００１７】（１）リアプレート処理ラインまず、図２に基づいて、リアプレート処理ラインの各処
理室について説明する。

【００１８】リアプレート処理ラインは、ＲＰ２０が搬
入され、このＲＰ２０を前述した封着処理ラインの組み
立て処理室６に搬送するまでの間に必要な処理を行うラ
インで、前処理室１、基板ベーク処理室２、表面浄化処
理室３、冷却処理室４、チャンバゲッタ処理室５の順に
直列に接続され、チャンバゲッタ処理室５は封着処理ラ
インの組み立て処理室６に接続されている。各処理室
は、それぞれ真空ポンプで排気され、必要な真空雰囲気
を形成できるようになっている。

【００１９】前処理室１と大気間、並びに、各処理室の
間は、ゲートバルブ２６〜３１で隔てられている。ＲＰ
２０は、ゲートバルブ２６〜３１を開閉させて、前処理
室７に搬入されてた後、搬送ユニット２３により、ベー
ク処理室２、表面浄化処理室３、冷却処理室４、チャン
バゲッタ処理室５、更に組み立て処理室６へと順次搬送
されるものである。

【００２０】ＲＰ２０は、内面側に電子放出素子（図示
されていない。）が形成された基板で、画像表示パネル
１９（図１参照）の背面を構成する部材である。また、
本例におけるＲＰ２０の内面側には、適宜の位置に、形
成する画像表示パネル１９に耐大気圧構造を付与するた
めのスペーサ３２が予め固定されたものとなっている。

【００２１】前処理室１は、ゲートバルブ２７を閉じ、
内部が大気圧となった状態でゲートバルブ２６を開き、
ＲＰ２０が搬入された後、ゲートバルブ２６を閉じて内
部を所定の減圧状態まで排気してからゲートバルブ２７
を開いて、ＲＰ２０を基板ベーク処理室２へと送り出す
もので、ＲＰ２０の搬入によって、ベーク処理室２以降
の処理室の真空雰囲気が損なわれないようにする処理室
である。前処理室１は、ＲＰ２０を基板ベーク処理室２
へ送り出した後、ゲートバルブ２７を閉じて、再度大気
圧まで徐々に昇圧されて、次のＲＰ２０の搬入に備える
ことになる。

【００２２】基板ベーク処理室２は、搬送されてきたＲ
Ｐ２０を温度制御手段３３に保持して減圧下で加熱し、
ＲＰ２０に付着又は吸着されている水分、ガスなどを放
出させるベーク処理を行うためのものである。

【００２３】温度制御手段は３３は、ＲＰ２０を位置決
め保持した状態で、ＲＰ２０と共に搬送ユニット２３で
搬送されれるもので、小さな処理室容積で必要な処理を
行うことができるようにする上で、ＲＰ２０を垂直もし
くは斜めに立てた状態で保持するものとなっている。ま
た、温度制御手段３３は、ＲＰ２０を脱落させることな
く十分な力で保持できるチャックを有するものとするこ
とが好ましい。このチャックとしては、例えば、ＲＰ２
０の周辺をツメなどで機械的に掴む機械方式、静電気に
より吸着する静電方式、真空吸引により吸着する真空方
式などのものを用いることができる。このような温度制
御手段３３としては、位置決めするための突き当てピン
と上記チャックとを備えたホットプレートを用いること
ができる。

【００２４】表面浄化処理室２は、ＲＰ２０の表面に電
子線、イオン、紫外線あるいはプラズマなど、ガス離脱
を促すエネルギーを照射することで、吸着不純物のガス
脱離による表面浄化処理を行う処理室である。本例にお
けるこの表面浄化処理室３は、電子銃３４が設けられて
おり、電子線３５の照射によって表面浄化処理を行うも
のとなっているが、上記イオンの照射、紫外線の照射あ
るいはプラズマの照射によりＲＰ２０の表面浄化処理を
行うものとすることもできる。

【００２５】冷却処理室４は、搬送されてきたＲＰ２０
の降温処理を行う処理室である。この降温処理は、ＲＰ
２０を保持している温度制御手段３３の設定温度を下げ
ることで行うことができる。

【００２６】チャンバゲッタ処理室５は、チャンバゲッ
タ処理室５内に配置されたチャンバゲッタ板３６にチャ
ンバゲッタフラッシュ装置３７からゲッタ剤をフラッシ
ュしてゲッタ膜を形成し、処理室内の真空度を上げ、次
の組み立て処理室６にＲＰ２０を搬送するためにゲート
バルブ３１を開いたときに、組み立て処理室６内の真空
度の低下を防ぐための処理室である。３８は、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置３７から発生されるチャンバゲッ
タフラッシュであり、例えばチャンバゲッタフラッシュ
装置３７に内蔵されたバリウムなどの蒸発型ゲッタ剤
を、抵抗加熱などの方法で加熱して瞬間的に蒸発させた
ものである。チャンバゲッタフラッシュ３８がチャンバ
ゲッタ板３６に被着し、チャンバゲッタとして排気作用
をなすことで、チャンバゲッタ処理室５内の真空度を上
げることができる。

【００２７】次に、リアプレート処理ラインにおける処
理工程について説明する。

【００２８】まず、前処理室１内が大気圧となっている
状態でゲートバルブ２６を開き（ゲートバルブ２７は閉
じている。）、スペーサ３２が事前に固定されたＲＰ２
０を前処理室１に搬入する。搬入は、専用の冶具を用い
て行ってもよいが、ＲＰ２０をそのまま搬送ユニット２
３で搬送することもできる。ＲＰ２０の搬入後、ゲート
バルブ２６を閉じ、前処理室１内を真空排気し、ゲート
バルブ２７の開放に備える。本例においては、図１
（ｃ）に示されるように、１０^-5Ｐａ台の真空状態にま
で排気している。前処理室１内におけるＲＰ２０の温度
は室温である。

【００２９】前処理室１内を所定の真空度にまで排気し
た後、ゲートバルブ２７を開放し、搬送ユニット２３に
より、ＲＰ２０を前処理室１から基板ベーク処理室２へ
搬送し、この移動後ゲートバルブ２７を遮断する。基板
ベーク処理室２に搬送されてきたＲＰ２０は、温度制御
手段３２に保持され、減圧下での加熱処理であるベーク
処理が施される。このベーク処理によって、ＲＰ２０に
付着又は吸着されている水素、酸素、水などの不純物質
をガスとして放出して取り除くことができる。ＲＰ２０
のベーク処理温度は、付着又は吸着されているガス及び
水分をガスとして放出除去できる温度であることが好ま
しく、具体的には３００〜４００℃であることが好まし
く、３５０〜３８０℃であることが特に好ましい。ま
た、このＲＰ２０のベーク処理時の圧力は、ベーク処理
に伴うガスの放出により上昇を生じるが、１０^-4〜１０
^-5Ｐａ程度であることが好ましい。図示される例におい
ては、図１（ｃ）に示されるように、基板ベーク処理室
２内を１０^-4Ｐａに減圧すると共に、ＲＰ１９を３８０
℃に加熱している。

【００３０】上記ベーク処理を施した後、ゲートバルブ
２８を開いて、ＲＰ２０を温度制御手段３３に載せたま
ま、温度制御手段３３と共に表面浄化処理室３に搬送
し、ゲートバルブ２８を閉じ、ベーク処理を経たＲＰ２
０を穏やかに温度降下させながら、表面浄化処理を施
す。この表面浄化処理は、前述したように、電子線、イ
オン、紫外線あるいはプラズマを照射することで、表面
に付着又は吸着された吸着不純物のガス脱離による表面
浄化処理を行う処理である。この表面浄化処理室３は、
ベーク処理によって十分ガス及び水分を除去できる場合
には省略することができる。

【００３１】通常、表面浄化処理は、処理対象がある程
度高温である方が効果的である。従って、表面浄化処理
室３を設ける場合、基板ベーク処理室２の直後に設けて
おくと、ベーク処理の余熱を利用して表面浄化処理効果
を向上させることができるので好ましい。また、表面浄
化処理室３におけるＲＰ２０の冷却は、必須のものでは
ないが、次の冷却処理室４で行われる冷却処理時間を短
縮するために行うことが好ましい。この冷却は、温度制
御手段３３の温度を下げることで行うことができる。

【００３２】上記表面浄化処理室３におけるＲＰ２０の
冷却は、ＲＰ２０の温度がベーク処理温度から１００℃
程度までの間の温度となるように行うことが好ましい。
表面浄化処理室３での冷却温度が高すぎると、次の冷却
処理室４における冷却時間の短縮を十分図りにくく、逆
に冷却温度が低すぎると、後述する封着処理室７におけ
る再加熱時間が長くなりやすい。また、表面浄化処理室
３は、その後の処理室の真空度を高く維持しやすくする
ために、１０^-4Ｐａ〜１０^-5Ｐａ程度の真空度とするこ
とが好ましい。図示される例では、表面浄化処理とし
て、電子銃３４による電子線３５の照射を行っており、
図１（ｃ）に示されるように、ＲＰ２０を降温すると共
に、１０^-5Ｐａまで減圧している。

【００３３】上記表面浄化処理が完了した後、ゲートバ
ルブ２９を開いて、ＲＰ２０を温度制御手段３３に載せ
たまま冷却処理室４へ搬送し、ゲートバルブ２９を閉
じ、冷却処理を施す。この冷却処理は、その後の処理室
におけるＲＰ２０からのガスの放出を防止するためのも
ので、上記表面浄化処理室３における冷却処理で十分冷
却できる場合には、この冷却処理室４は省略することが
できる。

【００３４】冷却処理室４における冷却は、温度制御手
段３３の温度を下げることで行うことができ、通常、Ｒ
Ｐ２０の温度が２５０〜８０℃になるまで冷却すること
が好ましい。また、冷却処理室４内は、次のチャンバゲ
ッタ処理室５の真空度を維持しやすくするため、１０^-5
〜１０^-6Ｐａ程度の真空度であることが好ましい。図示
される例においては、図１（ｃ）に示されるように、Ｒ
Ｐ１９を１００℃程度まで冷却すると共に、冷却処理室
４内を１０^-5Ｐａまで減圧している。

【００３５】上記冷却処理を施した後、ゲートバルブ３
０を開いて、ＲＰ２０を温度制御手段３３に載せたまま
チャンバゲッタ処理室５へ搬送し、ゲートバルブ３０を
閉じ、チャンバゲッタ処理を施す。このチャンバゲッタ
処理室５では、処理室内のチャンバゲッタ板３６に、チ
ャンバゲッタフラッシュ装置３７により、例えばバリウ
ムなどの蒸発型ゲッタ剤をフラッシュさせて、ゲッタ膜
を被着させるチャンバゲッタ処理が行われる。チャンバ
ゲッタ板３６に被着されたゲッタ膜は、チャンバゲッタ
処理室５内のガスを捕捉し、処理室内の真空度を上げ
る。

【００３６】チャンバゲッタ処理は、次の封着処理ライ
ンの組み立て処理室６における高真空度を維持しやすく
するためのもので、組み立て処理室６に要求される真空
度と同程度の真空度まで減圧することが好ましい。チャ
ンバゲッタ処理は、上記蒸発型ゲッタ剤による処理では
なく、処理室内で非蒸発型ゲッタ剤を加熱活性化させて
ガスを捕捉する処理とすることもでき、更には、上記蒸
発型ゲッタ剤を用いた処理と、非蒸発型ゲッタ剤を用い
た処理を併用した処理とすることもできる。

【００３７】蒸発型ゲッタ剤を用いたチャンバゲッタ処
理を行うチャンバゲッタ処理室５では、蒸発型ゲッタ剤
のフラッシュにより、一時的に真空度が低下するが、真
空排気により、必要な高真空度へ移行することができ
る。また、チャンバゲッタ処理室５では、ＲＰ２０を冷
却処理室４を出た温度に保ってもよいが、冷却が不足し
ている場合、更に冷却することもできる。図示される例
においては、図１（ｃ）に示されるように、チャンバゲ
ッタ処理室５は１０^-6Ｐａの真空度にまで減圧されてい
ると共に、ＲＰ２０は１００℃に維持されている。

【００３８】チャンバゲッタ処理は、組み立て処理室６
のいわば前室であるチャンバゲッタ処理室５内を高真空
にするためのもので、このようなチャンバゲッタ処理に
よらずとも高真空度を得ることができれば省略し、例え
ばベーク処理室２、表面浄化処理室３又は冷却処理室５
を組み立て処理室６に直接接続することができる。但
し、組み立て処理室５を高真空度に維持しやすくする上
で、チャンバゲッタ処理室５を設け、組み立て処理室６
への搬送前にチャンバゲッタ処理を行うことが好まし
い。

【００３９】チャンバゲッタ処理室５でのチャンバゲッ
タ処理を経たＲＰ２０は、ゲートバルブ６を開いて、次
の封着処理ラインの組み立て処理室６へと搬送されるこ
とになる。封着処理ラインについては後述する。

【００４０】（２）フェイスプレート処理ライン図３に基づいて、フェイスプレート処理ラインの各処理
室について説明する。

【００４１】フェイスプレート処理ラインは、ＦＰ２１
が搬入され、このＦＰ２１を前述した封着処理ラインの
組み立て処理室６に搬送するまでの間に必要な処理を行
うラインで、前処理室９、基板ベーク処理室１０、表面
浄化処理室１１、冷却処理室１２、チャンバゲッタ処理
室１２、パネルゲッタ処理室１４の順に直列に接続さ
れ、パネルゲッタ処理室１４は封着処理ラインの組み立
て処理室６に接続されている。各処理室は、それぞれ真
空ポンプで排気され、必要な真空雰囲気を形成できるよ
うになっている。

【００４２】上記フェースプレート処理ラインの各処理
室のうち、前処理室９、基板ベーク処理室１０、表面浄
化処理室１１、冷却処理室１２及びチャンバゲッタ処理
室１３は、搬送されて来る対象がＦＰ２１であること、
温度制御手段３９がＦＰ２１を保持する向きがＲＰ２０
とは逆になっていること、及び、チャンバゲッタ処理室
１３がパネルゲッタ処理室１４に接続されていること以
外、上述したリアプレート処理ラインにおける前処理室
９、基板ベーク処理室１０、表面浄化処理室１１、冷却
処理室１２及びチャンバゲッタ処理室１２（図２参照）
と同様の処理室で、同様の処理が行われ、同様の変更が
可能なものである。図示される例において、前処理室
９、基板ベーク処理室１０、表面浄化処理室１１、冷却
処理室１２及びチャンバゲッタ処理室１３でのＦＰ２１
の温度プロファイルと、これらの各処理室の真空度プロ
ファイルは、図１（ｄ）と図１（ｃ）とから明らかなよ
うに、リアプレート処理ラインにおける前処理室９、基
板ベーク処理室１０、表面浄化処理室１１、冷却処理室
１２及びチャンバゲッタ処理室１３でのＲＰ２０の温度
プロファイルと、これらの各処理室の真空度プロファイ
ルと同様のものとなっている。

【００４３】尚、図３における搬送ユニット２４、ゲー
トバルブ４０〜４６、電子銃４７、電子線４８、チャン
バゲッタ板４９、チャンバゲッタフラッシュ装置５０、
チャンバゲッタフラッシュ５１は、それぞれ図２におけ
る搬送ユニット２３、ゲートバルブ２６〜３１、電子銃
３４、電子線３５、チャンバゲッタ板３６、チャンバゲ
ッタフラッシュ装置３７、チャンバゲッタフラッシュ３
８に対応するものである。

【００４４】フェースプレート処理ラインにおいて処理
するＦＰ２１は、画像形成部材である蛍光体（図示され
ていない）が内面に設けられた基板で、画像表示パネル
１９（図１参照）の表面である表示面を構成する部材で
ある。

【００４５】フェースプレート処理ラインにおいて、Ｆ
Ｐ２１は、前述したＲＰ２０が内面を温度制御手段３３
に搬送方向前方に向けて保持されているのに対し（図２
参照）、これとは逆に、内面を搬送方向後方に向けて温
度制御手段３９に保持されるものとなっている。これ
は、後述する封着処理ラインの組み立て処理室６におい
て、ＲＰ２０とＦＰ２１を、その内面同志を向き合わせ
て対向させやすいようにするためのもので、組み立て処
理室６におけるアライメントの行い方によっては、ＦＰ
２１を前向き、ＲＰ２０を後ろ向きに搬送したり、ＦＰ
２１とＲＰ２０をそれぞれ同じ向きに向けて搬送するこ
ともできる。

【００４６】フェースプレート処理ラインにおけるベー
ク処理室１０でのベーク処理は、前記のように、リアプ
レート処理ラインにおける基板ベーク処理室２（図２参
照）でのベーク処理と同様である。

【００４７】フェースプレート処理ラインにおいて、チ
ャンバゲッタ処理室１３でのチャンバゲッタ処理が完了
すると、ゲートバルブ４５を開き、ＦＰ２１を温度制御
手段３９に載せたままパネルゲッタ処理室１４へ搬送
し、ゲートバルブ４５を閉じる。

【００４８】パネルゲッタ処理室１４は、パネルゲッタ
フラッシュ装置５２を備えた処理室で、例えばパネルゲ
ッタフラッシュ装置５２に内蔵されたバリウムなどの蒸
発型ゲッタ剤を抵抗加熱などの方法で加熱し、瞬間的に
蒸発させることでパネルゲッタフラュッシュ５３を発生
させ、ＦＰ２１の内面にゲッタ膜を被着させるパネルゲ
ッタ処理が行われる。このＦＰ２１の内面に被着された
ゲッタ膜は、後述する封着処理後まで活性を維持し、封
着処理後に画像表示パネル１９内に放出されるガスを捕
捉して、画像表示パネル１９内の高真空雰囲気を維持す
る働きをなすものである。

【００４９】上記ゲッタ膜が処理室中のガスを吸着して
活性を失わないよう、このチャンバゲッタ処理室１３か
ら封着処理室７は高真空度となっていることが好まし
い。具体的には、１０^-5Ｐａ以上の真空度となっている
ことが好ましい。この真空度を得るためには、一般的な
真空排気ポンプによる排気の他に、前述のリアプレート
処理ラインで説明したチャンバゲッタ処理や、非蒸発型
ゲッタ剤の加熱活性化によるガス捕捉などの捕捉手段を
併用することもできる。また、チャンバゲッタ処理室１
３でチャンバゲッタ処理を施すＦＰ２１は、被着される
ゲッタ膜が熱劣化しない温度、例えばバリウムゲッタの
場合、具体的には１２０〜６０℃程度まで冷却されてい
ることが好ましい。フェースプレート処理ラインにおけ
る表面浄化処理室１１及び冷却処理室１２における冷却
処理は、リアプレート処理ラインで説明した、後の処理
室におけるガスの放出防止の他に、パネルゲッタ処理室
１４においてＦＰ２１内面に被着されるゲッタ膜の熱劣
化防止の意味もある。図示される例においては、パネル
ゲッタ処理室１４は１０^-6Ｐａの真空度となっていると
共に、ＦＰ２１は１００℃に保持されている。

【００５０】パネルゲッタ処理室１４でのパネルゲッタ
処理を経たＦＰ２１は、ゲートバルブ４６を開いて、次
の封着処理ラインの組み立て処理室６へと搬送されるこ
とになる。封着処理ラインについては後述する。

【００５１】（３）外枠処理ライン図４に基づいて、外枠処理ラインの各処理室について説
明する。

【００５２】外枠処理ラインは、外枠２２が搬入され、
この外枠２２を前述した封着処理ラインの組み立て処理
室６に搬送するまでの間に必要な処理を行うラインで、
前処理室１５、外枠ベーク処理室１６、冷却処理室１
７、チャンバゲッタ処理室１８の順に直列に接続され、
チャンバゲッタ処理室１８は封着処理ラインの組み立て
処理室６に接続されている。各処理室は、それぞれ真空
ポンプで排気され、必要な真空雰囲気を形成できるよう
になっている。

【００５３】上記外枠処理ラインの各処理室のうち、前
処理室１５、外枠ベーク処理室１６、冷却処理室１７及
びチャンバゲッタ処理室１８は、搬送されて来る対象が
外枠２２である点、温度制御手段３３を用いずに搬送
し、外枠ベーク処理室１６及び冷却処理室１７で温度制
御手段３３，３９によらず加熱及び冷却を行う点と加熱
の条件が相違する以外、前述したリアプレート処理ライ
ンにおける前処理室９、基板ベーク処理室１０、冷却処
理室１２及びチャンバゲッタ処理室１２（図２参照）と
同様の処理室で、同様の処理が行われ、同様の変更が可
能なものである。図示される例において、前処理室１
５、冷却処理室１７及びチャンバゲッタ処理室１８での
外枠２２の温度プロファイルと、これらの各処理室の真
空度プロファイルは、図１（ｂ）と図１（ｃ）とから明
らかなように、リアプレート処理ラインにおける前処理
室９、冷却処理室１２及びチャンバゲッタ処理室１３で
のＲＰ２０の温度プロファイルと、これらの各処理室の
真空度プロファイルと同様のものとなっている。

【００５４】尚、図４における搬送ユニット２５、ゲー
トバルブ５４〜５８、チャンバゲッタ板５９、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置６０、チャンバゲッタフラッシュ
６１は、それぞれ図２における搬送ユニット２３、ゲー
トバルブ２６〜３１、チャンバゲッタ板３６、チャンバ
ゲッタフラッシュ装置３７、チャンバゲッタフラッシュ
３８に対応するものである。

【００５５】外枠処理ラインで処理する外枠２２は、画
像表示パネル１９（図１参照）の周側壁を構成するもの
で、ＲＰ２０（図２参照）及びＦＰ２１（図３参照）と
向き合わされる表裏面には、それぞれ封着材（図示され
ていない）が予め設けられている。

【００５６】封着材は、外枠２２の表裏面ではなく、後
述する封着処理室７において外枠２２の表裏面と封着さ
れるＲＰ２０及びＦＰ２１の封着箇所に予め設けておく
こともできる。しかし、封着材を予めＲＰ２０及びＦＰ
２１に設けておくと、前述のベーク処理室２，１０（図
２及び図３参照）におけるベーク処理時の加熱によって
封着材が流動化し、封着箇所から流れ出てしまいやすく
なり、ベーク処理温度が制約されやすくなる。

【００５７】一方、本例のように、封着材を外枠２２に
設けておき、ＲＰ２０及びＦＰ２１のベーク処理をこの
外枠２２とは別に行と、ＲＰ２０及びＦＰ２１のベーク
処理時に、前述のようなガスや水分を放出除去できる高
温に加熱しても、封着材が流動化して、搬送時の揺れや
振動ではみ出すことがない。従って、ベーク処理温度
を、ＲＰ２０及びＦＰ２１自体に悪影響を及ぼさない範
囲で任意に定めることができ、ＲＰ２０及びＦＰ２１の
ベーク処理を十分に行うことが容易となることから好ま
しい。

【００５８】外枠処理ラインにおける外枠ベーク処理室
１６のベーク処理は、例えばランプ加熱熱処理などによ
って行うことができる。この外枠２２のベーク処理は、
前述したＲＰ２０（図２参照）及びＦＰ２１（図３参
照）とは分けて行われるため、ＲＰ２０及びＦＰ２１の
ベーク処理とは別に温度を自由に設定することができ
る。従って、ＲＰ２０及びＦＰ２１については、前述し
た高温による十分なベーク処理を施す場合でも、この外
枠２２については、事前に設けられている封着材が流動
化して流れ出さない温度によるベーク処理とすることが
できる。

【００５９】ところで、外枠２２は、画像表示パネル１
９（図１参照）の周側壁を構成するものであるため、画
像表示パネル１９内への露出面積が小さく、ベーク処理
がある程度不十分であっても、封着後の画像表示パネル
１９内の真空度に与える影響が小さい。従って、外枠２
２のベーク処理を、封着材が流動化しない温度に押さえ
ても、画像表示パネル１９内への露出面積が大きなＲＰ
２０（図２参照）とＦＰ２１（図３参照）に十分なベー
ク処理を施しておくことによって、封着後の画像表示パ
ネル１９内の真空度の低下を抑制することができる。

【００６０】外枠ベーク処理室１６での外枠２２のベー
ク処理は、封着材が流動化する温度以下にして、流れ出
しを防止する必要があるが、封着後の画像表示パネル１
９内の真空度の低下を効果的に抑制できるよう、少なく
とも外枠２２に付着又は吸着されている水を蒸発除去で
きる温度以上とすることが好ましく、付着又は吸着され
ているガスもある程度除去できる温度とすることが更に
好ましい。具体的には、使用する封着材の種類にもよる
が、１００℃以上３８０℃未満に加熱することが好まし
い。図示される例においては、図１（ｂ）に示されるよ
うに、１２０℃に加熱している。また、ベーク処理室１
５の真空度は、前述したリアプレート処理ラインにおけ
る基板ベーク処理室２（図２参照）と同様で、図示され
る例においては、図１（ｂ）に示されるように、１０^-4
Ｐａとなっている。

【００６１】冷却処理室１７における冷却処理は、例え
ば水などの冷却媒体による温度制御機能を有する冷却プ
レートなどを用いることができる。この外枠処理ライン
における冷却処理室１７は、外枠ベーク処理室１６にお
ける加熱がさほど高温ではないので、省略したり、チャ
ンバゲッタ処理室１８を設ける場合において、チャンバ
ゲッタ処理室１８において外枠２２を冷却することで置
き換えることもできる。また、前述のように、外枠２２
は、封着後の画像表示パネル１９（図１参照）内の真空
度に与える影響が小さいことから、外枠ベーク処理室１
６を省略することもできる。更に、例えば外枠ベーク処
理室１６と冷却処理室１７との間に、図２で説明した表
面浄化処理室３を介在させることもできる。

【００６２】（４）封着処理ライン図５に基づいて、外枠処理ラインの各処理室について説
明する。

【００６３】封着処理ラインは、組み立て処理室６に搬
送されて来たＲＰ２０、ＦＰ２１及び外枠２２を所定の
位置関係にアライメントし、予め外枠に設けられた封着
材を用いて封着処理を施すラインで、組み立て処理室
６、封着処理室７及び後処理室８の順に直列に接続され
ている。各処理室は、それぞれ真空ポンプで排気され、
必要な真空雰囲気を形成できるようになっている。

【００６４】封着処理ラインの組み立て処理室６には、
前述のリアプレート処理ラインのチャンバゲッタ処理室
５と、フェースプレート処理ラインのパネルゲッタ処理
室１４と、外枠処理ラインのチャンバゲッタ処理室１８
が、それぞれゲートバルブ３１，４６，５８を介して接
続されており、各ラインからＲＰ２０とＦＰ２１と外枠
２２とが合流するものとなっている。また、組み立て処
理室６と封着処理室７間、封着処理室７と後処理室８
間、並びに、後処理室８と大気間は、それぞれゲートバ
ルブ６２〜６４で隔てられている。

【００６５】組み立て処理室６は、アライメント装置を
備えたもので、同時又は逐次ゲートバルブ３１，４６，
５８を開いて、リアプレート処理ラインのチャンバゲッ
タ処理室５からはＲＰ２０、フェースプレート処理ライ
ンのパネルゲッタ処理室１４からはＦＰ２１、外枠処理
ラインのチャンバゲッタ処理室１８からは外枠２２がそ
れぞれ搬送されて来るものである。ＲＰ２０とＦＰ２１
の搬送は、それぞれ温度制御手段３３，３９に載せられ
た状態で行われ、その後の封着処理ラインにおける搬送
は、リアプレート処理ラインと一連の搬送ユニット２３
で行われる。

【００６６】ＲＰ２０、ＦＰ２１及び外枠２２が送り込
まれ、ゲートバルブ３１，４６，５８を閉じた後、ま
ず、外枠２２をＦＰ２１への取り付け位置へ、温度制御
手段３９に設けられた突き当てピンにより配置する。外
枠２２の配置後、ＲＰ２０を載せた温度制御手段３３
と、ＦＰ２１を載せた温度制御手段３９を、ＲＰ２０と
ＦＰ２１の内面同志を向き合わせて対向させて近接さ
せ、ＲＰ２０とＦＰ２１の相対位置合わせを行う。この
相対位置合わせは、温度制御手段３３及び／又は３９に
設けられた突き当てピンを用い、ＲＰ２０とＦＰ２１の
端面を基準にして行うことができるが、他の方法を用い
てもよい。この相対位置合わせ後、温度制御手段３３，
３９を更に接近させ、外枠２２を挟んで、ＲＰ２０とＦ
Ｐ２１を圧接させ、組み立て処理を完了する。

【００６７】組み立て処理室６の真空度は、ＲＰ２０、
ＦＰ２１、外枠２２の清浄な状態を維持すると共に、前
記パネルゲッタ処理によりＦＰ２１に施されたゲッタ膜
の活性状態の維持のために、１０^-5Ｐａ以上に維持され
ていることが好ましい。また、組み立て処理室６におけ
るＲＰ２０、ＦＰ２１、外枠２２の温度は、ほぼ組み立
て処理室６に運び込まれたときの温度に維持される。図
示される例においては、組み立て処理室６の真空度は１
０^-6Ｐａとなっており、組み立て処理室６におけるＲＰ
２０、ＦＰ２１及び外枠２２の温度は、運び込まれたと
きと同じ１００℃を保っている。

【００６８】組み立て処理が完了し、両温度制御手段３
３，３９の間に挟み込まれ、外枠２２を挟んで圧接され
たＲＰ２０とＦＰ２１は、ゲートバルブ６２を開いて、
組み立て位置関係がずれないように、封着処理室７へ搬
送し、ゲートバルブ６２を閉じる。

【００６９】封着処理室７では、温度制御手段３３，３
９の温度を上げ、ＲＰ２０、ＦＰ２１及び外枠２２を封
着に適した温度にまで再加熱し、予め外枠２２に設けら
れている封着材を接着可能な状態にまで軟化させて、外
枠２２を挟んで対向したＲＰ２０とＦＰ２１の周縁を気
密状態に接着する封着処理を行う。この封着処理は、封
着材が軟化又は溶融して接着可能な状態となってからピ
ーク温度で１０分間程度保持し、その後温度制御手段３
３，３９の温度を下げて、ＲＰ２０、ＦＰ２１及び外枠
２２を冷却すると共に、封着材を冷却固化させることで
行うことができる。

【００７０】封着処理室７は、封着されて形成される画
像表示パネル１９内が高い真空度となるよう、組み立て
処理室６と同様の真空度であることが好ましい。図示さ
れる例においては、図１（ｃ）に示されるように、１０
^-6Ｐａに維持されている。

【００７１】封着処理室７において行われる再加熱は、
次の後処理室８で行われる冷却処理時間を短縮できるよ
う、できるだけ低い温度ですますことが好ましく、必要
に応じて、封着材が設けられたＲＰ２０とＦＰ２１の周
縁部のみ（外枠２２付近のみ）の部分加熱とすることも
できる。再加熱温度は、使用する封着材の種類によって
定まり、例えば封着材としてインジュウム金属を用いれ
ば、加熱ピーク温度を１６０℃程度、冷却固化温度を１
４０℃程度に設定することができる。図示される例にお
いては、図１（ｃ）に示されるように、１６０℃となっ
ている。また、封着材として、フリットガラスを用いる
場合、加熱ピーク温度を３９０℃程度、冷却固化温度を
３００℃程度に設定することで封着処理を行うことがで
きる。

【００７２】図示される例においては、組み立て処理室
６と封着処理室７を設けているが、組み立て処理と封着
処理は別の処理室に分けて行わなければならないもので
はなく、図示される組み立て処理室６を封着処理室７と
し、封着処理室７で組み立て処理（アライメント）と封
着処理の両者を行うようにすることもできる。

【００７３】封着材の冷却固化温度にまで冷却した後、
封着処理により形成された画像表示パネルを温度制御手
段３３，３９から外し、ゲートバルブ６３を開いて、後
処理室８へと搬送する。後処理室８は、封着処理室８の
真空度を損なわないよう、封着処理室８と同程度の真空
度となっていることが好ましい。図示される例において
は、１０^-6Ｐａ程度に真空排気されていることが好まし
い。

【００７４】後処理室８においては、画像表示パネル１
９を搬出可能な温度にまで降温させる冷却処理が行われ
る。この冷却処理には、水などの冷却媒体による温度制
御機能を有する冷却プレートなどを用いることができ
る。この冷却処理は、真空リークさせて後処理室８内を
徐々に大気まで昇圧すると共に、自然冷却によって行う
こともできる。

【００７５】形成された画像表示パネル１９が外部に取
り出せる温度にまで降温させると共に、後処理室８を真
空リークさせて大気圧とした後、ゲートバルブ６４を開
いて画像表示パネル１８を取り出す。

【００７６】次に、図６〜図８に基づいて、本発明の第
２の例について説明する。尚、図６〜図８において、図
１〜図５と同じ符号は同じ部材を示すものである。

【００７７】図６（ａ）は、本発明の製造方法に用いる
製造装置の第２の例を模式的に示す図で、図６（ｂ）〜
（ｄ）は、図６（ａ）における外枠処理ライン、フェー
スプレート処理ライン、リアプレート処理ライン〜封着
処理ラインにおける処理対象部材の温度プロファイルと
各処理室の真空度プロファイルを示すものである。

【００７８】図６（ａ）において、下段のラインがリア
プレート及び封着処理ラインで、１は前処理室、２は基
板ベーク処理室、３は表面浄化処理室、４は冷却処理
室、５はチャンバゲッタ処理室、６は組み立て処理室、
７は封着処理室、８は後処理室で、前処理室１からチャ
ンバゲッタ処理室５までがリアプレート処理ラインで、
これに続く組み立て処理室６から後処理室８までが封着
処理ラインである。リアプレート及び封着処理ラインに
ついては図７に拡大して示す。

【００７９】図６（ａ）において、中段のラインがフェ
ースプレート処理ラインで、９は前処理室、１０は基板
ベーク処理室、１１は表面浄化処理室、１２は冷却処理
室、６４は外枠セット処理室、１３はチャンバゲッタ処
理室、１４はパネルゲッタ処理室で、このパネルゲッタ
処理室１４が、上記封着ラインにおける組み立て処理室
６に接続されている。このフェースプレート処理ライン
については、図８に拡大して示す。

【００８０】図６（ａ）において、上段のラインが外枠
処理ラインで、１５は前処理室、１６は外枠ベーク処理
室、１７は冷却処理室で、この冷却処理室１７が、上記
フェースプレート処理ラインにおける外枠セット処理室
６５に接続されている。この外枠処理ラインについて
は、図８に拡大して示す。

【００８１】本例は、封着処理ラインの組み立て処理室
６におけるアライメントを容易にすべく、ベーク処理を
経たＦＰ２１の所定の位置に外枠２２をセットした後、
組み立て処理室６に搬送できるようにしたもので、図６
〜図８に示されるように、フェースプレート処理ライン
の冷却処理室１２とチャンバゲッタ処理室１３の間に、
ゲートバルブ６６，６７を介して外枠セット処理室６５
が介在していると共に、外枠処理ラインのチャンバゲッ
タ処理室１８（図４参照）が省略されており、その冷却
処理室１７が、組み立て処理室６ではなく、ゲートバル
ブ６８を介して外枠セット処理室６５に接続されている
点で前記図１〜図５のものと相違している。

【００８２】外枠セット処理室６５は、搬送されて来る
ＦＰ２１の所定の位置に、温度制御手段３９に配置固定
された突き当てピンを基準に外枠２２をアライメントし
て仮止めする処理室で、冷却処理室４と同程度もしくは
それ以上の真空度とすることが好ましい。図示される例
においては、外枠セット処理室６５は１０^-5Ｐａの真空
度となっており、またこの外枠セット処理室６５におけ
る温度プロファイルは１００℃となっている。

【００８３】外枠２２は、処理装置への搬入前に予めＲ
Ｐ２０又はＦＰ２１にセット又は固定しておくと共に、
封着面に予め封着材を設けておくこともできるが、本例
のように、外枠２２を、ベーク処理を経たＦＰ２１にセ
ットしてから組み立て処理室６に搬送するようにすれ
ば、予め封着材を設けた外枠２２とは分けてＲＰ２０及
びＦＰ２１のベーク処理を行うことができ、前述したＲ
Ｐ２０及びＦＰ２１のベーク処理時の封着材の流動化に
よるはみ出しを防止することができる。また、ＦＰ２１
と外枠２２が同時に組み立て処理室６に搬送されること
になるので、組み立て処理室６の高真空度を維持しやす
くするためのチャンバゲッタ処理室１８（図４参照）の
役割をチャンバゲッタ処理室１４に一つにまとめ、チャ
ンバゲッタ処理室１８を省略しても、これを設けた場合
と同様の効果を得ることができる。更に、組み立て処理
室６におけるアライメントを、ＲＰ２０とＦＰ２１の２
つに対して行えばよく、ＲＰ２０とＦＰ２１のアライメ
ント操作の簡略化及び精度向上が容易となる。

【００８４】上記第２の例における封着処理前の外枠２
２のセットは、ＦＰ２１に対してではなく、ベーク処理
を経たＲＰ２０に対して行うこともできる。例えば、リ
アプレート処理ラインにおける冷却処理室４とチャンバ
ゲッタ処理室５間に上記外枠セット処理室６５を介在さ
せ、そこに外枠処理ラインの冷却処理室１７を接続すれ
ばよい。

【００８５】以上の第１の例と第２の例において、前処
理室１及び後処理室８は大気に開放させるため、必要な
真空度まで排気するのに時間を要する場合がある。特に
後処理室８は、封着処理室７と同等の高真空度にまで排
気することが好ましいので、この排気に時間を要しやす
い。このため、前処理室１と後処理室８、特に後処理室
８は複数設けると共に、この複数の前処理室１又は後処
理室８間をゲートバルブ（図示されていない）を介して
接続し、段階的に真空度を上昇又は低下させておくこと
で、搬入もしくは搬出時の排気時間を短縮することがで
きる。また、前処理室１又は後処理室８以外の処理室に
ついても、同じ処理室を複数設け、連続処理における処
理時間の調整や、必要な真空度を得るための排気時間の
短縮を図ることもできる。

【００８６】説明した第１の例や第２の例のように、Ｒ
Ｐ２０及びＦＰ２１を内外面方向に搬送し、外枠２２を
表裏面方向に搬送すると共に、同時に複数の処理対象部
材を搬送して連続的に処理を行う場合、比較的処理時間
が長くなる基板ベーク処理室２，１０、外枠ベーク処理
室１６、冷却処理室４，１２，１７においては、搬送す
るＲＰ２０、ＦＰ２１、外枠２２の前後の間隔を狭め、
複数を同じ処理室内に入れて同時に処理を施すことが好
ましい。また、表面浄化処理室３，１１やパネルゲッタ
処理室１４においては、ＲＰ２０やＦＰ２１の内面への
処理を行いやすくするために、搬送するＲＰ２０、ＦＰ
２１の前後の間隔を広げることが好ましい。このために
は、上記ＲＰ２０、ＦＰ２１、外枠２２を、前後の間隔
を縮小・拡大可能な状態にして連続して搬送することが
好ましい。

【００８７】性能及び耐久性に優れた画像表示パネル１
９（図１、図６参照）を得るためには、基板ベーク処理
室２，１０及びパネルゲッタ処理室１４を設けることが
好ましい。従って、少なくともベーク処理室１０とパネ
ルゲッタ処理１４を経る処理対象部材（第１及び第２の
例ではＦＰ２１）は、前後の間隔を縮小・拡大可能な状
態にして連続して搬送し、ベーク処理室１０では前後の
間隔を詰めて複数枚をベーク処理室１０に入れて同時に
ベーク処理を施し、パネルゲッタ処理室１４において
は、前後の間隔をあけて、内面へのパネルゲッタ処理を
行いやすくすることが好ましい。

【００８８】また、説明した第１及び第２の例において
は、いずれもＲＰ２０とＦＰ２１を別の基板ベーク処理
室２と１０でベーク処理しているが、両者を一つの基板
ベーク処理室２又は１０に搬送し、一緒にベーク処理す
ることで、基板ベーク処理室２と１０をいずれか一つに
まとめることもできる

【００８９】

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりのもので
あり、少なくとも一対の基板を立てた状態で搬送するこ
とから、各処理室の平面面積を小さくすることができ、
処理装置の設置面積を小さくすることができる。また、
予め封着材を外枠に設けておき、一対の基板をこの外枠
とは分けてベーク処理すると、パネル状気密容器内に露
出する面積の大きい基板については、ベーク処理時の封
着材の流動化によるはみ出しを生じさせることなく、十
分なガス及び水分の除去が可能な高温で長時間のベーク
処理を施すことができると共に、外枠は、パネル状気密
容器内への露出面積が小さいので、ベーク処理を施さな
くてもパネル状気密容器内の真空度への悪影響が小さい
ので、基板に十分なベーク処理を施すことにより、パネ
ル状気密容器内の良好な真空度の維持が可能となるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法に用いる製造装置の第１の例
を模式的に示す図と共に、この製造装置における処理対
象部材の温度プロファイルと各処理室の真空度プロファ
イルを模式的に示す図である。

【図２】図１におけるリアプレート処理ラインの拡大図
である。

【図３】図１におけるフェースプレート処理ラインの拡
大図である。

【図４】図１における外枠処理ラインの拡大図である。

【図５】図１における封着処理ラインの拡大図である。

【図６】本発明の製造方法に用いる製造装置の第２の例
を模式的に示す図と共に、この製造装置における処理対
象部材の温度プロファイルと各処理室の真空度プロファ
イルを模式的に示す図である。

【図７】図６におけるリアプレート処理ライン〜封着処
理ラインの拡大図である。

【図８】図６におけるフェースプレート処理ライン及び
外枠処理ラインの拡大図である。

【符号の説明】

１前処理室２基板ベーク処理室３表面浄化処理室４冷却処理室５チャンバゲッタ処理室６組み立て処理室７封着処理室８後処理室９前処理室１０基板ベーク処理室１１表面浄化処理室１２冷却室処理室１３チャンバゲッタ処理室１４パネルゲッタ処理室１５前処理室１６外枠ベーク処理室１７冷却処理室１８チャンバゲッタ処理室１９画像表示パネル２０リアプレート（ＲＰ）２１フェースプレート（ＦＰ）２２外枠２３搬送ユニット２４搬送ユニット２５搬送ユニット２６〜３１ゲートバルブ３２スペーサ３３温度制御手段３４電子銃３５電子線３６チャンバゲッタ板３７チャンバゲッタフラッシュ装置３８チャンバゲッタフラッシュ３９温度制御手段４０〜４６ゲートバルブ４７電子銃４８電子線４９チャンバゲッタ板５０チャンバゲッタフラッシュ装置５１チャンバゲッタフラッシュ５２パネルゲッタフラッシュ装置５３パネルゲッタフラッシュ５４〜５８ゲートバルブ５９チャンバゲッタ板６０チャンバゲッタフラッシュ装置６１チャンバゲッタフラッシュ６２〜６４ゲートバルブ６５外枠セット処理室６６〜６８ゲートバルブ

フロントページの続き (72)発明者宮崎俊彦東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内Ｆターム(参考） 5C012 AA05 BC03 BC04

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】パネル状気密容器の表裏面を構成する一
対の基板と周側壁を構成する外枠とを、少なくとも封着
処理室を含む減圧された複数の処理室を有する一連の処
理装置へ搬入して順次処理室間を搬送し、所定の処理を
経た前記一対の基板と外枠とを、封着材を用いて前記封
着処理室で封着処理するパネル状気密容器の製造方法に
おいて、少なくとも前記一対の基板を、それぞれ立てた状態で搬
送するとことを特徴とするパネル状気密容器の製造方
法。
【請求項２】前記外枠を、前記基板とは別に、立てた
状態で搬送することを特徴とする請求項１に記載のパネ
ル状気密容器の製造方法。
【請求項３】前記外枠を、外枠の表裏面方向に搬送す
ることを特徴とする請求項２に記載のパネル状気密容器
の製造方法。
【請求項４】前記一対の基板を、それぞれ基板の内外
面方向に搬送することを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載のパネル状気密容器の製造方法。
【請求項５】前記処理装置の処理室として、少なくと
も前記一対の基板が前記封着処理室への搬送に先立って
搬送される基板ベーク処理室を設けると共に、前記外枠
の表裏面に予め前記封着材を設けておき、少なくとも前
記一対の基板を前記外枠とは分けて前記基板ベーク処理
室に搬送してベーク処理を施すことを特徴とする請求項
２〜４のいずれかに記載のパネル状気密容器の製造方
法。
【請求項６】前記処理装置の処理室として、少なくと
も前記一対の基板が前記封着処理室への搬送に先立って
搬送される基板ベーク処理室と、該基板ベーク処理室を
経た少なくとも一方の基板の内面に表面浄化処理又はパ
ネルゲッタ処理を施す表面浄化処理室又はパネルゲッタ
処理室を設けると共に、該少なくとも一方の基板につい
て、前後の基板間の間隔を縮小・拡大可能な状態で複数
を連続して搬送し、前記ベーク処理室において前後の基
板間の間隔を縮小して複数の基板を基板ベーク処理室に
入れて同時にベーク処理を施し、前記表面浄化処理室又
はパネルゲッタ処理室において前後の基板間の間隔を拡
大して表面浄化処理又はパネルゲッタ処理を施すことを
特徴とする請求項４に記載のパネル状気密容器の製造方
法。
【請求項７】前記基板ベーク処理室を、一対の基板を
構成する２つの基板のそれぞれについて設け、該２つの
基板をそれぞれ別の基板ベーク処理室に搬送してベーク
処理を施すことを特徴とする請求項５又は６に記載のパ
ネル状気密容器の製造方法。
【請求項８】前記基板ベーク処理室における基板のベ
ーク処理の加熱条件を、基板に吸着されたガスが放出さ
れる温度以上とすることを特徴とする請求項５〜７のい
ずれかに記載のパネル状気密容器の製造方法。
【請求項９】前記処理装置の処理室として、外枠が封
着処理室への搬送に先立って搬送される外枠ベーク処理
室を設け、前記外枠を前記基板とは分けて該外枠ベーク
処理室に搬送してベーク処理を施すことを特徴とする請
求項５〜８のいずれかに記載のパネル状気密容器の製造
方法。
【請求項１０】外枠ベーク処理室における外枠のベー
ク処理の加熱条件を、外枠に付着又は吸着されている水
分の放出温度以上で、予め外枠に設けられた封着材の流
動化温度未満とすることを特徴とする請求項９記載のパ
ネル状気密容器の製造方法。
【請求項１１】一対の基板と外枠とを分離された状態
のまま封着処理室へ搬送することを特徴とする請求項５
〜１０のいずれかに記載のパネル状気密容器の製造方
法。
【請求項１２】外枠を、予め設けられた封着材を用い
て、基板ベーク処理室におけるベーク処理を経たいずれ
か一方の基板にセットして封着処理室へ搬送することを
特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載のパネル状気
密容器の製造方法。
【請求項１３】外枠を、外枠ベーク処理室におけるベ
ーク処理後、予め設けられた封着材を用いて、基板ベー
ク処理室におけるベーク処理を経たいずれか一方の基板
にセットして封着処理室へ搬送することを特徴とする請
求項９又は１０に記載のパネル状気密容器の製造方法。