JP2003168363A

JP2003168363A - 基板ホルダーおよびそれを用いた画像表示パネルの製造装置

Info

Publication number: JP2003168363A
Application number: JP2001363666A
Authority: JP
Inventors: Shinya Koyama; 信也小山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2001-11-29
Filing date: 2001-11-29
Publication date: 2003-06-13

Abstract

(57)【要約】【課題】フェースプレートとリアプレートを浄化処理
および封着処理がしやすい状態で同時に保持して搬送す
ることができる基板ホルダー１を提供する。【解決手段】フェースプレートを小基板２、リアプレ
ートを大基板３とし、ホルダーベース４上に、前記小基
板２を載置可能な小基板支持部５と、該小基板支持部５
に載置された前記小基板２の外側に位置すると共に前記
大基板３を当該小基板２上に位置させて載置可能でしか
も弾性的に下方に押し下げ可能な大基板支持部６とを有
し、小基板２と大基板３を間隔をあけて上下に重ねて保
持できる基板ホルダー１とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板（蛍光
体を有するフェースプレートと、電子源を有するリアプ
レート）が隙間をあけて向き合わされて該隙間の周縁部
が封着された画像表示パネルの製造時に前記一対の基板
を保持させる基板ホルダー、および、一対の基板をこの
基板ホルダーに保持させて、減圧された複数の処理室へ
順次搬送し、各処理室で所定の処理を施すことで上記画
像表示パネルを製造する画像表示パネルの製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】従来、平板状の画像表示パネルは、内部
空間容積がきわめて小さく、封着後に内壁面などからガ
スの放出があった場合に、内部の真空度が大きく低下し
やすいことから、構成部材に付着又は吸着されている水
分やガスを除去する浄化処理を施した後、高真空度に保
たれた封着処理室で封着できるようにした画像表示パネ
ルの製造装置が知られている（ＷＯ００／６０６３４号
公報）。具体的には、蛍光体を有するフェースプレート
が順次搬送されるベーク処理室と冷却処理室とゲッタ処
理室を備えたラインと、電子源および周側壁を構成する
外枠を有するリアプレートが順次搬送されるベーク処理
室と冷却処理室を備えたラインをアライメント処理室で
合流させ、このアライメント処理室で位置合わせされた
フェースプレートとリアプレートを封着処理室へ搬送
し、予めフェースプレートに付設した接着剤を用いて封
着処理室で封着して画像表示パネルを製造できるように
した画像表示パネルの製造装置が知られている。

【０００３】また、従来、フェースプレート、リアプレ
ートおよび外枠は、同じ大きさの矩形をなすもので、こ
れらの封着処理に際し、突き当て部を有する第１の基台
上に回転自在な球体を配置しておき、この第１の基台の
球体上にリアプレートと外枠とフェースプレートを順次
重ねると共に、これらの側面を突き当て部に突き当てて
位置合わせをし、位置合わせされたリアプレート、外枠
およびフェースプレートの上から、回転自在な球体を有
する第２の基台で押さえた状態で加熱することで封着す
ることも知られている（特開平８−１２４４８２号公
報）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の画像表示パネルの製造装置では、フェースプレート
とリアプレートの浄化処理を、両者を別々のラインに別
々に搬送して行っていることから、両者に共通の浄化処
理を施す処理室（例えばベーク処理室）であってもそれ
ぞれに対して設けなければならないと同時に、搬送手段
が２ライン必要となり、設備的負担が大きくなる問題が
ある。

【０００５】ところで、フェースプレートとリアプレー
トを１台の基板ホルダーに保持させ、１ラインの搬送手
段によって両者を同時に共通の処理室へ搬送して浄化処
理を施すことで、上記設備的負担を軽減することが考え
られる。この基板ホルダーとしては、フェースプレート
またはリアプレートの向きを変えることなく封着できる
よう、フェースプレートとリアプレートを内面同志を向
き合わせて保持できるものが好ましい。

【０００６】しかしながら、例えば前記ゲッタ処理室で
のゲッタ剤の被着は、通常、フェースプレートの内面に
対して行われるので、ゲッタ処理室においてはフェース
プレートとリアプレートを大きく離す必要がある反面、
常にフェースプレートとリアプレートを大きく離して保
持する基板ホルダーでは、各処理室を大きくしなければ
ならなくなって、設備的負担が大きくなると共に、各処
理室を必要な真空度に維持するための運転コストも増大
する問題がある。

【０００７】一方、前記従来の封着処理に使用されてい
る第１の基台は、元々封着処理専用に考えられたもので
あって、リアプレートと外枠とフェースプレートを順次
重ねて載置するものであることから、そのままでは構成
部材の内面からの水分やガスの除去を図りにくく、各処
理室への搬送用の基板ホルダーとしては適さない問題が
ある。

【０００８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたもので、フェースプレートとリアプレートを浄化処
理および封着処理がしやすい状態で同時に保持して搬送
することができる基板ホルダーを提供すると共に、この
基板ホルダーを用いて各処理室へフェースプレートとリ
アプレートを搬送して画像表示パネルを製造することが
できる画像表示パネルの製造装置を提供することを目的
とする。また、本発明は、封着処理時のアライメント精
度の向上をも目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的のために、本発
明の第１は、一対の基板が隙間をあけて向き合わされて
該隙間の周縁部が封着された画像表示パネルの製造時に
前記一対の基板を保持させる基板ホルダーにおいて、保
持対象である前記一対の基板が、大きさの異なる小基板
と大基板であって、ホルダーベース上に、前記小基板を
載置可能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置され
た前記小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当該
小基板上に位置させて載置可能な大基板支持部とが設け
られていることを特徴とする基板ホルダーを提供するも
のである。

【００１０】上記本発明の第１は、前記小基板支持部と
大基板支持部の少なくとも一方が、小基板または大基板
を点接触支持する部材であること、前記小基板支持部と
大基板支持部の少なくとも一方が、前記小基板または大
基板を受ける転動自在な球体を有すること、前記大基板
支持部が、弾性的に下方に押し下げ可能であること、前
記小基板と大基板とがそれぞれ矩形をなし、前記小基板
支持部及び大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基
板及び大基板の直交する２つの側面がそれぞれ当接され
る小基板突き当て部及び大基板突き当て部と、前記小基
板支持部及び大基板支持部にそれぞれ載置された前記小
基板及び大基板をそれぞれ前記小基板突き当て部及び大
基板突き当て部に向かって弾性的に押圧可能な小基板ク
ランプ手段及び大基板クランプ手段とを有すること、を
その好ましい態様として含むものである。

【００１１】また、本発明の第２は、一対の基板を基板
ホルダーに保持させて、減圧された複数の処理室へ順次
搬送し、各処理室で所定の処理を施すことで、前記一対
の基板が隙間をあけて向き合わされて該隙間の周縁部が
封着された画像表示パネルを製造する画像表示パネルの
製造装置において、前記一対の基板が、大きさの異なる
小基板と大基板であって、前記複数の処理室が、前記小
基板と大基板を加熱するベーク処理室と、該ベーク処理
室を経た前記小基板と大基板の少なくとも一方の内面に
ゲッタ剤を被着させるゲッタ処理室とを含み、前記基板
ホルダーが、ホルダーベース上に、前記小基板を載置可
能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置された前記
小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当該小基板
上に位置させて載置可能な大基板支持部とが設けられた
ものであることを特徴とする画像表示パネルの製造装置
を提供するものである。

【００１２】上記本発明の第２は、前記基板ホルダーの
小基板支持部と大基板支持部の少なくとも一方が、小基
板または大基板を点接触支持する部材であること、前記
基板ホルダーの小基板支持部と大基板支持部の少なくと
も一方が、前記小基板または大基板を受ける転動自在な
球体を有すること、前記小基板と大基板とがそれぞれ矩
形をなし、前記基板ホルダーが、前記小基板支持部及び
大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基
板の直交する２つの側面がそれぞれ当接される小基板突
き当て部及び大基板突き当て部と、前記小基板支持部及
び大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大
基板をそれぞれ前記小基板突き当て部と大基板突き当て
部とに向かって弾性的に押圧可能な小基板クランプ手段
及び大基板クランプ手段とを有すること、をその好まし
い態様として含むものである。

【００１３】さらに本発明の第３は、一対の基板を基板
ホルダーに保持させて、減圧された複数の処理室へ順次
搬送し、各処理室で所定の処理を施すことで、前記一対
の基板が隙間をあけて向き合わされて該隙間の周縁部が
封着された画像表示パネルを製造する画像表示パネルの
製造装置において、前記一対の基板が、大きさの異なる
小基板と大基板であって、前記複数の処理室が、向かい
合わせた前記小基板と大基板を、該小基板と大基板の少
なくとも一方の周囲に付設された接着剤を介して圧接さ
せて、前記隙間の周縁部を封着する封着処理室を含み、
前記基板ホルダーが、ホルダーベース上に、前記小基板
を載置可能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置さ
れた前記小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当
該小基板上に位置させて載置可能で、しかも弾性的に下
方に押し下げ可能な大基板支持部とが設けられたもの
で、前記封着処理室が、前記基板ホルダーの大基板支持
部に載置された前記大基板に加圧部を押し当てて下方へ
押圧し、前記大基板支持部を弾性的に下方へ押し下げ
て、当該大基板を前記小基板支持部に載置された前記小
基板に圧接可能な加圧手段を有することを特徴とする画
像表示パネルの製造装置を提供するものである。

【００１４】上記本発明の第３は、前記基板ホルダーの
小基板支持部と大基板支持部の少なくとも一方が、小基
板または大基板を点接触支持する部材であること、前記
基板ホルダーの小基板支持部と大基板支持部の少なくと
も一方が、前記小基板または大基板を受ける転動自在な
球体を有すること、前記小基板と大基板とがそれぞれ矩
形をなし、前記基板ホルダーが、前記小基板支持部及び
大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基
板の直交する２つの側面がそれぞれ当接される小基板突
き当て部及び大基板突き当て部と、前記小基板支持部及
び大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大
基板をそれぞれ前記小基板突き当て部と大基板突き当て
部とに向かって弾性的に押圧可能な小基板クランプ手段
及び大基板クランプ手段とを有すること、前記小基板と
大基板のいずれか一方の周囲にあらかじめ外枠が取り付
けられており、前記接着剤が、該外枠の表面または該外
枠に対応する小基板もしくは大基板の表面の少なくとも
いずれか一方に付設されていること、前記加圧手段の加
圧部が、前記大基板と点接触する部材であること、前記
加圧手段の加圧部が、前記大基板に押し当てられる転動
自在な球体を有すること、前記複数の処理室が、封着処
理室への搬送に先立って小基板と大基板が搬送される処
理室として、前記小基板と大基板を加熱するベーク処理
室と、該ベーク処理室を経た前記小基板と大基板の少な
くとも一方の内面にゲッタ剤を被着させるゲッタ処理室
とを含むこと、をその好ましい態様として含むものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】まず、図１〜図４に基づいて本発
明の一例に係る基板ホルダーを説明する。

【００１６】図１は本発明の一例に係る基板ホルダー１
を示す平面図、図２は図１の基板ホルダー１に一対の基
板（小基板２と大基板３）を保持させた状態の側面図、
図３は小基板支持部５と大基板支持部６の拡大図、図４
は図２における右側端部付近の拡大図である。

【００１７】図１および図２に示されるように、本発明
の基板ホルダー１における保持対象である一対の基板
は、同じ大きさではなく、大きさが異なる小基板２と大
基板３となっている。図示される例においては、小基板
２と大基板３はいずれも矩形をなすもので、大きさが小
さい小基板２がフェースプレート、大きさが大きい大基
板３がリアプレートとなっている。フェースプレートで
ある小基板２には、蛍光体、ブラックストライプ、メタ
ルバックなどが形成されている。また、リアプレートで
ある大基板３には、蛍光体励起手段として複数の電子放
出素子が複数の行方向配線と複数の列方向配線によって
マトリクス配置された電子源が形成されている。

【００１８】小基板２をリアプレートとし、大基板３を
フェースプレートとすることもできるが、図示されるよ
うに大基板３をリアプレートとすると、多数の電子放出
素子をマトリクス配置することで構成される電子源の配
線を、後述する封止後に周縁に露出する大基板３の外周
縁に延出させておくことができ、電子源とその駆動回路
の接続が容易となるので好ましい。

【００１９】基板ホルダー１は、内面同志を向き合わせ
た小基板２と大基板３を、上下方向に間隔をあけて対向
させて同時に保持することができるもので、ホルダーベ
ース４上に、小基板支持部５、大基板支持部６、小基板
突き当て部７、大基板突き当て部８、小基板クランプ手
段９および大基板クランプ手段１０を設けたものとなっ
ている。

【００２０】小基板支持部５は、小基板２を載置するた
めのもので、図示される例においては柱体状もしくはピ
ン体状をなし、ホルダーベース４上に、載置される小基
板２の外周縁より若干内側に入った位置に立設されてい
る。ホルダーベース４の上面そのものを小基板支持部５
とし、小基板２をホルダーベース４上に直に置くように
したり、小基板支持部５を枠状やライン状の突起などと
して設けることもできるが、小基板支持部５、小基板２
との接触面積を小さくして、浄化処理を受けにくい小基
板２の面積を小さくする上で、図示されるような柱体状
もしくはピン状体とすることが好ましく、小基板２と点
接触するものとすることがさらに好ましい。

【００２１】大基板支持部６は、載置される大基板３
を、小基板支持部５に載置された小基板２の上方に支持
するもので、図示される例においては、小基板支持部５
よりも高い柱体状もしくはピン体状をなし、ホルダーベ
ース４上に、小基板支持部５に載置された小基板２の外
側に位置すると共に、小基板２の上方に位置させた大基
板３の外周縁より若干内側に入った位置に立設されてい
る。この大基板支持部６も、上記小基板支持部２と同様
の理由から、図示されるような柱体状もしくはピン状体
とすることが好ましく、大基板３と点接触するものとす
ることがさらに好ましい。

【００２２】小基板支持部５および大基板支持部６は、
上記のように、少なくとも一方が小基板２または大基板
３と点接触するものであることが好ましく、両者とも点
接触するものであることがさらに好ましい。また、小基
板支持部５および大基板支持部６を図示されるような柱
体状もしくはピン体状とした場合、その本数は、小基板
２および大基板３をそれぞれ安定して載置できる本数、
即ち、それぞれ３本以上であればよく、現実的には、基
板サイズを考慮した上でのセッティング時の小基板２お
よび大基板３の反り及びこれらとの接触圧力、さらには
使用する治具などの干渉を考慮し決定される。

【００２３】さらに小基板支持部５および大基板支持部
６について説明すると、図３（ａ），（ｂ）に示される
ように、小基板支持部５および大基板支持部６は、その
上面に回動自在な球体５ａ，６ａを有するものであるこ
とが好ましい。図示される小基板支持部５と大基板支持
部６は、頭部５ｂ，６ｂと胴部５ｃ，６ｃと取付座部５
ｄ，６ｄとを有し、頭部５ｂ，６ｂに、ベアリング５
ｅ，６ｅを介して回動自在に保持された球体５ａ，６ａ
を有するものとなっている。この球体５ａ，６ａは、小
基板２または大基板３を受けるもので、小基板２または
大基板３と点接触すると共に、これらを滑動支持し、小
基板支持部５と小基板２間および大基板支持部６と大基
板３間の摩擦を軽減するもので、これを設けることで、
後述するアライメントが容易となり、やはり後述する封
着時の加熱に伴う部材間の伸縮によるずれや歪みの発生
を防止しやすくすることができる。球体５ａ，６ａは、
小基板支持部５と大基板支持部６のいずれか一方のみに
設けることもできるが、上記利益を確実に得られるよう
にする上で、両者に設けることが好ましい。

【００２４】特に大基板支持部６は、後述するように、
小基板２と大基板３を基板ホルダー１に乗せたまま封着
処理を行えるようにする上で、弾性的に下方に押し下げ
可能であることが好ましい。本例における大基板支持部
６は、図３（ｂ）に示されるように、胴部６ｃに沿って
上下に移動可能な頭部６ｂと、取付座部６ｄとの間にス
プリング６ｆが介在されており、頭部６ｂが所定の係止
位置までこのスプリング６ｆによって押し上げられてい
るもので、頭部６ｂに設けられた球体６ａを下方に押圧
してスプリング６ｆを圧縮することで、頭部６ｂを下方
に押し下げることができるようになっている。

【００２５】小基板支持部５は、載置された小基板２の
外面とホルダーベース４との間に、浄化処理時に小基板
２の外面から放出される水分やガスを除去しやすい空間
を維持できる高さとすることが好ましい。また、大基板
支持部６は、図４に示されるように、小基板支持部５上
に載置された小基板２の真上に、小基板２と非接触状態
で大基板３を載置できる高さとなっている。大基板３を
リアプレートとした場合、通常、この大基板３の内面側
には、電子源（図示されていない）の他に、スペーサー
１１や外枠１２が予め設けられているので、大基板支持
部６は、これらの部材のいずれもが小基板２と非接触状
態に維持できる高さとなっている。

【００２６】スペーサ１１は、封着後の小基板２と大基
板３間の間隔を維持すると共に、耐大気圧構造を付与す
るためのもので、例えば無機接着剤などを用いて予め固
定しておくことができる。このスペーサ１１は、図示さ
れるように予め大基板３に固定しておかなければならな
いものではなく、予め小基板２に固定しておくこともで
きる。

【００２７】外枠１２は、製造される画像表示パネルの
周側壁を構成するもので、図示される例における外枠１
２は、予め接着剤１３によって大基板３に固定されたも
のとなっているが、小基板２に固定しておくこともでき
る。接着剤１３としては、例えばフリットガラスなどを
用いることができる。また、この外枠１２の表面には、
小基板２と大基板３を封着するために、上記接着剤１３
よりも低融点の接着剤１４が付設されている。接着剤１
４としては、例えば融点が１５６℃の低融点金属である
インジュウムなどを用いることができ、超音波半田こて
などにより付設することができる。接着剤１４は、外枠
１２と対向する小基板２表面（外枠を小基板２固定して
おく場合にはこれと対向する大基板３表面）にも付設し
ておくことができる。

【００２８】図１および図２に示されるように、基板ホ
ルダー１は、小基板突き当て部７と大基板突き当て部８
を有することが好ましい。小基板突き当て部７は、小基
板支持部５上に載置された小基板２の直交する２つの側
面が突き当てられる位置に設けられており、大基板突き
当て部８は、大基板支持部６上に載置された大基板３の
直交する２つの側面が突き当てられる位置に設けられて
いる。小基板支持部５上に載置された小基板２と、大基
板支持部６上に載置された大基板３は、それぞれ小基板
突き当て部７と大基板突き当て部８とに突き当てられる
ことで、これらによって規定される位置に載置されるこ
とになる。

【００２９】この小基板突き当て部７と大基板突き当て
部８は、小基板２と大基板３をそれぞれに突き当てた位
置としたときに、小基板と２と大基板３が所望の位置関
係で向き合うことになる位置に設けられているものであ
る。小基板支持部５および大基板支持部６が前記球体５
ａ，６ａを有するものであると、小基板支持部５と大基
板支持部６上で小基板２と大基板３をそれぞれ水平移動
させやすく、この小基板突き当て部７および大基板突き
当て部８に小基板２および大基板３を突き当てることに
よる位置合わせ作業が容易となる。また、基板ホルダー
１の小基板突き当て部７と大基板突き当て部８は、位置
調整を行えるよう、固定状態へのロックと、このロック
を解除することによる移動が可能としておくことが好ま
しい。

【００３０】さらに、上記小基板突き当て部７および大
基板突き当て部８と共に、小基板支持部５と大基板支持
部６に載置された小基板２および大基板３をそれぞれ小
基板突き当て部７と大基板突き当て部８に向かって弾性
的に押圧する小基板クランプ手段９と大基板クランプ手
段１０を有することが好ましい。この小基板クランプ手
段９と大基板クランプ手段１０を設けておくと、小基板
２と大基板３を小基板突き当て部７と大基板突き当て部
８とに突き当てて、これらによって規定される位置に載
置させることができると同時に、小基板２および大基板
３をそれぞれ小基板突き当て部７および大基板突き当て
部８との間に挟み付けて定位させることができ、搬送中
のずれや脱落を防止することができる。

【００３１】上記小基板クランプ手段９と大基板クラン
プ手段１０としては、小基板突き当て部７および大基板
突き当て部８にそれぞれ突き当てられる小基板２および
大基板３の側面とは反対側の側面をスプリングなどの弾
性部材を用いて押圧する機構のものを用いることができ
る。また、小基板クランプ手段９と大基板クランプ手段
１０は、それぞれ小基板２と大基板３を小基板突き当て
部７と大基板突き当て部８に押し付けたクランプ状態
と、これを解除した状態との間の切り換えができるもの
であることが好ましい。

【００３２】次に、上記基板ホルダーを用いた本発明に
係る画像表示パネルの製造装置の一例を図２、図５〜図
７に基づいて説明する。

【００３３】図２は、前記のとおり、上述した基板ホル
ダー１に一対の基板（小基板２と大基板３）を保持させ
た状態の正面図、図５は、本発明の一例に係る画像表示
パネルの製造装置の模式図と共に小基板２および大基板
３の温度プロファイルと各処理室（前処理室５１、ベー
ク処理室５２、表面浄化処理室５３、ゲッター処理室５
４、封着処理室５５、後処理室５６）の圧力プロファイ
ルを示す図、図６は封着処理室５５における処理状態の
説明図、図７は図６における右側端部付近の拡大図であ
る。

【００３４】図５に示されるように、本例の装置は、前
処理室５１、ベーク処理室５２、表面浄化処理室５３、
ゲッター処理室５４、封着処理室５５、後処理室５６を
順次直列に接続したもので、各処理室はそれぞれ不図示
の真空ポンプで排気されて、必要な真空雰囲気が形成さ
れている。

【００３５】上記処理室の内、ベーク処理室５２、表面
浄化処理室５３、ゲッター処理室５４、封着処理室５５
は、搬送される小基板２および大基板３を所定の温度に
制御するために、温度制御手段５７〜６４を備えたもの
となっている。本例における温度制御手段５７〜６４
は、所望の温度に設定可能なホットプレートで構成され
ている。温度制御手段５７〜６４は、昇降機６５〜７２
にそれぞれ支持されていて昇降可能となっている。ま
た、表面浄化処理室５３とゲッター処理室５４における
上側の昇降機６７，６９には、大基板クランプ手段１０
（図２参照）によるクランプを解除して大基板３を保持
可能であると共に、保持した大基板３を再度基板ホルダ
ー１の大基板支持部６（図２参照）上に降ろして大基板
クランプ手段１０で大基板３をクランプさせることが可
能な大基板着脱手段７３，７４が設けられている。

【００３６】前処理室５１および後処理室５６と大気
間、並びに、各処理室の間は、ゲートバルブ７５〜８１
で隔てられている。小基板２および大基板３を保持した
基板ホルダー１は、ゲートバルブ７５〜８１を開閉させ
て、前処理室５１に搬入された後、ベーク処理室５２、
表面浄化処理室５３、ゲッター処理室５４、封着処理室
５５、後処理室５６へと順次移動し、後処理室５６から
搬出されるものである。

【００３７】前処理室５１は、ゲートバルブ７６を閉じ
た状態でゲートバルブ７５を開き、小基板２と大基板３
を保持した基板ホルダー１が搬入された後、ゲートバル
ブ７５を閉じて内部を所定の減圧状態まで排気してから
ゲートバルブ７６を開いて、基板ホルダー１をベーク処
理室５２へと送り出すもので、小基板２と大基板３を保
持した基板ホルダー１の搬入によって、ベーク処理室５
２以降の処理室の真空雰囲気が損なわれないようにする
ためのものである。

【００３８】ベーク処理室５２は、温度制御手段５７，
５８によって、基板ホルダー１に保持された小基板２と
大基板３を加熱し、小基板２と大基板３に付着又は吸着
されている水分、ガスなどを放出させるベーク処理を行
うためのものである。

【００３９】表面浄化処理室５３は、小基板２および／
または大基板３の表面に電子線、イオン、紫外線あるい
はプラズマを照射することで、これらの表面を浄化する
表面浄化処理を行うためのものである。本例における表
面浄化処理室５３は、電子銃８２から小基板２の内面に
エレクトロン・ビームを照射して、特に小基板２の内側
表面に付着または吸着されている水分やガスを放出させ
るものとなっているが、上記イオンの照射、紫外線の照
射あるいはプラズマの照射により浄化を行うものとする
こともできると共に、浄化対象を大基板３としたり、小
基板２と大基板３の両者とすることもできる。また、表
面浄化処理は、表面浄化処理室５３の任意の領域に対し
て行うこともできる。即ち、表面浄化処理室５３内に電
子線などを照射することにより、ベーキング処理および
表面浄化処理によって小基板２や大基板３などから離脱
したガスをイオン化し、後工程のゲッター処理室５４に
おけるチャンバーゲッター処理での吸着を促進すること
ができる。

【００４０】本例におけるゲッター処理室５４は、ゲッ
ター処理室５４内に配置されたチャンバーゲッタ板８３
に４からゲッター剤をフラッシュして被着させるチャン
バーゲッター処理と、パネルゲッターフラッシュ装置８
５から小基板２の内面にゲッター剤をフラッシュして被
着させるパネルゲッター処理を施すものとなっている。

【００４１】チャンバーゲッター処理は、ゲッター処理
室５４および次の封着処理室５５内の真空度を高く維持
する目的で、パネルゲッター処理に先立って行われるも
ので、チャンバーゲッターフラッシュ装置８４からチャ
ンバーゲッター板８５へ向けてＢａなどのゲッター剤を
瞬間的に蒸発させ、チャンバーゲッター板８５にゲッタ
ー剤を被着させて、ゲッター処理室５４内のガス成分を
捕捉させることで行われる。

【００４２】パネルゲッター処理は、小基板２と大基板
３を組み合わせて封着した後、形成された画像表示パネ
ル内の真空度を維持できるようにする目的で行われるも
ので、パネルゲッターフラッシュ装置８５から小基板２
の内面へ向けてＢａなどのゲッター剤を瞬間的に蒸発さ
せ、小基板２の内面の一部にゲッター剤を被着させるこ
とで行われる。本例におけるパネルゲッター処理は、小
基板２に対して行われるものとなっているが、大基板３
に対して行ったり、小基板２と大基板３の両者に対して
行うことできる。

【００４３】封着処理室５５は、小基板２と大基板３を
組み合わせ、軟化もしくは溶融した接着剤１４（図７参
照）を用いて封着し、画像表示パネルを組み上げる処理
を行うためのもので、本例における封着処理室５５は、
温度制御手段６３，６４によって小基板２と大基板３を
封着温度まで加熱してから両者を所定の位置関係で封着
するものとなっている。

【００４４】後処理室５６は、封着処理室５５で形成さ
れた画像表示パネルを取り出し温度にまで冷却すると共
に、ゲートバルブ８０を閉じた状態で大気圧まで昇圧さ
れ、ゲートバルブ８１を開いて画像表示パネルを取り出
せるようにすると共に、画像表示パネルの取り出し後
は、再度所定圧力まで減圧されて封着処理室５５からの
画像表示パネルの搬送に備え、ゲートバルブ８０の開放
による封着処理室５５の真空度の低下を防止するための
ものである。

【００４５】上記装置による画像表示パネルの製造手順
を説明する。

【００４６】まず、前処理室５１への搬入に先立って、
基板ホルダー１に小基板２と大基板をセットする。即
ち、図２に示されるように、小基板支持部５と大基板支
持部６上にそれぞれ小基板２と大基板３を載置すると共
に、それぞれを、小基板突き当て部７、大基板突き当て
部８、小基板クランプ手段９および大基板クランプ手段
１０を用いて所定の位置関係で基板ホルダー１に保持さ
せる。本例における小基板２は、予め蛍光体およびメタ
ルバックが配置されたものであり、大基板３は、予め電
子源が配置され、外枠１２およびスペーサ１１（図７参
照）が所定の位置に取り付けられたものとなっている。

【００４７】まず、ゲートバルブ７６が閉じた状態で前
処理室５１を大気圧とし、ゲートバルブ７５を開いて、
上記小基板２と大基板３がセットされた基板ホルダー１
を搬入し、ゲートバルブ７５を閉じて前処理室５１内を
所定の真空雰囲気とした後に、ゲートバルブ７６を開い
て、小基板２と大基板３を有する基板ホルダー１をベー
ク処理室５２に送り出す。

【００４８】前処理室５１における小基板２および大基
板３の温度は、通常は室温で、そのままの温度に放置さ
れる。また、図示される例においては、前処理室５１
は、ベーク処理室５２以降の必要な真空雰囲気を維持し
やすくするために、ゲートバルブ７６を開いて、小基板
２と大基板３を有する基板ホルダー１をベーク処理室５
２へ送り出す前に、１０^-5Ｐａ以下に減圧することが好
ましい。図示される例においては、前処理室５１を１０
^-5Ｐａまで減圧している。

【００４９】次いで、小基板２および大基板３を有する
基板ホルダー１は、ベーク処理室５２に搬送され、ゲー
トバルブ７６，７７を閉じた状態で、温度制御手段５
７，５８により小基板２と大基板３が加熱され、ベーク
処理が施される。このベーク処理は、小基板２および大
基板３を損傷することなく、吸着されている水素、酸
素、水などの不純物をガスとして放出させることができ
るよう、小基板２および大基板３を３００℃〜４００℃
に加熱することが好ましく、図示される例においては３
５０°に加熱している。また、ベーク処理室５２は、小
基板２、大基板３および基板ホルダー１などからベーク
処理に伴って放出される水分やガス成分などによって真
空度が低下するが、このベーク処理室５２以降の処理室
において要求される真空度を維持しやすくするために、
少なくともゲートバルブ７７を開くときに１０^-4以下の
真空度となっていることが好ましい。図示される例にお
いては、小基板２および大基板３を有する基板ホルダー
１の受け入れ時の真空度が１０ ^-5Ｐａで、その送り出し
時の真空度が１０^-4Ｐａとなっている。

【００５０】上記ベーク処理室５２におけるベーク処理
が施された小基板２と大基板３は、基板ホルダー１に保
持されたまま、表面浄化処理室５３へ搬送され、昇降機
６７によって温度制御手段５９と共に降下された大基板
脱着手段７３により、大基板クランプ手段１０（図２参
照）によるクランプが解除されると共に、大基板３がこ
の大基板脱着手段７３に保持されて、昇降機６７の上昇
により温度制御手段５９と共に上方に持ち上げられ、基
板ホルダー１上に残る小基板２との間に間隔があけられ
る。そして、この状態で、電子銃８２から小基板２の内
面にエレクトロン・ビームが照射され、小基板２の内側
表面に付着または吸着されている水分やガスの放出除去
が行われる。

【００５１】表面浄化処理室５３における表面浄化処理
は、小基板２と大基板３の温度が比較的高い方が効果的
であり、ベーク処理室５２の直後にこの表面浄化処理室
５３を接続しておくと、ベーク処理室５２における加熱
の余熱を利用して効果的な表面浄化処理を行いやすいの
で好ましい。また、表面浄化処理室５３は、その後のゲ
ッター処理室５４におけるパネルゲッター処理によって
小基板２および／または大基板３に被着されるゲッター
剤が熱劣化しない温度まで小基板２と大基板の温度を降
下させるものでもあり、図示される例においては、ベー
ク処理温度から１００℃に温度降下させながら表面浄化
処理を行うものとなっている。

【００５２】表面浄化処理室５３の真空度は、次のゲッ
ター処理室５４において要求される真空度を維持しやす
くするために、少なくともゲートバルブ７８を開く前に
１０ ^-5Ｐａ以下に減圧されていることが好ましい。図示
される例においては、小基板２および大基板３を有する
基板ホルダー１が運び込まれるときの真空度が１０^-4Ｐ
ａで、これを運び出すときの真空度が１０^-5Ｐａとなっ
ている。

【００５３】表面浄化処理が完了すると、昇降機６７に
よって、温度制御手段５９と共に大基板脱着手段７３が
降下し、大基板３を基板ホルダー１の大基板支持部６
（図２参照）上に降ろし、再び大基板クランプ手段１０
によって大基板３をクランプさせる。大基板３を再度ク
ランプするときに、大基板クランプ手段１０を複数回開
閉して大基板３の位置を整えるようにすると、小基板２
との位置関係にずれを生じることなく大基板３をクラン
プしやすくなる。

【００５４】表面浄化処理室５３での処理を完了した小
基板２と大基板３は、再び基板ホルダー１に保持され
て、ゲートバルブ７８を介してゲッター処理室５４へ搬
送される。表面浄化処理室５３では、上記大基板脱着手
段７３と同様の大基板脱着手段７４により、再度大基板
３が持ち上げられ、基板ホルダー１上に残る小基板２と
の間に間隔があけられる。また、チャンバーゲッターフ
ラッシュ装置８４からチャンバーゲッター板８３に向け
てゲッター剤がフラッシュされて、チャンバーゲッター
処理が行われ、ゲッター処理室５４内の真空度が高めら
れる。図示される例においては、小基板２および大基板
３を有する基板ホルダー１の受け入れ時に１０^-5Ｐａで
あった真空度が１０^-6Ｐａに高められている。

【００５５】上記チャンバーゲッター処理によってゲッ
ター処理室５４内の真空度を高めた後、パネルゲッター
フラッシュ装置８５から小基板２に対してゲッター剤を
フラッシュさせ、所定の領域にゲッター剤を被着させ
る。パネルゲッター処理に先立ってチャンバーゲッター
処理を施してゲッター処理室５４内の真空度を高めてお
くと、パネルゲッター処理によって被着されるゲッター
剤の劣化を防止しやすく、ゲッター剤のガス捕捉力を封
着処理まで維持しやすくなる。また、図示されるゲッタ
処理室５４は、表面浄化処理室５３から１００℃で受け
入れた小基板２と大基板３を同じ１００℃で封着処理室
５５へ送り出すものとなっているが、小基板と大基板３
の受け入れ時の温度が、特にパネルゲッター処理をする
のに高過ぎる場合には、このゲッター処理室５４におい
て小基板２と大基板３のさらなる降温を行うこともでき
る。

【００５６】図示される例では、フェースプレートであ
る小基板２の内面にゲッター剤を被着させているが、ゲ
ッター剤を被着させるのはこれに限るものではなく、リ
アプレートである大基板３に被着させることも可能であ
る。但し、ゲッター剤は一般に導電性を有するため、製
造した画像表示パネルの画像表示駆動時に、大きなリー
ク電流を発生させたり、駆動電圧の耐圧性を低下させる
などの問題を発生させる場合がある。例えば、リアプレ
ートである大基板３にゲッタ剤を被着させると、外枠１
２およびスペーサ１１（図７参照）にも導電性のゲッタ
剤が被着されるために、駆動時の電気的な問題が発生す
る場合がある。この様な場合には、ゲッター剤を被着成
膜してはならない部分をメタル薄板の成膜マスクで覆
い、ゲッター剤が被着されないようにしながら、大基板
３の必要な部分にのみゲッター剤を被着させることが好
ましい。

【００５７】尚、図示される例においては、ゲッター処
理室５４でチャンバーゲッター処理とパネルゲッター処
理の両者を行うものとなっているが、ゲッター処理室５
４をチャンバーゲッター処理室とパネルゲッター処理室
とに分け、小基板２と大基板を保持した基板ホルダー１
を、チャンバーゲッター処理室を経てパネルゲッター処
理室へ搬送するようにすることもできる。

【００５８】ゲッター処理が完了すると、昇降機６９に
よって、温度制御手段６１と共に大基板脱着手段７４が
降下し、大基板３を基板ホルダー１の大基板支持部６
（図２参照）上に降ろし、前記表面浄化処理の完了時と
同様にして、大基板クランプ手段１０によって大基板３
がクランプされ、小基板２と大基板３が所定の位置関係
で基板ホルダー１に保持される。

【００５９】ゲッター処理が完了し、基板ホルダー１に
所定の位置関係で保持し直された小基板２と大基板は、
基板ホルダー１と共に封着処理室５５へ搬送され、封着
処理が行われる。

【００６０】図６および図７に示されるように、封着処
理室５５では、温度制御手段６４上に基板ホルダー１が
置かれる共に、基板ホルダー１に載置された大基板３に
近接する位置まで温度制御手段６３が昇降機７１によっ
て降下して、小基板２と大基板３を封着温度まで加熱す
る。これによって、接着剤１４が軟化もしくは溶融した
後、昇降機７１により温度制御手段６３がさらに降下
し、温度制御手段に６３に設けられた加圧部８６が大基
板３に押し当てられ、大基板３を押圧することで封着が
行われる。

【００６１】即ち、図示される例においては、昇降機７
１で昇降される温度制御手段６３が封着用の加圧手段を
兼ねており、この温度制御手段６３の降下によって加圧
部８６が大基板３を下方に押圧すると、大基板支持部６
が下方に収縮して、下方に位置する小基板２に大基板３
が圧接され、接着剤１４を介して両者が密着されること
になる。その後、接着剤１４の硬化温度まで小基板２と
大基板３を温度制御手段６３，６４で冷却し、接着剤１
４を硬化させて封着処理を完了する。

【００６２】図示される例においては、上記のように温
度制御手段６３が加圧手段を兼ねているが、温度制御手
段６３とは別に昇降される加圧手段を設けることもでき
る。また、大基板３との偏った接触を防止しやすくする
ために、加圧部８６は大基板３と点接触するものである
ことが好ましく、さらには上方に弾性的に収縮可能なも
のであることが好ましい。図示される加圧部８６は、胴
部８６ｃに沿って上下に移動可能な頭部８６ｂと、取付
座部８６ｄとの間にスプリング８６ｆが介在されてお
り、頭部８６ｂが所定の係止位置までこのスプリング８
６ｆによって押し出されているもので、頭部８６ｂに設
けられた球体８６ａを上方に押圧してスプリング８６ｆ
を圧縮することで、頭部８６ｂを上方に押し上げること
ができるようになっている。

【００６３】加圧部８６は、図示されるように、回動自
在な球体８６ａを介して大基板３と接触するものである
ことが好ましい。特に、前述したように、小基板支持部
５および／または大基板支持部６にも回動自在な球体５
ａ，６ａを設けておくと、封着のための加熱および冷却
時に、小基板２、大基板３およびホルダーベース４など
の間に伸縮量の差が生じても、これを吸収して歪みの発
生を防止しやすくなるので好ましい。尚、加圧部８６の
球体８６ａは、図３（ｂ）に示される大基板支持部６の
球体６ａと同様に、ベアリング（図示されていない）を
介して保持されているものである。

【００６４】図示される例においては、パネルゲッター
処理によって小基板２に被着されたゲッター剤が劣化し
ないよう、１０^-6Ｐａに減圧された封着処理室５５内
で、小基板２と大基板を１８０℃に加熱して封着処理を
行うものとなっている。従って、得られる画像表示パネ
ル内の圧力も１０^-6Ｐａとなる。封着処理時の小基板２
と大基板３の圧接圧力は、基板の大きさや接着剤１４の
種類に応じて選択すればよいが、加圧部８６による加圧
位置は、図７に示されるように、小基板２と大基板３の
間隔を維持するスペーサー１１部分であることが好まし
い。このような位置とすることによって、小基板２と大
基板３の間隔を一定に形成しやすくなる。また、反り防
止の観点から、加圧部８６の直下には小基板支持部５が
位置していることが好ましい。尚、図７において１３は
外枠１４を予め大基板３に固定するための接着剤であ
り、図４で説明したものと同様である。

【００６５】封着処理は、小基板２および大基板３の温
度が、接着剤１４の硬化固定温度以下に下がった時点で
終了し、封着処理により形成された画像表示装置は、ゲ
ートバルブ８０を介して基板ホルダー１ごと後処理室５
６へ搬送される。

【００６６】後処理室５６では、取出温度（図示される
例では室温）までの冷却を施した後、後処理室５６を大
気圧まで昇圧して、ゲートバルブ８１から画像表示パネ
ルを取り出す。後処理室５６温度制御手段（図示されて
いない）としては、封着された画像表示パネルの急激な
温度降下による損傷などが発生しなければ、水冷による
温度制御機能を有する冷却プレートなどを用いることが
できるが、後処理室５６内で自然冷却を行っても良い。
後処理室５６は、画像表示パネルの取り出し後、ゲート
バルブ８１を遮蔽して、次の工程の開始前に、独立配置
した真空排気系（図示せず）によって所定の減圧状態に
戻しておくことが好ましい。

【００６７】

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりのもので
あり、次の効果を奏するものである。

【００６８】（１）本発明の基板ホルダー１は、小基板
２と大基板３を上下に非接触状態で重ねて保持すること
ができ、１ラインの搬送ラインで小基板２と大基板３を
所定の処理室へ同時に搬送することができる。従って、
搬送ラインを複数設けることによる設備的負担を軽減す
ることができる。

【００６９】（２）小基板２と大基板３間に間隔をあけ
て処理する必要のある処理室での処理（例えば表面浄化
処理室５３における内面浄化処理や、ゲッター処理室５
４におけるパネルゲッター処理）においては、適宜の大
基板脱着手段７３を設けておいて、大基板３を基板ホル
ダー１から持ち上げることで容易に小基板２との間隔を
とって処理を行うことができ、当初から小基板２と大基
板３間に必要な間隔をあけておく必要がないので、各処
理室を必要最小限の大きさとすることができる。

【００７０】（３）大基板支持部６を、弾性的に下方に
押し下げ可能としておくと、封着処理室５５において、
基板ホルダー１に載置された大基板３を上方から押圧す
ることで小基板２と圧接させることができ、基板ホルダ
ー１に載置したままでの封着処理が可能となる。

【００７１】（４）さらに小基板突き当て部７、大基板
突き当て部８、小基板クランプ手段９および大基板クラ
ンプ手段１０を設けておくと、小基板２と大基板３を所
定の位置関係で基板ホルダー１に保持することができ、
搬送中の脱落を防止できると同時に、封着処理時のアラ
イメント作業を省略することができる。

【００７２】（５）小基板支持部５、大基板支持部６、
加圧部８６のいずれか１または複数に回動自在な球体を
設けておくと、封着処理時の加熱および冷却に伴う部材
間の伸縮差による歪みの発生を防止しやすくなると共
に、上記小基板突き当て部７および大基板突き当て部８
を用いた位置合わせが行いやすくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例に係る基板ホルダーを示す平面図
である。

【図２】図１の基板ホルダーに一対の基板（小基板と大
基板）を保持させた状態の側面図である。

【図３】小基板支持部と大基板支持部の拡大図である。

【図４】図２における右側端部付近の拡大図である。

【図５】本発明の一例に係る画像表示パネルの製造装置
の模式図と共に小基板および大基板の温度プロファイル
と各処理室の圧力プロファイルを示す図である。

【図６】封着処理室における処理状態の説明図である。

【図７】図６における右側端部付近の拡大図である。

【符号の説明】

１基板ホルダー２小基板３大基板４ホルダーベース５小基板支持部５ａ球体５ｂ頭部５ｃ胴部５ｄ取付座部５ｅベアリング５ｆスプリング６大基板支持部６ａ球体６ｂ頭部６ｃ胴部６ｄ取付座部６ｅベアリング６ｆスプリング７小基板突き当て部８大基板突き当て部９小基板クランプ手段１０大基板クランプ手段１１スペーサー１２外枠１３接着剤１４接着剤５１前処理室５２ベーク処理室５３表面浄化処理室５４ゲッター処理室５５封着処理室５６後処理室５７〜６４温度制御手段６５〜７２昇降機７３，７４大基板脱着手段７５〜８１ゲートバルブ８２電子銃８３チャンバーゲッター板８４チャンバーゲッタフラッシュ装置８５パネルゲッターフラッシュ装置８６加圧部８６ａ球体８６ｂ頭部８６ｃ胴部８６ｄ取付座部８６ｆスプリング

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の基板が隙間をあけて向き合わされ
て該隙間の周縁部が封着された画像表示パネルの製造時
に前記一対の基板を保持させる基板ホルダーにおいて、保持対象である前記一対の基板が、大きさの異なる小基
板と大基板であって、ホルダーベース上に、前記小基板
を載置可能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置さ
れた前記小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当
該小基板上に位置させて載置可能な大基板支持部とが設
けられていることを特徴とする基板ホルダー。
【請求項２】前記小基板支持部と大基板支持部の少な
くとも一方が、小基板または大基板を点接触支持する部
材であることを特徴とする請求項１に記載の基板ホルダ
ー。
【請求項３】前記小基板支持部と大基板支持部の少な
くとも一方が、前記小基板または大基板を受ける転動自
在な球体を有することを特徴とする請求項１または２に
記載の基板ホルダー。
【請求項４】前記大基板支持部が、弾性的に下方に押
し下げ可能であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れか１項に記載の基板ホルダー。
【請求項５】前記小基板と大基板とがそれぞれ矩形を
なし、前記小基板支持部及び大基板支持部にそれぞれ載
置された前記小基板及び大基板の直交する２つの側面が
それぞれ当接される小基板突き当て部及び大基板突き当
て部と、前記小基板支持部及び大基板支持部にそれぞれ
載置された前記小基板及び大基板をそれぞれ前記小基板
突き当て部及び大基板突き当て部に向かって弾性的に押
圧可能な小基板クランプ手段及び大基板クランプ手段と
を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項
に記載の基板ホルダー。
【請求項６】一対の基板を基板ホルダーに保持させ
て、減圧された複数の処理室へ順次搬送し、各処理室で
所定の処理を施すことで、前記一対の基板が隙間をあけ
て向き合わされて該隙間の周縁部が封着された画像表示
パネルを製造する画像表示パネルの製造装置において、前記一対の基板が、大きさの異なる小基板と大基板であ
って、前記複数の処理室が、前記小基板と大基板を加熱するベ
ーク処理室と、該ベーク処理室を経た前記小基板と大基
板の少なくとも一方の内面にゲッタ剤を被着させるゲッ
タ処理室とを含み、前記基板ホルダーが、ホルダーベース上に、前記小基板
を載置可能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置さ
れた前記小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当
該小基板上に位置させて載置可能な大基板支持部とが設
けられたものであることを特徴とする画像表示パネルの
製造装置。
【請求項７】前記基板ホルダーの小基板支持部と大基
板支持部の少なくとも一方が、小基板または大基板を点
接触支持する部材であることを特徴とする請求項６に記
載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項８】前記基板ホルダーの小基板支持部と大基
板支持部の少なくとも一方が、前記小基板または大基板
を受ける転動自在な球体を有することを特徴とする請求
項６または７に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項９】前記小基板と大基板とがそれぞれ矩形を
なし、前記基板ホルダーが、前記小基板支持部及び大基
板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基板の
直交する２つの側面がそれぞれ当接される小基板突き当
て部及び大基板突き当て部と、前記小基板支持部及び大
基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基板
をそれぞれ前記小基板突き当て部と大基板突き当て部と
に向かって弾性的に押圧可能な小基板クランプ手段及び
大基板クランプ手段とを有することを特徴とする請求項
６〜８のいずれか１項に記載の画像表示パネルの製造装
置。
【請求項１０】一対の基板を基板ホルダーに保持させ
て、減圧された複数の処理室へ順次搬送し、各処理室で
所定の処理を施すことで、前記一対の基板が隙間をあけ
て向き合わされて該隙間の周縁部が封着された画像表示
パネルを製造する画像表示パネルの製造装置において、前記一対の基板が、大きさの異なる小基板と大基板であ
って、前記複数の処理室が、向かい合わせた前記小基板と大基
板を、該小基板と大基板の少なくとも一方の周囲に付設
された接着剤を介して圧接させて、前記隙間の周縁部を
封着する封着処理室を含み、前記基板ホルダーが、ホルダーベース上に、前記小基板
を載置可能な小基板支持部と、該小基板支持部に載置さ
れた前記小基板の外側に位置すると共に前記大基板を当
該小基板上に位置させて載置可能で、しかも弾性的に下
方に押し下げ可能な大基板支持部とが設けられたもの
で、前記封着処理室が、前記基板ホルダーの大基板支持部に
載置された前記大基板に加圧部を押し当てて下方へ押圧
し、前記大基板支持部を弾性的に下方へ押し下げて、当
該大基板を前記小基板支持部に載置された前記小基板に
圧接可能な加圧手段を有することを特徴とする画像表示
パネルの製造装置。
【請求項１１】前記基板ホルダーの小基板支持部と大
基板支持部の少なくとも一方が、小基板または大基板を
点接触支持する部材であることを特徴とする請求項１０
に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１２】前記基板ホルダーの小基板支持部と大
基板支持部の少なくとも一方が、前記小基板または大基
板を受ける転動自在な球体を有することを特徴とする請
求項１０または１１に記載の画像表示パネルの製造装
置。
【請求項１３】前記小基板と大基板とがそれぞれ矩形
をなし、前記基板ホルダーが、前記小基板支持部及び大
基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基板
の直交する２つの側面がそれぞれ当接される小基板突き
当て部及び大基板突き当て部と、前記小基板支持部及び
大基板支持部にそれぞれ載置された前記小基板及び大基
板をそれぞれ前記小基板突き当て部と大基板突き当て部
とに向かって弾性的に押圧可能な小基板クランプ手段及
び大基板クランプ手段とを有することを特徴とする請求
項１０〜１２のいずれか１項に記載の画像表示パネルの
製造装置。
【請求項１４】前記小基板と大基板のいずれか一方の
周囲にあらかじめ外枠が取り付けられており、前記接着
剤が、該外枠の表面または該外枠に対応する小基板もし
くは大基板の表面の少なくともいずれか一方に付設され
ていることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１
項に記載の画像表示パネルの製造装置。
【請求項１５】前記加圧手段の加圧部が、前記大基板
と点接触する部材であることを特徴とする請求項１０〜
１４のいずれか１項に記載の画像表示パネルの製造装
置。
【請求項１６】前記加圧手段の加圧部が、前記大基板
に押し当てられる転動自在な球体を有することを特徴と
する請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の画像表示
パネルの製造装置。
【請求項１７】前記複数の処理室が、封着処理室への
搬送に先立って小基板と大基板が搬送される処理室とし
て、前記小基板と大基板を加熱するベーク処理室と、該
ベーク処理室を経た前記小基板と大基板の少なくとも一
方の内面にゲッタ剤を被着させるゲッタ処理室とを含む
ことを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか１項に記
載の画像表示パネルの製造装置。