JP2005167291A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 接合を有する半導体基板の表面もしくは表面及び裏面の両面に絶縁膜を形成してなる半導体装置の製造方法において、
   上記絶縁膜上に該絶縁膜を溶融せしめる性質を有したガラスを含む金属ペースト材料を設けて焼成することにより上記絶縁膜を貫通して上記半導体基板と電気的な接触を行う電極を形成する工程を含み、
   上記絶縁膜は、単層または複数層で構成され、単層の場合は窒化シリコン膜を用い、複数層の場合はその中の少なくとも１層に窒化シリコン膜を用いてなる
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 上記絶縁層は、複数層で構成される場合に、上記窒化シリコン膜の他にシリコン酸化膜を用いてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 上記窒化シリコン膜は、熱ＣＶＤ法もしくはプラズマＣＶＤ法により形成されてなることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
4. 上記絶縁膜は、複数層で構成され、その中の少なくとも１層に酸化チタン膜を用いてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
5. 上記絶縁膜は、上記酸化チタン膜の他にシリコン酸化膜を用いてなることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
6. 上記酸化チタン膜は、チタンを含む有機液体材料を上記半導体基板上に塗布して焼成することにより形成されるかもしくは熱ＣＶＤ法により形成されてなることを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置の製造方法。
7. 上記金属ペースト材料は、酸素と窒素の混合ガスの雰囲気で焼成され、その酸素濃度が３０％以上であることを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
8. 上記シリコン酸化膜は、熱酸化法、熱ＣＶＤ法もしくはプラズマＣＶＤ法により形成されてなることを特徴とする請求項２または５記載の半導体装置の製造方法。
9. 上記ガラスは、その主成分が、鉛、ボロン、シリコン、酸素の組み合わせからなるガラスであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
10. 上記金属ペースト材料を焼成することにより上記絶縁膜を貫通して上記半導体基板と電気的な接触を行う電極を形成する工程を経た後に、弗酸もしくは弗化アンモニウムを含む水溶液に浸漬する工程を付加したことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11. 上記弗酸もしくは弗化アンモニウムを含む水溶液に浸債する工程の前もしくは後に、水素を含む雰囲気中で熱処理を施す工程を付加したことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。