JP2004111624A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ストレージノード形状不良および円筒倒れが起こらず、またSCの多結晶シリコンのバリアメタルとの界面の酸化を防止することができ、さらにリーク電流を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に位置し、ストレージノード20が設けられたストレージノードコンタクト絶縁膜5と、ストレージノード絶縁膜7と、ストレージノード絶縁膜を貫通し、ストレージノード絶縁膜から上方に延びるように位置するストレージノード20とを備え、ストレージノードコンタクト部16が、ストレージノードの底部に向けて凹んでおり、ストレージノードの底部が、その凹んだ部分に嵌め込まれた凸形状である。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板の上に位置し、ストレージノード20が設けられたストレージノードコンタクト絶縁膜5と、ストレージノード絶縁膜7と、ストレージノード絶縁膜を貫通し、ストレージノード絶縁膜から上方に延びるように位置するストレージノード20とを備え、ストレージノードコンタクト部16が、ストレージノードの底部に向けて凹んでおり、ストレージノードの底部が、その凹んだ部分に嵌め込まれた凸形状である。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、より具体的には、信頼性の高いストレージノードを有するMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタを備えた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
デバイスの高集積化に伴いチップサイズが縮小され、半導体装置におけるメモリのキャパシタ配列間隔やキャパシタのサイズ自体が小さくなっている。微細サイズのDRAMの開発において、キャパシタ容量の増大が必要であるため、電極材料として金属材料のルテニウム(Ru)を使用し、キャパシタ誘電体膜として高誘電体膜、たとえばTa2O5膜を使用したMIMキャパシタが開発されている。
【0003】
図33は、従来の円筒キャパシタを用いたDRAM(Dynamic Random Access Memory)の平面図である。また、図34は、図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。この断面はビット線(BL)に平行な断面である。図33において、シリコン基板151の上にトランスファーゲート(TG)101が所定のピッチで配置され、これに直交するようにビット線(BL)102が、やはり所定ピッチで配列されている。これら交差するトランスファーゲートとビット線とによって形成される桝目の位置にポリランディングパッド103が配置されている。ビット線の下方にはビット線コンタクト104が設けられている。
【0004】
図34において、BPTEOS(Boro−Phospho Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)膜からなるSC層間絶縁膜105を貫通してストレージノードコンタクト(SC)バリアメタルプラグ114が配置されている。SC層間絶縁膜105の上にはBPTEOS膜からなるストレージノード(SN)層間絶縁膜7が配置され、そのSN層間絶縁膜を貫通するように、ストレージノード電極108およびTa2O5などの誘電体膜109が形成されている。さらに、誘電体膜109を覆い円筒形内を埋めるように、キャパシタ上部電極のセルプレート110が設けられている。この上に、さらにプラズマTEOS膜からなるコンタクト層間絶縁膜111が積層され、さらにアルミ配線112およびパッシベーション膜113が形成されている。
【0005】
次に、上記の従来のMIMキャパシタの製造方法を以下に示す。図35を参照して、まず、SC層間絶縁膜105として、BPTEOS膜を450nm厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングにより酸化膜エッチングを行なう。次いで、ストレージノードコンタクト(SC)のバリアメタル114としてTiN膜をCVDによって蒸着する。その後、TiN膜をCMP処理することにより、図35に示すSCバリアメタル断面形状を得る。
【0006】
次いで、SN層間絶縁膜として、SiN膜15を80nmの厚さに、またBPTEOS膜107を1200nmの厚さに蒸着する。その後、フォトレジストをマスクに用いて、SN層間絶縁膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによる酸化膜エッチングを行ない、図36に示す状態を得ることができる。図36は、ストレージノードを形成するための開口を設けた状態を示す図である。
【0007】
次いで、スパッタリングによりRuを20nmの厚さに蒸着し、その後、CVDによりRuを蒸着する。これにより、SNホール内に均一に、Ru膜108を蒸着し、SN電極膜108の形状を形成する(図37)。
【0008】
この後、SN電極となるRu膜108およびSN層間絶縁膜107を、CMPにより研磨する。次いで、誘電体膜109としてタンタルオキサイド(Ta2O5膜)を12nmの厚さに蒸着し、その後400℃にてオゾン(O3)ガス中にて酸化することにより結晶化する。
【0009】
上記のオゾン酸化処理の後、セルプレート(CP:Cell Plate)電極としてRu膜110を蒸着して、CP電極を形成する。その後、CH層間絶縁膜111としてBPTEOS膜を蒸着し、次いでアルミニウム配線112を蒸着しパターニングする。その後、パッシベーション膜113としてプラズマ窒化膜を蒸着して、図34に示すように、従来のDRAMのメモリセルを形成する。
【0010】
上述のように、上記キャパシタに用いられる高誘電体膜は、酸素やオゾンなどによる酸化処理が必要である。この酸化処理の際に、ルテニウム(Ru)などの金属も酸化されるが、これらルテニウム等の金属の酸化物は導電性を有するため、キャパシタの容量が損なわれることはない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、キャパシタの電極材料として使用されるルテニウム(Ru)は酸化膜との密着性が悪いため、蒸着したRu膜8を(a1)CMPによって研磨する際、Ru膜とBPTEOS膜との密着性が悪くなり、膜剥がれが起こるという問題が発生する。また,(a2)オゾン(O3)酸化のとき、SN電極膜108を形成するRu膜が酸化され、それによりSN層間絶縁膜を形成するBPTEOS膜107とSN電極を形成するRu膜108との間の密着性が悪くなり、隙間が発生することがある。このことにより、図37の状態から図38に至る途中、(a3)上記CMP研磨において、円筒キャパシタの円筒倒れが発生する。これらの問題を検討した開示がいくつかなされている(例えば、特許文献1、2および3参照)。
【0012】
また、別の問題として、(a4)オゾンによる誘電体膜の酸化時にSCバリアメタル114を形成するTiNプラグにまでオゾンの酸化種が到達し、TiNプラグが酸化されて高抵抗になり、リーク電流が発生するという問題が発生する。
【0013】
本発明は、キャパシタ形成時にキャパシタ下部電極における円筒倒れなどが生じない半導体装置を提供することを主目的とする。それに追加して、本発明のうちある発明は、SCのバリアメタルと多結晶シリコンプラグ界面の酸化を防止でき、他の発明は、キャパシタからのリーク電流を低減することができる、半導体装置を提供することを目的とする。
【0014】
【特許文献1】
特開2002−83880号公報(発明の実施の形態など)
【0015】
【特許文献2】
特開2002−76302号公報(発明の実施の形態など)
【0016】
【特許文献3】
U.S.Patent No 6146941 ”Method for Fabricating a Capacitor in a Semiconductor Device”
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜を貫通し、その筒形状の底部を下にして第1の層間絶縁膜側に露出し、開口側を上にして、第2の層間絶縁膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜とを備える。また、この製造方法は、第1の層間絶縁膜内から、筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部とを備え、ストレージノードコンタクト部が、筒状金属膜の底部に向けて凹んでおり、筒状金属膜の底部が、その凹んだ部分に嵌め込まれた凸形状である。
【0018】
上記の構成により、筒状金属膜とストレージノードコンタクト部との接触面積が増大することにより、コンタクト抵抗を減少させることができる。また、接触面積の増大により、キャパシタ下部電極とストレージノードコンタクトとの密着性が増大し、キャパシタ下部電極の倒れを防止することができる。
【0019】
本発明の別の半導体装置は、半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜の上面に接して位置するエッチングストッパ膜と、第2の層間絶縁膜およびエッチングストッパ膜を貫通し、その筒形状の底部を下に、開口側を上にして、前記エッチングストッパ膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜と、第1の層間絶縁膜内から、筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部と、筒状金属膜の筒形状の内面およびエッチングストッパ膜から延び出た部分の外周面を覆う誘電体膜とを備え、エッチングストッパ膜が400℃以下で蒸着されたSiN膜である。
【0020】
上記構成により、エッチングストッパ膜以下の部分で筒状金属膜を支えることにより、キャパシタ下部電極の倒れを防止することができる。さらに、低温でエッチングストッパ膜を形成することにより、ストレージノードコンタクトの結晶化促進を防ぎ、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗の増大を防止することができる。
【0021】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着する工程と、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開ける工程とを備える。また、この製造方法は、スパッタリングにより、絶縁膜上面および第2のホールの開口端にTiN膜を蒸着する工程と、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程と、ストレージノードとなる金属膜に接して誘電体膜を蒸着する前に、上記付着したTiNを除去する工程とを備える。
【0022】
上記のように、スパッタリングにより形成されたTiN膜は、開口上縁部において、絶縁膜と筒状金属膜との間の接着剤として機能する。このため、CMP研磨により、筒状金属膜および絶縁膜を除去する際、研磨される部分およびその下側でTiNが、絶縁膜と筒状金属膜とを接着しているので、筒状金属膜が倒れることが防止される。また、上記TiN膜は除去されるので、TiN膜の残留に起因するリーク電流の増大を防止することができる。
【0023】
本発明の別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着し、さらにその第2の層間絶縁膜の上にスパッタリングによりTiN膜を積層する工程とを備える。また、この製造方法は、TiN膜をパターニングする工程と、パターニングされたTiN膜をハードマスクに用いて、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを、ドライエッチングにより開ける工程と、第2のホールを開けた工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程とを備える。
【0024】
上記のように、TiN膜をハードマスクとしてドライエッチングにより、ストレージノード用の第2のホールを開口することにより、レジストマスクを用いた場合に比して、よりエッチング耐性をもち、ホールのエッチング形状を改善することができる。
【0025】
本発明のさらに別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内に、ストレージノードコンタクトの上端部として、上側に向って凹状となるTaN膜をスパッタリングにより形成する工程とを備える。また、この製造方法は、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着する工程と、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開け、上に向って凹状のTaN膜を露出させる工程とを備える。さらに、第2のホールを開けた工程の後に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、全面にわたってTiN膜を蒸着する工程と、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程とを備える。
【0026】
この製造方法によれば、筒状金属膜の接着剤として機能するTiN膜と、ストレージノードコンタクトとの接触面積を増大させることができる、このため、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗を低減することができる。さらに接触面積の増大により、密着性が増大するため、筒状金属膜の倒れを防止することができる。
【0027】
本発明の上記と別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜に開けた第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜、エッチングストッパ膜および絶縁膜を積層する工程とを備える。また、この製造方法は、第2の層間絶縁膜、エッチングストッパ膜および絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開ける工程と、第2のホールを開けた工程の後に、全面にわたってTiN膜を蒸着する工程とを備える。さらに、この製造方法は、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程と、絶縁膜が露出するようにCMPにより研磨し、エッチングストッパ膜の位置まで前記絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、TiN膜の上端の位置が、エッチングストッパ膜より低い位置になるように、たとえばCl2ガスを用いてドライエッチングによりリセスさせる工程とを備える。そして、エッチングストッパ膜を形成する工程において、400℃以下でSiN膜を蒸着し、全面にわたるTiN膜を蒸着する工程において、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により600℃以下でTiN膜を蒸着する。
【0028】
この製造方法によれば、低温でエッチングストッパ膜を堆積するので、ストレージノードコンタクトにおける結晶化促進を防止し、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。また、CVD法により600℃以下でTiN膜を形成することにより、TiN膜のカバレッジを改善することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0030】
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の半導体装置における円筒MIMキャパシタを示す断面図である。図1において、半導体基板51上にトランスファーゲート1が設けられ、これらトランスファーゲート1を覆うように層間絶縁膜が形成されている。この層間絶縁膜を貫通するように、ポリランディングパッド3が形成され、シリコン基板と上方部とを電気的に連絡している。
【0031】
この層間絶縁膜の上には、BPTEOS(Boro−Phospho Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)膜からなるSC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5が形成され、その層間絶縁膜5を貫通してストレージノードコンタクト(SC)バリアメタルプラグ6,16が配置されている。SCは、第1のホールを充填するように形成されている。上部接続部16は、SC電極との密着性のよい材料、たとえば、TiNやTaNが用いられ、下部接続部6は不純物を含む多結晶シリコンを用いるのがよい。
【0032】
SC層間絶縁膜5の上にはBPTEOS膜からなるストレージノード(SN)層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7が配置されている。この層間絶縁膜7の厚みは従来よりも薄い。この層間絶縁膜7の上には、SiN膜から形成されるウェットストッパ膜17が形成されている。ストレージノード電極20を形成するRu膜は、その底部を上部接続部16に接し、上記の層間絶縁膜7およびウェットストッパ膜17よりも上方に延びるように位置している。ストレージノード電極の内面および外周面、さらにウェットストッパ膜17を覆うように、Ta2O5からなる誘電体膜21が形成されている。また、誘電体膜21を覆い、円筒形の開口部を埋めるようにCP電極22が配置されている。
【0033】
次に、本発明の製造方法について説明する。図2を参照して、SC層間絶縁膜5としてBPTEOS膜を450nmの厚さに蒸着し、レジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nmの厚さに蒸着してエッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有するSC多結晶シリコンプラグ6を形成する。次に、SCバリアメタル16として、TiN/Tiの積層構造膜をCVDにて蒸着し、その後、この層間構造膜のCMP処理を行なう。図2は、SCバリアメタルのCMPを研磨した状態を示す図である。
【0034】
次に、図3を参照して、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を400nmの厚さに蒸着し、次いで、ウエットストッパ膜17として400℃以下でSiN膜を15nmの厚さに蒸着する。このように、低温でSiN膜を形成することにより、SCバリアメタルの結晶化促進を防ぐことができる。この後、ウェットストッパ膜17の上に、BPTEOS膜18を800nmの厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてSN層間絶縁膜7、ウェットストッパ膜17およびBPTEOS膜18のパターニングを行なう。このとき、ウエットストッパ膜17としては、SiN膜のほか、ポリシリコン膜、TiN膜、TaN膜などを用いてもよい。その後、ドライエッチングにより酸化膜のエッチングを行ない、SN用の開口部(第2のホール)を形成する。図3はSN用の開口部を設けた後の状態を示す図である。
【0035】
次に、図4を参照して、スパッタリングにて、TiN膜23を20nmの厚さに蒸着する。このとき、スパッタリングされたTiN膜23はホール底まで蒸着されず、BPTEOS膜18の上面および開口部付近にのみ蒸着される(図4)。
【0036】
次いで、図5を参照して、スパッタにてルテニウムを10nmの厚さに蒸着する。その後、CVDによって、さらにルテニウムを蒸着する。これにより、SN用の開口部内に均一にルテニウム膜20が蒸着される(図5)。
【0037】
次に、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面のSN電極であるルテニウム膜20およびTiN膜23をCMP研磨する。このときルテニウム膜20は、図6に示すように、TiN膜23を介して、SN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨を行なっても剥がれることはない。CMP研磨の後、ホール内のレジストを除去する(図6)。
【0038】
次に、図7を参照して、まず、界面活性剤入りのBufferフッ酸液(BHF−U液)にてBPTEOS膜18をエッチングし、ウエットストッパ膜17のSiN膜の位置でエッチングをストップさせる。このエッチングにより、ウェトストッパ膜より上側にSN円筒形状が突き出る。上述のように、ウエットストッパ膜17としては、SiN膜のほかにポリシリコン膜、TiN膜、TaN膜などを用いてもよい。その後、硫酸液(H2SO4)にて円筒外側上部に蒸着されているTiN膜23を除去することにより、Ru膜の円筒ストレージノードを形成する(図7)。TiN膜23を除去することにより、TiN膜が残留していることに起因して発生するリーク電流を抑えることができる。
【0039】
次に、誘電体膜としてタンタルオキサイド(Ta2O5)膜21を12nmの厚さに蒸着し、その後400℃にてオゾンガスにて酸化することにより結晶化する。このとき、ストレージノード電極膜であるルテニウム膜20は、BPTEOS膜7との密着性はよくないが、ルテニウム膜20はTiNプラグ16と密着性がよいため、倒れは発生しない。また、ウエットストッパSiN膜17があることによりSN層間絶縁膜7が残っているので、円筒形状の下部側面が支えられているため、円筒倒れは発生しない。そして、その後、図8に示すように、セルプレート電極22としてルテニウム膜を蒸着してセルプレート電極を形成する。
【0040】
上記のように、SNホール開口後に蒸着されたスパッタ膜であるTiN膜23により、ルテニウム膜のCMP研磨時の膜剥がれによるSN形状変化を防止することができる。また、SN層間絶縁膜中にウエットストッパ膜17を用いることにより、円筒倒れを防止することができる。
【0041】
(実施の形態2)
上記実施の形態1においては、SNホール(第2のホール)開口エッチング後にスパッタ膜であるTiN膜23を蒸着することにより、その後に積層するルテニウム膜20とSN層間絶縁膜18との密着向上を図った。本発明の実施の形態2では、TiN膜をハードマスクとして使用することにより、ルテニウム膜の密着性向上を図ることに特徴がある。
【0042】
本実施の形態2における製造方法を説明する。まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5として、BPTEOS膜を450nmの厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いて、BPTEOS膜のパターニングを行なう。次いで、ドライエッチングによりSC用の開口部(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nm蒸着して、エッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有する多結晶シリコンプラグ5を形成する。次にSCバリアメタル16としてTiN/Tiの積層構造膜をCVDにより蒸着し、その後、この積層構造膜のCMP処理を行なう。ここまでは、実施の形態1で示した図2と同様である。
【0043】
次に、図9〜図12を用いて、この後の製造方法を説明する。図9に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を400nmの厚さに蒸着する。さらにウエットストッパ膜17のためのSiN膜を15nmの厚さに蒸着し、その上にBPTEOS膜18を800nmの厚さに蒸着する。その後ハードマスクに用いるTiN膜24を、スパッタリングにより100nmの厚さに蒸着する。
【0044】
次に、フォトレジストパターンをマスクに用いて、TiN膜24をドライエッチングによりパターニングする。このパターニングされたTiN膜をハードマスクに用いて、図10に示すように、ドライエッチングによりSNの開口部(第2のホール)の酸化膜エッチングを行なう。TiN膜をハードマスクに用いて、ドライエッチングすることにより、フォトレジストパターンをマスクに用いた場合に比較して、よりエッチング耐性を持ち、開口部形状を改善することができる。
【0045】
次に、スパッタにてルテニウム膜を10nmの厚さに蒸着し、その後、CVDによりさらにルテニウム膜を蒸着する。図11に示すように、これによりSNホール内に、キャパシタ下部電極のルテニウム膜20を均一に蒸着することができる。
【0046】
この後、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面を被覆するルテニウム膜20およびTiN膜24を、CMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20はTiN膜24を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。CMP研磨の後、SN用の開口部内のレジスト除去を行なう(図12)。
【0047】
その後、BHF−U液にてBPTEOS膜18を、ウェットストッパ膜17の位置までエッチングにより除去する。この後、誘電体膜21としてタンタルオキサイド(Ta2O5)を12nmの厚さに蒸着し、その後、500℃にてオゾンガス中で酸化することにより結晶化する。このときSN電極膜20のルテニウム膜はBPTEOS膜7との密着性はよくないが、ルテニウム膜20はTiNプラグ16と密着性はよいので、倒れは発生しない。また、ウエットストッパSiN膜17があることにより、円筒倒れは発生しない。その後、CP電極としてルテニウム膜22を蒸着してセルプレート電極を形成する(図8)。
【0048】
上記のように、SN層間絶縁膜中にウエットストッパ膜を使用することにより、円筒倒れを防止することができる。さらに、TiN膜をハードマスクとして使用することにより、SNホールのエッチング処理時にレジストパターンをマスクに用いた場合に比較して、よりエッチング耐性を持ち、開口エッチング形状を改善することができる。さらに、SNホール開口後にTiN膜を開口上縁にスパッタにより蒸着してもよく、このスパッタTiN膜によりルテニウム膜をCMP研磨するときに発生するルテニウム膜剥がれによるSN形状変化を防止することができる。
【0049】
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3における半導体装置では、SN電極となるルテニウム膜を蒸着する前に、CVDによってTiN膜を蒸着してSN電極下地膜を蒸着し、その後にルテニウム膜を蒸着することによって、SN電極を2層構造にすることに特徴がある。
【0050】
図13は、本実施の形態における半導体装置のSN電極の2層MIMキャパシタを示す断面図である。この半導体装置では、SN電極の下部にルテニウム膜接着用のCVD−TiN膜19を配置し、その上にSN電極膜のルテニウム膜20を配置した点が、図1の半導体装置と相違している。他の部分は、図1と同様である。
【0051】
次に、図14〜図22を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法を示す。
【0052】
まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5としてBPTEOS膜を厚さ450nm蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコン膜を200nm蒸着してエッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有する多結晶シリコンプラグ(SC)6を形成する(図14)。
【0053】
次に、図15に示すように、SCバリアメタル16としてTiN/Tiの積層構造膜をCVDによって蒸着する。この後、図16に示すように、この層間構造膜のCMP処理を行ない、SCバリアメタルプラグ16を形成する。
【0054】
次に、図17に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を厚さ400nm蒸着し、次いでウエットストッパ17のためのSiN膜を厚さ15nm蒸着し、さらにその上にBPTEOS膜18を厚さ800nm蒸着する。次に、フォトレジストパターンをマスクに用いて、SN層間絶縁膜7、ウェットストッパ膜17およびBPTEOS膜18をパターニングする。この後、ドライエッチングによりSNホール(第2のホール)の酸化膜をエッチングする(図18)。
【0055】
次に、CVDにより600℃以下でTiN膜19を厚さ20nm蒸着する。TiN膜を600℃以下で蒸着することにより、TiN膜のカバレッジを向上させることができる。その後、スパッタによりルテニウム膜を10nmの厚さに蒸着し、さらに、CVDによりルテニウム膜を蒸着する。これにより、SNホール内に均一にルテニウム膜20が蒸着される。この結果、図19に示すように、ルテニウム膜/TiN膜の2層膜が形成される。
【0056】
次に、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、次いで、SN層間酸化膜18を、その上面を被覆するルテニウム膜20およびTiN膜19とともに、CMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20は、TiN膜19を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。その後、ホール内のレジスト除去を行なう。次に、BHF−U液により、SN層間絶縁膜であるBPTEOS膜18をエッチングする。このとき、ウエットストッパであるSiN膜17の位置でエッチングはストップする。これは酸化膜ドライエッチングにおいても同様に行なうことができる。図20は、SN層間絶縁膜をエッチングした後の状態を示す図である。
【0057】
次に、TiN膜19を厚さ20nmエッチングし、ウェットストッパ膜17のSiN膜の高さより20nmリセスさせる。リセスは、Cl2ガスによるドライエッチング、または硫酸または過酸化水素水によるウェットエッチングのどちらでもよいが、ドライエッチングのほうが、ウェットエッチング時のBPTEOS膜7へのしみ込みがないので好ましい。Cl2ガスを用いたドライエッチングにより、ウェットエッチングによるリセスエッチングで生じるしみ込みを完全に防止することができる。これにより、Ru膜の円筒キャパシタができあがり、円筒の外周側のTiN膜が除去される。図21は、TiN膜をリセスエッチングした後の状態を示す図である。
【0058】
その後、図22に示すように、誘電体膜としてタンタルオキサイド膜21を厚さ12nm蒸着し、その後、400℃にてオゾンガス内で酸化することにより結晶化する。このとき、SN電極膜20のルテニウム膜は、SN層間絶縁膜7のBPTEOS膜と、TiN膜19を介して密着している。さらに、ルテニウム膜20は、TiNプラグ16と密着性がよいため、隙間や剥がれが発生して円筒が倒れることはない。
【0059】
この後、セルプレート電極22としてルテニウム膜を蒸着し、次いで、エッチングしてセルプレート電極を形成する。この結果、図13に示したように、セルプレート電極を形成した後の状態が実現する。
【0060】
上記に示すように、SN電極をルテニウム膜/TiN膜の2層構造にすることにより、ルテニウム膜をCMP研磨する際、ルテニウム剥がれによるSN形状変化を防止することができる。この結果、円筒倒れを防止することが可能となる。さらに、TiN膜19がウエットストッパSiN膜17の高さ位置より20nmリセスされた構造であるので、TiN膜19から誘電体膜21を通してセルプレート電極のルテニウム膜22に流れるリーク電流を抑制することができる。
【0061】
(実施の形態4)
図23は、本発明の実施の形態4における半導体装置を示す図である。本実施の形態では、SN電極を形成する2層構造のMIMキャパシタに、TaNバリアメタルの凹構造を有する点に特徴がある。すなわち、実施の形態3におけるSN電極の底部における下地膜のTiN19と接するTiNバリアメタル16の構成を、TaNバリアメタルの凹構造にする。このTaNバリアメタルの凹構造により、円筒倒れの防止、バリアメタルの酸化防止、コンタクト抵抗の低減を図ることができる。
【0062】
図23において、SCプラグの上部16を構成するTaN膜が、SN電極底部において凹状の形状を有し、その上にSN電極を構成する2層膜のうちの下地膜19にTiN膜を用いている点に特徴がある。他の部分は、図13に示す半導体装置と同様である。
【0063】
次に、図24〜図32を用いて本実施の形態における製造方法を示す。図24を参照して、まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5として、BPTEOS膜を厚さ450nm蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nm蒸着し、エッチバックを行なうことにより、100nmだけリセスさせた構造を有するSC多結晶シリコンプラグ6を形成する(図24)。
【0064】
次に、図25に示すように、SCバリアメタル16として、TaN膜をスパッタにて厚さ35nm蒸着する。このとき、TaN膜はスパッタによって35nmの厚さに蒸着するため、SCホール内には、内壁に沿って蒸着されるため、蒸着後、TaN膜は凹形状になる。次いで、図26に示すように、このTaN膜16のCMP研磨処理を行なう。CMP研磨の研磨代は、TaN膜が凹形状になる範囲とする。
【0065】
SCバリアメタルのTaN膜が凹形状であるので、後から蒸着されるTiN膜19との接触面積が大きくなり、コンタクト抵抗が低減されるというメリットがある。また、SN電極の下地膜のTiN膜19との接触面積が大きく、TiN膜とTaN膜とは密着性がよいので、円筒倒れ防止の効果がある。
【0066】
次に、図27に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を厚さ400nm蒸着し、ウエットストッパ膜17のためのSiN膜を厚さ15nm蒸着し、さらにその上にBPTEOS膜18を厚さ800nm蒸着する。次いで、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜をパターニングする。次いで、ドライエッチングによりSNホール(第2のホール)の酸化膜エッチングを行なう。図28は、SNホールの酸化膜エッチング後の状態を示す図である。
【0067】
次いで、CVDによりTiN膜19を蒸着する。その後、スパッタによりルテニウム膜を10nm蒸着し、さらにCVDによって、ルテニウム膜を蒸着する。これにより、SNホール内に均一にルテニウム膜20が蒸着される。図29は、上記のようにして、ルテニウム膜20/TiN膜19の2層膜のSN電極を蒸着した後の状態を示す図である。
【0068】
この後、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面を覆うルテニウム膜20およびTiN膜19をCMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20はTiN膜19を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。その後、SNホール内のレジスト除去を行なう。次に、BHF−U液によりSN層間絶縁膜のBPTEOS膜18をエッチングする。このとき、ウエットストッパ膜17のSiN膜の位置でエッチングはストップする(図30)。これは、酸化膜をドライエッチする方法でも同様に行なうことができる。
【0069】
この後、硫酸または過酸化水素水により、TiN膜19をエッチングし、SiN膜17の高さ位置より20nm後退させる。これによりルテニウム膜の円筒キャパシタができあがり、円筒の外周側のTiN膜が除去される。図31は、SN電極下地膜19を構成するTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【0070】
図32に示すように、その後、誘電体膜としてタンタルオキサイド膜21を厚さ12nm蒸着し、その後、400℃にてオゾンガス中で酸化することにより結晶化する。このときSN電極膜20のルテニウム膜は、SN層間絶縁膜7を形成するBPTEOS膜と、TiN膜19を介して密着している。また、ルテニウム膜20は、その底部において、凹状のTaNプラグ16と、TiN膜19を介して密着している。これらの膜同士の密着性はよいため、隙間や剥がれが発生して円筒の倒れは生じない。
【0071】
また、誘電体膜21を形成するタンタル酸化物のオゾン酸化時に、オゾンの酸化種はSCバリアメタル16のTaN膜によりブロックされる。このため、多結晶シリコンプラグ6とSCバリアメタル16との界面は酸化されず、コンタクト抵抗の増加を抑えることができる。その後、図23に示したように、セルプレート電極としてルテニウム膜22を蒸着して、セルプレート電極を形成する。
【0072】
上記のように、SN電極膜のルテニウム膜20は、BPTEOS膜7とはTiN膜19を介し、また、SCバリアプラグ16のTaN膜とはTiN膜19を介して、良好に密着する。このため、隙間や剥がれが発生してSN電極の円筒が倒れることはない。
【0073】
また、TiN膜19がウエットストッパSiN膜17の高さ位置より20nmリセスされるので、SN電極の下地膜19のTiN膜から誘電体膜21を通してセルプレート電極のルテニウム膜22に流れるリーク電流を抑えることができる。
【0074】
さらに、SCバリアプラグ16のTaN膜を凹構造にすることにより、SN電極の下地膜19のTiN膜との接触面積が増えることにより、円筒倒れの防止およびコンタクト抵抗の低減を得ることができる。また、SCバリアプラグ16にスパッタTaN膜を用いることにより、誘電体膜21をオゾン酸化させる際のSC多結晶シリコン膜6の酸化防止およびそれに伴うコンタクト抵抗の低減を図ることができる。
【0075】
(実施の形態に対する付言)
1. 上記の実施の形態では、すべてエッチングストッパ(ウェットストッパ)膜を設けた例を示したが、特許請求の範囲における記載にしたがって、エッチングストッパがない場合があってもよいことは、言うまでもない。たとえば、SCバリアメタルが凹状のTaN膜からなる場合、エッチングストッパ膜がなくてもよい。このため、SNホール(第2のホール)が、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)に形成されることになる。
2. 上記のエッチングストッパ膜の有無に加えて、本実施の形態において例示した、(a1)接着剤として機能させるスパッタTiN膜、(a2)ハードマスクとして用いるTiN膜、(a3)下地膜として用いるCVDTiN膜またはSCバリアメタルの筒状金属膜と接する部分をTiN膜やTaN膜で構成すること、および(a4)SCバリアメタルの凹状TaN膜または凹状TiN膜を、適当に組み合わせることができることは言うまでもない。
3. 筒状金属膜、すなわちストレージノードには、ルテニウム膜のみを例示したが、他の金属膜でもよい。たとえば、ルテニウム膜に代えて、白金膜やタングステン膜を用いることができる。
【0076】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されることはない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0077】
【発明の効果】
本発明の半導体装置を用いることにより、キャパシタ形成時にキャパシタ電極膜剥がれによるSN形状不良や円筒倒れを防止することができる。また、ストレージノードコンタクトのバリアメタルと、その下の多結晶シリコンプラグとの界面の酸化を防止することができ、さらにキャパシタからのリーク電流を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面図である。
【図2】図1の半導体装置の製造において、SCバリアメタルを蒸着し、CMP研磨した状態を示す図である。
【図3】SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を蒸着した後、SNホールを開口した状態を示す図である。
【図4】BPTEOS膜の上部にTiN膜をスパッタした状態を示す図である。
【図5】SN電極膜のルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図6】CMP研磨した状態を示す図である。
【図7】BPTEOS膜およびスパッタしたTiN膜を除去した状態を示す図である。
【図8】誘電体膜のタンタル酸化膜を蒸着した後、セルプレートとなるルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図9】本発明の実施の形態2における半導体装置の製造において、ウェットストッパ膜、BPTEOS膜およびTiN膜を蒸着した状態を示す断面図である。
【図10】TiN膜をパターニングして、そのパターニングされたTiN膜をハードマスクに用いてSiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜をパターニングした状態を示す図である。
【図11】SN電極となるルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図12】CMP研磨した状態を示す図である。
【図13】本発明の実施の形態3における半導体装置を示す断面図である。
【図14】図13に示す半導体装置の製造において、SCホール内に多結晶シリコンのプラグを形成した状態を示す図である。
【図15】SCバリアメタルを堆積した状態を示す図である。
【図16】CMP研磨した状態を示す図である。
【図17】さらに、SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を成膜した状態を示す図である。
【図18】SNホールを開口した状態を示す図である。
【図19】SN電極の下地膜のTiN膜および電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図20】CMP研磨した後、BPTEOS膜を除去した状態を示す図である。
【図21】下地膜のTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【図22】誘電体膜を蒸着した状態を示す図である。
【図23】本発明の実施の形態4における半導体装置を示す断面図である。
【図24】図23の半導体装置の製造において、SCホール内に多結晶シリコンを蒸着した状態を示す図である。
【図25】SCバリアメタルのTaN膜をSCホール内に凹状になるように形成した状態を示す図である。
【図26】CMP研磨した状態を示す図である。
【図27】SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を成膜した状態を示す図である。
【図28】SNホールを開口した状態を示す図である。
【図29】SN電極の下地膜のTiN膜を蒸着し、その上にさらに電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図30】CMP研磨し、BPTEOSをエッチングした状態を示す図である。
【図31】下地膜のTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【図32】誘電体膜を蒸着した状態を示す図である。
【図33】従来の半導体装置の平面図である。
【図34】図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。
【図35】図34に示す半導体装置の製造において、SCホール内にバリアメタルを形成した状態を示す図である。
【図36】SiN膜およびSN層間絶縁膜を蒸着し、エッチングによりSNホールを開口した状態を示す図である。
【図37】SN電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図38】CMP研磨後に、誘電体膜を蒸着し、セルプレート電極のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【符号の説明】
1 トランスファーゲート、2 ビット線(BL)、3 多結晶シリコンのランディングパッド、4 ビット線コンタクト、5 SC層間絶縁膜、6 多結晶シリコンのSCプラグ(SCプラグ下部)、7 SN層間絶縁膜(SN層間絶縁膜下部)、15 SiN膜、16 SCバリアメタル(SCプラグ上部)、17ウェットストッパ膜、18 BPTEOS膜(SN層間絶縁膜上部)、19 SN電極下地膜、20 SN電極膜、21 タンタル酸化物膜(誘電体膜)、22 セルプレート膜、51 シリコン基板。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、より具体的には、信頼性の高いストレージノードを有するMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタを備えた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
デバイスの高集積化に伴いチップサイズが縮小され、半導体装置におけるメモリのキャパシタ配列間隔やキャパシタのサイズ自体が小さくなっている。微細サイズのDRAMの開発において、キャパシタ容量の増大が必要であるため、電極材料として金属材料のルテニウム(Ru)を使用し、キャパシタ誘電体膜として高誘電体膜、たとえばTa2O5膜を使用したMIMキャパシタが開発されている。
【0003】
図33は、従来の円筒キャパシタを用いたDRAM(Dynamic Random Access Memory)の平面図である。また、図34は、図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。この断面はビット線(BL)に平行な断面である。図33において、シリコン基板151の上にトランスファーゲート(TG)101が所定のピッチで配置され、これに直交するようにビット線(BL)102が、やはり所定ピッチで配列されている。これら交差するトランスファーゲートとビット線とによって形成される桝目の位置にポリランディングパッド103が配置されている。ビット線の下方にはビット線コンタクト104が設けられている。
【0004】
図34において、BPTEOS(Boro−Phospho Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)膜からなるSC層間絶縁膜105を貫通してストレージノードコンタクト(SC)バリアメタルプラグ114が配置されている。SC層間絶縁膜105の上にはBPTEOS膜からなるストレージノード(SN)層間絶縁膜7が配置され、そのSN層間絶縁膜を貫通するように、ストレージノード電極108およびTa2O5などの誘電体膜109が形成されている。さらに、誘電体膜109を覆い円筒形内を埋めるように、キャパシタ上部電極のセルプレート110が設けられている。この上に、さらにプラズマTEOS膜からなるコンタクト層間絶縁膜111が積層され、さらにアルミ配線112およびパッシベーション膜113が形成されている。
【0005】
次に、上記の従来のMIMキャパシタの製造方法を以下に示す。図35を参照して、まず、SC層間絶縁膜105として、BPTEOS膜を450nm厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングにより酸化膜エッチングを行なう。次いで、ストレージノードコンタクト(SC)のバリアメタル114としてTiN膜をCVDによって蒸着する。その後、TiN膜をCMP処理することにより、図35に示すSCバリアメタル断面形状を得る。
【0006】
次いで、SN層間絶縁膜として、SiN膜15を80nmの厚さに、またBPTEOS膜107を1200nmの厚さに蒸着する。その後、フォトレジストをマスクに用いて、SN層間絶縁膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによる酸化膜エッチングを行ない、図36に示す状態を得ることができる。図36は、ストレージノードを形成するための開口を設けた状態を示す図である。
【0007】
次いで、スパッタリングによりRuを20nmの厚さに蒸着し、その後、CVDによりRuを蒸着する。これにより、SNホール内に均一に、Ru膜108を蒸着し、SN電極膜108の形状を形成する(図37)。
【0008】
この後、SN電極となるRu膜108およびSN層間絶縁膜107を、CMPにより研磨する。次いで、誘電体膜109としてタンタルオキサイド(Ta2O5膜)を12nmの厚さに蒸着し、その後400℃にてオゾン(O3)ガス中にて酸化することにより結晶化する。
【0009】
上記のオゾン酸化処理の後、セルプレート(CP:Cell Plate)電極としてRu膜110を蒸着して、CP電極を形成する。その後、CH層間絶縁膜111としてBPTEOS膜を蒸着し、次いでアルミニウム配線112を蒸着しパターニングする。その後、パッシベーション膜113としてプラズマ窒化膜を蒸着して、図34に示すように、従来のDRAMのメモリセルを形成する。
【0010】
上述のように、上記キャパシタに用いられる高誘電体膜は、酸素やオゾンなどによる酸化処理が必要である。この酸化処理の際に、ルテニウム(Ru)などの金属も酸化されるが、これらルテニウム等の金属の酸化物は導電性を有するため、キャパシタの容量が損なわれることはない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、キャパシタの電極材料として使用されるルテニウム(Ru)は酸化膜との密着性が悪いため、蒸着したRu膜8を(a1)CMPによって研磨する際、Ru膜とBPTEOS膜との密着性が悪くなり、膜剥がれが起こるという問題が発生する。また,(a2)オゾン(O3)酸化のとき、SN電極膜108を形成するRu膜が酸化され、それによりSN層間絶縁膜を形成するBPTEOS膜107とSN電極を形成するRu膜108との間の密着性が悪くなり、隙間が発生することがある。このことにより、図37の状態から図38に至る途中、(a3)上記CMP研磨において、円筒キャパシタの円筒倒れが発生する。これらの問題を検討した開示がいくつかなされている(例えば、特許文献1、2および3参照)。
【0012】
また、別の問題として、(a4)オゾンによる誘電体膜の酸化時にSCバリアメタル114を形成するTiNプラグにまでオゾンの酸化種が到達し、TiNプラグが酸化されて高抵抗になり、リーク電流が発生するという問題が発生する。
【0013】
本発明は、キャパシタ形成時にキャパシタ下部電極における円筒倒れなどが生じない半導体装置を提供することを主目的とする。それに追加して、本発明のうちある発明は、SCのバリアメタルと多結晶シリコンプラグ界面の酸化を防止でき、他の発明は、キャパシタからのリーク電流を低減することができる、半導体装置を提供することを目的とする。
【0014】
【特許文献1】
特開2002−83880号公報(発明の実施の形態など)
【0015】
【特許文献2】
特開2002−76302号公報(発明の実施の形態など)
【0016】
【特許文献3】
U.S.Patent No 6146941 ”Method for Fabricating a Capacitor in a Semiconductor Device”
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜を貫通し、その筒形状の底部を下にして第1の層間絶縁膜側に露出し、開口側を上にして、第2の層間絶縁膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜とを備える。また、この製造方法は、第1の層間絶縁膜内から、筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部とを備え、ストレージノードコンタクト部が、筒状金属膜の底部に向けて凹んでおり、筒状金属膜の底部が、その凹んだ部分に嵌め込まれた凸形状である。
【0018】
上記の構成により、筒状金属膜とストレージノードコンタクト部との接触面積が増大することにより、コンタクト抵抗を減少させることができる。また、接触面積の増大により、キャパシタ下部電極とストレージノードコンタクトとの密着性が増大し、キャパシタ下部電極の倒れを防止することができる。
【0019】
本発明の別の半導体装置は、半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、第2の層間絶縁膜の上面に接して位置するエッチングストッパ膜と、第2の層間絶縁膜およびエッチングストッパ膜を貫通し、その筒形状の底部を下に、開口側を上にして、前記エッチングストッパ膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜と、第1の層間絶縁膜内から、筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部と、筒状金属膜の筒形状の内面およびエッチングストッパ膜から延び出た部分の外周面を覆う誘電体膜とを備え、エッチングストッパ膜が400℃以下で蒸着されたSiN膜である。
【0020】
上記構成により、エッチングストッパ膜以下の部分で筒状金属膜を支えることにより、キャパシタ下部電極の倒れを防止することができる。さらに、低温でエッチングストッパ膜を形成することにより、ストレージノードコンタクトの結晶化促進を防ぎ、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗の増大を防止することができる。
【0021】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着する工程と、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開ける工程とを備える。また、この製造方法は、スパッタリングにより、絶縁膜上面および第2のホールの開口端にTiN膜を蒸着する工程と、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程と、ストレージノードとなる金属膜に接して誘電体膜を蒸着する前に、上記付着したTiNを除去する工程とを備える。
【0022】
上記のように、スパッタリングにより形成されたTiN膜は、開口上縁部において、絶縁膜と筒状金属膜との間の接着剤として機能する。このため、CMP研磨により、筒状金属膜および絶縁膜を除去する際、研磨される部分およびその下側でTiNが、絶縁膜と筒状金属膜とを接着しているので、筒状金属膜が倒れることが防止される。また、上記TiN膜は除去されるので、TiN膜の残留に起因するリーク電流の増大を防止することができる。
【0023】
本発明の別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着し、さらにその第2の層間絶縁膜の上にスパッタリングによりTiN膜を積層する工程とを備える。また、この製造方法は、TiN膜をパターニングする工程と、パターニングされたTiN膜をハードマスクに用いて、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを、ドライエッチングにより開ける工程と、第2のホールを開けた工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程とを備える。
【0024】
上記のように、TiN膜をハードマスクとしてドライエッチングにより、ストレージノード用の第2のホールを開口することにより、レジストマスクを用いた場合に比して、よりエッチング耐性をもち、ホールのエッチング形状を改善することができる。
【0025】
本発明のさらに別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜内の第1のホール内に、ストレージノードコンタクトの上端部として、上側に向って凹状となるTaN膜をスパッタリングにより形成する工程とを備える。また、この製造方法は、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜を蒸着する工程と、第2の層間絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開け、上に向って凹状のTaN膜を露出させる工程とを備える。さらに、第2のホールを開けた工程の後に、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により、全面にわたってTiN膜を蒸着する工程と、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程とを備える。
【0026】
この製造方法によれば、筒状金属膜の接着剤として機能するTiN膜と、ストレージノードコンタクトとの接触面積を増大させることができる、このため、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗を低減することができる。さらに接触面積の増大により、密着性が増大するため、筒状金属膜の倒れを防止することができる。
【0027】
本発明の上記と別の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に設けた第1の層間絶縁膜に開けた第1のホール内にストレージノードコンタクト部を形成する工程と、第1の層間絶縁膜の上に、第2の層間絶縁膜、エッチングストッパ膜および絶縁膜を積層する工程とを備える。また、この製造方法は、第2の層間絶縁膜、エッチングストッパ膜および絶縁膜のストレージノードコンタクト部に対応する位置に、第1の層間絶縁膜に達する第2のホールを開ける工程と、第2のホールを開けた工程の後に、全面にわたってTiN膜を蒸着する工程とを備える。さらに、この製造方法は、TiN膜の蒸着工程の後に、ストレージノードとなる金属膜を全面にわたって蒸着する工程と、絶縁膜が露出するようにCMPにより研磨し、エッチングストッパ膜の位置まで前記絶縁膜をエッチングにより除去する工程と、TiN膜の上端の位置が、エッチングストッパ膜より低い位置になるように、たとえばCl2ガスを用いてドライエッチングによりリセスさせる工程とを備える。そして、エッチングストッパ膜を形成する工程において、400℃以下でSiN膜を蒸着し、全面にわたるTiN膜を蒸着する工程において、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により600℃以下でTiN膜を蒸着する。
【0028】
この製造方法によれば、低温でエッチングストッパ膜を堆積するので、ストレージノードコンタクトにおける結晶化促進を防止し、ストレージノードコンタクトのコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。また、CVD法により600℃以下でTiN膜を形成することにより、TiN膜のカバレッジを改善することができる。
【0029】
【発明の実施の形態】
次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
【0030】
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の半導体装置における円筒MIMキャパシタを示す断面図である。図1において、半導体基板51上にトランスファーゲート1が設けられ、これらトランスファーゲート1を覆うように層間絶縁膜が形成されている。この層間絶縁膜を貫通するように、ポリランディングパッド3が形成され、シリコン基板と上方部とを電気的に連絡している。
【0031】
この層間絶縁膜の上には、BPTEOS(Boro−Phospho Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)膜からなるSC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5が形成され、その層間絶縁膜5を貫通してストレージノードコンタクト(SC)バリアメタルプラグ6,16が配置されている。SCは、第1のホールを充填するように形成されている。上部接続部16は、SC電極との密着性のよい材料、たとえば、TiNやTaNが用いられ、下部接続部6は不純物を含む多結晶シリコンを用いるのがよい。
【0032】
SC層間絶縁膜5の上にはBPTEOS膜からなるストレージノード(SN)層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7が配置されている。この層間絶縁膜7の厚みは従来よりも薄い。この層間絶縁膜7の上には、SiN膜から形成されるウェットストッパ膜17が形成されている。ストレージノード電極20を形成するRu膜は、その底部を上部接続部16に接し、上記の層間絶縁膜7およびウェットストッパ膜17よりも上方に延びるように位置している。ストレージノード電極の内面および外周面、さらにウェットストッパ膜17を覆うように、Ta2O5からなる誘電体膜21が形成されている。また、誘電体膜21を覆い、円筒形の開口部を埋めるようにCP電極22が配置されている。
【0033】
次に、本発明の製造方法について説明する。図2を参照して、SC層間絶縁膜5としてBPTEOS膜を450nmの厚さに蒸着し、レジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nmの厚さに蒸着してエッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有するSC多結晶シリコンプラグ6を形成する。次に、SCバリアメタル16として、TiN/Tiの積層構造膜をCVDにて蒸着し、その後、この層間構造膜のCMP処理を行なう。図2は、SCバリアメタルのCMPを研磨した状態を示す図である。
【0034】
次に、図3を参照して、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を400nmの厚さに蒸着し、次いで、ウエットストッパ膜17として400℃以下でSiN膜を15nmの厚さに蒸着する。このように、低温でSiN膜を形成することにより、SCバリアメタルの結晶化促進を防ぐことができる。この後、ウェットストッパ膜17の上に、BPTEOS膜18を800nmの厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてSN層間絶縁膜7、ウェットストッパ膜17およびBPTEOS膜18のパターニングを行なう。このとき、ウエットストッパ膜17としては、SiN膜のほか、ポリシリコン膜、TiN膜、TaN膜などを用いてもよい。その後、ドライエッチングにより酸化膜のエッチングを行ない、SN用の開口部(第2のホール)を形成する。図3はSN用の開口部を設けた後の状態を示す図である。
【0035】
次に、図4を参照して、スパッタリングにて、TiN膜23を20nmの厚さに蒸着する。このとき、スパッタリングされたTiN膜23はホール底まで蒸着されず、BPTEOS膜18の上面および開口部付近にのみ蒸着される(図4)。
【0036】
次いで、図5を参照して、スパッタにてルテニウムを10nmの厚さに蒸着する。その後、CVDによって、さらにルテニウムを蒸着する。これにより、SN用の開口部内に均一にルテニウム膜20が蒸着される(図5)。
【0037】
次に、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面のSN電極であるルテニウム膜20およびTiN膜23をCMP研磨する。このときルテニウム膜20は、図6に示すように、TiN膜23を介して、SN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨を行なっても剥がれることはない。CMP研磨の後、ホール内のレジストを除去する(図6)。
【0038】
次に、図7を参照して、まず、界面活性剤入りのBufferフッ酸液(BHF−U液)にてBPTEOS膜18をエッチングし、ウエットストッパ膜17のSiN膜の位置でエッチングをストップさせる。このエッチングにより、ウェトストッパ膜より上側にSN円筒形状が突き出る。上述のように、ウエットストッパ膜17としては、SiN膜のほかにポリシリコン膜、TiN膜、TaN膜などを用いてもよい。その後、硫酸液(H2SO4)にて円筒外側上部に蒸着されているTiN膜23を除去することにより、Ru膜の円筒ストレージノードを形成する(図7)。TiN膜23を除去することにより、TiN膜が残留していることに起因して発生するリーク電流を抑えることができる。
【0039】
次に、誘電体膜としてタンタルオキサイド(Ta2O5)膜21を12nmの厚さに蒸着し、その後400℃にてオゾンガスにて酸化することにより結晶化する。このとき、ストレージノード電極膜であるルテニウム膜20は、BPTEOS膜7との密着性はよくないが、ルテニウム膜20はTiNプラグ16と密着性がよいため、倒れは発生しない。また、ウエットストッパSiN膜17があることによりSN層間絶縁膜7が残っているので、円筒形状の下部側面が支えられているため、円筒倒れは発生しない。そして、その後、図8に示すように、セルプレート電極22としてルテニウム膜を蒸着してセルプレート電極を形成する。
【0040】
上記のように、SNホール開口後に蒸着されたスパッタ膜であるTiN膜23により、ルテニウム膜のCMP研磨時の膜剥がれによるSN形状変化を防止することができる。また、SN層間絶縁膜中にウエットストッパ膜17を用いることにより、円筒倒れを防止することができる。
【0041】
(実施の形態2)
上記実施の形態1においては、SNホール(第2のホール)開口エッチング後にスパッタ膜であるTiN膜23を蒸着することにより、その後に積層するルテニウム膜20とSN層間絶縁膜18との密着向上を図った。本発明の実施の形態2では、TiN膜をハードマスクとして使用することにより、ルテニウム膜の密着性向上を図ることに特徴がある。
【0042】
本実施の形態2における製造方法を説明する。まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5として、BPTEOS膜を450nmの厚さに蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いて、BPTEOS膜のパターニングを行なう。次いで、ドライエッチングによりSC用の開口部(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nm蒸着して、エッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有する多結晶シリコンプラグ5を形成する。次にSCバリアメタル16としてTiN/Tiの積層構造膜をCVDにより蒸着し、その後、この積層構造膜のCMP処理を行なう。ここまでは、実施の形態1で示した図2と同様である。
【0043】
次に、図9〜図12を用いて、この後の製造方法を説明する。図9に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を400nmの厚さに蒸着する。さらにウエットストッパ膜17のためのSiN膜を15nmの厚さに蒸着し、その上にBPTEOS膜18を800nmの厚さに蒸着する。その後ハードマスクに用いるTiN膜24を、スパッタリングにより100nmの厚さに蒸着する。
【0044】
次に、フォトレジストパターンをマスクに用いて、TiN膜24をドライエッチングによりパターニングする。このパターニングされたTiN膜をハードマスクに用いて、図10に示すように、ドライエッチングによりSNの開口部(第2のホール)の酸化膜エッチングを行なう。TiN膜をハードマスクに用いて、ドライエッチングすることにより、フォトレジストパターンをマスクに用いた場合に比較して、よりエッチング耐性を持ち、開口部形状を改善することができる。
【0045】
次に、スパッタにてルテニウム膜を10nmの厚さに蒸着し、その後、CVDによりさらにルテニウム膜を蒸着する。図11に示すように、これによりSNホール内に、キャパシタ下部電極のルテニウム膜20を均一に蒸着することができる。
【0046】
この後、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面を被覆するルテニウム膜20およびTiN膜24を、CMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20はTiN膜24を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。CMP研磨の後、SN用の開口部内のレジスト除去を行なう(図12)。
【0047】
その後、BHF−U液にてBPTEOS膜18を、ウェットストッパ膜17の位置までエッチングにより除去する。この後、誘電体膜21としてタンタルオキサイド(Ta2O5)を12nmの厚さに蒸着し、その後、500℃にてオゾンガス中で酸化することにより結晶化する。このときSN電極膜20のルテニウム膜はBPTEOS膜7との密着性はよくないが、ルテニウム膜20はTiNプラグ16と密着性はよいので、倒れは発生しない。また、ウエットストッパSiN膜17があることにより、円筒倒れは発生しない。その後、CP電極としてルテニウム膜22を蒸着してセルプレート電極を形成する(図8)。
【0048】
上記のように、SN層間絶縁膜中にウエットストッパ膜を使用することにより、円筒倒れを防止することができる。さらに、TiN膜をハードマスクとして使用することにより、SNホールのエッチング処理時にレジストパターンをマスクに用いた場合に比較して、よりエッチング耐性を持ち、開口エッチング形状を改善することができる。さらに、SNホール開口後にTiN膜を開口上縁にスパッタにより蒸着してもよく、このスパッタTiN膜によりルテニウム膜をCMP研磨するときに発生するルテニウム膜剥がれによるSN形状変化を防止することができる。
【0049】
(実施の形態3)
本発明の実施の形態3における半導体装置では、SN電極となるルテニウム膜を蒸着する前に、CVDによってTiN膜を蒸着してSN電極下地膜を蒸着し、その後にルテニウム膜を蒸着することによって、SN電極を2層構造にすることに特徴がある。
【0050】
図13は、本実施の形態における半導体装置のSN電極の2層MIMキャパシタを示す断面図である。この半導体装置では、SN電極の下部にルテニウム膜接着用のCVD−TiN膜19を配置し、その上にSN電極膜のルテニウム膜20を配置した点が、図1の半導体装置と相違している。他の部分は、図1と同様である。
【0051】
次に、図14〜図22を用いて、本実施の形態の半導体装置の製造方法を示す。
【0052】
まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5としてBPTEOS膜を厚さ450nm蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコン膜を200nm蒸着してエッチバックを行なうことにより、100nmリセスさせた構造を有する多結晶シリコンプラグ(SC)6を形成する(図14)。
【0053】
次に、図15に示すように、SCバリアメタル16としてTiN/Tiの積層構造膜をCVDによって蒸着する。この後、図16に示すように、この層間構造膜のCMP処理を行ない、SCバリアメタルプラグ16を形成する。
【0054】
次に、図17に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を厚さ400nm蒸着し、次いでウエットストッパ17のためのSiN膜を厚さ15nm蒸着し、さらにその上にBPTEOS膜18を厚さ800nm蒸着する。次に、フォトレジストパターンをマスクに用いて、SN層間絶縁膜7、ウェットストッパ膜17およびBPTEOS膜18をパターニングする。この後、ドライエッチングによりSNホール(第2のホール)の酸化膜をエッチングする(図18)。
【0055】
次に、CVDにより600℃以下でTiN膜19を厚さ20nm蒸着する。TiN膜を600℃以下で蒸着することにより、TiN膜のカバレッジを向上させることができる。その後、スパッタによりルテニウム膜を10nmの厚さに蒸着し、さらに、CVDによりルテニウム膜を蒸着する。これにより、SNホール内に均一にルテニウム膜20が蒸着される。この結果、図19に示すように、ルテニウム膜/TiN膜の2層膜が形成される。
【0056】
次に、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、次いで、SN層間酸化膜18を、その上面を被覆するルテニウム膜20およびTiN膜19とともに、CMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20は、TiN膜19を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。その後、ホール内のレジスト除去を行なう。次に、BHF−U液により、SN層間絶縁膜であるBPTEOS膜18をエッチングする。このとき、ウエットストッパであるSiN膜17の位置でエッチングはストップする。これは酸化膜ドライエッチングにおいても同様に行なうことができる。図20は、SN層間絶縁膜をエッチングした後の状態を示す図である。
【0057】
次に、TiN膜19を厚さ20nmエッチングし、ウェットストッパ膜17のSiN膜の高さより20nmリセスさせる。リセスは、Cl2ガスによるドライエッチング、または硫酸または過酸化水素水によるウェットエッチングのどちらでもよいが、ドライエッチングのほうが、ウェットエッチング時のBPTEOS膜7へのしみ込みがないので好ましい。Cl2ガスを用いたドライエッチングにより、ウェットエッチングによるリセスエッチングで生じるしみ込みを完全に防止することができる。これにより、Ru膜の円筒キャパシタができあがり、円筒の外周側のTiN膜が除去される。図21は、TiN膜をリセスエッチングした後の状態を示す図である。
【0058】
その後、図22に示すように、誘電体膜としてタンタルオキサイド膜21を厚さ12nm蒸着し、その後、400℃にてオゾンガス内で酸化することにより結晶化する。このとき、SN電極膜20のルテニウム膜は、SN層間絶縁膜7のBPTEOS膜と、TiN膜19を介して密着している。さらに、ルテニウム膜20は、TiNプラグ16と密着性がよいため、隙間や剥がれが発生して円筒が倒れることはない。
【0059】
この後、セルプレート電極22としてルテニウム膜を蒸着し、次いで、エッチングしてセルプレート電極を形成する。この結果、図13に示したように、セルプレート電極を形成した後の状態が実現する。
【0060】
上記に示すように、SN電極をルテニウム膜/TiN膜の2層構造にすることにより、ルテニウム膜をCMP研磨する際、ルテニウム剥がれによるSN形状変化を防止することができる。この結果、円筒倒れを防止することが可能となる。さらに、TiN膜19がウエットストッパSiN膜17の高さ位置より20nmリセスされた構造であるので、TiN膜19から誘電体膜21を通してセルプレート電極のルテニウム膜22に流れるリーク電流を抑制することができる。
【0061】
(実施の形態4)
図23は、本発明の実施の形態4における半導体装置を示す図である。本実施の形態では、SN電極を形成する2層構造のMIMキャパシタに、TaNバリアメタルの凹構造を有する点に特徴がある。すなわち、実施の形態3におけるSN電極の底部における下地膜のTiN19と接するTiNバリアメタル16の構成を、TaNバリアメタルの凹構造にする。このTaNバリアメタルの凹構造により、円筒倒れの防止、バリアメタルの酸化防止、コンタクト抵抗の低減を図ることができる。
【0062】
図23において、SCプラグの上部16を構成するTaN膜が、SN電極底部において凹状の形状を有し、その上にSN電極を構成する2層膜のうちの下地膜19にTiN膜を用いている点に特徴がある。他の部分は、図13に示す半導体装置と同様である。
【0063】
次に、図24〜図32を用いて本実施の形態における製造方法を示す。図24を参照して、まず、SC層間絶縁膜(第1の層間絶縁膜)5として、BPTEOS膜を厚さ450nm蒸着し、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜のパターニングを行なう。その後、ドライエッチングによりSCホール(第1のホール)の酸化膜エッチングを行なう。次いで、ドープトポリシリコンを200nm蒸着し、エッチバックを行なうことにより、100nmだけリセスさせた構造を有するSC多結晶シリコンプラグ6を形成する(図24)。
【0064】
次に、図25に示すように、SCバリアメタル16として、TaN膜をスパッタにて厚さ35nm蒸着する。このとき、TaN膜はスパッタによって35nmの厚さに蒸着するため、SCホール内には、内壁に沿って蒸着されるため、蒸着後、TaN膜は凹形状になる。次いで、図26に示すように、このTaN膜16のCMP研磨処理を行なう。CMP研磨の研磨代は、TaN膜が凹形状になる範囲とする。
【0065】
SCバリアメタルのTaN膜が凹形状であるので、後から蒸着されるTiN膜19との接触面積が大きくなり、コンタクト抵抗が低減されるというメリットがある。また、SN電極の下地膜のTiN膜19との接触面積が大きく、TiN膜とTaN膜とは密着性がよいので、円筒倒れ防止の効果がある。
【0066】
次に、図27に示すように、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)7としてBPTEOS膜を厚さ400nm蒸着し、ウエットストッパ膜17のためのSiN膜を厚さ15nm蒸着し、さらにその上にBPTEOS膜18を厚さ800nm蒸着する。次いで、フォトレジストパターンをマスクに用いてBPTEOS膜をパターニングする。次いで、ドライエッチングによりSNホール(第2のホール)の酸化膜エッチングを行なう。図28は、SNホールの酸化膜エッチング後の状態を示す図である。
【0067】
次いで、CVDによりTiN膜19を蒸着する。その後、スパッタによりルテニウム膜を10nm蒸着し、さらにCVDによって、ルテニウム膜を蒸着する。これにより、SNホール内に均一にルテニウム膜20が蒸着される。図29は、上記のようにして、ルテニウム膜20/TiN膜19の2層膜のSN電極を蒸着した後の状態を示す図である。
【0068】
この後、写真製版を行なってフォトレジストをSNホール内に埋込み、SN層間酸化膜18の上面を覆うルテニウム膜20およびTiN膜19をCMP研磨する。このとき、ルテニウム膜20はTiN膜19を介してSN層間酸化膜18の上面と密着しており、CMP研磨をしても剥がれることはない。その後、SNホール内のレジスト除去を行なう。次に、BHF−U液によりSN層間絶縁膜のBPTEOS膜18をエッチングする。このとき、ウエットストッパ膜17のSiN膜の位置でエッチングはストップする(図30)。これは、酸化膜をドライエッチする方法でも同様に行なうことができる。
【0069】
この後、硫酸または過酸化水素水により、TiN膜19をエッチングし、SiN膜17の高さ位置より20nm後退させる。これによりルテニウム膜の円筒キャパシタができあがり、円筒の外周側のTiN膜が除去される。図31は、SN電極下地膜19を構成するTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【0070】
図32に示すように、その後、誘電体膜としてタンタルオキサイド膜21を厚さ12nm蒸着し、その後、400℃にてオゾンガス中で酸化することにより結晶化する。このときSN電極膜20のルテニウム膜は、SN層間絶縁膜7を形成するBPTEOS膜と、TiN膜19を介して密着している。また、ルテニウム膜20は、その底部において、凹状のTaNプラグ16と、TiN膜19を介して密着している。これらの膜同士の密着性はよいため、隙間や剥がれが発生して円筒の倒れは生じない。
【0071】
また、誘電体膜21を形成するタンタル酸化物のオゾン酸化時に、オゾンの酸化種はSCバリアメタル16のTaN膜によりブロックされる。このため、多結晶シリコンプラグ6とSCバリアメタル16との界面は酸化されず、コンタクト抵抗の増加を抑えることができる。その後、図23に示したように、セルプレート電極としてルテニウム膜22を蒸着して、セルプレート電極を形成する。
【0072】
上記のように、SN電極膜のルテニウム膜20は、BPTEOS膜7とはTiN膜19を介し、また、SCバリアプラグ16のTaN膜とはTiN膜19を介して、良好に密着する。このため、隙間や剥がれが発生してSN電極の円筒が倒れることはない。
【0073】
また、TiN膜19がウエットストッパSiN膜17の高さ位置より20nmリセスされるので、SN電極の下地膜19のTiN膜から誘電体膜21を通してセルプレート電極のルテニウム膜22に流れるリーク電流を抑えることができる。
【0074】
さらに、SCバリアプラグ16のTaN膜を凹構造にすることにより、SN電極の下地膜19のTiN膜との接触面積が増えることにより、円筒倒れの防止およびコンタクト抵抗の低減を得ることができる。また、SCバリアプラグ16にスパッタTaN膜を用いることにより、誘電体膜21をオゾン酸化させる際のSC多結晶シリコン膜6の酸化防止およびそれに伴うコンタクト抵抗の低減を図ることができる。
【0075】
(実施の形態に対する付言)
1. 上記の実施の形態では、すべてエッチングストッパ(ウェットストッパ)膜を設けた例を示したが、特許請求の範囲における記載にしたがって、エッチングストッパがない場合があってもよいことは、言うまでもない。たとえば、SCバリアメタルが凹状のTaN膜からなる場合、エッチングストッパ膜がなくてもよい。このため、SNホール(第2のホール)が、SN層間絶縁膜(第2の層間絶縁膜)に形成されることになる。
2. 上記のエッチングストッパ膜の有無に加えて、本実施の形態において例示した、(a1)接着剤として機能させるスパッタTiN膜、(a2)ハードマスクとして用いるTiN膜、(a3)下地膜として用いるCVDTiN膜またはSCバリアメタルの筒状金属膜と接する部分をTiN膜やTaN膜で構成すること、および(a4)SCバリアメタルの凹状TaN膜または凹状TiN膜を、適当に組み合わせることができることは言うまでもない。
3. 筒状金属膜、すなわちストレージノードには、ルテニウム膜のみを例示したが、他の金属膜でもよい。たとえば、ルテニウム膜に代えて、白金膜やタングステン膜を用いることができる。
【0076】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されることはない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【0077】
【発明の効果】
本発明の半導体装置を用いることにより、キャパシタ形成時にキャパシタ電極膜剥がれによるSN形状不良や円筒倒れを防止することができる。また、ストレージノードコンタクトのバリアメタルと、その下の多結晶シリコンプラグとの界面の酸化を防止することができ、さらにキャパシタからのリーク電流を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における半導体装置を示す断面図である。
【図2】図1の半導体装置の製造において、SCバリアメタルを蒸着し、CMP研磨した状態を示す図である。
【図3】SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を蒸着した後、SNホールを開口した状態を示す図である。
【図4】BPTEOS膜の上部にTiN膜をスパッタした状態を示す図である。
【図5】SN電極膜のルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図6】CMP研磨した状態を示す図である。
【図7】BPTEOS膜およびスパッタしたTiN膜を除去した状態を示す図である。
【図8】誘電体膜のタンタル酸化膜を蒸着した後、セルプレートとなるルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図9】本発明の実施の形態2における半導体装置の製造において、ウェットストッパ膜、BPTEOS膜およびTiN膜を蒸着した状態を示す断面図である。
【図10】TiN膜をパターニングして、そのパターニングされたTiN膜をハードマスクに用いてSiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜をパターニングした状態を示す図である。
【図11】SN電極となるルテニウム膜を蒸着した状態を示す図である。
【図12】CMP研磨した状態を示す図である。
【図13】本発明の実施の形態3における半導体装置を示す断面図である。
【図14】図13に示す半導体装置の製造において、SCホール内に多結晶シリコンのプラグを形成した状態を示す図である。
【図15】SCバリアメタルを堆積した状態を示す図である。
【図16】CMP研磨した状態を示す図である。
【図17】さらに、SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を成膜した状態を示す図である。
【図18】SNホールを開口した状態を示す図である。
【図19】SN電極の下地膜のTiN膜および電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図20】CMP研磨した後、BPTEOS膜を除去した状態を示す図である。
【図21】下地膜のTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【図22】誘電体膜を蒸着した状態を示す図である。
【図23】本発明の実施の形態4における半導体装置を示す断面図である。
【図24】図23の半導体装置の製造において、SCホール内に多結晶シリコンを蒸着した状態を示す図である。
【図25】SCバリアメタルのTaN膜をSCホール内に凹状になるように形成した状態を示す図である。
【図26】CMP研磨した状態を示す図である。
【図27】SiN膜、SN層間絶縁膜、ウェットストッパ膜およびBPTEOS膜を成膜した状態を示す図である。
【図28】SNホールを開口した状態を示す図である。
【図29】SN電極の下地膜のTiN膜を蒸着し、その上にさらに電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図30】CMP研磨し、BPTEOSをエッチングした状態を示す図である。
【図31】下地膜のTiN膜をリセスエッチングした状態を示す図である。
【図32】誘電体膜を蒸着した状態を示す図である。
【図33】従来の半導体装置の平面図である。
【図34】図33のXXXIV−XXXIV線に沿う断面図である。
【図35】図34に示す半導体装置の製造において、SCホール内にバリアメタルを形成した状態を示す図である。
【図36】SiN膜およびSN層間絶縁膜を蒸着し、エッチングによりSNホールを開口した状態を示す図である。
【図37】SN電極膜のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【図38】CMP研磨後に、誘電体膜を蒸着し、セルプレート電極のRu膜を蒸着した状態を示す図である。
【符号の説明】
1 トランスファーゲート、2 ビット線(BL)、3 多結晶シリコンのランディングパッド、4 ビット線コンタクト、5 SC層間絶縁膜、6 多結晶シリコンのSCプラグ(SCプラグ下部)、7 SN層間絶縁膜(SN層間絶縁膜下部)、15 SiN膜、16 SCバリアメタル(SCプラグ上部)、17ウェットストッパ膜、18 BPTEOS膜(SN層間絶縁膜上部)、19 SN電極下地膜、20 SN電極膜、21 タンタル酸化物膜(誘電体膜)、22 セルプレート膜、51 シリコン基板。
Claims (6)
- 半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜を貫通し、その筒形状の底部を下にして前記第1の層間絶縁膜側に露出し、開口側を上にして、前記第2の層間絶縁膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜と、
前記第1の層間絶縁膜内から、前記筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部とを備え、
前記ストレージノードコンタクト部が、前記筒状金属膜の底部に向けて凹んでおり、前記筒状金属膜の底部が、その凹んだ部分に嵌め込まれた凸形状である、半導体装置。 - 前記筒状金属膜に接するストレージノードコンタクトの部分が、TaNから形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記筒状金属膜の筒形状の外面が、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成されたTiN膜で被覆され、そのTiN膜が、前記筒状金属膜と、前記第1および第2の層間絶縁膜ならびにストレージノードコンタクト部との間に介在している、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上に位置する第1の層間絶縁膜と、
前記第1の層間絶縁膜の上に位置する第2の層間絶縁膜と、
前記第2の層間絶縁膜の上面に接して位置するエッチングストッパ膜と、
前記第2の層間絶縁膜およびエッチングストッパ膜を貫通し、その筒形状の底部を下に、開口側を上にして、前記エッチングストッパ膜から上方に延びるように位置する筒状金属膜と、
前記第1の層間絶縁膜内から、前記筒状金属膜の底部に接するストレージノードコンタクト部と、
前記筒状金属膜の筒形状の内面および前記エッチングストッパ膜から延び出た部分の外周面を覆う誘電体膜とを備え、
前記エッチングストッパ膜が400℃以下で蒸着されたSiN膜である、半導体装置。 - 前記筒状金属膜の筒形状の外面が、CVD(Chemical Vapor Deposition)法により600℃以下で形成されたTiN膜で被覆され、そのTiN膜が、前記筒状金属膜と、前記第1および第2の層間絶縁膜、ならびにストレージノードコンタクト部との間に介在している、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記CVDにより蒸着されたTiN膜が、前記エッチングストッパ膜より低い位置範囲に限られるようにドライエッチングによりリセスされている、請求項5に記載の半導体装置。
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