JP2004103941A - 電圧発生装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Nトランジスタ35のバックゲートには基板バイアス電圧Vbbが印加される。チャージポンプ回路20のポンプ動作によって,基板バイアス電圧Vbbが低下すると,Nトランジスタ35のドレイン・ソース間抵抗が高くなる(基板バイアス効果)。第1電源電圧Vccが高く設定されると,Nトランジスタ35のドレイン・ソース間電流が増加するが(I+△I1),基板バイアス効果のために,ドレイン・ソース間電流がその分,減少し(I+△I1−△I2),第1電源電圧Vccが高くなったことによるノードN34の電位上昇も抑制される。この結果,基板バイアス電圧Vbbの基準レベルが,第1電源電圧Vccが標準レベルにあるときの基板バイアス電圧Vbbの基準レベルから大きく低下することはない。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,電圧発生装置にかかり,特に半導体基板の電位を所定のレベルに維持することが可能な電圧発生装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般的に,DRAM(Dynamic Random Access Memory)を構成する各メモリセルは,図9に示すように,Nチャネル型トランジスタ(以下,「Nトランジスタ」という)100とキャパシタ101を備えている。
【0003】
Nトランジスタ100のドレインはビット線BLに接続され,ゲートはワード線WLに接続され,ソースはノードN100に接続されている。また,Nトランジスタ100のバックゲートには,チャージポンプ回路(図示せず)から出力される基板バイアス電圧Vbb(例えば,−1.0V)が印加されている。
【0004】
キャパシタ101は,例えば平行平板タイプとして形成される。キャパシタ101の一方の端子はノードN100に接続されており,他方の端子はノードN101に接続されている。ノードN101は第1電源電圧Vcc(例えば,2.2V)の1/2の電圧が印加されている。
【0005】
図10は,各メモリセルの断面を示している。P型基板110にN型ウェル111が形成されており,その内側にP型ウェル112が形成されている。さらに,P型ウェル112の内側には,N+型不純物領域121とN+型不純物領域122が形成されており,それぞれがNトランジスタ100のソースおよびドレインとなる。
【0006】
P型基板110には第2電源電圧Vss(例えば,0V)が印加され,N型ウェル111には第1電源電圧Vccが印加され,P型ウェル112には基板バイアス電圧Vbbが印加される。
【0007】
P型ウェル112に基板バイアス電圧Vbbが印加されるため,ワード線WLにノイズが乗った場合であっても,キャパシタ101にチャージされている電荷がN+型不純物領域121を経由してN+型不純物領域122へ移動することはない。つまり,各メモリセルに格納されているデータのリークが防止される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
ところで,キャパシタ101にチャージされている電荷は僅かながら,N+型不純物領域121を経由して,P型ウェル112へも移動してしまう。この現象は,N+型不純物領域121とP型ウェル112との接合面に存在する格子欠陥に起因するものであり,完全に防ぐことは極めて困難である。特に,N+型不純物領域121とP型ウェル112との電位差が大きい場合には,電荷の移動が生じやすくなる。つまり,データリーク現象が顕著となり,結果としてDRAMのデータ保持時間が短縮してしまう。従来の基板バイアス電圧発生装置はかかる問題を抱えていた。
【0009】
基板バイアス電圧発生装置は,基板バイアス電圧Vbbを出力するチャージポンプ回路と,チャージポンプ回路が出力した基板バイアス電圧Vbbのレベルを検出する電圧レベル検出回路(図示せず)を含む。そして,チャージポンプ回路は,電圧レベル検出回路が出力する電圧レベル検出信号を受けて,基板バイアス電圧Vbbのレベルを調整して出力する。
【0010】
しかしながら,DRAMが高電圧駆動タイプであり,第1電源電圧Vccを高く設定した場合には,従来では,第1電源電圧Vccのレベルに応じて基板バイアス電圧Vbbが大きく低下していた。第1電源電圧Vccが上昇しても,理想的には一定であるべき基板バイアス電圧Vbbが低下してしまうと,N+型不純物領域121とP型ウェル112との電位差が広がり,上述の理由からDRAMのデータ保持時間が短縮してしまっていた。
【0011】
本発明は,上記のような問題点に鑑みてなされたものであり,電源電圧などが変化した場合であっても,良好な特性を有する電圧を出力する電圧発生装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために,本発明の第1の観点によれば,電圧レベル検出回路と,電圧レベル検出回路から出力された電圧レベル検出信号が第1論理レベルのとき,出力電圧のレベルを上昇させ,電圧レベル検出信号が第2論理レベルのとき,出力電圧のレベルを下降させる電圧発生回路とを備えた電圧発生装置が提供される。電圧レベル検出回路は,検出ノードの電位に応じて,電圧レベル検出信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と,電圧発生回路が出力する出力電圧のレベルと電源電圧のレベルに応じて検出ノードの電位を調整する第1調整手段と,第1調整手段による検出ノードの電位の調整量を調整する第2調整手段とを備えたことを特徴としている(請求項1)。かかる構成によれば,電源電圧の変動によって検出ノードの電位が大きく変動するおそれがある場合でも,第2調整手段によってその変動幅を抑制することが可能となる。この結果,電圧発生回路から出力される出力電圧も一定範囲内に調整されることになる。なお,電圧発生回路は,電圧レベル検出回路から出力された電圧レベル検出信号が第1論理レベルのとき,動作オフ状態となり,前記出力電圧のレベルを上昇させ,電圧レベル検出信号が第2論理レベルのとき,動作オン状態となり,出力電圧のレベルを下降させるように構成される(請求項3,10)。
【0013】
第2調整手段は,電圧発生回路から出力された出力電圧のレベルに応じて,第1調整手段による検出ノードの電位の調整量を調整する(請求項2)。電圧発生回路から出力される出力電圧の変動をより適切に,かつ自動的に調整することが可能となる。
【0014】
電圧レベル検出回路は,電圧発生回路から出力された出力電圧が一端に印加される第1抵抗素子と,第1電源端子に電源電圧が印加され,検出ノードに第2電源端子が接続された第1トランジスタと,検出ノードに第1電源端子が接続され,第2電源端子に第1抵抗素子の他端が接続された第2トランジスタと,第1トランジスタの第1電源端子と第2電源端子との間に流れる電流および第2トランジスタの第1電源端子と第2電源端子との間に流れる電流を調整する第2抵抗素子とを備える。そして,第1トランジスタ,第2トランジスタ,および第1抵抗素子は,第1調整手段を構成し,第2抵抗素子は,第2調整手段を構成する(請求項4)。
【0015】
第2抵抗素子は,バックゲートに電圧発生回路から出力された出力電圧が印加される第3トランジスタによって構成できる(請求項5)。同様に,第1抵抗素子は,第4トランジスタによって構成できる(請求項6)。
【0016】
本発明の第2の観点によれば,電圧レベル検出回路群と,電圧レベル検出回路群から出力された電圧レベル検出信号が第1論理レベルのとき,出力電圧のレベルを上昇させ,電圧レベル検出信号が第2論理レベルのとき,出力電圧のレベルを下降させる電圧発生回路とを備えた電圧発生装置が提供される。電圧レベル検出回路群は,第1電圧レベル検出信号を出力する第1電圧レベル検出回路,第2電圧レベル検出信号を出力する第2電圧レベル検出回路,および第1電圧レベル検出信号または第2電圧レベル検出信号のいずれかを選択して電圧レベル検出信号として出力する選択回路を含んで成る。そして,第1電圧レベル検出回路および第2電圧レベル検出回路はそれぞれ独立して,電圧発生回路から出力された出力電圧のレベルと,所定の特性パラメータとに応じて第1電圧レベル検出信号および第2電圧レベル検出信号の論理レベルを遷移させることを特徴としている(請求項7)。かかる構成によれば,電圧発生装置は,特性パラメータによって変化する各種動作モードにおいて,最も適切なレベルに調整された出力電圧を出力することが可能となる。
【0017】
電圧発生装置を電源電圧を変化させて動作させる場合には,特性パラメータとして電源電圧を用い(請求項8),また,周囲温度が変化する環境下で電圧発生装置を動作させる場合には,特性パラメータとして温度を用いる(請求項9)。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら,本発明にかかる電圧発生装置の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,以下の説明および添付された図面において,略同一の機能および構成を有する要素については,同一符号を付することによって重複説明を省略する。
【0019】
[第1の実施の形態]
本発明の第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1の構成を図1に示す。基板バイアス電圧発生装置1は,半導体基板110に印加される基板バイアス電圧Vbbを出力するものであり,発振回路10,チャージポンプ回路20,および電圧レベル検出回路30を有する。
【0020】
発振回路10は,例えばリングオシレータを内蔵しており,一定周期のパルス信号S10を出力する。
【0021】
チャージポンプ回路20は,主にキャパシタとトランジスタで構成されており,パルス信号S10に同期して充放電を繰り返し,基板バイアス電圧Vbbを生成する。チャージポンプ回路20から出力された基板バイアス電圧Vbbは,半導体基板110へ印加されるとともに,電圧レベル検出回路30へも入力される。
【0022】
電圧レベル検出回路30は,基板バイアス電圧Vbbのレベルを検出して,そのレベルに応じて,論理的高レベル(以下,「Hレベル」という)または論理的低レベル(以下,「Lレベル」という)の電圧レベル検出信号S30を出力する。この電圧レベル検出信号S30は,チャージポンプ回路20のポンプ動作を制御する信号としてチャージポンプ回路20に入力される。
【0023】
チャージポンプ回路20は,電圧レベル検出信号S30がHレベルのとき動作ON状態となり,基板バイアス電圧Vbbを降圧して出力し,電圧レベル検出信号S30がLレベルのとき動作OFF状態となり,基板バイアス電圧Vbbを昇圧して出力する。
【0024】
以上のように,チャージポンプ回路20と電圧レベル検出回路30は,基板バイアス電圧Vbbについて,フィードバックループを形成している。そして,基板バイアス電圧発生装置1は,例えば−1.0Vに調整された基板バイアス電圧Vbbを半導体基板110に供給する。
【0025】
次に,電圧レベル検出回路30の内部構成を詳しく説明する。電圧レベル検出回路30は,Pチャネル型トランジスタ(以下,「Pトランジスタ」という)31,32,Nトランジスタ33,34,35,36,およびバッファ回路(論理レベル決定手段)37を備えている。
【0026】
Pトランジスタ31のソースとPトランジスタ32のソースには,第1電源電圧Vccが印加されている。Pトランジスタ31のゲートおよびドレインはノードN31に接続されている。Pトランジスタ32のゲートはノードN31に接続されており,ドレインはノード(検出ノード)N33に接続されている。
【0027】
Nトランジスタ35のドレインはノードN31に接続されており,ソースはノードN32に接続されている。Nトランジスタ35のゲートには,第1電源電圧Vccが印加されており,バックゲートには,基板バイアス電圧Vbbが印加されている。
【0028】
Nトランジスタ33のドレインおよびゲートはノードN32に接続されている。Nトランジスタ33のソースには,第2電源電圧Vssが印加されており,バックゲートには,基板バイアス電圧Vbbが印加されている。
【0029】
Nトランジスタ34のドレインはノードN33に接続されており,ゲートはノードN32に接続されており,ソースはノードN34に接続されている。
【0030】
Nトランジスタ36のドレインおよびゲートはノードN34に接続されている。Nトランジスタ36のソースおよびバックゲートには,基板バイアス電圧Vbbが印加されている。なお,Nトランジスタ36は,抵抗素子として機能するものであり,これに代えてPトランジスタを採用してもよい。
【0031】
Pトランジスタ31とPトランジスタ32は,第1カレントミラー回路を構成し,Nトランジスタ33とNトランジスタ34は第2カレントミラー回路を構成する。つまり,Pトランジスタ31とPトランジスタ32は,相互に同一ディメンジョンで形成され,Nトランジスタ33とNトランジスタ34は,相互に同一ディメンジョンで形成されている。または,Pトランジスタ31とPトランジスタ32のゲート長を同一として,Nトランジスタ33とNトランジスタ34のゲート長を同一として,さらに,Pトランジスタ31とPトランジスタ32のゲート幅の比と,Nトランジスタ33とNトランジスタ34のゲート幅の比が一致するように,各トランジスタを形成してもよい。
【0032】
第1カレントミラー回路と第2カレントミラー回路の間に位置するNトランジスタ35は,両カレントミラー回路に流れる電流を制御する抵抗素子として機能する。
【0033】
バッファ回路37は,ノードN33に出力されるアナログ電圧信号を増幅して,電圧レベル検出信号S30を出力する。この電圧レベル検出信号S30は,HレベルとLレベルを有するロジック信号であり,Hレベルのときの電圧レベルは第1電源電圧Vccに等しく,Lレベルのときの電圧レベルは第2電源電圧Vssに等しい。
【0034】
以上のように構成された第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1の動作について,図1および図2を用いて説明する。
【0035】
基板バイアス電圧Vbbが基準値(例えば,−1.0V)を保っていれば,ノードN34の電位は第2電源電圧Vss(例えば,0V)に一致する。基板バイアス電圧Vbbが変動すると,これに応じてノードN34の電位も変動し,さらにノードN33の電位も変動する。
【0036】
まず,基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも高くなった場合の基板バイアス電圧発生装置1の動作を説明する。
【0037】
基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも高くなると,ノードN34の電位は,第2電源電圧Vssよりも高くなる。これによって,Nトランジスタ34のゲート・ソース間電圧が低くなり,Nトランジスタ34のドレイン・ソース間抵抗が上昇する。基板バイアス電圧Vbbの上昇が進むと,Nトランジスタ34のドレイン・ソース間抵抗もその分高くなり,ノードN33の電位は,第1電源電圧Vccまで上昇する。
【0038】
バッファ回路37は,ノードN33の電位が所定値まで上昇したところで,電圧レベル検出信号S30をLレベルからHレベルに遷移させ,チャージポンプ回路20に与える。チャージポンプ回路20は,Hレベルの電圧レベル検出信号S30を受けるとポンプ動作を開始する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは下降する。
【0039】
次に,基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも低くなった場合の基板バイアス電圧発生装置1の動作を説明する。
【0040】
基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも低くなると,ノードN34の電位は,第2電源電圧Vssよりも低くなる。これによって,Nトランジスタ34のゲート・ソース間電圧が高くなり,Nトランジスタ34のドレイン・ソース間抵抗が低下する。基板バイアス電圧Vbbの低下が進むと,Nトランジスタ34のドレイン・ソース間抵抗もその分低くなり,ノードN33の電位は,第2電源電圧Vssまで低下する。
【0041】
バッファ回路37は,ノードN33の電位が所定値まで低下したところで,電圧レベル検出信号S30をHレベルからLレベルに遷移させ,チャージポンプ回路20に与える。チャージポンプ回路20は,Lレベルの電圧レベル検出信号S30を受けるとポンプ動作を停止する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは上昇する。
【0042】
以上のようにして,チャージポンプ回路20がポンプ動作を繰り返し,この結果,基板バイアス電圧Vbbが所定の値(例えば,−1.0V)に調整される。
【0043】
第1電源電圧Vcc=2.2V,第2電源電圧Vss=0Vの条件下における基板バイアス電圧発生装置1の動作シミュレーションの結果を以下に示す。なお,基板バイアス電圧Vbbの基準値は,−1.0Vである。
【0044】
基板バイアス電圧Vbb=−1.2V(基準値−0.2V)のとき,ノードN33の電位VN33は,0V(=Vss)となる。
【0045】
基板バイアス電圧Vbb=−0.87V(基準値+0.13)のとき,ノードN33の電位VN33は,2.2V(=Vcc)となる。
【0046】
この結果から,基板バイアス電圧Vbbの変動幅△Vbb=0.33(=−0.87−(−1.2))Vは,ノードN33において,△VN33=2.2(=2.2−0)Vに増幅されていることがわかる。この増幅率は,約6.7(△VN33/△Vbb=2.2/0.33)である。このように,電圧レベル検出回路30によれば,僅かな基板バイアス電圧Vbbの変動が,ノードN33に大きな電位変動として現れる。したがって,バッファ回路37のスレショルド電圧(入力信号電圧をHレベルまたはLレベルと判断する境界電圧)が,例えば半導体の製造ばらつきの影響を受けて誤差を有する場合であっても,基板バイアス電圧Vbbの変動は,正確にHレベルまたはLレベルの電圧レベル検出信号S30に変換されて,チャージポンプ回路20にフィードバックされることになる。
【0047】
ここまでは,第1電源電圧Vccが一定の場合の基板バイアス電圧発生装置1の動作を説明した。本発明の第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1は,第1電源電圧Vccが,例えば製品スペックの関係から高く設定された場合であっても,基板バイアス電圧Vbbの基準レベルの極端な低下を抑えることが可能となる。この点については,図3を参照しつつさらに詳しく説明する。
【0048】
第1電源電圧Vccが標準レベル(例えば,2.2V)および第2電源電圧Vssが標準レベル(例えば,0V)に設定されており,基板バイアス電圧Vbbが基準レベル(例えば,−1.0V)を維持しているとき,ノードN34の電圧は,第2電源電圧Vss,すなわち0Vに一致する。このとき,Pトランジスタ31,32,およびNトランジスタ33,34,35,36の各ドレイン・ソース間には全て等しい電流Iが流れている。Nトランジスタ36のドレイン・ソース間抵抗の値をRN36とすると,基板バイアス電圧Vbbは,次式で表すことができる。
【0049】
Vbb=Vss−I×RN36
【0050】
基板バイアス電圧発生装置1において,第1電源電圧Vccが高く設定されると,ノードN34の電位も上昇する。このとき,Pトランジスタ31,32,およびNトランジスタ33,34,35,36の各ドレイン・ソース間を流れる電流は,I+△I1に増加する。ノードN34の電位VN34は,
【0051】
VN34=Vbb+(I+△I1)×RN36
【0052】
となる。ノードN34の電位の上昇にともなって,ノードN33の電位も上昇する。バッファ回路37は,ノードN33の電位が所定値まで上昇したところで,電圧レベル検出信号S30をLレベルからHレベルに遷移させ,チャージポンプ回路20に与える。チャージポンプ回路20は,Hレベルの電圧レベル検出信号S30を受けるとポンプ動作を開始する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは下降する。チャージポンプ回路20は,ノードN34の電位が第2電源電圧Vssに一致するまで,つまり基板バイアス電圧Vbbの値が,
【0053】
Vbb=Vss−(I+△I1)×RN36・・・(式1)
【0054】
になるまでポンプ動作を継続する。
【0055】
ところで,電圧レベル検出回路30は,Nトランジスタ35のバックゲートに基板バイアス電圧Vbbが印加されるように構成されている。チャージポンプ回路20のポンプ動作によって,基板バイアス電圧Vbbが低下すると,Nトランジスタ35の特性が変化する。すなわち,基板バイアス電圧Vbbが低下し,Nトランジスタ35のバックゲートの電位が低下すると,Nトランジスタ35のドレイン・ソース間抵抗が高くなる(ドレイン・ソース間電流が減少する)。以下,これを「基板バイアス効果」という。
【0056】
上述のように,第1電源電圧Vccが高く設定されたことによって,Nトランジスタ35のドレイン・ソース間電流が増加するが(I+△I1),基板バイアス効果のために,ドレイン・ソース間電流がその分,減少する(I+△I1−△I2)。Nトランジスタ35に直列に接続されているPトランジスタ31およびNトランジスタ33のドレイン・ソース間電流も△I2減少する(I+△I1−△I2)。
【0057】
Pトランジスタ31は,Pトランジスタ32とカレントミラー回路を構成している。Pトランジスタ31のドレイン・ソース間電流が△I2減少するのであれば,Pトランジスタ32のドレイン・ソース間電流も△I2減少する(I+△I1−△I2)。同様に,Nトランジスタ33は,Nトランジスタ34とカレントミラー回路を構成している。Nトランジスタ33のドレイン・ソース間電流が△I2減少するのであれば,Nトランジスタ34のドレイン・ソース間電流も△I2減少する(I+△I1−△I2)。このときのノードN34の電位VN34は,
【0058】
VN34=Vss+(I+△I1−△I2)×RN36
【0059】
となる。チャージポンプ回路20は,ノードN34の電位が第2電源電圧Vssに一致するまで,つまり基板バイアス電圧Vbbの値が,
【0060】
Vbb=Vss−(I+△I1−△I2)×RN36・・・(式2)
【0061】
になるまでポンプ動作を継続する。(式1)と(式2)を比較すれば明らかなように,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1によれば,電圧レベル検出回路30に属するNトランジスタ35が基板バイアス効果を受けるため,第1電源電圧Vccの上昇にともなう基板バイアス電圧Vbbの基準レベルの低下が(△I2×RN36)抑制されることになる。この基板バイアス効果については,図3に示した基板バイアス電圧発生装置1のVcc−Vbb特性にも現れている。
【0062】
基板バイアス電圧発生装置1において,第1電源電圧Vccが標準レベル(2.2V)よりも高く設定された場合,調整される基板バイアス電圧Vbbは基準レベル(−1.0V)よりも低くなる。しかし,第1電源電圧Vccと基板バイアス電圧Vbbとは比例(Vbb=−k×Vcc(kは定数))の関係にはない。すなわち,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1によれば,第1電源電圧Vccが高く設定されても,基板バイアス電圧Vbbの基準レベルが,第1電源電圧Vccが標準レベルにあるときの基板バイアス電圧Vbbの基準レベルから大きく低下することはない。
【0063】
ここで,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1を,図9および図10に示したDRAMに適用することを考える。このDRAMが高電圧駆動タイプであり,第1電源電圧Vccが高く設定されても,基板バイアス電圧発生装置1の特性から基板バイアス電圧Vbbの基準レベルは大きく低下せず,N+型不純物領域121とP型ウェル112との電位差が極端に広がることはない。つまり,基板バイアス電圧発生装置1を用いれば,キャパシタ101からN+型不純物領域121を経由してP型ウェル112へリークする電荷の量は,大幅に低減する。このように,キャパシタ101からの電荷移動が抑制されるため,DRAMのデータ保持時間は,標準電圧でDRAMが駆動される場合と同等のレベルに維持される。
【0064】
[第2の実施の形態]
本発明の第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2の構成を図4に示す。基板バイアス電圧発生装置2は,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1と比べると,電圧レベル検出回路30が電圧レベル検出回路群50に置き換えられた構成を有する。すなわち,基板バイアス電圧発生装置2は,発振回路10,チャージポンプ回路20,および電圧レベル検出回路群50を備えており,半導体基板110に印加される基板バイアス電圧Vbbを出力するものである。
【0065】
電圧レベル検出回路群50は,基板バイアス電圧Vbbのレベルを検出して,そのレベルに応じて,HレベルまたはLレベルの電圧レベル検出信号S50を出力する。この電圧レベル検出信号S50は,チャージポンプ回路20のポンプ動作を制御する信号としてチャージポンプ回路20に入力される。
【0066】
チャージポンプ回路20は,電圧レベル検出信号S50がHレベルのとき動作ON状態となり,基板バイアス電圧Vbbを降圧して出力し,電圧レベル検出信号S50がLレベルのとき動作OFF状態となり,基板バイアス電圧Vbbを昇圧して出力する。
【0067】
以上のように,チャージポンプ回路20と電圧レベル検出回路群50は,基板バイアス電圧Vbbについて,フィードバックループを形成している。そして,基板バイアス電圧発生装置2は,例えば−1.0Vに調整された基板バイアス電圧Vbbを半導体基板110に供給する。
【0068】
電圧レベル検出回路群50は,第1電圧レベル検出回路30,第2電圧レベル検出回路40,および選択回路51から構成されている。このうち,第1電圧レベル検出回路30は,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1に属するものと略同一の機能・構成を有している。
【0069】
第2電圧レベル検出回路40は,図5に示すように,Pトランジスタ41,Nトランジスタ42,およびバッファ回路43を備えている。
【0070】
Pトランジスタ41のソースには,第1電源電圧Vccが印加されている。Pトランジスタ41のゲートおよびドレインはノードN41に接続されている。
【0071】
Nトランジスタ42のドレインおよびゲートはノードN41に接続されている。Nトランジスタ42のソースおよびバックゲートには,基板バイアス電圧Vbbが印加されている。
【0072】
バッファ回路43は,ノードN41に出力されるアナログ電圧信号を増幅して,電圧レベル検出信号S40を出力する。この電圧レベル検出信号S40は,HレベルとLレベルを有するロジック信号であり,Hレベルのときの電圧レベルは第1電源電圧Vccに等しく,Lレベルのときの電圧レベルは第2電源電圧Vssに等しい。
【0073】
図6は,第2電圧レベル検出回路40の動作を示す電圧波形図である。第2電圧レベル検出回路40において,基板バイアス電圧Vbbが基準値(例えば,−1.0V)を保っていれば,ノードN41の電位も所定のレベルを維持する。基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも高くなると,ノードN41の電位は上昇し,逆に,基板バイアス電圧Vbbが基準値よりも低くなると,ノードN41の電位は下降する。
【0074】
ここで,第1電源電圧Vccが2.2Vであり,基板バイアス電圧Vbbが基準値−1.0Vに保たれているとき,ノードN41の電位が第1電源電圧Vccの1/2,すなわち1.1Vに維持されると仮定する。Pトランジスタ41とNトランジスタ42はそれぞれ,第1電源電圧Vbbと基板バイアス電圧Vbbの電位差を分圧して,ノードN41に出力する抵抗として機能する。したがって,基板バイアス電圧Vbbが−0.9Vに上昇すると(+0.1V),ノードN41の電位は,約1.134Vに上昇する(+0.034V)。
【0075】
バッファ回路43は,ノードN41の電位が所定値まで上昇したところで,電圧レベル検出信号S40をLレベルからHレベルに遷移させ,逆に,ノードN41の電位が所定値まで低下したところで,電圧レベル検出信号S40をHレベルからLレベルに遷移させる。
【0076】
図4に示すように,選択回路51は,ANDゲートから構成されており,第1電圧レベル検出回路30が出力する電圧レベル検出信号S30と,第2電圧レベル検出回路40が出力する電圧レベル検出信号S40の論理積を演算し,その結果を電圧レベル検出信号S50として出力する。
【0077】
次に,第1電源電圧Vccが標準レベル(例えば,2.2V)よりも高くまたは低く設定された場合の第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2の動作について説明する。
【0078】
まず,第2電圧レベル検出回路40の機能を説明するため,第1電源電圧Vccがどのような値に設定されても,選択回路51が,第2電圧レベル検出回路40から出力された電圧レベル検出信号S40のみを選択し,第1電圧レベル検出回路30から出力された電圧レベル検出信号S30は選択しない場合の基板バイアス電圧発生装置2のVcc−Vbb特性を図7に示す。基板バイアス電圧Vbbの基準レベルは,第1電源電圧Vccの上昇に比例して降下している。
【0079】
図7に示した基板バイアス電圧発生装置2のVcc−Vbb特性は,第1電圧レベル検出回路30の電圧レベル検出機能および選択回路51の電圧レベル検出信号の選択機能を無視したものである。しかし,実際には,基板バイアス電圧発生装置2に属する選択回路51は,第1電圧レベル検出回路30から出力された電圧レベル検出信号S30または第2電圧レベル検出回路40から出力された電圧レベル検出信号S40のいずれか一方を選択する。以下,図8を用いて,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2の動作・機能について説明する。
【0080】
図8は,図3と図7を合成したものであり,実線が第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2のVcc−Vbb特性を示している。
【0081】
まず,第1電源電圧Vccが標準レベル(2.2V)よりも高い値,例えば3.0Vに設定されたときの基板バイアス電圧発生装置2の動作を説明する。
【0082】
基板バイアス電圧Vbbが−1.0Vまで上昇したときは,第1電圧レベル検出回路30はHレベルの電圧レベル検出信号S30を出力し,第2電圧レベル検出回路40はHレベルの電圧レベル検出信号S40を出力する。したがって,選択回路51は,Hレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行う。これによって,基板バイアス電圧Vbbは低下する。
【0083】
基板バイアス電圧Vbbが,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベル(約−1.16V)を下回ったとき,第2電圧レベル検出回路40は電圧レベル検出信号S40をHレベルに維持しているが,第1電圧レベル検出回路30は,Lレベルの電圧レベル検出信号S30をHレベルからLレベルに遷移させる。したがって,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を中止する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベル(約−1.16V)に調整される。
【0084】
なお,基板バイアス電圧Vbbが第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベル(約−1.38V)を下回ったとき,第2電圧レベル検出回路40は電圧レベル検出信号S40をHレベルからLレベルに遷移させる。このときすでに第1電圧レベル検出回路30はLレベルの電圧レベル検出信号S30を出力しているため,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力する。チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行わない。
【0085】
以上のように,第1電源電圧Vccが標準レベル(2.2V)よりも高いレベルに設定された場合,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2は,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベルに合致するように基板バイアス電圧Vbbを調整する。
【0086】
次に,第1電源電圧Vccが標準レベル(2.2V)よりも低く,1.05Vよりも高い値,例えば1.5Vに設定されたときの基板バイアス電圧発生装置2の動作を説明する。
【0087】
基板バイアス電圧Vbbが−0.6Vまで上昇したときは,第1電圧レベル検出回路30はHレベルの電圧レベル検出信号S30を出力し,第2電圧レベル検出回路40はHレベルの電圧レベル検出信号S40を出力する。したがって,選択回路51は,Hレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行う。これによって,基板バイアス電圧Vbbが低下する。
【0088】
基板バイアス電圧Vbbが,第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベル(約−0.68V)を下回ったとき,第1電圧レベル検出回路30は電圧レベル検出信号S30をHレベルに維持しているが,第2電圧レベル検出回路40は,電圧レベル検出信号S40をHレベルからLレベルに遷移させる。したがって,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を中止する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは,第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベル(約−0.68V)に調整される。
【0089】
なお,基板バイアス電圧Vbbが第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベル(約−0.8V)を下回ったとき,第1電圧レベル検出回路30は電圧レベル検出信号S30をHレベルからLレベルに遷移させる。このときすでに第2電圧レベル検出回路40はLレベルの電圧レベル検出信号S40を出力しているため,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力する。チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行わない。
【0090】
以上のように,第1電源電圧Vccが標準レベル(2.2V)よりも低く,1.05Vよりも高いレベルに設定された場合,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2は,第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベルに合致するように基板バイアス電圧Vbbを調整する。
【0091】
次に,第1電源電圧Vccが1.05Vよりも低い値,例えば0.8Vに設定されたときの基板バイアス電圧発生装置2の動作を説明する。
【0092】
基板バイアス電圧Vbbが−0.2Vまで上昇したときは,第1電圧レベル検出回路30はHレベルの電圧レベル検出信号S30を出力し,第2電圧レベル検出回路40はHレベルの電圧レベル検出信号S40を出力する。したがって,選択回路51は,Hレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行う。これによって,基板バイアス電圧Vbbが低下する。
【0093】
基板バイアス電圧Vbbが,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベル(約−0.36V)を下回ったとき,第2電圧レベル検出回路40は電圧レベル検出信号S40をHレベルに維持しているが,第1電圧レベル検出回路30は,電圧レベル検出信号S30をHレベルからLレベルに遷移させる。したがって,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力し,チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を中止する。これによって,基板バイアス電圧Vbbは,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベル(約−0.36V)に調整される。
【0094】
なお,基板バイアス電圧Vbbが第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベル(約−0.4V)を下回ったとき,第2電圧レベル検出回路40は電圧レベル検出信号S40をHレベルからLレベルに遷移させる。このときすでに第1電圧レベル検出回路30はLレベルの電圧レベル検出信号S30を出力しているため,選択回路51は,Lレベルの電圧レベル検出信号S50を出力する。チャージポンプ回路20は,ポンプ動作を行わない。
【0095】
以上のように,第1電源電圧Vccが1.05Vよりも低いレベルに設定された場合,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2は,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベルに合致するように基板バイアス電圧Vbbを調整する。
【0096】
第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2のVcc−Vbb特性をまとめると次の通りである。すなわち,1.05V≧Vcc,および,Vcc≧2.2Vの範囲では,基板バイアス電圧発生装置2は,第1電圧レベル検出回路30の電圧検出レベルに合致するように基板バイアス電圧Vbbを調整する。1.05V<Vcc<2.2の範囲では,基板バイアス電圧発生装置2は,第2電圧レベル検出回路40の電圧検出レベルに合致するように基板バイアス電圧Vbbを調整する。
【0097】
第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2によれば,第1電源電圧Vccが標準レベルよりも高く設定された場合には,第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置1と同様の効果が得られる。すなわち,第1電源電圧Vccが高く設定されても,基板バイアス電圧Vbbの基準レベルが大きく低下することはない。
【0098】
さらに,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2によれば,第1電源電圧Vccが標準レベルよりも低く設定された場合には,次の効果が得られる。図4,図9,および図10を用いて説明する。
【0099】
キャパシタ101にデータ”1”を書き込むとき,ワード線WLに対して,(Vcc+Vth)以上の電圧を印加する必要がある。Vthは,Nトランジスタ100のスレショルド電圧である。
【0100】
Nトランジスタ100のバックゲート(P型ウェル112)には基板バイアス電圧Vbbが印加されており,Nトランジスタ100は,基板バイアス効果を受ける。このため,Nトランジスタ100のスレショルド電圧Vthは,基板バイアス電圧Vbbが低くなると上昇する。つまり,基板バイアス電圧Vbbが低く調整されてしまうと,Nトランジスタ100のスレショルド電圧Vthが高くなり,ワード線WLにより高いレベルの電圧を印加しなければキャパシタ101にデータ”1”を書き込むことができなくなる。
【0101】
ところが,ワード線WLに印加する電圧は,チャージポンプ回路20によって第1電源電圧Vccを昇圧して生成される。したがって,第1電源電圧Vccが低い場合には,チャージポンプ回路20からワード線WLに印加される電圧も低下するおそれがある。
【0102】
このように,第1電源電圧Vccが標準レベルよりも低く設定されている場合,メモリセルにデータを正確に書き込むためには,基板バイアス電圧Vbbはより高い値に調整されることが好ましい。この点,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2によれば,第1電源電圧Vccが低くても,基板バイアス電圧Vbbは高い値に調整される。この結果,メモリセルに対するデータ書き込みに支障をきたすことはない。なお,第1電圧レベル検出回路30と第2電圧レベル検出回路40との切り替えに用いられる第1電源電圧Vccの標準レベルが2.2Vである場合に即して第2の実施の形態の説明を行った。しかし,標準レベルの値は,これに限られるものではなく,基板バイアス電圧発生装置が含まれる半導体デバイスの動作を保証する最高電源電圧と最低電源電圧の中間値程度で適宜決定されることが好ましい。
【0103】
以上,第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2は,第1電源電圧Vccが広範囲にわたりレベル変更されても,基板バイアス電圧Vbbを適切な値に自動的に調整することが可能である。
【0104】
添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが,本発明はかかる実施の形態に限定されない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【0105】
第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置2において,電圧レベル検出回路群50は,第1電源電圧Vccと基板バイアス電圧Vbbとの関係について異なる特性を有する第1電圧レベル検出回路30および第2電圧レベル検出回路40を備えているが,例えば,温度と基板バイアス電圧Vbbとの関係について異なる特性を有する複数の回路を備えるようにしてもよい。
【発明の効果】
以上説明したように,本発明によれば,電源電圧などが変化した場合であっても,良好な特性を有する電圧を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置の構成を示すブロック図である。
【図2】図1の基板バイアス電圧発生装置に属する電圧レベル検出回路の動作を示す電圧波形図である。
【図3】図1の基板バイアス電圧発生装置のVcc−Vbb特性曲線図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態にかかる基板バイアス電圧発生装置の構成を示すブロック図である。
【図5】図4の基板バイアス電圧発生装置に属する第2電圧レベル検出回路の構成を示す回路図である。
【図6】図4の基板バイアス電圧発生装置に属する第2電圧レベル検出回路の動作を示す電圧波形図である。
【図7】図4の基板バイアス電圧発生装置のVcc−Vbb特性曲線図(その1)である。
【図8】図4の基板バイアス電圧発生装置のVcc−Vbb特性曲線図(その2)である。
【図9】一般的なDRAMのメモリセル部の構成を示す回路図である。
【図10】一般的なDRAMのメモリセル部の断面図である。
【符号の説明】
1,2:基板バイアス電圧発生装置
10:発振回路
20:チャージポンプ回路
30:電圧レベル検出回路
40:第2電圧レベル検出回路
50:電圧レベル検出回路群
51:選択回路
100:Nトランジスタ
101:キャパシタ
110:半導体基板
121,122:N+型不純物領域
S30,S40,S50:電圧レベル検出信号
Vbb:基板バイアス電圧
Vcc:第1電源電圧
Vss:第2電源電圧
Claims (10)
- 電圧レベル検出回路と,
前記電圧レベル検出回路から出力された電圧レベル検出信号が第1論理レベルのとき,出力電圧のレベルを上昇させ,前記電圧レベル検出信号が第2論理レベルのとき,出力電圧のレベルを下降させる電圧発生回路と,を備えた電圧発生装置であって,
前記電圧レベル検出回路は,
検出ノードの電位に応じて,前記電圧レベル検出信号の論理レベルを決定する論理レベル決定手段と,
前記電圧発生回路が出力する前記出力電圧のレベルと電源電圧のレベルに応じて前記検出ノードの電位を調整する第1調整手段と,
前記第1調整手段による前記検出ノードの電位の調整量を調整する第2調整手段と,
を備えたことを特徴とする,電圧発生装置。 - 前記第2調整手段は,前記第1調整手段による前記検出ノードの電位の調整量を,前記電圧発生回路が出力する前記出力電圧のレベルに応じて調整することを特徴とする,請求項1に記載の電圧発生装置。
- 前記電圧発生回路は,
動作オフ状態となることで前記出力電圧のレベルを上昇させ,
動作オン状態となることで前記出力電圧のレベルを下降させることを特徴とする,請求項1または2に記載の電圧発生装置。 - 前記電圧レベル検出回路は,
前記電圧発生回路から出力された前記出力電圧が一端に印加される第1抵抗素子と,
第1電源端子に前記電源電圧が印加され,前記検出ノードに第2電源端子が接続された第1トランジスタと,
前記検出ノードに第1電源端子が接続され,第2電源端子に前記第1抵抗素子の他端が接続された第2トランジスタと,
前記第1トランジスタの第1電源端子と第2電源端子との間に流れる電流および前記第2トランジスタの第1電源端子と第2電源端子との間に流れる電流を調整する第2抵抗素子と,
を備え,
前記第1調整手段は,前記第1トランジスタ,第2トランジスタ,および前記第1抵抗素子を含み,
前記第2調整手段は,前記第2抵抗素子を含む,
ことを特徴とする,請求項1,2,または3に記載の電圧発生装置。 - 前記第2抵抗素子は,バックゲートに前記電圧発生回路から出力された前記出力電圧が印加される第3トランジスタから構成されることを特徴とする,請求項4に記載の電圧発生装置。
- 前記第1抵抗素子は,第4トランジスタから構成されることを特徴とする,請求項4または5に記載の電圧発生装置。
- 電圧レベル検出回路群と,
前記電圧レベル検出回路群から出力された電圧レベル検出信号が第1論理レベルのとき,出力電圧のレベルを上昇させ,前記電圧レベル検出信号が第2論理レベルのとき,出力電圧のレベルを下降させる電圧発生回路と,
を備えた電圧発生装置であって,
前記電圧レベル検出回路群は,第1電圧レベル検出信号を出力する第1電圧レベル検出回路,第2電圧レベル検出信号を出力する第2電圧レベル検出回路,および前記第1電圧レベル検出信号または第2電圧レベル検出信号のいずれかを選択して前記電圧レベル検出信号として出力する選択回路を含み,
前記第1電圧レベル検出回路および前記第2電圧レベル検出回路はそれぞれ独立して,前記電圧発生回路から出力された前記出力電圧のレベルと,所定の特性パラメータとに応じて前記第1電圧レベル検出信号および前記第2電圧レベル検出信号の論理レベルを遷移させることを特徴とする,電圧発生装置。 - 前記特性パラメータは,電源電圧であることを特徴とする,請求項7に記載の電圧発生装置。
- 前記特性パラメータは,温度であることを特徴とする,請求項7に記載の電圧発生装置。
- 前記電圧発生回路は,
動作オフ状態となることで前記出力電圧のレベルを上昇させ,
動作オン状態となることで前記出力電圧のレベルを下降させることを特徴とする,請求項7,8,または9に記載の電圧発生装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7306533B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-12-11 | Pentax Corporation | Light source apparatus for electronic endoscope and electronic endoscope |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165649A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路装置 |
US7509504B1 (en) * | 2004-09-30 | 2009-03-24 | Transmeta Corporation | Systems and methods for control of integrated circuits comprising body biasing systems |
JP2006217317A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Pentax Corp | Ccdの破損防止システム |
US7501880B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-03-10 | International Business Machines Corporation | Body-biased enhanced precision current mirror |
DE102005030372A1 (de) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Schwellspannung eines Transistors, insbesondere eines Transistors eines Leseverstärkers eines Halbleiter- Speicherbauelements |
KR100780768B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2007-11-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고전압 펌핑장치 |
US7504876B1 (en) | 2006-06-28 | 2009-03-17 | Cypress Semiconductor Corporation | Substrate bias feedback scheme to reduce chip leakage power |
TW200813444A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Advanced Analog Technology Inc | Negative voltage detector |
US8089822B1 (en) | 2007-02-12 | 2012-01-03 | Cypress Semiconductor Corporation | On-chip power-measurement circuit using a low drop-out regulator |
KR101215642B1 (ko) * | 2007-02-15 | 2013-01-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 내부전압 검출 회로 및 이를 이용한 내부전압 발생장치 |
JP5529450B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-06-25 | スパンション エルエルシー | ボディバイアス制御回路及びボディバイアス制御方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4825142A (en) * | 1987-06-01 | 1989-04-25 | Texas Instruments Incorporated | CMOS substrate charge pump voltage regulator |
US5394026A (en) * | 1993-02-02 | 1995-02-28 | Motorola Inc. | Substrate bias generating circuit |
KR0158478B1 (ko) * | 1994-12-21 | 1999-02-01 | 김광호 | 반도체 메모리장치의 기판전압 조절회로 |
US5670907A (en) * | 1995-03-14 | 1997-09-23 | Lattice Semiconductor Corporation | VBB reference for pumped substrates |
TW325599B (en) * | 1995-09-01 | 1998-01-21 | Toshiba Co Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
JP3597281B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2004-12-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電位検出回路及び半導体集積回路 |
JP2924949B2 (ja) * | 1996-04-15 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JPH09330590A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 内部電圧検出回路、および基板電圧検出回路 |
JPH10255469A (ja) * | 1997-03-07 | 1998-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
US6016072A (en) * | 1998-03-23 | 2000-01-18 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Regulator system for an on-chip supply voltage generator |
JP2002056678A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-22 | Mitsubishi Electric Corp | 基板バイアス電圧発生回路 |
JP2004236432A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7306533B2 (en) | 2004-09-08 | 2007-12-11 | Pentax Corporation | Light source apparatus for electronic endoscope and electronic endoscope |
Also Published As
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